KR20070103950A - Heater and apparatus for depositing thin film on wafer having the unit - Google Patents

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KR20070103950A
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Abstract

A heater and an apparatus for depositing a thin film including the same are provided to form the thickness of the thin film uniformly by heating a wafer with the same temperature. An apparatus(100) for depositing a thin film includes a heater(20), a reactor(10), a shower head(40), and a plasma device. The heater and the shower head are installed in an inner space(101) of the reactor. A transfer passage(102) for a wafer and a discharge port(103) to discharge a gas and byproducts resided at the inner space are formed in a reactor. A relief groove is formed between a central heating device(31) and a peripheral heating device(32). The relief groove is indented in a direction crossing a radial direction of a wafer for a wafer supporting surface.

Description

박막증착용 히터 및 그 히터가 구비된 박막증착장치{Heater and Apparatus for depositing thin film on wafer having the unit}Heater and Apparatus for depositing thin film on wafer having the unit}

도 1은 종래의 일례에 따른 박막증착장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a thin film deposition apparatus according to a conventional example.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 히터를 Ⅲ-Ⅲ선에서 바라본 평면도이다. FIG. 3 is a plan view of the heater shown in FIG. 2 as seen from line III-III. FIG.

도 4는 도 2에 도시된 히터의 웨이퍼 지지면에 배치된 웨이퍼의 가열시 그 웨이퍼가 굽은 모양을 개략적으로 나타낸 단면도이다. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a bent shape of the wafer when the wafer is disposed on the wafer support surface of the heater illustrated in FIG. 2.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막증착용 히터의 개략적인 단면도이다. 5 is a schematic cross-sectional view of a heater for thin film deposition according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10...리액터 20,20a...히터10.Reactor 20,20a ... Heater

21...중심부 히터블록 22...가장자리 히터블록21 ... center heater block 22 ... edge heater block

31...중심부 가열소자 32...가장자리 가열소자Center heating element 32 Edge heating element

33...전압인가선 34...열전쌍33 ... voltage applied 34 ... thermocouple

35...도전판 36...바이어스 전압인가선35 ... conductive board 36 ... Bias voltage applied wire

40...샤워헤드 100...박막증착장치 40 Shower head 100 Thin film deposition

101...내부공간 102...이송통로 101 ... inside space 102 ... transport path

103...배기구 104...소스가스 공급관103 Exhaust system 104 Source gas supply pipe

201...웨이퍼 지지면 202...샤프트부201 ... Wafer support surface 202 ... Shaft

203...릴리프 홈부 351...중심부 도전판203 ... Relief Groove 351 ... Center Conductive Plate

352...가장자리 도전판 W...웨이퍼352 ... edge conduction plate W ... wafer

B...볼트B ... Bolt

본 발명은 박막증착용 히터 및 이 히터가 구비된 박막증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 가열하기 위한 박막증착용 히터 및 이 히터가 구비된 박막증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film deposition heater and a thin film deposition apparatus provided with the heater, and more particularly, to a thin film deposition heater for heating a wafer and a thin film deposition apparatus provided with the heater.

박막증착장치에는 물리적기상증착장치, 화학적기상증착장치 및 원자층 증착장치 등 여러 가지가 있으며, 최근에는 박막을 얇게 증착할 수 있을 뿐만 아니라 그 박막의 조성도 용이하게 제어할 수 있다는 장점 때문에 원자층 증착장치가 널리 사용되고 있다. There are many kinds of thin film deposition apparatuses, such as physical vapor deposition apparatus, chemical vapor deposition apparatus, and atomic layer deposition apparatus. Recently, the atomic layer is advantageous because it can not only thinly deposit a thin film but also easily control the composition of the thin film. Deposition apparatuses are widely used.

이러한 박막증착장치의 일례는 도 1에 도시되어 있다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 박막증착장치(1)는 내부공간(101)을 가지는 리액터(10)와, 상기 리액터의 내부공간(101)에 승강 가능하게 설치되며 웨이퍼(W)가 배치되는 히터(20')와, 상기 히터(20')에 배치된 웨이퍼에 박막이 형성되도록 그 웨이퍼를 향해 소스가스를 분사하는 샤워헤드(40)를 구비한다. An example of such a thin film deposition apparatus is shown in FIG. As shown in FIG. 1, the thin film deposition apparatus 1 includes a reactor 10 having an inner space 101 and a heater installed in a liftable manner in the inner space 101 of the reactor, in which a wafer W is disposed. 20 'and a shower head 40 for injecting a source gas toward the wafer so that a thin film is formed on the wafer disposed on the heater 20'.

상기 히터(20')는 질화 알루미늄 계열 소재, 예를 들어 세라믹 등으로 이루어져 있으며, 상기 히터(20')의 상면에는 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 지지면(201')이 평평하게 형성되어 있다. 그리고, 상기 히터(20')에는 상기 웨이퍼 지지면(201')의 하부에 상기 웨이퍼의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 중심부 가열소자(31)와, 상기 웨이퍼의 가장자리를 가열하기 위한 가장자리 가열소자(32)가 매설되어 있다. 또한, 상기 히터(20')에는 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32) 각각에 전압을 인가하기 위한 전압인가선(33)과, 상기 가열소자들(31,32)에 의해 각각 가열되는 히터의 부분 사이의 온도 차이를 측정하기 위한 열전쌍(34)도 매설되어 있다. The heater 20 'is made of an aluminum nitride-based material, for example, a ceramic, and the like, and the wafer support surface 201' on which the wafer is disposed is flat on the top surface of the heater 20 '. The heater 20 'includes a central heating element 31 for heating the center of the wafer and the vicinity of the center of the wafer support surface 201', and an edge for heating the edge of the wafer. The heating element 32 is embedded. In addition, the heater 20 'is provided with a voltage applying line 33 for applying a voltage to each of the central heating element 31 and the edge heating element 32 and the heating elements 31 and 32, respectively. A thermocouple 34 for measuring the temperature difference between the parts of the heater to be heated is also embedded.

