KR20070105268A

KR20070105268A - 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20070105268A
Application number: KR1020070040027A
Authority: KR
Inventors: 유키 츠치야
Original assignee: 가부시키가이샤 시티즌 덴시
Priority date: 2006-04-25
Filing date: 2007-04-24
Publication date: 2007-10-30
Also published as: JP2007295308A; US7698793B2; US20070258605A1; DE102007019321A1; CN101064971A

Abstract

(과제) 리플로우 실장이 가능한 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 제조하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은, 배면 전극을 구비한 배면 전극 기판을 준비하는 제 1 공정과 ; 습식 또는 건식의 화학 에칭 처리한 표면을 갖는 필름상의 불소 함유 수지체에 접착제층을 적층하여 제작된 접착제 부착 불소 함유 수지체를 준비하는 제 2 공정과 ; 상기 배면 전극 기판의 상기 배면 전극 상에 상기 접착제 부착 불소 함유 수지체를, 상기 접합 접착제층을 개재시켜 적층하는 제 3 공정과 ; 상기 접착제층을 고화시켜, 상기 불소 함유 수지체를 상기 배면 전극 기판의 배면 전극 상에 고착하는 제 4 공정과 ; 배면 전극 상에 고착된 상기 불소 함유 수지체에 착전 처리를 실시하는 제 5 공정을 갖는다.

Description

일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법{ELECTRET CONDENSER MICROPHONE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}

도 1 은, 본 발명의 불소 함유 수지체를 사용한 ECM 의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.

도 2 는, 본 발명의 접착제 부착 불소 함유 수지체의 단면도이다.

도 3 은, 본 발명의 접착제 부착 불소 함유 수지체의 다이컷 (die-cut) 가공 상태를 나타내는 단면도이다.

도 4 는, 본 발명의 배면 전극 기판의 단면도이다.

도 5 는, 본원 발명의 접착제 부착 PTFE 와 접착제를 접착하고 있지 않은 PTFE 단체의 내열 특성을 나타내는 그래프이다.

도 6 은, 아크릴계 접착제를 사용한 배면 전극 기판의 평면과 단면을 나타내는 것으로서, (a) 는 접착제 부착 FEP 의 상태, (b) 는 가열 처리를 실시한 후의 상태를 나타낸다.

도 7 은, 고무계 접착제를 사용한 배면 전극 기판의 평면과 단면을 나타내는 것으로서, (a) 는 접착제 부착 FEP 의 상태, (b) 는 가열 처리를 실시한 후의 상태를 나타낸다.

도 8 은, 배면 전극 기판의 리플로우에 대한 전하량의 감쇠를 나타내는 전하 유지 특성의 그래프이다.

도 9 는, 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내는 배면 전극 기판을 진동 검출 수단으로 하는 ECM 의 단면도이다.

도 10 은, 도 9 에 나타내는 ECM 을 구성하는 각 엘리먼트의 분해 사시도이다.

도 11 은, 본 발명의 제 3 실시형태를 나타내는 집합 ECM 의 제조 공정에서 사용하는 각 집합 부품의 사시도이다.

도 12 는, 본 발명의 집합 ECM 의 완성체 사시도이다.

도 13 은, 본 발명의 단체 ECM (100) 의 완성체 사시도이다.

도 14 는, 본 발명의 제 3 실시형태인 집합 ECM 의 제조 공정도이다.

도 15 는, 본 발명의 제 4 실시형태를 나타내는 배면 전극 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

1 : 접착제 부착 불소 함유 수지체

2 : 불소 함유 수지체 (PTFE)

2a : 일렉트릿층

3 : 접착제

4 : 배면 전극 (검출 전극)

6 : 스페이서

7 : 진동막 유닛

10, 30 : 배면 전극 기판

17 : 금속 케이스

20 : 회로 기판

20L : 집합 회로 기판

30L : 집합 배면 전극 기판 (집합 검출 전극 기판)

60L : 집합 스페이서

70L : 집합 진동막 유닛

100 : ECM

100L : 집합 ECM

본 발명은 내열성이 우수한 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터, 진동판으로서의 다이어프램과 일렉트릿층 (전하를 축적한 수지층) 을 대향 배치하여 콘덴서를 구성하고 진동 검출 수단으로 사용되는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰이 알려져 있다.

종래의 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 (이하 ECM 이라 약기한다) 은, 예를 들어 일본 공개특허공보 2002-345087호에 개시되어 있는 바와 같이, 대전 수지체인 일렉트릿층의 형성에는 검출 전극인 금속제 배면 기판 상에 수지층을 형성하고, 이 수지층에 대전 처리를 실시함으로써 일렉트릿층을 형성하는 방식 (동 공보 도 3 참조) 이나, 수지제 또는 세라믹제의 배면 기판 상에 배면 전극을 막형성하고 (동 공보 도 1 참조), 이 배면 전극 상에 상기 일렉트릿층을 형성하는 방식이 행해지고 있다.

상기 일렉트릿층을 갖는 ECM 은, 가정용 기기 등에 실장되는 경우, 통상적으로, 다른 전기 엘리먼트가 실장되어 있는 회로 기판에 납땜에 의하여 실장된다. 실장을 실시하는 경우, 비용을 저감시키기 위해서는, 리플로우 노(爐)에 의한 땜납 실장이 요구된다. 그러나, 이 리플로우 노에 의한 땜납 실장은 160℃∼180℃ 에서 약 100초간, 그 후 250℃ 에서 약 10초간 가열되기 때문에, 일렉트릿층에 착전 (着電) 되어 있는 전하가 감소함으로써, 마이크로폰으로서의 성능을 유지할 수 없게 된다는 문제, 즉, 일렉트릿층의 내열성이 낮다는 문제가 있다.

이러한 문제를 해소하기 위하여, 종래부터 몇 가지가 제안되어 있다. 예를 들어 일본 공표특허공보 2001-518246호에 개시되어 있는 ECM 은, 내열성이 낮은 유기질 수지체를 대신하여 무기질 실리콘 수지를 사용한 일렉트릿층을 개시하고 있다. 그러나 실리콘 수지는, 유기질의 수지체에 비하여 고가이다.

또한, 일본 공개특허공보 2000-32596호에는 종래의 유기질 대전 수지층 (일렉트릿층) 을 개량하여, 리플로우 장치에 의한 땜납 실장을 가능하게 한 ECM 이 개시되어 있다. 즉, 이 ECM 에서는, 일렉트릿층을 구성하기 위한 유기질 수지체를 배면 기판의 금속판에 융착시키고, 이것을 착전하기 전에 약 200℃ 에서 1∼6시간 정도의 고온 어닐을 실시하고, 그 후 착전하여 내열성이 높은 당해 대전 수지층 으로 한다.

또한, 일본 공개특허공보 2005―191467호에는, 내열성을 갖는 일렉트릿용 수지 재료인 폴리테트라플루오로에틸렌 (이후 PTFE 라고 약기한다) 의 필름을 금속판 상에, 순차로 열융착하여 2층 이상의 PTFE 로 이루어지는 대전용 수지층을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 금속판과 PTFE 필름의 밀착력이 나쁜 점을 개선하기 위하여, 제 1 층째의 PTFE 필름을 370∼390℃ 의 고온에서 열융착시키고, 그 열융착된 제 1 층째의 PTFE 필름 상에 제 2 층째의 PTFE 필름을, 상기 제 1 층째의 융착 온도보다 낮은 330∼350℃ 에서 열융착하는 것이다.

또한, 상기 일본 공개특허공보 2005-191467호에는, PTFE 필름의 금속판과의 밀착성을 높이는 방법이 개시되어 있다. 그리고 하나의 방법으로서 금속판과 PTFE 필름 사이에 열가소성 수지의 접착층을 형성하는 것이 기재되어 있지만, 동 공보의 단락 [0009] 에 「이 접착층을 형성하는 것은 고정 전극으로서의 원하는 특성이 얻어지지 않고, 또한 대전 특성이 열화된다」라는 기재가 있다. 이것은, 금속판에 열가소성 수지의 접착층을 개재시켜 PTFE 필름을 접착한 후에, 그 금속판을 필요한 전극 형상으로 다이컷 가공을 실시하면, 접착층이 다이컷 가공의 충격력에 의하여 변형을 일으키고, 일렉트릿층인 PTFE 필름의 특성에 악영향이 발생되기 때문이라고 생각된다.

또한 최근, 상기 PTFE 필름 등의 불소 함유 수지체가 그 내열성 및 내습성이 우수한 점에 착안하여 방습 시일재로서의 수요가 높아지고 있고, 그 밀착성이 나쁜 점을 개선하기 위하여, 표면을 액체 암모니아 중에서 알칼리성 금속 아미드로 표면 처리를 실시하여 활성화시킨 것에, 접착제를 적층한 접착제 부착 불소 함유 수지체 필름이 시판되고 있다. 이 접착제 부착 불소 함유 수지체 필름은 고온이나 고습 등의 조건이 나쁜 환경하에서의 테이프재로서 이용되고 있다.

상기 서술한 종래 기술에 개시된 기술, 즉, 금속판의 표면에 일렉트릿재 시트를 열융착에 의하여 고착시키고, 이 일렉트릿재 시트를 고착시킨 금속판을 프레스 가공에 의하여 다이컷하여 전극 형상의 배면 전극을 구성하는 기술에는 다음과 같은 결점이 있다.

즉 전극이 되는 금속판에 일렉트릿재 시트를 열융착에 의하여 직접 부착시키고 있기 때문에, 착전 처리 후에 큰 온도 변화가 있으면 상기 금속판의 열팽창의 영향이 일렉트릿재 시트에 영향을 주고, 일렉트릿재 시트가 분자 운동함으로써 착전된 전하가 상실되게 된다.

또한 형상 가공을 실시하기 위한 프레스 가공 등의 금속 절단 가공에 있어서, 고착되어 있는 일렉트릿재 시트에 내부 변형이 발생되고, 대전 상태가 불안정하게 되어 전하가 감소되는 것의 원인이 된다.

또한, 일본 공개특허공보 2002-345087호의 도 1 에는 수지제 또는 세라믹제의 배면 기판 상에 배면 전극을 막형성하고, 이 배면 전극 상에 상기 일렉트릿층을 형성하는 구성이 개시되어 있지만, 일렉트릿층을 막형성하는 방법의 구체적 설명이 없다.

게다가, 내열성을 높여서 전하의 감소를 개선하는 방법으로 해도, 일본 공개 특허공보 2000-32596호에 개시되어 있는 기술은 기본적으로 수지에 대한 어닐링 기술이기 때문에, 고온하에 장시간 방치할 필요가 있어, 제조 시간이 길어지는 결점에 더하여, 시간 관리나 온도 관리의 변화에 수반되는 제품의 안정성에도 문제가 있다.

또한, 일본 공개특허공보 2005-191467호에 개시되어 있는 기술은, 금속판의 상면에 적어도 2층 이상의 일렉트릿재 시트를 열융착할 필요가 있고, 융착 온도를 상이하게 한 여러 차례의 열융착 공정은 생산성이 나쁘고, 최종적으로는 기계 가공에 의한 금속판의 절단 가공을 필요로 하는 것이다.

그래서 본 발명자는 생산성을 저하시키지 않고 리플로우 실장이 가능한 내열성이 우수한 ECM 을 제조하는 방법을 검토한 결과, 전술한 시판되고 있는 액체 암모니아 중에서 알칼리성 금속 아미드로 표면 처리를 실시한 접착제 부착 불소 함유 수지체 필름에 착안하였다. 즉, 이 접착제 부착 불소 함유 수지체 필름을 사용하여, 그 우수한 대전 특성을 최대한으로 살린 ECM 의 제조를 가능하게 하였다.

본 발명의 목적은, 제조가 용이하고 또한 내열성이 우수하며, 종래 곤란하다고 여겨지던 리플로우 실장의 고온에 대응 가능한 ECM 및 그 제조 방법을 제공한다.

즉, 본 발명은,

배면 전극을 구비한 배면 전극 기판을 준비하는 제 1 공정과 ;

습식 또는 건식의 화학 에칭 처리한 표면을 갖는 필름상의 불소 함유 수지체 에 접착제층을 적층하여 제작된 접착제 부착 불소 함유 수지체를 준비하는 제 2 공정과 ;

상기 배면 전극 기판의 상기 배면 전극 상에 상기 접착제 부착 불소 함유 수지체를, 상기 접착제층을 개재시켜 적층하는 제 3 공정과 ;

상기 접착제층을 고화시켜, 상기 불소 함유 수지체를 상기 배면 전극 기판의 배면 전극 상에 고착하는 제 4 공정과 ;

배면 전극 상에 고착된 상기 불소 함유 수지체에 착전 처리를 실시하는 제 5 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법을 제공한다.

즉, 이 방법에서는, 내열성이 높은 불소 함유 수지체를 사용하고 있다. 또한, 그 불소 함유 수지체는, 그 표면이 에칭 처리되어 있는 것을 사용하고 있고, 따라서, 그 불소 함유 수지체와 배면 전극의 접착을 확실하게 하는 것이 가능하도록 하고 있다. 이 때문에, 이 방법에 의하여 제작된 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 리플로우 노에 있어서 가열 처리해도, 그 불소 함유 수지체를 재료로서 안정된 상태로 유지할 수 있고, 그 불소 함유 수지체에 있어서의 전하의 감소를 적게 할 수 있고, 가열 처리 후의 불소 함유 수지체를 일렉트릿으로서 유효한 것으로 할 수 있다. 그리고, 이 방법은, 이러한 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 제작하는 데에, 종래의 제조 방법에 비하여, 그 공정이 간단한 것이 된다.

제 2 공정은, 상기 접착제 부착 불소 함유 수지체를 배면 전극의 형상에 맞추어 성형하는 공정을 갖도록 할 수 있다.

불소 함유 수지체로는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나로 할 수 있다.

상기 제 2 공정은, 필름상의 불소 함유 수지체의 표면을 습식 또는 건식의 화학 에칭 처리하는 에칭 공정을 갖는 것으로 할 수 있다.

이 에칭 처리는, 알칼리성 금속의 이온을 함유하는 용액에 불소 함유 수지체를 침지시켜 실시하는 습식의 화학 에칭 처리로 할 수 있다.

이 경우의 알칼리성 금속은, 리튬, 나트륨, 칼륨 중 어느 하나로 할 수 있다.

또한, 알칼리성 금속 이온을 함유하는 용액은, 암모니아, 혹은 나프탈렌, 페난트렌 (phenanthrene) 을 함유하는 용액 중 어느 하나를 함유하는 용액으로 할 수 있다.

접착제는, 고분자량을 포함하는 유기계 접착제로 할 수 있다.

구체적으로는, 접착제는, 아크릴계 또는 실리콘계 접착제로 하는 것이 바람직하다.

상기 제 4 공정은, 불소 함유 수지체를 180℃∼250℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 것으로 할 수 있다.

보다 구체적으로는, 제 4 공정은, 불소 함유 수지체를 210℃∼235℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한,

격자상으로 배열된 복수의 회로 기판을 갖는 집합 회로 기판 (circuit board aggregation) 을 준비하는 제 1 공정과 ;

상기 집합 회로 기판의 회로 기판에 대응하여 격자상으로 배열된 복수의 배면 전극 기판을 갖는 집합 배면 전극 기판으로서, 각 배면 전극 기판이 배면 전극과, 화학 에칭 처리한 표면을 갖는 필름상의 불소 함유 수지체로서, 접착제층을 개재시켜, 그 배면 전극의 대응하는 하나에 적층되고, 그 접착제층을 고화시킴으로써 그 대응하는 하나의 배면 전극에 고착되고, 또한, 착전되어 일렉트릿층으로 된 불소 함유 수지체를 갖는 집합 배면 전극 기판을 준비하는 제 2 공정과 ;

상기 집합 회로 기판의 회로 기판에 대응하여 격자상으로 배열된 복수의 진동막 유닛을 갖는 집합 진동막 유닛을 준비하는 제 3 공정과 ;

상기 집합 회로 기판과 상기 집합 배면 전극 기판과 그 슬라이딩 진동막 유닛을 순서대로 적층 접합하여, 적층 방향으로 정렬한 상기 회로 기판과 상기 배면 전극 기판과 상기 진동막 유닛으로 이루어지는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰이 격자상으로 복수 배열되어 이루어지는 적층 집합체를 형성하는 제 4 공정과 ;

그 적층 집합체를 절단하여 상기 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 서로 분리하는 제 5 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법을 제공한다.

즉, 이 방법에 의하면 상기 서술한 바와 같은 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 양산하는 것이 가능하게 된다.

불소 함유 수지체는 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테 르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나로 할 수 있다.

제 2 공정은, 필름상의 불소 함유 수지체의 표면을 습식 또는 건식의 화학 에칭 처리하는 에칭 공정을 갖는 것으로 할 수 있다.

에칭 처리는, 알칼리성 금속의 이온을 함유하는 용액에 불소 함유 수지체를 침지시켜 실시하는 습식의 화학 에칭 처리로 할 수 있다.

이 경우, 알칼리성 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨의 그룹에서 선택된 하나로 할 수 있다.

또한, 알칼리성 금속 이온을 함유하는 용액은 암모니아, 혹은 나프탈렌, 페난트렌을 함유하는 용액 중에서 선택된 하나를 함유하는 용액으로 할 수 있다.

구체적으로는, 이 접착제는, 아크릴계 또는 실리콘계의 접착제로 하는 것이 바람직하다.

상기 제 2 공정은, 불소 함유 수지체를 180℃∼250℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 것으로 할 수 있다.

바람직하게는, 이 제 2 공정이, 불소 함유 수지체를 210℃∼235℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 것으로 한다.

본 발명은 또한,

배면 전극을 갖는 배면 전극 기판과 ;

그 배면 전극 상에 적층되는 필름상의 불소 함유 수지체와 ;

그 배면 전극 기판과 그 불소 함유 수지체 사이에 있고, 그 배면 전극 기판 과 그 불소 함유 수지체에 접착하고 고화되어, 양자를 고착하고 있는 접착제층을 갖고,

그 불소 함유 수지체는, 착전되어 일렉트릿층으로 되어 있는 일렉트릿 마이크로폰을 제공한다.

전술한 기재에서도 알 수 있듯이, 이 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰은 내열성이 우수하고, 리플로우 노에서 열처리되어도, 일렉트릿층을 유효하게 유지할 수 있다.

불소 함유 수지체는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나로 할 수 있다.

접착제층은, 고분자량을 포함하는 유기계 접착제로 이루어지는 것으로 하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴계 또는 실리콘계 접착제로 할 수 있다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시예를 설명한다.

먼저, 도 1 은 본 발명의 불소 수지체를 사용한 ECM 제조 방법의 기본적 흐름을 나타내는 공정도이다.

공정 J1 은, 시트상의 불소 함유 수지체의 표면 처리 공정이다. 불소 함유 수지체 재료로는 폴리테트라플루로오에틸렌 (PTFE), 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체 (FEP), 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체 (PFA) 등이 있다.

이 표면 처리 공정에 있어서는, 불소 함유 수지체의 표면을 활성화하기 위한 처리가 실시된다. 구체적으로는, 습식의 화학 에칭 방식을 채용하고 있고, 그방법으로는 이하와 같은 것이 있다.

(1) 나트륨-나프탈렌 착화합물을 사용하는 방법.

나트륨 (Na) 과 나프탈렌 (C10H8) 을 테트라히드로푸란 (THF) 중에서 반응시키고, 그 중에 불소 함유 수지체를 약 15분간, 실온에서 침지시킨 후, 충분히 수세하여 건조시킨다.

(2) 나트륨과 액체 암모니아를 사용하는 방법.

나트륨 (Na) 을 액화시킨 암모니아 (암모니아액) 중에서 용해시키고, 이 용액에 불소 함유 수지체를 1∼5초간, 실온에서 침지시킨 후, 충분히 수세하여 건조시킨다.

상기 (1) (2) 의 방법은 모두 유효하고, 이 표면 처리를 실시한 PTFE 를 에폭시 수지의 접착제로 금속 등에 접착한 경우의 접착 강도는 (1) 이 크다. (2) 는 조금 접착 강도는 떨어지지만 처리 시간이 매우 짧아진다는 장점이 있다. 적절하게 구분하여 사용하면 된다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 액체 암모니아 중에서 합성한 알칼리 금속 아미드를 사용하여 표면 처리를 실시함으로써 접착성 및 대전 유지성이 우수한 불소 함유 수지체를 얻을 수 있었다.

공정 J2 는, 접착제 시트를 상기 공정 J1 에서 표면 처리된 불소 함유 수지체 시트에 적층하여 접합시킨 접착제 부착 불소 함유 수지체 시트를 제조하는 공정 이다. 점착 접착제로는 고분자량을 포함하는 유기계 점착 접착제가 좋고, 바람직하게는 아크릴계 또는 실리콘계 접착제가 좋다.

공정 J3 은, 공정 J2 에서 제조된 접착제 부착 불소 함유 수지체 시트를 ECM 의 검출 전극인 배면 전극의 형상에 맞추어, 날이 얇은 펀치 등에 의하여 다이컷 가공을 실시하여 배면 전극과 동일한 형상의 접착제 부착 불소 함유 수지체를 제조하는 성형 공정이다.

공정 J4 는, 공정 J3 에서 제조된 배면 전극 형상의 접착제 부착 불소 함유 수지체를 ECM 의 배면 전극에 접착하는 공정이다.

공정 J5 는, 공정 J4 에서 불소 함유 수지체가 접착된 배면 전극을 열처리 노 중에 넣어 가열함으로써, 접착제를 고화시켜 불소 함유 수지체와 배면 전극을 확실하게 고착시킨다. 그 가열 처리 조건으로는 고분자량을 포함하는 유기계 점착 접착제를 사용한 경우에는 180℃∼250℃, 바람직하게는 210℃∼235℃ 에서 실시하는 것이 바람직하다.

공정 J6 은, 착전 처리 공정으로서, 배면 전극을 추가로 착전 장치에 세트하여 불소 함유 수지체를 착전함으로써 배면 전극 기판을 완성한다.

도 2 ∼ 도 4 에 의하여 본 발명에 관련되는 배면 전극 기판 제조 공정의 구체적 예를 설명한다.

도 2 는 도 1 에 있어서의 공정 J1, J2 에 의하여 제조된 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1) 의 단면도이다. 이 실시예에서는, 불소 함유 수지체로서 두께 30∼80㎛ 의 PTFE 시트 (이후 PTFE 라고 약기한다 ; 2) 가 사용되고 있고, 두께 5 ∼10㎛ 의 아크릴계 접착제 (2) 가 적층되어, 그 표면에 보호 시트 (3a) 가 피착되어 있다.

PTFE 시트 (2) 는 도 1 의 공정 J1 에 의하여 액체 암모니아 중에서 합성한 알칼리 금속 아미드에 의하여 표면 처리함으로써 표면이 활성화되어 있다. 이 활성화된 면에 보호 시트 부착 접착제 시트 (3) 를 적층하여 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1) 를 형성하고 있다.

도 3 은, 공정 J3 의 성형 공정을 나타내고 있으며, 이 공정에서는, 후술하는 배면 전극의 형상에 맞춘 원형의 얇은 날을 구비하는 다이컷 기구 (200) 에 의하여, 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1) 의 시트로부터 다이컷을 실시함으로써, 원형의 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1a) 를 성형한다.

도 4 는, 배면 전극 기판 (10) 의 단면도로서, 공정 J4∼J6 을 설명하기 위한 것이다.

상기 형상 가공된 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1a) 는, 공정 J4 에 있어서, 보호 시트 (3a) 를 박리한 상태에서, 절연 기판 (10a) 상에 형성된 배면 전극 (4) 의 상면에 접착되고, 배면 전극 (4) 의 상면에 접착제 시트 (3) 를 개재시켜 PTFE (2) 가 접착된 상태로 되는 도 4 에 나타내는 배면 전극 기판 (10) 으로 된다. 다음으로 공정 J5 에 있어서, 배면 전극 기판 (10) 을 고온의 노에 투입하고, 210℃ 에서 235℃ 까지 점차 온도를 올려 가열 처리함으로써, 아크릴계의 접착제 시트 (3) 가 고화되어 배면 전극 (4) 과 PTFE (2) 를 확실하게 고착시킨다.

다음으로 공정 J6 에 있어서 배면 전극 기판 (10) 을 착전 장치에 세트하여, 불소 수지체를 -200V 로 착전함으로써 일렉트릿층 (2a) 으로 하여 배면 전극 기판 (10) 이 완성된다. 이 배면 전극 기판 (10) 에서는, 액체 암모니아 중에서 합성한 알칼리 금속 아미드를 사용하여 표면 활성화 처리된 PTFE (2) 를 유기재의 접착제 (3) 를 개재시켜 배면 전극 (4) 에 고착시키고 있기 때문에, 후술하는 바와 같이 매우 대전 유지성이 우수한 특성을 갖는 것으로 되어 있다.

이는, 접착제와 표면 활성화 처리된 PTFE 를 접착한 상태에서 가열 처리를 실시하면, 접착제가 고형화됨으로써 PTFE 와 기판의 밀착력이 강해지고, 이 결과 PTFE 의 분자 운동이 일어나기 어려워져서 표면 전하의 대전 유지 특성이 좋아진다. 즉 PTFE 의 분자 운동이 억제되면, 정적 상태가 유지되어 표면 전하를 방출시키는 에너지가 작아지기 때문에 대전 유지 특성이 향상된다.

또한, 상기 PTFE 는 표면 활성화 처리에 의하여 공액 이중 결합이 형성되며, 이 공액 이중 결합은 불소 수지와 결합하고 있기 때문에, 표면 전하인 마이너스 전하를 안정화시키는 기능을 갖고 있고, 이 결과로서 대전 유지 특성이 향상된다.

즉, 본 발명에서는 접착제의 고형화에 의하여 분자 운동이 일어나기 어려운 점과 PTFE 의 공액 이중 결합에 의한 마이너스 전하의 안정화의 상승 효과에 의하여 표면 전하인 마이너스 전하가 매우 안정적인 에너지 상태, 즉 깊은 양자 우물 (guantum well) 에 존재하는 것이라고 생각되며, 결과적으로 전하 유지 성능이 향상된다.

다음으로, 전하 잔존율의 효과를 설명한다.

도 5 는, 도 1 에 나타낸 공정을 통하여 형성한 배면 전극 기판의 샘플 (N1) 과, PTFE 자체를 융착에 의하여 배면 전극에 고착시키고 착전하여 형성한 배면 전극 기판의 샘플 (N2) 을 250℃ 의 핫 플레이트에 놓고, 경과 시간마다 표면 전위를 측정하고, 그 전위의 감소치로부터 전하 잔존율을 산출한 내열 특성을 나타내는 그래프이다. 또한, 경과 시간으로는 리플로우시에 고온에 노출되는 2∼3분을 고려하여, 1∼5분까지는 1분 간격으로 하고, 더욱 엄격한 조건으로서 10분 경과시의 전하 잔존율을 측정하였다.

도 5 에 나타내는 바와 같이 샘플 (N2) 의 전하 잔존율은, 1분 후에 80％, 2분 후에 70％, 5분 후에 45％, 10분 후에는 20％까지 저하되는 반면, 샘플 (N1) 은 5분 후에 80％, 10분 경과 후에도 65％ 의 전하 잔존율을 갖고 있어, 본 발명에 관련되는 방법에 의하여 제작한 배면 전극 기판이 우수한 전하 잔존 효과를 갖는다는 것을 알 수 있다.

도 6, 도 7 은 배면 전극 기판 (10) 의 평면과 단면을 나타내는 것으로서, 도 6, 도 7 의 상반부 (a) 는 도 1 의 J4 공정을 실시하였을 때의 상태, 동 하반부 (b) 는 상기 도 1 의 J5 공정에 있어서의 가열 처리를 실시하였을 때의 상태를 나타낸다. 또한 도 6 은 접착제 (3) 로서 아크릴계 접착제를 사용한 것, 도 7 은 접착제 (3) 로서 고무계 접착제를 사용한 것이다.

도 6 에 나타내는 접착제 (3) 로서 아크릴계 접착제를 사용한 것에서는, (a) 의 가열 처리 전의 상태에 대하여 (b) 의 가열 처리 후의 상태가 거의 형상 변화가 없고, PTFE (2) 의 원형이 유지되고 있는 반면, 도 7 에 나타내는 접착제 (3) 로서 고무계 접착제를 사용한 것에서는, (a) 의 가열 처리 전의 상태에 대하여 (b) 의 가열 처리 후의 상태에서는 접착제 (3) 가 극단적으로 수축되어, 원형의 PTFE (2) 가 타원형으로 변형되어 있다.

상기 도 6 에 나타내는 접착제 (3) 로서 아크릴계 접착제를 사용한 것에서는, 가열 처리 후의 형상 변화가 거의 없어 형상 유지 효과가 높기 때문에, 상기 서술한 접착제 (3) 에 있어서의 PTFE (2) 의 분자 운동을 억제하는 효과가 크고, 전하 잔존율이 높은 배면 전극 기판 (10) 이 얻어지는 반면, 도 7 에 나타내는 접착제 (3) 로서 고무계 접착제를 사용한 것에서는, 가열 처리 후의 형상 유지 효과가 낮기 때문에, 전술한 접착제 (3) 에 있어서의 PTFE (2) 의 분자 운동을 억제하는 효과가 적고, 전하 잔존율이 높은 배면 전극 기판 (10) 이 얻어지지 않는다.

또한, 접착제 (3) 로서 실리콘계 접착제를 사용한 경우에도 아크릴계 접착제를 사용한 경우와 마찬가지의 형상 유지 효과가 얻어지는 것을 알 수 있었다.

다음으로 본원 발명의 접착제 부착 PTFE 를 사용한 배면 전극 기판 (10) 과, 시판되고 있는 배면 전극 기판의 리플로우 노에서의 가열에 대한 전하 유지 특성의 비교를 실시한 결과를 나타낸다.

도 8 은, 각 배면 전극 기판의 리플로우 노에서의 가열에 대한 전하량의 감쇠를 나타내는 전하 유지 특성의 그래프로서, 가로축은 리플로우 노에서의 가열의 반복 횟수, 세로축은 그 때의 전하량을 나타낸다. 즉 각 배면 전극 기판의 일렉트릿층을 -300V 의 전하량에 대전한 것을, 160℃∼180℃ 에서 약 100초간, 그 후 250℃ 에서 약 10초간 리플로우 노에 투입한 후에 전하량을 측정한 것이며, 이것을 5회 반복한 데이터이다.

샘플로는, M1 은 본원 발명에 관련되는 방법에 의하여 제작한 배면 전극 기판 (10) 이며, M2, M3 은 시판되고 있는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 배면 전극 기판이다. M2, M3 은, M1 과 동일한 PTFE 필름을 사용한 라미네이트 구성으로 되어 있고, M2 는 특별히 내열형 배면 전극 기판으로 되어 있다. 또한 M4 는 비교를 위하여 나타낸 FEP 라미네이트판을 사용한 비내열형 배면 전극 기판이다.

비교의 결과를 보면, PTFE 를 일렉트릿층으로 하는 샘플 (M1, M2, M3) 은 초기 값인 -300V 로부터 가열 횟수에 따라 조금씩 감쇠되고, -200V 부근에서 안정되는 반면, FEP 를 일렉트릿층으로 하는 샘플 (M4) 은 1회째의 가열로 대전되었던 전하량이 거의 상실되는 것을 알 수 있다.

즉, PTFE 를 일렉트릿층으로 하는 각 샘플은 기본적으로 PTFE 가 내열성을 갖기 때문에 리플로우에 견딜 수 있는 성능을 갖지만, 본원 발명에 관련되는 배면 전극 기판 (M1) 은 일반적인 PTFE 라미네이트판 구성의 배면 전극 기판 (M3) 보다는 높은 전하 유지 특성을 갖고, 또한 내열형 배면 전극 기판으로 되어 있는 M2 에 가까운 특성을 갖는 것을 알 수 있다.

즉, 본원 발명에 관련되는 배면 전극 기판은, 표면 활성화 처리된 PTFE 시트를 점착 접착제와 일체화시킨 것을, 다이컷 가공하고, 이것을 배면 전극에 접착시켜 열처리한다는 간단한 제조 방법에도 불구하고, 특별히 내열 처리를 실시한 내열형 배면 전극 기판 (M2) 과 동등한 내열 특성을 달성하는 것이다.

다음으로, 배면 전극 기판 (10) 을 사용한 제품인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 (이하 ECM 이라 약기한다) 에 대하여 설명한다. 도 9 는 본 발명의 배면 전 극 기판 (10) 을 진동 검출 수단으로 하는 ECM 의 단면도이며, 도 10 은 도 9 에 나타내는 ECM 을 구성하는 각 엘리먼트의 분해 사시도이다.

도 9 에 있어서 20 은 회로 기판으로서, 그 회로 기판 (20) 은 절연 기판 (20a) 에 의하여 구성되고, 접속이나 출력을 위한 전극 (20b) 이 막형성됨과 함께 전자 부품인 집적 회로 (11) 가 실장되어 있다. 30 은 배면 전극 기판으로서, 도 4 에 나타내는 배면 전극 기판 (10) 에 상당하는 것이다. 그 배면 전극 기판 (30) 은, 그 상면측에 도전막에 의한 배면 전극 (4) 이 형성되고, 그 배면 전극 (4) 의 상면에 도 1 의 공정 J3 에서 형상 가공된 PTFE (2) 가 고착되어 일렉트릿층 (2a) 을 구성하며, 추가로 관통공 (15) 이 형성되어 있다. 6 은 스페이서이고 개공 (6a) 을 갖는다. 7 은 진동막 유닛이고, 진동막 지지틀 (8) 의 하면측에 도전성 진동막 (9) 이 고착되어 형성되어 있다.

상기 각 엘리먼트는 도 10 에 나타내는 바와 같이, 상기 회로 기판 (20), 배면 전극 기판 (30), 스페이서 (6), 진동막 유닛 (7) 을, 각각 접착제를 개재시켜 적층하고, 그 외주에 전기적 접속과 실드를 겸한 금속 케이스 (17) 를 피복함으로써, ECM (100) 이 완성된다. 그리고, 이 완성된 ECM (100) 은 휴대 전화 등의 장치에 실장되지만, 상기 장치 내의 메인보드에 형성된 배선 전극에 대하여, 상기 ECM (100) 의 출력 전극 (20b) 을 땜납 접속하는 경우, 리플로우 장치에 의한 160℃∼180℃ 에서 약 100초간, 그 후 250℃ 에서 약 10초간의 고온 처리를 실시해도, 접착제 부착 PTFE 인 일렉트릿층 (2a) 의 착전 상태의 열화가 작아서 문제는 되지 않는다.

상기 구성을 갖는 ECM (100) 의 동작은, 표면에 도전막을 갖는 진동막 (9) 과, 표면에 일렉트릿층 (2a) 이 형성된 배면 전극 (4) 이 스페이서 (6) 를 끼워서 콘덴서를 형성함으로써 진동 검출 수단을 구성하고 있다. 상기 진동막 (9) 이 진동하면, 상기 콘덴서가 이 진동을 전기 신호로 변환시키고, 이 전기 신호가 회로 기판 (20) 에 유도되고, 집적 회로 (11) 에서 처리된 후에 회로 기판 (20) 에 형성된 출력 전극 (20b) 으로부터 출력된다. 관통공 (15) 은, 진동막 (9) 이 순조롭게 진동하도록 한다.

다음으로, 도 11 ∼ 도 13 에 의하여, ECM (100) 을 양산하는 데에 적합한 방법을 설명한다.

도 11 은, 이 제조 방법에 있어서 사용되는 재료, 즉, 집합 진동막 유닛 (7L), 집합 스페이서 (6L), 집합 배면 전극 기판 (30L), 집합 회로 기판 (20L) 을 나타내고 있다.

집합 진동막 유닛 (7L) 은, 도 10 의 진동막 유닛 (7) 에 상당하는 부분을 격자상으로 다수 포함하는 집합체이다. 마찬가지로, 집합 스페이서 (6L) 는, 도 10 의 스페이서 (6) 에 상당하는 부분을 격자상으로 다수 포함하는 집합체이다.

집합 배면 전극 기판 (30L) 은, 도 10 의 배면 전극 기판 (30) 에 상당하는 부분을 격자상으로 다수 포함하는 집합체이고, 각 부분은 배면 전극 (4) 과 일렉트릿층 (2a) 을 갖고 있다. 일렉트릿층 (2a) 은, 도 1 의 공정 J1∼J6 을 통하여 형성된다. 집합 회로 기판 (20L) 은, 도 10 의 회로 기판 (20) 에 상당하는 부분을 격자상으로 다수 포함하는 대형의 기판이고, 각 부분에는 집적 회로 (11) 가 탑재되어 있다. 또한, 도 11 은 개략도이기 때문에 도시하고 있지 않지만, 각 집합체에는 전극 패턴이나, 부품 간의 도통을 위한 스루홀이나 방음용 관통공 등이 형성되어 있다.

ECM 의 제조에 있어서는, 이들 집합 회로 기판 (20L), 집합 배면 전극 기판 (30L), 집합 스페이서 (6L), 그리고, 집합 진동막 유닛 (7L) 을 도 11 에 나타내는 순서로 중첩시켜 접합 접착한다. 접합 접착은 각 집합체의 표면에 접착제를 도포하여 실시해도 되고, 혹은 접착제를 시트상으로 한 것을 층 간에 배치하여 중첩시키고, 가열하여 접합 접착할 수도 있다. 이 접착제 시트의 형상은 도시를 생략하지만 도 11 의 집합 스페이서 (6L) 와 유사한 형상의 것을 사용하면 된다.

상기의 공정에 의하여, 도 12 에 나타내는 바와 같이 각 집합체를 적층한 것인 집합 ECM (100L) 이 얻어지고, 이것은 다수의 ECM (100) 이 종횡으로 연결되어 일체화되어 있는 것이다. 이 집합 ECM (100L) 을 고정용 점착 접착 시트에 부착하여, 각 ECM 간의 경계선을 따라 커터로 다이싱하면, 분할된 각 조각이 각각 도 13 에 나타내는 ECM (100a) 이 되고, 이 ECM (100a) 에 상기 금속 케이스 (17) 를 피복함으로써 ECM (100) 이 완성된다. 도 11, 도 12 에는 3행 4열의 12개의 ECM 을 포함하는 집합체가 도시되어 있지만, 실제로는 1매의 집합체에 수백 개의 ECM 을 포함하는 것으로 하는 것이 양산이라는 점에서 바람직하다.

다음으로 도 14 에 의하여 본 발명에 있어서의 ECM (100) 의, 상기 양산 방법의 공정을 설명한다.

도 14 에 있어서, 공정 E1 은 집합 진동막 유닛 (7L) 의 제조 공정이며, 절 연 재료의 집합 진동막 지지틀에 도전성의 진동막을 접착하여 일체화시킨다. 공정 E2 는 집합 스페이서 (6L) 의 제조 공정이며, 스페이서 소재에 복수의 개공을 형성한다.

공정 E3 은 집합 배면 전극 기판 (30L) 의 제조 공정이며, 도 11 에 나타내는 바와 같이 집합 절연 기판에 복수의 배면 전극 (4) 을 형성하고, 각 배면 전극 (4) 에 각각 형상 가공된 PTFE (2) 를 적층하여 집합 배면 전극 기판 (30L) 을 형성한다. 이 각 PTFE (2) 는 도 3 에서 형상 가공된 점착 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1a) 이다.

게다가, 이 집합 배면 전극 기판 (30L) 을 착전 장치에 투입함으로써, 각 PTFE (2) 에 착전을 실시하여 일렉트릿층을 구성함으로써 내열성의 집합 배면 전극 기판 (30L) 을 완성시킨다.

또한, 이 공정 E3 에 있어서의 집합 절연 기판 상의 복수의 배면 전극 (4) 에 대한 PTFE (2) 의 적층 방법으로는, 상기와 같이 형상 가공된 PTFE (2) 를 육안 또는 위치 정합 지그를 사용하여 개개에 접착시키는 방법 외에도, 집합 절연 기판의 전체면에 도 2 에 나타내는 점착 접착제 부착 불소 함유 수지체 (1) 의 시트를 적층하고, 이 상태에 있어서 각 배면 전극 (4) 에 대응하는 위치에 상기 도 3 에 나타내는 다이컷 기구 (200) 를 사용하여 형상 가공을 실시해도 된다.

공정 E4 는 집합 회로 기판 (20L) 의 제조 공정으로서, 배선이나 접속 전극 등을 갖는 집합 배선 기판에 집적 회로 등의 전기 엘리먼트를 실장하여 상기 집합 회로 기판 (20L) 을 구성한다. 공정 5 는 집합 ECM 제조 공정으로서, 상기 공 정 E1∼E4 에서 제조된 각 집합 엘리먼트를 적층하고, 접착제에 의하여 접합 접착 일체화시켜 도 12 에 나타내는 집합 ECM (100L) 을 구성한다. 공정 6 은 완성 ECM 제조 공정으로서, 공정 5 에서 제조된 집합 ECM (100L) 을 절단·분리하여 도 13 에 나타내는 ECM (100) 을 완성시킨다.

상기와 같이, 본 발명에 있어서의 표면 활성화 처리를 실시한 불소 함유 수지체와 점착 접착제를 적층 접착하여, 이 접착제 부착 불소 함유 수지체 시트를 형상 가공하여 각 배면 전극에 접착하는 제조 공정은, 특히 대형의 기판을 사용하는 집합 기판 방식의 ECM 제조에 적합한 것이다.

다음으로 도 15 에 의하여, 본 발명의 제 4 실시형태인 배면 전극 기판의 제조 방법을 설명한다.

도 15 는 본 발명의 PTFE 를 사용한 배면 전극 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도이고, 도 1 과 동일한 공정에는 동일한 기호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.

도 15 에 있어서 도 1 의 공정과 상이한 점은, 도 1 의 표면 처리 공정 J1 과 일체화 공정 J2 를, 도 15 에 나타내는 시판되고 있는 접착제 부착 불소 함유 수지체 시트의 구입 J0 으로 변경한 점이다.

이상, 본 발명의 실시형태에 있어서는, 불소 함유 수지체와 금속 전극을 접착하는 접착제를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고 시트상 접착제나 액상의 접착제층 등도 사용 가능하고, 게다가 ECM 구조로서 배면측에 검출 전극을 형성한 배면 전극 구조를 나타내었지만, 전면(前面)측에 검출 전극을 형성한 전면 전극 구조 도 가능하다. 또한 화학 에칭 처리로서 습식의 화학 에칭 처리에 대하여 나타내었지만, 건식의 화학 에칭 처리인 코로나 처리나 산소 플라즈마 처리를 실시해도 된다.

본 발명으로, 제조가 용이하고 또한 내열성이 우수하며, 종래 곤란하다고 여겨지던 리플로우 실장의 고온에 대응 가능한 ECM 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims

배면 전극을 구비한 배면 전극 기판을 준비하는 제 1 공정과 ;

습식 또는 건식의 화학 에칭 처리한 표면을 갖는 필름상의 불소 함유 수지체에 접착제층 (adhesive) 을 적층하여 제작된 접착제 부착 불소 함유 수지체를 준비하는 제 2 공정과 ;

상기 배면 전극 기판의 상기 배면 전극 상에 상기 접착제 부착 불소 함유 수지체를, 상기 접착제층을 개재시켜 적층하는 제 3 공정과 ;

상기 접착제층을 고화 (set) 시켜, 상기 불소 함유 수지체를 상기 배면 전극 기판의 배면 전극 상에 고착하는 제 4 공정과 ;

배면 전극 상에 고착된 상기 불소 함유 수지체에 착전 (着電) 처리를 실시하는 제 5 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

제 2 공정이, 상기 접착제 부착 불소 함유 수지체를 배면 전극의 형상에 맞추어 성형하는 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰.
제 2 항에 있어서,

상기 불소 함유 수지체가 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌 과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 2 항에 있어서,

상기 제 2 공정이, 필름상의 불소 함유 수지체의 표면을 습식 또는 건식의 화학 에칭 처리하는 에칭 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 4 항에 있어서,

상기 에칭 처리가, 알칼리성 금속의 이온을 함유하는 용액에 불소 함유 수지체를 침지시켜 실시하는 습식의 화학 에칭 처리인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 5 항에 있어서,

상기 알칼리성 금속이 리튬, 나트륨, 칼륨 중 어느 하나인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 알칼리성 금속 이온을 함유하는 용액이 암모니아, 혹은 나프탈렌, 페난트렌을 함유하는 용액 중 어느 하나를 함유하는 용액인 일렉트릿 콘덴서 마이크로 폰의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접착제가, 고분자량을 포함하는 유기계 접착제인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접착제가, 아크릴계 또는 실리콘계 접착제인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 4 공정이, 상기 불소 함유 수지체를 180℃∼250℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

상기 제 4 공정이, 상기 불소 함유 수지체를 210℃∼235℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
격자상으로 배열된 복수의 회로 기판을 갖는 집합 회로 기판을 준비하는 제 1 공정과 ;

상기 집합 회로 기판의 회로 기판에 대응하여 격자상으로 배열된 복수의 배면 전극 기판을 갖는 집합 배면 전극 기판으로서, 각 배면 전극 기판이 배면 전극과, 화학 에칭 처리한 표면을 갖는 필름상의 불소 함유 수지체로서, 접착제층을 개재시켜, 그 배면 전극의 대응하는 하나에 적층되고, 그 접착제층을 고화시킴으로써 그 대응하는 하나의 배면 전극에 고착되고, 또한, 착전되어 일렉트릿층으로 된 불소 함유 수지체를 갖는 집합 배면 전극 기판을 준비하는 제 2 공정과 ;

상기 집합 회로 기판의 회로 기판에 대응하여 격자상으로 배열된 복수의 진동막 유닛을 갖는 집합 진동막 유닛을 준비하는 제 3 공정과 ;

상기 집합 회로 기판과 상기 집합 배면 전극 기판과 그 슬라이딩 진동막 유닛을 순서대로 적층 접합하여, 적층 방향으로 정렬한 상기 회로 기판과 상기 배면 전극 기판과 상기 진동막 유닛으로 이루어지는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰이 격자상으로 복수 배열되어 이루어지는 적층 집합체를 형성하는 제 4 공정과 ;

그 적층 집합체를 절단하여 상기 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰을 서로 분리하는 제 5 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,

상기 불소 함유 수지체가 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,

상기 제 2 공정이, 필름상의 불소 함유 수지체의 표면을 습식 또는 건식의 화학 에칭 처리하는 에칭 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 14 항에 있어서,

상기 에칭 처리가, 알칼리성 금속의 이온을 함유하는 용액에 불소 함유 수지체를 침지시켜 실시하는 습식의 화학 에칭 처리인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 15 항에 있어서,

상기 알칼리성 금속이 리튬, 나트륨, 칼륨의 그룹에서 선택된 하나인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 알칼리성 금속 이온을 함유하는 용액이 암모니아, 혹은 나프탈렌, 페난트렌을 함유하는 용액 중에서 선택된 하나를 함유하는 용액인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접착제가, 고분자량을 포함하는 유기계 접착제인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접착제가, 아크릴계 또는 실리콘계의 접착제인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 공정이, 상기 불소 함유 수지체를 180℃∼250℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
제 20 항에 있어서,

상기 제 2 공정이, 상기 불소 함유 수지체를 210℃∼235℃ 에서 가열하여 고화시키는 공정을 갖는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
배면 전극을 갖는 배면 전극 기판과 ;

그 배면 전극 상에 적층되는 필름상의 불소 함유 수지체와 ;

그 배면 전극 기판과 그 불소 함유 수지체 사이에 있고, 그 배면 전극 기판과 그 불소 함유 수지체에 접착하고 고화되어, 양자를 고착하고 있는 접착제층을 갖고,

그 불소 함유 수지체는, 착전되어 일렉트릿층으로 되어 있는 일렉트릿 마이크로폰.
제 22 항에 있어서,

상기 불소 함유 수지체가 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체의 그룹에서 선택된 하나인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰.
제 22 항에 있어서,

상기 접착제층이, 고분자량을 포함하는 유기계 접착제로 이루어지는 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰.
제 24 항에 있어서,

상기 접착제가, 아크릴계 또는 실리콘계 접착제인 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰.