KR20080061106A - Apparatus for providing gas and apparatus for forming a layer having the same - Google Patents

Apparatus for providing gas and apparatus for forming a layer having the same Download PDF

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세메스 주식회사
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Abstract

A gas supply apparatus is provided to adjust the process condition in a process chamber by individually or generally transferring the position of injection nozzles. A gas line(112) for supplying gas is formed in a gas ring(110) of a ring shape. A plurality of gas nozzles have injection holes(122) for injecting the gas. Connection members(130) are formed between the gas ring and the gas nozzles to connect the injection holes to the gas line, expanding or contracting to enable the gas nozzles to transfer. A bladder(142) is installed between the gas ring and the gas nozzles. A control part(144) adjusts the volume of the bladder. A driving unit transfers the position of the gas nozzles. The rear end of the gas nozzles can be inserted into the gas ring, guided by the gas ring.

Description

가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치{Apparatus for providing gas and apparatus for forming a layer having the same}Gas supply apparatus and film forming apparatus having the same {Apparatus for providing gas and apparatus for forming a layer having the same}

도 1은 종래의 가스 공급 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional gas supply device.

도 2는 본 발명의 일실시예들에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view for explaining a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 가스 공급 장치를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for describing the gas supply device of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일 실시예들에 따른 가스 공급부를 포함하는 막 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing a film forming apparatus including a gas supply unit according to one embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 가스 공급 장치 110 : 가스 링100: gas supply device 110: gas ring

112 : 가스 라인 114 : 수용홈112: gas line 114: receiving groove

116 : 가이드 홈 120 : 노즐116: guide groove 120: nozzle

122 : 분사홀 124 : 가이드122: injection hole 124: guide

130 : 연결 부재 140 : 구동 유닛130 connection member 140 drive unit

142 : 블래더 144 : 제어부142: bladder 144: control unit

200 : 막 형성 장치 210 : 공정 챔버200: film forming apparatus 210: process chamber

212 : 하부 공정 챔버 214 : 상부 공정 챔버212 lower process chamber 214 upper process chamber

220 : 척 230 : 게이트 도어220: Chuck 230: gate door

240 : 진공 제공부 250 : 제1 가스 공급부240: vacuum providing unit 250: first gas supply unit

252 : 리모트 플라즈마 발생기 254 : 제1 공급 포트252: remote plasma generator 254: first supply port

256 : 연결 포트 260 : 제2 가스 공급부256: connection port 260: second gas supply

262 : 공급 라인 262 : 제1 노즐262: supply line 262: first nozzle

270 : 확산 부재 280 : 제3 가스 공급부270: diffusion member 280: third gas supply part

290 : 유도결합 플라즈마 발생기 192 : 코일 전극290: inductively coupled plasma generator 192: coil electrode

294 : 고주파 전원 기판 : W294: high frequency power board: W

본 발명은 가스 분사 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위해 가스를 분사하는 가스 분사 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas ejection apparatus and a film forming apparatus having the same, and more particularly, to a gas ejection apparatus for ejecting a gas to form a film on a semiconductor substrate such as a silicon wafer and a film forming apparatus having the same.

일반적으로, 휘발성 또는 불휘발성 메모리 장치와 같은 반도체 장치는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 여러 가지 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 막 형성 공정은 반도체 기판 상에 절연막, 도전막, 유전막 등과 같은 다양한 막들을 형성하기 위하여 수행되며, 식각 공정은 반도체 기판 상에 형성된 막들을 목적하는 패턴으로 형성하기 위하여 또는 제거하기 위하여 수행되며, 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 목적하는 패턴들을 형성 하기 위한 식각 마스크를 형성하기 위하여 수행되며, 이온 주입 공정 또는 확산 공정은 반도체 기판의 표면 부위 또는 반도체 기판 상에 형성된 패턴 구조물의 전기적인 특성을 변화시키기 위하여 수행되며, 화학적 기계적 연마 공정 또는 에치 백 공정과 같은 평탄화 공정은 반도체 기판 또는 그 상에 형성된 막의 평탄화를 위하여 수행될 수 있다.In general, a semiconductor device such as a volatile or nonvolatile memory device may be manufactured by repeatedly performing various unit processes on a semiconductor substrate such as a silicon wafer. For example, a film forming process is performed to form various films such as an insulating film, a conductive film, a dielectric film, and the like on a semiconductor substrate, and an etching process is performed to form or remove films formed on the semiconductor substrate in a desired pattern. The photolithography process is performed to form an etch mask for forming desired patterns on the semiconductor substrate, and the ion implantation process or diffusion process is performed on the surface portion of the semiconductor substrate or on the pattern structure formed on the semiconductor substrate. A planarization process such as a chemical mechanical polishing process or an etch back process may be performed to change the characteristics, and may be performed to planarize a semiconductor substrate or a film formed thereon.

상기 막 형성 공정의 예로는 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등이 있으며, 상기 화학 기상 증착은 열 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 저압 화학 기상 증착 등이 있다.Examples of the film forming process include chemical vapor deposition, physical vapor deposition, atomic layer deposition, and the like, and the chemical vapor deposition includes thermal chemical vapor deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, and low pressure chemical vapor deposition.

도 1은 종래의 가스 공급부를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional gas supply unit.

도 1을 참조하면, 상기 가스 공급부(1)는 기판 상에 막을 형성하기 위해 공정 챔버로 가스를 제공한다. 상기 가스 공급부(1)는 가스 링(10)과 분사 노즐(20)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the gas supply 1 provides gas to a process chamber to form a film on a substrate. The gas supply part 1 includes a gas ring 10 and an injection nozzle 20.

상기 가스 링(10)은 링 형상을 가지며, 내부에 상기 가스를 제공하기 위한 가스 라인(12) 및 상기 가스 라인(12)으로부터 분기되어 상기 가스 링(10)의 내측면으로 연장되는 다수의 분기 라인들(14)을 포함한다. The gas ring 10 has a ring shape, and a plurality of branches branching from the gas line 12 and the gas line 12 for providing the gas therein and extending to the inner surface of the gas ring 10. Lines 14.

상기 분사 노즐(20)은 내부에 상기 분기 라인(14)과 연결되는 분사홀(20)을 갖는다. 상기 분사 노즐(20)은 상기 가스 링(10)의 중심 방향으로 상기 가스를 분사한다. The spray nozzle 20 has a spray hole 20 connected to the branch line 14 therein. The injection nozzle 20 injects the gas toward the center of the gas ring 10.

상기 분사 노즐(20)의 높이에 따라 상기 기판 상에 형성되는 막의 균일도 등 공정 조건이 달라질 수 있다. 상기 가스 공급부(1)는 상기 분사 노즐(20)이 상 기 가스 링(10)에 고정된다. 따라서, 종래 기술에 따른 가스 공급부(1)는 상기 분사 노즐(20)의 높이를 변화시켜 상기 공정 조건을 조절할 수 없다. Process conditions such as the uniformity of the film formed on the substrate may vary according to the height of the spray nozzle 20. In the gas supply unit 1, the injection nozzle 20 is fixed to the gas ring 10. Therefore, the gas supply unit 1 according to the related art cannot adjust the process conditions by changing the height of the injection nozzle 20.

본 발명의 실시예들은 가스를 분사하는 노즐의 높이를 조절할 수 있는 가스 공급 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a gas supply device that can adjust the height of the nozzle for injecting gas.

본 발명의 실시예들은 상기 가스 공급 장치를 갖는 막 형성 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a film forming apparatus having the gas supply device.

본 발명에 따른 가스 공급 장치는 가스 링, 다수의 가스 노즐, 다수의 연결 부재 및 구동 유닛을 포함한다. 상기 가스 링은 링 형태를 가지며, 내부에 가스를 제공하는 가스 라인이 형성된다. 상기 가스 노즐들은 상기 가스를 분사하는 분사홀을 각각 갖는다. 상기 연결 부재들은 상기 분사홀들과 상기 가스 라인이 연결되도록 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며, 상기 가스 노즐들이 이동가능하도록 신축한다. 상기 구동 유닛은 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되는 블래더 및 상기 블래더의 부피를 조절하기 위한 제어부를 포함하며, 상기 가스 노즐들의 위치를 이동시킨다.The gas supply device according to the invention comprises a gas ring, a plurality of gas nozzles, a plurality of connecting members and a drive unit. The gas ring has a ring shape, and a gas line is formed therein to provide a gas. The gas nozzles each have an injection hole for injecting the gas. The connecting members are provided between the gas ring and the gas nozzles so that the injection holes and the gas line are connected, and the gas nozzles are movable to move. The driving unit includes a bladder provided between the gas ring and the gas nozzles and a control unit for adjusting the volume of the bladder, and moves the positions of the gas nozzles.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 블래더는 상기 가스 링 전체에 걸쳐 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며, 상기 구동 유닛은 상기 가스 노즐들의 위치를 동시에 이동시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the bladder is provided between the gas ring and the gas nozzles throughout the gas ring, and the driving unit may simultaneously move the positions of the gas nozzles.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 블래더는 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 각각 구비되며, 상기 구동 유닛은 상기 가스 노즐들의 위치를 개별적으로 이동시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the bladder is provided between the gas ring and the gas nozzles, respectively, and the driving unit may move the positions of the gas nozzles individually.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 가스 노즐들의 후단은 상기 가스 링의 내부에 삽입되며, 상기 가스 링에 의해 가이드될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the rear ends of the gas nozzles may be inserted into the gas ring and guided by the gas ring.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 연결 부재들은 벨로우즈일 수 있다. According to another embodiment of the invention, the connecting members may be bellows.

본 발명에 따른 막 형성 장치는 공정 챔버, 척 및 가스 공급부를 포함한다. 상기 공정 챔버는 하부 챔버 및 상부 챔버를 포함하며, 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 척은 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지한다. 상기 가스 공급부는 링 형태를 가지며 내부에 가스를 제공하는 가스 라인이 형성되는 가스 링과, 상기 가스를 분사하는 분사홀을 각각 갖는 다수의 가스 노즐과, 상기 분사홀들과 상기 가스 라인이 연결되도록 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며 상기 가스 노즐들이 이동가능하도록 신축하는 연결 부재 및 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되는 블래더 및 상기 블래더의 부피를 조절하기 위한 제어부를 포함하며, 상기 가스 노즐들의 위치를 이동시키기 위한 구동 유닛을 포함하며, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버 사이에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 상기 가스를 제공한다. The film forming apparatus according to the present invention includes a process chamber, a chuck and a gas supply part. The process chamber includes a lower chamber and an upper chamber, and provides a process space for processing a substrate. The chuck is disposed inside the chamber to support the substrate. The gas supply part has a ring shape and a gas ring in which a gas line for providing gas is formed, a plurality of gas nozzles each having injection holes for injecting the gas, and the injection holes and the gas line are connected to each other. A connection member provided between the gas ring and the gas nozzles and configured to expand and contract the gas nozzles to be movable, and a bladder provided between the gas ring and the gas nozzles and a control unit for adjusting the volume of the bladder. And a drive unit for moving the positions of the gas nozzles, wherein the drive unit is disposed between the lower chamber and the upper chamber to provide the gas for processing the substrate into the process chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 막 형성 장치는 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the film forming apparatus is disposed outside the process chamber and includes an induction coupled plasma generator including a coil for forming a plasma inside the process chamber and a high frequency power source applying a high frequency to the coil. It may further include.

이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 상기 막 형성 장치의 가스 공급부는 노즐의 위치를 이동할 수 있다. 따라서, 상기 노즐의 위치를 조절하여 공정 조건을 변화시킴으로써 기판 상에 막을 균일하게 형성할 수 있다.According to this invention comprised in this way, the gas supply part of the said film forming apparatus can move the position of a nozzle. Therefore, the film can be uniformly formed on the substrate by adjusting the position of the nozzle to change the process conditions.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a gas supply device and a film forming apparatus having the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지 다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, one or more other It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 2는 본 발명의 일실시예들에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2의 가스 공급 장치를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a perspective view illustrating a gas supply device according to one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the gas supply device of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 가스 공급 장치(100)는 가스 링(110), 다수의 분사 노즐(120), 다수의 연결 부재(130) 및 구동 유닛(140)을 포함한다.2 and 3, the gas supply device 100 includes a gas ring 110, a plurality of injection nozzles 120, a plurality of connection members 130, and a driving unit 140.

상기 가스 링(110)은 링 형상을 가지며, 내부에 가스 라인(112)을 포함한다. 상기 가스 라인(112)은 가스를 제공한다. 상기 가스 라인(112)은 상기 가스 링(110)을 따라 연장되므로 링 형상을 갖는다. The gas ring 110 has a ring shape and includes a gas line 112 therein. The gas line 112 provides a gas. The gas line 112 extends along the gas ring 110 and thus has a ring shape.

상기 가스 라인(112)의 수량은 분사하는 가스의 종류에 따라 변화될 수 있으므로, 상기 가스 라인(112)의 수량에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않을 것이다.Since the quantity of the gas line 112 may vary depending on the type of gas to be injected, the scope of the present invention is not limited by the quantity of the gas line 112.

상기 가스 링(110)의 내부에는 상기 가스 라인(112)으로부터 분기되어 상기 내측면을 향하여 연장하는 다수의 분기 라인(114)이 형성된다.A plurality of branch lines 114 branched from the gas line 112 and extending toward the inner side surface of the gas ring 110 are formed.

상기 가스 링(110)의 내측면에는 다수의 수용홈(116)이 형성된다. 상기 수용홈(116)들의 개수는 상기 분기 라인(114)들의 개수와 동일하다. 상기 수용홈(116)들은 각각 원형을 가지며, 상기 가스 링(110)의 내측면 둘레를 따라 서로 일정 간격 이격된다. 상기 수용홈(112)들은 상기 분기 라인(114)들과 각각 연통된다. 또한, 상기 수용홈(112)들의 측벽 둘레를 따라 가이드 홈(116)이 형성된다. A plurality of receiving grooves 116 are formed on the inner surface of the gas ring 110. The number of receiving grooves 116 is the same as the number of branch lines 114. The receiving grooves 116 each have a circular shape, and are spaced apart from each other along a circumference of the inner surface of the gas ring 110. The receiving grooves 112 communicate with the branch lines 114, respectively. In addition, guide grooves 116 are formed along the circumference of the side walls of the receiving grooves 112.

상기 가스 노즐(120)들은 내부에 상기 가스를 분사하기 위한 분사홀(122)을 갖는다. 상기 가스 노즐(120)들은 각각 상기 가스가 분사되는 방향인 전단과 반대되는 후단에 상기 분사 방향과 수직하도록 연장되는 가이드(124)를 갖는다. The gas nozzles 120 have injection holes 122 for injecting the gas therein. The gas nozzles 120 each have a guide 124 extending perpendicular to the injection direction at a rear end opposite to the front end of the gas injection direction.

