KR20070112354A - Semiconductor device fabrication equipment with showerhead - Google Patents

Semiconductor device fabrication equipment with showerhead Download PDF

Info

Publication number
KR20070112354A
KR20070112354A KR1020070111772A KR20070111772A KR20070112354A KR 20070112354 A KR20070112354 A KR 20070112354A KR 1020070111772 A KR1020070111772 A KR 1020070111772A KR 20070111772 A KR20070111772 A KR 20070111772A KR 20070112354 A KR20070112354 A KR 20070112354A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reaction gas
module
gas
plate
showerhead
Prior art date
Application number
KR1020070111772A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100923453B1 (en
Inventor
변철수
한만철
Original Assignee
주식회사 피에조닉스
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 피에조닉스, 한국생산기술연구원 filed Critical 주식회사 피에조닉스
Publication of KR20070112354A publication Critical patent/KR20070112354A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100923453B1 publication Critical patent/KR100923453B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A semiconductor device manufacturing facility having a shower head is provided to supply a process gas as a required proportion for improving process uniformity by eliminating rectilinear propensity of the process gas flowed into an inner space of the shower head through a gas supply port. A semiconductor device manufacturing facility includes a stage for placing a substrate and a shower head(100) to supply a process gas to the substrate. The shower head includes a top plate(247), a bottom plate(210) having a plurality of injection holes, and an intermediate plate(249) dividing a space between the top and the bottom plates again upward and downward based on the longitudinal direction. A plurality of distributed connection holes are formed on the intermediate plate, entrances of the connection holes are protruded upwardly.

Description

샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 {semiconductor device fabrication equipment with showerhead}Semiconductor device fabrication equipment with showerhead {semiconductor device fabrication equipment with showerhead}

본 발명은 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing equipment having a showerhead.

반도체 소자의 소자 고집적화가 진행되면서 반도체 소자의 제조에 있어서 보다 정밀하게 공정 조건 및 환경을 조절할 필요성이 커진다. 특히, 기판(wafer)의 대구경화가 계속되면서 기판과 기판 사이의 공정 균일성 확보와 함께 기판 내 공정 균일성을 확보하기 위한 노력, 즉, 기판 전면에 걸쳐 균일한 공정 결과가 이루어지도록 하기 위한 노력이 계속되고 있다.As device integration of semiconductor devices proceeds, the necessity of controlling process conditions and environments in the manufacture of semiconductor devices becomes more precise. In particular, as the diameter of the substrate continues to be large, efforts to secure process uniformity between the substrate and the substrate and to ensure process uniformity within the substrate, that is, to achieve uniform process results across the entire substrate This is going on.

특히, 반도체 소자 제조를 위해 기판 면에 화학기상증착(chemical vapor deposition)이나 에칭(etching)을 위해 공정 기체(process gas)를 공급하는 장치로 샤워헤드(showerhead)를 가지는 장비에서도 공정 균일성 향상을 위한 구조 변화가 연구되고 있다. In particular, it is a device that supplies a process gas for chemical vapor deposition or etching to manufacture a semiconductor device, and improves process uniformity even in equipment having a showerhead. Structural changes are being studied.

도1은 대한민국 공개특허 번호 제2007-0077669호에 개시된 것으로, 반도체 소자 제조 장비 가운데 샤워헤드를 가지는 종래의 증착 장비의 일 예를 나타내는 것이다. 이런 구성에서는 기체공급 포트(120)를 통해 공정 챔버 벽체와 일체로 형 성된 샤워헤드(100) 안으로 공급되는 기체의 직진성을 감쇄시키고자 기체 분산판(130)을 기체공급 포트(120)와 샤워헤드 바닥(140) 사이에 설치하는 것을 볼 수 있다. 1 is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 2007-0077669, which shows an example of a conventional deposition apparatus having a showerhead among semiconductor device manufacturing equipment. In this configuration, the gas distribution plate 130 and the gas supply port 120 and the shower head are used to attenuate the linearity of the gas supplied into the shower head 100 integrally formed with the process chamber wall through the gas supply port 120. It can be seen installed between the floor 140.

그런데, 이러한 종래기술에서는 기체 분산판(130)를 사용하여 샤워헤드(100) 안으로 공급된 기체의 직진성을 억제하여 샤워헤드 바닥(140)에 뚫린 구멍(145)으로 기체를 균등하게 분사하려고 하지만, 이 기술에서도 샤워헤드(100) 안으로 공급된 기체의 1차적인 직진성은 억제되더라도 공급된 기체의 횡방향 확산성이 충분하지 않기 때문에 샤워헤드(100) 중심부 및 가장자리 영역에서부터 분사되는 기체의 양을 균등하게 조절하는 것은 여전히 어렵다는 문제점이 있었다.By the way, in the prior art, by using the gas dispersion plate 130 to suppress the linearity of the gas supplied into the shower head 100 to evenly spray the gas to the hole 145 drilled in the shower head bottom 140, Even in this technique, even if the primary straightness of the gas supplied into the shower head 100 is suppressed, since the lateral diffusion of the supplied gas is not sufficient, the amount of gas injected from the center and the edge area of the shower head 100 is equalized. There was a problem that it is still difficult to adjust.

한편, 기판에 공급되는 공정 기체는 단일 성분의 기체일 수도 있으나, 둘 이상의 성분이 혼합된 혼합 기체일 수 있다. 후자의 경우 기판으로 공급되는 공급기체는 균질한 혼합 상태를 이루는 것이 중요하다. 종래에는 두가지 기체를 서로 혼합하려 할 때, 예비실이나 기타 교반 수단을 두어 기체를 미리 섞거나, 섞인 기체의 경로를 충분히 길게 하는 등의 방법을 사용한다. 그러나 이런 방법은 두 종류의 기체가 서로 섞이게 되는 시간이나 경로가 길어짐에 따라 원하지 않는 부반응이 발생하는 경우에, 혹은 두 기체의 성질 차이로 잘 섞이지 않는 경우에, 혹은 다른 이유로 두 기체를 충분히 섞을 시간이나 공간의 제약이 있는 경우에는 적합하지 않다.On the other hand, the process gas supplied to the substrate may be a gas of a single component, but may be a mixed gas in which two or more components are mixed. In the latter case, it is important that the feed gas supplied to the substrate is in a homogeneous mixed state. Conventionally, when the two gases are to be mixed with each other, a method such as providing a preliminary chamber or other stirring means to premix the gases, or lengthening the path of the mixed gases sufficiently, is used. However, this method does not mix well when the two gases mix with each other, or when unwanted side reactions occur as the path lengthens, or due to differences in the properties of the two gases, or for other reasons. However, it is not suitable when there is a space limitation.

본 발명은 상술한 종래의 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비의 문제점을 경감시키기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기체 공급포트를 통해 샤워헤드로 유입되는 기체의 직진성을 제거하여 기판 전반에 원하는 비율로 공정 기체를 공급할 수 있는 반도체 소자 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to alleviate the problems of the semiconductor device manufacturing equipment having a conventional showerhead described above, according to an aspect of the present invention, by removing the straightness of the gas flowing into the showerhead through the gas supply port to the entire substrate An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing equipment capable of supplying a process gas at a desired ratio.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 둘 이상의 혼합 기체를 공정실 내에 샤워헤드를 통해 공급할 때 혼합기체의 균질성을 높일 수 있는 반도체 소자 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다. According to another aspect of the present invention, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing equipment that can increase the homogeneity of the mixed gas when two or more mixed gases are supplied through the shower head in the process chamber.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 장비는,The semiconductor device manufacturing equipment of the present invention for achieving the above object,

챔버 벽체와 상기 챔버 벽체가 이루는 공정 공간에서 기판이 놓이는 스테이지(서셉터)와 상기 기판에 공정 기체를 공급하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비에 있어서, 상기 샤워헤드는 기체 공급포트와 연결되는 윗판, 상기 윗판과 결합되어 하나의 공간을 형성하며 복수의 분사구를 가지는 바닥을 구비하며, 상기 윗판과 상기 바닥 사이의 상기 공간을 다시 종 방향을 기준으로 상하로 구획하는 중간판을 가지고, 상기 중간판에는 분산된 복수의 연결 구멍이 형성되고, 상기 연결 구멍의 입구가 상기 윗판 방향으로 돌출되게 하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor device manufacturing apparatus having a stage (susceptor) on which a substrate is placed in a process space formed by a chamber wall and the chamber wall, and a shower head for supplying a process gas to the substrate, wherein the shower head is connected to a gas supply port. And an intermediate plate coupled to the upper plate to form a space and having a bottom having a plurality of injection holes, and partitioning the space between the upper plate and the bottom up and down again based on a longitudinal direction. It is characterized in that a plurality of dispersed connection holes are formed, the inlet of the connection holes to project in the upper plate direction.

본 발명에서 상기 분산된 복수의 연결 구멍 중에서 상기 중간판의 중앙부에 더 가까이 위치하는 것일수록 상기 상향 돌출된 입구는 상기 윗판과 더 가깝도록, 즉 상기 윗판과 상기 상향 돌출된 입구 사이의 간격을 보다 좁게 형성할 수 있다. In the present invention, the closer to the center portion of the intermediate plate among the plurality of connection holes distributed, the closer the inlet to the upper plate, that is, the distance between the upper plate and the upwardly protruding inlet. It can be narrowly formed.

본 발명에서 공급 기체가 두 종류 이상인 경우에 대비하여 상기 중간판은 상기 윗판과 상기 바닥 사이에 형성되는 공간을 종방향으로 세개 이상으로 구분할 수 있으며, 이때 각각의 중간판에는 분산된 복수의 연결 구멍이 형성되되, 분산된 복수의 연결 구멍은 연결 구멍이 형성된 중간판에서부터 최하층 중간판과 상기 바닥 사이의 공간인 분배실까지 직접 연결되도록 하는 하향 돌출부와 직상부 중간판 혹은 윗판을 향해 돌출되는 상향 돌출부를 가질 수 있다. 여기서 하향 돌출부는 최하층 중간판을 포함하여 중간판을 관통하며, 그 끝이 출구가 된다. 단, 하향 돌출부는 반드시 상향 돌출부와 직결된 일체의 형태를 이룬다. 그리고, 상향돌출부, 혹은 상향돌출부와 직결된 하향 돌출부는 튜브나 내부가 관통된 핀의 형태를 가진다.In the present invention, the intermediate plate may be divided into three or more spaces formed in the longitudinal direction between the upper plate and the bottom in case the supply gas is two or more types, and each intermediate plate has a plurality of connection holes distributed in the middle plate. And a plurality of distributed connection holes are provided with a downward protrusion and an upward protrusion protruding toward the upper middle plate or the upper plate so as to directly connect from the intermediate plate on which the connection hole is formed to the distribution chamber which is a space between the lowermost intermediate plate and the bottom. It can have Here, the downward protrusion penetrates the intermediate plate, including the lowermost intermediate plate, and the end thereof is an outlet. However, the downward protrusions necessarily form an integral form directly connected with the upward protrusions. In addition, the upwardly projecting portion, or the downwardly projecting portion directly connected to the upwardly projecting portion, has a form of a tube or a pin penetrated therein.

본 발명에 따르면, 기체 공급포트를 통해 샤워헤드 내부의 공간으로 유입되는 기체의 직진성을 제거하여 기판 전반에 걸쳐 원하는 비율로 공정 기체를 공급할 수 있게 되어 공정의 균일성을 높일 수 있게 된다.According to the present invention, the straightness of the gas flowing into the space inside the showerhead through the gas supply port can be removed to supply the process gas at a desired rate throughout the substrate, thereby increasing the uniformity of the process.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 둘 이상의 공정 기체를 함께 사용할 필요가 있을 때 샤워헤드를 통해 둘 이상의 혼합 기체를 기판 전면에 고르게 공급할 수 있으므로 기판의 공정 균일성을 높일 수 있다.According to another aspect of the present invention, when two or more process gases need to be used together, two or more mixed gases may be evenly supplied to the entire surface of the substrate through the showerhead, thereby increasing process uniformity of the substrate.

이하 도면을 참조하면서 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 반도체 소자 제조 장비에서 본 발명의 첫 번째 형태가 적용된 샤워헤 드가 설치된 공정 챔버(1)를 보여주는 개략적 구성도이다.FIG. 2 is a schematic block diagram showing a process chamber 1 in which a showerhead to which the first aspect of the present invention is applied in a semiconductor device manufacturing apparatus is installed.

도2를 참조하여 설명하면, 공정 챔버(1)는 챔버 벽체를 통해 외부와 구분되고, 공정 챔버(1)의 내부에서 기판(6)은 스테이지(8)에 안착된다. 기판(6) 위쪽에는 기판(6)에 공정 기체를 공급하는 샤워헤드(100)가 설치된다. 챔버 벽체의 일부에는 반응 기체를 외부로 제거하기 위한 진공 배관(252)이 연결된다. 스테이지(8)에는 기판(6)을 가열, 혹은 냉각시키기 위한 히터나 냉각 수단이 구비될 수 있다. Referring to FIG. 2, the process chamber 1 is separated from the outside through the chamber wall, and the substrate 6 is seated on the stage 8 inside the process chamber 1. Above the substrate 6, a showerhead 100 is provided to supply a process gas to the substrate 6. A part of the chamber wall is connected with a vacuum pipe 252 for removing the reaction gas to the outside. The stage 8 may be provided with a heater or cooling means for heating or cooling the substrate 6.

샤워헤드(100)는 기체 공급포트(212)와 연결되는 윗판(247) 및 다수의 분사구(222)를 가지는 바닥(210)과 외측벽(268)에 의해 공정 챔버 내에서 하나의 공간을 이룬다. 윗판(247)과 바닥(210) 사이의 상기 공간을 다시 종 방향을 기준으로 상하로 구획하여 상부의 확산실(242)와 하부의 분배실(244)을 이루는 중간판(249)이 설치된다. 중간판(249)에는 분산된 다수의 연결 구멍이 형성되고, 연결 구멍에는 튜브 형태의 확산핀(221)이 삽입되어 연결 구멍의 상향 돌출부를 이룸으로써 연결 구멍의 입구가 윗판(247) 방향으로 돌출된다.The showerhead 100 forms a space in the process chamber by the bottom 210 and the outer wall 268 having the top plate 247 and the plurality of injection holes 222 connected to the gas supply port 212. The space between the upper plate 247 and the bottom 210 is further divided up and down on the basis of the longitudinal direction, and an intermediate plate 249 constituting the upper diffusion chamber 242 and the lower distribution chamber 244 is installed. The intermediate plate 249 is formed with a plurality of distributed connection holes, the tube is inserted into the diffusion pin 221 in the form of a tube to form an upward protrusion of the connection hole, the entrance of the connection hole protrudes toward the upper plate 247 do.

기체 공급포트(212)를 통해 샤워헤드(100) 내의 확산실(242)로 공정 기체가 공급된다. 이 공정 기체는 샤워헤드(100) 내부 확산실(242)에서 균일하게 확산된 뒤, 확산핀(221)을 통해 분배실(244)로 이동하고, 샤워헤드 바닥(210)에 뚫린 복수의 분사구(222)를 통해 기판(6)을 가열하는 스테이지(8) 위에 안착된 기판(6)쪽으로 균등하게 분사된다.Process gas is supplied to the diffusion chamber 242 in the shower head 100 through the gas supply port 212. The process gas is uniformly diffused in the diffusion chamber 242 inside the shower head 100, then moves to the distribution chamber 244 through the diffusion pin 221, and the plurality of injection holes drilled through the shower head bottom 210 ( It is evenly sprayed onto the substrate 6 seated on the stage 8 which heats the substrate 6 via 222.

이하, 도3 및 도4를 참조하여 샤워헤드(100) 내에서의 공정 기체의 흐름 및 그 경로상의 저항성에 대해 살펴보면, 기체 공급포트(212)를 통해 샤워헤드(100) 확산실(242) 안으로 종방향으로 들어온 기체는 원형 중간판(249)에서 횡방향으로, 즉, 중앙부에서 외측으로 방사상으로 확산된다. 복수의 확산핀(221)은 중간판(249)의 연결 구멍에 삽입되어 중간판(249) 상에 기둥형태로 정렬되어 있으며, 그 내부는 종방향으로 유로가 형성되게끔 관통되어 있다. 3 and 4, the flow of the process gas in the shower head 100 and the resistance of the path thereof will be described. The gas supply port 212 allows the shower head 100 to be introduced into the diffusion chamber 242. The gas entering in the longitudinal direction diffuses radially in the transverse direction, ie from the central part, outward in the circular intermediate plate 249. The plurality of diffusion pins 221 are inserted into the connection holes of the intermediate plate 249 and are arranged in a columnar shape on the intermediate plate 249, and the inside thereof penetrates to form a flow path in the longitudinal direction.

확산핀(221) 상단의 연결 구멍 입구와 샤워헤드 윗판 사이의 틈새 크기(도 3에서 g1)에 비해 확산핀(221)의 길이가 상대적으로 크다면, 공정 기체의 확산실(242) 안에서 횡방향 확산은 공정 기체가 좁은 틈새를 통해 확산실을 빠져나가려는 흐름에 비해 훨씬 원활하게 이루어진다. 따라서 샤워헤드(100) 안으로 공급된 공정 기체는 짧은 시간 내에 확산실(242) 안에서 횡방향으로 균일하게 확산된 상태, 균일 압력 상태가 된다. 또한, 확산핀(221)의 내부 유로를 통해 분배실(244)로 전달되는 공정 기체의 종방향 유량은 확산핀(221)과 샤워헤드 윗판(247) 사이 틈새의 크기와 확산핀(221) 내부의 유로 면적이 균일하다면 샤워헤드 확산실(242)에 어느 곳에서든 균일하게 된다. 이렇게 1차적으로 확산실(242)로부터 분배실(244)로 균등하게 전달된 기체는 분배실(244) 안에서 더욱 균등하게 분배된 뒤, 샤워헤드 바닥(210)에 뚫린 분사구(222)를 통해 기판쪽으로 분사된다.If the length of the diffusion pin 221 is relatively large compared to the gap size (g1 in FIG. 3) between the connection hole inlet at the top of the diffusion pin 221 and the top of the showerhead, the transverse direction in the diffusion chamber 242 of the process gas. Diffusion is much smoother than the flow of process gases through the narrow gaps trying to exit the diffusion chamber. Therefore, the process gas supplied into the shower head 100 is uniformly diffused in the transverse direction in the diffusion chamber 242 within a short time, the pressure state. In addition, the longitudinal flow rate of the process gas delivered to the distribution chamber 244 through the internal flow path of the diffusion pin 221 is the size of the gap between the diffusion pin 221 and the showerhead top plate 247 and the inside of the diffusion pin 221. If the flow path area is uniform, the showerhead diffusion chamber 242 is uniform anywhere. Thus, the gas uniformly transferred from the diffusion chamber 242 to the distribution chamber 244 is more evenly distributed in the distribution chamber 244, and then the substrate through the injection hole 222 drilled through the showerhead bottom 210. Sprayed to the side.

여기서 확산핀(221)과 샤워헤드 윗판(247) 사이 틈새의 간격 g1은 대략 0.3 ~ 1.5mm인 것이 바람직하며, 확산핀(221) 내부 유로는 지름(φ1)이 0.8~ 1.5mm 인 것이 바람직하다. 틈새 간격이 1.5mm 보다 더욱 크다면 공급된 공정 기체가 확산실(242)에서 충분히 횡방향으로 확산되기 전에 확산핀(221)의 중앙부를 통해 먼저 분배실(244)로 유입되기 쉽고, 분배실로 유입된 공정 기체는 종방향 흐름을 이 루어 바닥(210)에 형성되어 있는 분사구(222)의 중앙부를 통해 기판쪽으로 더 많이 분사되기 쉽다. 반대로 틈새 간격이 0.3mm보다 더 작으면 전체적으로 기체의 흐름이 너무 방해를 받아 공정 기체가 기판에 원활히 분사되기 어렵고, 공정 기체가 샤워헤드 내부에 너무 오래 머무름으로 인한 파티클 발생 문제가 발생할 수 있다. 유로의 지름에 대해서도 같은 논리가 적용될 수 있다. Here, the gap g1 of the gap between the diffusion pin 221 and the showerhead top plate 247 is preferably about 0.3 to 1.5 mm, and the inner channel of the diffusion pin 221 preferably has a diameter φ 1 of 0.8 to 1.5 mm. . If the gap is larger than 1.5 mm, the supplied process gas is easily introduced into the distribution chamber 244 first through the center of the diffusion pin 221 before being sufficiently transversely diffused from the diffusion chamber 242, and then flows into the distribution chamber. The process gas is subjected to longitudinal flow and is more likely to be injected toward the substrate through the central portion of the injection hole 222 formed in the bottom 210. On the other hand, if the gap is smaller than 0.3 mm, the flow of gas is too disturbed as a whole, so that the process gas cannot be smoothly sprayed onto the substrate, and particle generation problems may occur due to the process gas staying inside the showerhead for too long. The same logic can be applied to the diameter of the flow path.

본 발명의 첫 번째 형태에서 틈새 간격 g1을 일정하게 유지하는 것은 매우 중요하므로 양 끝 부분에 단차가 진 일정한 길이의 스페이서(262)를 샤워헤드 윗판(247)과 중간판(249) 사이에 적당한 간격으로 설치할 수 있다. 여기서 샤워헤드 및 확산핀, 스페이서의 재질로는 표면처리 된 알루미늄 합금이나 스테인레스 스틸과 같은 금속, 혹은 알루미나, 알루미늄 나이트라이드와 같은 세라믹이 사용될 수 있다. 단, 재질의 선택에 있어서는 샤워헤드와 여기에 삽입되는 핀의 가공 정밀도가 보장되어야 함은 물론 사용하는 기체에 대한 부식성도 고려가 되어야 한다. In the first aspect of the present invention, it is very important to keep the gap gap g1 constant so that a constant length of spacer 262 having a stepped gap at both ends is appropriately spaced between the showerhead top plate 247 and the middle plate 249. Can be installed as Here, as the material of the shower head, the diffusion fin, and the spacer, a metal such as aluminum alloy or stainless steel, or ceramic such as alumina or aluminum nitride may be used. However, in the selection of materials, the accuracy of machining of the showerhead and the pins inserted therein must be ensured, and the corrosiveness of the gas used must also be considered.

한편, 중간판(249)에 확산핀(221)을 접합하기 위한 방법으로는 그 각각의 재질이 스테인레스 스틸의 경우에는 레이저 용접 방법이 무난하다. 그러나, 접합을 보다 쉽게 하기 위해서는 중간판(249) 상의 확산핀(221) 및 스페이서(262) 자리에 대해 레이저 가공으로 구멍 가공을 한 후에, 디스펜서(미도시)와 같은 장비를 사용하여 브레이징 용 페이스트를 접합부위에 도포하거나, 도3에 표시된 바와 같은 쉬트 형상의 접착제, 가령 니켈을 다량 포함하는 두께 30 ~ 60㎛의 아모포스 브레이징 필러 쉬트(250)가 중간판(249)에 부착되고 확산핀(221)과 스페이서(262)가 중간 판(249)에 조립된 상태에서 진공 브레이징 로에서 적당한 온도, 가령 1,100℃에서 처리하는 브레이징 접합법을 쓸 수 있다.On the other hand, as a method for bonding the diffusion pins 221 to the intermediate plate 249, when the respective material is stainless steel, the laser welding method is safe. However, in order to make the bonding easier, the hole for the diffusion pin 221 and the spacer 262 on the intermediate plate 249 is drilled by laser processing, and then a brazing paste is used using equipment such as a dispenser (not shown). Is applied to the joint, or a sheet-shaped adhesive as shown in FIG. 3, for example, an amorphous brazing filler sheet 250 having a thickness of 30 to 60 µm containing a large amount of nickel is attached to the intermediate plate 249 and the diffusion pin 221 ) And the spacer 262 assembled to the intermediate plate 249 can be used for brazing joining in a vacuum brazing furnace at a suitable temperature, such as 1,100 ° C.

도5는 확산핀(221)의 길이 혹은 확산핀(221)의 상단과 윗판 사이의 거리가 중간판(249) 전체를 통해 차이가 있는 경우의 본 발명의 두 번째 형태를 나타내고 있다. 이런 경우는 샤워헤드(100) 중앙부 및 가장자리부에 대한 공정 기체 공급량을 달리할 필요가 있는 경우에 사용할 수 있다. 가령, 해당 화학기상증착용 공정 챔버 내에서 다른 요인들로 인하여 기판 중앙부측의 증착속도를 느리게 해야 하는 경우에 도 5에서 보는 바와 같이 중앙부에서는 샤워헤드 윗판(247)과 확산핀(221) 입구와의 틈새를 "g3"와 같이 좁히고, 주변부에서는 "g2"와 같이 넓혀 서로 틈새 간격을 달리하여 틈새가 넓은 부분으로 더 많은 기체가 유입되게 할 수도 있다. FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention when the length of the diffusion pin 221 or the distance between the upper end and the upper plate of the diffusion pin 221 are different through the entire intermediate plate 249. This case can be used when it is necessary to vary the process gas supply amount to the central portion and the edge portion of the showerhead (100). For example, when the deposition rate at the center of the substrate needs to be slowed down due to other factors in the chemical vapor deposition process chamber, as shown in FIG. It is possible to narrow the gap of "g3" and widen the gap of "g2" at the periphery, so that the gap between each other may allow more gas to flow into the wide gap.

도6은 본 발명의 세 번째 형태에 대한 것으로서 본 발명의 다른 측면을 설명하기 위한 샤워헤드 측단면도이다. 이런 실시예에서는 샤워헤드를 이용하여 독립적으로 공급되는 2가지 기체를 서로 균일하게 혼합하고, 균일하게 혼합된 기체를 균등하게 기판 쪽으로 분사하는 것이 가능하게 된다. 6 is a side cross-sectional view of a showerhead for explaining another aspect of the present invention as to a third aspect of the present invention. In this embodiment, it is possible to uniformly mix two gases which are independently supplied using a showerhead, and to spray the uniformly mixed gases evenly toward the substrate.

즉, 샤워헤드(100)는 두 개의 중간판, 즉, 제1 중간판(306)과 제2 중간판(308)을 가져 샤워헤드 내부 공간이 아래로부터 최하층의 분배실(334)과 제2기체 확산실(332), 제1기체 확산실(330)로 나누어진다. 제1 중간판(306)에는 연결 구멍에 제1기체 확산핀(324)이 삽입되어 있고, 제2 중간판(308)에는 연결 구멍에 제2기체 확산핀(321)이 삽입되어 있다. 여기서 제1기체 확산핀(324)은 제1 공정 기체가 유입되는 상단이 제1 중간판의 연결 구멍로부터 윗판(347) 쪽으로 상향 돌출된 형태를 이루며, 제1 공정 기체가 유출되는 하단은 제1 중간판의 연결 구멍로부터 하 향 돌출되어 제2 중간판(308)을 관통하여 분배실(334)에 직접 연결되어 있다. 한편, 제2기체 확산핀(321)은 제2 공정 기체가 유입되는 상단이 제2 중간판의 연결 구멍으로부터 제1 중간판(306) 쪽으로 상향 돌출된 형태를 이룬다.That is, the showerhead 100 has two intermediate plates, that is, the first intermediate plate 306 and the second intermediate plate 308 so that the showerhead inner space has the lowest distribution chamber 334 and the second gas from below. The diffusion chamber 332 is divided into a first gas diffusion chamber 330. The first gas diffusion pin 324 is inserted into the connection hole in the first intermediate plate 306, and the second gas diffusion pin 321 is inserted into the connection hole in the second intermediate plate 308. Here, the first gas diffusion pin 324 has a shape in which the upper end of the first process gas flows upwardly protrudes toward the upper plate 347 from the connection hole of the first intermediate plate, and the lower end of the first process gas flows out of the first gas. It protrudes downward from the connection hole of the intermediate plate, and is directly connected to the distribution chamber 334 through the second intermediate plate 308. On the other hand, the second gas diffusion pin 321 has a form in which the upper end of the second process gas flows upward from the connecting hole of the second intermediate plate toward the first intermediate plate 306.

제1기체 공급포트(314)를 통해 샤워헤드(100) 내부의 제1기체 확산실(330)로 들어온 제1기체는 앞서 설명한 바와 같이 제1기체 확산실(330) 안에서 균일하게 확산된 뒤 제1기체 확산핀(324) 내부 유로를 통해 분배실(334) 안으로 균등하게 유입된다. 한편, 제2기체 공급포트(312)를 통해 샤워헤드(100) 내부의 제2기체 확산실(332)로 들어온 제2기체는 제2기체 확산실(332) 안에서 균일하게 확산된 뒤 제2기체 확산핀(321) 내부 통로를 통해 분배실(334) 안으로 균등하게 유입된다. 분배실(334) 안에서는 유입된 제1기체와 제2기체가 서로 균일하게 혼합된 뒤, 샤워헤드 바닥(310)에 뚫린 다수의 분사구(322)를 통해 기판(미도시)쪽으로 균등하게 분사된다. 도6에서는 제1기체 공급포트(314)는 외측벽에 형성되어 있으나 제2 기체 공급포트(312)와 유사하게 윗판의 중앙부에 형성되는 것도 물론 가능하다.The first gas entering the first gas diffusion chamber 330 inside the shower head 100 through the first gas supply port 314 is uniformly diffused in the first gas diffusion chamber 330 as described above, and then It is evenly introduced into the distribution chamber 334 through the flow path inside the one gas diffusion pin 324. On the other hand, the second gas entering the second gas diffusion chamber 332 inside the shower head 100 through the second gas supply port 312 is uniformly diffused in the second gas diffusion chamber 332 and then the second gas The diffusion pin 321 flows into the distribution chamber 334 evenly through the inner passage. In the distribution chamber 334, the first gas and the second gas introduced are uniformly mixed with each other, and then uniformly sprayed toward the substrate (not shown) through the plurality of injection holes 322 drilled through the shower head bottom 310. In FIG. 6, the first gas supply port 314 is formed on the outer wall, but similarly to the second gas supply port 312, the first gas supply port 314 may be formed at the center of the upper plate.

도6의 본 발명의 세 번째 형태에서 각각의 공급포트를 통해 각각의 확산실에 유입되는 각각의 공정 기체는 앞서 도2 내지 도4에서 설명된 것과 마찬가지 원리로 확산실 내에서 평면상의 위치에 상관없이 균등한 압력 상태를 이룬다.In the third aspect of the invention of FIG. 6, each process gas entering each diffusion chamber through each supply port is correlated to a planar position in the diffusion chamber in the same manner as described above in FIGS. Even pressure conditions are achieved.

그리고 공급기체는 균등하게 분배실 내로 유입되어 서로 더욱 균등하게 확산, 배분된 상태로 분사구를 통해 기판에 분사된다. 이런 경우, 각각의 기체는 확산된 상태에서 분배실로 유입되어 서로 섞이게 되므로 혼합의 상당부분이 샤워헤드의 인위적 구조에 의해 이루어지는 것이 되어 결과적으로 혼합에 소요되는 시간을 줄인 것으로 볼 수 있다. The supply gas is evenly introduced into the distribution chamber, and is evenly spread and distributed evenly with each other and sprayed onto the substrate through the injection holes. In this case, since each gas is introduced into the distribution chamber in the diffused state and mixed with each other, a large part of the mixing is made by the artificial structure of the showerhead, and as a result, it can be seen that the time required for mixing is reduced.

이상 도6은 두 가지 기체의 혼합에 대해 설명하고 있지만 동일한 논리로 확장을 통해 본 발명은 셋 이상의 혼합 기체를 샤워헤드를 통해 공급하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다. Although FIG. 6 illustrates the mixing of two gases, the present invention can be applied to the case of supplying three or more mixed gases through the shower head through the same logic.

본 발명은 반도체 소자 제조 장비 중에서 막 증착에 널리 사용되는 화학기상증착장비에서 바닥에서의 오염이 방지되는 샤워헤드에 적용될 수 있다. 도 7은 그 구성을 보여주는 샤워헤드의 측단면도이다. 도 7에서 볼 때, 공정 기체를 반응 기체와 분사지원 기체로 나누면, 반응 기체와 분사지원 기체는 각각 반응 기체 유입구(423)와 분사지원 기체 유입구(425)를 통해 각각 반응 기체 확산실(461)과 분사지원 기체 확산실(462)로 들어온다. 여기서 반응기체라 함은 화학기상증착장비에서 증착되는 막의 성분을 포함하는 기체 상태의 원료물질을 말하며, 분사지원 기체라 함은 반응 기체와 기상에서는 반응하기 힘들며, 반응 기체와 혼합되어 반응 기체의 분사 속도를 조절하기 위한 기체로서 불활성 기체가 대표적으로 이에 포함된다. 반응 기체는 반응 기체 확산실(461)의 아래면(435)에 형성된 다수의 반응 기체 확산핀(465)을 통해 앞에서 설명한 요령대로 분사지원 기체 확산실(462) 아래에 위치한 분배실(463)로 균등하게 유입된다. 한편, 분사지원 기체는 분사지원 기체 확산실(462)의 아래면(437)에 형성된 다수의 분사지원 기체 확산핀(467)을 통해 앞에서 설명한 요령대로 분사지원 기체 확산실(462) 아래에 위치한 분배실(463)로 균등하게 유입된다. 분배실(463)에서는 분사지원 기체와 혼합된 반응 기체가 복수의 반응 기체 분사 튜브(451)로 균등하게 분배된다. 한편, 반응 기체 분사 튜브(451)는 다 소 긴 거리, 대략 최대 60mm에서 120mm 만큼 연장되므로 반응 기체 분사 튜브(451)의 내부 지름은 최소한 1.5mm 이상일 것이 권장된다. The present invention can be applied to a showerhead to prevent contamination at the bottom in chemical vapor deposition equipment widely used for film deposition in semiconductor device manufacturing equipment. 7 is a side cross-sectional view of the showerhead showing the configuration. As shown in FIG. 7, when the process gas is divided into the reaction gas and the injection support gas, the reaction gas and the injection support gas are respectively through the reaction gas inlet 423 and the injection support gas inlet 425, respectively. And the injection support gas diffusion chamber 462. Here, the reactor means a gaseous raw material including components of a film deposited in a chemical vapor deposition equipment, and the injection support gas is difficult to react in a reaction gas and a gas phase, and is mixed with a reaction gas to inject the reaction gas. Inert gas is typically included therein as a gas for controlling the gas. The reaction gas passes through a plurality of reaction gas diffusion pins 465 formed on the bottom surface 435 of the reaction gas diffusion chamber 461 to the distribution chamber 463 located below the injection support gas diffusion chamber 462 as described above. Inflows evenly. On the other hand, the injection support gas is distributed below the injection support gas diffusion chamber 462 as described above through a plurality of injection support gas diffusion pins 467 formed on the lower surface 437 of the injection support gas diffusion chamber 462. Flow into the thread 463 evenly. In the distribution chamber 463, the reaction gas mixed with the injection support gas is evenly distributed to the plurality of reaction gas injection tubes 451. On the other hand, since the reaction gas injection tube 451 extends by a long distance, approximately up to 60 mm to 120 mm, it is recommended that the inner diameter of the reaction gas injection tube 451 be at least 1.5 mm or more.

도7과 같이 반응 기체의 수가 복수일 경우 또 하나의 반응 기체 샤워헤드 모듈이 추가로 설치될 수 있다. 이 경우 위쪽에 위치한 반응 기체 샤워헤드 모듈(410)에서 연장되어온 반응 기체 분사 튜브(451)는 아래에 위치한 반응 기체 샤워헤드 모듈(510)의 천정(541)과 바닥면(549)에 그 양끝이 각각 기밀을 유지하도록 삽입되어 있는 안내관(581)의 내부를 따라 아래에 위치한 반응 기체 샤워헤드 모듈(510)을 가로지른다. 이때, 안내관은 별도로 삽입되지 않고 윗판이나 중간판과 일체로 형성될 수도 있다. 또한, 별도의 안내관 없이 윗판, 중간판, 바닥판에 반응 기체 분사 튜브가 밀착되면서 통과하도록 통과 구멍을 뚫고 이 통과 구멍을 안내부로 생각할 수도 있으나, 기밀을 유지하여 반응 기체가 섞이는 것을 완전히 막기 위해서는 별도의 안내관이 사용되는 것이 바람직하다. 그리고 아래 쪽에 위치한 반응 기체 샤워헤드 모듈에서도 하나의 반응 기체와 분사지원 기체가 각각 반응 기체 유입구(523)와 분사지원 기체 유입구(525)를 통해 각각 반응 기체 확산실(561)과 분사지원 기체 확산실(562)로 들어오는데, 상술한 바와 같은 요령으로 분배실(563) 안에서 혼합된 반응 기체와 분사지원 기체는 반응 기체 분사 튜브(551)로 골고루 분배된다. As shown in FIG. 7, when the number of reaction gases is plural, another reaction gas showerhead module may be additionally installed. In this case, the reaction gas injection tubes 451 extending from the reaction gas showerhead module 410 located at the upper end thereof are disposed at the ceiling 541 and the bottom surface 549 of the reaction gas showerhead module 510 located below. Along the interior of the guide tube 581, which is inserted to maintain hermeticity, it traverses the reaction gas showerhead module 510 located below. In this case, the guide tube may be formed integrally with the upper plate or the intermediate plate without being inserted separately. It is also possible to drill the through hole to pass through the reaction gas injection tube in close contact with the top plate, the middle plate and the bottom plate without a separate guide tube, and the passage hole may be considered as a guide portion. It is preferred that a separate guide tube be used. In addition, in the reaction gas showerhead module positioned below, one reaction gas and one injection support gas are respectively supplied through the reaction gas inlet 523 and the injection support gas inlet 525, respectively, into the reaction gas diffusion chamber 561 and the injection support gas diffusion chamber. At 562, the reaction gas and the injection support gas mixed in the distribution chamber 563 are distributed evenly to the reaction gas injection tube 551 in the same manner as described above.

반응 기체가 샤워 헤드 바닥에 원치 않는 증착물을 형성하는 것을 방지하기 위한 목적으로 퍼지 기체로 하여금 샤워헤드 바닥에 커튼을 형성하게 하기 위해 퍼지 기체를 샤워헤드 바닥으로부터 기판 쪽으로 분사되게 할 수 있다. 이를 위해 상 기 하나의, 혹은 복수의 반응 기체 샤워헤드 모듈 아래에 하나의 퍼지 기체 모듈(610)을 설치한다. 퍼지 기체의 종류로는 불활성 기체가 적절하지만, 반응 기체와 기판 위에서는 반응할 수 있어도 기상에서는 반응하기 힘든 기체, 가령 산소 혹은 수소가 될 수도 있다. 퍼지 기체는 퍼지 기체 유입구(623)를 통해 퍼지 기체 샤워헤드 모듈(610) 안으로 유입된 뒤, 중간판(635)에 형성된 복수의 퍼지 기체 확산핀(637)을 통과하여 앞에서 설명한 요령대로 바닥면(669)에 뚫려 있는 매우 많은 개수의 퍼지 기체 분사 출구(676)를 통해 균등하게 퍼지 기체 샤워헤드 모듈(610)을 빠져 나간다. The purge gas may be injected from the showerhead bottom toward the substrate to cause the purge gas to curtain the showerhead bottom for the purpose of preventing reactant gases from forming unwanted deposits on the showerhead bottom. To this end, one purge gas module 610 is installed below one or a plurality of reaction gas showerhead modules. Although an inert gas is suitable as a kind of purge gas, although it may react on a reaction gas and a board | substrate, it may be a gas which is hard to react in a gaseous phase, for example, oxygen or hydrogen. The purge gas is introduced into the purge gas showerhead module 610 through the purge gas inlet 623, and then passes through the plurality of purge gas diffusion pins 637 formed on the intermediate plate 635, and the bottom surface ( A large number of purge gas injection outlets 676 drilled through 669 evenly exit the purge gas showerhead module 610.

한편, 도 7에서 보는 바와 같이 또 하나의 모듈을 퍼지 기체 샤워헤드 모듈 밑에 설치하면 퍼지 기체가 또 하나의 모듈을 통과하여 그 모듈의 바닥으로부터 기판쪽(미도시)을 향해 분사될 수 있게 된다. 상기 또 하나의 모듈은 뒤에서 설명하겠지만 샤워헤드의 온도를 일정하게 유지하기 위한 용도로도 활용될 수 있으므로 냉각 자켓(710)이라고 부르기로 한다. 퍼지 기체 샤워헤드 모듈 바닥(669)으로부터 분사된 퍼지 기체는 퍼지 기체 샤워헤드 모듈 바닥(669)과 냉각 자켓(710) 윗면 사이의 공간(685)에서 다시 한번 균일하게 확산이 된 후에 반응 기체 분사 튜브(451,551)가 냉각 자켓(710)을 관통하게 하기 위한 반응 기체 분사 튜브 안내관(781)의 내벽과 반응 기체 분사 튜브(451, 551) 외벽 사이의 틈새 g4를 통해 기판 쪽으로 분사된다. 한편, 그 내부로 반응 기체 분사 튜브(451, 551)가 통과하지 않으면서 퍼지 기체만 분사하기 위한 퍼지 기체 분사 안내관(783)이 상기 냉각 자켓을 관통하여 설치될 수 있다. 한편 도7의 실시예에서, 퍼지 기체 샤워헤드 모듈 바닥(669)과 냉각 자켓(710) 윗면 사이의 공간(685)에서 퍼지 기체가 비록 미미한 양일지라도 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 안내관(681)을 통해 퍼지 기체 샤워헤드 모듈(610)의 위쪽으로 누설되는 것을 방지하기 위해 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 안내관(681)과 반응 기체 분사 튜브(451,551) 사이의 틈새를 되도록 작게 하는 것이 바람직하다. Meanwhile, as shown in FIG. 7, if another module is installed under the purge gas showerhead module, the purge gas may pass through the other module and be injected toward the substrate (not shown) from the bottom of the module. As another module will be described later, the cooling module 710 is referred to as cooling module 710 because it can be used to maintain a constant temperature of the showerhead. The purge gas injected from the purge gas showerhead module bottom 669 is once again uniformly diffused in the space 685 between the purge gas showerhead module bottom 669 and the top of the cooling jacket 710 once again reacting the gas jet tube. 451 and 551 are injected toward the substrate through a gap g4 between the inner wall of the reaction gas injection tube guide tube 781 and the outer wall of the reaction gas injection tubes 451 and 551 for allowing the cooling jacket 710 to penetrate. Meanwhile, a purge gas injection guide tube 783 for injecting only purge gas without passing the reaction gas injection tubes 451 and 551 therein may be installed through the cooling jacket. 7, the guide tube 681 of the purge gas showerhead module may be removed even if the amount of purge gas is small in the space 685 between the bottom of the purge gas showerhead module 669 and the top of the cooling jacket 710. In order to prevent leakage above the purge gas showerhead module 610, it is desirable to minimize the gap between the guide tube 681 of the purge gas showerhead module and the reaction gas injection tubes 451 and 551.

도 8은 냉각 자켓의 바닥면(769)을 아래쪽에서 바라본 모습으로 반응기체 분사 튜브(451, 551)의 종류가 2종류일 때 그 각각의 반응 기체 분사 튜브의 바람직한 배치를 보여준다. 이런 실시예에서 주변부의 위치하는 일부 반응 기체 분사 튜브를 제외하고 규칙적으로 배열되는 중앙 부분에는, 한 종류의 반응 기체(제1 반응 기체) 분사 튜브(451)의 주위로 다른 한 종류의 반응 기체(제2 반응 기체) 분사 튜브(551)가 정사각형이나 마름모와 같은 4각형의 꼭지점을 이루게끔 배열된다. FIG. 8 shows the bottom surface 769 of the cooling jacket from below, and shows the preferred arrangement of the respective reaction gas injection tubes when the two kinds of the reaction gas injection tubes 451 and 551 are provided. In this embodiment, the central portion regularly arranged except for some reactive gas injection tubes located at the periphery has a different type of reaction gas (a reaction gas (first reaction gas) around the injection tube 451). Second Reaction Gas) The injection tubes 551 are arranged to form quadrilateral vertices, such as squares or rhombuses.

그런데 도 9에서 보는 바와 같이 만약 반응 기체 분사 튜브 안내관(781)이 충분히 조밀하게 배치될 수 있다면, 퍼지 기체 분사 안내관(783)은 반응 기체 분사 튜브 안내관(781)과 안내관(781) 사이에는 존재하지 않아도 되며, 단지 냉각 자켓 가장자리에 집중배치 하는 것으로 충분하다. However, as shown in FIG. 9, if the reaction gas injection tube guide tube 781 may be sufficiently dense, the purge gas injection guide tube 783 may be a reaction gas injection tube guide tube 781 and a guide tube 781. It doesn't have to exist in between, just focus on the edge of the cooling jacket.

또한, 도 9는 반응 기체 분사 튜브의 종류가 제1 반응 기체에 대한 A, 제2 반응 기체에 대한 B, 제3 반응 기체에 대한 C의 3가지일 때 그 각각의 반응 기체 분사 튜브의 바람직한 배치를 보여주는 것이다.9 shows a preferred arrangement of the respective reaction gas injection tubes when the kind of the reaction gas injection tubes is three kinds of A for the first reaction gas, B for the second reaction gas, and C for the third reaction gas. To show.

이런 경우, 반응 기체 샤워해드 모듈은 반응 기체의 수와 같은 3개가 서로 상하로 배치되어 상부 모듈, 중간 모듈, 하부 모듈을 이루게 된다. In this case, the reaction gas showerhead module has three, such as the number of reaction gases, arranged up and down with each other to form an upper module, an intermediate module, and a lower module.

도9의 실시예에서, 주변부를 제외하고, 각 반응 기체 분사 튜브의 주위로 다른 2개의 반응 기체 분사 튜브가 6각형, 바람직하게는 정6각형의 각 꼭지점을 이루게끔 번갈아 배열되는데, 이렇게 함으로써 각 반응 기체가 샤워헤드 바닥과 기판(미도시) 사이이 공간에서 보다 균일하게 혼합될 수 있는 것이다. 반응 기체 분사 튜브의 끝은 냉각 자켓의 바닥으로부터 기판쪽으로 10mm 이내로 돌출되게 하는 것이 바람직하다. 그리고 냉각 자켓을 설치하는 또 다른 이유는 샤워헤드 내부 온도가 지나치게 올라감으로 인해서 반응 기체가 열분해에 의해 샤워헤드 내부 및 샤워헤드 모듈 바닥면에서 원하지 않는 증착을 일으키는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 냉각 자켓을 통해 샤워헤드의 온도를 일정하게, 예를 들면 150 ~ 200℃로 유지할 수 있다. In the embodiment of Fig. 9, with the exception of the periphery, two other reactant gas injection tubes are arranged alternately to form each vertex of a hexagon, preferably a hexagon, around each reaction gas injection tube, whereby The reaction gas may be more uniformly mixed in the space between the showerhead bottom and the substrate (not shown). The end of the reaction gas injection tube is preferably allowed to protrude within 10 mm from the bottom of the cooling jacket towards the substrate. And another reason for installing the cooling jacket is to prevent the reaction gas from thermally decomposing due to excessively high temperature in the showerhead, causing unwanted deposition inside the showerhead and the bottom of the showerhead module. That is, the temperature of the showerhead can be kept constant, for example, 150 to 200 ° C. through the cooling jacket.

도 7에서 냉각 자켓(710)의 냉각재 유입구(723)를 통해 냉각 자켓(710) 안으로 주입된 냉각재는 냉각 자켓(710)의 내부 공간을 거친 뒤 냉각재 유출구(725)를 통해 최종적으로 반응실(미도시)을 빠져나간다. 냉각재로는 공기, 냉수 등 어떤 것을 이용해도 무방하지만 냉각재가 냉각 자켓(710)으로부터 반응실 쪽으로 새지 않도록 하는 것은 매우 중요하다. In FIG. 7, the coolant injected into the cooling jacket 710 through the coolant inlet 723 of the cooling jacket 710 passes through the inner space of the cooling jacket 710 and finally through the coolant outlet 725. Exit). The coolant may be any air or cold water, but it is very important that the coolant does not leak from the cooling jacket 710 toward the reaction chamber.

도1은 종래의 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비의 일 예에 대한 개략적 구성을 나타내는 측단면도,1 is a side cross-sectional view showing a schematic configuration of an example of a semiconductor device manufacturing apparatus having a conventional shower head;

도2는 본 발명의 첫 번째 형태를 적용한 반도체 소자 제조 장비에 대한 개략적 구성을 나타내는 측단면도,2 is a side sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor device manufacturing equipment to which the first aspect of the present invention is applied;

도3은 본 발명의 첫 번째 형태에서의 샤워헤드 부분을 보다 상세히 나타내는 측단면도,Figure 3 is a side cross-sectional view showing in more detail the showerhead portion in the first aspect of the present invention;

도4는 본 발명의 첫 번째 형태에서 샤워헤드의 중간판과 윗판 사이의 횡단면을 나타내는 횡단면도,4 is a cross-sectional view showing a cross section between the middle plate and the top plate of the showerhead in the first form of the present invention;

도5는 본 발명의 두 번째 형태에서의 샤워헤드 부분을 상세히 나타내는 측단면도,Fig. 5 is a side sectional view showing in detail the showerhead portion in the second aspect of the present invention;

도6은 본 발명의 세 번째 형태에서의 샤워헤드 부분을 상세히 나타내는 측단면도이다.Fig. 6 is a side sectional view showing in detail the showerhead portion in the third aspect of the present invention.

도7은 본 발명을 바닥에서의 오염이 방지되는 샤워헤드에 적용한 실시예를 보여주는 측단면도Figure 7 is a side cross-sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a showerhead in which contamination from the floor is prevented

도8은 2개의 반응 기체가 사용되는 샤워헤드를 아래에서 본 배면도8 is a rear view from below of a showerhead in which two reaction gases are used;

도9는 3개의 반응 기체가 사용되는 샤워헤드를 아래에서 본 배면도9 is a rear view from below of a showerhead in which three reaction gases are used;

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1: 공정 챔버 6: 웨이퍼1: process chamber 6: wafer

8: 스테이지 100: 샤워헤드8: stage 100: showerhead

210: 바닥 212: 기체 공급포트210: bottom 212: gas supply port

221: 확산핀 222: 분사구 221: diffusion pin 222: injection hole

242: 확산실 244: 분배실242: diffusion chamber 244: distribution chamber

247: 윗판 249: 중간판 247: top plate 249: middle plate

250; 아모포스 브레이징 필러 쉬트 262: 스페이서250; Amophos Brazing Filler Sheet 262: spacer

268: 외측벽 310: 바닥268: outer wall 310: floor

314: 제1기체 공급포트 324: 제1기체 확산핀 314: first gas supply port 324: first gas diffusion pin

312: 제2기체 공급포트 321: 제2기체 확산핀312: second gas supply port 321: second gas diffusion pin

322: 분사구 332: 제2기체 확산실 322: injection hole 332: second gas diffusion chamber

334: 분배실 451, 551:반응 기체 분사 튜브 334: distribution chamber 451, 551: reaction gas injection tube

710: 냉각 자켓710: cooling jacket

781:반응 기체 분사 튜브 안내관 783:퍼지 기체 분사 안내관781: reaction gas injection tube guide tube 783: purge gas injection guide tube

Claims (8)

챔버 벽체와 상기 챔버 벽체가 이루는 공정공간에서 기판이 놓이는 스테이지와 상기 기판에 공정 기체를 공급하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비에 있어서, In the semiconductor device manufacturing equipment having a stage in which a substrate is placed in a process space formed by the chamber wall and the chamber wall and a shower head for supplying a process gas to the substrate, 상기 샤워헤드는, 윗판과, 복수의 분사구를 가지는 바닥판과, 상기 윗판과 상기 바닥판 사이의 공간을 다시 종 방향을 기준으로 상하로 구획하는 중간판을 구비하며,The shower head includes a top plate, a bottom plate having a plurality of injection holes, and an intermediate plate for partitioning the space between the top plate and the bottom plate up and down again based on the longitudinal direction, 상기 중간판에는 분산된 복수의 연결 구멍이 형성되고, 상기 연결 구멍의 입구는 상기 윗판 방향으로 상향 돌출되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.The intermediate plate is formed with a plurality of distributed connection holes, the inlet of the connection hole is a semiconductor device manufacturing equipment having a shower head, characterized in that protruding upward in the upper plate direction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간판과 상기 윗판 사이에는 상기 중간판과 상기 윗판의 간격을 일정하게 유지하기 위한 복수의 스페이서가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.And a plurality of spacers between the intermediate plate and the upper plate for maintaining a constant distance between the intermediate plate and the upper plate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상향으로 돌출된 입구는 상기 연결 구멍에 튜브 형태의 확산핀을 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비.The upwardly protruding inlet is formed by coupling a diffusion pin in the form of a tube to the connection hole. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상향으로 돌출된 입구 중에 상기 중간판의 중앙부에 위치하는 입구가 상기 중간판의 주변부에 위치하는 입구보다 상기 윗판과 더 가깝도록 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.And an inlet positioned at the center of the middle plate among the upwardly protruding inlets is closer to the upper plate than an inlet located at the periphery of the middle plate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간판은 상기 윗판과 상기 바닥판 사이의 상기 공간을 종으로 구획하는 복수 개로 형성되고, The intermediate plate is formed of a plurality of partitioning the space between the top plate and the bottom plate in longitudinal, 복수 개의 상기 중간판 각각에는 분산된 복수의 연결 구멍이 형성되고,Each of the plurality of intermediate plates is provided with a plurality of distributed connection holes, 상기 연결 구멍은 상기 연결 구멍이 형성된 중간판으로부터 종으로 구획된 상기 공간 중에서 최하층 중간판과 상기 바닥판 사이의 공간인 분배실까지 직접 연결되도록 하는 하향 돌출부를 가지며, 또한, 상기 연결 구멍의 입구가 연결 구멍이 형성된 중간판 바로 위의 중간판 혹은 상기 윗판을 향해 연장되는 상향 돌출부를 가지며,The connection hole has a downward protrusion for directly connecting to a distribution chamber which is a space between the lowermost intermediate plate and the bottom plate among the spaces longitudinally partitioned from the intermediate plate on which the connection hole is formed. Has an intermediate projection directly above the intermediate plate formed with a connection hole or an upward protrusion extending toward the upper plate, 복수 개의 상기 중간판에 의해 종방향으로 구획된 공간 중에서 상기 분배실을 제외한 공간의 각각에는 별도의 기체 공급포트가 연결되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.Equipment for manufacturing a semiconductor device having a shower head, characterized in that a separate gas supply port is connected to each of the space except the distribution chamber among the space partitioned in the longitudinal direction by a plurality of the intermediate plate. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 샤워헤드는 The shower head 하나 이상의 반응 기체 샤워헤드 모듈;One or more reactant gas showerhead modules; 상기 반응 기체 샤워헤드 모듈의 하방에 설치되는 퍼지 기체 샤워헤드 모듈;A purge gas showerhead module installed below the reaction gas showerhead module; 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 하방에 설치되는 냉각 자켓을 구비하며,It has a cooling jacket installed below the purge gas showerhead module, 상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 상기 윗판, 위의 중간판, 아래의 중간판과 상기 바닥판을 가져, 상기 윗판과 상기 위의 중간 판 사이의 공간으로 상기 공정 기체 중 반응 기체가 유입되고, 상기 위의 중간 판과 상기 아래의 중간 판 사이의 공간으로 분사 지원 기체가 유입되며, 상기 아래의 중간 판과 상기 바닥판 사이의 공간인 분배실 안에서 상기 반응 기체와 상기 분사지원 기체가 서로 혼합되어 혼합 기체를 형성하도록 이루어지며, 상기 혼합 기체를 기판 위로 분사하기 위해 상기 분사구에는 상기 바닥판 저면에서 하향 돌출되는 복수의 반응 기체 분사 튜브가 구비되고,The reaction gas showerhead module has the top plate, the middle plate, the bottom plate and the bottom plate, the reaction gas in the process gas is introduced into the space between the top plate and the top plate, The injection support gas is introduced into the space between the intermediate plate and the lower intermediate plate, and the reaction gas and the injection support gas are mixed with each other in a distribution chamber which is a space between the lower intermediate plate and the bottom plate. And a plurality of reaction gas injection tubes protruding downward from the bottom of the bottom plate to inject the mixed gas onto the substrate. 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈은 상기 윗판, 상기 중간판, 상기 바닥판을 가져, 퍼지 기체가 상기 윗판과 상기 중간판 사이의 공간으로 유입되고, 상기 분사구를 통해 분사되도록 이루어지며, 상기 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 퍼지측 안내부가 형성되며,The purge gas showerhead module has the upper plate, the intermediate plate, and the bottom plate, and the purge gas is introduced into the space between the upper plate and the intermediate plate and is injected through the injection port, and the reaction gas injection tube Is passed through the purge side guide to maintain the airtight of the purge gas showerhead module is formed, 상기 냉각 자켓에는 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 상기 분사구에서 분사된 퍼지 기체를 통과시키되 냉각 자켓의 기밀을 유지시키는 냉각측 안내관부가 형성되고, 상기 냉각측 안내관부의 적어도 일부는 상기 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 반응 기체 분사 튜브가 상기 냉각측 안내관부의 내벽과 틈새를 가져 상 기 틈새로 상기 퍼지 기체가 통과하도록 하는 큰 직경으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 The cooling jacket is provided with a cooling side guide tube portion for passing the purge gas injected from the injection port of the purge gas shower head module to maintain the airtightness of the cooling jacket, at least a portion of the cooling side guide tube portion is the reaction gas injection tube Is passed through the reaction gas injection tube has a gap with the inner wall of the cooling side guide tube portion has a large diameter to allow the purge gas to pass through the gap, characterized in that 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.Semiconductor device manufacturing equipment having a shower head. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 서로 상하에 위치하는 상부 모듈, 중간 모듈, 하부 모듈의 3개로 이루어지고,The reaction gas showerhead module is composed of three of the upper module, the middle module, the lower module positioned above and below each other, 상기 중간 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 중간 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 중간 모듈 안내부가 구비되고,The intermediate module is provided with an intermediate module guide for passing the reaction gas injection tube of the upper module while maintaining the airtightness of the intermediate module, 상기 하부 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브 및 상기 중간 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 하부 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 하부 모듈 안내부가 구비되며, The lower module is provided with a lower module guide for passing the reaction gas injection tube of the upper module and the reaction gas injection tube of the intermediate module to maintain the airtightness of the lower module, 상기 반응 기체 분사 튜브는, 상기 냉각 자켓의 바닥면에서 볼 때, 제1 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브 주위에 제2 반응 기체 및 제3 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브가 번갈아가면서 6각형의 꼭지점 위치에 놓이도록 배열되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비.When the reaction gas injection tube is viewed from the bottom surface of the cooling jacket, the reaction gas injection tube for injecting the second reaction gas and the third reaction gas alternately around the reaction gas injection tube for injecting the first reaction gas. Equipment for manufacturing a semiconductor device having a showerhead, characterized in that arranged to lie at the vertex position of the square. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 서로 상하에 위치하는 상부 모듈, 하부 모듈의 2개로 이루어지고,The reaction gas showerhead module is composed of two of the upper module, the lower module located above and below each other, 상기 하부 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 하부 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 하부 모듈 안내부가 구비되며, The lower module is provided with a lower module guide for passing the reaction gas injection tube of the upper module to maintain the airtightness of the lower module, 상기 반응 기체 분사 튜브는, 상기 냉각 자켓의 바닥면에서 볼 때, 제1 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브 주위에 제2 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브가 4각형의 꼭지점 위치에 놓이도록 배열되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비.The reaction gas injection tube is viewed from the bottom surface of the cooling jacket such that the reaction gas injection tube for injecting the second reaction gas around the reaction gas injection tube for injecting the first reaction gas is placed at a vertex position of a quadrilateral shape. Semiconductor device manufacturing equipment having a showerhead, characterized in that arranged.
KR1020070111772A 2007-09-21 2007-11-02 Semiconductor device fabrication equipment with showerhead KR100923453B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070096587 2007-09-21
KR1020070096587 2007-09-21

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080105914A Division KR100972801B1 (en) 2007-09-21 2008-10-28 semiconductor device fabrication equipment with showerhead

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070112354A true KR20070112354A (en) 2007-11-23
KR100923453B1 KR100923453B1 (en) 2009-10-27

Family

ID=39090747

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070111772A KR100923453B1 (en) 2007-09-21 2007-11-02 Semiconductor device fabrication equipment with showerhead
KR1020080105914A KR100972801B1 (en) 2007-09-21 2008-10-28 semiconductor device fabrication equipment with showerhead

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080105914A KR100972801B1 (en) 2007-09-21 2008-10-28 semiconductor device fabrication equipment with showerhead

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR100923453B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010140778A2 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 (주)피에조닉스 Showerhead for film depositing vacuum equipment
WO2014209017A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 한국생산기술연구원 Shower head for electronic device having dispersion pins fabrication, and shower head assembly
JP2016036020A (en) * 2014-07-30 2016-03-17 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in secondary purge enabled ald system
KR20160053754A (en) * 2014-11-05 2016-05-13 (주)에스아이 Gas spray nozzle for chemical vapor deposition
US10161040B2 (en) 2013-06-26 2018-12-25 Korea Institute Of Industrial Technology Shower head for electronic device having dispersion pins fabrication and shower head assembly
US11111581B2 (en) 2012-06-25 2021-09-07 Lam Research Corporation Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130115330A (en) * 2011-05-24 2013-10-21 한국생산기술연구원 Showerhead having multi-layer and method for sealing the same
KR101311268B1 (en) * 2011-12-20 2013-09-25 한국생산기술연구원 Showerhead for depositing multi-component compound thin films
KR102218433B1 (en) 2018-11-29 2021-02-22 (주)디에스테크노 Semiconductor manufacturing equipment with showerhead using SiC with improved etching properties
FR3101196B1 (en) * 2019-09-20 2021-10-01 Semco Smartech France HOMOGENEIZATION DEVICE

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2929971B2 (en) * 1995-05-19 1999-08-03 日本電気株式会社 Vapor phase growth equipment
JP2000290777A (en) * 1999-04-07 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd Gas treating device, buffle member, and gas treating method
KR100434487B1 (en) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 Shower head & film forming apparatus having the same
KR100731164B1 (en) * 2005-05-19 2007-06-20 주식회사 피에조닉스 Apparatus of chemical vapor deposition with a shower head and method therof

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010140778A2 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 (주)피에조닉스 Showerhead for film depositing vacuum equipment
WO2010140778A3 (en) * 2009-06-01 2011-03-10 (주)피에조닉스 Showerhead for film depositing vacuum equipment
KR101064210B1 (en) * 2009-06-01 2011-09-14 한국생산기술연구원 A showerhead for film depositing vacuum equipments
DE112010002199T5 (en) 2009-06-01 2012-07-05 Korea Institute Of Industrial Technology Shower head for a vacuum layer deposition device
DE112010002199B4 (en) * 2009-06-01 2015-02-26 Korea Institute Of Industrial Technology Shower head for a vacuum layer deposition device
US11111581B2 (en) 2012-06-25 2021-09-07 Lam Research Corporation Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
US11725282B2 (en) 2012-06-25 2023-08-15 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
WO2014209017A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 한국생산기술연구원 Shower head for electronic device having dispersion pins fabrication, and shower head assembly
US10161040B2 (en) 2013-06-26 2018-12-25 Korea Institute Of Industrial Technology Shower head for electronic device having dispersion pins fabrication and shower head assembly
JP2016036020A (en) * 2014-07-30 2016-03-17 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in secondary purge enabled ald system
KR20160053754A (en) * 2014-11-05 2016-05-13 (주)에스아이 Gas spray nozzle for chemical vapor deposition

Also Published As

Publication number Publication date
KR100972801B1 (en) 2010-07-29
KR100923453B1 (en) 2009-10-27
KR20090031338A (en) 2009-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100923453B1 (en) Semiconductor device fabrication equipment with showerhead
KR100849929B1 (en) Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating the injection velocity of reactive gases positively and a method thereof
JP4630226B2 (en) Chemical vapor deposition method and apparatus using showerhead
TWI770228B (en) Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI490366B (en) Flow control features of cvd chambers
US9315897B2 (en) Showerhead for film depositing vacuum equipment
US7674352B2 (en) System and method for depositing a gaseous mixture onto a substrate surface using a showerhead apparatus
US6730175B2 (en) Ceramic substrate support
US6461435B1 (en) Showerhead with reduced contact area
US7485339B2 (en) Method for chemical vapor deposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate
US7601223B2 (en) Showerhead assembly and ALD methods
TW202115770A (en) Gas distribution showerhead for semiconductor processing
US20020072164A1 (en) Processing chamber with multi-layer brazed lid
WO2008032910A1 (en) Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof
KR20230122140A (en) Intake assemblies, intake devices and semiconductor processing devices in process chambers
KR100972802B1 (en) semiconductor device fabrication equipment with showerhead
TW202330988A (en) Semiconductor processing device with heater, and semiconductor processing method
CN115478261A (en) Gas spray head and chemical vapor deposition equipment
CN116368260A (en) Spray head with integral turning flow path
JP2018037457A (en) Vapor growth device and manufacturing method of epitaxial wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early opening
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120919

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140121

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141016

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161005

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170927

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181002

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190925

Year of fee payment: 11