상술한 바와 같이 구성된 박막증착장치(1)에 있어서, 박막증착 공정 중에 웨이퍼(W)를 가열하기 위해서, 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 전압인가선(33)을 통해서 전압을 인가하게 되면, 그 가열소자들(31,32)에서 발생된 열이 열전도되며 이에 따라 웨이퍼 지지면(201')에 배치된 웨이퍼가 전체적으로 가열되게 된다. 이 때에, 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 의해 각각 가열되는 히터의 부분 사이의 온도 차이는 열전쌍(34)에 의해 측정되게 되며, 그 온도 차이를 기초로 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 인가되는 전압이 제어되게 된다. 이와 같은 온도 차이를 기초로 한 제어를 통해서, 웨이퍼의 가장자리와 중심부가 같은 온도로 가열될 수 있도록 한다. In the thin film deposition apparatus 1 configured as described above, in order to heat the wafer W during the thin film deposition process, a voltage is applied to the central heating element 31 and the edge heating element 32 through a voltage applying line 33. When heat is applied, the heat generated from the heating elements 31 and 32 is heat-conducted so that the wafer disposed on the wafer support surface 201 'is heated as a whole. At this time, the temperature difference between the portions of the heaters respectively heated by the central heating element 31 and the edge heating element 32 is measured by the thermocouple 34 and based on the temperature difference, the central heating element ( 31 and the voltage applied to the edge heating element 32 is controlled. Control based on this temperature difference allows the edge and center of the wafer to be heated to the same temperature.

그런데, 박막증착공정 중 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 전압을 인가하는 경우에, 각 가열소자에 인가되는 전압이 적절하게 제어되지 못하 여 각 가열소자(31,32)에서 발생되는 발열량이 상이하게 나타나는 경우에 각 가열소자의 발열량으로 가열되는 히터의 부분 사이의 온도도 상이하게 된다. 더구나, 히터(20')로부터 리액터의 내부공간(101)으로 방출되는 방열량은 히터(20')의 중심부와 측면부에서 각각 상이하게 나타나게 된다. 이와 같은 발열량 및 방열량의 차이로 말미암아, 비록 열전쌍(34)을 이용하여 전압을 정밀하게 제어하는 경우에 있어서도 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 의해 각각 가열되는 히터의 부분 간에는 열팽창이 상이하게 발생할 수 밖에 없게 된다. 따라서, 상이한 열팽창에 의해 발생된 열충격에 의해 히터(20')가 파손되는 현상, 특히 히터 중 중심부 가열소자(31)와 가장자리 가열소자(32) 사이의 부분(도 1에 "C"로 지시되어 있음)이 파손되는 현상이 빈번하게 발생하는 문제점이 있었다. 그리고, 종래의 히터(20')는 열충격에 매우 약한 세라믹 등과 같은 질화 알루미늄 계열의 소재로 이루어져 있으므로, 30℃ 정도의 온도 차이만 발생하더라도 쉽게 파손되었다. However, in the case where a voltage is applied to the central heating element 31 and the edge heating element 32 during the thin film deposition process, the voltage applied to each heating element is not properly controlled, so that each heating element 31 and 32 When the generated calorific value is different, the temperature between the parts of the heaters heated by the calorific value of each heating element is also different. In addition, the amount of heat dissipated from the heater 20 'to the inner space 101 of the reactor is different from each other in the center and side portions of the heater 20'. Due to the difference in the amount of heat generated and the amount of heat dissipated, even when the voltage is precisely controlled using the thermocouple 34, thermal expansion between the portions of the heaters respectively heated by the central heating element 31 and the edge heating element 32 is achieved. This will occur differently. Therefore, the phenomenon in which the heater 20 'is broken by the thermal shock generated by different thermal expansion, in particular, the portion between the central heating element 31 and the edge heating element 32 of the heater (indicated by "C" in FIG. There is a problem that frequently occurs that the breakage phenomenon. In addition, the conventional heater 20 'is made of an aluminum nitride-based material such as a ceramic, which is very weak against thermal shock, and thus is easily broken even when only a temperature difference of about 30 ° C occurs.

또한, 웨이퍼의 가열시, 웨이퍼의 가장자리가 상방으로 굽어지는 현상이 발생하게 되므로, 상술한 바와 같이 웨이퍼 지지면(201')이 평평하게 형성되어 있는 경우에는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 웨이퍼가 웨이퍼 지지면(201')과 전체적으로 접촉되지 않게 된다. 즉, 웨이퍼(W)의 가장자리는 웨이퍼 지지면(201')과 접촉하지 못하게 된다. 따라서, 예를 들어 웨이퍼의 중심부 보다 가장자리가 더 낮은 온도로 가열되게 되는 등 히터에 의해 웨이퍼가 전체적으로 동일한 온도로 가열되지 못하게 되며, 이에 따라 웨이퍼에 박막을 균일하게 증착하기가 어렵게 되는 문제점도 있었다. In addition, when the wafer is heated, a phenomenon in which the edge of the wafer is bent upwardly occurs. Thus, when the wafer support surface 201 'is formed flat as described above, as shown in FIG. There is no overall contact with the wafer support surface 201 '. That is, the edge of the wafer W does not come into contact with the wafer support surface 201 ′. Thus, for example, the edge of the wafer is heated to a lower temperature than the center of the wafer, such that the wafer is not heated to the same temperature as a whole by the heater, thereby making it difficult to uniformly deposit a thin film on the wafer.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 가열된 히터가 열충격에 의해 파손되는 것을 방지함으로써 히터의 내구성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼가 전체적으로 동일한 온도로 가열될 수 있도록 하는 박막증착용 히터 및 이 히터가 구비된 박막증착장치를 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to improve the durability of the heater by preventing the heated heater from being broken by thermal shock as well as the wafer can be heated to the same temperature as a whole. It is to provide a thin film deposition heater and a thin film deposition apparatus provided with the heater.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 박막증착용 히터는 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 지지면을 가지며, 상기 웨이퍼 지지면의 하방에 상기 웨이퍼의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 중심부 가열소자와, 상기 웨이퍼의 가장자리를 가열하기 위한 가장자리 가열소자가 매설되어 있는 박막증착용 히터에 있어서, 상기 중심부 가열소자와 상기 가장자리 가열소자 사이에는, 상기 웨이퍼 지지면에 대해 상기 웨이퍼의 반경방향과 교차하는 방향으로 몰입된 릴리프 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the thin film deposition heater according to the present invention has a wafer support surface on which the wafer is disposed, and a central heating element for heating the center of the wafer and its vicinity below the wafer support surface; And a thin film deposition heater in which an edge heating element for heating an edge of the wafer is embedded, wherein the center heating element and the edge heating element intersect a radial direction of the wafer with respect to the wafer support surface. Relief groove portion immersed in the is characterized in that it is formed.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부공간을 가지는 리액터; 상기 리액터의 내부공간에 설치되며, 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 지지면을 가지며, 상기 웨이퍼 지지면의 하부에 상기 웨이퍼의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 중심부 가열소자와, 상기 웨이퍼의 가장자리를 가열하기 위한 가장자리 가열소자가 매설되어 있는 히터; 및 상기 히터에 배치된 웨이퍼에 박막이 형성되도록 그 웨이퍼를 향해 소스가스를 분사하는 샤워헤드를 구비하는 박막증착장치에 있어서, 상기 중심부 가열소자가 매설되는 히터의 부분과 상기 가장자 리 가열소자가 매설되는 히터의 부분 사이에는, 상기 웨이퍼 지지면에 대해 상기 웨이퍼의 반경방향과 교차하는 방향으로 몰입된 릴리프 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. In addition, to achieve the above object, the thin film deposition apparatus according to the present invention comprises a reactor having an inner space; A central heating element installed in the inner space of the reactor and having a wafer support surface on which the wafer is disposed, a central heating element for heating the center of the wafer and the vicinity of the center under the wafer support surface; A heater in which edge heating elements are embedded; And a shower head for injecting source gas toward the wafer so that a thin film is formed on the wafer disposed in the heater, wherein the heater portion and the edge heating element are embedded with the central heating element embedded therein. A relief groove portion immersed in a direction intersecting the radial direction of the wafer with respect to the wafer support surface is formed between the portions of the heater to be embedded.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 히터를 Ⅲ-Ⅲ선에서 바라본 평면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 히터의 웨이퍼 지지면에 배치된 웨이퍼의 가열시 그 웨이퍼가 굽은 모양을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view of the heater shown in FIG. 2 as seen from line III-III, and FIG. 4 is a wafer of the heater shown in FIG. It is sectional drawing which shows schematically the shape which the wafer curved when the wafer arrange | positioned at the support surface is heated.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예의 박막증착장치(100)는 다이렉트 플라즈마(Direct Plasma) 장치로서, 리액터(10)와, 히터(20)와, 샤워헤드(40)와, 플라즈마 발생수단을 구비한다. 2 to 4, the thin film deposition apparatus 100 of the present embodiment is a direct plasma apparatus, which includes a reactor 10, a heater 20, a shower head 40, and a plasma generating means. It is provided.

상기 리액터(10)의 내부공간(101)에는 후술하는 히터(20)와, 샤워헤드(30)가 설치된다. 상기 리액터(10)에는 웨이퍼(W)가 출입하는 웨이퍼 이송통로(102)와, 박막증착 공정 후 상기 내부공간(101)에 잔류하는 가스 및 공정 부산물을 배출하기 위한 배기구(103)가 형성되어 있다. In the inner space 101 of the reactor 10, a heater 20 and a shower head 30 to be described later are installed. The reactor 10 includes a wafer transfer path 102 through which the wafer W enters and an exhaust port 103 for discharging gas and process by-products remaining in the inner space 101 after the thin film deposition process. .

상기 히터(20)는 상기 리액터의 내부공간(101)에 승강 가능하도록 설치되어 있다. 상기 히터(20)의 승강구조는 대한민국 공개특허 제2003-100499호 등에 이미 개시되어 있으므로, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 상기 히터(20)의 상면에는 웨이퍼(W)가 배치되는 웨이퍼 지지면(201)이 형성되어 있다. 상기 웨이 퍼 지지면(201)은 상방으로 오목한 형상으로 되어 있다. 즉, 상기 웨이퍼 지지면(201)은 종래와 달리 곡면으로 형성되어 있으며, 상기 곡면의 곡률중심은 상기 웨이퍼 지지면(201)의 상방에 위치한다. The heater 20 is installed to be elevated in the inner space 101 of the reactor. Since the lifting structure of the heater 20 is already disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-100499 and the like, a detailed description thereof will be omitted. The wafer support surface 201 on which the wafer W is disposed is formed on the upper surface of the heater 20. The wafer supporting surface 201 is concave upward. That is, the wafer support surface 201 is formed in a curved surface unlike the prior art, and the center of curvature of the curved surface is located above the wafer support surface 201.

상기 히터(20)에는 상기 웨이퍼 지지면(201)의 하방에 중심부 가열소자(31)와, 가장자리 가열소자(32)와, 전압인가선(33)과, 열전쌍(34)과, 도전판(35)이 매설된다. The heater 20 has a central heating element 31, an edge heating element 32, a voltage applying line 33, a thermocouple 34, and a conductive plate 35 below the wafer support surface 201. ) Is buried.

상기 중심부 가열소자(31)는 상기 웨이퍼 지지면(201)에 배치되는 웨이퍼(W)의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 것이다. 상기 가장자리 가열소자(32)는 상기 웨이퍼 지지면(201)에 배치되는 웨이퍼(W)의 가장자리를 가열하기 위한 것이다. 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)는 각각 금속성 소재로 이루어져 있다. 상기 전압인가선(33)은 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 전압을 인가하기 위한 것이다. 상기 전압인가선(33)을 통해서 전압이 인가되게 되면, 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에서는 열이 발생하게 되며 이 열에 의해 상기 웨이퍼 지지면(201)에 배치되는 웨이퍼(W)가 가열된다. 상기 열전쌍(34)은 상기 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32) 각각에 의해 가열되는 히터(20)의 부분 간의 온도 차이를 측정하기 위한 것이다. 그리고, 상기 전압인가선(33)과 열전쌍(34)은 상기 히터의 샤프트부(202)의 바닥면에 돌출되어 있다. The central heating element 31 is for heating the center of the wafer W disposed on the wafer support surface 201 and the vicinity of the center thereof. The edge heating element 32 is for heating the edge of the wafer W disposed on the wafer support surface 201. The central heating element 31 and the edge heating element 32 are each made of a metallic material. The voltage applying line 33 is for applying a voltage to the central heating element 31 and the edge heating element 32. When a voltage is applied through the voltage applying line 33, heat is generated in the central heating element 31 and the edge heating element 32, and the wafer disposed on the wafer support surface 201 by this heat ( W) is heated. The thermocouple 34 is for measuring the temperature difference between the portion of the heater 20 heated by each of the central heating element 31 and the edge heating element 32. The voltage applying line 33 and the thermocouple 34 protrude from the bottom surface of the shaft portion 202 of the heater.

상기 도전판(35)은 금속 등과 같은 도전성 소재로 이루어져 있다. 상기 도전판(35)에는 바이어스 전압이 인가되며, 상기 도전판(35)은 접지되어 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 도전판(35)은 접지판이다. 따라서, 후술하는 플라즈마 발생수단에 의해 상기 히터(20)의 상방에 형성된 플라즈마는 상기 웨이퍼쪽으로 이동되어 상기 웨이퍼(W)에 효율적으로 증착 가능하게 된다. The conductive plate 35 is made of a conductive material such as metal. A bias voltage is applied to the conductive plate 35, and the conductive plate 35 is grounded. In the present embodiment, the conductive plate 35 is a ground plate. Therefore, the plasma formed above the heater 20 by the plasma generating means described later is moved toward the wafer, so that the plasma can be efficiently deposited on the wafer (W).

상기 도전판(35)은 중심부 도전판(351)과, 가장자리 도전판(352)을 포함한다. 상기 중심부 도전판(351)은 상기 중심부 가열소자(31)의 상방에 상기 중심부 가열소자(31)와 마주하도록 배치되어 있다. 상기 중심부 도전판(351)은 바이어스 전압인가선(36)과 전기적으로 연결되어 있으며, 접지되어 있다. 상기 가장자리 도전판(352)은 상기 가장자리 가열소자(32)의 상방에 상기 가장자리 가열소자(32)와 마주하도록 배치되어 있다. 그리고, 상기 가장자리 도전판(352)은, 상기 중심부 도전판(351)에 인가되는 바이어스 전압이 상기 가장자리 도전판(352)에 유도되도록 상기 중심부 도전판(351)과 소정 간격 이격되도록 배치되어 있다. 따라서, 외부에서 상기 바이어스 전압인가선(36)을 통해서 상기 중심부 도전판(351)에 인가되는 바이어스 전압은, 상기 가장자리 도전판(352)에도 인가되게 된다. The conductive plate 35 includes a central conductive plate 351 and an edge conductive plate 352. The central conductive plate 351 is disposed above the central heating element 31 so as to face the central heating element 31. The central conductive plate 351 is electrically connected to the bias voltage applying line 36 and is grounded. The edge conductive plate 352 is disposed above the edge heating element 32 so as to face the edge heating element 32. The edge conductive plate 352 is disposed to be spaced apart from the central conductive plate 351 by a predetermined interval so that a bias voltage applied to the central conductive plate 351 is guided to the edge conductive plate 352. Therefore, a bias voltage applied to the central conductive plate 351 through the bias voltage applying line 36 from the outside is also applied to the edge conductive plate 352.

한편, 상기 히터(20)에는 종래와 달리 상기 중심부 가열소자(31)와 가장자리 가열소자(32) 사이에 릴리프 홈부(203)가 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서는 상기 릴리프 홈부(203)는 상기 중심부 도전판(351) 및 가장자리 도전판(352) 사이에 배치되어 있다. 상기 릴리프 홈부(203)는 상기 웨이퍼 지지면(201)에 대해 상기 웨이퍼의 반경방향(R)과 교차하는 방향(T)으로 몰입되어 형성되어 있다. 상기 릴리프 홈부의 깊이(D)는 상기 웨이퍼 지지면(201)으로부터 상기 중심부 가열소자(31)까지의 거리(L1) 및 상기 웨이퍼 지지면(201)으로부터 상기 가장자리 가열소 자(32)까지의 거리(L2) 모두 보다 더 크다. 여기서, 상기 거리(L1) 및 거리(L2)는 상기 중심부 가열소자 및 가장자리 가열소자 각각의 상면에서 상방으로 수직인 직선을 연장하여 만나는 웨이퍼 지지면 간의 거리 중 최대 거리를 말한다. On the other hand, the heater 20 has a relief groove 203 is formed between the central heating element 31 and the edge heating element 32, unlike the prior art. In the present embodiment, the relief groove 203 is disposed between the central conductive plate 351 and the edge conductive plate 352. The relief groove 203 is immersed in a direction T that intersects the wafer support surface 201 in the radial direction R of the wafer. The depth D of the relief groove portion is the distance L1 from the wafer support surface 201 to the central heating element 31 and the distance from the wafer support surface 201 to the edge heating element 32. (L2) is greater than all. Here, the distance L1 and the distance L2 refer to the maximum distances between the wafer support surfaces which extend from the upper surfaces of the central heating element and the edge heating element to extend vertically upward.

상기 릴리프 홈부의 폭(W)은 상기 히터(20)의 열팽창 정도를 고려하여 적절하게 형성하는 것이 좋다. 예를 들어, 상기 히터(20)가 최대로 열팽창하는 경우에 상기 릴리프 홈부(203)의 양측면이 서로 접촉하지 않도록 상기 릴리프 홈부(203)의 폭을 설정하면 된다. 그리고, 상기 릴리프 홈부(203)는 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 상기 중심부 가열소자(31) 전체를 둘러싸도록 폐곡선형으로 이루어져 있다. The width W of the relief groove may be appropriately formed in consideration of the degree of thermal expansion of the heater 20. For example, when the heater 20 is maximally thermally expanded, the width of the relief groove 203 may be set so that both side surfaces of the relief groove 203 do not contact each other. In addition, the relief groove 203 is formed in a closed curve so as to surround the entire central heating element 31 as shown in FIG.

상기 샤워헤드(40)는 상기 히터(20)의 상방에 배치되어 있다. 상기 샤워헤드(40)를 통해서 소스가스 공급관(104)에서 공급된 소스가스가 상기 리액터의 내부공간(101)으로 분사된다. The shower head 40 is disposed above the heater 20. Source gas supplied from the source gas supply pipe 104 through the shower head 40 is injected into the inner space 101 of the reactor.

상기 플라즈마 발생수단은 상기 소스가스 공급관(104)에서 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 상기 플라즈마 발생수단은 대한민국 공개 특허 제2006-23982호 등에 그 구조 및 기능이 이미 개시되어 있으므로, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다. 본 실시예에 있어서는, 상기 플라즈마 발생수단으로 고주파 발생기(50)가 구비되어 있다. 상기 고주파 발생기(50)는 샤워헤드(40)와 접속되어 있으며, 박막 증착 공정시 700 W 이상의 고주파 전력(RF Power)을 샤워헤드로 인가함으로써 상기 소스가스를 플라즈마화시킨다. The plasma generating means generates a plasma from the source gas supplied from the source gas supply pipe (104). Since the structure and function of the plasma generating means are disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-23982 and the like, detailed description thereof will be omitted. In the present embodiment, the high frequency generator 50 is provided as the plasma generating means. The high frequency generator 50 is connected to the shower head 40. In the thin film deposition process, 700 W or more of high frequency power (RF Power) is applied to the shower head to plasma the source gas.

상술한 바와 같이 구성된 박막증착장치(100)에 있어서는, 히터(20)의 웨이퍼 지지면(201)에 웨이퍼(W)를 배치한 후에, 소스가스 공급관(104)으로부터 공급되는 소스가스를 샤워헤드(40)를 통해서 리액터의 내부공간(101)에 분사시킨다. 그리고, 도전판(35)에 바이어스 전압을 인가하고 고주파 발생기(50)를 작동시켜 샤워헤드(40)에 고주파 전력을 인가하게 되면, 소스가스로부터 플라즈마가 발생되며 그 발생된 플라즈마 내에 존재하는 라디칼이 웨이퍼(W) 상에 증착되면서 박막이 형성되게 된다. In the thin film deposition apparatus 100 configured as described above, after arranging the wafer W on the wafer support surface 201 of the heater 20, the source gas supplied from the source gas supply pipe 104 is disposed in the shower head ( 40 is injected into the inner space 101 of the reactor. When a bias voltage is applied to the conductive plate 35 and the high frequency generator 50 is operated to apply high frequency power to the shower head 40, plasma is generated from the source gas, and radicals present in the generated plasma are generated. The thin film is formed while being deposited on the wafer (W).

한편, 상술한 바와 같이 구성된 박막증착장치(100)에 있어서, 박막증착 공정 중 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32)에 전압인가선(33)을 통해서 전압을 인가하면, 각 가열소자(31,32)에 의해 발생된 열에 의해 히터(20)가 가열되게 되며, 이에 따라 히터의 웨이퍼 지지면(201)에 배치된 웨이퍼(W)도 가열되게 된다. 이 때에, 웨이퍼(W)의 중심 및 그 중심 부근은 중심부 가열소자(31)에서 발생된 열에 의해 그리고 웨이퍼(W)의 가장자리는 가장자리 가열소자(32)에서 발생된 열에 의해 주로 가열되게 된다. 특히, 본 실시예에 있어서는 웨이퍼 지지면(201)이 곡면으로 이루어져 있으므로, 비록 웨이퍼의 가열시 웨이퍼의 가장자리 부분이 굽어지는 현상이 발생하는 경우에도 도 4에 도시되어 있는 바와 같이 종래와 달리 웨이퍼의 가장자리가 웨이퍼 지지면과 최대한 접촉할 수 있게 된다. 이와 같이, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 지지면(201)과 밀착되게 접촉시키면, 웨이퍼의 중심부와 가장자리 모두를 균일하게 가열하는 것이 용이해진다. 따라서, 균일한 두께의 박막을 종래에 비해 용이하게 형성할 수 있게 된다. On the other hand, in the thin film deposition apparatus 100 configured as described above, when a voltage is applied to the central heating element 31 and the edge heating element 32 through the voltage applying line 33 during the thin film deposition process, each heating element The heater 20 is heated by the heat generated by the 31 and 32, and thus the wafer W disposed on the wafer support surface 201 of the heater is also heated. At this time, the center of the wafer W and its vicinity are mainly heated by the heat generated by the central heating element 31 and the edge of the wafer W by the heat generated by the edge heating element 32. In particular, in this embodiment, since the wafer support surface 201 has a curved surface, even if the edge portion of the wafer is bent when the wafer is heated, as shown in FIG. The edges will be in full contact with the wafer support surface. As such, when the wafer W is brought into close contact with the wafer support surface 201, it is easy to uniformly heat both the center and the edge of the wafer. Therefore, the thin film of uniform thickness can be formed easily compared with the conventional.

그리고, 본 실시예에 있어서는, 중심부 가열소자(31)와 가장자리 가열소 자(32) 사이에 릴리프 홈부(203)가 형성되어 있으므로, 종래와 달리 열충격에 의해 히터(20)가 파손되는 현상을 방지할 수 있게 된다. 즉, 종래 기술에서 설명한 바와 같이, 중심부 가열소자(31) 및 가장자리 가열소자(32) 각각의 발열량이 상이하며 히터(20)의 중심부 및 측면부에서 리액터의 내부공간(101)으로 발열되는 발열량(H1,H2)이 각각 상이함으로 인해서 중심부 가열소자(31)에 의해 가열되는 히터의 부분과 가장자리 가열소자(32)에 의해 가열되는 히터의 부분 각각의 열팽창 정도가 상이한 경우에 있어서도, 그 열팽창의 상이함으로 인해 발생하는 열충격이 릴리프 홈부(203)에서 완충되게 된다. 따라서, 종래와 달리 열충격에 의해 히터(20)가 파손되는 현상, 특히 중심부 가열소자(31)와 가장자리 가열소자(32) 사이의 히터 부분이 파손되는 현상을 방지할 수 있게 된다. In the present embodiment, since the relief groove 203 is formed between the central heating element 31 and the edge heating element 32, unlike the conventional method, the heater 20 is prevented from being damaged by thermal shock. You can do it. That is, as described in the related art, the calorific value of each of the central heating element 31 and the edge heating element 32 is different, and the calorific value H1 generated from the central and side portions of the heater 20 to the inner space 101 of the reactor. Since the thermal expansion degree of each of the part of the heater heated by the central heating element 31 and the part of the heater heated by the edge heating element 32 is different because H2 is different from each other, the thermal expansion is different. Thermal shock generated due to the buffer is to be buffered in the relief groove 203. Therefore, unlike the conventional method, it is possible to prevent a phenomenon in which the heater 20 is damaged by thermal shock, in particular, a phenomenon in which the heater part between the central heating element 31 and the edge heating element 32 is damaged.

한편, 본 실시예에 있어서는 히터가 하나의 몸체로 형성되어 있는 것으로 구성되어 있으나, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 히터(20a)가 중심부 히터블록(21)과, 가장자리 히터블록(22)를 포함하도록 구성될 수도 있다. Meanwhile, in the present embodiment, the heater is configured as one body, but as shown in FIG. 5, the heater 20a includes a central heater block 21 and an edge heater block 22. It may be configured to.

상기 중심부 히터블록(21)에는 중심부 가열소자(31)가 매설되어 있다. A central heating element 31 is embedded in the central heater block 21.

상기 가장자리 히터블록(22)은 상기 중심부 히터블록(21)과 열전도도가 서로 다른 소재로 이루어져 있다. 예를 들어, 상기 가장자리 히터블록(22)은 상기 중심부 히터블록(21)보다 열전도도가 낮은 소재로 이루어져 있다. 상기 가장자리 히터블록(22)에는 가장자리 가열소자(32)가 매설되어 있다. 상기 가장자리 히터블록(22)에는 상기 중심부 히터블록(21)의 형상과 대응되는 형상으로 이루어진 삽입부(221)가 형성되어 있다. 상기 삽입부(221)에는 상기 중심부 히터블록(21)이 상 기 삽입부(221)의 내측면과 상기 웨이퍼의 반경방향(R)으로 일정 간격 이격되게 삽입된다. The edge heater block 22 is made of a material having different thermal conductivity from the central heater block 21. For example, the edge heater block 22 is made of a material having a lower thermal conductivity than the central heater block 21. An edge heating element 32 is embedded in the edge heater block 22. The edge heater block 22 is formed with an insertion portion 221 having a shape corresponding to that of the central heater block 21. The central heater block 21 is inserted into the insertion portion 221 spaced apart from the inner surface of the insertion portion 221 by a predetermined interval in the radial direction R of the wafer.

그리고, 상기 중심부 히터블록(21)은 상기 삽입부(221)의 바닥면과 접촉되게 삽입된다. 상기 가장자리 히터블록(22)과, 중심부 히터블록(21)은 착탈 가능하게 결합되어 있다. 즉, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 복수의 볼트(B)에 의해 상기 중심부 히터블록(21)과 가장자리 히터블록(22)이 착탈 가능하게 결합되어 있다. 또한, 웨이퍼 지지면(201)은 그 일부분이 상기 중심부 히터블록(21)의 상면에 형성되며 그 나머지 부분이 상기 가장자리 히터블록(22)의 상면에 형성되어 있다. The central heater block 21 is inserted in contact with the bottom surface of the insertion portion 221. The edge heater block 22 and the central heater block 21 are detachably coupled to each other. That is, as shown in FIG. 5, the central heater block 21 and the edge heater block 22 are detachably coupled by a plurality of bolts B. As shown in FIG. In addition, a portion of the wafer support surface 201 is formed on the upper surface of the central heater block 21 and the remaining portion is formed on the upper surface of the edge heater block 22.

이와 같이, 상기 중심부 히터블록(21)과 가장자리 히터블록(22)이 결합되게 되면, 상기 중심부 히터블록(21)의 측면과 상기 가장자리 히터블록의 삽입부(221)의 내측면 사이 공간에 의해 상기 릴리프 홈부(203)가 형성되게 된다. As such, when the central heater block 21 and the edge heater block 22 are coupled to each other, the space between the side surface of the central heater block 21 and the inner side surface of the insertion portion 221 of the edge heater block is increased. The relief groove 203 is formed.

그리고, 전압인가선(33) 및 열전쌍(34)은 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한 바와 마찬가지로 상기 히터(20a)의 샤프트부(202)의 바닥면에 돌출되어 있으며, 도전판(35)은 상기 히터(20a)에 매설되어 있다. In addition, the voltage applying line 33 and the thermocouple 34 protrude from the bottom surface of the shaft portion 202 of the heater 20a as described with reference to FIGS. 2 to 4, and the conductive plate 35 is It is embedded in the heater 20a.

상술한 바와 같이 구성된 히터(20a)에 있어서는, 중심부 히터블록(21)과 가장자리 히터블록(22)이 착탈 가능하게 결합되어 있으므로, 히터(20a)의 사용 과정에서 중심부 가열소자(31) 또는 가장자리 가열소자(32) 중 어느 하나가 고장나는 경우에는, 히터 전체를 교환해야만 했던 종래와 달리 고장난 가열소자가 매설된 히터블록만을 교환하면 된다. 따라서, 종래에 비해 히터(20a)의 유지 관리비가 줄어들게 된다. In the heater 20a configured as described above, since the central heater block 21 and the edge heater block 22 are detachably coupled, the central heating element 31 or the edge heating in the process of using the heater 20a. When any one of the elements 32 fails, only the heater block in which the failed heating element is embedded is required, unlike in the conventional case where the whole heater had to be replaced. Therefore, the maintenance cost of the heater 20a is reduced compared with the prior art.

그리고, 중심부 히터블록(21)과, 가장자리 히터블록(22)이 각각 열전도도가 서로 다른 소재로 이루어져 있으므로, 각 히터블록의 소재를 적절하게 선정하게 되면, 열전쌍을 통한 제어가 보다 용이해 질 뿐만 아니라 웨이퍼 지지면(201)에 배치되는 웨이퍼(W)를 골고루 가열할 수 있게 된다. 즉, 종래 기술에서 설명한 바와 같이, 각 가열소자가 동일한 소재로 이루어져 있으며 그 각 가열소자의 발열량 및 방열량(H1,H2)이 상이한 경우에 있어서, 예를 들어 가장자리 히터블록(22)으로부터 리액터의 내부공간(101)으로 방출되는 방열량이 중심부 히터블록(21)으로부터 리액터의 내부공간(101)으로 방출되는 방열량에 비해 더 작은 경우에, 가장자리 히터블록(22)을 중심부 히터블록(21) 보다 열전도도가 낮은 소재로 형성하게 되면, 박막증착 공정 중에 발생되는 중심부 히터블록(21)과 가장자리 히터블록(22) 간의 온도 차이를 열전쌍(34)을 통한 제어 이전에 미리 줄일 수 있게 되므로, 최종적으로 열전쌍(34)을 통한 제어를 보다 용이하게 할 수 있게 된다. 그리고, 중심부 히터블록(31)과 가장자리 히터블록(22) 간의 온도 차이가 미연에 줄어들게 되므로, 웨이퍼를 그 중심부 및 가장자리가 동일한 온도가 되도록 가열하는 것이 보다 용이해진다. In addition, since the central heater block 21 and the edge heater block 22 are made of materials having different thermal conductivity, when the material of each heater block is appropriately selected, the control through the thermocouple becomes easier. Instead, the wafer W disposed on the wafer support surface 201 can be heated evenly. That is, as described in the prior art, in the case where each heating element is made of the same material and the calorific value and the heat dissipation amount (H1, H2) of each heating element are different, for example, the inside of the reactor from the edge heater block 22. When the amount of heat radiated to the space 101 is smaller than the amount of heat radiated to the inner space 101 of the reactor from the central heater block 21, the edge heater block 22 is more thermally conductive than the central heater block 21. When the material is formed of a low material, the temperature difference between the central heater block 21 and the edge heater block 22 generated during the thin film deposition process can be reduced in advance before the control through the thermocouple 34, and finally, the thermocouple ( 34, it becomes easier to control. In addition, since the temperature difference between the center heater block 31 and the edge heater block 22 is reduced in advance, it becomes easier to heat the wafer so that the center and the edge are at the same temperature.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.

예를 들어, 본 실시예에 있어서는 릴리프 홈부가 중심부 가열소자를 둘러싸도록 형성되어 있으나, 릴리프 홈부가 중심부 가열소자와 가장자리 가열소자 사이 의 일부분에만 형성되도록 구성할 수도 있다. For example, in the present embodiment, the relief groove portion is formed so as to surround the central heating element, but the relief groove portion may be configured to be formed only in a portion between the central heating element and the edge heating element.

또한, 본 실시예에 있어서는 릴리프 홈부의 깊이가 웨이퍼 지지면으로부터 각 가열소자까지의 거리보다 더 크게 구성되어 있으나, 열충격에 의한 파손을 방지할 수만 있다면 릴리프 홈부의 깊이를 적절하게 조절할 수도 있다. In the present embodiment, the depth of the relief groove is larger than the distance from the wafer support surface to each heating element, but the depth of the relief groove can be appropriately adjusted as long as it can prevent damage due to thermal shock.

또한, 본 실시예에 있어서는 웨이퍼 지지면이 곡면으로 이루어지도록 구성되어 있으나, 반드시 그렇게 구성될 필요는 없다. In addition, in the present embodiment, the wafer support surface is configured to have a curved surface, but it does not necessarily have to be configured as such.

또한, 본 실시예에 있어서는 중심부 히터블록과 가장자리 히터블록이 착탈 가능하게 결합되어 있으나, 용접, 본딩 등의 방법을 이용하여 착탈 가능하지 않도록 결합할 수도 있다. In addition, in the present embodiment, the central heater block and the edge heater block are detachably coupled, but may also be combined so as not to be detachable using a method such as welding or bonding.

또한, 본 실시예에 있어서는 중심부 히터블록과 가장자리 히터블록 각각의 소재가 서로 다르게 구성되어 있으나, 반드시 그렇게 구성될 필요는 없다. In addition, in the present embodiment, the material of each of the central heater block and the edge heater block is different from each other, but it is not necessarily configured.

또한, 본 실시예에 있어서는 도전판이 매설되도록 구성되어 있으나, 도전판이 반드시 구비되어야 하는 것은 아니다. In addition, in this embodiment, the conductive plate is configured to be embedded, but the conductive plate is not necessarily provided.

또한, 본 실시예에 있어서는 도전판이 바이어스 전압이 인가되며 접지된 접지판으로 구성되어 있으나, 도전판이 고주파 전압이 인가되는 전극판이 되도록 구성할 수도 있다. In addition, in the present embodiment, the conductive plate is constituted by a ground plate grounded with a bias voltage applied thereto, but the conductive plate may be configured to be an electrode plate to which a high frequency voltage is applied.

또한, 본 실시예에 있어서는 박막증착장치가 다이렉트 플라즈마 장치인 것으로 되어 있으나, 리모트 플라즈마 장치 혹은 플라즈마를 사용하지 않는 임의의 박막증착장치일 수도 있다. In this embodiment, the thin film deposition apparatus is a direct plasma apparatus, but may be a remote plasma apparatus or any thin film deposition apparatus that does not use plasma.

상기한 구성의 본 발명에 따르면, 히터의 가열시 발생되는 열충격에 의한 히터의 파손을 방지할 수 있게 되므로, 히터의 내구성을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 웨이퍼 지지면이 곡면으로 형성되어 있으므로, 웨이퍼를 전체적으로 동일한 온도로 가열할 수 있게 되며, 이에 따라 박막의 두께를 균일하게 형성할 수 있게 된다. According to the present invention of the above configuration, it is possible to prevent the damage of the heater due to the thermal shock generated during the heating of the heater, it is possible to improve the durability of the heater. In addition, since the wafer support surface is formed in a curved surface, the wafer can be heated to the same temperature as a whole, and thus the thickness of the thin film can be uniformly formed.

그리고, 히터가 중심부 히터블록과 가장자리 히터블록을 가지도록 구성된 경우에는, 각 히터블록의 교환을 통해서 유지 관리비를 종래에 비해 줄일 수 있게 된다. 또한, 각 히터블록의 소재를 열전도도가 상이한 소재로 각각 구성하게 되면, 열전쌍을 통한 온도 제어가 보다 용이해 질 뿐만 아니라 웨이퍼 지지면에 배치되는 웨이퍼를 골고루 가열할 수 있게 된다. In the case where the heater is configured to have a central heater block and an edge heater block, maintenance costs can be reduced as compared with the related art by exchanging each heater block. In addition, if the material of each heater block is made of a material having different thermal conductivity, it is easier to control the temperature through the thermocouple, and evenly heat the wafer disposed on the wafer support surface.

Claims (14)

웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 지지면을 가지며, 상기 웨이퍼 지지면의 하방에 상기 웨이퍼의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 중심부 가열소자와, 상기 웨이퍼의 가장자리를 가열하기 위한 가장자리 가열소자가 매설되어 있는 박막증착용 히터에 있어서, The wafer has a wafer support surface on which the wafer is disposed, and a central heating element for heating the center of the wafer and its vicinity is embedded below the wafer support surface, and an edge heating element for heating the edge of the wafer is embedded. In the thin film deposition heater, 상기 중심부 가열소자와 상기 가장자리 가열소자 사이에는, 상기 웨이퍼 지지면에 대해 상기 웨이퍼의 반경방향과 교차하는 방향으로 몰입된 릴리프 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. And a relief groove portion immersed in the direction intersecting the radial direction of the wafer with respect to the wafer support surface between the central heating element and the edge heating element. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 릴리프 홈부는, 상기 릴리프 홈부의 깊이가 상기 웨이퍼 지지면으로부터 상기 중심부 가열소자까지의 거리 및 상기 웨이퍼 지지면으로부터 상기 가장자리 가열소자까지의 거리 보다 더 크도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The relief groove portion is thin film deposition, characterized in that the depth of the relief groove portion is formed larger than the distance from the wafer support surface to the central heating element and the distance from the wafer support surface to the edge heating element. heater. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 릴리프 홈부는 상기 중심부 가열소자 전체를 둘러싸도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The relief groove is thin film deposition heater, characterized in that formed to surround the entire center heating element. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 히터는 상기 중심부 가열소자가 매설되는 중심부 히터블록과, 상기 중심부 히터블록의 측면과 상기 웨이퍼의 반경방향으로 일정 간격 이격되게 배치되며 상기 가장자리 가열소자가 매설되는 가장자리 히터블록을 구비하며, The heater includes a central heater block in which the central heating element is embedded, and an edge heater block in which the edge heating element is embedded and spaced apart at regular intervals in a radial direction of the side surface of the central heater block and the wafer. 상기 릴리프 홈부는 상기 중심부 히터블록과 상기 가장자리 히터블록의 사이공간에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The relief groove is thin film deposition heater, characterized in that formed by the space between the central heater block and the edge heater block. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 가장자리 히터블록은 상기 중심부 히터블록이 삽입되어 결합되는 삽입부를 가지며, The edge heater block has an insert portion to which the central heater block is inserted and coupled, 상기 릴리프 홈부는 상기 삽입부의 내측면과 상기 중심부 히터블록의 측면의 사이 공간에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The relief groove is thin film deposition heater, characterized in that formed by the space between the inner surface of the insertion portion and the side of the central heater block. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 중심부 히터블록과 상기 가장자리 히터블록은 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. Thin film deposition heater, characterized in that the central heater block and the edge heater block is detachably coupled. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 중심부 히터블록과 상기 가장자리 히터블록은 각각 열전도도가 서로 다른 소재로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The central heater block and the edge heater block is a thin film deposition heater, characterized in that each made of a material having a different thermal conductivity. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 중심부 히터블록과, 상기 가장자리 히터블록은 동일한 소재로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. Thin film deposition heater, characterized in that the central heater block and the edge heater block is made of the same material. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼 지지면은 곡면으로 형성되어 있으며, The wafer support surface is formed of a curved surface, 상기 곡면의 곡률중심은 상기 웨이퍼 지지면의 상방에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The center of curvature of the curved surface is a thin film deposition heater, characterized in that located above the wafer support surface. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 히터에는 도전성 소재로 이루어진 도전판이 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The heater for thin film deposition, characterized in that the conductive plate made of a conductive material is embedded in the heater. 제 10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 도전판은 상기 중심부 가열소자와 마주하도록 배치되는 중심부 도전판과, 상기 가장자리 가열소자와 마주하도록 배치되는 가장자리 도전판을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The conductive plate may include a central conductive plate disposed to face the central heating element, and an edge conductive plate disposed to face the edge heating element. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 도전판은 바이어스 전압이 인가되며 접지된 접지판인 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The conductive plate is a thin film deposition heater, characterized in that the ground voltage is applied to the grounded ground plate. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 도전판은 고주파 전압이 인가되는 전극판인 것을 특징으로 하는 박막증착용 히터. The conductive plate is a thin film deposition heater, characterized in that the electrode plate to which a high frequency voltage is applied. 내부공간을 가지는 리액터;A reactor having an inner space; 상기 리액터의 내부공간에 설치되며, 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼 지지면을 가지며, 상기 웨이퍼 지지면의 하부에 상기 웨이퍼의 중심 및 그 중심의 부근을 가열하기 위한 중심부 가열소자와, 상기 웨이퍼의 가장자리를 가열하기 위한 가장자리 가열소자가 매설되어 있는 히터; 및 A central heating element installed in the inner space of the reactor and having a wafer support surface on which the wafer is disposed, a central heating element for heating the center of the wafer and the vicinity of the center under the wafer support surface; A heater in which edge heating elements are embedded; And 상기 히터에 배치된 웨이퍼에 박막이 형성되도록 그 웨이퍼를 향해 소스가스를 분사하는 샤워헤드를 구비하는 박막증착장치에 있어서, In the thin film deposition apparatus having a shower head for injecting a source gas toward the wafer so that a thin film is formed on the wafer disposed in the heater, 상기 중심부 가열소자가 매설되는 히터의 부분과 상기 가장자리 가열소자가 매설되는 히터의 부분 사이에는, 상기 웨이퍼 지지면에 대해 상기 웨이퍼의 반경방향과 교차하는 방향으로 몰입된 릴리프 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. Between the portion of the heater in which the central heating element is embedded and the portion of the heater in which the edge heating element is embedded, a relief groove portion immersed in a direction crossing the radial direction of the wafer is formed with respect to the wafer support surface. Thin film deposition apparatus.
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