상기 가스 노즐(120)들은 상기 가스 링(110)의 내측면에 상기 가스 링(110)의 중심을 향하도록 배치된다. 구체적으로, 상기 가스 노즐(120)들은 상기 수용홈(116)들에 수용되며, 상기 가이드(124)가 상기 가스 링(110)의 가이드 홈(118)들에 각각 삽입된다. 이때, 상기 가이드 홈(118)과 상기 가이드(124) 사이에는 상기 가스 노즐(120)이 움질일 수 있도록 여유 공간을 있다. 상기 수용홈(116)들이 일정 간격 이격되므로, 상기 수용홈(116)들에 수용되는 상기 가스 노즐(120)들도 서로 일정한 간격만큼 이격되어 배치된다.The gas nozzles 120 are disposed to face the center of the gas ring 110 on the inner surface of the gas ring 110. Specifically, the gas nozzles 120 are accommodated in the receiving grooves 116, and the guides 124 are inserted into the guide grooves 118 of the gas ring 110, respectively. In this case, a space is provided between the guide groove 118 and the guide 124 so that the gas nozzle 120 may move. Since the accommodation grooves 116 are spaced apart from each other, the gas nozzles 120 accommodated in the accommodation grooves 116 are also spaced apart from each other by a predetermined interval.

상기 연결 부재(130)들은 상기 가스 링(110)과 상기 분사 노즐(120)들 사이에 구비된다. 상기 연결 부재(130)들은 상기 가스 라인(112)으로부터 분기된 상기 분기 라인(114)들과 상기 분사 노즐(120)들의 분사홀(122)들을 각각 연결한다. 상 기 연결 부재(130)들은 신축이 가능하다. 상기 연결 부재(130)의 예로는 밸로우즈관을 들 수 있다. 다른 예로, 상기 연결 부재(130)는 신축성을 갖는 소재로 이루어진 관일 수 있다. The connection members 130 are provided between the gas ring 110 and the injection nozzles 120. The connection members 130 connect the branch lines 114 branched from the gas line 112 and the injection holes 122 of the injection nozzles 120, respectively. The connecting members 130 are stretchable. An example of the connection member 130 may be a bellows tube. As another example, the connection member 130 may be a tube made of a material having elasticity.

상기 구동 유닛(140)은 상기 분사 노즐(120)들의 위치를 이동시킨다. 상기 구동 유닛(140)은 블래더(142) 및 제어부(144)를 포함한다. 상기 블래더(142)는 상기 가스 링(110)과 상기 가스 노즐들(120) 사이에 구비된다. 구체적으로, 상기 블래더(142)는 상기 가스 링(110)의 가이드 홈(118)에 구비되어 상기 가이드(124)를 가압한다. 상기 제어부(144)는 상기 블래더(142)의 부피를 조절하여 상기 가스 노즐들(120)의 위치를 이동한다.The driving unit 140 moves the positions of the spray nozzles 120. The driving unit 140 includes a bladder 142 and a controller 144. The bladder 142 is provided between the gas ring 110 and the gas nozzles 120. Specifically, the bladder 142 is provided in the guide groove 118 of the gas ring 110 to press the guide 124. The controller 144 moves the positions of the gas nozzles 120 by adjusting the volume of the bladder 142.

예를 들면, 상기 블래더(142)는 상기 가스 링(110) 전체에 걸쳐 상기 가스 링(110)의 가이드 홈(118)에 구비된다. 즉, 상기 가스 링(110) 둘레를 따라 하나의 블래더(142)가 구비된다. 이때, 상기 구동 유닛(140)은 상기 제어부(144)의 제어에 따라 상기 가스 노즐들(120)의 위치를 동시에 이동시킬 수 있다. 다른 예로, 상기 블래더(142)는 상기 가이드 홈(118)들에 각각 구비된다. 즉, 상기 블래더(142)의 개수는 상기 가스 노즐들(120)의 개수와 동일하다. 이때, 상기 구동 유닛(140)은 상기 제어부(144)의 제어에 따라 상기 가스 노즐들(120)의 위치를 개별적으로 이동시킬 수 있다.For example, the bladder 142 is provided in the guide groove 118 of the gas ring 110 over the gas ring 110. That is, one bladder 142 is provided along the circumference of the gas ring 110. In this case, the driving unit 140 may simultaneously move the positions of the gas nozzles 120 under the control of the controller 144. As another example, the bladder 142 is provided in the guide grooves 118, respectively. That is, the number of bladders 142 is the same as the number of gas nozzles 120. In this case, the driving unit 140 may individually move the positions of the gas nozzles 120 under the control of the controller 144.

한편, 상기 블래더(142)가 상기 가스 노즐들(120)의 하부에 위치하는 상기 가이드 홈(118)에 구비되는 경우, 상기 구동 유닛(140)은 상기 분사 노즐(120)들을 상승 또는 하강시킬 수 있다. 다른 예로, 상기 블래더(142)가 상기 가스 노즐 들(120)의 양측부에 위치하는 상기 가이드 홈(118)에 구비되는 경우, 상기 구동 유닛(140)은 상기 분사 노즐(120)들을 좌우로 이동시킬 수 있다. 따라서, 상기 분사 노즐(120)들의 위치를 용이하게 상하 좌우로 이동시킬 수 있다. Meanwhile, when the bladder 142 is provided in the guide groove 118 positioned below the gas nozzles 120, the driving unit 140 may raise or lower the injection nozzles 120. Can be. As another example, when the bladder 142 is provided in the guide groove 118 located at both sides of the gas nozzles 120, the driving unit 140 may move the injection nozzles 120 from side to side. You can move it. Therefore, the position of the injection nozzle 120 can be easily moved up, down, left and right.

상기에서는 구동 유닛(140)이 블래더(142)를 포함하는 것으로 설명하였지만, 상기 구동 유닛(140)은 상기 분사 노즐(120)들의 위치를 이동시킬 수 있는 것이면 어떤 것이라도 무방하다.Although the driving unit 140 has been described as including the bladder 142, the driving unit 140 may be anything as long as it can move the position of the injection nozzle (120).

이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 상기 가스 공급 장치(100)는 상기 분사 노즐(120)들의 위치를 조절하여 공정 조건을 변화시킴으로써 기판 상에 막을 균일하게 형성할 수 있다.According to the present invention configured as described above, the gas supply device 100 may uniformly form a film on the substrate by changing the process conditions by adjusting the positions of the injection nozzles 120.

도 4는 본 발명의 일 실시예들에 따른 막 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a film forming apparatus according to one embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 막 형성 장치(200)는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위하여 사용될 수 있다.Referring to FIG. 4, the film forming apparatus 200 according to an embodiment of the present invention may be used to form a film on a semiconductor substrate W such as a silicon wafer.

상기 막 형성 장치(200)는 크게 공정 챔버(210), 척(220), 제1 가스 공급부(250), 제2 가스 공급부(260), 제3 가스 공급부(280) 및 유도결합 플라즈마 발생기(290)를 포함한다. The film forming apparatus 200 includes a process chamber 210, a chuck 220, a first gas supply unit 250, a second gas supply unit 260, a third gas supply unit 280, and an inductively coupled plasma generator 290. ).

상기 공정 챔버(210)는 상기 기판(W)을 가공하기 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버(210)는 하부 공정 챔버(212)와 상부 공정 챔버(214)를 포함한다. 상기 하부 공정 챔버(212)는 보울 형상을 가지며, 상기 상부 공정 챔버(214)는 반구 형상을 갖는다. 상기 상부 공정 챔버(214)는 고주파 파워가 투과될 수 있도록 측벽이 유전체로 이루어진다. 예를 들면, 상기 상부 공정 챔버(214)는 석영으로 이루어질 수 있다.The process chamber 210 provides a process space for processing the substrate (W). The process chamber 210 includes a lower process chamber 212 and an upper process chamber 214. The lower process chamber 212 has a bowl shape, and the upper process chamber 214 has a hemispherical shape. The upper process chamber 214 has a sidewall formed of a dielectric so that high frequency power can be transmitted therethrough. For example, the upper process chamber 214 may be made of quartz.

상기 척(220)은 상기 공정 챔버(210) 내부에 구비된다. 구체적으로, 상기 척(220)은 상기 하부 공정 챔버(212)의 내부에 구비된다. 상기 척(220)으로는 상기 반도체 기판(20)을 정전기력을 이용하여 파지하는 정전척이 사용될 수 있으며, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 막 형성 공정의 수행을 위하여 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 위한 위치와 상기 막 형성을 위한 위치 사이에서 상하로 이동 가능하도록 수직 구동 유닛(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 위한 다수의 리프트 핀들(미도시)이 상기 척(220)을 통해 상하로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 척(220)은 바이어스 전원(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 바이어스 전원은 상기 척(220)과 연결되며, 상기 공정 챔버(210) 내의 플라즈마로부터 빠져나온 이온이 상기 기판(W)의 표면에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공한다.The chuck 220 is provided in the process chamber 210. Specifically, the chuck 220 is provided in the lower process chamber 212. As the chuck 220, an electrostatic chuck that grips the semiconductor substrate 20 using an electrostatic force may be used. Although not shown in detail, the chuck 220 may be disposed to be movable in a vertical direction to perform the film forming process. have. That is, the semiconductor substrate 20 may be connected to a vertical driving unit (not shown) to move up and down between a position for loading and unloading the semiconductor substrate 20 and a position for forming the film. In addition, a plurality of lift pins (not shown) for loading and unloading the semiconductor substrate 20 may be disposed to be movable up and down through the chuck 220. In addition, the chuck 220 may be connected to a bias power source (not shown). The bias power source is connected to the chuck 220 and provides a bias voltage so that ions exiting from the plasma in the process chamber 210 can collide with the surface of the substrate W with sufficiently high energy.

상기 하부 공정 챔버(212)의 일측에는 상기 기판(W)의 출입을 위한 게이트 도어(230)가 배치되며, 또한, 상기 하부 공정 챔버(212)의 타측에는 상기 공정 챔버(210) 내부를 공정 압력, 예를 들면 진공으로 형성하기 위한 진공 제공부(240)가 배치된다. 상기 진공 제공부(240)는 진공 밸브(242)를 통해 상기 공정 챔버(210)와 연결될 수 있다.A gate door 230 for entering and exiting the substrate W is disposed at one side of the lower process chamber 212, and a process pressure is applied to the inside of the process chamber 210 at the other side of the lower process chamber 212. For example, a vacuum providing unit 240 for forming a vacuum is disposed. The vacuum providing unit 240 may be connected to the process chamber 210 through a vacuum valve 242.

상기 진공 제공부(240)는 막 형성 공정을 수행하는 동안 상기 공정 챔 버(210) 내부에 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함할 수 있다. 상기 진공 펌프로는 공정 압력에 따라 저진공 펌프 또는 중진공 펌프가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 저진공 펌프와 고진공 펌프가 함께 사용될 수도 있다.The vacuum providing unit 240 may include a vacuum pump for providing a vacuum in the process chamber 210 during the film forming process. As the vacuum pump, a low vacuum pump or a medium vacuum pump may be used according to the process pressure, and in some cases, a low vacuum pump and a high vacuum pump may be used together.

상기 제1 가스 공급부(250)는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제1 가스는 상기 공정 챔버(210)를 세정하기 위한 세정 가스일 수 있다. 상기 세정 가스의 예로는 플르오르화 질소(NF3) 가스를 들 수 있다.The first gas supply part 250 provides a first gas to the inside of the process chamber 210. The first gas may be a cleaning gas for cleaning the process chamber 210. Examples of the cleaning gas include nitrogen fluoride (NF 3) gas.

상기 제1 가스공급부(250)는 리모트 플라즈마 발생기(252), 유입 포트(254) 및 연결 포트(256)를 포함한다. 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)는 상기 공정 챔버(210)의 외측 상부에 구비되며, 상기 제1 가스를 플라즈마로 생성한다. 상기 유입 포트(254)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)와 연결되며, 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)로 상기 제1 가스를 제공한다. 상기 연결 포트(256)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)와 상기 공정 챔버(210)를 연결한다. 구체적으로, 상기 연결 포트(256)는 상기 상부 공정 챔버(214)의 상부 중앙과 연결된다. 상기 연결 포트(256)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)에서 생성된 플라즈마의 라디칼이 상기 공정 챔버(210)로 이동하는 통로이다. 도시되지는 않았지만, 상기 연결 포트(256)에는 상기 연결 포트(256)의 내부 온도를 일정하게 유지하기 위한 히터가 구비될 수 있다. 상기 히터는 상기 라디칼이 상기 연결 포트(256)의 벽면과 반응하여 손실되는 것을 방지한다. The first gas supply unit 250 includes a remote plasma generator 252, an inflow port 254 and a connection port 256. The remote plasma generator 252 is provided at an outer upper portion of the process chamber 210 and generates the first gas into plasma. The inlet port 254 is connected to the remote plasma generator 252 and provides the first gas to the remote plasma generator 252. The connection port 256 connects the remote plasma generator 252 and the process chamber 210. Specifically, the connection port 256 is connected to the upper center of the upper process chamber 214. The connection port 256 is a passage through which radicals of the plasma generated by the remote plasma generator 252 move to the process chamber 210. Although not shown, the connection port 256 may be provided with a heater for maintaining a constant internal temperature of the connection port 256. The heater prevents the radicals from being lost in reaction with the wall surface of the connection port 256.

상기 제2 가스 공급부(260)는 제2 가스를 상기 공정 챔버(210)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제2 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가 스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다.The second gas supply unit 260 provides a second gas therein from above the process chamber 210. The second gas may be a deposition gas for forming a film on the substrate (W). The type of the deposition gas depends on the type of film to be formed on the substrate (W).

상기 제2 가스 분사부(260)는 공급 라인(262) 및 노즐(262)을 포함한다. 상기 공급 라인(262)은 상기 연결 포트(256)의 일측을 관통하고, 상기 연결 포트(256)를 따라 상기 공정 챔버(210)의 내부까지 연장된다. 상기 노즐(262)은 상기 공급 라인(262)의 단부에 구비되며, 상기 기판(W)으로 상기 제2 가스를 균일하게 제공한다. The second gas injector 260 includes a supply line 262 and a nozzle 262. The supply line 262 passes through one side of the connection port 256 and extends along the connection port 256 to the inside of the process chamber 210. The nozzle 262 is provided at an end of the supply line 262 and uniformly provides the second gas to the substrate W.

상기 확산 부재(270)는 상기 제1 가스 분사부(250)에서 분사되는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210) 전체로 확산시킨다. The diffusion member 270 diffuses the first gas injected from the first gas injector 250 to the entire process chamber 210.

상기 확산 부재(270)는 원형의 플레이트 형태를 갖는다. 상기 확산 부재(270)는 상기 공급 라인(262)의 연장 방향과 수직하도록 중심이 상기 공급 라인(262)에 끼워진다. 즉, 상기 확산 부재(270)는 상기 연결 포트(256)와 수직하는 방향으로 배치된다. 상기 확산 부재(270)는 상기 공정 챔버(210)의 세정을 위해 상기 연결 포트(256)를 통해 상기 공정 챔버(210)로 제공되는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210)의 측벽 방향으로 확산시킨다. 따라서, 상기 제1 가스가 상기 공정 챔버(210)의 벽면 전체에 균일하게 제공된다. 그러므로, 상기 공정 챔버(210)를 균일하게 세정할 수 있다. The diffusion member 270 has a circular plate shape. The diffusion member 270 has a center fitted to the supply line 262 so as to be perpendicular to the extending direction of the supply line 262. That is, the diffusion member 270 is disposed in a direction perpendicular to the connection port 256. The diffusion member 270 diffuses the first gas provided to the process chamber 210 through the connection port 256 toward the sidewall of the process chamber 210 for cleaning the process chamber 210. . Thus, the first gas is uniformly provided over the entire wall surface of the process chamber 210. Therefore, the process chamber 210 can be uniformly cleaned.

상기 제3 가스 공급부(280)는 제3 가스를 상기 공정 챔버(210)의 측면에서 내부로 제공한다. 상기 제3 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다. 상기 제3 가스는 상기 제2 가스와 동일하거나 또는 다를 수 있다. The third gas supply unit 280 provides a third gas therein at the side of the process chamber 210. The third gas may be a deposition gas for forming a film on the substrate (W). The type of the deposition gas depends on the type of film to be formed on the substrate (W). The third gas may be the same as or different from the second gas.

상기 제3 가스 공급부(280)는 가스 링, 다수의 분사 노즐, 다수의 연결 부재 및 구동 유닛을 포함한다. 상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 하부 공정 챔버(212)와 상기 상부 공정 챔버(214) 사이에 구비된다. 도시되지는 않았으나, 상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 공정 챔버(210)의 외벽을 통하여 제3 가스를 제공하는 가스 소스(미도시)와 연결될 수 있다.The third gas supply unit 280 includes a gas ring, a plurality of injection nozzles, a plurality of connecting members, and a driving unit. The third gas supply unit 280 is provided between the lower process chamber 212 and the upper process chamber 214. Although not shown, the third gas supply unit 280 may be connected to a gas source (not shown) that provides a third gas through an outer wall of the process chamber 210.

상기 제3 가스 공급부(280)에 대한 구체적인 설명은 도 2 및 도 3에 도시된 가스 공급 장치(100)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 상기 제3 가스 공급부(280)에 대한 구체적인 설명은 생략한다. A detailed description of the third gas supply unit 280 is substantially the same as that of the gas supply apparatus 100 illustrated in FIGS. 2 and 3. Therefore, a detailed description of the third gas supply unit 280 will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제3 가스 공급부(280)는 내부에 가스를 제공하기 위한 가스 라인을 갖는 가스 링, 상기 가스 라인과 연결되어 상기 가스를 분사하는 가스 분사홀을 가지며, 상기 가스 링에 고정되는 분사 노즐 및 상기 가스 링 및 상기 분사 노즐의 위치를 이동시키는 구동 유닛을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the third gas supply unit 280 has a gas ring having a gas line for providing gas therein, a gas injection hole connected to the gas line to inject the gas, It may include an injection nozzle fixed to the gas ring and a drive unit for moving the position of the gas ring and the injection nozzle.

따라서, 상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 분사 노즐들의 위치를 용이하게 이동시켜 상기 공정 챔버(210) 내부의 공정 조건을 조절할 수 있다.Accordingly, the third gas supply unit 280 may easily move the positions of the injection nozzles to adjust process conditions inside the process chamber 210.

상기 유도 결합 플라즈마 생성기(290)는 상기 공정 챔버(210) 내부에 플라즈마를 발생한다. 상기 유도 결합 플라즈마 생성기(290)는 코일 안테나(292) 및 고주파 전원(294)을 포함한다.The inductively coupled plasma generator 290 generates a plasma inside the process chamber 210. The inductively coupled plasma generator 290 includes a coil antenna 292 and a high frequency power supply 294.

상기 코일 안테나(292)는 상기 상부 공정 챔버(214)의 외벽을 둘러싸도록 설 치된다. 상기 고주파 전원(294)은 상기 코일 안테나(292)와 연결되며, 상기 코일 안테나(292)로 고주파 전류를 인가한다. 상기 코일 안테나(292)를 통해 흐르는 상기 고주파 전류에 의해 자기장(magnetic field)이 발생되며, 상기 자기장의 시간에 따른 변화에 의해 상기 공정 챔버(210) 내부에는 전기장(electric field)이 유도된다. 상기 유도 전기장은 상기 공정 챔버(210) 내부로 유입되는 제2 가스와 제3 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(210) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 기판(W)에 막을 형성한다. 또한, 상기 유도 전기장은 상기 리모트 플라즈마 생성기(252)로부터 공급받은 활성화된 제1 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(210) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 공정 챔버(210)를 세정한다.The coil antenna 292 is installed to surround the outer wall of the upper process chamber 214. The high frequency power supply 294 is connected to the coil antenna 292, and applies a high frequency current to the coil antenna 292. A magnetic field is generated by the high frequency current flowing through the coil antenna 292, and an electric field is induced inside the process chamber 210 by the change of the magnetic field over time. The induction electric field ionizes the second gas and the third gas introduced into the process chamber 210 to generate a plasma in the process chamber 210. A film is formed on the substrate W using the generated plasma. In addition, the induction electric field ionizes the activated first gas supplied from the remote plasma generator 252 to generate a plasma in the process chamber 210. The process chamber 210 is cleaned using the generated plasma.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 공정 챔버의 측면에서 가스를 분사하는 가스 분사 장치는 분사 노즐들의 위치를 개별적 또는 전체적으로 이동할 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버 내부의 공정 조건을 조절하여 기판 상에 균일한 막을 형성할 수 있고, 막 형성 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to embodiments of the present invention, the gas injection device for injecting gas from the side of the process chamber may move the position of the injection nozzles individually or entirely. Therefore, a uniform film can be formed on the substrate by adjusting the process conditions inside the process chamber, and the reliability of the film forming process can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (7)

링 형태를 가지며, 내부에 가스를 제공하는 가스 라인이 형성되는 가스 링;A gas ring having a ring shape and in which a gas line for providing a gas is formed; 상기 가스를 분사하는 분사홀을 각각 갖는 다수의 가스 노즐;A plurality of gas nozzles each having injection holes for injecting the gas; 상기 분사홀들과 상기 가스 라인이 연결되도록 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며, 상기 가스 노즐들이 이동가능하도록 신축하는 연결 부재들; 및 Connecting members provided between the gas ring and the gas nozzles so that the injection holes and the gas line are connected to each other, the connecting members stretchable to move the gas nozzles; And 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되는 블래더 및 상기 블래더의 부피를 조절하기 위한 제어부를 포함하며, 상기 가스 노즐들의 위치를 이동시키기 위한 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.A gas supply device comprising a bladder provided between the gas ring and the gas nozzles and a control unit for adjusting a volume of the bladder, and a driving unit for moving the positions of the gas nozzles. . 제1항에 있어서, 상기 블래더는 상기 가스 링 전체에 걸쳐 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며, 상기 구동 유닛은 상기 가스 노즐들의 위치를 동시에 이동시키는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas supply apparatus according to claim 1, wherein the bladder is provided between the gas ring and the gas nozzles throughout the gas ring, and the driving unit simultaneously moves the positions of the gas nozzles. 제1항에 있어서, 상기 블래더는 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 각각 구비되며, 상기 구동 유닛은 상기 가스 노즐들의 위치를 개별적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas supply apparatus of claim 1, wherein the bladder is provided between the gas ring and the gas nozzles, respectively, and the driving unit moves the positions of the gas nozzles individually. 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐들의 후단은 상기 가스 링의 내부에 삽입되 며, 상기 가스 링에 의해 가이드되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas supply apparatus of claim 1, wherein rear ends of the gas nozzles are inserted into the gas ring and guided by the gas ring. 제1항에 있어서, 상기 연결 부재는 벨로우즈인 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas supply device of claim 1, wherein the connection member is a bellows. 하부 챔버 및 상부 챔버를 포함하며, 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;A process chamber including a lower chamber and an upper chamber, the process chamber providing a process space for processing the substrate; 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하기 위한 척; 및A chuck disposed within the chamber to support the substrate; And 링 형태를 가지며 내부에 가스를 제공하는 가스 라인이 형성되는 가스 링과, 상기 가스를 분사하는 분사홀을 각각 갖는 다수의 가스 노즐과, 상기 분사홀들과 상기 가스 라인이 연결되도록 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되며 상기 가스 노즐들이 이동가능하도록 신축하는 연결 부재 및 상기 가스 링과 상기 가스 노즐들 사이에 구비되는 블래더 및 상기 블래더의 부피를 조절하기 위한 제어부를 포함하며, 상기 가스 노즐들의 위치를 이동시키기 위한 구동 유닛을 포함하며, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버 사이에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 상기 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 막 형성 장치.A gas ring having a ring shape and a gas line for providing a gas therein; a plurality of gas nozzles each having injection holes for injecting the gas; and the gas ring for connecting the injection holes and the gas line; A connection member provided between the gas nozzles and configured to expand and contract to move the gas nozzles, a bladder provided between the gas ring and the gas nozzles, and a controller for adjusting a volume of the bladder; And a gas supply unit disposed between the lower chamber and the upper chamber to provide the gas for processing the substrate into the process chamber. 제6항에 있어서, 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.The method of claim 6, further comprising an inductively coupled plasma generator disposed outside the process chamber and including a coil for forming a plasma inside the process chamber and a high frequency power source for applying a high frequency to the coil. Film forming apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101034505B1 (en) * 2008-11-27 2011-05-17 세메스 주식회사 Gas supplying apparatus and substarate treating apparatus with it
CN102560425A (en) * 2012-01-18 2012-07-11 湖南南方搏云新材料有限责任公司 Chemical vapor deposition furnace

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