KR20080006415A - 광자밴드갭 구조의 안테나 - Google Patents

광자밴드갭 구조의 안테나 Download PDF

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KR20080006415A KR1020060065603A KR20060065603A KR20080006415A KR 20080006415 A KR20080006415 A KR 20080006415A KR 1020060065603 A KR1020060065603 A KR 1020060065603A KR 20060065603 A KR20060065603 A KR 20060065603A KR 20080006415 A KR20080006415 A KR 20080006415A
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Abstract

본 발명은 RF통신모듈에 사용되는 안테나 구조에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나는 방사소자가 실장된 금속층; 상기 금속층의 외곽부에 수직하게 고정되는 다수개의 도전핀; 및 상기 도전핀 위에 올려져 지지되고 상기 금속층 아래면으로 회절되는 전파를 차폐시키는 전파차폐판을 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나는 상기 전파차폐판의 폭, 상기 도전핀 사이의 간격 및 상기 도전핀의 높이 중 하나 이상의 변수에 의하여 상기 차폐되는 전파의 주파수 대역이 결정된다.
본 발명에 의하면, 전/후방비와 격리도가 개선됨으로써 안테나 효율이 좋아지고, 보다 적은 전력으로도 신호를 안정적으로 송수신할 수 있는 안테나를 제공할 수 있게 된다. 또한, 광자밴드갭 구조의 폭, 간격, 높이 등과 같은 변수를 조합함으로써 차단하고자 하는 전파의 주파수 대역을 용이하게 선택할 수 있으며, 단순한 공정으로도 광자밴드갭 구조를 형성할 수 있으므로 최소한의 비용과 시간으로 고성능의 안테나를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

광자밴드갭 구조의 안테나{Antenna being in structure of photonic band gap}
도 1은 일반적인 안테나 형태 및 방사 패턴을 도시한 도면.
도 2는 일반적인 안테나에 사용되는 광자밴드갭 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나 형태를 도시한 분해사시도 및 전파의 방사 패턴을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나 상에서 특정 주파수의 전파가 차단되는 형태를 시뮬레이션한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나 상에서 차단되는 특정 주파수 대역을 비교도시한 그래프.
도 6은 완전도체 구조물을 이용하여 구현된 안테나 형태를 도시한 사시도.
도 7은 종래 안테나의 형태를 도시한 도면, 차단 주파수 대역의 그래프 및 방사 패턴을 측정한 그래프.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나의 형태를 도시한 도면, 차단 주파수 대역의 그래프 및 방사 패턴을 측정한 그래프.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나
110: 금속층 112: 방사소자
114: 도전핀 116: 전파차폐판
120: 유전체층 140: 그라운드층
142: 급전라인
본 발명은 RF통신모듈에 사용되는 안테나 구조에 관한 것이다.
현재, 널리 사용되고 있는 휴대폰, 스마트폰, PDA(Personal Digital Assistant), RFID(Radio Frequency IDentification) 장치와 같은 이동통신단말기에는 각종 전자소자가 내장되어 기능되고, 이들 전자소자는 PCB(Printed Circuit Board)상에서 집적모듈을 이루어 구성되는 것이 일반적이다.
이러한 통신모듈에는 송수신된 신호를 전기적인 신호 및 대기중의 신호로 상호 변환시켜주는 안테나가 반드시 필요로 된다.
즉, 안테나는 전압/전류로 표현되는 전기적 신호 및 전기장/자기장으로 표현되는 전자기파를 상호 변환해주는 장치로서, 안테나 외부의 전자기장의 변화와 안테나 내부의 도선상의 전기적 신호를 상호 연동시키게 된다.
이러한 안테나의 종류는 매우 다양한데, 가령 다이폴(dipole) 안테나, 모노폴(monopole) 안테나, 마이크로스트립(microstrip) 안테나("패치(patch) 안테나" 라고도 함), 혼(horn) 안테나, 파라볼릭(parabolic) 안테나, 헬리컬(helical) 안테 나, 슬롯(slot) 안테나 등을 그 예로 들 수 있다.
특히, LTCC(Low temperature co-fired ceramic) 기판과 같이 다층구조를 가지는 통신모듈의 경우에는 기판인쇄형 안테나(printed antenna)가 많이 사용되는데, 상기 기판인쇄형 안테나는 크게 공진형 안테나(resonator type antenna)와 진행파형 안테나(traveling wave antenna)로 구분된다.
도 1은 일반적인 안테나(10)의 형태 및 방사 패턴을 도시한 도면이고, 도 2는 일반적인 안테나에 사용되는 광자밴드갭 구조(24)를 도시한 도면이다.
도 1에 의하면, 일반적인 기판인쇄형 안테나(10)의 단순화된 형태가 도시되어 있는데, 기판층(보통, 금속박막층, 유전체층, 접지층의 적층 구조를 이룬다)(12) 위로 방사소자(Radiator)(14)가 형성된다.
상기 기판층(12)의 내부로는 급전 라인(Feeding Line)과 급전 슬롯이 형성되어(도시되지 않음) 전류가 공급되고, 전류는 전자계 에너지를 형성하여 방사소자(14)로 전류를 여기시킨다.
전류가 여기되면 방사소자(14)는 여진되어 외부로 전자기파를 방사시킨다.
이때, 상기 방사소자(14)의 종류에 따라 방사되는 전자기파의 방향이 달라지는데, 가령 방사소자(14)가 패치 형태로 구비되면 안테나의 상측, 즉 공간좌표 상의 z축 방향으로 주(main)방사가 이루어진다.
또한, 상기 방사소자(14)가 테이퍼드 슬롯 형태로 구비되면 슬롯이 개방된 측면으로, 즉 공간좌표상의 x축 또는 y측에 해당하는 한 면으로 주방사가 이루어진다.
그리고, 상기 방사소자(14)가 다이폴 형태인 경우, 두 개의 서로 다른 극을 가지는 도전체가 해당 주파수 대역의 1/2 길이로 형성되어 전방향 방사가 가능해진다.
그러나, 이러한 안테나들은, 기판 끝단의 전파 회절 현상에 의하여 전자기파가 기판층의 뒷면으로도 방사된다.
도 1을 참조하면, 안테나는 메인 로브(Lobe)(B1), 양측의 사이드 로브(B2), 후방의 백 로브(B3) 등의 방사 패턴을 가지는데, 회절 현상에 의한 백 로브(B3)도 큰 수치로 측정됨을 알 수 있다.
통신 모듈에 사용되는 안테나는 다음과 같은 요건들을 갖추어야 고품질의 통신을 제공할 수 있는데, 그 요건으로는 첫째, 적정 수준 이상의 강도를 가지는 신호를 수신할 수 있어야 하고, 둘째, 적정 수준 이상의 신호 대 잡음비를 가져야 한다. 셋째로는 반사파 등으로 인하여 발생되는 다중경로 송수신환경에 대응할 수 있어야 하고, 넷째, 전후방비(Front/Back ratio)와 로브간 격리도가 좋아야 한다.
특히, 네번째 요건은 안테나의 성능을 판단하는 중요한 파라미터로서, 백로브의 발생을 최대한 억제시키는 것은 전후방비와 격리도를 개선시킬 수 있게 한다.
패치 안테나의 경우, 도 2에 도시된 것처럼 기판(22) 상의 패치(24)간 격리도를 향상시키기 위하여, 광자밴드갭(PBG) 구조(26)가 이용되기도 하는데, 종래의 광자밴드갭 구조(26)는 패치 사이의 전파 간섭을 억제하는 것이 주된 목적으로서 백로브가 발생되는 것을 막는 효과는 현저히 떨어진다.
또한, 종래의 광자밴드갭 구조는 배열이 복잡하고 갭 사이즈가 크며 전파 차 폐 효과가 좋지 못한 단점이 있다. 그리고, 종래의 광자밴드갭 구조는 공정 상 제작이 어려우며, 소자마다 일정한 간격을 확보해야 하므로 안테나의 크기를 최소화하는데 한계가 있다.
본 발명은 백로브 현상을 억제함으로써 전/후방비와 격리도가 개선되는 안테나를 제공한다.
또한, 본 발명은 백로브 현상을 억제함에 있어서, 제작이 쉽고 작은 사이즈로 구현가능하면서도 전파 차폐효과가 우수한 광자밴드갭 구조의 안테나를 제공한다.
본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나는 방사소자가 실장된 금속층; 상기 금속층의 외곽부에 수직하게 고정되는 다수개의 도전핀; 및 상기 도전핀 위에 올려져 지지되고 상기 금속층 아래면으로 회절되는 전파를 차폐시키는 전파차폐판을 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나는 상기 전파차폐판의 폭, 상기 도전핀 사이의 간격 및 상기 도전핀의 높이 중 하나 이상의 변수에 의하여 상기 차폐되는 전파의 주파수 대역이 결정된다.
또한, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나에 구비되는 상기 도전핀 및 상기 전파차폐판은 상기 방사소자의 메인 로브(Lobe)의 양측으로 상호 대향하게 배치된다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나(100) 형태를 도시한 분해사시도 및 전파의 방사 패턴을 도시한 도면이다.
도 3에 의하면, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나(100)는 접지층(140), 유전체층(120), 금속층(110), 광자밴드갭소자(114, 116) 및 방사소자(112)를 포함하여 이루어지는데, 본 발명에 의한 광자밴드갭소자(114, 116)는 백로브의 방사 패턴을 차폐시키기 위한 것으로서 다양한 종류의 안테나에 구비될 수 있다.
가령, 본 발명에 의한 광자밴드갭 구조는 다이폴 안테나, 모노폴 안테나, 마이크로스트립 안테나, 패치 안테나, 혼 안테나, 파라볼릭 안테나, 헬리컬 안테나, 슬롯 안테나 등에 응용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 방사소자(112)는 ±45°이중편파 방사소자로 구비되는 것으로 한다.
상기 접지층(140)은 어느 한 측단으로부터 중앙부까지 급전 선로(142)가 형성되며, 상기 급전 선로(142)는 전류가 공급되면 전자계를 형성하여 에너지를 방출한다.
일반적으로, 안테나(100)의 최전방에 위치되는 금속층(110)으로부터 신호를 송신하거나 수신하기 위한 방식으로는 급전 선로(142)가 통전로를 통하여 연결되어 전류를 직접 제공하는 직접급전 방식 및 급전 선로(142)가 전자계를 형성하여 전자 계 에너지를 전달하는 간접급전 방식이 있는데, 본 발명에 의한 안테나(100)는 상기 직접급전 방식을 이용한다.
상기 금속층(110)은 금속 재질로 이루어지며, 가령 구리와 같은 금속재질이 사용될 수 있다.
상기 유전체층(120)은 접지층(140)과 금속층(110)을 절연시키며, 접지층(140)의 급전 선로(142)는 유전체층(120)의 비아홀(도시되지 않음)을 거쳐 금속층(110)의 방사소자(112)와 전기적으로 연결된다.
상기 광자밴드갭소자(114, 116)는 금속층(110) 상면에 직선으로 배열된 다수개의 도전핀(114)과 도전핀(114) 위에 고정되는 전파차폐판(116)으로 이루어지는데, 도전핀(114)들은 동일한 높이를 가지고, 일정한 간격으로 배열된다.
상기 도전핀(114)은 상기 금속층(110)의 외곽부에 수직하게 고정되며, 상기 전파차폐판(116)은 도전핀(114) 위에 올려져 지지되고 상기 금속층(110) 아래면으로 회절되는 전파를 차폐시킨다.
상기 도전핀(114)과 전파차폐판(116)은 금속층(110)과 동일하게 도전체로 형성된다.
우선, "광자밴드갭 현상"에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
광자밴드갭(Photonic Band Gap; PBG) 이론은 반도체 기술 중 전자의 움직임을 제어하는 기술을 이용한 것으로서, 전도띠 (conduction band)와 원자가띠(valance band)사이에 존재하는 전자 밴드갭(electronic band gap)에 의하여 물질을 구성하는 원자나 분자들의 규칙적인 배열에 의한 포텐셜이 형성된다.
즉, 전자파에 대하여 포텐셜로 작용하는 유전체를 주기적으로 배열하면 전자밴드갭 개념과 마찬가지로 전자파에 대한 밴드갭이 형성되고, 이는 특정한 파장을 가진 전자기파를 선택적으로 통과시키거나 혹은 진행을 막을 수 있음을 의미한다.
3차원의 주기적인 어레이 배열에서 전자기파에 대한 맥스웰 방정식은 다음과 같다.
▽× [1/ε(r) ×▽×H(r)] = W2/C2×H(r)
상기 수학식1에서 광자결정 단위격자벡터 Ri는 (3차원에 대해 i=1,2,3)에 대해 주기 유전함수 ε(r) = ε(r + Ri)와 일치한다. 이 경우 Bloch-Floquet 이론을 적용하면 상기 방정식의 해는 고유치 ωn(k)과 함께 H(r) = eik·xHn,k(r)형태로 선택할 수 있으며, Hn,k는 주기포락 함수 (periodic envelope function)를 만족한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나(100) 상에서 특정 주파수의 전파가 차단되는 형태를 시뮬레이션한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나(100) 상에서 차단되는 특정 주파수 대역을 비교도시한 그래프이다.
도 4를 참조하면, 도전핀(114)과 전파차폐판(116)으로 이루어지는 광자밴드갭소자(114, 116)는 전파차폐판(116)의 폭, 도전핀(114) 사이의 간격, 도전핀(114)의 높이와 같은 변수에 의하여 특정 주파수 대역의 전파를 차폐시키는데, 가령, 전파차폐판(116)의 폭이 20mm이고, 도전핀(114) 사이의 간격이 35mm이며, 도전 핀(114)의 높이가 20mm인 경우, 약 2GHz 내지 2.5GHz(-10 dB 기준 대역폭임)의 전파가 차폐된다.
즉, E, H, Z 축의 3차원 전자계 평면 중에서 Z 축 방향의 전파가 광자밴드갭소자에 의하여 차폐되는 형태를 확인할 수 있다.
이렇게 후방 방사되는 전파가 차폐됨으로써 전파의 이용 효율이 높아지고 이는 본 발명에 의한 안테나(100)가 와이브로(Wi-Bro)용 단말기 뿐만 아니라 기지국, 중계기용 안테나로 이용될 수 있음을 의미한다.
또한, 도 5를 참조하면, 세 개의 측정선이 도시되어 있는데, x축은 단위가 주파수(GHz)이고, y축은 단위가 벡터 필드의 전계 세기(dB)이다.
측정선 "D1"은 상기 금속층(110) 상에 방사 소자(112)로부터의 전파를 가이드하는 구조물이 형성되지 않았을 경우의 전파 측정선이다.
측정선 "D1"에 의하면 어느 주파수 대역이든 전파가 차폐되지 못하고 고르게 전파가 통과됨을 알 수 있다.
도 6은 완전도체 구조물을 이용하여 구현된 안테나(30) 형태를 도시한 사시도이다.
도 6에 도시된 안테나(30)는 본 발명에 의한 안테나(100)와 그 형태가 유사하나, 금속층(32) 위에 PEC(Perfect Electric Conductor; 완전도체) 구조물(판형 도체판)(36)이 수직하게 형성되고, PEC 구조물(36) 위로 전파차폐판(34)이 결합된 점이 상이하다.
측정선 "D3"은 도 6의 PEC(Perfect Electric Conductor; 완전도체) 구조 물(36)에 의한 안테나(30)의 전파가 가이드되는 경우를 측정한 측정선인데, 고대역 주파수에서 약간의 차폐 효과가 측정되었으나, 그 효과는 경미한 수준이다.
반면, 측정선 "D2"를 보면 이는 본 발명에 의한 광자밴드갭소자(112)가 구비된 경우의 전파를 측정한 것으로서, 전술한 대로 약 2.16 GHz 대역의 주파수가 효과적으로 차단되고 있음을 알 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 본 발명의 안테나(100)가 가지는 방사패턴을 보면, 도 1에 도시된 일반적인 안테나(10)에 비하여 백 로브 방사가 현저히 줄어들었음을 확인할 수 있다.
도 3에 도시된 상기 광자밴드갭소자(114, 116)는 두 부분으로서 메인 로브(방사 소자의 배열)의 양측으로 상호 대향하게 형성된 것을 볼 수 있는데, 안테나의 종류나 방사 소자(112)의 형태에 따라 상기 광자밴드갭소자(114, 116)의 형태 및 배치도 상이해질 수 있음은 물론이다.
가령, 방사 소자(112)의 메인 로브가 금속층(110)의 상면으로만 향하는 경우, 상기 광자밴드갭소자(114, 116)는 방사 소자(112)의 주위를 모두 감싸는 형태(RF fence)로 배치될 수도 있을 것이다.
또한, 상기 광자밴드갭소자(114, 116)는 금속층(110)의 끝단에 인접되게 위치되는 것이 백 로브 방사를 차폐시키는데 있어서 유리하다.
도 7은 종래 안테나의 형태, 차단 주파수 대역의 그래프 및 방사 패턴을 측정한 그래프이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광자밴드갭 구조의 안테나의 형태, 차단 주파수 대역의 그래프 및 방사 패턴을 측정한 그래프이다.
상기 도 7과 도 8에 도시된 그래프 상에서, x축은 주파수 단위가 주파수(GHz)이고, y축은 S 파라미터의 크기(dB)를 나타낸다.
도 7 (a) 도면과 도 8의 (a) 도면을 비교하여 보면, 각각의 안테나(10, 100)는 금속층에 급전선로(16, 142)와 연결된 방사소자(14, 112)를 포함하고, 본 발명에 의한 안테나(도 8의 (a)도면)(100)는 광자밴드갭소자(114, 116)가 더 구비된 것을 볼 수 있는데, 도 6의 (b)도면과 도 7의 (b) 도면을 비교하여 보면, 방사소자가 동일하게 약 2.16 GHz 대역의 주파수를 공진시켜 전파를 방사시키고 있음을 볼 수 있다.
그러나, 종래에서는 약 -12.94 dB의 전파 수치가 측정된 반면, 본 발명에 의한 안테나에 의하면, 약 -22.17 dB의 전파 수치가 측정된 것을 볼 수 있다.
이는 안테나의 후면으로 발생되는 불필요한 방사가 효과적으로 제거되어 신호에 대한 감도가 향상되었음을 의미한다.
또한, 도 7의 (c) 도면과 도 8의 (c) 도면을 비교하여 보면, 도 7에 비하여 도 8에 도시된 전파 그래프가 원형에서 그 양단이 더 찌그러져 있는데, 이는 백 로브 방사가 차폐되어 메인 로브 방향으로 향하는 전파의 집중도가 향상되었음을 의미한다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명 의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 의한 광자밴드갭 구조의 안테나에 의하면, 전/후방비와 격리도가 개선됨으로써 안테나 효율이 좋아지고, 보다 적은 전력으로도 신호를 안정적으로 송수신할 수 있는 안테나를 제공할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의하면, 광자밴드갭 구조의 폭, 간격, 높이 등과 같은 변수를 조합함으로써 차단하고자 하는 전파의 주파수 대역을 용이하게 선택할 수 있으며, 단순한 공정으로도 광자밴드갭 구조를 형성할 수 있으므로 최소한의 비용과 시간으로 고성능의 안테나를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 방사소자가 실장된 금속층;
    상기 금속층의 외곽부에 수직하게 고정되는 다수개의 도전핀; 및
    상기 도전핀 위에 올려져 지지되고 상기 금속층 아래면으로 회절되는 전파를 차폐시키는 전파차폐판을 포함하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속층이 다각형태인 경우, 상기 도전핀 및 상기 전파차폐판은 하나 이상의 상기 금속층면에 배치되는 것을 특징으로 하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전파차폐판의 폭, 상기 도전핀 사이의 간격 및 상기 도전핀의 높이 중 하나 이상의 변수에 의하여 상기 차폐되는 전파의 주파수 대역이 결정되는 것을 특징으로 하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 방사소자는
    상기 금속층 상에 돌출형 또는 패치형으로 구비되는 것을 특징으로 하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 도전핀 및 상기 전파차폐판은
    상기 금속층의 면끝단에 인접되게 배치되는 것을 특징으로 하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 도전핀 및 상기 전파차폐판은
    상기 방사소자의 메인 로브(Lobe)의 양측으로 상호 대향하게 배치되는 것을 특징으로 하는 광자밴드갭 구조의 안테나.
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