KR20080009629A - Projection exposure apparatus - Google Patents

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KR20080009629A
KR20080009629A KR1020070050955A KR20070050955A KR20080009629A KR 20080009629 A KR20080009629 A KR 20080009629A KR 1020070050955 A KR1020070050955 A KR 1020070050955A KR 20070050955 A KR20070050955 A KR 20070050955A KR 20080009629 A KR20080009629 A KR 20080009629A
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고이치 이토
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우시오덴키 가부시키가이샤
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Abstract

A projection exposure apparatus is provided to reduce distortion and deterioration of contrast in comparison with moving a first and a second lens when performing magnification in a catadioptric optical system. A projection exposure apparatus includes a projection optical unit. The projection optical unit includes a reflective optical unit(10), a first lens(L1), a second lens(L2), and a reflective optical unit moving apparatus. The reflective optical unit includes a reflective body(R), a reflective mirror(MI), and a plurality of lens. The reflective body installs a first reflective surface and a second reflective surface at a predetermined angle. The reflective mirror reflects an exposure light reflected from the first reflective surface to the second reflective surface. The plurality of lenses are installed between the reflective mirror and the reflective body. The reflective optical unit moving apparatus supports the reflective optical unit between the first and second lenses. The reflective optical unit moving apparatus moves the reflective optical unit in parallel with the optical axis direction of the first and second lenses.

Description

투영 노광 장치{PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}Projection exposure apparatus {PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 도시한 도면,1 is a view showing a first embodiment of the present invention,

도 2는 본 발명과 종래예의 장치에 있어서의 왜곡 발생량비와 콘트라스트비를 도시한 도면,2 is a diagram showing a distortion generation amount ratio and a contrast ratio in the apparatus of the present invention and the conventional example;

도 3은 본 발명의 제2 실시예를 도시한 도면,3 shows a second embodiment of the present invention;

도 4는 반사 굴절 광학계의 개략 구성을 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a schematic configuration of a reflective refractive optical system.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1…광 조사부 2…마스크 스테이지 One… Light irradiation section 2.. Mask stage

3…워크 스테이지 3a…XYZθ 이동 기구 3... Work stage 3a... XYZθ moving mechanism

4…제어부 5…줌 구동 액추에이터4… Control unit 5.. Zoom Drive Actuator

6…프레임 6a…줌 구동용 가이드 6... Frame 6a... Zoom drive guide

10…반사 광학 유닛 11…반사 광학 유닛 지지대 10... Reflective optical unit 11... Reflective optical unit support

L1…제1 렌즈 L2…제2 렌즈 L1... First lens L2... Second lens

L3…제3 렌즈(군) M…마스크 L3... Third lens (group) M... Mask

W…워크 R…반사체W… Walk R… reflector

본 발명은, 프린트 기판이나 액정 기판 등의 기판의 제조에 이용되는 노광 장치에 관한 것으로서, 특히 마스크에 형성된 패턴을, 등배(等倍)로 기판에 투영하는 투영 노광 장치에 관한 것이다.This invention relates to the exposure apparatus used for manufacture of board | substrates, such as a printed circuit board and a liquid crystal substrate, and especially relates to the projection exposure apparatus which projects the pattern formed in the mask on a board | substrate at equal magnification.

포토레지스트 등의 감광 재료를 도포한 기판 표면에, 소정의 패턴을 노광 장치에 의해 노광하고, 그 후 에칭 공정에 의해 기판 상에 패턴을 형성하는 포토리소그래피법이 여러 가지 분야에서 널리 응용되고 있고, 프린트 배선 기판이나 액정 기판 등도 노광 장치를 이용하여 제조되고 있다.The photolithographic method of exposing a predetermined pattern with an exposure apparatus on a substrate surface coated with a photosensitive material such as a photoresist and then forming a pattern on the substrate by an etching process is widely applied in various fields. Printed wiring boards, liquid crystal substrates, etc. are also manufactured using the exposure apparatus.

종래, 프린트 배선 기판, 액정 패널, 액정용 컬러 필터 등의 전자 회로 등의 패턴을 노광 형성하는 장치의 하나로서, 패턴이 형성된 마스크를 통해, 소정 파장의 자외선(노광 광)을 조사하여, 투영 광학계에 의해 마스크의 패턴과 거의 등배의 패턴상을 워크에 투영하여 노광 처리하는 투영 노광 장치가 이용된다.Background Art Conventionally, as one of apparatuses for exposing patterns of electronic circuits such as printed wiring boards, liquid crystal panels, color filters for liquid crystals, and the like, the ultraviolet light (exposure light) having a predetermined wavelength is irradiated through a mask on which the pattern is formed, thereby projecting an optical system. By this, a projection exposure apparatus is used which projects a pattern image approximately equal to the pattern of the mask onto the workpiece and performs exposure processing.

투영 광학계에는, 투영 렌즈만으로 구성되는 투영 광학계와, 반사 미러와 렌즈를 조합한 반사 굴절 광학계, 반사 미러만으로 구성된 반사 광학계가 있다.The projection optical system includes a projection optical system composed only of a projection lens, a reflection refractive optical system combining a reflection mirror and a lens, and a reflection optical system composed only of a reflection mirror.

렌즈에 대하여 반사 미러를 사용하면 색수차를 저감할 수 있는 메리트가 있다. 그러나, 반사 미러만의 반사 광학계의 경우, 광 조사 영역이 슬릿 형상으로 한정되어, 넓은 면적을 일괄하여 노광하는 것이 어렵다. 반사 미러와 렌즈를 조합한 반사 굴절 광학계의 경우, 투영 광학계에 비해 색수차를 저감하여, 반사 광학계보다 넓은 면적을 노광할 수 있다는 이점이 있다.There is a merit in that chromatic aberration can be reduced by using a reflection mirror for the lens. However, in the case of the reflective optical system of only the reflective mirror, the light irradiation area is limited to the slit shape, and it is difficult to collectively expose a large area. In the case of the reflective refraction optical system in which the reflective mirror and the lens are combined, there is an advantage that the chromatic aberration can be reduced compared to the projection optical system, thereby exposing a larger area than the reflective optical system.

투영 노광 장치에 있어서는, 피투영면에 배치되는 기판의 온도 변화에 의한 신축이나, 타공정에 있어서의 배율 오차를 보정하기 위해, 투영 배율을 변경하지 않으면 안 되는 경우가 있다. 반사 굴절 광학계를 구비한 투영 노광 장치에 있어서, 투영 배율을 변경하는 기술로서 특허 문헌 1과 특허 문헌 2가 있다.In the projection exposure apparatus, the projection magnification may have to be changed in order to correct the expansion and contraction caused by the temperature change of the substrate disposed on the projection surface and the magnification error in other processes. In the projection exposure apparatus provided with the reflective refractive optical system, Patent Literature 1 and Patent Literature 2 are techniques for changing the projection magnification.

