KR20080003543A - Apparatus for adjusting a gap - Google Patents
Apparatus for adjusting a gap Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080003543A KR20080003543A KR1020060061933A KR20060061933A KR20080003543A KR 20080003543 A KR20080003543 A KR 20080003543A KR 1020060061933 A KR1020060061933 A KR 1020060061933A KR 20060061933 A KR20060061933 A KR 20060061933A KR 20080003543 A KR20080003543 A KR 20080003543A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- plate
- panel
- gap
- adjusting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래의 간격조정장치의 일례에 의한 측정 원리의 개념도.1 is a conceptual diagram of a measuring principle according to an example of a conventional gap adjusting device.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간격조정장치가 설치되는 베벨에칭장치의 측단면도.Figure 2 is a side cross-sectional view of the bevel etching apparatus is installed spacing device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 간격조정장치를 개략적으로 나타낸 도면.FIG. 3 is a view schematically showing a gap adjusting device shown in FIG. 2.
도 4a는 도 2에 도시된 간격조정장치에서 제1,2나사가 제1,2플레이트에 배치된 것을 나타내는 평면도.FIG. 4A is a plan view showing that the first and second screws are disposed on the first and second plates in the gap adjusting device shown in FIG. 2; FIG.
도 4b는 도 2에 도시된 간격조정장치에서 제1,2나사가 제1,2플레이트에 설치된 것을 나타낸 단면도.4B is a cross-sectional view showing that the first and second screws are installed on the first and second plates in the gap adjusting device shown in FIG.
도 5은 도 2에 도시된 간격조정장치를 이용하여 패널과 웨이퍼 사이의 간격을 측정하는 작동원리를 설명하기 위한 도면.5 is a view for explaining the principle of operation of measuring the gap between the panel and the wafer using the gap adjusting device shown in FIG.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 간격조정장치가 설치되는 베벨에칭장치의 측단면도.Figure 6 is a side cross-sectional view of the bevel etching apparatus is installed spacing device according to another embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 간격조정장치에서 제2모터와 이송나사가 제1,2플레이트에 설치된 것을 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing that the second motor and the feed screw is installed on the first and second plates in the gap adjusting device shown in FIG.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
11 : 웨이퍼척 12 : 패널11
13 : 챔버 21 : 제1모터13: chamber 21: first motor
22 : 제1플레이트 23 : 제2플레이트22: first plate 23: second plate
30 : 카메라부 40 : 연산부30: camera unit 40: calculator
51 : 제1나사 52 : 제2나사51: 1st screw 52: 2nd screw
61 : 제2모터 62 : 이송나사61: second motor 62: feed screw
70 : 모니터 w : 웨이퍼70: monitor w: wafer
본 발명은 간격조정장치에 관한 것으로서, 상세하게는 웨이퍼의 상방에 설치된 부재와 웨이퍼 사이의 간격들을 동일하게 조정하기 위한 간격조정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체칩을 생산하기 위한 반도체 제조공정을 거치는 동안, 웨이퍼의 베벨(bevel) 영역에는 잔류박막이 형성된다. 웨이퍼의 베벨(bevel) 영역이란, 반도체칩을 생산할 수 없는 웨이퍼의 최외곽 가장자리 영역을 말하며, 상기 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 잔류박막은 반도체칩 상의 회로 패턴에 손상을 주는 파티클의 발생원으로 지적되었다.During the semiconductor manufacturing process for producing a semiconductor chip, a residual thin film is formed in the bevel region of the wafer. The bevel region of the wafer refers to the outermost edge region of the wafer on which the semiconductor chip cannot be produced, and the remaining thin film formed on the wafer bevel region has been pointed out as a source of particle damage to the circuit pattern on the semiconductor chip.
이러한 웨이퍼의 베벨 영역에 형성된 잔류박막, 파티클 등을 제거하기 위하여 웨이퍼의 베벨 영역에 국부적으로 플라즈마를 발생시켜 상기 잔류박막을 제거할 수 있는 베벨에칭장치가 존재한다. 일반적으로, 베벨에칭장치는, 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척과, 상기 웨이퍼척의 상방에 설치되어 반도체 가공용 가스들을 웨이퍼의 상면에 분사하는 패널을 포함하고 있다.In order to remove the residual thin film, particles, etc. formed in the bevel region of the wafer, there is a bevel etching apparatus capable of removing the residual thin film by locally generating a plasma in the bevel region of the wafer. In general, a bevel etching apparatus includes a wafer chuck on which a wafer is seated on an upper surface, and a panel provided above the wafer chuck to inject gas for semiconductor processing onto the upper surface of the wafer.
웨이퍼의 베벨 영역을 에칭하는 과정에서는, 발생된 플라즈마가 웨이퍼의 베벨 영역에만 국부적으로 집중되는 것이 중요한데, 플라즈마가 웨이퍼의 중앙부로 유입되면 웨이퍼 상에 형성되어 있는 회로 패턴에 손상을 주기 때문이다. 따라서, 웨이퍼 중앙부로 플라즈마가 유입되는 것을 방지하기 위하여, 상기 패널의 하면을, 그와 대면하는 웨이퍼의 상면과 닿지 않는 범위에서 최대한 밀착시켜야 한다. 또한, 웨이퍼 가장자리부에서 웨이퍼의 중심부 방향으로 웨이퍼의 베벨 영역 둘레에 걸쳐 균일하게 잔류박막이 식각되기 위해서는, 패널과 웨이퍼 사이의 간격들을 동일하게 유지하는 것이 중요하다.In the process of etching the bevel region of the wafer, it is important that the generated plasma is locally concentrated only in the bevel region of the wafer, because when the plasma enters the center portion of the wafer, it damages the circuit pattern formed on the wafer. Therefore, in order to prevent the plasma from flowing into the center of the wafer, the bottom surface of the panel should be brought into close contact with each other as far as possible without touching the top surface of the wafer facing the wafer. Also, in order for the remaining thin film to be etched uniformly around the bevel area of the wafer from the wafer edge toward the center of the wafer, it is important to keep the gaps between the panel and the wafer the same.
상기 패널과 웨이퍼 사이의 간격을 동일하게 유지하기 위해 사용된 종래의 간격조정장치의 일례에 의한 측정 원리를 설명하기 위한 개념도가 도 1에 도시되어 있다.A conceptual diagram for explaining the principle of measurement by an example of a conventional spacing device used to keep the spacing between the panel and the wafer the same is shown in FIG.
도 1을 참조하면, 패널(12)과 웨이퍼척(11) 사이의 간격들을 동일하게 조정하기 위해 쉽게 변형될 수 있는 소재인, 작은 구형의 찰흙덩이(1)가 사용된다. 찰흙덩이(1)를 웨이퍼척(11) 상의 세 곳 이상에 배치시킨 후, 웨이퍼척(11) 상방에 위치한 패널(12)을 웨이퍼척 방향(A1)으로 이동시켜 웨이퍼척(11) 상면과 패널(12)의 하면이 서로 완전히 맞닿게 한다. 상기 패널(12)을 웨이퍼척 반대방향(A2)으로 다시 이동시키고, 웨이퍼척(11) 상의 세 곳 이상에서 눌려진 찰흙덩이들(1) 각각의 높이를 측정한다. 이와 같이 측정된 높이들의 차이를 비교하여 패널(12)과 웨이퍼 척(11) 사이의 간격들을 각각 조정함으로써, 웨이퍼척(11) 상의 웨이퍼(w)와 패널(12) 사이의 간격들을 동일하게 조정할 수 있게 된다.Referring to FIG. 1, a small
하지만, 이러한 찰흙덩이를 이용하는 방법에 있어서, 패널(12)이 웨이퍼척 반대방향(A2)으로 다시 이동하게 되면, 눌려진 찰흙덩이(1) 자체의 복원력에 의해 찰흙덩이(1)가 다소 부풀게 되므로, 패널(12)과 웨이퍼척(11) 사이의 간격에 대한 정확한 측정이 어렵게 된다. 또한, 눌려진 찰흙덩이(1) 자체의 높이를 측정할 때도 항상 측정오차를 수반하기 때문에 패널(12)과 웨이퍼척(11) 사이의 간격에 대한 정보가 부정확해지는 문제점이 있다.However, in the method of using the clay lump, when the
본 발명은, 패널과 웨이퍼 사이의 간격들의 측정시 카메라부를 이용하여 오차를 최소화하여 측정하고, 측정된 상기 간격들을 동일하게 조정함으로써, 웨이퍼의 베벨(bevel) 영역에서의 잔류박막을 효율적으로 제거하도록 구조가 개선된 간격조정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a method for efficiently removing residual thin film in the bevel region of a wafer by measuring the gaps using a camera unit in the measurement of the gaps between the panel and the wafer, and by adjusting the measured gaps equally. It is an object to provide a spacing device with improved structure.
본 발명은, 웨이퍼척 상의 웨이퍼와, 상기 웨이퍼척의 상방에 배치되어 상기 웨이퍼의 상면으로 반도체 가공용 가스들을 분사하는 패널 사이의 간격을 조정하기 위한 간격조정장치에 있어서, 복수의 위치에서 상기 패널과 상기 웨이퍼 사이의 간격을 각각 촬상하는 카메라부; 상기 카메라부에서 촬상된 상기 간격들의 이미지를 전송받아 상기 간격들을 수치화하는 연산부; 및 상기 연산부에서 수치화된 데이터에 근거하여, 상기 패널과 상기 웨이퍼 사이의 간격들을 각각 조정하기 위한 조정 수단;을 구비하는 간격조정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gap adjusting device for adjusting a gap between a wafer on a wafer chuck and a panel disposed above the wafer chuck and injecting gases for semiconductor processing onto an upper surface of the wafer, wherein the panel and the panel are disposed at a plurality of positions. A camera unit for imaging the gap between the wafers; A calculator which receives the image of the intervals captured by the camera unit and digitizes the intervals; And adjusting means for adjusting the gaps between the panel and the wafer, respectively, based on the data digitized by the calculating unit.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 상기 카메라부는, 상기 웨이퍼척 둘레에 원주방향으로 상호 이격된 적어도 세 곳에 각각 배치된 카메라들을 포함한다.In the gap adjusting device according to the present invention, the camera unit includes cameras disposed at least three locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 상기 연산부에 의해 수치화된 데이터들을 표시하는 모니터를 더 구비한다.In the interval adjusting device according to the present invention, the apparatus further comprises a monitor for displaying the data digitized by the calculating unit.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 제1모터와, 상기 제1모터에 의해 승강 가능하게 설치된 제1플레이트와, 상기 제1플레이트에 틸팅 가능하게 결합되고 상기 패널과 웨이퍼척 중 어느 하나에 고정되어 있는 제2플레이트를 더 구비하고, 상기 조정수단은, 상기 제1플레이트에 대한 상기 제2플레이트의 틸팅각도를 조정함으로써, 상기 패널과 웨이퍼 사이의 간격을 조정하도록 구성된다.In the spacing adjusting device according to the present invention, the first motor, the first plate installed to be elevated by the first motor, and the first plate is tiltably coupled to and fixed to any one of the panel and the wafer chuck. And a second plate, wherein the adjusting means is configured to adjust the gap between the panel and the wafer by adjusting the tilting angle of the second plate with respect to the first plate.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 상기 조정수단은, 상기 제1플레이트를 관통하여 상기 제2플레이트에 체결되는 복수의 제1나사와, 상기 제1플레이트에 체결되며 그 일단부가 상기 제1플레이트로부터 돌출되어 상기 제2플레이트에 맞닿는 복수의 제2나사를 구비한다.In the gap adjusting device according to the present invention, the adjusting means includes a plurality of first screws that are penetrated to the second plate through the first plate, and one end thereof is fastened to the first plate and the first plate is fastened to the first plate. And a plurality of second screws protruding from the second plate to contact the second plate.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 상기 조정수단은, 상기 제1플레이트에 지지되어 있는 복수의 제2모터와, 상기 각 제2모터 축에 결합되어 있으며 상기 제2플레이트에 체결되어 있는 복수의 이송나사를 구비한다.In the gap adjusting device according to the present invention, the adjusting means includes a plurality of second motors supported on the first plate, and a plurality of second motors coupled to the second motor shafts and fastened to the second plate. A feed screw is provided.
본 발명에 따른 간격조정장치에 있어서, 상기 웨이퍼척과 패널은 투명창을 가지는 챔버 내에 수용되며, 상기 카메라부는 상기 챔버의 외부에 위치되어 상기 투명창을 통해 상기 패널과 웨이퍼 사이의 간격을 촬상하도록 되어 있다.In the gap adjusting device according to the present invention, the wafer chuck and the panel are accommodated in a chamber having a transparent window, and the camera unit is located outside the chamber to capture the gap between the panel and the wafer through the transparent window. have.
이하, 본 발명에 따른 간격조정장치의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the apparatus for adjusting spacing according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간격조정장치가 설치되는 베벨에칭장치의 측단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 간격조정장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4a는 도 2에 도시된 간격조정장치에서 제1,2나사가 제1,2플레이트에 배치된 것을 나타내는 평면도이고, 도 4b는 도 2에 도시된 간격조정장치에서 제1,2나사가 제1,2플레이트에 설치된 것을 나타낸 단면도이다.2 is a side cross-sectional view of a bevel etching apparatus in which a spacing device is installed according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view schematically showing the spacing device shown in FIG. 2, and FIG. Figure 1 is a plan view showing that the first and second screws are arranged on the first and second plates in the interval adjusting device, Figure 4b is that the first and second screws are installed on the first and second plates It is sectional drawing shown.
도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마를 이용한 베벨에칭장치에서는, 웨이퍼(w)의 베벨(bevel) 영역 잔류박막을 식각하는 가공을 위해서는 패널(12)과 웨이퍼(w)를 근접하게 위치시킬수록 좋지만, 식각 가공 전이나 후에는 웨이퍼(w)를 웨이퍼척(11) 위로 로딩(loading) 또는 언로딩(unloading)하기 위해서 패널(12)과 웨이퍼척(11) 사이에 공간이 확보되어야 한다. 본 실시예에서는, 이러한 공간을 확보하기 위하여 제1모터(21), 제1플레이트(22), 제2플레이트(23) 등이 패널(12)에 연결되어, 패널(12)이 승강 가능한 구조로 되어 있다.As shown in FIG. 2, in the bevel etching apparatus using plasma, the
상기 제1모터(21)는, 패널(12)을 승강시키기 위한 구동력을 제공하는 것으로서, 챔버(13)에 지지되어 있다. 제1모터(21)의 출력축에는 이송나사(24)의 일단이 결합되어 있어서, 제1모터(21)의 회전시에 이송나사(24)도 함께 회전하게 된다.The
상기 제1플레이트(22)는, 그 일단부에는 이송너트(25)가 끼워져 있고, 이 이송너트(25)를 통해 상기 이송나사(24)와 제1플레이트(22)는 나사결합되어 있으므로, 이송나사(24)에 승강 가능하게 결합되어 있다. 또한, 제1플레이트(22)의 타단 부는, 챔버(13)의 외부 상측에 마련된 가이드바(26)에 승강 가능하게 결합되어 있다. 따라서, 제1플레이트(22)는 상기 이송나사(24)의 정역회전시에 가이드바(26)에 의해 지지되면서 이송나사(24)의 축선방향으로 흔들림없이 왕복이동하게 된다.Since the
상기 제2플레이트(23)는, 그 일측면은 상기 제1플레이트(22)에 틸팅 가능하게 결합되어 있고, 타측면은 상기 패널(12)에 고정된다. 따라서, 제1플레이트(22)에 대한 제2플레이트(23)의 틸팅(tilting) 각도가 변함에 따라, 웨이퍼척(11) 상의 웨이퍼(w)에 대한 패널(12)의 틸팅 각도가 변하게 된다.One side of the
이와 같이, 웨이퍼(w)의 로딩/언로딩시에는 패널(12)이 상측으로 이동하는 방향으로 제1모터(21)를 회전시켜, 웨이퍼(w)의 로딩/언로딩에 필요한 공간을 확보하고, 식각 공정단계에서는 패널(12)이 하측으로 이동하는 방향으로 제1모터(21)를 회전시켜, 패널(12)을 웨이퍼(w)에 근접하도록 위치시킨다.As such, when loading / unloading the wafer w, the
도 2 내지 도 4b를 참조하면, 본 실시예의 간격조정장치는, 웨이퍼척(11) 상의 웨이퍼(w)와 웨이퍼척(11)의 상방에 배치된 패널(12) 사이의 간격을 조정하기 위한 것이다. 이 간격조정장치는, 카메라부(30), 연산부(40), 조정수단 및 모니터(70)를 구비하고 있다.2 to 4B, the gap adjusting device of the present embodiment is for adjusting the gap between the wafer w on the
상기 카메라부(30)는, 복수의 위치에서 패널(12)의 하면과 웨이퍼(w) 상면 사이의 간격을 촬상하여 이를 이미지화한다. 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들이 웨이퍼(w) 전면적에 걸쳐 동일한지 즉, 패널(12)과 웨이퍼(w)가 평행하게 위치되어 있는지에 대해 알기 위해서는, 상기 간격을 어느 한 지점에서만 측정하는 것으로는 부족하고, 적어도 세 곳의 위치에서 각각 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간 격을 측정하는 것이 바람직하다. 가능한 많은 지점에서 측정하는 것이 보다 정확하겠지만, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는, 간격 조정시간의 최적화를 위해 웨이퍼(w)의 중심을 기준으로 하여 웨이퍼척(11) 둘레에 원주방향으로 약 120도 각도를 이루면서 상호 이격되게 세 곳에 상기 카메라부(30)를 각각 배치하였다.The
또한, 챔버(13)의 측벽부에는 투명창(16)이 마련되어 있는데, 챔버(13)의 외부에 위치되어 있는 카메라부(30)는 상기 투명창(16)을 통해 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격을 촬상한다. 상기 투명창(16)은, 식각공정 중 투명창 자체가 손상되는 것을 방지하기 위해, 석영 등의 재료로 제작되는 것이 바람직하다.In addition, a
상기 연산부(40)는, 상기 카메라부(30)에서 촬상된 상기 간격들의 이미지를 전송받아 간격들을 수치화한다. 이미지처리를 통한 상기 간격들의 수치화는 카메라부(30)로부터 촬상된 이미지를 이루는 픽셀을 이용하여 수행할 수 있다. 즉, 상기 연산부(40)에서는, 하나의 픽셀의 폭과 높이에 대응되는 실제 길이에 대한 정보를 산출할 수 있으므로, 세 곳에서 촬상된 각 간격의 이미지를 구성하는 픽셀의 갯수와 상기 픽셀의 폭과 높이에 대응되는 실제 길이에 대한 정보를 연산하여, 상기 간격의 이미지를 수치화하는 작업을 행한다.The
본 실시예에 있어서, 상기 조정수단은, 제1나사(51)와 제2나사(52)를 구비하고 있다.In the present embodiment, the adjusting means includes a
상기 제1나사(51)는, 제1플레이트(22) 상의 세 곳의 위치에서 각각, 제1플레이트(22)에 형성되어 있는 관통공(53)을 관통하여 제2플레이트(23)에 형성되어 있는 제1나사산(54)과 체결되어 있다. 세 개의 제1나사(51)는 원주방향으로 약 120 도의 각도를 이루면서 상호 이격되게 배치되어 있다. 상기 제2나사(52)는, 제1나사(51)와 근접한 위치에 각각 설치되며, 제1플레이트(22)에 형성되어 있는 제2나사산(55)과 체결되고, 그 일단부가 제1플레이트(22)로부터 돌출되어 제2플레이트(23)에 맞닿아 있다. 본 실시예에서는, 나사의 머리부가 없는 스터드나사를 제2나사(52)로 사용한다.The
이러한 체결구조에 의해 복수의 지점에서 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격을 각각 원하는 간격으로 조정하여 고정시킬 수 있다.By such a fastening structure, the distance between the
연산부(40)에 의해 수치화된 간격들의 데이터는, 모니터(70)에 전송되어 표시된다. 모니터(70)는 패널(12)과 웨이퍼(w) 상의 간격들에 대한 정보를 시각화시켜줌으로써, 상기 간격들의 조정을 보다 용이하게 한다.Data of intervals digitized by the
이하, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 간격조정장치를 이용하여 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격을 측정 및 조정하는 작동원리를, 도 5를 참조하면서 개략적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation principle of measuring and adjusting the gap between the
웨이퍼척(11) 둘레에 배치된 카메라부(30)에 의해 도 5에 도시된 제1지점(p1), 즉 패널(12) 하면의 에지부와 제2지점(p2), 즉, 웨이퍼 상면의 에지부가 촬상된다. 제1지점(p1)에 대응하는 픽셀과 제2지점(p2)에 대응하는 픽셀을 포함하는 전체 이미지는 연산부(40)로 전송된다. 연산부(40)에서는 제1지점(p1)과 제2지점(p2) 사이의 직선(H) 상에 분포된 픽셀의 수와, 카메라부(30)의 보정작업에 의해 설정된 픽셀의 폭/높이당 실제 거리를 연산하여 제1지점(p1)과 제2지점(p2) 사이의 간격을 수치화할 수 있다. 이와 같이 수치화된 정보는, 모니터부(70)에 전송되어 이를 보고 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들을 조정하는 것이 가능해진다.By the
또한, 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격을 조정하는 것은, 상기 제1나사(51)와 제2나사(52)를 풀고 조이는 것에 의해 가능하다.In addition, it is possible to adjust the space | interval between the
복수의 위치 중 어느 위치에서 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 큰 경우, 그 위치의 간격을 조정할 수 있는 지점에 배치된 제1나사(51)와 제2나사(52)를 조정한다. 상기 제1나사(51)를 풀어주는 방향으로 회전시키면, 제1나사(51)의 머리부와 제1플레이트(22)가 서로 떨어지게 되어, 제1플레이트(22)에 대한 제2플레이트(23)의 틸팅운동이 가능해진다. 그 후, 제2나사(52)를 조이는 방향으로 회전시키면, 제2플레이트(23)와 제2나사(52)가 맞닿는 부분에서 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격이 벌어지면서, 상기 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 큰 위치에서, 그 간격이 작아지는 방향으로 제2플레이트(23)는 기울어지게 된다.If the distance between the
패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 작은 경우에는, 제1나사(51)를 풀어주는 방향으로 회전시켜 제1플레이트(22)에 대한 제2플레이트(23)의 틸팅운동이 가능하게 한 후, 제2나사(52)를 풀어주는 방향으로 회전시킨다. 제2플레이트(23)와 제2나사(52)가 맞닿는 부분에서 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격이 작아지면서, 상기 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 작은 위치에서, 그 간격이 커지는 방향으로 제2플레이트(23)는 기울어지게 된다. 상기의 작업을 반복하면서, 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들을 동일하게 조정한 후, 제1플레이트(22)에 제2플레이트(23)가 고정되도록 제1나사(51)를 조여준다.In the case where the gap between the
이와 같이, 본 실시예의 조정수단은, 제1플레이트(22)에 대한 제2플레이 트(23)의 틸팅(tilting)각도를 조정함으로써, 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들을 동일하게 조정할 수 있도록 구성되어 있다.As such, the adjusting means of this embodiment adjusts the tilting angle of the
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 간격조정장치에 있어서, 패널과 웨이퍼 사이의 간격들을 카메라부를 이용하여 정밀하게 측정함으로써 측정에 따른 오차를 최소화할 수 있고, 카메라부를 이용하여 단시간에 측정하여 측정작업에 소요되는 시간을 절감할 수 있으므로, 베벨에칭장치당 반도체의 생산수율을 향상시키는 효과도 얻을 수 있다.In the gap adjusting apparatus according to the present embodiment configured as described above, the gap between the panel and the wafer can be precisely measured by using the camera unit, thereby minimizing an error due to the measurement, and measured by measuring in a short time using the camera unit. Since the time required for work can be reduced, the effect of improving the production yield of semiconductors per bevel etching device can also be obtained.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 간격조정장치를 이용하면,카메라부를 통해 실시간으로 웨이퍼의 측부를 관찰할 수 있어, 웨이퍼의 안착위치가 정상인지 여부를 감시할 수 있다. 즉, 웨이퍼척에 안착되는 웨이퍼가 웨이퍼척의 중심에 안착되지 않고 편향되게 안착된다면, 카메라부의 초점거리에서 벗어나 패널과 웨이퍼 사이의 간격에 대한 이미지가 흐려지게 된다. 따라서, 카메라부에서 정상적인 이미지가 촬상되지 않으면 이에 대한 정보를 연산부에 전송하여 연산부로부터 일종의 경고메시지가 전송되도록 장치를 구성할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 간격조정장치는 카메라에 의해 촬상되는 이미지를 통해 웨이퍼의 정상적인 안착을 감시할 수 있는 효과도 얻을 수 있다.In addition, by using the gap adjusting device according to the present embodiment configured as described above, it is possible to observe the side of the wafer in real time through the camera unit, it is possible to monitor whether the seating position of the wafer is normal. That is, if the wafer seated on the wafer chuck is seated in a biased manner without being seated in the center of the wafer chuck, the image of the gap between the panel and the wafer is blurred out of the focal length of the camera unit. Therefore, when a normal image is not captured by the camera unit, the information may be transmitted to the operation unit to configure the device to transmit a kind of warning message from the operation unit. Therefore, the gap adjusting device according to the present embodiment can also obtain the effect of monitoring the normal seating of the wafer through the image captured by the camera.
한편, 도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 간격조정장치가 설치되는 베벨에칭장치의 측단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 간격조정장치에서 제2모터와 이송나사가 제1,2플레이트에 설치된 것을 나타낸 단면도이다.On the other hand, Figure 6 is a side cross-sectional view of the bevel etching apparatus is installed interval adjusting device according to another embodiment of the present invention, Figure 7 is a second motor and the
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 간격조정장치에 있 어서, 조정수단은, 제2모터(61), 이송나사(62)를 구비하고 있다. 도 6 및 도 7에 있어서, 도 2 내지 도 4b에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.6 and 7, in the gap adjusting device according to another embodiment of the present invention, the adjusting means is provided with a
상기 제2모터(61)는, 제2플레이트(23)를 승강시키기 위한 구동력을 제공하는 것으로서, 제1플레이트(22)에 지지되어 있다. 제2모터(61)의 출력축에는 이송나사(62)의 일단이 결합되어 있어서, 제2모터(61)의 회전시에 이송나사(62)도 함께 회전하게 된다. 또한, 제2플레이트(23)에는 이송너트(63)가 끼워져 있어서, 이 이송너트(63)를 통해 상기 이송나사(62)와 제2플레이트(23)는 나사결합되어 있다.The
제2모터(61)와 이송나사(62)를 구비하는 본 실시예의 조정수단은, 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23)를 나사결합하며, 원주방향으로 약 120도의 각도를 이루면서 세 곳의 위치에 상호 이격되게 배치되어 있다. 제2모터(61)와 이송나사(62)가 설치된 각각의 위치에서, 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격을 각각 원하는 간격으로 조정하여 고정시킬 수 있다.The adjusting means of this embodiment, which includes the
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 간격조정장치를 이용하여 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격을 측정하는 원리는, 도 2에 도시된 실시예의 간격조정장치를 이용하는 것과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The principle of measuring the gap between the
다만, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 간격조정장치는, 도 2에 도시된 실시예의 간격조정장치와는 다르게, 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격을 자동으로 조정할 수 있다.However, the gap adjusting device of the present embodiment configured as described above can automatically adjust the gap between the
복수의 위치 중 어느 위치에서 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 큰 경우, 그 위치의 간격을 조정할 수 있는 지점에 배치된 제2모터(61)를 작동시킨다. 상기 제2모터(61)를 제1플레이트(22)에 대해 제2플레이트(23)가 멀어지는 방향으로 회전시킨다. 제2모터(61)가 배치된 위치에서 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격이 벌어지면서, 상기 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 큰 위치에서, 그 간격이 작아지는 방향으로 제2플레이트(23)는 기울어지게 된다.If the distance between the
패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 작은 경우에는, 그 위치의 간격을 조정할 수 있는 지점에 배치된 제2모터(61)를 작동시킨다. 제2모터(61)를 제1플레이트(22)에 대해 제2플레이트(23)가 접근하는 방향으로 회전시킨다. 제2모터(61)가 배치된 위치에서 제1플레이트(22)와 제2플레이트(23) 사이의 간격이 좁아지면서, 상기 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격이 작은 위치에서, 그 간격이 커지는 방향으로 제2플레이트(23)는 기울어지게 된다.In the case where the gap between the
이와 같이 제2모터(61)를 작동시키기 위해서, 연산부(40)에 의해 수치화된 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들을 근거하여, 연산부(40)로부터 복수의 제2모터(61) 각각에 제2모터(61)의 회전량과 회전방향에 대한 정보가 전송된다. 따라서, 사람이 직접 나사를 풀고 조이는 작업을 하지 않더라도 패널(12)과 웨이퍼(w) 사이의 간격들을 자동으로 동일하게 조정하는 것이 가능하다.In order to operate the
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 간격조정장치에 있어서도, 도 2에 도시된 실시예의 간격조정장치와 마찬가지로, 패널과 웨이퍼 사이의 간격들을 카메라부를 이용하여 정밀하게 측정함으로써 측정에 따른 오차를 최소화하고, 측정 작업에 소요되는 시간을 절감할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 카메라에 의해 촬상되는 이미지를 통해 웨이퍼가 웨이퍼척 상에 정상적으로 안착되었는지 여부를 감시할 수 있는 효과도 얻을 수 있다.Also in the gap adjusting device according to the present embodiment configured as described above, similarly to the gap adjusting device of the embodiment shown in FIG. In addition, it is possible to obtain an effect of reducing the time required for the measurement work. In addition, the effect of monitoring whether the wafer is normally seated on the wafer chuck can be obtained through the image captured by the camera.
더불어, 제2모터와 이송나사를 이용하여 패널과 웨이퍼 사이의 간격을 자동으로 조정할 수 있으므로, 웨이퍼가 웨이퍼척 상에 안착될 때마다 패널과 웨이퍼 사이의 간격들을 실시간으로 모니터링하면서 상기 간격들을 조정하는 것이 가능하다. 따라서, 각각의 웨이퍼마다 베벨 영역상의 잔류박막을 보다 효과적으로 제거할 수 있는 효과도 얻을 수 있다.In addition, the gap between the panel and the wafer can be automatically adjusted using the second motor and the transfer screw, so that the gaps are adjusted while monitoring the gaps between the panel and the wafer in real time whenever the wafer is seated on the wafer chuck. It is possible. Therefore, the effect of more effectively removing the residual thin film on the bevel area for each wafer can also be obtained.
본 발명의 실시예들에 있어서, 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위해 패널이 승강하는 구조로 구성되어 있으나, 웨이퍼척이 승강할 수 있는 구조로 구성될 수도 있다.In the embodiments of the present invention, the panel is configured to lift and lower the wafer for loading / unloading the wafer, but the wafer chuck may be configured to be lifted and lowered.
본 발명의 실시예들에 있어서, 조정수단은 원주방향으로 약 120도의 각도를 이루면서 세 곳의 위치에 상호 이격되게 배치되어 있으나, 배치되는 수량과 각도는 이에 제한되지 않는다.In the embodiments of the present invention, the adjustment means are arranged at three locations while being spaced apart from each other at an angle of about 120 degrees in the circumferential direction, but the number and angle of the arrangement are not limited thereto.
본 발명의 실시예들에 있어서, 웨이퍼척 둘레에 원주방향으로 약 120도 각도를 이루면서 상호 이격되게 세 곳에 카메라부가 각각 배치되었으나, 배치되는 수량과 각도는 이에 제한되지 않는다.In the embodiments of the present invention, the camera units are disposed at three positions spaced apart from each other at an angle of about 120 degrees in the circumferential direction around the wafer chuck, but the number and angle of the arrangement are not limited thereto.
본 발명의 실시예들에 있어서, 제1플레이트(22)에 끼워진 이송너트(25)를 통해 이송나사(24)와 제1플레이트(22)가 나사결합되어 있으나, 이송너트(25)를 사용하지 않고, 제1플레이트(22)에 직접 나사구멍을 형성하여 이송나사(24)가 상기 나사구멍에 체결됨으로써 이송나사(24)와 제1플레이트(22)가 나사결합되도록 할 수 있다. 도 6에 도시된 실시예에 있어서도, 제2플레이트(23)에 끼워진 이송너트(63)를 사용하지 않고, 제2플레이트(23)에 직접 나사구멍을 형성하여 이송나사(62)가 상기 나사구멍에 체결됨으로써 이송나가(62)와 제2플레이트(23)가 나사결합되도록 할 수도 있다.In the embodiments of the present invention, the
본 발명의 실시예들에 있어서, 본 발명의 실시예들에 따른 간격조정장치가 베벨에칭장치에 설치되어 작동되는 경우를 상술하였으나, 장치의 부품 또는 제품 사이의 간격들을 동일하게 유지하여야 하는 다른 반도체 공정장치에 다양하게 설치되어 사용될 수 있다.In the embodiments of the present invention, the above-described case in which the gap adjusting device according to the embodiments of the present invention is installed and operated in the bevel etching device is described. Various installations can be used in the process equipment.
이상 바람직한 실시예 및 변형례들에 대해 설명하였으나, 본 발명에 따른 간격조정장치는 상술한 예들에 한정되는 것은 아니며, 그 예들의 변형이나 조합에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 간격조정장치가 구체화될 수 있다.Although preferred embodiments and modifications have been described above, the gap adjusting apparatus according to the present invention is not limited to the above-described examples, and the modifications or combinations thereof may be used within the scope not departing from the technical spirit of the present invention. Various types of spacing devices can be embodied.
본 발명의 간격조정장치는, 패널과 웨이퍼 사이의 간격들을 카메라부를 이용하여 정밀하게 측정함으로써 측정에 따른 오차를 최소화할 수 있고, 카메라부를 이용하여 단시간에 측정할 수 있어 측정작업에 소요되는 시간을 절감하는 효과가 있다.In the gap adjusting apparatus of the present invention, the gap between the panel and the wafer can be precisely measured by using a camera unit, thereby minimizing errors due to the measurement, and the measurement time can be measured in a short time using the camera unit. There is a saving effect.
또한, 카메라부를 통해 실시간으로 웨이퍼의 측부를 관찰할 수 있어, 카메라에 의해 촬상되는 이미지를 통해 웨이퍼가 웨이퍼척 상에 정상적으로 안착되었는지 여부를 감시할 수 있는 효과도 있다.In addition, the side of the wafer can be observed in real time through the camera unit, so that it is possible to monitor whether or not the wafer is normally seated on the wafer chuck through the image captured by the camera.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060061933A KR100829168B1 (en) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | Apparatus for adjusting a gap |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060061933A KR100829168B1 (en) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | Apparatus for adjusting a gap |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080003543A true KR20080003543A (en) | 2008-01-08 |
KR100829168B1 KR100829168B1 (en) | 2008-05-13 |
Family
ID=39214684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060061933A KR100829168B1 (en) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | Apparatus for adjusting a gap |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100829168B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190041126A (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 원익아이피에스 | Wafer Processing Apparatus Including Function For Correcting Position of Wafer And Method of teaching The Same |
KR20190041097A (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 원익아이피에스 | System and Method for Measuring Loading Position of Wafer |
KR20220042489A (en) * | 2013-03-15 | 2022-04-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Position and temperature monitoring of ald platen susceptor |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100867069B1 (en) * | 2001-07-12 | 2008-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Wafer processing apparatus and transfer device adjustment system |
-
2006
- 2006-07-03 KR KR1020060061933A patent/KR100829168B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220042489A (en) * | 2013-03-15 | 2022-04-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Position and temperature monitoring of ald platen susceptor |
US11430680B2 (en) | 2013-03-15 | 2022-08-30 | Applied Materials, Inc. | Position and temperature monitoring of ALD platen susceptor |
KR20190041126A (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 원익아이피에스 | Wafer Processing Apparatus Including Function For Correcting Position of Wafer And Method of teaching The Same |
KR20190041097A (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 원익아이피에스 | System and Method for Measuring Loading Position of Wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100829168B1 (en) | 2008-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102473026B1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US8057153B2 (en) | Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method | |
JP2015152475A (en) | Displacement detector, apparatus for processing substrate, method for detecting displacement, and method for processing substrate | |
JP2004050306A (en) | Carrier robot system and control method for carrier robot | |
WO1997050286A1 (en) | Electronic part mounting method | |
CN110391153B (en) | Inspection apparatus for semiconductor process and semiconductor process device | |
KR100829168B1 (en) | Apparatus for adjusting a gap | |
JP2015173204A (en) | substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20210031513A (en) | Movable part position detection method, substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system | |
KR20180116127A (en) | Shape measuring device and shape measuring method | |
KR20100120864A (en) | Vision inspection system and method for converting coordinates using the same | |
JP2008139268A (en) | Surface topography measurement device | |
JP2006218408A (en) | Coat-film forming apparatus, coat-film forming method and computer program | |
JP3028095B2 (en) | Probing apparatus and method | |
JP2003273003A (en) | Substrate-processing device | |
KR101977305B1 (en) | Themal testing apparatus for flatpanel display | |
JP2022186429A (en) | Information processing device, transfer position correction method and substrate processing device | |
WO2023127239A1 (en) | Operation monitoring method and manufacturing device | |
WO2023127240A1 (en) | Movement monitoring method and manufacturing apparatus | |
JP2006054302A (en) | Component mounting apparatus | |
JP2001068529A (en) | Method for picking up semiconductor chip | |
WO2023119881A1 (en) | Wafer inspection device | |
TW202011493A (en) | Semiconductor manufacturing system, edge detection device and method of detecting an edge bevel removal area of a semiconductor wafer | |
JP2006153605A (en) | Inspection method and inspection device | |
JP4989199B2 (en) | Electronic component mounting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110322 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |