KR20080038648A - 전자 방출 디스플레이용 스페이서 및 전자 방출 디스플레이 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이용 스페이서는, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되는 것으로서, 모체와, 모체의 측면에 형성된 저항층과, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 모체의 면에 형성된 접착층을 포함하고, 접착층은, 저항층의 구성 물질을 포함하는 물질로 형성된다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이는, 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판의 일면에 제공된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 제공된 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판에 사이에 배치된 스페이서를 포함하고, 스페이서는, 모체와, 모체의 측면에 형성된 저항층과, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 모체의 면에 형성된 접착층을 포함하고, 접착층은, 저항층의 구성 물질을 포함하는 물질로 형성된다.

전자 방출 디스플레이, 진공 용기, 스페이서, 전자빔 왜곡

Description

전자 방출 디스플레이용 스페이서 및 전자 방출 디스플레이{Spacer for electron emission display and Electron emission display}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 대한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이가 갖는 스페이서를 설명하기 위한 요부 사시도이다.

도 4A 및 도 4B는 본 발명의 실시예에 따른 스페이서의 변형예를 도시한 단면도이다.

본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 스페이서들 및 이 스페이서들을 구비한 전자 방출 디스플레이에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방 식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emission Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와, 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비한다. 여기서 전자 방출부로는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드 상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 구성될 수 있으며, 이들은 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자를 방출하는 원리를 이용한다.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 디스플레이(electron emission display)를 구성한다.

상기 전자 방출 디스플레이에서, 두 개의 기판은 그 가장자리에 프릿 바와 같은 밀봉 부재가 배치되고, 이 밀봉 부재에 의해 두 기판이 접합되어 내부 공간을 갖는 진공 용기를 구성하고, 진공 용기는 내부 공간이 대략 10^-6 Torr의 진공도로 유지된다.

이러한 진공 용기는 내부와 외부의 압력 차이에 의해 강한 압축력을 인가받으며, 이 압축력은 화면 사이즈에 비례하여 커진다.

따라서 진공 용기는 그 내부에 다수의 스페이서를 구비하고, 스페이서는 진공 용기에 가해지는 대기압에 대항하여 두 기판 사이의 간격을 일정하게 유지한다. 이때 스페이서는 일 기판상의 구동 전극들과 다른 기판상의 애노드 전극이 스페이서를 통해 단락되지 않도록 주로 유리나 세라믹과 같은 유전체로 제작된다.

스페이서는 전자의 흐름이 지속적으로 발생하는 진공의 내부 공간에 노출되어 전자 방출부에서 방출되는 전자들과 충돌하며, 이는 스페이서의 차징으로 이어져 전자빔의 경로를 왜곡시키는 원인이 되고 있다. 이를 방지하기 위하여 종래 스페이서의 표면에 코팅층을 부가하고 이 코팅층을 전극과 접촉시켜 스페이서 표면에 차징된 전하를 방전시키는 구조가 개시되어 있다.

더욱이, 스페이서의 표면에 코팅층과 전극 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있도록 스페이서의 상, 하면에 크롬(Cr) 또는 니켈(Ni)과 같은 금속을 코팅하는 구조가 개시되어 있다.

그러나 상기와 같은 구조는, 전극에 고압의 전류가 인가될 때 스페이서와 전극 사이의 접착성이 저하되어 통전 효율을 떨어뜨릴 뿐만 아니라, 이때 금속은 스페이서와 전극 사이에 아크 방전을 유발시키는 원인 물질이 되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전류 흐름을 원활함과 동시에 스페이서 및 이에 접촉된 전극 사이의 접 착력을 향상시킬 수 있는 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 디스플레이를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이용 스페이서는, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되는 것으로서, 모체와, 모체의 측면에 형성된 저항층과, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 모체의 면에 형성된 접착층을 포함하고, 접착층은, 저항층의 구성 물질을 포함하는 물질로 형성된다.

상기 저항층은, 적어도 2개 이상의 금속이 포함된 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어진다.

상기 접착층은, 상기 접착층은, 제1 기판 및 제2 기판과 접촉되는 모체의 면에 형성되며, 적어도 2개 이상의 혼합 금속으로 이루어진다.

