KR20080000296A - Display device and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20080000296A KR1020060057985A KR20060057985A KR20080000296A KR 20080000296 A KR20080000296 A KR 20080000296A KR 1020060057985 A KR1020060057985 A KR 1020060057985A KR 20060057985 A KR20060057985 A KR 20060057985A KR 20080000296 A KR20080000296 A KR 20080000296A
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유충근
유인선
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

A display device and a method for fabricating the same are provided to improve an image quality and extend a life time of a product by preventing outside moisture from permeating inside. A display device includes a first substrate(310), a plurality of thin film transistors, an organic electro-luminescent diode, a second substrate(330), and a glass frit pattern(340). The plurality of thin film transistors are formed on the first substrate. The organic electro-luminescent diode is connected to the plurality of thin film transistors. The second substrate is disposed to be spaced from an upper portion of the first substrate at a predetermined interval. The glass frit pattern forms an airtight inside space by being formed on an edge between the first substrate and the second substrate.

Description

표시장치 및 그 제조 방법{Display device and Method of fabricating the same}Display device and method of fabricating the same

도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 기판 경계 부분 단면도.2 is a cross-sectional view of a substrate boundary of a dual panel type organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 글래스프릿 패턴의 형성방법을 나타낸 사시도.4 is a perspective view showing a method for forming a glass frit pattern according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

110, 210, 310 : 제 1 기판 160,230,330 : 제 2 기판110, 210, 310: first substrate 160, 230, 330: second substrate

170, 240, 340 : 글래스프릿 패턴170, 240, 340: glass frit pattern

본 발명은 표시장치에 관한 것이며, 특히 표시장치의 기판 가장자리에 형성되는 글래스프릿(glass frit) 패턴 구조에 대한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a glass frit pattern structure formed on a substrate edge of a display device.

새로운 평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display) 중 하나인 유기전계발광소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. One of the new flat panel displays (FPDs), organic light emitting diodes are self-luminous, so they have better viewing angles, contrast, etc. than liquid crystal displays. Is also advantageous. In addition, since it is possible to drive DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is strong against external shock, wide use temperature range, and especially inexpensive in terms of manufacturing cost.

특히, 상기 유기전계발광 소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PDP(Plasma Display Panel)와 달리 증착(deposition) 및 인캡슐레이션 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다. In particular, unlike the liquid crystal display device or the plasma display panel (PDP), the deposition and encapsulation equipment are all in the manufacturing process of the organic light emitting device, and the process is very simple.

이하, 도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 별도의 스위칭 소자가 생략된 패시브 방식(passive type) 유기전계발광 소자를 일 예로 하여 도시하였다. Hereinafter, FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device, and illustrates a passive type organic light emitting display device in which a separate switching device is omitted.

도시한 바와 같이, 제 1 기판(10) 상에 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 제 1 전극(12) 상부에는 유기전계발광층(14), 제 2 전극(22)이 차례대로 형성되어 유기전계발광 다이오드(E)를 이룬다. As illustrated, a first electrode 12 is formed on the first substrate 10, and the organic light emitting layer 14 and the second electrode 22 are sequentially formed on the first electrode 12. An organic electroluminescent diode (E) is formed.

좀 더 상세히 설명하면, 상기 제 1 기판(10)은 화면구현 영역으로 정의되는 표시 영역(DR)과, 표시 영역의 주변부를 이루는 비표시 영역(DR)으로 이루어지는데, 상기 제 1 전극(12)은 표시 영역(DR) 및 어느 한 비표시 영역(DR)까지 연장되게 형성되어 있고, 상기 유기전계발광층(14)은 제 1, 2 전극(12, 22)과 접하는 계면에 각각 위치하는 제 1, 2 캐리어 전달층(16, 18)과, 제 1, 2 캐리어 전달층(16, 18) 사이 구간에 위치하며, 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀 단위로 차례대로 배열된 적, 녹, 청 발광층(20a, 20b, 20c)으로 이루어진다. In more detail, the first substrate 10 includes a display area DR that is defined as a screen implementation area and a non-display area DR that forms a periphery of the display area. Is formed to extend to the display area DR and any one non-display area DR, and the organic light emitting layer 14 is disposed at an interface in contact with the first and second electrodes 12 and 22, respectively. Red, green, and blue light emitting layers, which are positioned in the interval between the second carrier transport layers 16 and 18 and the first and second carrier transport layers 16 and 18, are arranged in subpixel units, which are the smallest units for implementing the screen. (20a, 20b, 20c).

그리고, 상기 제 1 기판(10)과 대향되게 배치되며, 상기 유기전계발광 다이오드 소자(E)와 일정간격 이격되게 제 2 기판(30)이 배치되어 있다. 상기 제 2 기판(30)은 인캡슐레이션용 캐니스터(canister) 또는 글래스(glass)로 이루어지며, 전술한 제 1 전극(12)의 비표시 영역을 노출시키는 면적을 가진다. The second substrate 30 is disposed to face the first substrate 10 and to be spaced apart from the organic light emitting diode device E by a predetermined distance. The second substrate 30 is made of an encapsulation canister or glass, and has an area exposing the non-display area of the first electrode 12 described above.

이러한 상기 제 1, 2 기판(10, 30)의 테두리부는 씰패턴(50)에 의해 봉지되어 있다. The edge portions of the first and second substrates 10 and 30 are sealed by the seal pattern 50.

이때, 상기 제 2 기판(30)은, 전술한 유기전계발광 다이오드 소자(E)와 일정간격 이격되게 배치되어 있고, 기판 내 이격 공간은 불활성 기체 또는 진공 분위기로 이루어지며, 상기 제 2 기판(30)의 내부면에는 흡습제(32 ; desiccant)가 봉입되어 있다. In this case, the second substrate 30 is disposed to be spaced apart from the above-described organic light emitting diode device E by a predetermined distance, and the separation space in the substrate is made of an inert gas or a vacuum atmosphere, and the second substrate 30 The desiccant (32; desiccant) is enclosed in the inner surface of the).

상기 인캡슐레이션 구조를 공정적으로 설명해보면, 제 1 기판(10) 상에 유기전계발광 다이오드 소자(E)를 형성한 다음, 상기 제 1 기판(10)의 테두리부에 UV(ultra violet) 경화용 씰런트로 이루어진 씰패턴(50)을 형성하고, 상기 제 제 1, 2 기판(10, 30)을 합착하는 공정에 의해 이루어진다. Referring to the encapsulation structure, the organic light emitting diode device E is formed on the first substrate 10, and then UV (ultraviolet) curing is performed on the edge of the first substrate 10. It is formed by a process of forming a seal pattern 50 made of a sealant, and bonding the first and second substrates 10 and 30 together.

도면으로 상세히 제시하지 않았지만, 상기 비표시 영역(NDR)에 노출된 제 1 전극(12)의 끝단부는 패드부(I)에 해당되며, 상기 패드부(I)는 외부회로와의 전기적 연결을 위한 외부회로 연결수단(60)과 연결된다. Although not shown in detail in the drawings, an end portion of the first electrode 12 exposed to the non-display area NDR corresponds to a pad portion I, and the pad portion I is used for electrical connection with an external circuit. It is connected to the external circuit connecting means 60.

한 예로, 상기 외부회로 연결수단(60)은 FPC(flexible panel connector), TCP(Tape carrier package) 등을 들 수 있다. As an example, the external circuit connection means 60 may be a flexible panel connector (FPC), a tape carrier package (TCP), or the like.

이와 같이, 종래에는 유기전계발광 다이오드 소자(E)가 형성된 제 1 기판(10)과 인캡슐레이션용 기판인 제 2 기판(30)을 씰런트로 합착하여 외부 수분 및 외기에 대한 차단을 수행하였다. 상기 씰런트의 재료는 열 경화성 또는 UV(ultra violet) 경화성 에폭시 수지이다.As such, in the related art, the first substrate 10 having the organic light emitting diode device E and the second substrate 30 which is an encapsulation substrate are bonded to each other in a sealant to block external moisture and external air. . The material of the sealant is a heat curable or ultra violet (UV) curable epoxy resin.

그러나, 전술한 유기전계발광소자는 화면 구동 특성상, 발광과 동시에 열이 발산하게 되는데, 이에 따라 씰패턴, 즉 열 경화성 또는 UV 경화성 에폭시 수지와 기판 간의 열팽창 계수차에 의해 계면부에서 변형력이 발생하여, 외부의 수분 및 외기가 제대로 차단되지 못하는 문제점이 있었다. 또한 유기전계발광소자 외에 액정표시장치에서도 상기와 같은 문제가 발생함은 당연하다.However, the aforementioned organic electroluminescent device emits heat at the same time as light emission due to the characteristics of the screen driving. Accordingly, the deformation force is generated at the interface part due to the difference in the thermal expansion coefficient between the seal pattern, that is, the thermosetting or UV curable epoxy resin and the substrate. , There was a problem that the external moisture and outside air is not properly blocked. In addition to the organic light emitting device, the above problems occur in the liquid crystal display.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 외부 수분 및 외기가 장치 내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 구조의 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a display device having a structure that can effectively prevent the penetration of external moisture and outside air into the device.

이를 위하여, 본 발명에서는 상, 하부 기판을 합착하는 경우에 있어, 상기 상, 하부 기판을 이루어는 물질과 동일한 열팽창률을 갖는 물질로 패턴을 형성한다. 특히, 표시장치에 있어 상기 상, 하부 기판은 유리로 이루어지며, 따라서 상기 유리와 열팽창률이 실질적으로 동일한 글래스프릿을 이용한다.To this end, in the present invention, when the upper and lower substrates are bonded to each other, a pattern is formed of a material having the same thermal expansion coefficient as that of the upper and lower substrates. In particular, in the display device, the upper and lower substrates are made of glass, and thus, glass frit having substantially the same thermal expansion coefficient as the glass is used.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제 1 실시예로써, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드와; 상기 제 1 기판 상부로 일정 간격 이격하여 배치되는 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 가장자리에 형성되어 밀폐된 내부 공간을 형성하는 글래스프릿(glass frit) 패턴을 포함하는 표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a first embodiment, a first substrate; A plurality of thin film transistors formed on the first substrate; An organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; A second substrate spaced apart from each other by a predetermined distance above the first substrate; A display device includes a glass frit pattern formed at an edge between the first substrate and the second substrate to form a sealed inner space.

제 2 실시예로, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와; 내면과 상기 내면에서 연장되는 네 측면을 갖고, 상기 제 1 기판과 상기 네 측면이 접촉하여 내부 공간을 형성하는 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 상기 네 측면의 경계를 따라 형성되어, 상기 내부 공간을 밀폐시키는 유리재질의 글래스프릿 패턴을 포함하는 표시장치를 제공한다.In a second embodiment, a first substrate; A plurality of thin film transistors formed on the first substrate; A second substrate having an inner surface and four side surfaces extending from the inner surface, wherein the second substrate is in contact with the first substrate to form an inner space; A display device is provided along a boundary between the first substrate and the four side surfaces, and includes a glass frit pattern formed of a glass material to seal the internal space.

또한 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과; 상기 제 1 기판과 대향하여 배치된 제 2 기 판과; 상기 제 2 기판 상에 형성되는 공통전극과; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이 가장자리에 형성되어 내부 공간을 형성하는 글래스프릿 패턴과; 상기 내부 공간에, 상기 화소전극과 상기 공통전극 사이로 형성되는 액정층을 포함하는 표시장치를 제공한다.A first substrate; A thin film transistor formed on the first substrate; A pixel electrode connected to the thin film transistor; A second substrate disposed to face the first substrate; A common electrode formed on the second substrate; A glass frit pattern formed at an edge between the first substrate and the second substrate to form an inner space; A display device including a liquid crystal layer formed between the pixel electrode and the common electrode in the internal space.

여기서, 상기 글래스프릿 패턴은 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 실질적으로 동일한 열팽창률을 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 유리기판인 것을 특징으로 할 수 있다.The glass frit pattern may have a coefficient of thermal expansion that is substantially the same as that of the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate may be glass substrates.

제 1 및 제 2 실시예에 있어, 상기 유기전계발광 다이오드는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 유기전계발광층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the first and second embodiments, the organic light emitting diode comprises a first electrode, a second electrode on the first electrode, and an organic light emitting layer between the first electrode and the second electrode. It is done.

또한 제 1 실시예에 있어, 상기 유기전계발광 다이오드는 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 제 2 기판에는 흡습수단이 형성되어 있는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, in the first embodiment, the organic light emitting diode may be formed on the first substrate, and the second substrate may be provided with a moisture absorbing means.

그리고 제 2 실시예에 있어, 상기 유기전계발광 다이오드는 상기 제 2 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the second embodiment, the organic light emitting diode is formed on the second substrate.

본 발명은 제 4 실시예로, 제 1 기판 상에 다수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판 상부에 일정 간격 이격하여 제 2 기판을 배치시키는 단계와; 내부 공간이 형성되도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이 가장자리에 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.According to a fourth embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a plurality of thin film transistors on a first substrate; Forming an organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; Disposing a second substrate spaced apart from each other on the first substrate by a predetermined distance; And forming a glass frit pattern at an edge between the first substrate and the second substrate so that an internal space is formed.

제 5 실시예로, 제 1 기판 상에 다수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드를 형성하는 단계와; 내면과 상기 내면으로부터 연장된 네 측면을 갖는 제 2 기판을, 상기 네 측면이 상기 제 1 기판과 접촉하여 내부 공간이 형성되도록 배치하는 단계와; 상기 네 측면과 상기 제 1 기판과의 경계를 따라 글래스피릿 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.In a fifth embodiment, forming a plurality of thin film transistors on a first substrate; Forming an organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; Disposing a second substrate having an inner surface and four sides extending from the inner surface such that the four sides contact the first substrate to form an inner space; And forming a glass spirit pattern along a boundary between the four side surfaces and the first substrate.

또한, 제 6 실시예로, 제 1 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와; 제 2 기판 상에, 상기 화소전극과 대응하는 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 소정 간격 이격하도록 배치하는 단계와; 내부 공간이 형성되도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 글래스프릿을 형성하는 단계와; 상기 내부 공간에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.Further, in a sixth embodiment, forming a thin film transistor on a first substrate; Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor; Forming a common electrode on the second substrate, the common electrode corresponding to the pixel electrode; Disposing the first substrate and the second substrate to be spaced apart from each other by a predetermined distance; Forming a glass frit between the first substrate and the second substrate such that an inner space is formed; It provides a method of manufacturing a display device comprising the step of forming a liquid crystal layer in the inner space.

제 4 및 제 6 실시예에 있어, 상기 글래스프릿 패턴의 형성 단계는, 레이저 또는 빔 히터를 이용하여 글래스프릿 바(bar)를 용융시키는 단계와; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 상기 용융된 글래스프릿 바를 이용하여 상기 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.In the fourth and sixth embodiments, the forming of the glass frit pattern may include melting the glass frit bar using a laser or a beam heater; The glass substrate may be formed between the first substrate and the second substrate by using the molten glass frit bar.

제 5 실시예에 있어, 상기 글래스프릿 패턴의 형성 단계는, 레이저 또는 빔 히터를 이용하여 글래스프릿 바를 용융시키는 단계와; 상기 제 2 기판의 네 측면과 상기 제 1 기판의 경계를 따라 상기 용융된 글래스프릿 바를 이용하여 상기 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다. In the fifth embodiment, the forming of the glass frit pattern may include melting the glass frit bar using a laser or a beam heater; The glass frit pattern may be formed by using the molten glass frit bar along a boundary between four sides of the second substrate and the first substrate.

또한 제 4 실시예에 있어, 상기 제 2 기판 상에 흡수수단을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, In a fourth embodiment, the method may further include forming absorbing means on the second substrate.

제 4 및 제 5 실시예에 있어, 상기 유기전계발과 다이오드의 형성 단계는, 상기 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기전계발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the fourth and fifth embodiments, the organic development and the forming of the diode may include forming a first electrode on the first substrate; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic electroluminescent layer.

또한 제 4 및 제 5 실시예에 있어, 상기 유기전계발과 다이오드의 형성 단계는, 상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기전계발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the fourth and fifth embodiments, the organic development and the forming of the diode may include forming a first electrode on the second substrate; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic electroluminescent layer.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼패널 타입 유기전계발광소자의 기판 경계 부분에 대한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a substrate boundary of a dual panel type organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광소자는 제 1 기판(110)과, 제 2 기판(160)과, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(160) 사이의 가장자리를 따라 형성되어 있는 글래스프릿(glass frit) 패턴(170)을 포함한다. 상기 제 1 기판(110) 상에는 표시 영역(DR)과 비표시영역(NDR)이 정의되어 있으며, 상기 표시 영역에(DR)는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 구동 박막트랜지스터(TD)가 형성되어 있다. As shown, the dual panel type organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes a first substrate 110, a second substrate 160, the first substrate 110 and a second substrate ( A glass frit pattern 170 is formed along the edge between the 160. A display area DR and a non-display area NDR are defined on the first substrate 110, and a switching thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor TD are formed in the display area DR. have.

또한 상기 제 2 기판(160) 상에는 제 1 전극(114), 유기전계발광층(148), 제 2 전극(142)이 차례로 적층되어 유기전계발광 다이오드(E)를 이룬다. 상기 유기전계발광층(148)의 상, 하부에는 제 1 및 제 2 캐리어 전달층(150, 146)이 형성되어 있다.In addition, the first electrode 114, the organic light emitting layer 148, and the second electrode 142 are sequentially stacked on the second substrate 160 to form an organic light emitting diode (E). First and second carrier transfer layers 150 and 146 are formed on and under the organic light emitting layer 148.

상기 제 1 기판(110)에 대하여 자세히 설명하면, 상기 제 1 기판 상(110)에는 상기 구동 박막트랜지스터(TD)가 형성된다. 상기 구동 박막트랜지스터(TD)는 게이트 전극(112), 반도체층(116), 소스 전극(118) 및 드레인 전극(120) 등을 포함한다. 상기 제 1 기판(110) 상에 게이트 전극(112)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(112)을 덮는 위치에 게이트 절연막(114)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절 연막(114) 상부에는 상기 게이트 전극(112)에 대응하여 액티브층(116a)과 오믹콘택층(116b)로 이루어지는 반도체층(116)이 형성되어 있다. 또한, 상기 반도체층(116) 상부에는 서로 이격되게 소스 전극(118) 및 드레인 전극(120)이 형성되어 있다. Referring to the first substrate 110 in detail, the driving thin film transistor TD is formed on the first substrate 110. The driving thin film transistor TD includes a gate electrode 112, a semiconductor layer 116, a source electrode 118, a drain electrode 120, and the like. A gate electrode 112 is formed on the first substrate 110, a gate insulating layer 114 is formed at a position covering the gate electrode 112, and the gate is formed on the gate insulating layer 114. The semiconductor layer 116 including the active layer 116a and the ohmic contact layer 116b is formed corresponding to the electrode 112. In addition, a source electrode 118 and a drain electrode 120 are formed on the semiconductor layer 116 to be spaced apart from each other.

상기 반도체층(116)은 순수 비정질 실리콘 물질로 이루어진 액티브층(116a)과, 불순물 비정질 실리콘 물질로 이루어진 오믹콘택층(116b)으로 이루어지고, 상기 소스 전극(118) 및 드레인 전극(120) 간 이격구간에는 상기 오믹콘택층(116b)이 제거되어 있고, 노출된 액티브층(116a) 영역은 채널을 이룬다. The semiconductor layer 116 includes an active layer 116a made of pure amorphous silicon material and an ohmic contact layer 116b made of impurity amorphous silicon material, and is spaced apart from the source electrode 118 and the drain electrode 120. In the section, the ohmic contact layer 116b is removed, and the exposed active layer 116a forms a channel.

상기 구동 박막트랜지스터(TD)를 덮는 영역에는, 상기 드레인 전극(120)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀이 형성되어 있는 보호층(122)이 적층되어 있다. In the region covering the driving thin film transistor TD, a protective layer 122 having a drain contact hole for partially exposing the drain electrode 120 is formed.

상기 보호층(122) 상부에는 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(TD)의 드레인 전극(120)과 연결되는 연결전극(124)이 형성되어 있다. 상기 연결전극(124)은 연결패턴(130)을 통하여 상기 제 2 기판(160)의 제 2 전극(142)과 연결되며, 결과적으로 상기 드레인 전극(120)은 상기 연결전극(124)과 상기 연결패턴(130을 통하여 상기 제 2 기판(160) 상의 제 2 전극(142)과 전기적으로 연결된다. A connection electrode 124 is formed on the passivation layer 122 to be connected to the drain electrode 120 of the driving thin film transistor TD through a drain contact hole. The connection electrode 124 is connected to the second electrode 142 of the second substrate 160 through the connection pattern 130. As a result, the drain electrode 120 is connected to the connection electrode 124. The pattern 130 is electrically connected to the second electrode 142 on the second substrate 160.

상기 제 2 기판(160)은 상기 제 1 기판(110)의 비 표시 영역(NDR)을 노출시키며, 상기 제 1 기판(110) 상부에 배치된다. 그리고 상기 제 1 기판(110)과 상기 제 2 기판(160) 사이에 상기 글래스프릿 패턴(170)이 형성되어 내부 공간을 밀폐시킨다.The second substrate 160 exposes the non-display area NDR of the first substrate 110 and is disposed on the first substrate 110. The glass frit pattern 170 is formed between the first substrate 110 and the second substrate 160 to seal an internal space.

상기 제 1 및 제 2 기판(110, 160)은 주로 유리기판이며, 상기 글래스프릿 패턴(170)은 유리와 실질적으로 동일한 열팽창률을 갖는다. 유리의 열팽창계수는 0.5*10-6/K이다. 상기 글래스프릿 패턴(170)은 레이저(laser)나 빔 히터(beam heater)에 의해 글래스프릿 바(glass frit bar, 미도시)를 용융하고, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 160) 사이의 가장자리에 삽입되어 고화된다. 용융 상태의 글래스프릿이 내부 공간으로 들어가는 막기 위하여 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 160) 사이에 격벽(미도시)이 형성될 수도 있다.The first and second substrates 110 and 160 are mainly glass substrates, and the glass frit pattern 170 has substantially the same coefficient of thermal expansion as glass. The coefficient of thermal expansion of glass is 0.5 * 10-6 / K. The glass frit pattern 170 melts a glass frit bar (not shown) by a laser or a beam heater, and between the first and second substrates 110 and 160. Inserted into the edge and solidified. A partition wall (not shown) may be formed between the first and second substrates 110 and 160 to prevent the molten glass frit from entering the internal space.

본 실시예에서와 같이, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 160)의 합착 패턴을 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 160)과 실질적으로 동일한 열팽창률을 갖는 글래스프릿으로 형성함으로써, 표시장치의 제조 공정이나 작동 과정에서 발생하는 열에 의해 상기 제 1 또는 제 2 기판(110, 160)과 합착 패턴 사이에 생길 수 있는 변형을 방지할 수 있다. 상기 글래스프릿 패턴(170)에 의해 내부 공간이 밀폐되어, 외부 습기 등이 내부 공간으로 침투하는 것이 방지되기 때문에, 내부 소자의 오염에 따른 화상 품질의 저하나 제품 수명의 단축을 막을 수 있다.As in the present embodiment, the bonding patterns of the first and second substrates 110 and 160 are formed of glass frit having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the first and second substrates 110 and 160. Deformation that may occur between the first or second substrates 110 and 160 and the bonding pattern may be prevented by heat generated during the manufacturing process or the operation of the device. Since the inner space is sealed by the glass frit pattern 170, and external moisture and the like are prevented from penetrating into the inner space, deterioration of image quality and shortening of product life due to contamination of the internal device can be prevented.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 대한 개략적인 단면도로, 특히 유기전계발광소자의 경우를 도시한다.3 is a schematic cross-sectional view of a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, in particular an organic light emitting display device.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 표시영역(DR)과 비표시영역(NDR)이 정의되어 있는 제 1 기판(210)과, 상기 표시영역(DR)에 대응하며 상기 제 1 기판(210)과 대향되게 배치된 제 2 기판(230)과, 상 기 제 1, 2 기판(210, 230)의 가장자리에 형성되는 글래스프릿 패턴(240)을 포함하고 있다. 상기 글래스프릿 패턴(240)에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 230) 사이에 밀폐된 내부 공간이 형성된다.As shown in the drawing, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention has a display area DR and a non-display area NDR defined in the first substrate 210 and the display area DR. And a second substrate 230 corresponding to the first substrate 210 and a glass frit pattern 240 formed at edges of the first and second substrates 210 and 230. An inner space sealed between the first and second substrates 210 and 230 is formed by the glass frit pattern 240.

상기 내부 공간에는, 상기 제 1 기판(210)의 표시영역(DR) 위에 제 1 전극(212), 유기전계발광층(214), 제 2 전극(222)이 차례로 적층된 구조의 유기전계발광 다이오드(E)가 형성되어 있다.In the internal space, an organic light emitting diode having a structure in which a first electrode 212, an organic light emitting layer 214, and a second electrode 222 are sequentially stacked on the display area DR of the first substrate 210. E) is formed.

도시하지 않았으나, 상기 제 1 기판(210) 상에는 상기 제 1 전극(212)과 연결되는 다수의 박막트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 다수의 박막트랜지스터를 통하여 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전압이 인가된다.Although not shown, a plurality of thin film transistors connected to the first electrode 212 are formed on the first substrate 210, and a voltage is applied to the organic light emitting diode E through the plurality of thin film transistors. do.

상기 제 2 기판(230) 상에는 흡습수단인 흡습제(250)가 형성되어 내부 공간의 습기를 제거한다.An absorbent 250, which is a moisture absorbing means, is formed on the second substrate 230 to remove moisture from the internal space.

상기 제 2 기판(230)은 내면(232)과 상기 내면으로부터 수직하게 연장되는 네 측면(234)을 갖고, 상기 네 측면(234)이 상기 제 1 기판(210)과 접촉하여 내부 공간을 형성한다. 상기 내부 공간에 전술한 구동 박막트랜지스터(미도시), 유기전계발광 다이오드(E) 등이 배열된다. 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 230)에 의하여 형성되는 내부 공간을 밀폐시키기 위하여 상기 네 측면(234)과 상기 제 1 기판(210)의 경계를 따라 상기 글래스 프릿 패턴(240)이 형성된다. 상기 글래스프릿 패턴(240)은 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 230)과 실질적으로 동일한 특성을 갖는다. 특히, 상기 글래스프릿 패턴(240)의 열팽창률이 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 230)과 실질적으로 동일하도록 선택함으로써, 제조 공정이나 또는 유기전계발광소자의 구동 과정에서 발생하는 열에 의한 영향이 없도록 한다. 상기 글래스프릿 패턴(240)은 글래스 프릿 바(미도시)를 상기 제 1 기판 및 제 2 기판과 접촉되지 않은 상태에서 레이저나 빔 히터를 이용하여 용융시키고, 상기 제 1 기판(210)과 상기 제 2 기판(230)의 네 측면(234)과의 경계를 따라 용융된 글래스 프릿을 떨어뜨림으로써 형성할 수 있다. The second substrate 230 has an inner surface 232 and four side surfaces 234 extending vertically from the inner surface, and the four side surfaces 234 contact the first substrate 210 to form an internal space. . The aforementioned driving thin film transistor (not shown), the organic light emitting diode E, and the like are arranged in the internal space. The glass frit pattern 240 is formed along a boundary between the four side surfaces 234 and the first substrate 210 to seal the internal space formed by the first and second substrates 210 and 230. . The glass frit pattern 240 has substantially the same characteristics as the first and second substrates 210 and 230. In particular, by selecting so that the thermal expansion coefficient of the glass frit pattern 240 is substantially the same as the first and second substrates 210 and 230, the influence of heat generated during the manufacturing process or the driving process of the organic light emitting device Do not have this. The glass frit pattern 240 melts a glass frit bar (not shown) by using a laser or a beam heater while not in contact with the first substrate and the second substrate, and the first substrate 210 and the first substrate. 2 may be formed by dropping the molten glass frit along the boundary with the four sides 234 of the substrate 230.

도 4는 본 발명에 따라 글래스프릿 패턴을 형성하는 상태에 대한 사시도이다. 4 is a perspective view of a state of forming a glass frit pattern according to the present invention.

도시된 바와 같이, 제 1 기판(310)과 제 2 기판(330)이 글래스프릿 패턴(340)에 의해 밀폐된다. 상기 제 2 기판(330)은 내면(332)과 상기 내면으로부터 연장된 네 측면(334)을 갖고, 상기 네 측면(334)이 상기 제 1 기판(310)과 접촉함으로써 내부 공간이 형성되며, 상기 글래스프릿 패턴(340)에 의해 상기 내부 공간이 밀폐된다.As shown, the first substrate 310 and the second substrate 330 are sealed by the glass frit pattern 340. The second substrate 330 has an inner surface 332 and four side surfaces 334 extending from the inner surface, and an inner space is formed by the four side surfaces 334 contacting the first substrate 310. The inner space is sealed by the glass frit pattern 340.

상기 글래스프릿 패턴(340)은 유기전계발광소자로부터 이격되어 있는 글래스프릿 바(360)를 가열하여 용융시키고, 상기 네측면(334)과 상기 제 1 기판(310)의 접촉 경계를 따라 떨어뜨림으써 형성된다. 상기 글래스프릿 바(360)의 용융은 레이저나 빔 히터에 의할 수 있다. 상기 글래스프릿 바(360)가 유기전계발광소자로부터 이격되어 용융되기 때문에, 용융과정에서의 열에 의해 유기전계발광소자가 훼손되지 않는다.The glass frit pattern 340 heats and melts the glass frit bar 360 spaced apart from the organic light emitting diode, and drops the glass frit pattern 340 along the contact boundary between the four sides 334 and the first substrate 310. Is formed. The melting of the glass frit bar 360 may be performed by a laser or a beam heater. Since the glass frit 360 is spaced apart from the organic light emitting diode and melted, the organic light emitting diode is not damaged by heat during the melting process.

표시장치를 이루는 제 1 및 제 2 기판 사이의 밀봉 패턴을 통해 외부의 습기 등이 침투하는 문제는 유기전계발광소자에서 뿐만 아니라 액정표시장치에서도 발생한다. 액정표시장치의 경우, 박막트랜지스터, 화소전극 등이 형성되어 있는 제 1 기판과, 상기 화소전극에 대응하는 공통전극 등이 형성되어 있는 제 2 기판이 합착되며, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정층이 개재된다. 상기 액정층이 형성되어 있는 내부 공간을 밀폐하기 위하여 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 가장자리를 따라 씰 패턴이 형성되며, 이러한 경우에도 상기와 같은 외부 습기의 침투 문제가 발생한다.The problem that external moisture or the like penetrates through the sealing pattern between the first and second substrates constituting the display device occurs not only in the organic light emitting display device but also in the liquid crystal display device. In the case of a liquid crystal display, a first substrate on which a thin film transistor, a pixel electrode, or the like is formed, and a second substrate on which a common electrode, etc., corresponding to the pixel electrode, are formed are bonded to each other, and between the first substrate and the second substrate. The liquid crystal layer is interposed. In order to seal the internal space in which the liquid crystal layer is formed, a seal pattern is formed along an edge between the first substrate and the second substrate, and in this case, the problem of penetration of external moisture also occurs.

본 발명의 제 1 및 제 2 실시예를 통하여 설명한 바와 동일하게, 액정표시장치에 있어서도 글래스프릿 패턴을 이용한 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이 내부 공간의 밀폐가 가능함은 물론이다.As described with reference to the first and second embodiments of the present invention, the liquid crystal display may also be sealed in the internal space between the first substrate and the second substrate using the glass frit pattern.

도시하지 않았으나, 상기 제 1 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터가 형성되며, 또한 상기 박막트랜지스터와 연결되는 투명한 화소전극이 형성된다. 또한 상기 제 2 기판에는 상기 화소전극과 대응되며, 상기 화소전극과의 사이에서 전계를 형성하는 공통전극이 형성되어 있다. 상기 제 2 기판 상에는 적색, 녹색, 청색을 발현하는 컬러필터층이 형성된다.Although not shown, a thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode is formed on the first substrate, and a transparent pixel electrode connected to the thin film transistor is formed. In addition, a common electrode is formed on the second substrate to correspond to the pixel electrode and to form an electric field between the pixel electrode. A color filter layer expressing red, green, and blue is formed on the second substrate.

상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하고, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층이 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 가장자리를 글래스프릿 패턴을 이용하여 밀폐시킨다. 상기 글래스프릿 패턴은 상기 제 1 및 제 2 기판과 열 팽창률 등의 특성이 실질적으로 동일하다. 따라서, 제조 공정이나 구동 과정에서의 가열에 의해 변형 등이 일어나지 않고, 외부의 습기 등이 상기 제 1 및 제 2 기판 사이로 침투하여 상기 액정층을 오염시키는 것이 방지된다.The first substrate and the second substrate are bonded to each other, a liquid crystal layer is interposed between the first substrate and the second substrate, and the edge between the first and second substrates is sealed using a glass frit pattern. The glass frit pattern has substantially the same properties as the first and second substrates, such as thermal expansion rate. Therefore, deformation or the like does not occur due to heating in the manufacturing process or the driving process, and external moisture or the like is prevented from penetrating between the first and second substrates and contaminating the liquid crystal layer.

이상과 같이, 본 발명에 따른 글래스프릿 패턴을 가지는 유기전계발광 소자 및 액정표시장치는, 상기 유기전계발광소자 또는 액정표시장치를 이루는 상, 하부 기판 사이의 상기 글래스프릿 패턴이 상기 상, 하부 기판과 동일한 열팽창을 가지기 때문에, 제조 공정이 구동 과정에서 발생하는 열에 의한 문제가 방지된다. 즉, 서로 열팽창률이 동일하기 때문에 기판이 가열되어도 기판과 글래스프릿 패턴 사이에 틈이 생기지 않고 따라서 외부 수분 등이 내부 공간으로 침투되는 것을 막게 된다. 또한 글래스프릿을 이용한 패턴은 종래 에폭시 수지 등으로 이루어지는 패턴에 비하여 외부 수분 등의 침투 방지에 더욱 효과적이다.As described above, in the organic light emitting display device and the liquid crystal display device having the glass frit pattern according to the present invention, the glass frit pattern between the upper and lower substrates forming the organic light emitting display device or the liquid crystal display device is the upper and lower substrates. Since it has the same thermal expansion as, the problem caused by heat generated in the manufacturing process is prevented. That is, since the thermal expansion coefficients are the same, no gap is formed between the substrate and the glass frit pattern even when the substrate is heated, thereby preventing external moisture or the like from penetrating into the internal space. In addition, the pattern using the glass frit is more effective in preventing the penetration of external moisture and the like compared to the pattern made of a conventional epoxy resin or the like.

따라서, 화상 품질의 향상 및 제품 수명의 증대를 가져온다.This results in an improvement in image quality and an increase in product life.

Claims (17)

제 1 기판과;A first substrate; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와;A plurality of thin film transistors formed on the first substrate; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드와;An organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; 상기 제 1 기판 상부로 일정 간격 이격하여 배치되는 제 2 기판과;A second substrate spaced apart from the first substrate at a predetermined interval; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 가장자리에 형성되어 밀폐된 내부 공간을 형성하는 글래스프릿(glass frit) 패턴A glass frit pattern formed at an edge between the first substrate and the second substrate to form a closed inner space. 을 포함하는 표시장치.Display device comprising a. 제 1 기판과;A first substrate; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와;A plurality of thin film transistors formed on the first substrate; 내면과 상기 내면에서 연장되는 네 측면을 갖고, 상기 제 1 기판과 상기 네 측면이 접촉하여 내부 공간을 형성하는 제 2 기판과; A second substrate having an inner surface and four side surfaces extending from the inner surface, wherein the second substrate is in contact with the first substrate to form an inner space; 상기 제 1 기판과 상기 네 측면의 경계를 따라 형성되어, 상기 내부 공간을 밀폐시키는 유리재질의 글래스프릿 패턴A glass frit pattern of glass material formed along a boundary between the first substrate and the four side surfaces to seal the internal space. 을 포함하는 표시장치.Display device comprising a. 제 1 기판과;A first substrate; 상기 제 1 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터와;A thin film transistor formed on the first substrate; 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과;A pixel electrode connected to the thin film transistor; 상기 제 1 기판과 대향하여 배치된 제 2 기판과;A second substrate disposed opposite the first substrate; 상기 제 2 기판 상에 형성되는 공통전극과;A common electrode formed on the second substrate; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이 가장자리에 형성되어 내부 공간을 형성하는 글래스프릿 패턴과;A glass frit pattern formed at an edge between the first substrate and the second substrate to form an inner space; 상기 내부 공간에, 상기 화소전극과 상기 공통전극 사이로 형성되는 액정층A liquid crystal layer formed between the pixel electrode and the common electrode in the inner space 을 포함하는 표시장치.Display device comprising a. 제 1 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 글래스프릿 패턴은 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 실질적으로 동일한 열팽창률을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the glass frit pattern has a coefficient of thermal expansion substantially the same as that of the first substrate and the second substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 유리기판인 것을 특징으로 하는 표시장치.And the first substrate and the second substrate are glass substrates. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 유기전계발광 다이오드는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 유기전계발광층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the organic light emitting diode comprises a first electrode, a second electrode on the first electrode, and an organic light emitting layer between the first electrode and the second electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기전계발광 다이오드는 상기 제 1 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the organic light emitting diode is formed on the first substrate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 기판에는 흡습수단이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a moisture absorption means is formed on the second substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유기전계발광 다이오드는 상기 제 2 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the organic light emitting diode is formed on the second substrate. 제 1 기판 상에 다수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; Forming a plurality of thin film transistors on the first substrate; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드를 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; 상기 제 1 기판 상부에 일정 간격 이격하여 제 2 기판을 배치시키는 단계와;Disposing a second substrate spaced apart from each other on the first substrate by a predetermined distance; 내부 공간이 형성되도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이 가장자리에 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계Forming a glass frit pattern at an edge between the first substrate and the second substrate so that an internal space is formed 를 포함하는 표시장치의 제조방법. Method of manufacturing a display device comprising a. 제 1 기판 상에 다수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a plurality of thin film transistors on the first substrate; 상기 다수의 박막트랜지스터와 연결되는 유기전계발광 다이오드를 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting diode connected to the plurality of thin film transistors; 내면과 상기 내면으로부터 연장된 네 측면을 갖는 제 2 기판을, 상기 네 측면이 상기 제 1 기판과 접촉하여 내부 공간이 형성되도록 배치하는 단계와;Disposing a second substrate having an inner surface and four sides extending from the inner surface such that the four sides contact the first substrate to form an inner space; 상기 네 측면과 상기 제 1 기판과의 경계를 따라 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계Forming a glass frit pattern along a boundary between the four sides and the first substrate 를 포함하는 표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a display device comprising a. 제 1 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the first substrate; 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와;Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor; 제 2 기판 상에, 상기 화소전극과 대응하는 공통전극을 형성하는 단계와;Forming a common electrode on the second substrate, the common electrode corresponding to the pixel electrode; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 소정 간격 이격하도록 배치하는 단계와;Disposing the first substrate and the second substrate to be spaced apart from each other by a predetermined distance; 내부 공간이 형성되도록, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 글래스프릿을 형성하는 단계와;Forming a glass frit between the first substrate and the second substrate such that an inner space is formed; 상기 내부 공간에 액정층을 형성하는 단계Forming a liquid crystal layer in the inner space 를 포함하는 표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a display device comprising a. 제 10 항 또는 제 12 항에 있어서, The method according to claim 10 or 12, 상기 글래스프릿 패턴의 형성 단계는,Forming the glass frit pattern, 레이저 또는 빔 히터를 이용하여 글래스프릿 바(bar)를 용융시키는 단계와;Melting the glass frit bar using a laser or beam heater; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 상기 용융된 글래스프릿 바를 이용하여 상기 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And forming the glass frit pattern between the first substrate and the second substrate by using the molten glass frit bar. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 글래스프릿 패턴의 형성 단계는,Forming the glass frit pattern, 레이저 또는 빔 히터를 이용하여 글래스프릿 바를 용융시키는 단계와;Melting the glass frit bar using a laser or beam heater; 상기 제 2 기판의 네 측면과 상기 제 1 기판의 경계를 따라 상기 용융된 글래스프릿 바를 이용하여 상기 글래스프릿 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And forming the glass frit pattern using the molten glass frit bar along a boundary between four sides of the second substrate and the first substrate. 제 10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제 2 기판 상에 흡수수단을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 표시장치의 제조방법.And forming an absorbing means on the second substrate. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 유기전계발과 다이오드의 형성 단계는,Forming the organic development and diode, 상기 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on the first substrate; 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the first electrode; 상기 유기전계발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And forming a second electrode on the organic light emitting layer. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 유기전계발과 다이오드의 형성 단계는,Forming the organic development and diode, 상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on the second substrate; 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the first electrode; 상기 유기전계발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And forming a second electrode on the organic light emitting layer.
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