KR20080009285A - Electrostatic chuck apparatus - Google Patents

Electrostatic chuck apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20080009285A
KR20080009285A KR1020077026621A KR20077026621A KR20080009285A KR 20080009285 A KR20080009285 A KR 20080009285A KR 1020077026621 A KR1020077026621 A KR 1020077026621A KR 20077026621 A KR20077026621 A KR 20077026621A KR 20080009285 A KR20080009285 A KR 20080009285A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
electrode
electrode pattern
area
workpiece
Prior art date
Application number
KR1020077026621A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100940549B1 (en
Inventor
요시카즈 오오다니
Original Assignee
신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 filed Critical 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
Publication of KR20080009285A publication Critical patent/KR20080009285A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100940549B1 publication Critical patent/KR100940549B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

An electrostatic chuck apparatus is recovered to attract a work in a short time by a simple process. An electrode (1) is divided into a plurality of areas (1a) within a plane parallel to the work (W), independent electrode patterns (1b) are arranged for the areas (1a), respectively, power supply sections (1c) for the electrode patterns (1b) are arranged in the areas (1a), respectively, and power supply to the electrode pattern (1b) arranged on the discretionary area (1a) is partially stopped by cutting the discretionary power supply section (1c). Thus, even when a part of a film plane in the areas (1a) is destroyed, though the electrode pattern (1b) in the destroyed area (1a) selectively does not function as an electrostatic chuck, the electrode patterns (1b) in other areas (1a) function as electrostatic chucks.

Description

정전척 장치{ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS}Electrostatic chuck device {ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS}

본 발명은, 예를 들면 액정 디스플레이(LCD)나 플라즈마 디스플레이(PDP) 등의 플랫 패널 디스플레이의 제조 과정에 있어서, CF유리나 TFT유리 등의 유리제 기판이나 또는 합성 수지제 기판 등의 워크를 흡착 유지하여 접합하는 기판 접합기를 포함하는 기판 조립 장치나, 기판을 반송하는 기판 반송 장치, 혹은 실리콘 웨이퍼 등의 워크를 가공하는 반도체 제조장치 등에 이용되는 정전척 장치에 관한 것이다.The present invention, for example, in the manufacturing process of flat panel displays such as liquid crystal display (LCD) and plasma display (PDP), by adsorbing and holding a workpiece such as a glass substrate such as CF glass, TFT glass, or a synthetic resin substrate The present invention relates to an electrostatic chuck device for use in a substrate assembling apparatus including a substrate bonding machine for bonding, a substrate conveying device for conveying a substrate, or a semiconductor manufacturing apparatus for processing a work such as a silicon wafer.

자세하게는, 워크와 대향하여 면 형상으로 배치된 전극에 전압을 인가함으로써 워크를 정전 흡착하는 정전척 장치에 관한 것이다.Specifically, the present invention relates to an electrostatic chuck device for electrostatically adsorbing a workpiece by applying a voltage to an electrode arranged in a plane shape facing the workpiece.

종래, 진공중에서 2장의 기판을 겹치는 기판 접합기에서는, 정전척으로 기판을 유지하고 있었지만, 최근 기판의 대형화에 수반되어, 큰 사이즈의 정전척을 제작하는 것이 어려워지고, 또 만일 제작할 수 있어도 매우 고가의 물건이 되어 있었다.Conventionally, in the board | substrate bonding machine which overlaps two board | substrates in a vacuum, the board | substrate was hold | maintained by the electrostatic chuck, but with the enlargement of the board | substrate in recent years, it becomes difficult to manufacture a large size electrostatic chuck, and even if it can manufacture it, it is very expensive It became a thing.

그래서, 이들 문제를 해결하기 위해서, 대형 기판에 대응하기 위해 복수의 정전척을 나열하여 배치한 정전척 장치가 있다.Therefore, in order to solve these problems, there is an electrostatic chuck device in which a plurality of electrostatic chucks are arranged in a row to correspond to a large substrate.

이와 같은 정전척 장치의 일례로서, 대형 워크(피흡착체)를 흡착할 수 있는 면적의 대좌(베이스판)에 2장 이상의 정전척을 같은 높이로 접합하여 고정하고, 각 정전척의 내부 전극에 도통하는 전극 단자가 베이스판의 관통구멍을 통하여 대좌의 이측으로부터 서로 전기 배선됨으로써 정전척 유닛을 구성한 것도 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).As an example of such an electrostatic chuck device, two or more electrostatic chucks are bonded and fixed to a pedestal (base plate) of an area capable of adsorbing a large workpiece (adsorbed body) at the same height, and are connected to the internal electrodes of the respective electrostatic chucks. In some cases, the electrode terminals are electrically wired from each other through the through hole of the base plate to form an electrostatic chuck unit (see Patent Document 1, for example).

특허 문헌 1:일본 공개 특허 공보 2002-252274호(제1-6페이지, 도 1-7)Patent document 1: Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-252274 (1-6 pages, FIG. 1-7)

이와 같은 정전척 장치를 이용한 액정 디스플레이의 생산 라인 등에서는, 특히 셋업 중에 유리의 파유리(파편) 등이 유리 기판상에 운반되는 일이 있어, 기판과의 정전 흡착에 수반하여 그 파유리가 정전척과의 사이에 끼어 들어감으로써, 이 정전척의 막면이 부분적으로 파괴되어 고장나는 일이 있다.In a production line of a liquid crystal display using such an electrostatic chuck device, a glass cullet (fragment) etc. of glass may be conveyed on a glass substrate, especially during setup, and the cullet is electrostatic with an electrostatic adsorption with a board | substrate. Interruption with the chuck may cause the membrane surface of this electrostatic chuck to be partially broken and to fail.

정전척의 막면이 일부분이라도 파괴되면, 이 정전척 전체의 기능이 정지됨과 함께 고전압이 걸리는 전극이 노출되기 때문에, 특히 진공중 접합기와 같은 진공에 가까운 상태로 이용되는 경우에는, 금속제 대좌의 접지부와의 사이에서 아크 방전되거나 혹은 진공으로 만들 때의 파셴 영역에 있어서 플라즈마 방전하는 등, 과전류를 일으키는 불편이 발생할 우려가 있었다.If a portion of the membrane surface of the electrostatic chuck is destroyed, the function of the entire electrostatic chuck is stopped and the electrode which is subjected to a high voltage is exposed. In particular, when the vacuum chuck is used in a state close to a vacuum such as a joint in a vacuum, There was a risk of causing an overcurrent, such as arc discharge or plasma discharge in the Paschen region when vacuuming.

이 점에 있어서, 특허 문헌 1의 경우에는, 2장 이상의 정전척이 배치되기 때문에, 막면이 파괴된 정전척을 제외하고 그 이외의 정전척은 사용 가능하지만, 막면의 일부분이 파괴된 정전척은 현장에서의 수리를 할 수 없기 때문에, 상기 서술한 방전을 방지하려면 막면의 일부분이 파괴된 정전척 자체를 교환해야 하여 비용 상승이 되고, 이 교환 작업이 완료될 때까지 라인 전체의 가동을 재개할 수 없으므로 가동률이 저하된다는 문제가 있었다.In this regard, in the case of Patent Document 1, since two or more electrostatic chucks are arranged, other electrostatic chucks can be used except for the electrostatic chuck whose membrane surface is destroyed. Since repair on site is not possible, in order to prevent the above-mentioned discharge, it is necessary to replace the electrostatic chuck itself in which part of the membrane surface is destroyed, which increases the cost, and restarts the entire line until this replacement is completed. There was a problem that the operation rate is lowered because it cannot be.

이와 같은 정전척의 교환에 필요로 하는 시간을 단축화하려면, 미리 정전척의 예비품을 설치 장소 가까이에 항상 보유하지 않으면 안되므로, 전체 비용이 비싸진다는 문제가 있었다.In order to shorten the time required for the replacement of such an electrostatic chuck, spare parts of the electrostatic chuck must always be kept close to the installation site in advance, resulting in a high overall cost.

본 발명 중 청구항 1에 기재된 발명은, 간단한 처리로 단시간에 워크를 흡착 가능하게 복귀시키는 것을 목적으로 한 것이다.Invention of Claim 1 of this invention aims at returning a workpiece | work so that adsorption is possible for a short time by a simple process.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명의 목적에 더하여, 각 에리어의 절단 작업을 용이하게 하면서 절단 작업에 수반되는 균열의 확산에 의한 전극의 2차적인 피해를 방지하는 것을 목적으로 한 것이다.In addition to the object of the invention of Claim 1, the invention of Claim 2 aims at preventing the secondary damage of an electrode by the spread of the crack which accompanies a cutting operation, making cutting of each area easy. .