특허 문헌 1, 2 모두 마스크의 패턴을 기판 상에 등배로 투영할 수 있는 반사 굴절 광학계이다. 상기 특허 문헌의 광학계는, 주로, 노광 광의 방향을 바꾸는 제1 반사면 및 제2 반사면을 소정 각도로 설치한 반사체(특허 문헌 1에서는 12·특허 문헌 2에서는 4, 이하 동일), 반사체의 제1 반사면에서 반사한 노광 광을 제2 반사면으로 반사하는 반사 미러(14·6), 이 반사 미러와 반사체의 사이에 설치되는 복수의 렌즈(13·5), 반사체의 제1 반사면의 광 입사측에, 반사체에서 이격되어 배치된 제1 렌즈(11·3), 반사체의 제2 반사면의 광 출사측에, 반사체에서 이격되어 배치된 제2 렌즈(15·2)로 구성되어 있다.Both patent documents 1 and 2 are reflection refraction optical systems which can project the pattern of a mask on the board | substrate equally. The optical system of the said patent document mainly uses the reflector which provided the 1st reflecting surface which changes the direction of exposure light, and the 2nd reflecting surface at a predetermined angle (4 in patent document 1 and 4 in the patent document 2 is the same below), A reflection mirror 14 · 6 that reflects the exposure light reflected by the first reflection surface to the second reflection surface, a plurality of lenses 13 · 5 provided between the reflection mirror and the reflector, and the first reflection surface of the reflector. It consists of the 1st lens 11 * 3 arrange | positioned at the light incident side, and spaced apart from a reflector, and the 2nd lens 15 占 2 spaced from the reflector at the light output side of the 2nd reflective surface of a reflector. .

투영 배율을 변경하는 방법으로서, 특허 문헌 1에서는, 제1 렌즈(11) 또는 제2 렌즈(15)의 적어도 한쪽을 광축 방향으로 이동시키는 것이 나타나 있고, 또 특허 문헌 2에서는, 제1 렌즈(3)와 제2 렌즈(5)를 1조로 하여 광축 방향으로 이동시키는 것이 나타나 있다.As a method of changing the projection magnification, Patent Document 1 discloses moving at least one of the first lens 11 or the second lens 15 in the optical axis direction, and in Patent Document 2, the first lens 3 is moved. ) And the second lens 5 as a pair are shown to move in the optical axis direction.

[특허 문헌 1 : 일본 특허공개공보 특개 2004-29234][Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-29234]

[특허 문헌 2 : 일본 특허공개공보 특개 2004-354910][Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-354910]

[비특허 문헌 1 : 「광학 기술 시리즈 7 푸리에 결상론」오세 데루지 교리츠출판주식회사 1999년 9월 15일 초판 3쇄 발행][Non-Patent Document 1: "Optical Technology Series 7 Fourier Formation Theory" Ose Teruji Kyoritsu Publishing Co., Ltd.

도 4에 본 실험에서 사용한 반사 굴절 광학계의 개략 구성을 도시한다.4 shows a schematic configuration of the reflective refractive optical system used in this experiment.

마스크 M에는 회로 등의 패턴이 형성되고, 이 패턴상은, 도시하지 않은 광원에서 방사되는 노광 광에 의해, 이 반사 굴절 광학계를 통해, 등배로 워크 W 상에 투영된다.Patterns, such as a circuit, are formed in the mask M, and this pattern image is projected on the workpiece | work W at equal magnification through this reflection refraction optical system by exposure light radiated | emitted by the light source which is not shown in figure.

반사 굴절 광학계는, 제1 렌즈 L1, 반사체 R, 제3 렌즈(군) L3, 반사 미러 MI, 제2 렌즈 L2를 구비하고 있다. 반사체 R에는, 입사하는 광을 거의 직각으로 꺾어지게 하는, 제1 반사면 R1과 제2 반사면 R2가 형성되어 있다.The reflective refractive optical system includes a first lens L1, a reflector R, a third lens (group) L3, a reflection mirror MI, and a second lens L2. In the reflector R, the first reflecting surface R1 and the second reflecting surface R2 are formed, which causes the incident light to be bent at almost right angles.

마스크 M을 통과한 노광 광은, 제1 렌즈 L로 입사하여, 반사체 R의 제1 반사면 R1에 의해 반사되고, 제3 렌즈(군) L3을 통과하여, 반사 미러 M으로 입사하여 반사되며, 다시 제3 렌즈(군) L3을 통과하여, 반사체 R의 제2 반사면 R2에 의해 반사되어, 제2 렌즈 L2를 통과하여, 워크 W에 투영된다.The exposure light passing through the mask M is incident on the first lens L, is reflected by the first reflection surface R1 of the reflector R, passes through the third lens (group) L3, is incident on the reflection mirror M, and is reflected. Again, it passes through the third lens (group) L3, is reflected by the second reflecting surface R2 of the reflector R, passes through the second lens L2, and is projected onto the work W.

제1 렌즈 L1에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 제2 렌즈 L2까지의 광학 소자는, 대칭으로 배치됨으로써, 일부의 수차가 없어져 광학 성능이 향상한다는 이점이 있고, 이 때, 마스크 M에 대한 워크 W의 투영 배율이 등배이다.The optical elements from the first lens L1 to the reflection mirror MI and from the reflection mirror MI to the second lens L2 are advantageously provided with symmetry so that some aberration is eliminated and optical performance is improved. The projection magnification of the workpiece W is equal.

그러나, 마스크의 패턴상이 투영되는 워크는, 온도 변화나 전(前)공정의 처리 때문에 신축이 생기는 경우가 있다. 그러한 경우, 워크에 형성되어 있는 패턴도 그것에 따라 신축하므로, 워크의 패턴 상에 새로운 패턴을 노광할 때에는, 신축한 워크의 패턴의 크기에 맞춰, 배율을 변경하여(변배하여) 투영하는 경우가 있다. 변배의 정도는 0.1% 정도이다.However, in the workpiece | work which the pattern image of a mask is projected, expansion and contraction may generate | occur | produce because of the temperature change and the process of a previous process. In such a case, since the pattern formed on the workpiece is stretched accordingly, when exposing a new pattern on the pattern of the workpiece, the magnification may be changed (varied) and projected in accordance with the size of the pattern of the stretched workpiece. . The degree of variation is about 0.1%.

상기한 바와 같이, 특허 문헌 1, 2에서는 반사 굴절 광학계의 변배 방법에 대해, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2의 한쪽, 또는 양쪽을 광축 방향으로 이동하는 것이 제안되어 있다.As described above, in Patent Documents 1 and 2, it is proposed to move one or both of the first lens L1 and the second lens L2 in the optical axis direction with respect to the method of changing the reflection refractive optical system.

대칭성을 갖는 등배 광학계에 있어서, 변배를 행하는 하나의 수단으로서, 광학계의 대칭성을 무너뜨리는 방법이 있다. 제1 렌즈 L1 및/또는 제2 렌즈 L2를 이동시키면, 마스크 M에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 워크 W까지의 광학적 대칭성이 무너지므로, 이것을 이용하여 투영상의 배율을 변화기킨다는(변배하는) 것이다.In an equal magnification optical system having symmetry, there is a method of breaking down the symmetry of the optical system as one means of performing the shift. When the first lens L1 and / or the second lens L2 are moved, the optical symmetry from the mask M to the reflection mirror MI and the reflection mirror MI to the workpiece W is broken, so that the magnification of the projection image is changed using this ( To change.

여기에서, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2를 1조로 하여 동일 방향으로 이동시키는 경우와, 제1 렌즈 L1 또는 제2 렌즈 L2의 어느 한쪽만을 이동시키는 경우의 차를 간단하게 설명한다.Here, the difference between the case where the first lens L1 and the second lens L2 are moved in the same direction with one pair and when only one of the first lens L1 or the second lens L2 is moved will be described briefly.

제1 렌즈 L1 또는 제2 렌즈 L2 중 어느 한쪽만을 이동시키는 경우, 배율이 변화하는 동시에 핀트 위치도 어긋나기 때문에, 별도 핀트 조정이 필요해진다.When only one of the first lens L1 and the second lens L2 is moved, the magnification is changed and the focus position is shifted. Therefore, the focus adjustment is necessary separately.

한편, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2를 1조로 하여 동일 방향으로 이동시키는 경우, 제1 렌즈 L1이 이동함으로써 변화하는 핀트의 변화량과, 제2 렌즈 L2가 이동함으로써 변화하는 핀트량이 서로 보충되므로, 핀트가 어긋나지 않고 배율이 변화한다.On the other hand, when the first lens L1 and the second lens L2 are moved in the same direction as one set, the amount of change in the focus that changes due to the movement of the first lens L1 and the amount of focus that changes due to the movement of the second lens L2 are supplemented with each other. The focus does not shift and the magnification changes.

여기에서, 상기와 같이 광학계의 대칭성을 무너뜨려 변배를 행하는 경우, 대칭성에 의해 없어졌던 수차가 발생하는 등의 이유로부터, 투영 후의 왜곡(왜곡 수차)의 발생이나 콘트라스트의 저하(해상도의 저하)가 생긴다. 그래서, 이러한 광학 성능의 열화를 억제하기 위해, 발명자는 반사 굴절 광학계의 변배에 대해 검토 를 거듭한 결과, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2를 이동시켜 변배를 행하면, 투영상의 왜곡이 커지고, 또 콘트라스트가 저하하는 경향이 있는 것을 발견하였다.Here, in the case of performing the shift by breaking down the symmetry of the optical system as described above, the occurrence of distortion (distortion aberration) after the projection and the decrease in the contrast (decrease in resolution) due to the reason such as aberration caused by the symmetry occurs. Occurs. Therefore, in order to suppress such deterioration of optical performance, the inventor has repeatedly studied the variation of the reflective refractive optical system, and when the first lens L1 and the second lens L2 are shifted and shifted, the distortion of the projection image becomes large. Moreover, it discovered that there exists a tendency for contrast to fall.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 그 과제는, 반사 굴절 광학계를 구비한 투영 노광 장치에 있어서 변배를 행할 때, 투영되는 패턴상의 왜곡이나 콘트라스트 저하를 작게 하는 것이다.This invention is made | formed in order to solve the said problem, The subject is to reduce the distortion and contrast fall of the pattern image to be projected at the time of shifting in the projection exposure apparatus provided with a reflective refractive optical system.

본 발명에 있어서는, 상기 과제를 다음과 같이 해결한다.In this invention, the said subject is solved as follows.

(1) 노광 광의 방향을 바꾸는 제1 반사면 및 제2 반사면을 소정 각도로 설치한 반사체와, 상기 제1 반사면에서 반사한 노광 광을 상기 제2 반사면으로 반사하는 반사 미러와, 이 반사 미러와 상기 반사체 사이에 설치되는 복수의 렌즈를 구비한 반사 광학 유닛과, 상기 반사체의 제1 반사면의 광 입사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제1 렌즈와, 상기 반사체의 제2 반사면의 광 출사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제2 렌즈로 구성되는 투영 광학 수단을 구비한 투영 노광 장치에 있어서, 상기 반사 광학 유닛을 일체로 하여, 고정한 제1 렌즈와 제2 렌즈의 사이에서 광축 방향으로 이동시키는 이동 기구를 설치한다.(1) a reflector provided with a first reflecting surface and a second reflecting surface for changing the direction of exposure light at a predetermined angle; a reflecting mirror reflecting the exposure light reflected from the first reflecting surface to the second reflecting surface; A reflecting optical unit having a plurality of lenses provided between the reflecting mirror and the reflector, a first lens spaced apart from the reflector on a light incident side of the first reflecting surface of the reflector, and a second of the reflector In the projection exposure apparatus provided with the projection optical means comprised by the 2nd lens arrange | positioned spaced apart from the said reflector on the light output side of the reflecting surface, The 1st lens and the 2nd lens which fixed the said integral optical unit integrally A moving mechanism for moving in the optical axis direction is provided.

(2) 상기 반사 광학 유닛과, 상기 반사체의 제1 반사면의 광 입사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제1 렌즈와, 상기 반사체의 제2 반사면의 광 출사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제2 렌즈로 구성되는 투영 광학 수단을 갖는 투영 노광 장치에 있어서, 상기 제1 렌즈와 마스크와 상기 제2 렌즈와 워크를 지지하여, 상기 제1 렌즈와 마스크와 상기 제2 렌즈와 워크를, 상기 제1 렌즈 및 제2 렌즈의 광축 방향에 대하여 평행하게 이동시키는 이동 기구를 설치한다.(2) On the reflecting body, the reflecting optical unit, a first lens disposed on the light incidence side of the first reflecting surface of the reflector, spaced apart from the reflecting body, and a light output side of the second reflecting surface of the reflecting body, A projection exposure apparatus having projection optical means composed of second lenses spaced apart from each other, the projection exposure apparatus comprising: supporting the first lens, the mask, the second lens, and the workpiece, the first lens, the mask, and the second lens; A moving mechanism for moving the work in parallel with the optical axis directions of the first lens and the second lens is provided.

[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]Best Mode for Carrying Out the Invention

도 1에 본 발명의 제1 실시예를 나타낸다. 도 1(a)는 본 발명의 실시예의 투영 노광 장치의 전체 구성을 나타내고, 도 1(b)는 본 실시예에서 사용되는 투영 광학 수단의 구성을 나타낸다.1 shows a first embodiment of the present invention. Fig. 1 (a) shows the overall configuration of the projection exposure apparatus of the embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) shows the configuration of the projection optical means used in this embodiment.

본 실시예의 투영 광학 수단은 상기 도 4에 나타낸 것과 동일한 구성을 갖고, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 제1 렌즈 L1, 반사체 R, 제3 렌즈(군) L3, 반사 미러 MI, 제2 렌즈 L2를 구비하고 있다. 반사체 R에는, 입사하는 광을 거의 직각으로 꺾어지게 하는, 제1 반사면 R1과 제2 반사면 R2가 형성되어 있다.The projection optical means of this embodiment has the same configuration as that shown in Fig. 4, and as shown in Fig. 1B, the first lens L1, the reflector R, the third lens (group) L3, the reflection mirror MI, the second The lens L2 is provided. In the reflector R, the first reflecting surface R1 and the second reflecting surface R2 are formed, which causes the incident light to be bent at almost right angles.

도 1(a)에 있어서, 광 조사부(1)에는, 노광 파장을 포함하는 광을(이하, 노광 광이라고 약어로 쓴다) 방사하는 광원, 예를 들면 초고압 수은 램프나, 램프로부터의 광을 반사하는 반사 미러 등의 광학 소자가 설치되고, 노광 광을 출사한다.In FIG. 1A, the light irradiation part 1 reflects a light source that emits light including an exposure wavelength (hereinafter abbreviated as exposure light), for example, an ultra-high pressure mercury lamp, and light from the lamp. Optical elements, such as a reflecting mirror, are provided and emit exposure light.

회로 등의 패턴을 형성한 마스크 M은, 마스크 스테이지(2)에 유지되고, 마스크 M에 형성된 패턴(이하, 마스크 패턴)이 노광되는 워크 W는, 워크 스테이지(3) 상에 놓여져 유지된다. 워크 스테이지(3)에는 XYZθ 이동 기구(3a)가 설치되고, 워크 스테이지 상의 워크 W는, XYZθ 방향으로 이동 가능하다.The mask M which formed the pattern, such as a circuit, is hold | maintained in the mask stage 2, and the workpiece | work W to which the pattern (henceforth a mask pattern) formed in the mask M is exposed is put on and hold | maintained on the work stage 3. The work stage 3 is provided with an XYZθ moving mechanism 3a, and the work W on the work stage is movable in the XYZθ direction.

마스크 스테이지(2)와 워크 스테이지(3) 사이에는, 마스크 패턴을 워크 W 상에 투영하는 투영 광학 수단이 설치되어 있다.Between the mask stage 2 and the work stage 3, projection optical means for projecting a mask pattern onto the work W is provided.

투영 광학 수단은, 도 1(b)에 나타낸 것으로, 크게는, 마스크 스테이지의 광 출사측에 설치된 제1 렌즈 L1, 워크 스테이지의 광 입사측에 설치된 제2 렌즈 L2, 제1 렌즈와 제2 렌즈의 사이에 설치된 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)의 3개의 부분으로 나누어진다.The projection optical means is shown in Fig. 1 (b), and largely includes the first lens L1 provided on the light exit side of the mask stage, the second lens L2 provided on the light incident side of the work stage, the first lens and the second lens. It is divided into three parts of the reflective optical unit 10 (zoom unit) provided in between.

또한, 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)은, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 반사체 R, 제3 렌즈군(복수의 경우가 많지만 단수인 경우도 있다. 그 경우는 제3 렌즈가 된다) L3, 반사 미러 MI를 구비하고 있다. 반사체 R은, 구체적으로는, 예를 들면 프리즘이고, 입사하는 광을 거의 직각으로 꺾어지게 하는, 제1 반사면 R1과 제2 반사면 R2가 형성되어 있다. 또한, 여기에서는 반사체 R로 구성되는 부분을 A유닛, 제3 렌즈 L3, 반사 미러 MI로 구성되는 부분을 B 유닛이라고 한다.In addition, as shown in Fig. 1 (b), the reflective optical unit 10 (zoom unit) includes the reflector R and the third lens group (the plurality of cases may be plural but may be singular. L3 and the reflection mirror MI are provided. The reflector R is specifically a prism, for example, and the 1st reflecting surface R1 and the 2nd reflecting surface R2 which make the incident light bend at substantially right angle are formed. In addition, the part comprised by the reflector R here is called A unit, the part comprised by the 3rd lens L3, and the reflection mirror MI is called B unit.

반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)을 구성하는 반사체 R과, 제3 렌즈군 L3, 반사 미러 MI로 이루어지는 A유닛+B유닛은 반사 광학 유닛 지지대(11) 상에 장착되고, 반사 광학 유닛 지지대(11)는, 줌 구동용 가이드(6a)를 따라, Z방향(렌즈 L1, L2의 광축 방향, 상기 도면의 화살표 방향)으로 이동 가능하다. 변배할 때에는, 제어부(4)가 줌 구동 액추에이터(5)(지지체 구동 기구)를 구동하고, 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛) 전체를, 상기 도면의 상하 방향으로 이동시킨다.The reflector R constituting the reflecting optical unit 10 (zoom unit), the A unit + B unit consisting of the third lens group L3 and the reflecting mirror MI are mounted on the reflecting optical unit support 11, and the reflecting optical unit support 11 is movable along the zoom drive guide 6a in the Z direction (optical axis direction of the lenses L1 and L2, arrow direction in the figure). When shifting, the control part 4 drives the zoom drive actuator 5 (support body drive mechanism), and moves the reflection optical unit 10 (zoom unit) whole to the up-down direction of the said figure.

제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는, 반사 광학 유닛에서 이격되어 설치되고, 프레임(6)에 고정되어 있어 이동하지 않는다. 또한, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는, 각각 복수의 렌즈에 의해 구성되어 있어도 된다.The first lens L1 and the second lens L2 are spaced apart from the reflective optical unit, are fixed to the frame 6, and do not move. In addition, the 1st lens L1 and the 2nd lens L2 may be comprised by the some lens, respectively.

변배하지 않을 때에는, 제1 렌즈 L1에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 제2 렌즈 L2까지의 광학 소자는, 반사 미러 MI, 렌즈군 L3의 광축에 대하여, 대칭으로 배치되어 있고, 마스크의 패턴상은 등배로 워크 상에 투영된다.When not shifting, the optical elements from the first lens L1 to the reflection mirror MI and from the reflection mirror MI to the second lens L2 are arranged symmetrically with respect to the optical axis of the reflection mirror MI and the lens group L3, The pattern image is projected onto the work in equal multiples.

본 실시예의 장치는 다음과 같이 동작한다.The apparatus of this embodiment operates as follows.

(1) 노광이 행해지는 워크 W가 워크 스테이지(3) 상에 놓여져, 진공 흡착 등에 의해 유지된다.(1) The workpiece W to be exposed is placed on the workpiece stage 3 and held by vacuum suction or the like.

워크 W는 복수의 노광 영역으로 분할되어 있고, XYZθ 이동 기구(3a)에 의해 워크 스테이지(3)가 이동하며, 워크 W의 최초로 노광되는 영역이, 투영 광학 수단에 의해 마스크 패턴이 투영되는 영역으로 이동한다.The work W is divided into a plurality of exposure areas, the work stage 3 is moved by the XYZθ moving mechanism 3a, and the area exposed first of the work W is an area to which the mask pattern is projected by the projection optical means. Move.

(2) 마스크와 워크의 위치 맞춤이 행해진다. 구체적으로는, 마스크에 형성된 복수의 얼라인먼트 마크(마스크 마크)와, 워크에 형성된 복수의 워크 얼라인먼트 마크(워크 마크)가, 도시하지 않은 얼라인먼트 현미경에 의해 검출되고, 양자가 소정의 위치 관계가 되도록, 워크 또는 마스크를 이동한다.(2) Positioning of the mask and the work is performed. Specifically, a plurality of alignment marks (mask marks) formed on the mask and a plurality of work alignment marks (work marks) formed on the workpiece are detected by an alignment microscope (not shown), and both are in a predetermined positional relationship. Move the work or mask.

(3) 상기 위치 맞춤에 있어서, 얼라인먼트 현미경이 워크 마크를 검출할 때에 워크 마크간 거리를 측정하고, 이것을 마스크 마크간 거리나 워크 마크간 거리의 설계치와 비교함으로써, 어느 정도 워크가 신축하고 있는지, 즉 어느 정도 변배시키는지를 계산할 수 있다.(3) In the above-mentioned alignment, the distance between the work marks is measured when the alignment microscope detects the work mark, and compared with the design values of the distance between the mask marks and the distance between the work marks, to what extent the work is stretched or stretched, In other words, it can calculate how much variation.

(4) 통상, 온도 변화나 전공정의 처리에 있어서 워크에 생기는 신축은 0.1% 정도이고, 워크에 신축이 생기는 경우는, 거기에 맞춰 투영하는 마스크 패턴상의 배율을 변경(변배)한다.(4) Usually, the expansion and contraction which arises in a workpiece | work in a temperature change and the process of a previous process is about 0.1%, and when expansion | contraction is produced in a workpiece | work, the magnification on the mask pattern projected accordingly is changed (varied).

0.1%의 변배를 실현하기 위해서는, 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)을 마스크 M과 워크 W를 연결하는 축(Z축) 방향으로 수mm 정도 이동시킴으로써 가능하고, 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)을 줌 구동 액추에이터(5)에 의해 Z구동시킨다.In order to realize a variation of 0.1%, the reflective optical unit 10 (zoom unit) can be moved by several mm in the direction of the axis (Z axis) connecting the mask M and the work W, and the reflective optical unit 10 ( Z) is driven by the zoom drive actuator (5).

(5) 투영상을 크게 하기 위해서는 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)을 위쪽으로 올리는 방향으로 이동시킨다. 투영상을 작게 하기 위해서는 반대로 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)을 아래쪽으로 내리는 방향으로 이동시킨다.(5) In order to enlarge the projected image, the reflective optical unit 10 (zoom unit) is moved in the upward direction. On the contrary, in order to reduce the projected image, the reflective optical unit 10 (zoom unit) is moved in the downward direction.

또한, 원하는 변배량에 대한 반사 광학 유닛(10)의 이동량(즉, 몇 % 변배시키기 위해서는, 반사 광학 유닛(10)을 몇 밀리 이동시킬지)에 대하여는, 미리 노광 장치의 조립 조정 단계에서 측정을 행하여, 그 관계를 장치의 제어부(4)에 기억시켜 둔다. 그리고, 제어부(4)에 어느 정도 변배시킬지를 입력하면, 제어부가 자동적으로 반사 광학 유닛을 이동시키도록 해 둔다.In addition, the movement amount of the reflective optical unit 10 with respect to the desired variation amount (that is, how many millimeters the reflective optical unit 10 is to be shifted by% change) is measured in advance in the assembly adjustment step of the exposure apparatus. The relationship is stored in the control unit 4 of the apparatus. And when inputting how much to change to the control part 4, a control part will be made to move a reflection optical unit automatically.

(6) 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛) 이동 종료 후, 광 조사부(1)에서 노광 광을 출사한다. 광 조사부(1)에서 출사한 노광 광은, 마스크 스테이지(2)에 유지된 마스크 M에 입사한다.(6) After the movement of the reflecting optical unit 10 (zoom unit) is finished, the light irradiation part 1 emits the exposure light. The exposure light emitted from the light irradiation part 1 enters the mask M held by the mask stage 2.

마스크 M을 통과한 광은, 노광 광은, 제1 렌즈 L1로 입사하여, 반사체 R의 제1 반사면 R1에 의해 반사되고, 제3 렌즈(군) L3을 통과하여, 반사 미러 MI로 입사하여 반사되며, 다시 제3 렌즈(군) L3을 통과하여, 반사체 R의 제2 반사면 R2에 의해 반사되고, 제2 렌즈 L2를 통과하여, 마스크 패턴은 워크 W의 소정의 영역에, 워크의 신축에 맞춰 변배가 바뀌어 투영되어 노광된다.The light passing through the mask M enters the first lens L1, is reflected by the first reflecting surface R1 of the reflector R, passes through the third lens (group) L3, and enters the reflecting mirror MI. Reflected and passed again through the third lens (group) L3, reflected by the second reflecting surface R2 of the reflector R, and passed through the second lens L2, the mask pattern is stretched in the predetermined area of the workpiece W The displacement changes in accordance with the projection and is exposed.

(7) XYZθ 이동 기구(3a)에 의해 워크 스테이지(3)가 이동하고, 워크 W의 분할된 복수의 영역에 마스크 패턴이 노광된다. 투영상의 배율은, 분할된 영역마다 얼라인먼트 마크를 검출함으로써 조정 변경해도 되고, 1장의 워크 내에서는 동일한 변배량으로 복수의 영역을 노광해도 된다.(7) The work stage 3 is moved by the XYZθ moving mechanism 3a, and the mask pattern is exposed to a plurality of divided regions of the work W. FIG. The magnification of the projected image may be adjusted and changed by detecting an alignment mark for each divided region, or a plurality of regions may be exposed at the same displacement amount in one work.

또한, 광 조사 영역이 커지면, 반사 광학 유닛(10)(줌 유닛)은 크고 또 무거워져, 일체로서 이동시키는 것이 어려워지는 경우가 있다. 그러한 경우는, 반사 광학 유닛(10)을 A유닛, B유닛으로 분할하여, 각각 구동 기구를 설치하고, A유닛과 B유닛을 각각 동기를 취하여 이동시키도록 해도 된다.In addition, when the light irradiation area becomes large, the reflective optical unit 10 (zoom unit) becomes large and heavy, which may make it difficult to move as a unit. In such a case, the reflective optical unit 10 may be divided into an A unit and a B unit, and a driving mechanism may be provided, respectively, and the A unit and the B unit may be moved in synchronization with each other.

본 실시예의 투영 노광 장치는 상기 구성을 갖고 있고, 변배를 행하는 경우, 종래예와 같이 제1 렌즈 L1 및/또는 제2 렌즈 L2를 이동시키는 것이 아니라, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는 고정하고, 그 사이에 배치되어 있는 반사체 R, 제3 렌즈(군) L3, 반사 미러 MI로 구성되는 반사 광학 유닛(10)을 일체로 하여 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2의 광축 방향으로 이동시킨다.The projection exposure apparatus of this embodiment has the above configuration, and when shifting, the first lens L1 and the second lens L2 are fixed, rather than moving the first lens L1 and / or the second lens L2 as in the conventional example. The reflective optical unit 10 including the reflector R, the third lens (group) L3, and the reflecting mirror MI disposed therebetween is integrally moved in the optical axis direction of the first lens L1 and the second lens L2. .

반사 광학 유닛(10)을 이동시킴으로써, 마스크 M에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 워크 W까지의 광학적 대칭성이 무너지므로, 이것을 이용하여 투영상의 배율을 변화시킨다.By moving the reflective optical unit 10, the optical symmetry from the mask M to the reflection mirror MI and from the reflection mirror MI to the workpiece W is broken, so that the magnification of the projection image is changed using this.

여기에서는, 본 발명과 같이 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는 고정하고, 반사 광학 유닛을 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2의 광축 방향으로 이동시키는 방식을 A방식이라고 부르고, 종래예와 같이 반사 광학 유닛을 고정하고, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2를 일체로 하여 광축 방향으로 이동시키는 방식을 B방식이라고 부르는 것으로 하고, 이 A방식과 B방식으로, 배율을 0.1% 변경했을 때의 투영상의 왜곡(왜곡 수차)과 콘트라스트(해상력)의 차이에 대해 비교하였다.Here, as in the present invention, the first lens L1 and the second lens L2 are fixed, and the method of moving the reflective optical unit in the optical axis direction of the first lens L1 and the second lens L2 is called an A method, as in the conventional example. The method of fixing the reflective optical unit and moving the first lens L1 and the second lens L2 integrally in the optical axis direction is called the B method. When the magnification is changed by 0.1% in the A method and the B method, The difference between the distortion (distortion aberration) and contrast (resolution) of the projected image was compared.

또한, 왜곡(왜곡 수차)이란, 마스크에 형성된 패턴을 얼마나 충실히 투영상으로서 재현할 수 있는지를 나타낸 척도이다. 왜곡(왜곡 수차)의 측정은, 광학 설 계를 행하는 소프트웨어를 이용한 광선 추적에 의해, 마스크 패턴에 대한 투영상의 형상의 변화량(투영상을 평행 이동 회전 이동시켜도 보충할 수 없는 왜곡의 치수)으로서 구하였다.Distortion (distortion aberration) is a measure of how faithfully a pattern formed on a mask can be reproduced as a projection image. The measurement of distortion (distortion aberration) is an amount of change (dimension of distortion that cannot be compensated for by shifting and moving the projected image) to the mask pattern by ray tracing using software for optical design. Obtained.

또, 콘트라스트(해상력)란, 투영상의 흑백(명암)의 정도로, 광학계가, 마스크 패턴의 콘트라스트를 투영상에 얼마나 충실히 전달할 수 있는지를 나타낸 MTF(Modulation Transfer Function)라고 불리는 특성으로부터 구하였다. MTF는, 광학 설계자에게는 잘 알려진 특성으로, 예를 들면 비특허 문헌 1에 기재되어 있다.In addition, the contrast (resolution) was obtained from a characteristic called MTF (Modulation Transfer Function) indicating how faithfully the optical system can transfer the contrast of the mask pattern on the projection to the degree of monochrome (contrast) of the projection image. MTF is a characteristic well known to an optical designer, and is described, for example in Nonpatent Document 1.

도 2는 상기 A방식과 B방식으로 투영상에 발생하는 왜곡의 크기 및 콘트라스트를 비율에 의해 나타낸 것이다.Fig. 2 shows the magnitude and contrast of the distortion occurring in the projection in the A and B modes by the ratio.

유효 영역 및 NA가 다른 3종류의 투영 광학 수단(샘플 No.1∼No.3)에 대하여 나타내고 있고, 변배시 성능은, 왜곡 발생량비와 콘트라스트비로 나타내고 있다. 또한, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는, 광학계의 대칭성을 유지하기 위해, 동일한 특성을 갖는 렌즈이다.Three types of projection optical means (samples No. 1 to No. 3) in which the effective area and the NA are different are shown, and the performance at the time of change is represented by the distortion generation amount ratio and the contrast ratio. The first lens L1 and the second lens L2 are lenses having the same characteristics in order to maintain the symmetry of the optical system.

왜곡 발생량비는 A방식에 의해 투영상에 발생하는 왜곡의 크기를 B방식으로 생기는 왜곡의 크기로 나눈 값(A방식에 의한 왜곡/B방식에 의한 왜곡)이다.The distortion generation amount ratio is a value obtained by dividing the magnitude of the distortion generated on the projection by the A method by the magnitude of the distortion generated by the B method (distortion by the A method / distortion by the B method).

A, B방식에 있어서 투영상에 생기는 왜곡의 양이 동일하면, 그 값은 1이 된다. 값이 1보다 크면, A방식에 의해 변배하면, B방식에 의해 변배한 경우보다 왜곡이 커지고, 또, 값이 1보다 작으면, A방식의 쪽이 B방식보다 왜곡이 작은 것을 나타낸다.If the amounts of distortion occurring in the projections in the A and B systems are the same, the value is one. If the value is larger than 1, the variation in the A system is larger than the variation in the B system. If the value is smaller than 1, the distortion in the A system is smaller than that in the B system.

콘트라스트비는 A방식에 의해 변배를 행했을 때의 투영상의 콘트라스트를, B방식으로 변배를 행했을 때의 투영상의 콘트라스트로 나눈 값(A방식에 의한 콘트라스트/B방식에 의한 콘트라스트)이다.The contrast ratio is a value obtained by dividing the contrast of the projected image when the shift is performed by the A method by the contrast of the projected image when the shift is performed by the B method (contrast by the A method / contrast by the B method).

A, B방식에 있어서 투영상의 콘트라스트가 동일하면, 그 값은 1이 된다. 값이 1보다 크면, A방식에 의해 변배하면, B방식에 의해 변배한 경우보다 콘트라스트가 높고 양호한 투영상이 얻어지는 것이고, 또, 값이 1보다 작으면, A방식의 쪽이 B방식보다 콘트라스트가 낮고 떨어진 투영상이 되는 것을 나타낸다.If the contrast of a projection image is the same in A, B system, the value becomes 1. If the value is larger than 1, when the variation is made by the A method, the contrast is higher and a better projection image is obtained than when the variation is made by the B method. If the value is smaller than 1, the contrast of the A method is higher than that of the B method. Indicates that it is a low and projected projection image.

도 2에서 알 수 있는 바와 같이, A방식에 의한 왜곡/B방식에 의한 왜곡의 값은 1 이하가 되고, A방식에 의해 변배한 쪽이, B방식에 의해 변배한 경우보다 왜곡이 작아진다. 또, A방식에 의한 콘트라스트/B방식에 의한 콘트라스트의 값은 1 이상이 되고, A방식에 의해 변배한 쪽이, B방식에 의해 변배한 경우보다 투영상의 콘트라스트가 높아진다.As can be seen from Fig. 2, the distortion of the A system / the distortion of the B system is 1 or less, and the distortion of the A system is smaller than that of the B system. In addition, the contrast value by the A method / contrast by the B method is 1 or more, and the contrast on the projection is higher than the case where the variation by the A method is changed by the B method.

이 결과에 의거하면, A방식, 즉, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는 고정하고, 그 사이의 반사체 R, 제3 렌즈(군) L3, 반사 미러 MI를 일체로 하여, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2의 광축 방향으로 이동시켜 변배한 쪽이, 왜곡이나 콘트라스트가 양호한 투영상이 얻어진다.Based on these results, the A system, that is, the first lens L1 and the second lens L2 are fixed, and the first lens L1 is integrated with the reflector R, the third lens (group) L3, and the reflection mirror MI therebetween. And shifted and shifted in the optical axis direction of the second lens L2 to obtain a projected image having better distortion and contrast.

또한, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2는, 1장의 렌즈가 아니라, 복수의 렌즈로, 1장의 볼록 렌즈와 동일한 광학 특성을 갖도록 구성해도, 동일한 결과가 얻어진다.In addition, even if the 1st lens L1 and the 2nd lens L2 are not one lens but a some lens, even if it is comprised so that it may have the same optical characteristic as one convex lens, the same result is obtained.

또한, A방식의 변배 방식에 있어서도, 등배시의 대칭 기준인 반사 미러 MI에 대하여, 마스크 M측의 이동에 의해 생기는 핀트의 변화량과, 워크 W측의 이동에 의 해 생기는 핀트의 변화량이 서로 보충되므로, 핀트의 어긋남을 발생시키지 않고 변배가 가능하다.In addition, even in the A system, the amount of change in the focus caused by the movement of the mask M side and the amount of change in the focus caused by the movement of the work W side are supplemented with respect to the reflection mirror MI, which is the symmetry standard at the same time. Therefore, it is possible to change the displacement without causing the shift of the focus.

도 3에 본 발명의 제2 실시예를 나타낸다. 본 실시예는, 반사체 R, 제3 렌즈군 L3, 반사 미러 MI로 구성되는 반사 광학 수단(10)을 고정하고, 마스크 M, 제1 렌즈 L1, 제2 렌즈 L2, 워크 W를 일체로 지지하여, 마스크 M, 제1 렌즈 L1, 제2 렌즈 L2, 워크 W를, 상기 제1 렌즈 L1 및 제2 렌즈 L2의 광축 방향으로 평행하게 이동시키도록 구성한 것으로, 그 밖의 구성은 제1 실시예와 동일하다.3 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the reflective optical means 10 composed of the reflector R, the third lens group L3, and the reflection mirror MI is fixed, and the mask M, the first lens L1, the second lens L2, and the work W are integrally supported. The mask M, the first lens L1, the second lens L2 and the work W are configured to be moved in parallel in the optical axis direction of the first lens L1 and the second lens L2, and the rest of the configuration is the same as in the first embodiment. Do.

도 3에 있어서, 반사 광학 유닛(10)을 구성하는 반사체 R과 제3 렌즈군 L3은 반사 광학 유닛 지지대(11) 상에 장착되고, 반사 광학 유닛 지지대(11)는 기대(基臺) 등에 고정되어 있다.In FIG. 3, the reflector R and the third lens group L3 constituting the reflective optical unit 10 are mounted on the reflective optical unit support 11, and the reflective optical unit support 11 is fixed to a base or the like. It is.

또, 프레임(6)에는, 마스크 M이 장착된 마스크 스테이지(2)와. 워크 W가 놓여진 워크 스테이지, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2가 고정되어 있다. 반사 광학 유닛 지지대(11)와 프레임(6)의 사이, 및 프레임(6)과 고정 부분의 사이에는 줌 구동용 가이드(6a)가 설치되고, 프레임(6)은 줌 구동용 가이드(6a)를 따라, Z방향(렌즈 L1, L2의 광축 방향, 상기 도면의 화살표 방향)으로 이동 가능하다.The frame 6 includes a mask stage 2 on which a mask M is mounted. The work stage on which the work W is placed, and the first lens L1 and the second lens L2 are fixed. A zoom driving guide 6a is provided between the reflective optical unit support 11 and the frame 6 and between the frame 6 and the fixed portion, and the frame 6 supports the zoom driving guide 6a. Therefore, it can move to Z direction (the optical axis direction of lenses L1 and L2, the arrow direction of the said figure).

변배할 때에는, 제어부(4)가 줌 구동 액추에이터(5)를 구동하여, 상기 프레임(6) 전체를, 상기 도면의 상하 방향으로 이동시킨다.When shifting, the control part 4 drives the zoom drive actuator 5, and moves the said whole frame 6 to the up-down direction of the said figure.

변배하지 않을 때에는, 제1 렌즈 L1에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 제2 렌즈 L2까지의 광학 소자는, 반사 미러 MI, 렌즈군 L3의 광축에 대하여 대칭으로 배치되어 있고, 마스크의 패턴상은 등배로 워크 상에 투영된다.When not shifting, the optical elements from the first lens L1 to the reflection mirror MI and from the reflection mirror MI to the second lens L2 are arranged symmetrically with respect to the optical axis of the reflection mirror MI and the lens group L3, and the pattern of the mask The image is projected onto the work in equal magnification.

또, 변배를 행하는 경우에는, 프레임(6)을 Z축 방향으로 이동시키고, 마스크 M, 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2, 워크 W를 일체로 제1 렌즈 L1과 제2 렌즈 L2의 광축 방향으로 이동시킨다.In the case of shifting, the frame 6 is moved in the Z-axis direction, and the mask M, the first lens L1 and the second lens L2, and the work W are integrally formed in the optical axis direction of the first lens L1 and the second lens L2. Move to.

이에 따라, 마스크 M에서 반사 미러 MI까지와, 반사 미러 MI에서 워크 W까지의 광학적 대칭성이 무너지므로, 투영상을 바꿀 수 있다.As a result, the optical symmetry from the mask M to the reflection mirror MI and the reflection mirror MI to the work W is broken, so that the projection image can be changed.

또한, 상기에 있어서, 마스크 M, 제1 렌즈 L1, 제2 렌즈 L2, 워크 W를 일체로 지지하여, 마스크 M, 제1 렌즈 L1, 제2 렌즈 L2, 워크 W를 일체로 이동시키도록 설명하였지만, 마스크 M, 제1 렌즈 L1, 제2 렌즈 L2, 워크 W를 별개로 지지하여, 각각에 이동 기구를 장착하고, 같은 방향으로 동일한 거리만큼 동기하여 이동하도록 구성해도 된다.In the above description, the mask M, the first lens L1, the second lens L2 and the work W are integrally supported to move the mask M, the first lens L1, the second lens L2 and the work W integrally. The mask M, the first lens L1, the second lens L2, and the work W may be supported separately, and a moving mechanism may be attached to each of them, and may move in synchronization in the same direction by the same distance.

본 발명에 있어서는, 반사체, 반사 미러 및 반사 미러와 반사체 사이에 설치되는 복수의 렌즈로 구성되는 유닛(반사 광학 유닛), 혹은, 제1 렌즈와 마스크와 상기 제2 렌즈와 워크로 구성되는 유닛을 일체로 하여, 제1, 제2 렌즈의 광축 방향으로 이동시키도록 하였기 때문에, 반사 굴절 광학계에 있어서 변배를 행하는 경우, 왜곡과 콘트라스트의 저하를, 제1 렌즈와 제2 렌즈를 이동시키는 경우에 비해 작게 할 수 있다.In the present invention, a unit (reflective optical unit) composed of a reflector, a reflecting mirror, and a plurality of lenses provided between the reflecting mirror and the reflector, or a unit composed of the first lens, the mask, the second lens, and the workpiece Integrally and shifted in the optical axis direction of the first and second lenses, the variation in the distortion and contrast in the reflective refraction optical system is reduced compared to the case in which the first and second lenses are moved. It can be made small.

Claims (2)

광원에서 방사되는 노광 광에 의해, 마스크에 형성된 패턴을, 투영 광학 수단을 통해 워크에 투영하여 노광하는 투영 노광 장치에 있어서, In the projection exposure apparatus which exposes the pattern formed in the mask by the exposure light radiated | emitted by a light source to a workpiece by projecting through a projection optical means, 상기 투영 광학 수단은, The projection optical means, 상기 노광 광의 방향을 바꾸는 제1 반사면 및 제2 반사면을 소정 각도로 설치한 반사체와, 상기 제1 반사면에서 반사한 노광 광을 상기 제2 반사면으로 반사하는 반사 미러와, 이 반사 미러와 상기 반사체 사이에 설치되는 복수의 렌즈를 구비한 반사 광학 유닛과,A reflector provided with a first reflection surface and a second reflection surface for changing the direction of the exposure light at a predetermined angle; a reflection mirror for reflecting the exposure light reflected from the first reflection surface to the second reflection surface; and this reflection mirror And a reflective optical unit having a plurality of lenses provided between the reflector, 상기 반사체의 제1 반사면의 광 입사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제1 렌즈와,A first lens spaced apart from the reflector on a light incident side of the first reflecting surface of the reflector; 상기 반사체의 제2 반사면의 광 출사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제2 렌즈와,A second lens disposed on the light exit side of the second reflecting surface of the reflector, spaced apart from the reflector; 상기 반사 광학 유닛을, 상기 제1 렌즈와 상기 제2 렌즈의 사이에 지지하여, 상기 제1 렌즈 및 제2 렌즈의 광축 방향에 대하여 평행하게 이동시키는 반사 광학 유닛 이동 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.And a reflective optical unit moving mechanism for supporting the reflective optical unit between the first lens and the second lens to move parallel to the optical axis directions of the first lens and the second lens. Projection exposure apparatus. 광원에서 방사되는 노광 광에 의해, 마스크에 형성된 패턴을, 투영 광학 수단을 통해 워크에 투영하여 노광하는 투영 노광 장치에 있어서, In the projection exposure apparatus which exposes the pattern formed in the mask by the exposure light radiated | emitted by a light source to a workpiece by projecting through a projection optical means, 상기 투영 광학 수단은,The projection optical means, 상기 노광 광의 방향을 바꾸는 제1 반사면 및 제2 반사면을 소정 각도로 설치한 반사체와, 상기 제1 반사면에서 반사한 노광 광을 상기 제2 반사면으로 반사하는 반사 미러와, 이 반사 미러와 상기 반사체 사이에 설치되는 복수의 렌즈를 구비한 반사 광학 유닛과,A reflector provided with a first reflection surface and a second reflection surface for changing the direction of the exposure light at a predetermined angle; a reflection mirror for reflecting the exposure light reflected from the first reflection surface to the second reflection surface; and this reflection mirror And a reflective optical unit having a plurality of lenses provided between the reflector, 상기 반사체의 제1 반사면의 광 입사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제1 렌즈와,A first lens spaced apart from the reflector on a light incident side of the first reflecting surface of the reflector; 상기 반사체의 제2 반사면의 광 출사측에, 상기 반사체에서 이격되어 배치된 제2 렌즈와,A second lens disposed on the light exit side of the second reflecting surface of the reflector, spaced apart from the reflector; 상기 제1 렌즈와 마스크와 상기 제2 렌즈와 워크를 지지하여, 상기 제1 렌즈와 마스크와 상기 제2 렌즈와 워크를, 상기 제1 렌즈 및 제2 렌즈의 광축 방향에 대하여 평행하게 이동시키는 이동 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.A movement for supporting the first lens, the mask, the second lens, and the workpiece to move the first lens, the mask, the second lens, and the workpiece in parallel with the optical axis direction of the first lens and the second lens; A projection exposure apparatus comprising a mechanism.
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