KR20070121974A - Organic light emitting display and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20070121974A
KR20070121974A KR1020060056861A KR20060056861A KR20070121974A KR 20070121974 A KR20070121974 A KR 20070121974A KR 1020060056861 A KR1020060056861 A KR 1020060056861A KR 20060056861 A KR20060056861 A KR 20060056861A KR 20070121974 A KR20070121974 A KR 20070121974A
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organic light
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김중철
전창훈
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Abstract

An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a degradation of an image quality by dispersing an ESD due to an external contact by eliminating the ESD on a substrate and a light emitting region. An organic light emitting display device includes an array substrate(10), a seal substrate(300), and an ESD eliminating layer(240). An organic light emitting layer is formed on the array substrate. The seal substrate protects the array substrate. The ESD eliminating layer is formed on the array substrate. The ESD eliminating layer is made of a transparent conductive material. The ESD eliminating layer is made of an ITO(Indium Tin Oxide) or an IZO(Indium Zinc Oxide). The ESD eliminating layer is formed on a rear surface of the array substrate without the light emitting layer.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

도 1은 종래 기술에 의한 유기 발광 표시 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to the prior art.

도 2은 종래 기술에 의한 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도.2 is a cross-sectional view of a unit pixel constituting an organic light emitting diode display according to the related art.

도 3a, 도 3b는 종래 기술에 의한 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to the prior art.

도 4는 종래 기술에 의한 유기 발광 표시 장치에서 외부적 요인에 의한 화질불량을 개략적으로 나타낸 도면.4 is a view schematically illustrating a poor image quality due to external factors in the organic light emitting diode display according to the related art.

도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 단면도.5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도.6 is a cross-sectional view of a unit pixel constituting an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 7a, 도 7b, 도 7c는 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도.7A, 7B, and 7C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 8는 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도.8 is a cross-sectional view of a unit pixel of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 9a, 도 9b, 도 9c는 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도.9A, 9B, and 9C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>

10: 기판 20: 보호층10: substrate 20: protective layer

30: 게이트 전극 40: 게이트 절연막30: gate electrode 40: gate insulating film

50: 채널층 60: 에치 스톱퍼50: channel layer 60: etch stopper

70a: 소스 전극 70b: 드레인 전극 70a: source electrode 70b: drain electrode

80: 화소 전극 90: 보호층80: pixel electrode 90: protective layer

100: 유기 발광층 110: 반사 전극층100: organic light emitting layer 110: reflective electrode layer

240: 제전 처리층 300: 봉지용 기판240: antistatic treatment layer 300: sealing substrate

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 특히 외부환경에 의한 화질불량을 개선할 수 있도록 한 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can improve image quality defects caused by an external environment.

일반적으로 액정표시장치(LCD ; Liquid Crystal Display Device)는 가볍고 전력 소모가 적은 장점이 있어, 평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)로서 가장 많이 사용되고 있다. 그러나, 액정표시장치는 자체 발광소자가 아니므로 밝기, 콘트라스트(contrast), 시야각, 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 평판디스플레이를 개발하려는 노력이 활발하게 전개되고 있고 그중 하나가 자발광의 유기 발광 표시 장치이다.In general, a liquid crystal display device (LCD) has a light weight and low power consumption, and thus is most commonly used as a flat panel display (FPD). However, since LCDs are not self-light emitting devices, there are technical limitations in brightness, contrast, viewing angle, and large area, and efforts to develop a flat panel display that can overcome these disadvantages have been actively developed. One is a self-luminous organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 물질에 순 방향으로 전류를 공급하면, 정 공 제공층인 양극(anode electrode)과 전자 제공층인 음극(cathode electrode)간의 P(positive)-N(negative) 접합(Junction)부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하여, 상기 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지를 가지게 되므로, 이때 발생하는 에너지 차로 인해 빛을 방출하는 원리를 이용하는 것이다.In the organic light emitting diode display, when a current is applied to the organic light emitting material in a forward direction, a P (positive) -N (negative) junction between an anode electrode, which is a hole providing layer, and a cathode electrode, which is an electron providing layer, is applied. Since the electrons and holes are recombined with each other as they move, the electrons and holes have less energy than when the electrons and holes are separated from each other. Therefore, the principle of emitting light due to the difference in energy generated at this time is used.

이러한 유기 발광 표시 장치는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 따라서 저전압 구동을 실현할 수 있어서 소비전력 측면에서도 유리하다.Since the organic light emitting diode display is self-luminous, the viewing angle, contrast, etc. are superior to the liquid crystal display, and since the backlight is not required, the organic light emitting diode display can be light and thin, and thus, low voltage driving can be realized, which is advantageous in terms of power consumption.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치의 단면도이고 도 2은 종래의 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display and FIG. 2 is a cross-sectional view of a unit pixel constituting a conventional organic light emitting display.

도 1을 참조하면, 종래의 유기 발광 표시 장치는 발광소자와 이를 구동하기 위한 박막트랜지스터를 구비한 어레이 기판(1)과 상기 어레이 기판(1)에 대향하도록 합착된 봉지용 기판(30)으로 구성되는바, 상기 어레이 기판(1)은 어레이 배선(미도시)에 의해 다수의 화소부(발광부)가 정의되고, 각 화소부에는 박막 트랜지스터(TFT)와 발광층이 형성된다.Referring to FIG. 1, a conventional organic light emitting display device includes an array substrate 1 having a light emitting element and a thin film transistor for driving the same, and an encapsulation substrate 30 bonded to face the array substrate 1. The array substrate 1 has a plurality of pixel portions (light emitting portions) defined by array wirings (not shown), and a thin film transistor TFT and a light emitting layer are formed in each pixel portion.

상기 어레이 기판(1)은 투명하고 높은 온도에 민감하지 않은 투명한 유리기판을 많이 이용한다.The array substrate 1 uses a transparent glass substrate that is transparent and insensitive to high temperatures.

상기 봉지용 기판(30)은 수분 등의 외부 환경에 의해서 그 성능의 저하 및 수명의 단축 등이 발생하는 것을 방지하기 위하여 만들어진다. 여기서, 상기 봉지용 기판(30)은 금속 재질로 소정의 내부공간이 구비된 평판구조로 제작되며, 봉지용 기판(30)은 어레이 기판(1)의 외주부를 따라 도포된 접착제에 의해서 어레이 기 판(1)과 체결된 구조로 이루어진다.The encapsulation substrate 30 is made to prevent a decrease in performance and a shortening of life due to external environment such as moisture. Here, the encapsulation substrate 30 is made of a flat plate structure having a predetermined internal space made of a metal material, the encapsulation substrate 30 is an array substrate by an adhesive applied along the outer periphery of the array substrate 1 It consists of a structure fastened with (1).

이와 같이 구성된 유기 발광 표시 장치의 상기 어레이 기판(1)에 형성되는 단위화소부의 구성을 설명하면 다음과 같다.The configuration of the unit pixel unit formed on the array substrate 1 of the organic light emitting diode display configured as described above is as follows.

상기 단위화소부는 발광소자와 박막트랜지스터로 구성된다. 즉 상기 어레이 기판(1) 상에 보호층(2)이 형성되고 상기 보호층(2) 상부의 박막트랜지스터 영역에 게이트 전극(3)이 형성된다. 상기 게이트 전극(3)을 포함한 상기 보호층 전면에 게이트 절연막(4)이 형성되고, 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(5)이 형성된다. 상기 채널층(5) 양측에 소오스/드레인전극(7a,7b)이 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극(7a,7b) 사이의 상기 채널층(5) 상부에 채널 영역을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(6)가 형성된다. 그리고 상기 소오스/드레인 전극(7a,7b)을 포함한 기판 전면에 보호막(9)이 형성되고 상기 드레인 전극(7b) 상의 보호막(9)에 콘택홀이 형성되어 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(4) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(7b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(8)이 형성된다. 그리고, 상기 화소전극(8) 위에 유기발광층(10)과 반사전극층(11)이 순차적으로 적층된다. 따라서 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극(3)에 스캔필드가 인가되면 상기 박막트랜지스터가 턴온되어 상기 화소전극(8)에 데이터전압을 공급하므로 화소전극(8)과 반사전극층(11) 사이에 전계가 형성되어, 그 사이에 존재하는 유기 발광층(10)이 발광되므로 어레이 기판(1) 배면 측으로 화상이 표시된다.The unit pixel portion includes a light emitting element and a thin film transistor. That is, the protective layer 2 is formed on the array substrate 1, and the gate electrode 3 is formed in the thin film transistor region above the protective layer 2. A gate insulating film 4 is formed on the entire protective layer including the gate electrode 3, and a channel layer 5 is formed in the thin film transistor region above the gate insulating film. Source / drain electrodes 7a and 7b are formed on both sides of the channel layer 5, and an etch stopper for protecting channel regions on the channel layer 5 between the source / drain electrodes 7a and 7b. 6) is formed. In addition, a passivation layer 9 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 7a and 7b and a contact hole is formed in the passivation layer 9 on the drain electrode 7b to form the gate insulating layer 4 of the light emitting device region. A pixel electrode 8 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the upper portion of the contact hole to contact the drain electrode 7b with a predetermined portion. The organic light emitting layer 10 and the reflective electrode layer 11 are sequentially stacked on the pixel electrode 8. Therefore, when a scan field is applied to the gate electrode 3 of the thin film transistor, the thin film transistor is turned on to supply a data voltage to the pixel electrode 8, thereby forming an electric field between the pixel electrode 8 and the reflective electrode layer 11. As a result, the organic light emitting layer 10 existing therebetween emits light, so that an image is displayed on the rear side of the array substrate 1.

도 3a 내지 도 3b는 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도이다.3A to 3B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional organic light emitting display device.

다음에 상기한 구성의 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Next, a method of manufacturing a conventional organic light emitting display device having the above configuration will be described.

도 3a에 도시된 바와 같이 어레이 기판(1)상에 보호층(2)을 형성한다. As shown in FIG. 3A, a protective layer 2 is formed on the array substrate 1.

이어, 상기 보호층(2) 전면에 게이트 절연막(4)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(3)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(4) 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(5)을 형성한다. 그리고, 상기 채널층(5) 양측에 붕소(B)이나 인(P) 등의 불순물을 주입하고 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(7a,7b)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(7a,7b) 사이의 상기 채널층(5) 상부에 채널 영역을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(6)를 형성한다. 이상의 공정으로 박막트랜지스터가 완성된다. 이어, 상기 소오스/드레인 전극(7a,7b)을 포함한 기판 전면에 보호막(9)을 형성한다. Subsequently, the gate insulating film 4 and the gate electrode conductive film are sequentially stacked on the entire protective layer 2, and then the gate electrode conductive film is patterned to form the gate electrode 3. The channel layer 5 is formed in the thin film transistor region on the gate insulating film 4. Impurities such as boron (B) and phosphorus (P) are implanted on both sides of the channel layer 5 and heat-treated to form source / drain electrodes 7a and 7b of the thin film transistor. An etch stopper 6 is formed on the channel layer 5 between the source / drain electrodes 7a and 7b to protect the channel region. The thin film transistor is completed by the above process. Next, the passivation layer 9 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 7a and 7b.

상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(7a,7b)의 상부 표면이 노출되도록 상기 보호막(9)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.The protective layer 9 is selectively removed to form a contact hole so that the top surfaces of the source / drain electrodes 7a and 7b of the thin film transistor are exposed.

그리고 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(4) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(7b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(8)을 형성한다. 이어, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 화소전극(8) 위에 유기발광층(10)을 형성하고, 알루미늄 등의 금속막을 증착하여 반사전극층(11)을 형성한다. A pixel electrode 8 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the gate insulating layer 4 in the light emitting device region to be in contact with the drain electrode 7b through the contact hole. Subsequently, as illustrated in FIG. 3B, the organic light emitting layer 10 is formed on the pixel electrode 8, and a metal film such as aluminum is deposited to form the reflective electrode layer 11.

이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 유기발광층(10)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위하여 봉지용기판(30)을 장착하여 유기 발광 표시 장치를 완성한 다.Subsequently, although not shown in the drawing, an encapsulation substrate 30 is mounted to protect the organic light emitting layer 10 from oxygen or moisture to complete the organic light emitting display device.

그러나 이와 같은 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 어레이 기판(1)에 정전기가 일어났을 경우 채널층을 이동하는 전하에 변화를 줌으로써 화질 불량을 초래하는 단점이 있다. However, such a conventional organic light emitting diode display has a disadvantage in that the image quality is poor by changing the charge that moves the channel layer when static electricity is generated in the array substrate 1.

즉 외부접촉 특히, 두 물체 사이의 마찰이나 접촉위치의 이동으로 전하의 분리 및 재배열이 일어나서 발생하는 정전기 영향이나 화면에 사람이 접촉하는 등의 외부요인에 의한 정전기로 인하여 도 4(a)에 도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치의 원래 화면의 휘도보다 높게 혹은 도 4(b)에 도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치의 원래 화면의 휘도보다 낮게 나타나게 되는 화질 불량이나 소자의 파괴, 절연막의 파괴 등을 발생시킨다.That is, due to the static electricity caused by the separation or rearrangement of the electric charge due to the external contact, in particular, the friction or movement of the contact position between the two objects, or the static electricity caused by external factors such as human contact with the screen, As shown in FIG. 4B, the image quality may be higher than the original screen luminance or lower than the original screen luminance of the organic light emitting diode display as shown in FIG. Generates.

이러한 정전기 즉, ESD(Electro Stactic Damage)에 의한 화질 불량이나 소자의 파괴, 절연막의 파괴 등은 제품의 불량과 이로 인한 수율을 감소시키는 요인으로 작용한다. Such static electricity, ie, poor image quality due to ESD (Electro Stactic Damage), element breakdown, insulation layer breakdown, and the like, may cause product defects and yields to be reduced.

이와 같은 정전기를 제거하지 않을 경우에는 제품의 수율을 크게 감소시키는데 화면을 육안으로 검사하는 경우, 검사자는 화면을 하나씩 검사하여 양, 부를 판정하게 되는데, 만일 화면에 국부적으로 정전기가 대전된 경우라면, 대전된 부위가 불량처럼 보이게 된다. 다시 말하면, 상기 정전기는 시간이 경과하면 자동적으로 소멸되기 때문에 실제로는 양품이라고 할 수 있으나, 정전기에 의해 얼룩이 발생하여 마치 불량인 것처럼 오인할 수가 있다.If the static electricity is not removed, the yield of the product is greatly reduced. When the screen is visually inspected, the inspector inspects the screens one by one to determine the quantity and quantity. If the static electricity is locally charged on the screen, The charged part looks like a defect. In other words, since the static electricity is automatically extinguished over time, it is actually a good product. However, the static electricity may be stained by the static electricity and may be mistaken as if it is a defective product.

이러한 것을 감안하여 단순한 정전기에 의한 얼룩이 아니라 상기 얼룩이 발 생한 부분에서 다른 결함으로 인해 얼룩이 발생하였음에도 불구하고, 검사자는 단순한 정전기에 의한 얼룩이라고 판단할 수도 있으며, 이는 실제로 불량을 양품으로 판정하게 되는 결과를 초래한다.In view of this, even though the stain is caused by other defects in the spot where the stain occurs, rather than a simple electrostatic stain, the inspector may determine that the stain is simply a static electricity, which is a result of judging the defect as a good product. Cause.

결국, 정전기에 대해 완벽하게 제거하지 않으면, 제품의 수율에 큰 영향을 미치게 되며, 따라서 정전기를 제거하기 위해 여러 가지 방안들이 모색되고 있다.As a result, if the static electricity is not completely removed, the yield of the product will be greatly influenced, and thus, various methods are being sought to remove the static electricity.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 외부환경에 의한 화질불량을 개선할 수 있도록 한 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, which can improve image quality defects caused by an external environment.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층이 형성된 어레이 기판; 상기 어레이 기판을 보호하기 위한 봉지용 기판; 및 상기 어레이 기판에 형성된 제전 처리층을 포함하는 것을 특징으로 한다.In accordance with another aspect of the present invention, an organic light emitting diode display includes: an array substrate on which an organic light emitting layer is formed; An encapsulation substrate for protecting the array substrate; And an antistatic treatment layer formed on the array substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시장치는 어레이 기판 배면에 제전 처리층을 형성하는 단계; 상기 어레이 기판 상부에 게이트 전극과 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 양측에 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역을 노출하는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계; 상기 유 기발광층 상에 반사전극층을 형성하는 단계; 상기 유기발광층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 봉지용기판을 장착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming an antistatic treatment layer on the rear surface of the array substrate; Forming a gate electrode and a gate insulating layer on the array substrate; Forming a channel layer on the thin film transistor region on the gate insulating layer; Forming source / drain electrodes on both sides of the channel layer; Forming a passivation layer having a contact hole exposing a source / drain region of the thin film transistor; Forming a pixel electrode electrically connected to a drain region through a contact hole formed in the passivation layer; Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode; Forming a reflective electrode layer on the organic light emitting layer; And mounting a sealing substrate for protecting the organic light emitting layer from oxygen or moisture.

이하 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 단면도이고 도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of unit pixels forming an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치는 발광소자와 이를 구동하기 위한 박막트랜지스터를 구비한 어레이 기판(10)과 상기 어레이 기판(10) 배면에 형성된 제전 처리층(240), 상기 어레이 기판(10)에 대향하도록 합착된 봉지용 기판(30)으로 구성되는바, 상기 어레이 기판(10)은 어레이 배선(미도시)에 의해 다수의 화소부(발광부)가 정의되고, 각 화소부에는 박막 트랜지스터(TFT)와 발광층이 형성된다.Referring to FIG. 5, an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention includes an array substrate 10 having a light emitting element and a thin film transistor for driving the same, and an antistatic treatment layer formed on the rear surface of the array substrate 10. The encapsulation substrate 30 is bonded to face the array substrate 10. The array substrate 10 includes a plurality of pixel portions (light emitting portions) by array wiring (not shown). In each pixel portion, a thin film transistor TFT and a light emitting layer are formed.

상기 어레이 기판(10)은 투명하고 높은 온도에 민감하지 않은 투명한 유리기판을 많이 이용한다.The array substrate 10 uses a transparent glass substrate that is transparent and insensitive to high temperatures.

상기 제전 처리층(240)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)와 같은 투명한 전도성 물질로 어레이 기판(10)의 배면에 형성된다.The antistatic treatment layer 240 is formed on the rear surface of the array substrate 10 using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 봉지용 기판(300)은 수분 등의 외부 환경에 의해서 그 성능의 저하 및 수명의 단축 등이 발생하는 것을 방지하기 위하여 만들어진다. 여기서, 상기 봉지 용 기판(300)은 금속 재질로 소정의 내부공간이 구비된 평판구조로 제작되며, 봉지용 기판(300)은 어레이 기판(100)의 외주부를 따라 도포된 접착제에 의해서 어레이 기판(10)과 체결된 구조로 이루어진다.The encapsulation substrate 300 is made to prevent a decrease in performance and a shortening of life due to external environment such as moisture. Here, the encapsulation substrate 300 is made of a flat plate structure having a predetermined internal space made of a metal material, the encapsulation substrate 300 is an array substrate (by an adhesive applied along the outer peripheral portion of the array substrate 100) 10) and the structure is fastened.

이와 같이 구성된 유기 발광 표시 장치의 상기 어레이 기판(10)에 형성되는 단위화소부의 구성을 설명하면 다음과 같다.The configuration of the unit pixel unit formed on the array substrate 10 of the organic light emitting diode display configured as described above is as follows.

상기 단위화소부는 발광소자와 박막트랜지스터로 구성된다. 즉 상기 어레이 기판(10) 배면에는 제전 처리층(240)이 형성되고 상기 어레이 기판(10) 상에는 보호층(20)이 형성되고 상기 보호층(20) 상부의 박막트랜지스터 영역에 게이트 전극(30)이 형성된다. 상기 게이트 전극(30)을 포함한 상기 보호층 전면에 게이트 절연막(40)이 형성되고, 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(50)이 형성된다. 상기 채널층(50) 양측에 소오스/드레인 전극(70a,70b)이 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b) 사이의 상기 채널층(50) 상부에 채널 영역을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(60)가 형성된다. 그리고 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b)을 포함한 기판 전면에 보호막(90)이 형성되고 상기 드레인 전극(70b) 상의 보호막(90)에 콘택홀이 형성되어 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(40) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(70b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(80)이 형성된다. 그리고, 상기 화소전극(80) 위에 유기발광층(100)과 반사전극층(110)이 순차적으로 적층된다. 따라서 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극(30)에 스캔필드가 인가되면 상기 박막트랜지스터가 턴온되어 상기 화소전극(80)에 데이터전압을 공급하므로 화소전극(80)과 반사전극층(110) 사이 에 전계가 형성되어, 그 사이에 존재하는 유기 발광층(100)이 발광되므로 어레이 기판(10) 배면 측으로 화상이 표시된다.The unit pixel portion includes a light emitting element and a thin film transistor. That is, an antistatic treatment layer 240 is formed on the rear surface of the array substrate 10, a protective layer 20 is formed on the array substrate 10, and the gate electrode 30 is formed in the thin film transistor region above the protective layer 20. Is formed. The gate insulating layer 40 is formed on the entire protective layer including the gate electrode 30, and the channel layer 50 is formed in the thin film transistor region above the gate insulating layer. Source / drain electrodes 70a and 70b are formed at both sides of the channel layer 50, and an etch stopper for protecting a channel region on the channel layer 50 between the source / drain electrodes 70a and 70b. 60) is formed. A passivation layer 90 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 70a and 70b, and a contact hole is formed in the passivation layer 90 on the drain electrode 70b to form the gate insulating layer 40 in the light emitting device region. A pixel electrode 80 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the upper portion of the contact hole to contact a predetermined portion of the drain electrode 70b through the contact hole. The organic light emitting layer 100 and the reflective electrode layer 110 are sequentially stacked on the pixel electrode 80. Therefore, when a scan field is applied to the gate electrode 30 of the thin film transistor, the thin film transistor is turned on to supply a data voltage to the pixel electrode 80, thereby forming an electric field between the pixel electrode 80 and the reflective electrode layer 110. The organic light emitting layer 100 existing therebetween emits light so that an image is displayed on the rear side of the array substrate 10.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도이다.7A to 7C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

다음에 상기한 구성의 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Next, a method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention having the above-described configuration will be described.

도 7a에 도시된 바와 같이 어레이 기판(10) 배면에 제전 처리층(240)을 형성하고 상기 어레이 기판(10) 상에 보호층(20)을 형성한다. As illustrated in FIG. 7A, an antistatic treatment layer 240 is formed on the rear surface of the array substrate 10, and a protective layer 20 is formed on the array substrate 10.

이어, 도 7b에 도시된 바와 같이 상기 보호층(20) 전면에 게이트 절연막(40)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(30)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(40) 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(50)을 형성한다. 그리고, 상기 채널층(50) 양측에 붕소(B)나 인(P) 등의 불순물을 주입하고 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(70a,70b)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b) 사이의 상기 채널층(50) 상부에 채널 영역을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(60)를 형성한다. 이상의 공정로 박막트랜지스터가 완성된다. 이어, 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b)을 포함한 기판 전면에 보호막(90)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 7B, the gate insulating film 40 and the gate electrode conductive film are sequentially stacked on the protective layer 20, and then the gate electrode conductive film is patterned to form the gate electrode 30. The channel layer 50 is formed in the thin film transistor region on the gate insulating layer 40. In addition, source / drain electrodes 70a and 70b of the thin film transistor may be formed by implanting and heating the impurities such as boron (B) or phosphorus (P) on both sides of the channel layer 50. An etch stopper 60 is formed on the channel layer 50 between the source / drain electrodes 70a and 70b to protect the channel region. Through the above process, the thin film transistor is completed. Next, a passivation layer 90 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 70a and 70b.

상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(70a,70b)의 상부 표면이 노출되도록 상기 보호막(90)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.The protective layer 90 is selectively removed to form a contact hole so that upper surfaces of the source / drain electrodes 70a and 70b of the thin film transistor are exposed.

그리고 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(40) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(70b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(80)을 형성한다. 이어, 도 7c에 도시된 바와 같이 상기 화소전극(80) 위에 유기발광층(100)을 형성하고, 알루미늄 등의 금속막을 증착하여 반사전극층(110)을 형성한다.A pixel electrode 80 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the gate insulating layer 40 in the light emitting device region to be in contact with the drain electrode 70b through the contact hole. Subsequently, as shown in FIG. 7C, the organic light emitting layer 100 is formed on the pixel electrode 80, and a metal film such as aluminum is deposited to form the reflective electrode layer 110.

이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 유기발광층(100)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위하여 봉지용기판(300)을 장착하여 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 완성한다.Subsequently, although not shown, the encapsulation substrate 300 is mounted to protect the organic light emitting layer 100 from oxygen or moisture, thereby completing the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment.

이러한, 본 발명의 제 1 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치는 어레이 기판(10) 배면에 제전 처리층이 형성되어 있기 때문에 화면에 외부접촉이 가해졌을 경우 발생하는 정전기를 막을 수 있고 따라서 정전기로 인하여 채널 층에 이동하는 전하에 변화가 생김으로써 발생하는 화질불량을 개선할 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention, since the antistatic treatment layer is formed on the rear surface of the array substrate 10, the static electricity generated when external contact is applied to the screen can be prevented. The poor image quality caused by the change in the charge moving in the channel layer can be improved.

또, 정전기로 인하여 나타나는 유기 발광 표시 장치의 원래 화면의 휘도보다 높거나 낮게 나타나게 되는 현상이나 소자의 파괴, 절연막의 파괴 등을 막을 수 있기 때문에 제품의 수율을 증가시킬 수 있다.In addition, since the phenomenon of appearing higher or lower than the luminance of the original screen of the organic light emitting diode display due to static electricity, the destruction of the device, the destruction of the insulating film, etc. can be prevented, the yield of the product can be increased.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 구성하는 단위 픽셀의 단면도이다. 8 is a cross-sectional view of a unit pixel of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치는 발광소자와 이를 구동하기 위한 박막트랜지스터를 구비한 어레이 기판(10)과 상기 어레이 기판(10) 위에 형성된 제전 처리층(240), 상기 어레이 기판(10)에 대향하도록 합착된 봉지용 기판(30)으로 구성되는바, 상기 어레이 기판(10)은 어레이 배선(미 도시)에 의해 다수의 화소부(발광부)가 정의되고, 각 화소부에는 박막 트랜지스터(TFT)와 발광층이 형성된다.Referring to FIG. 8, an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention includes an array substrate 10 having a light emitting element and a thin film transistor for driving the same, and an antistatic treatment layer formed on the array substrate 10. 240, an encapsulation substrate 30 bonded to face the array substrate 10, wherein the array substrate 10 is defined by a plurality of pixel portions (light emitting portions) by array wiring (not shown). Each pixel portion includes a thin film transistor TFT and a light emitting layer.

상기 어레이 기판(10)은 투명하고 높은 온도에 민감하지 않은 투명한 유리기판을 많이 이용한다.The array substrate 10 uses a transparent glass substrate that is transparent and insensitive to high temperatures.

상기 제전 처리층(240)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)와 같은 투명한 전도성 물질로 어레이 기판(10) 위에 형성된다.The antistatic treatment layer 240 is formed on the array substrate 10 with a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 봉지용 기판(300)은 수분 등의 외부 환경에 의해서 그 성능의 저하 및 수명의 단축 등이 발생하는 것을 방지하기 위하여 만들어진다. 여기서, 상기 봉지용 기판(300)은 금속 재질로 소정의 내부공간이 구비된 평판구조로 제작되며, 봉지용 기판(300)은 어레이 기판(100)의 외주부를 따라 도포된 접착제에 의해서 어레이 기판(10)과 체결된 구조로 이루어진다.The encapsulation substrate 300 is made to prevent a decrease in performance and a shortening of life due to external environment such as moisture. Here, the encapsulation substrate 300 is made of a flat plate structure having a predetermined internal space made of a metal material, the encapsulation substrate 300 is an array substrate (by an adhesive applied along the outer periphery of the array substrate 100) 10) and the structure is fastened.

이와 같이 구성된 유기발광표시장치의 상기 어레이 기판(10)에 형성되는 단위화소부의 구성을 설명하면 다음과 같다.The configuration of the unit pixel unit formed on the array substrate 10 of the organic light emitting display device configured as described above is as follows.

상기 단위화소부는 발광소자와 박막트랜지스터로 구성된다. 즉 상기 어레이 기판(10) 위에는 제전 처리층(240)이 형성되고 상기 제전 처리층(240) 상에는 보호층(20)이 형성되고 상기 보호층(20) 상부의 박막트랜지스터 영역에 게이트 전극(30)이 형성된다. 상기 게이트 전극(30)을 포함한 상기 보호층 전면에 게이트 절연막(40)이 형성되고, 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(50)이 형성된다. 상기 채널층(50) 양측에 소오스/드레인 전극(7a,7b)이 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b) 사이의 상기 채널층(50) 상부에 채널 영역 을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(60)가 형성된다. 그리고 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b)을 포함한 기판 전면에 보호막(90)이 형성되고 상기 드레인 전극(70b) 상의 보호막(90)에 콘택홀이 형성되어 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(40) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(70b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(80)이 형성된다. 그리고, 상기 화소전극(80) 위에 유기발광층(100)과 반사전극층(110)이 순차적으로 적층된다. 따라서 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극(30)에 스캔필드가 인가되면 상기 박막트랜지스터가 턴온되어 상기 화소전극(80)에 데이터전압을 공급하므로 화소전극(80)과 반사전극층(110) 사이에 전계가 형성되어, 그 사이에 존재하는 유기 발광층(100)이 발광되므로 어레이 기판(10) 배면 측으로 화상이 표시된다.The unit pixel portion includes a light emitting element and a thin film transistor. That is, the antistatic treatment layer 240 is formed on the array substrate 10, the protective layer 20 is formed on the antistatic treatment layer 240, and the gate electrode 30 is formed in the thin film transistor region above the protective layer 20. Is formed. The gate insulating layer 40 is formed on the entire protective layer including the gate electrode 30, and the channel layer 50 is formed in the thin film transistor region above the gate insulating layer. Source / drain electrodes 7a and 7b are formed at both sides of the channel layer 50, and an etch stopper for protecting a channel region on the channel layer 50 between the source / drain electrodes 70a and 70b. 60) is formed. A passivation layer 90 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 70a and 70b, and a contact hole is formed in the passivation layer 90 on the drain electrode 70b to form the gate insulating layer 40 in the light emitting device region. A pixel electrode 80 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the upper portion of the contact hole to contact a predetermined portion of the drain electrode 70b through the contact hole. The organic light emitting layer 100 and the reflective electrode layer 110 are sequentially stacked on the pixel electrode 80. Therefore, when a scan field is applied to the gate electrode 30 of the thin film transistor, the thin film transistor is turned on to supply a data voltage to the pixel electrode 80, thereby forming an electric field between the pixel electrode 80 and the reflective electrode layer 110. The organic light emitting layer 100 existing therebetween emits light so that an image is displayed on the rear side of the array substrate 10.

도 9a 내지 도 9도 9c는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조공정 단면도이다.9A to 9C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

다음에 상기한 구성의 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Next, a method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention having the above-described configuration will be described.

도 9a에 도시된 바와 같이 어레이 기판(10)상에 제전 처리층(240)을 형성하고 제전 처리층(240) 상에 보호층(20)을 형성한다.As shown in FIG. 9A, the antistatic treatment layer 240 is formed on the array substrate 10, and the protective layer 20 is formed on the antistatic treatment layer 240.

이어, 도 9b에 도시된 바와 같이 상기 보호층(20) 전면에 게이트 절연막(40)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(30)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(40) 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층(50)을 형성한다. 그리고, 상기 채널층(50) 양측에 붕소(B)이나 인(P) 등의 불순물을 주입하고 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극 (70a,70b)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b) 사이의 상기 채널층(50) 상부에 채널 영역을 보호하기 위한 에치 스톱퍼(60)를 형성한다. 이상의 공정으로 박막트랜지스터가 완성된다. 이어, 상기 소오스/드레인 전극(70a,70b)을 포함한 기판 전면에 보호막(90)을 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 9B, the gate insulating film 40 and the gate electrode conductive film are sequentially stacked on the protective layer 20, and then the gate electrode conductive pattern is patterned to form the gate electrode 30. The channel layer 50 is formed in the thin film transistor region on the gate insulating layer 40. Impurities such as boron (B), phosphorus (P), and the like are injected into both sides of the channel layer 50 to form source / drain electrodes 70a and 70b of the thin film transistor. An etch stopper 60 is formed on the channel layer 50 between the source / drain electrodes 70a and 70b to protect the channel region. The thin film transistor is completed by the above process. Next, a passivation layer 90 is formed on the entire surface of the substrate including the source / drain electrodes 70a and 70b.

상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(70a,70b)의 상부 표면이 노출되도록 상기 보호막(90)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.The protective layer 90 is selectively removed to form a contact hole so that upper surfaces of the source / drain electrodes 70a and 70b of the thin film transistor are exposed.

그리고 발광소자영역의 상기 게이트 절연막(40) 상부에 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(70b)과 소정부분 콘택트 되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(80)을 형성한다. 이어, 도 9c에 도시된 바와 같이 상기 화소전극(80) 위에 유기발광층(100)을 형성하고, 알루미늄 등의 금속막을 증착하여 반사전극층(110)을 형성한다. A pixel electrode 80 made of indium tin oxide (ITO) is formed on the gate insulating layer 40 in the light emitting device region to be in contact with the drain electrode 70b through the contact hole. Subsequently, as illustrated in FIG. 9C, the organic light emitting layer 100 is formed on the pixel electrode 80, and a metal film such as aluminum is deposited to form the reflective electrode layer 110.

이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 유기발광층(100)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위하여 봉지용기판(300)을 장착하여 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치를 완성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, the encapsulation substrate 300 is mounted to protect the organic light emitting layer 100 from oxygen or moisture, thereby completing the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention.

이러한, 본 발명의 제 2 실시 예에 의한 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터 형성 전에 어레이 기판(10) 위에 제전 처리층(240)을 형성시킨 후 그 위에 박막트랜지스터를 형성한다. 제전 처리층(240)으로 인해 외부 접촉에 의한 정전기를 막을 수 있어서 정전기로 인하여 채널층에 이동하는 전하에 변화가 생김으로써 발생하는 화질 불량을 개선할 수 있고 유기 발광 표시 장치의 원래 화면의 휘도보 다 높거나 낮게 나타나게 되는 현상이나 소자의 파괴, 절연막의 파괴 등을 막을 수 있기 때문에 제품의 수율을 증가시킬 수 있다.The organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention forms the antistatic processing layer 240 on the array substrate 10 before forming the thin film transistor and then forms the thin film transistor thereon. The antistatic treatment layer 240 may prevent static electricity due to external contact, thereby improving image quality defects caused by changes in charges traveling to the channel layer due to static electricity, and improving luminance of the original screen of the organic light emitting display device. This can increase the yield of the product because it can prevent the phenomenon that appears high or low, destruction of the device, destruction of the insulating film, and the like.

또한 번 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판위에 박막제전 처리층을 형성함으로써 유기 발광 표시 장치의 두께를 감소시킬 수 있다. In addition, the organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention can reduce the thickness of the organic light emitting diode display by forming a thin film forming treatment layer on the substrate.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention It will be apparent to those skilled in the art.

상술한 바와 같은 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법은 향후 유기 발광 표시 장치 제품이 외부 영향에 의한 화질 변화가 있을 경우, 유기 발광 표시 장치에서 빛이 발광 되어져 나오는 영역 혹은 박막 트랜지스터 제작 전 기판에 제전 처리를 함으로써 외부접촉에 의한 정전기를 분산 시켜 화질 변화를 방지할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to the present invention, if the image quality of the organic light emitting diode display changes due to external influences, the antistatic treatment on the area where light is emitted from the organic light emitting diode display or the substrate before fabricating the thin film transistor By dispersing static electricity by external contact, it is possible to prevent the image quality change.

Claims (9)

유기 발광층이 형성된 어레이 기판;An array substrate on which an organic light emitting layer is formed; 상기 어레이 기판을 보호하기 위한 봉지용 기판; 및An encapsulation substrate for protecting the array substrate; And 상기 어레이 기판에 형성된 제전 처리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.And an antistatic treatment layer formed on the array substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제전 처리층은 투명한 전도성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The antistatic treatment layer is formed of a transparent conductive material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제전 처리층은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The antistatic treatment layer is formed of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제전 처리층은 상기 발광층이 형성되지 않은 상기 어레이 기판 배면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.And the antistatic treatment layer is formed on a rear surface of the array substrate on which the light emitting layer is not formed. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제전 처리층은 상기 어레이 기판과 상기 발광층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The antistatic treatment layer is formed between the array substrate and the light emitting layer. 어레이 기판 배면에 제전 처리층을 형성하는 단계;Forming an antistatic treatment layer on the back side of the array substrate; 상기 어레이 기판 상부에 게이트 전극과 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate electrode and a gate insulating layer on the array substrate; 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층을 형성하는 단계;Forming a channel layer on the thin film transistor region on the gate insulating layer; 상기 채널층 양측에 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;Forming source / drain electrodes on both sides of the channel layer; 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계;Forming a passivation layer having a contact hole exposing a portion of a source / drain electrode of the thin film transistor; 상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through a contact hole formed in the passivation layer; 상기 화소 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계;Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode; 상기 유기발광층 상에 반사전극층을 형성하는 단계;Forming a reflective electrode layer on the organic light emitting layer; 상기 유기발광층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 봉지용기판을 상기 어레이 기판에 장착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.And attaching an encapsulation substrate to the array substrate to protect the organic light emitting layer from oxygen or moisture. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 어레이 기판 상에 제전 처리층을 형성하는 단계;Forming an antistatic treatment layer on the array substrate; 상기 제전 처리층 상에 보호층을 형성하는 단계;Forming a protective layer on the antistatic treatment layer; 상기 보호층 상에 게이트 전극과 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate electrode and a gate insulating film on the protective layer; 상기 게이트 절연막 상부의 박막트랜지스터 영역에 채널층을 형성하는 단계;Forming a channel layer on the thin film transistor region on the gate insulating layer; 상기 채널층 양측에 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;Forming source / drain electrodes on both sides of the channel layer; 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계;Forming a passivation layer having a contact hole exposing a portion of a source / drain electrode of the thin film transistor; 상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode electrically connected to a drain region through a contact hole formed in the passivation layer; 상기 화소전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계;Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode; 상기 유기발광층 상에 반사전극층을 형성하는 단계;Forming a reflective electrode layer on the organic light emitting layer; 상기 유기발광층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 봉지용기판을 상기 어레이 기판에 장착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. And attaching an encapsulation substrate to the array substrate to protect the organic light emitting layer from oxygen or moisture. 제 6항 또는 제7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 제전 처리층은 투명한 전도성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the antistatic treatment layer is formed of a transparent conductive material. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 제전 처리층은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.The antistatic treatment layer is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).
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