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명의 목적에 더하여, 정전 흡착 기능을 비교적 저하시키지 않고 급전부의 점유 스페이스를 확보하는 것을 목적으로 한 것이다.In addition to the object of the invention of Claim 1 or 2, invention of Claim 3 aims at ensuring the space occupied by a power supply part, without comparatively degrading an electrostatic adsorption function.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1, 2 또는 3에 기재된 발명의 목적에 더하여, 급전부의 절단 처리에 수반하여 부분적으로 돌출해도 워크에 대한 악영향을 억제하는 것을 목적으로 한 것이다.In addition to the object of invention of Claim 1, 2 or 3, the invention of Claim 4 aims at suppressing the bad influence to a workpiece even if it protrudes partially with the cutting process of a power supply part.

청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 발명의 목적에 더하여, 선택적인 절단 부분과 금속 대좌와의 방전을 방지하는 것을 목적으로 한 것이다.In addition to the object of the invention of Claim 4, the invention of Claim 5 aims at preventing the discharge of a selective cutting part and a metal pedestal.

청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1, 2, 3, 4 또는 5에 기재된 발명의 목적에 더하여, 간편하고 확실한 밀봉 처리를 단시간에 행할 수 있고 밀봉 부재의 재사용을 가능하게 하는 것을 목적으로 한 것이다.In addition to the object of the invention according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, the invention described in claim 6 is intended to enable simple and reliable sealing treatment in a short time and to enable reuse of the sealing member.

<과제를 해결하기 위한 수단>Means for solving the problem

상기 서술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명 중 청구항 1에 기재된 발명은, 전극을 워크와 평행한 평면내에서 복수의 에리어로 분할하고, 이들 에리어마다 독립된 전극 패턴을 각각 마련하고 각 전극 패턴에 대한 급전부를 에리어마다 각각 마련하고, 임의의 급전부를 절단하여 임의의 에리어에 배치된 전극 패턴에 대한 급전을 부분적으로 정지시킨 것을 특징으로 하는 것이다.In order to achieve the object mentioned above, the invention of Claim 1 divides an electrode into several area in the plane parallel to a workpiece | work, and provides independent electrode patterns for each of these areas, respectively, The power supply unit was provided for each area, and the optional power supply unit was cut to partially stop the power supply to the electrode pattern arranged in the arbitrary area.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명의 구성에, 상기 복수의 급전부를 서로 접근시켜 나열하고, 이들 급전부의 근방에 슬릿을 그 급전부를 따라 형성한 구성을 더한 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 2 adds the structure of invention of Claim 1 to the said some electric power feeding part to approach each other, and added the structure which formed the slit along the electric power feeding part in the vicinity of these electric power feeding parts. .

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명의 구성에, 상기 복수의 급전부를 워크와 대향하여 전극 패턴이 마련된 정전척 기능면의 외측 영역에 배치한 구성을 더한 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 3 added the structure of the invention of Claim 1 or 2 to the structure arrange | positioned at the outer region of the electrostatic chuck functional surface in which the electrode pattern was provided facing the workpiece | work.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1, 2 또는 3에 기재된 발명의 구성에, 상기 급전부와 대향하는 대좌에 오목부를 형성한 구성을 더한 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 4 added the structure which provided the recessed part to the base facing the said power supply part to the structure of invention of Claim 1, 2 or 3, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 발명의 구성에, 상기 급전부의 선택적인 절단 부분을 대좌의 오목부 내에서 밀봉한 구성을 더한 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 5 added the structure which the selective cutting part of the said power supply part sealed in the recess of a base to the structure of invention of Claim 4, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1, 2, 3, 4 또는 5에 기재된 발명의 구성에, 상기 급전부의 선택적인 절단 부분을 둘러싸도록 환상 시일재를 배치하여 밀봉한 구성을 더한 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 6 added the structure of the invention of Claim 1, 2, 3, 4, or 5 to the structure which arrange | positioned and sealed the annular sealing material so that the selective cutting part of the said feed part may be enclosed. .

발명의 효과Effects of the Invention

본 발명 중 청구항 1에 기재된 발명은, 전극을 워크와 평행한 평면내에서 복수의 에리어로 분할하고, 이들 에리어마다 독립된 전극 패턴을 각각 마련하고 각 전극 패턴에 대한 급전부를 에리어마다 각각 마련하고, 임의의 급전부를 절단하여 임의의 에리어에 배치된 전극 패턴에 대한 급전을 부분적으로 정지시킴으로써, 복수의 에리어 중 일부의 막면이 파괴된 경우에도, 이 파괴된 에리어내의 전극 패턴은 정전척으로서 선택적으로 기능하지 않지만, 그 이외의 에리어의 전극 패턴은 정전척으로서 기능한다.The invention according to claim 1 of the present invention divides an electrode into a plurality of areas in a plane parallel to the work, provides independent electrode patterns for each of these areas, and provides a feeder for each electrode pattern for each area, By cutting an arbitrary feed part and partially stopping the feeding to the electrode pattern arranged in an arbitrary area, even when the membrane surface of some of the plurality of areas is broken, the electrode pattern in this broken area is selectively selected as an electrostatic chuck. Although not functioning, the electrode pattern in other areas functions as an electrostatic chuck.

따라서, 간단한 처리로 단시간에 워크를 흡착 가능하게 복귀시킬 수 있다.Therefore, the workpiece can be returned to be able to be adsorbed in a short time by a simple process.

그 결과, 막면 파괴에 의한 방전을 방지하려면 막면이 파괴된 정전척 자체를 교환할 필요가 있는 종래의 것에 비해, 막면의 일부분이 파괴되어도 방전 방지를 위해서 그 정전척 전체를 교환할 필요가 없어져, 여러 번의 보수가 가능하게 되어 전체 비용을 저감할 수 있고, 정전척의 예비품의 보유수도 저감할 수 있다. 특히 본 발명의 정전척 장치를 액정 디스플레이의 생산 라인 등에 이용한 경우에는, 막면의 일부분이 파괴되어도 방전을 확실히 방지할 수 있고 라인 전체의 가동을 단시간에 재개할 수 있기 때문에, 가동률이 저하되지 않고 안정된 생산량을 기대할 수 있다.As a result, it is unnecessary to replace the entire electrostatic chuck to prevent discharge even if a part of the membrane surface is destroyed, compared with the conventional one in which it is necessary to replace the electrostatic chuck itself whose membrane surface is destroyed in order to prevent discharge due to the membrane surface destruction. Multiple repairs can be made, which can reduce the overall cost and reduce the number of spare parts of the electrostatic chuck. In particular, when the electrostatic chuck device of the present invention is used in a production line of a liquid crystal display or the like, even if a part of the membrane surface is destroyed, discharge can be reliably prevented and operation of the entire line can be restarted in a short time, so that the operation rate is not lowered and is stable. You can expect production.

청구항 2의 발명은, 청구항 1의 발명의 효과에 더하여, 복수의 급전부를 서로 접근시켜 나열하고, 이들 급전부의 근방에 슬릿을 그 급전부를 따라 형성함으로써, 슬릿으로부터 커터나 가위 등의 칼날을 삽입하면, 목표로 한 급전부 하나가 절단 가능하게 되고, 그 절단 끝가장자리부로부터 전극을 구성하는 필름 등에 균열이 발생하는 일도 없다.In addition to the effect of the invention of Claim 1, invention of Claim 2 arrange | positions a plurality of feed parts closer to each other, and forms the slits along the feed part in the vicinity of these feed parts, so that blades such as cutters and scissors from the slit By inserting, the target feeding part can be cut, and cracks do not occur in the film or the like constituting the electrode from the cut end part.

따라서, 각 에리어의 절단 작업을 용이하게 하면서 절단 작업에 수반하는 균열의 확산에 의한 전극의 2차적인 피해를 방지할 수 있다.Therefore, the secondary damage of the electrode by the spread of the crack accompanying a cutting operation | work can be prevented, making cutting of each area easy.