상기 접착층은, Cu, Al, Ag, Ni, Pt, Au, Pd, Ir, Ru 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 둘 이상의 물질을 포함한다.

상기 접착층은, 1000Å 내지 5000Å의 두께를 가진다.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이는, 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판의 일면에 제공된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 제공된 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판에 사이에 배치된 스페이서를 포함하고, 스페이서는, 모체와, 모체의 측면에 형성된 저항층과, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 모체의 면에 형성된 접착층을 포함하고, 접착층 은, 저항층의 구성 물질을 포함하는 물질로 형성된다.

상기 전자 방출 유닛은, 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성된 제1 전극과, 절연층을 사이에 두고 제1 전극과 교차하는 방향을 따라 형성된 제2 전극과, 제1 전극 위에 형성되어 제1 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출부를 포함한다.

상기 제1 전극 및 제2 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 및 제2 전극 상부에 위치하는 집속 전극을 더 포함한다.

상기 전자 방출부는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노 파이버, 다이아몬드, 다이아몬드 상 탄소, 플러렌(C₆₀) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진다.

상기 발광 유닛은, 제2 기판에 형성된 형광층과, 형광층과 연결되면서 제2 기판에 형성된 애노드 전극을 포함한다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 대한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치된 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)은 그 가장자리에 배치되는 밀봉 부재(미도시)에 의해 접합되어 내부 공간을 갖는 용기를 구성한다. 이 용기는 내부 공간이 대략 10^-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재로 이루어진 진공 용기를 구성한다.

제2 기판(12)을 대향하는 제1 기판(10)의 면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루는 전자 방출 유닛(100)에 제공되고, 제1 기판(10)을 대향하는 제2 기판(12)의 면에는 형광층과 애노드 전극 등을 포함하는 발광 유닛(110)이 제공된다.

그리고 전자 방출 유닛(100)이 제공된 제1 기판(10)과 발광 유닛(110)이 제공된 제2 기판(12)이 결합하여 전자 방출 디스플레이를 이룬다.

상기한 구성의 진공 용기는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형을 비롯한 여타의 전자 방출형 디스플레이에 적용될 수 있는 바, 이하에서는 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 디스플레이를 예로 하여 보다 구체적으로 설명한다.

먼저, 제1 기판(10) 위에는 캐소드 전극들(14)이 제1 기판(10)의 일 방향(도 1에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

캐소드 전극들(14)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(16)이 형성되고, 제1 절연층(16) 위에는 게이트 전극들(18)이 캐소드 전극들(14)과 직교하는 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

이에 의해 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 교차 영역이 형성되고 이러한 교차 영역이 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 그리고 캐소드 전극들(14) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(20)이 형성된다.

또한, 제1 절연층(16)과 게이트 전극들(18)에는 각 전자 방출부(20)에 대응하는 제1, 2 개구(161)(181)가 각각 형성되어 제1 기판(10) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다. 즉, 전자 방출부(20)는 제1 절연층(16)과 게이트 전극(18)의 제1, 2 개구(161)(181) 안으로 배치되면서 캐소드 전극(14) 위에 형성된다. 본 실시예에서 이 전자 방출부와 제1, 2 개구는 평면 형상을 기준으로 그 형상이 원형으로 형성되나, 이들의 형상이 반드시 도시한 예에 한정되는 것은 아니다.

본 실시예에서 전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 예컨대 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 즉, 전자 방출부(20)는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노 파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 플러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합물로 이루어진다. 다른 한편으로, 전자 방출부(20)는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.

이러한 전자 방출부들(20)은 각 단위 화소 영역마다 복수개로 배치될 수 있는데, 이때, 이 복수의 전자 방출부들(20)은 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18) 중 어느 한 전극, 예컨대 캐소드 전극(14)의 길이 방향을 따라 서로간에 임의의 간격을 두고 일렬로 위치할 수 있다. 물론, 이 단위 화소별 전자 방출부들의 배열 상 태는 이것에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

게이트 전극들(18) 위에는 제2 절연층(22)과 집속 전극(24)이 순차적으로 형성된다. 집속 전극(24) 하부에 위치하는 제2 절연층(22)은 게이트 전극들(18)을 가리도록 제1 기판(10)의 전면으로 형성되어 게이트 전극(18)과 집속 전극(24)을 절연시킨다.

또한, 집속 전극(24)은 제2 절연층(22) 위에 임의의 크기를 가진 하나의 막으로 형성된다.

이러한 제2 절연층(22)과 집속 전극(24)에도 전자빔의 통과를 위한 제3, 4 개구(221)(241)가 각각 형성된다.

본 실시예에서 제2 절연층(22)의 제3 개구(221)와 집속 전극(24)의 제4 개구(241)는 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속한다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 전자 방출부마다 이에 대응하는 개구부를 형성하여 각 전자 방출부에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수도 있다.

다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(12)의 일면에는 형광층(26), 일례로 적색, 녹색 및 청색의 형광층들(26R, 26G, 26B)이 서로 간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(26R, 26G, 26B) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다. 형광층(26)은 제1 기판(10)에 설정된 단위 화소마다 하나로 대응하여 배치될 수 있다.

이 형광층(26)과 흑색층(28) 위에는 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다. 애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(26)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기한 애노드 전극은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있는데. 이 애노드 전극은 제2 기판과 형광층 사이에 위치한다. 더욱이, 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 애노드 전극은 상술한 투명 도전막을 사용하고, 여기에 금속막을 추가로 형성하는 구조도 가능하다.

그리고, 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 대기압에 대항하여 두 기판(10)(12) 사이의 간격을 일정하게 유지시키는 복수의 스페이서들(32)이 배치된다.

스페이서들(32)은 제1 기판(10) 측에서는 집속 전극(24) 위에 배치되고, 제2 기판(12) 측에서는 형광층(26)을 침범하지 않도록 흑색층(28)에 대응되어 위치한다.

본 실시예에서 스페이서(32)는 모체(321)와, 모체(321)의 측면에 형성된 저항층(322)과, 모체(321)의 상,하면에 형성된 접착층(323)을 포함한다.

도 3은 본 실시예에 따른 스페이서의 부분 사시도이다.

도 3을 참조하면, 모체(321)는 예컨대, 벽체형으로 형성되며 글라스 또는 세라믹과 같은 재료로 이루어질 수 있다.

진공 용기 내부에서 진공에 노출되는 모체(321)의 측면에는 저항층(322)이 형성된다. 이 저항층(322)은 2차전자 방출에 의해 스페이서(32)에 차징된 전하를 방전시키는 기능을 한다.

저항층(322)은, 둘 이상의 금속이 포함된 금속 산화물이나 금속 질화물로 이루어지는바, 예컨대 AlPtN, AlTiNO, AuAlN 등의 물질로 이루어질 수 있다. 이 물질들은 저항이 5x10⁹ Ω 내지 5x10¹¹ Ω 정도이며, 전류의 흐름을 원활하게 하여 스페이서(32) 표면에 축적된 전하를 외부로 배출시킬 수 있다. 또한, 스페이서(32)로 끌리는 전자빔을 밀어내는 효과도 제공할 수 있다. 더욱이, AuAlN과 같은 금속 질화물은 저항의 변화가 적어 전자 방출 디스플레이를 제조하는 과정에 있어서 안정성을 확보할 수 있다.

접착층(323)은, 제1 기판(10) 및 제2 기판(12)과 접촉되는 모체(321)의 면에 형성된다. 즉, 접착층(323)은 모체(321)의 상면과 하면에 각각 형성되며 스페이서(32)의 저항층(322)과 이에 접촉된 제1 기판(10) 및 제2 기판(12) 형성된 구동 전극들을 전기적으로 연결함과 동시에 이들을 접착시킨다.

접착층(323)은 전기 전도도가 우수한 물질 또는 열에 안정한 물질, 예컨대, Cu, Al, Ag, Ni, Pt, Au, Pd, Ir, Ru 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 둘 이상의 물질로 이루어진다.

이때, 접착층(323)은 저항층(322)을 구성하는 물질을 포함하는 물질로 이루어진다. 구체적으로, 저항층(322)이 AlPtN으로 이루어진 경우, 접착층(323)은 AlPt인 것이 바람직하며, 저항층(322)이 AlTiNO으로 이루어진 경우, 접착층(323)은 AlTi인 것이 바람직하다. 즉, 접착층(323)을 구성하는 물질로는 저항층(322)을 구성하는 물질 중 산소나 질소를 제외한 둘 이상의 혼합된 금속을 사용할 수 있다.

상술한 바와 같이, 저항층(322)을 구성하는 금속과 실질적으로 동일한 금속을 이용하여 접착층(323)을 형성하면 저항층(322) 및 접착층(323)은 화학적인 친화력이 우수하여 두 층간의 접착력을 향상시킬 수 있다.

일반적으로 금속은 고체 상태에서 결정구조를 갖는 특성이 있고, 개개의 결정은 원자들이 어떤 규칙을 이루면서 배열된 결정 격자로 이루어진다. 이 단위 결정 격자의 한변의 길이를 격자상수(lattice parameter)라 한다. 2종 이상의 금속으로 이루어진 합금의 경우, 각각의 금속이 다른 격자 상수를 가지고 결정 격자를 이루면 금속을 구성하는 자유 전자의 산란이 증가하여 전기저항이 커지고, 금속의 강도 및 경도가 커지는 변화가 발생한다.

이에 비해, 본 실시예에서는 저항층(322)을 구성하는 금속과 동일한 금속으로 접착층(323)을 형성함으로써 저항층(322) 및 접착층(323) 간의 격자상수 차이를 감소시키며 화학적 친화력이 우수하여 고압의 전류가 인가되어도 매우 안정적인 장점이 있다.

또한, 두 가지 이상의 물질이 전기적으로 접촉될 때에는 그 두 물질이 완전한 접촉을 할 수 없기 때문에 저항성 접촉이 이루어지는데, 저항층(322)과 거의 동일한 금속으로 접착층(323)을 형성하여 스페이서(32)와 전극 사이의 접착력을 향상시킴으로써 이상적인 오믹 컨택(ohmic contact)을 이룰 수 있다.

한편, 본 실시예에서는 제1 기판(10) 및 제2 기판(12)과 접촉되는 모체(321) 의 상, 하면에 각각 접착층(323)을 형성하는 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

도 4A 및 도 4B에 도시된 바와 같이, 접착층(323)은 제1 기판(10) 및 제2 기판(12) 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 모체(321)의 면에 형성될 수 있다. 즉, 접착층(323)은 제2 기판(12)과 모체(321)가 접촉되는 면에만 형성(도 4A참조)되거나 또는 제1 기판(10)과 모체(321)가 접촉되는 면에만 형성(도 4B참조)될 수도 있다. 이들 경우에 접착층이 형성되지 않는 모체의 면은 그 면이 접촉되는 기판에 홈을 구비하여 스페이서를 고정시키는 등의 방법을 사용할 수 있다.

또한, 본 실시예에서 모체는 벽체형으로 형성되는 것으로 도시하였으나, 모체의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고 원 기둥형, 사각 기둥형 등 다양하게 변형될 수 있다.

다음으로, 상술한 전자 방출 디스플레이의 구동 과정을 설명한다.

상기 전자 방출 디스플레이는 외부로부터 소정의 전압이 캐소드 전극들(14), 게이트 전극들(18), 집속 전극(24) 및 애노드 전극(30)에 공급되어 구동된다.

일례로 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다.

그리고 집속 전극(24)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 예컨대 0 볼트(V) 또는 수 내지 수집 볼트(V)의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(30)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 예컨대 수백 내지 수천 볼트(V)의 양의 직류 전압을 인가받는 다.

그러면 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 전압 차가 임계치 이상인 단위 화소들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되고, 이로 인해 전자 방출부(20)로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(24)의 제4 개구(241)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 단위 화소의 형광층(26)에 충돌한다. 이 충돌은 형광층(26)을 발광시켜 임의의 화상을 구현하게 된다.

상술한 구동 과정에 있어서, 본 실시예의 전자 방출 디스플레이는 스페이서의 전체 저항이 감소되어 전류가 원활하게 흐름으로써 스페이서에 축적된 전자들을 쉽게 방전시킬 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이는, 진공에 노출된 스페이서 표면에 저항이 작은 저항층을 형성함으로써, 스페이서 전체의 저항을 감소시킴과 동시에 전류의 흐름을 원활하게 하여 스페이서 표면에 차징된 전하를 원활하게 방전시킬 수 있고, 진공 용기 내부를 통과하는 전자빔에 미는 힘을 제공할 수 있다.

또한, 저항층을 구성하는 물질이 포함된 물질을 이용하여 기판과 접촉되는 스페이서의 면에 접착층을 형성함으로써, 스페이서 및 기판 사이의 접착력을 향상시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.

따라서, 스페이서의 대전을 억제하여 전자빔 경로가 왜곡되는 현상을 효율적으로 방지할 수 있고, 이러한 전자빔 경로의 왜곡 방지는, 전자 방출부에 대응하는 형광층을 정확하게 발광시켜 그에 따른 정확한 색을 구현해 냄으로써 양질의 화상을 제공할 수 있다.

Claims (16)

1. 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치된 전자 방출 디스플레이용 스페이서에 있어서,

   모체;

   상기 모체의 측면에 형성된 저항층; 및

   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 상기 모체의 면에 형성된 접착층

   을 포함하고,

   상기 접착층은, 상기 저항층의 구성 물질을 포함하는 물질로 형성된 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
2. 제1 항에 있어서,

   상기 접착층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판과 접촉되는 상기 모체의 면에 형성된 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
3. 제1 항에 있어서,

   상기 저항층은 적어도 2개 이상의 금속이 포함된 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어진 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
4. 제1 항에 있어서,

   상기 접착층은 적어도 2개 이상의 혼합 금속으로 이루어진 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
5. 제4 항에 있어서,

   상기 접착층은 Cu, Al, Ag, Ni, Pt, Au, Pd, Ir, Ru 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 둘 이상의 물질을 포함하는 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
6. 제1 항에 있어서,

   상기 접착층의 두께는 1000 Å 내지 5000 Å인 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
7. 제1 항에 있어서,

   상기 모체는 벽체형으로 형성된 전자 방출 디스플레이용 스페이서.
8. 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판;

   상기 제1 기판의 일면에 제공된 전자 방출 유닛;

   상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 제공된 발광 유닛; 및

   상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 스페이서;를 포함하고,

   상기 스페이서는,

   모체;

   상기 모체의 측면에 형성된 저항층; 및

   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판과 접촉되는 상기 모체의 면에 형성된 접착층

   을 포함하는 전자 방출 디스플레이.
9. 제8 항에 있어서,

   상기 접착층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판과 접촉되는 상기 모체의 면에 형성된 전자 방출 디스플레이.
10. 제8 항에 있어서,

    상기 저항층은 적어도 2개 이상의 금속이 포함된 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어진 전자 방출 디스플레이.
11. 제8 항에 있어서,

    상기 접착층은 적어도 2개 이상의 혼합 금속으로 이루어진 전자 방출 디스플레이.
12. 제11 항에 있어서,

    상기 접착층은 Cu, Al, Ag, Ni, Pt, Au, Pd, Ir, Ru 으로 이루어진 군으로부 터 선택된 적어도 둘 이상의 물질을 포함하는 전자 방출 디스플레이.
13. 제8 항에 있어서,

    상기 접착층의 두께는 1000 Å 내지 5000 Å인 전자 방출 디스플레이.
14. 제8 항에 있어서,

    상기 전자 방출 유닛은,

    상기 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성된 제1 전극;

    절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 교차하는 방향을 따라 형성된 제2 전극; 및

    상기 제1 전극 위에 형성되어 제1 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출부

    를 포함하는 전자 방출 디스플레이.
15. 제8 항에 있어서,

    상기 제1 전극 및 제2 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 및 제2 전극 상부에 위치하는 집속 전극을 더 포함하는 전자 방출 디스플레이.
16. 제8 항에 있어서,

    상기 발광 유닛은,

    상기 제2 기판에 형성된 형광층; 및

    상기 형광층과 연결되면서 상기 제2 기판에 형성된 애노드 전극

    을 포함하는 전자 방출 디스플레이.

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