청구항 3의 발명은, 청구항 1 또는 2의 발명의 효과에 더하여, 복수의 급전부를 워크와 대향하여 전극 패턴이 마련된 정전척 기능면의 외측 영역에 배치함으로써, 급전부를 확보하기 위한 스페이스가 정전척 기능면의 영역내에 들어가지 않아, 흡착 영역의 유효 면적이 넓게 확보된다.In addition to the effect of the invention of Claim 1 or 2, invention of Claim 3 arrange | positions a some power supply part in the outer area | region of the electrostatic chuck functional surface in which the electrode pattern was provided facing a workpiece | work, and the space for securing a power supply part is electrostatically It does not enter the area of the chuck function surface, and the effective area of the adsorption area is secured widely.

따라서, 정전 흡착 기능을 비교적 저하시키지 않고 급전부의 점유 스페이스를 확보할 수 있다.Therefore, the space occupied by the power supply portion can be secured without relatively deteriorating the electrostatic adsorption function.

청구항 4의 발명은, 청구항 1, 2 또는 3의 발명의 효과에 더하여, 급전부와 대향하는 대좌에 오목부를 형성함으로써, 급전부의 절단으로 이 급전부의 절단 부분이 워크를 향하여 볼록한 형상으로 돌출한 형상이 되어도, 워크의 정전 흡착시에 이 절단 볼록 형상부가 상기 오목부내에 들어가 워크에 대해 부분적으로 압접되지 않는다.In addition to the effect of the invention of Claims 1, 2 or 3, invention of Claim 4 forms the recessed part in the base facing a feed part, and the cut part of this feed part protrudes in convex shape toward a workpiece by cutting of a feed part. Even if it becomes a shape, this cut | disconnected convex part enters into the said recessed part at the time of the electrostatic adsorption of a workpiece | work, and it is not partially pressed against a workpiece | work.

따라서, 급전부의 절단 처리에 수반하여 부분적으로 돌출해도 워크에 대한 악영향을 억제할 수 있다.Therefore, even if it partially protrudes with the cutting process of a power supply part, the bad influence on a workpiece | work can be suppressed.

청구항 5의 발명은, 청구항 4의 발명의 효과에 더하여, 급전부의 선택적인 절단 부분을 대좌의 오목부 내에서 밀봉함으로써, 급전부의 선택적인 절단 부분이 노출되지 않는다.In addition to the effect of the invention of claim 4, the invention of claim 5 seals the selective cut portion of the feed portion in the recess of the pedestal so that the selective cut portion of the feed portion is not exposed.

따라서, 선택적인 절단 부분과 금속 대좌와의 방전을 방지할 수 있다.Therefore, discharge of the selective cutting part and the metal base can be prevented.

청구항 6의 발명은, 청구항 1, 2, 3, 4 또는 5의 발명의 효과에 더하여, 급전부의 선택적인 절단 부분을 둘러싸도록 환상 시일재를 배치하여 밀봉함으로써, 절단 부분과 그 외부 분위기가 환상 시일재를 통하여 차단된다.In addition to the effect of the invention of Claim 1, 2, 3, 4, or 5, the invention of Claim 6 arrange | positions and seals the annular sealing material so that the selective cutting part of a feed part may be sealed, and a cut part and its external atmosphere are annular. It is blocked through the seal.

따라서, 간편하고 확실한 밀봉 처리를 단시간에 행할 수 있고 밀봉 부재의 재사용을 가능하게 할 수 있다.Therefore, a simple and reliable sealing process can be performed in a short time, and the reuse of a sealing member can be made possible.

발명을 실시하기 위한 최량의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

본 발명의 정전척 장치(A)가, 워크(W)로서 액정 디스플레이(LCD) 패널 등의 유리 기판을 정전 흡착하여 접합하는 기판 접합기에 설치된 경우를 나타낸다.The case where the electrostatic chuck apparatus A of this invention is installed in the board | substrate bonding machine which electrostatically attracts and bonds glass substrates, such as a liquid crystal display (LCD) panel, as a workpiece | work W is shown.

이 기판 접합기는, 상하 한 쌍 설치된 유지판(11)의 대향면에 워크(W)로서 2장의 기판을 각각 유지시켜, 그들의 주위에 구획 형성된 폐공간(도시하지 않음)내가 소정의 진공도에 이르고 나서 상하 유지판을 상대적으로 XYθ방향으로 조정 이동하여 기판끼리의 위치 맞춤이 행해지고, 그 후, 상부 유지판으로부터 상부 기판을 강제적으로 박리하여 하부 기판상의 환상 접착제 또는 시일재(도시하지 않음)에 순간적으로 압착함으로써, 양자간을 밀봉하여 겹치고, 그 후에는 양 기판의 내외에 생기는 기압차로 양 기판 사이를 소정의 갭까지 가압하여 접합 공정이 완료하는 것이다.This board | substrate bonding machine holds two board | substrates each as the workpiece | work W on the opposing surface of the holding plate 11 provided in the upper and lower pairs, and after the inside of the closed space (not shown) partitioned around them reaches the predetermined vacuum degree, The upper and lower holding plates are adjusted and moved in the XYθ direction relative to each other, and the alignment of the substrates is performed. Then, the upper substrate is forcibly peeled from the upper holding plate, and is instantaneously attached to an annular adhesive or sealing material (not shown) on the lower substrate. By crimping | compression-bonding, both are sealed and overlapped, and after that, the bonding process is completed by pressing the board | substrate to a predetermined | prescribed gap with the pressure difference which arises in and out of both board | substrates.

그리고, 상기 유지판(11)의 기판측에는, 그 전체에 걸쳐 본 발명의 정전척 장치(A)를 설치하거나, 또는 복수의 정전척 장치(A)를 서로 접합하여 각각의 흡착면이 같은 높이가 되도록 병렬 형상으로 설치함으로써, 대형의 워크(기판, W)에서도 확실히 흡착 유지 가능하게 하고 있다.And the electrostatic chuck apparatus A of this invention is provided in the board | substrate side of the said holding plate 11, or several electrostatic chuck apparatus A is joined together, and each adsorption surface has the same height. By installing in a parallel shape as much as possible, adsorption and holding can be ensured even in a large workpiece (substrate W).

본 발명의 정전척 장치(A)는, 도 1∼도 5에 나타내는 바와 같이, 워크(W)와 대향하여 면 형상으로 형성된 전극(1)과, 이 전극(1)에 적층되는 유전층(2)와, 이들을 따라 워크(W)와 반대측에 마련된 대좌(3)로 이루어지는 필름 형상 또는 판 형상의 적층 구조체이며, 이 대좌(3)의 이면(3a)를 상기 유지판(11)의 기판측 표면(11a)에 대해 착탈이 자유롭게 부착되어 있다.1 to 5, the electrostatic chuck device A of the present invention, as shown in FIGS. 1 to 5, has an electrode 1 formed in a planar shape facing the workpiece W, and a dielectric layer 2 laminated on the electrode 1. And a film-like or plate-like laminated structure composed of pedestals 3 provided on the opposite side to the workpiece W along these, and the back surface 3a of the pedestal 3 is formed on the substrate-side surface of the holding plate 11. Attachment and detachment are freely attached to 11a).

상기 유전층(2)는, 예를 들면 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 엔지니어링 플라스틱으로 이루어지는 탄성변형 가능한 절연성 유기 재료로, 2층 또는 3층 이상 또는 1층의 필름 형상으로 형성하거나, 혹은 예를 들면 Al2O3, SiC, AlN, Zr2O3 등의 세라믹스나 그 이외의 무기 재료 등에 의해 박판 형상으로 형성하고, 면 형상으로 형성된 전극(1)의 양면 또는 워크측 표면에만 접착하여 적층한다.The dielectric layer 2 is an elastically deformable insulating organic material made of engineering plastic such as polyimide, polyether ether ketone (PEEK), polyethylene naphthalate (PEN), for example, two or three or more layers or one layer. Of the electrode 1 formed into a thin film shape by forming in a film shape of, or by using, for example, ceramics such as Al 2 O 3 , SiC, AlN, Zr 2 O 3 , or other inorganic materials, and having a planar shape. Laminate by laminating only on both sides or the work side surface.

상기 전극(1)의 워크측 표면에 폴리이미드나 PEEK 등의 유기 재료제의 유전층(2)를 적층한 경우에는 전기적 특성이 뛰어나다는 이점이 있고, 세라믹스제의 유전층(2)를 적층한 경우에는 이 유전층(2) 자체가 딱딱해져, 워크(W)와의 사이에 유리의 파유리(파편) 등 딱딱한 이물이 끼어 들어갔을 때에도 유전층(2)가 손상되기 어려워진다는 이점이 있다.In the case where the dielectric layer 2 made of an organic material such as polyimide or PEEK is laminated on the work side surface of the electrode 1, there is an advantage in that the electrical characteristics are excellent, and in the case where the dielectric layer 2 made of ceramics is laminated The dielectric layer 2 itself becomes hard, and there is an advantage that the dielectric layer 2 is less likely to be damaged even when hard foreign matter such as glass shards (fragments) enters the workpiece W.

또한, 상기 유전층(2)의 이면 또는 전극(1)의 이면과 대좌(3)은, 점착재 또는 접착제 등의 접착층(도시하지 않음)을 통해 일체적으로 접합된다.In addition, the back surface of the dielectric layer 2 or the back surface of the electrode 1 and the pedestal 3 are integrally bonded through an adhesive layer (not shown) such as an adhesive or an adhesive.

또, 상기 전극(1)은, 도 1 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 워크(W)와 평행한 평면내에서 복수의 에리어(1a)로 분할되어, 이들 에리어(1a)마다 독립된 전극 패턴(1b)를 각각 마련하고 각 전극 패턴(1b)에 대한 급전을 개별적으로 제어하기 위한 급전부(1c)를 에리어(1a)마다 각각 마련하고 임의의 급전부(1c)를 후술하는 절단 방법으로 절단 처리함으로써 임의의 에리어(1a)에 배치된 전극 패턴(1b)에 대한 급전을 부분적으로 정지시키도록 하고 있다.1 and 4, the electrode 1 is divided into a plurality of areas 1a in a plane parallel to the work W, and an independent electrode pattern 1b for each of these areas 1a. ) Are provided for each of the areas 1a, and the feeders 1c for individually controlling the feeds to the electrode patterns 1b, respectively, and the arbitrary feeders 1c are cut by the cutting method described below. The power supply to the electrode pattern 1b disposed in the arbitrary area 1a is partially stopped.

이들 복수의 급전부(1c)는, 도 1에 나타내는 바와 같이 상기 워크(W)와 대향하여 전극 패턴(1b)를 마련한 정전척 기능면(1')의 내측 영역에 배치되거나, 또는 도 4에 나타내는 바와 같이 정전척 기능면(1')의 외측 영역에 배치되고, 도시예와 같이 복수의 급전부(1c) 중 에리어(1a)가 가까운 것끼리 각각 모아 각 에리어(1a) 근방의 복수 개소에 각각 분산 배치하거나, 혹은 모든 급전부(1c)를 소정 개소에 집중 배치하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 1, these plurality of power feeding portions 1c are disposed in the inner region of the electrostatic chuck functional surface 1 ′ provided with the electrode pattern 1b to face the workpiece W, or shown in FIG. 4. As shown, it arrange | positions in the outer area | region of the electrostatic chuck function surface 1 ', and the area 1a of each of the some electric power supply parts 1c is gathered together, as shown in the example, and is located in several places near each area 1a. It is preferable to disperse | distribute each, or to arrange | position all the power supply parts 1c to a predetermined location.

이와 같이 복수의 급전부(1c)를 모아 배치한 경우에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 서로 접근시켜 대략 평행하게 나열하고, 이들 급전부(1c)의 근방 및 그것에 적층된 상기 유전층(2)에는, 그 급전부(1c)를 따라 대략 평행한 적당 길이의 슬릿(잘린 곳; 1d)를 미리 절결 형성함으로써, 각 슬릿(1d)에 대해서 예를 들면 커터나 가위 등의 칼날(도시하지 않음)을 후공정에서 삽입 가능하게 하고, 그 칼날로 임의의 급전부(1c)만 선택적으로 절단 처리 가능하게 하고 있다.When the plurality of power feeding portions 1c are collected and arranged in this manner, as shown in FIG. 2, the plurality of power feeding portions 1c are arranged in parallel with each other, and in the vicinity of the power feeding portions 1c and the dielectric layer 2 laminated thereon, By slitting the slits (cuts 1d) of a substantially parallel length along the feed portion 1c in advance, a blade (not shown) such as a cutter or scissors is applied to each slit 1d. It inserts in a process, and only the arbitrary feed parts 1c can be selectively cut | disconnected with the blade.

도시예에서는, 대략 평행하게 나열된 급전부(1c) 사이에 복수의 슬릿(잘린 곳; 1d)를 대략 평행하게 절결 형성되어 있다.In the example of illustration, the some slit (cutting place) 1d is cut out in substantially parallel between the power supply parts 1c arranged substantially parallel.

상기 복수의 급전부(1c)의 이면측 및 전극 패턴(1b)의 이면측은, 도 3 또는 도 5에 나타내는 바와 같이 상기 유전층(2) 또는 접착층을 통하여 대좌(3)와 대향하고 있고, 각 급전부(1c)와 대향하는 위치에는 오목부(3b)가 형성되며, 상기 서술한 선택적인 절단 처리로 임의의 급전부(1c)의 절단 부분(1c')이 워크(W)를 향하여 볼록 형상으로 돌출된 형상이 되어도, 워크(W)의 정전 흡착시에 있어서 이 절단 볼록 형상부를 상기 오목부(3b) 내에 들어가게 하는 구조로 함으로써, 워크(W)에 대해 절단 볼록 형상부가 다른 부분에 비해 부분적으로 강하게 압접되지 않게 한다.As shown in FIG. 3 or FIG. 5, the back surface side of the plurality of power feeding portions 1c and the back surface side of the plurality of power feeding portions 1c face the pedestal 3 through the dielectric layer 2 or the adhesive layer. The recessed part 3b is formed in the position which opposes the whole part 1c, The cutting part 1c 'of the arbitrary feeding part 1c is convex toward the workpiece | work W by the selective cutting process mentioned above. Even when it becomes a protruding shape, the cut convex portion is made to enter the concave portion 3b at the time of electrostatic adsorption of the work W, so that the cut convex portion is partially compared to other portions with respect to the work W. Do not press hard.

또한, 상기 대좌(3)가 예를 들면 알루미늄 등의 금속이나 그 이외의 도전재료로 형성되는 경우에는, 절연성 재료로 이루어지는 절연체(4)를 통하여 상기 서술한 절단 처리로 선택적으로 절단된 임의의 급전부(1c)의 절단 부분(1c')을 밀봉 처리함으로써, 고전압이 걸리는 절단 부분(1c')이 노출되는 것을 방지하여 "플라즈마 방전" 이나 "아크 방전" 등의 현상이 발생하지 않게 한다.In addition, when the said base 3 is formed from metals, such as aluminum, and other electrically-conductive material, arbitrary grade cut | disconnected selectively by the above-mentioned cutting process through the insulator 4 which consists of insulating materials. By sealing the cut portions 1c 'of the whole 1c, the cut portions 1c' subjected to the high voltage are prevented from being exposed so that a phenomenon such as "plasma discharge" or "arc discharge" does not occur.

이하, 본 발명의 각 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, each Example of this invention is described based on drawing.

도 1은 본 발명의 정전척 장치의 실시예 1을 나타내는 횡단 정면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a cross sectional front view showing the first embodiment of the electrostatic chuck device of the present invention.

도 2는 도 1의 주요부를 부분 확대한 횡단 정면도이다.FIG. 2 is a transverse front view partially enlarged in the main part of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2의 (3)-(3)선을 따르는 확대 종단 측면도이며, (a)는 정상일 때를 나타내고, (b)는 급전 정지시를 나타내고 있다.FIG. 3 is an enlarged vertical side view along the lines (3)-(3) of FIG. 2, (a) shows a normal state, and (b) shows a power stop time.

도 4는 본 발명의 정전척 장치의 실시예 2를 나타내는 횡단 정면도이다.4 is a transverse front view showing a second embodiment of an electrostatic chuck device of the present invention.

도 5는 주요부를 부분 확대한 종단 측면도이며, (a)는 정상일 때를 나타내고, (b)는 급전 정지시를 나타내고 있다.Fig. 5 is a longitudinal side view of the main portion partially enlarged, where (a) shows a normal state and (b) shows a power stop time.

도 6은 본 발명의 정전척 장치의 실시예 3을 나타내는 부분 확대 종단 측면도이며, 급전 정지시를 나타내고 있다.Fig. 6 is a partially enlarged vertical sectional side view showing the third embodiment of the electrostatic chuck device of the present invention, showing the time of feeding stop.

도 7은 주요부를 부분 확대한 횡단 저면도이다.7 is a cross-sectional bottom view partially enlarged of a main part.

<부호의 설명><Description of the code>

A 정전척 장치 W 워크A Electrostatic Chuck Unit W Work

1 전극 1' 정전척 기능면1 electrode 1 'electrostatic chuck functional surface

1a 에리어 1b 전극 패턴1a area 1b electrode pattern

1c 급전부 1c' 절단 부분1c feed section 1c 'cutout

1d 슬릿 2 유전층1d slit 2 dielectric layer

3 대좌 3a 이면If 3 base 3a

3b 오목부 3c 표면3b recess 3c surface

3d 측면 4 절연체3d side 4 insulator

4a, 4b 블록 4c 체결 부재4a, 4b block 4c fastening member

5 피복재 6 환상 시일재5 cladding material 6 annular sealing material

11 유지판 11a 기판측 표면11 Holding plate 11a Board side surface

실시예 1Example 1

이 실시예 1은, 도 1∼도 3에 나타내는 바와 같이 상기 전극 패턴(1b)이 +극의 전극과 -극의 전극을 가지는 쌍극형의 정전척이며, 이들 +극과 -극의 전극 패턴(1b)를 폴리이미드나 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등의 엔지니어링 플라스틱으 로 이루어지는 유전층(2) 사이에 삽입 밀봉하고, 상기 복수의 급전부(1c)를 정전척 기능면(1')의 내측 영역에 분산 배치함으로써 일체 구조의 정전척 필름이 구성되고, 이 정전척 필름을 금속제의 대좌(3)에 접착하여, 상기 급전부(1c)와 대향하도록 오목부(3b)가 대좌(3)의 표면(3c)에 형성된 경우를 나타내는 것이다.In the first embodiment, as shown in Figs. 1 to 3, the electrode pattern 1b is a bipolar electrostatic chuck having an electrode of a + pole and an electrode of a-pole, and the electrode patterns of these + and-poles ( 1b) is inserted and sealed between the dielectric layers 2 made of engineering plastics such as polyimide and polyether ether ketone (PEEK), and the plurality of feed portions 1c are in the inner region of the electrostatic chuck functional surface 1 '. The electrostatic chuck film of an integral structure is comprised by disperse | distributing to this, and this electrostatic chuck film is adhere | attached on the metal base 3, and the recessed part 3b is the surface of the base 3 so that it may oppose the said power supply part 1c. It shows the case formed in (3c).

도시예에서는, 상기 에리어(1a)가 직사각형 형상으로, 상기 전극 패턴(1b)의 +극과 -극이 동일 평면상에서 서로 끼워 마추도록 빗살 형상으로 각각 형성되어 있으며, 예를 들면 약 500mm×300mm의 에리어(1a)에 한 쌍의 전극 패턴(1b)를 서로 감합하도록 배치하고 있다.In the illustrated example, the area 1a is formed in a rectangular shape, and the + and-poles of the electrode pattern 1b are each formed in a comb-tooth shape so as to sandwich each other on the same plane, for example, about 500 mm x 300 mm. The pair of electrode patterns 1b are arranged in the area 1a so as to fit each other.

또, 도시예 이외의 전극 구조로는, 예를 들면 일본 공개 특허 공보 2005-64105호에 개시되는, 폴리이미드 필름 등의 절연성 재료로 이루어지는 유전층(절연층)을 사이에 두고 그 양면을 따라 제1 전극 패턴과 제2 전극 패턴을 적층하고, 이들 양 전극 패턴의 표면을 폴리이미드 필름 등의 유전층(절연성 박막)으로 피복한 정전척이나 단극형의 정전척을 사용하는 것도 가능하다.Moreover, as an electrode structure other than the example of illustration, 1st along both surfaces through the dielectric layer (insulating layer) which consists of insulating materials, such as a polyimide film, disclosed, for example, in Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-64105. It is also possible to use an electrostatic chuck or a monopolar electrostatic chuck in which an electrode pattern and a second electrode pattern are laminated and the surfaces of these electrode patterns are covered with a dielectric layer (insulating thin film) such as a polyimide film.

또한, 도시예에서는, 일렬로 나열한 3개의 에리어(1a)에 배치된 전극 패턴(1b)의 +극과 -극을 각각 하나의 그룹으로서 모음으로써 급전부(1c)가 구성되어 이들 그룹화된 급전부(1c)를 각 전극 패턴(1b) 사이에 구획 형성된 스페이스에 분산 배치되어 있다.In addition, in the example of illustration, the feed part 1c is comprised by grouping + pole and -pole of the electrode pattern 1b arrange | positioned in the three area | region 1a arranged in a line as a group, respectively, and these grouped feed parts (1c) is distributed and arranged in the space partitioned between each electrode pattern 1b.

다음에, 이러한 정전척 장치(A)의 절단 방법에 대해 설명한다.Next, the cutting method of such an electrostatic chuck apparatus A is demonstrated.

기판 등의 워크(W)의 정전 흡착시에, 예를 들면 유리의 파유리(파편)가 정전척 장치(A)의 정전척 기능면(1')과의 사이에 끼어 드는 등의 이유로, 그 정전척 기 능면(1')의 막면에 상당하는 유전층(2)와 특정 개소의 에리어(1a)에 배치된 전극 패턴(1b)이 부분적으로 파괴되어 고장나면, 이 전극 패턴(1b)에 대응한 에리어(1a)에는 과전류에 의해 다른 정전 흡착 영역도 기능하지 않게 되기 때문에, 이 파괴된 에리어(1a)의 전극 패턴(1b)에 연통하는 급전부(1c)의 절단 처리를 행하여, 그 전극 패턴(1b)에 대한 급전을 부분적으로 정지시킨다.At the time of electrostatic adsorption of the workpieces W, such as a substrate, for example, the cullet (fragment) of glass intersects with the electrostatic chuck functional surface 1 'of the electrostatic chuck device A, etc. If the dielectric layer 2 corresponding to the film surface of the electrostatic chuck functional surface 1 'and the electrode pattern 1b disposed in the area 1a at a specific location are partially broken and fail, the electrode layer 1b corresponding to the electrode pattern 1b In the area 1a, other electrostatic adsorption regions also do not function due to overcurrent, so that the feed section 1c communicating with the electrode pattern 1b of the destroyed area 1a is subjected to a cutting process, and the electrode pattern ( Partially stop the feed to 1b).

자세하게는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 파괴된 에리어(1a)의 급전부(1c)를 사이에 두고 배치되는 2개의 슬릿(1d) 중 어느 한쪽으로부터 다른 쪽을 향해 예를 들면 커터나 가위 등의 칼날을 삽입하면, 목표로 한 급전부(1c)만 선택적으로 간단하게 절단할 수 있다.In detail, as shown in FIG. 2, for example, a cutter, scissors, etc. are directed toward the other from either one of the two slits 1d arrange | positioned through the feed part 1c of the destroyed area 1a. When the blade is inserted, only the target feeder 1c can be selectively cut simply.

이 선택적인 절단 처리를 행한 급전부(1c)의 절단 부분(1c')는, 워크(W)를 향하여 돌출된 형상이 될 우려가 있고, 절단 후의 전선이 노출되어 바깥 공기에 접할 우려가 있기 때문에, 도 3(a)(b)에 나타내는 바와 같이, 이 급전부(1c)의 절단 부분(1c')을 대좌(3)의 오목부(3b)내로 밀어 넣은 후, 절연성 재료로 이루어지는 절연체(4)를 통하여 밀봉 처리하고 있다.Since the cutting part 1c 'of the feed part 1c which performed this selective cutting process may become the shape which protruded toward the workpiece | work W, since the electric wire after cutting may be exposed and it may contact external air. 3 (a) and 3 (b), the insulator 4 made of an insulating material after pushing the cut portion 1c 'of the power feeding portion 1c into the recessed portion 3b of the pedestal 3 is shown. Sealing process).

이 밀봉 예로는, 이 오목부(3b)의 내저면에 절연체(4)를 적층하고, 이 절연체(4) 위에서, 절단 처리된 급전부(1c)의 절단 부분(1c')을 절연성 접착제 등의 피복재(5)에 의해 몰드 처리하여 밀봉 고정하면, 간단하게 밀봉 처리할 수 있다.In this sealing example, the insulator 4 is laminated on the inner bottom surface of the recess 3b, and the cut portion 1c 'of the cut feeder 1c on the insulator 4 is made of an insulating adhesive or the like. When it mold-processes and seals and seals with the coating | covering material 5, it can seal easily.

또한, 이 선택적인 절단 처리를 행하는 동시에 또는 그 전후에, 끼어 들어간 파유리를 없애고 파괴된 유전층(2)의 표면을 연마하여 평탄화하면, 그 후의 계속 사용이 가능해진다.At the same time as before or after the selective cutting treatment, the surface of the broken dielectric layer 2 is polished and planarized by removing the culled glass and allowing subsequent use thereof.

이와 같은 선택적인 절단 처리에 의해, 파괴된 에리어(1a) 내의 전극 패턴(1b)는 정전척으로서 기능하지 않지만, 그 이외의 에리어(1a)의 전극 패턴(1b)은 정전척으로서 기능하기 때문에 그 이후도 계속해서 사용 가능하므로, 작업으로서 간단한 절단 처리로 단시간에 워크(W)를 흡착 가능하게 복귀시킬 수 있다.By this selective cutting process, the electrode pattern 1b in the destroyed area 1a does not function as an electrostatic chuck, but since the electrode pattern 1b of the other area 1a functions as an electrostatic chuck, Since it can continue to use after that, the workpiece | work W can be returned to be able to adsorb | suck in a short time by a simple cutting process as a work.

이 때, 에리어(1a)의 분할수를 늘림으로써, 일부가 파손 등으로 고장났을 때 정전 흡착을 기능시키지 않는 영역을 줄일 수 있지만, 동일층내에서 쌍극의 전극 패턴의 경우에는, 전극 패턴(1b)로부터 급전부(1c)로 배선시키기 위한 배선 스페이스 및 급전부(1c)를 확보하기 위한 스페이스가 필요하게 되므로, 에리어(1a)의 분할수를 많게 하면, 정전척 기능면(1')의 영역에 대해, 원래 정전척으로서의 기능하지 않는 전극 패턴(1b)로부터 급전부(1c)로 배선 스페이스와 급전부(1c)의 점유 스페이스의 비율도 증가하기 때문에, 흡착 영역의 유효 면적이 감소한다.At this time, by increasing the number of divisions of the area 1a, it is possible to reduce the area where electrostatic adsorption does not function when a part is broken or the like, but in the case of a bipolar electrode pattern in the same layer, the electrode pattern 1b Since a wiring space for wiring from the power supply unit 1c to a power supply unit 1c and a space for securing the power supply unit 1c are required, increasing the number of divisions of the area 1a increases the area of the electrostatic chuck functional surface 1 '. On the other hand, since the ratio of the wiring space and the space occupied by the power feeding portion 1c to the power feeding portion 1c from the electrode pattern 1b, which does not function as an electrostatic chuck, also increases, the effective area of the adsorption region decreases.

그것에 의해 정전 흡착 기능이 저하되므로, 최적인 분할수가 요구된다.As a result, the electrostatic adsorption function is lowered, so an optimum number of division is required.

또한, 동일층 내에서 단일 전위밖에 걸리지 않는 단극 구조나 쌍극으로 각 층을 각각의 층으로 나눈 것에서는, 전극 패턴(1b)로부터 급전부(1c)에 대한 배선 스페이스도 정전 흡착에 유효한 스페이스로서 이용할 수 있으므로, 흡착의 유효 면적을 줄이는 일 없이 분할하는 것이 가능하다.In addition, in the case of dividing each layer into individual layers by a single-pole structure or a dipole having only a single potential in the same layer, the wiring space from the electrode pattern 1b to the power feeding portion 1c can also be used as an effective space for electrostatic adsorption. Therefore, it is possible to divide without reducing the effective area of adsorption.

또, 미리 슬릿(1d)를 유전층(2)에 걸쳐서 넣었기 때문에, 선택적인 절단 처리에 의한 절단단으로부터의 균열이 다른 급전부(1c)나 에리어(1a)의 유전층(2)으로 확산되는 2차 피해를 방지하는 역할도 한다.In addition, since the slit 1d has been inserted over the dielectric layer 2 in advance, the cracks from the cut end by the selective cutting process are diffused into the dielectric layer 2 of the other feeding part 1c or the area 1a. It also serves to prevent car damage.

또한, 도시예에서는, 이 오목부(3b)의 절연체(4)상에 몰드 처리된 절연성 접 착제 등의 피복재(5)와 함께, 파괴된 정전척 필름을 폐기하여 새로운 정전척 필름으로 교환하면, 대좌(3)는 재이용 가능하게 되어, 대좌(3)을 포함한 정전척 장치(A) 전체를 교환하는 것에 비해 코스트를 저감시킬 수 있다.In addition, in the example of illustration, when the destroyed electrostatic chuck film is discarded and replaced with a new electrostatic chuck film together with the coating material 5, such as an insulating adhesive molded on the insulator 4 of this recessed part 3b, The pedestal 3 can be reused, and the cost can be reduced as compared with replacing the entire electrostatic chuck device A including the pedestal 3.

실시예 2Example 2

이 실시예 2는, 도 4∼도 5에 나타내는 바와 같이 상기 복수의 급전부(1c)를, 워크(W)와 대향하여 전극 패턴(1b)이 마련된 정전척 기능면(1')의 외측 영역에 분산 배치함으로써, 굴곡 가능한 일체 구조의 정전척 필름이 구성되고, 이들 외측으로 돌출하는 급전부(1c)를 대좌(3)의 측면(3d)을 따라 절곡 접착 고정하거나 혹은 그 대좌(3)의 이면(3a)까지 닿도록 절곡 접착 고정하며, 이들 대좌(3)의 측면(3d) 또는 이면(3a)에 오목부(3b)를 형성하여 절단된 급전부(1c)의 절단 부분(1c')을 밀봉 처리한 구성이 상기 도 1∼도 3에 나타낸 실시예 1과는 다르고, 그 이외의 구성은 도 1∼도 3에 나타낸 실시예 1과 같은 것이다.In the second embodiment, as shown in Figs. 4 to 5, the plurality of power supply portions 1c face the workpiece W, and the outer region of the electrostatic chuck functional surface 1 'provided with the electrode pattern 1b. By disperse | distributing to the structure, the electrostatic chuck film of the structure which can be bent is comprised, and the feed part 1c which protrudes outward is bend | bonded and fixed along the side surface 3d of the pedestal 3, or of the pedestal 3 The cut-out part 1c 'of the feed part 1c cut | disconnected by bending and fixing so that it may reach to the back surface 3a, and cut | disconnected by forming the recessed part 3b in the side surface 3d or back surface 3a of these pedestals 3a. The structure which carried out the sealing process is different from Example 1 shown in FIGS. 1-3, and the other structure is the same as Example 1 shown in FIGS.

따라서, 도 4∼도 5에 나타낸 실시예 2는, 상기 서술한 실시예 1과 동일한 작용 효과가 얻어지며, 추가로 전극 패턴(1b)로부터 급전부(1c)로 배선하기 위한 배선 스페이스를 확보할 필요가 있는 것에 변화는 없지만, 급전부(1c)를 확보하기 위한 스페이스가 필요 없기 때문에, 에리어(1a)의 분할수를 많게 해도 정전척 기능면(1')의 영역에 대해 원래 정전척으로서 기능하지 않는 전극 패턴(1b)로부터 급전부(1c)로 배선 스페이스만 증가할 뿐이므로, 흡착 영역의 유효 면적이 실시예 1보다 넓게 확보된다.Therefore, in Example 2 shown to FIG. 4 thru | or 5, the same effect as Example 1 mentioned above is acquired, and the wiring space for wiring from the electrode pattern 1b to the feed part 1c is further secured. Although there is no change in what is necessary, since there is no need for a space for securing the power supply section 1c, even if the number of divisions of the area 1a is increased, it functions as an original electrostatic chuck for the area of the electrostatic chuck functional surface 1 '. Since only the wiring space is increased from the non-electrode pattern 1b to the feed section 1c, the effective area of the adsorption region is ensured to be wider than that of the first embodiment.

그 결과, 에리어(1a)의 분할수를 늘려 정전 흡착 기능시키지 않는 영역을 줄 일 때에, 상기 도 1∼도 3에 나타낸 실시예 1보다 최적인 분할수가 요구되지 않아 대응이 용이함과 함께, 정전 흡착 기능을 비교적 저하시키지 않고 급전부(1c)의 점유 스페이스를 확보할 수 있다는 이점이 있다.As a result, when the number of divisions of the area 1a is increased to reduce the area in which the electrostatic adsorption function is not reduced, the optimum number of divisions than the first embodiment shown in Figs. 1 to 3 is not required. There is an advantage that the space occupied by the power supply unit 1c can be secured without relatively degrading the function.

또, 실시예 2의 정전척 장치(A)가, 워크(W)로서 액정 디스플레이 패널 등의 유리 기판을 정전 흡착해 가압하여 접합하는 기판 접합기에 설치된 경우에는, 대좌(3)의 표면(3c)에 오목부(3b)가 형성되지 않기 때문에, 유리 기판을 접합할 때에 전혀 가압 얼룩이 생길 가능성이 없다는 이점이 있다.Moreover, when the electrostatic chuck apparatus A of Example 2 is installed in the board | substrate bonding machine which electrostatically attracts, pressurizes, and bonds glass substrates, such as a liquid crystal display panel, as a workpiece | work W, the surface 3c of the base 3 Since the recessed part 3b is not formed in this, there exists an advantage that a pressurized stain does not arise at all when bonding a glass substrate.

실시예 3Example 3

이 실시예 3은, 도 6∼도 7에 나타내는 바와 같이 상기 복수의 급전부(1c)가 정전척 기능면(1')의 외측 영역에 분산 배치된 굴곡 가능한 정전척 필름을, 이들 급전부(1c)가 대좌(3)의 측면(3d) 또는 이면(3a)를 따라 절곡 접착 고정하고, 이들 측면(3d) 또는 이면(3a)에 상기 급전부(1c)와 대향하여 형성된 오목부(3b)를, 개폐가 자유로운 밀봉 구조로 하여 그 내부에, 절단된 급전부(1c)의 절단 부분(1c')을 넣음으로써 밀봉 처리한 구성이, 상기 도 1∼도 3에 나타낸 실시예 1 및 도 4∼도 5에 나타낸 실시예 2와는 다르며, 그 이외의 구성은 도 1∼도 3에 나타낸 실시예 1 및 도 4∼도 5에 나타낸 실시예 2와 동일한 것이다.6 to 7, the flexible electrostatic chuck film in which the plurality of power feeding portions 1c are disposed in an outer region of the electrostatic chuck functional surface 1 ′ is provided with these feeding portions ( 1c is bent and fixed along side 3d or back 3a of pedestal 3, and recesses 3b formed on these side 3d or back 3a opposite the feeder 1c. Is a sealing structure that can be opened and closed freely, and the structure in which the sealing treatment is performed by inserting the cut portion 1c 'of the cut feeder 1c therein is shown in Examples 1 and 4 shown in FIGS. It differs from Example 2 shown in FIG. 5, and the structure of that other than that is the same as Example 1 shown in FIGS. 1-3 and Example 2 shown in FIGS.

도시예에서는, 대좌(3)이 금속제이며, 그 오목부(3b) 내에 상기 절연성 재료로 이루어지는 절연체(4)로서 개폐가 자유로운 블록(4a, 4b)를 배치하고, 이들 블록(4a, 4b)내에 절단된 급전부(1c)의 절단 부분(1c')를 넣어, 그것을 둘러싸도록 예를 들면 O링 등의 환상 시일재(6)로 밀봉 고정하고 있다.In the example of illustration, the base 3 is made of metal, and the block 4a, 4b which can be opened and closed freely as the insulator 4 which consists of the said insulating material in the recessed part 3b is provided, and in these blocks 4a, 4b. The cut | disconnected part 1c 'of the cut power supply part 1c is put, and it seals and fixes with annular sealing materials 6, such as an O-ring, so that it may surround it.

또한, 상기 급전부(1c)를 사이에 두고 그 양측과 블록(4a, 4b) 사이에 O링 등의 환상 시일재(6)을 하나씩 배치하고 있지만, 실험에 의하면, 어느 한쪽의 환상 시일재(6)만으로도 밀봉할 수 있었다.In addition, although the annular sealing material 6, such as an O-ring, is arrange | positioned one by one between the both sides and the blocks 4a and 4b with the said feed part 1c in between, According to experiment, either annular sealing material ( 6) could be sealed alone.

또, 블록(4a, 4b)은 도시한 형상에 한정되지 않으며, 다른 형상으로 변경하는 것도 가능하고, 이들 블록(4a, 4b)을 나사 등의 체결 부재(4c)로 착탈이 자유롭게 연결했지만, 다른 종류로 연결하는 것도 가능하다.In addition, the blocks 4a and 4b are not limited to the illustrated shapes, and the blocks 4a and 4b can be changed to other shapes, and the blocks 4a and 4b are freely attached or detached by fastening members 4c such as screws. It is also possible to connect by type.

따라서, 도 6∼도 7에 나타낸 실시예 3은, 상기 서술한 실시예 1 및 실시예 2와 동일한 작용 효과가 얻어지며, 또한 더하여 실시예 1이나 실시예 2에서 나타낸 절연성 접착제 등의 피복재(5)에 의한 급전부(1c)의 절단 부분(1c')의 몰드 처리에 비해 간편하고 확실한 밀봉 처리를 단시간에 행할 수 있고 밀봉 부재의 재사용이 가능하다는 이점이 있다.Therefore, in Example 3 shown in FIGS. 6-7, the same effect as Example 1 and Example 2 mentioned above is acquired, and also the coating | covering material (5), such as insulating adhesive shown in Example 1 or Example 2, Compared to the mold treatment of the cutout portion 1c 'of the feeder portion 1c by), a simple and reliable sealing treatment can be performed in a short time and the sealing member can be reused.

또한, 본 발명의 정전척 장치가 기판 접합기에 설치되는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 이 기판 접합기 이외의 기판 조립 장치나, 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 설치하거나 LCD 패널용 유리 기판 이외의 기판을 정전 흡착하여 유지해도 된다.Moreover, although the case where the electrostatic chuck apparatus of this invention was installed in the board | substrate bonding machine was shown, it is not limited to this, It is provided in board | substrate assembly apparatuses other than this board | substrate bonding apparatus, and the board | substrate conveying apparatus which conveys a board | substrate, or is a glass substrate for LCD panels. Other substrates may be electrostatically attracted and held.

또, 워크(W)로서 상하 한 쌍의 기판을 진공중에서 접합하는 기판 접합기를 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 대기중에서 상하 한 쌍의 기판을 접합하는 기판 접합기여도 되고, 이 경우에도 상기 서술한 진공 접합기와 동일한 작용 효과가 얻어진다.Moreover, although the board | substrate bonding machine which bonds a pair of upper and lower board | substrates in vacuum as the workpiece | work W was demonstrated, it is not limited to this, The board | substrate bonding machine which bonds a pair of upper and lower board | substrate in air | atmosphere may be sufficient, and also in this case, The same effect as the vacuum adapter is obtained.

또한, 앞에 나타낸 실시예에서는, 상기 에리어(1a)가 직사각형 형상인 경우 를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 부채형 형상이나 동심원 형상 등 도시예 이외의 형상이어도 된다. 이 경우에도 앞에 나타낸 실시예 1 및 실시예 2와 동일한 작용 효과가 얻어진다.In addition, although the case where the said area | region 1a is rectangular shape was shown in the Example shown previously, it is not limited to this, Shapes other than an illustration example, such as fan shape and concentric shape, may be sufficient. In this case as well, the same operation and effect as in Example 1 and Example 2 described above can be obtained.

또, 복수의 급전부(1c) 또는 모든 급전부(1c)를 모아 배치하는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않으며, 모든 급전부(1c)를 각각 적당한 개소에 분산시켜 배치하는 것도 가능하다.Moreover, although the case where the some electric power feeding part 1c or all the electric power feeding part 1c was gathered and arrange | positioned was shown, it is not limited to this, It is also possible to disperse and arrange | position all the electric power feeding parts 1c in a suitable location, respectively.

또 추가로, 상기 전극 패턴(1b)를 폴리이미드나 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등의 절연성 유기 재료로 이루어지는 유전층(2)의 사이에 삽입 밀봉한 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 전극 패턴(1b)의 워크측 표면에만 유기 재료로 이루어지는 유전층(2)를 적층하고 이면측에는 무기 재료로 이루어지는 유전층(2)를 적층하거나, 그 이외의 절연성 유기 재료나 또는 다른 재질로 이루어지는 절연층을 적층하거나, 또 전극 패턴(1b)의 워크측 표면에도 무기 재료로 이루어지는 유전층(2)를 적층해도 된다.Moreover, although the case where the said electrode pattern 1b was inserted and sealed between the dielectric layers 2 which consist of insulating organic materials, such as a polyimide and polyether ether ketone (PEEK), was shown, it is not limited to this, It is an electrode The dielectric layer 2 made of an organic material is laminated only on the work side surface of the pattern 1b, and the dielectric layer 2 made of an inorganic material is laminated on the back side, or an insulating layer made of other insulating organic materials or other materials is laminated. Alternatively, the dielectric layer 2 made of an inorganic material may be laminated on the work side surface of the electrode pattern 1b.

Claims (6)

워크(W)와 대향하여 면 형상으로 배치된 전극(1)에 전압을 인가함으로써 워크(W)를 정전 흡착하는 정전척 장치에 있어서,In the electrostatic chuck device that electrostatically attracts the workpiece (W) by applying a voltage to the electrode (1) arranged in a plane shape facing the workpiece (W), 상기 전극(1)을 워크(W)와 평행한 평면내에서 복수의 에리어(1a)로 분할하고, 이들 에리어(1a)마다 독립된 전극 패턴(1b)를 각각 마련하고 각 전극 패턴(1b)에 대한 급전부(1c)를 에리어(1a)마다 각각 마련하고, 임의의 급전부(1c)를 절단하여 임의의 에리어에 배치된 전극 패턴(1b)에 대한 급전을 부분적으로 정지시킨 것을 특징으로 하는 정전척 장치.The electrode 1 is divided into a plurality of areas 1a in a plane parallel to the work W, and an independent electrode pattern 1b is provided for each of these areas 1a, and the respective electrode patterns 1b are The electrostatic chuck characterized in that the power feeding portion 1c is provided for each area 1a, and the arbitrary feeding portions 1c are cut to partially stop the feeding of the electrode pattern 1b disposed in the arbitrary area. Device. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 복수의 급전부(1c)를 서로 접근시켜 나열함과 함께, 이들 급전부(1c)의 근방에 슬릿(1d)를 그 급전부(1c)를 따라 형성한 정전척 장치.An electrostatic chuck device in which the plurality of power feeding portions (1c) are arranged close to each other, and a slit (1d) is formed along the power feeding portion (1c) in the vicinity of these power feeding portions (1c). 제 1항 또는 제 2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 복수의 급전부(1c)를, 워크(W)와 대향하여 전극 패턴(1b)이 마련된 정전척 기능면(1')의 외측 영역에 배치한 정전척 장치.The electrostatic chuck apparatus which arrange | positioned the said some electric power feeding part (1c) in the outer region of the electrostatic chuck functional surface (1 ') provided with the electrode pattern (1b) facing the workpiece | work (W). 제 1항, 제 2항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1, 2 or 3, 상기 급전부(1c)와 대향하는 대좌(3)에 오목부(3b)를 형성한 정전척 장치.The electrostatic chuck apparatus in which the recessed part 3b was formed in the base 3 which opposes the said power supply part 1c. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 급전부(1c)의 선택적인 절단 부분(1c')을 대좌(3)의 오목부(3b) 내에서 밀봉한 정전척 장치.An electrostatic chuck device in which an optional cut portion (1c ') of the feed portion (1c) is sealed in a recess (3b) of a pedestal (3). 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 급전부(1c)의 선택적인 절단 부분(1c')을 둘러싸도록 환상 시일재(6)를 배치하여 밀봉한 정전척 장치.An electrostatic chuck device in which an annular seal member (6) is disposed and sealed to surround an optional cut portion (1c ') of the feed section (1c).
KR1020077026621A 2005-04-28 2005-04-28 Electrostatic chuck apparatus KR100940549B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2005/008227 WO2006117871A1 (en) 2005-04-28 2005-04-28 Electrostatic chuck apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080009285A true KR20080009285A (en) 2008-01-28
KR100940549B1 KR100940549B1 (en) 2010-02-10

Family

ID=37307678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077026621A KR100940549B1 (en) 2005-04-28 2005-04-28 Electrostatic chuck apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP3995706B2 (en)
KR (1) KR100940549B1 (en)
CN (1) CN100481369C (en)
TW (1) TWI381479B (en)
WO (1) WO2006117871A1 (en)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9051636B2 (en) 2011-12-16 2015-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus
US9234270B2 (en) 2011-05-11 2016-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4976915B2 (en) 2007-05-08 2012-07-18 新光電気工業株式会社 Electrostatic chuck and method of manufacturing electrostatic chuck
JP5283707B2 (en) * 2008-10-20 2013-09-04 株式会社クリエイティブ テクノロジー Electrostatic chuck inspection method and electrostatic chuck apparatus
KR102155584B1 (en) * 2018-06-25 2020-09-14 (주) 엔피홀딩스 preventing diffused reflection type electro static chuck of laminating apparatus and laminating apparatus
KR102155583B1 (en) * 2018-06-25 2020-09-14 (주) 엔피홀딩스 Back electrodes type electro static chuck of laminating apparatus, its manufacturing method and laminating apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291562A (en) * 1992-04-09 1993-11-05 Toshiba Corp Electrostatic chuck device
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
JP4493251B2 (en) * 2001-12-04 2010-06-30 Toto株式会社 Electrostatic chuck module and substrate processing apparatus
KR100511854B1 (en) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 Electrostatic chuck device
CN100345274C (en) * 2003-02-27 2007-10-24 株式会社日立高新技术 Method of producing electrostatic suction cup
JP5004436B2 (en) * 2005-05-23 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 Electrostatic adsorption electrode and processing device

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US9234270B2 (en) 2011-05-11 2016-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9777364B2 (en) 2011-07-04 2017-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9051636B2 (en) 2011-12-16 2015-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US10431779B2 (en) 2012-07-10 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP3995706B2 (en) 2007-10-24
WO2006117871A1 (en) 2006-11-09
KR100940549B1 (en) 2010-02-10
TW200644148A (en) 2006-12-16
JPWO2006117871A1 (en) 2008-12-18
CN100481369C (en) 2009-04-22
TWI381479B (en) 2013-01-01
CN101167174A (en) 2008-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100940549B1 (en) Electrostatic chuck apparatus
CN100499073C (en) Manufacturing method for semiconductor chips
KR100994299B1 (en) Electrode sheet for electrostatic chuck, and electrostatic chuck
TWI423378B (en) Electrostatic chuck
JP4131853B2 (en) Display device manufacturing method and manufacturing apparatus
EP1491309B1 (en) Parting method for fragile material substrate and parting device using the method
KR100573207B1 (en) Method of scribing-breaking brittle sheets and breaking equipment therefor, scribing-breaking apparatus and scribing-breaking system
KR20070009523A (en) Work neutralizing method and apparatus thereof
CN100505211C (en) Semiconductor chip and wafer production method
KR102176064B1 (en) Electrostatic chuck mnufacturing method the electrostatic chuck
CN110248903B (en) Method for manufacturing plate-shaped glass and device for breaking plate-shaped glass
TW201502095A (en) Dicing device for laminated substrate
CN104552629A (en) Breaking apparatus and dividing method
KR20070098566A (en) Electrostatic chuck
EP1023630A1 (en) Improvements in or relating to liquid crystal displays
KR20150044374A (en) Spring supportplate, fracture device and dividing method
KR20190010445A (en) Method of manufacturing electrostatic chuck plate
TW201836795A (en) Breaking device and breaking method of resin sheet to prevent the resin sheet from being attached to a breaking bar when the resin sheet is broken by using the breaking bar
WO2012026421A1 (en) Electrostatic chuck apparatus and method for manufacturing same
JP4140053B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2008022033A (en) Hybrid integrated circuit device
WO2004114393A1 (en) Board laminating device
KR20150146065A (en) Manufacturing method of ceramic elctro-static chuck using printing
JP2001235733A (en) Method for cutting liquid crystal display panel
US10978347B2 (en) Device chip and method of manufacturing device chip

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140107

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee