KR20070098122A - Equipment for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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KR20070098122A
KR20070098122A KR1020060029386A KR20060029386A KR20070098122A KR 20070098122 A KR20070098122 A KR 20070098122A KR 1020060029386 A KR1020060029386 A KR 1020060029386A KR 20060029386 A KR20060029386 A KR 20060029386A KR 20070098122 A KR20070098122 A KR 20070098122A
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reaction
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이은정
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삼성전자주식회사
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Abstract

A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to maximize a yield by preventing particles generated from an opening/closing operation of a valve and preventing a backward flow of the particles into the inside of a chamber. A reaction gas supply unit(110) generates a reaction gas used in a semiconductor manufacturing process. A chamber(120) performs the semiconductor manufacturing process by using the reaction gas generated from the reaction gas supply unit. The chamber supplies a space which is independent from the outside. A vacuum pump(130) is formed to pump the reaction gas of the inside of the chamber and the reacted gas. An exhaust line(140) is formed to connect the vacuum pump and the chamber to each other. A rotary opening/closing unit controls a flow rate of the reaction gas pumped to the vacuum pump through an exhaust line in order to control the reaction gas and the reacted gate.

Description

반도체 제조설비{Equipment for manufacturing semiconductor device}Equipment for manufacturing semiconductor device

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 구성을 개략적으로 나타낸 다이아 그램.1 is a diagram schematically showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 구성을 개략적으로 나타낸 다이아 그램.Figure 2 is a diagram schematically showing the configuration of a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 진공 밸브를 자세하게 나타내는 도면.3 shows the vacuum valve of FIG. 2 in detail.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 반응가스 공급부 120 : 챔버110: reaction gas supply unit 120: chamber

130 : 진공 펌프 140 : 배기 라인130: vacuum pump 140: exhaust line

150 : 압력계 170 : 진공 밸브150: pressure gauge 170: vacuum valve

180 : 스핀들180: spindle

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 더 상세하게는 웨이퍼 상에 박 막을 증착하거나, 상기 웨이퍼 상에 증착된 박막에 도전성 불순물을 확산시키는 반도체 제조설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility for depositing a thin film on a wafer or diffusing conductive impurities in a thin film deposited on the wafer.

일반적으로 반도체 제조 공정은 증착 공정, 사진 공정, 식각공정 및 이온주입 공정 등의 일련의 단위 공정으로 이루어진다. 상기 증착 공정은 특정의 반응 기체들을 반응 튜브속에 계속 투입하면서 적절한 조건을 유지시켜 줌으로써 고체상의 물질을 웨이퍼 표면에 증착시키는 것을 말한다. 예컨대, 화학 기상 증착 설비(Chemical Vapour Deposition equipment), 확산로(diffusion furnace) 등과 같은 챔버 장치를 이용하는 공정이 다수 존재한다. 상기 챔버 장치는 압력 센서 및 펌프(pump)를 장착하여 공정에서 요구되는 챔버 내의 기압을 균일하고 정밀하게 유지시켜야만 한다.In general, the semiconductor manufacturing process consists of a series of unit processes, such as a deposition process, a photographic process, an etching process, and an ion implantation process. The deposition process refers to depositing a solid material on the wafer surface by maintaining specific conditions while continuing to introduce certain reaction gases into the reaction tube. For example, there are many processes using chamber apparatuses such as chemical vapor deposition equipment, diffusion furnaces, and the like. The chamber device must be equipped with a pressure sensor and a pump to maintain a uniform and precise pressure in the chamber required for the process.

상기 화학기상증착설비 또는 확산로와 같은 반도체 제조설비는 생산성의 문제에 있어서 대기중의 오염물질들로부터 자유롭지 못하고, 인체에 유해한 맹독성 화학물질로 이루어진 반응가스를 사용하기 때문에 이를 극복하기 위한 다양한 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다.The semiconductor manufacturing equipment such as the chemical vapor deposition equipment or the diffusion furnace is not free from pollutants in the air in terms of productivity, and various research and development for overcoming this is made because it uses a reactive gas composed of highly toxic chemicals harmful to human body This is being done actively.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 구성을 개략적으로 나타낸 다이아 그램이다.1 is a diagram schematically showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 생성하는 반응가스 공급부(10)와, 상기 반응가스 공급부(10)에 서 생성된 상기 반응가스를 이용하여 상기 반도체 제조공정이 수행되며 외부로부터 독립된 공간을 제공하도록 형성된 챔버(20)와, 상기 챔버(20) 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응가스가 반응된 반응후 가스를 펌핑하는 진공 펌프(30)와, 상기 진공 펌프(30)와 상기 챔버(20)를 서로 연결하는 배기 라인(40)과, 상기 배기 라인(40) 상에 형성되어 상기 진공 펌프(30)의 펌핑 압력을 감지하는 압력계(50)와, 상기 배기 라인(40)을 통해 상기 진공 펌프(30)로 펌핑되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 흐름을 단속하기 위해 개폐동작되는 메인 밸브(60)와, 상기 메인 밸브(60)의 후단에 형성되어 상기 메인 밸브(60)가 오픈되면 상기 진공 펌프(30)의 펌핑 압력을 조절하도록 형성된 압력조절밸브(70)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional semiconductor manufacturing equipment utilizes the reaction gas supply part 10 which produces | generates the reaction gas used for a semiconductor manufacturing process, and the said reaction gas produced | generated by the said reaction gas supply part 10. FIG. The semiconductor manufacturing process is performed and the chamber 20 is formed to provide a space independent from the outside, and the vacuum pump 30 for pumping the reaction gas and the reaction gas inside the chamber 20 after the reaction is reacted And an exhaust line 40 connecting the vacuum pump 30 and the chamber 20 to each other, and a pressure gauge 50 formed on the exhaust line 40 to sense a pumping pressure of the vacuum pump 30. And the main valve 60 which is opened and closed to control the flow of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump 30 through the exhaust line 40, and the main valve 60. Formed at the rear end of the main valve When the 60 is opened, the pressure control valve 70 is configured to adjust the pumping pressure of the vacuum pump 30.

도시되지는 않았지만, 상기 압력계(50)에서 출력되는 상기 펌핑 압력을 이용하여 상기 압력조절밸브(70)의 개폐동작을 제어하는 제어신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.Although not shown, the control unit further comprises a control unit for outputting a control signal for controlling the opening and closing operation of the pressure regulating valve 70 using the pumping pressure output from the pressure gauge 50.

여기서, 상기 반응가스 공급부(10)는 상기 웨이퍼(W) 상에 증착되는 물질을 함유하는 상기 반응가스와, 상기 반응가스를 희석시키는 질소와 같은 비반응가스를 상기 챔버(20) 내부로 일정한 유량 공급한다. 예컨대, 상기 반응가스는 SiH4 + O2 또는 3SiH2Cl2 + 4NH3 가스를 사용하며, 상기 웨이퍼(W) 표면에 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막, 또는 폴리 실리콘막을 형성시킬 수 있다. 또한, 상기 반응가스 공급부(10)는 상기 웨이퍼(W) 상에 박막 형성 공정 중 또는 완료된 후 상기 챔버(20) 내부에 질소 가스와 같은 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버(20)의 내부를 퍼 지시킬 수도 있다.Here, the reaction gas supply unit 10 is a constant flow rate of the reaction gas containing the material deposited on the wafer (W) and non-reactant gas, such as nitrogen to dilute the reaction gas into the chamber 20 Supply. For example, the reaction gas may be SiH 4 + O 2 or 3SiH 2 Cl 2 + 4NH 3 gas, and a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a polysilicon film may be formed on the surface of the wafer (W). In addition, the reaction gas supply unit 10 purges the inside of the chamber 20 by supplying a purge gas such as nitrogen gas to the inside of the chamber 20 during or after the thin film forming process is completed on the wafer W. You can also

또한, 상기 챔버(20)는 상기 반응가스를 일정한 온도 및 압력에서 증착 공정 조건에 따라 상기 웨이퍼(W) 상에 균일한 상기 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 폴리 실리콘막과 같은 박막을 형성할 수 있도록 반도체 제조공정에서 요구되는 공정 분위기를 제공한다. 따라서, 종래의 반도체 제조설비는 반응가스 공급부(10)에서 공급되는 반응가스를 이용하여 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 챔버(20) 내부에서 웨이퍼(W) 상에 소정의 박막을 형성할 수 있도록 설계되어 있다.In addition, the chamber 20 is a semiconductor to form a thin film, such as the silicon oxide film, silicon nitride film, polysilicon film uniformly on the wafer (W) according to the deposition process conditions at a constant temperature and pressure It provides the process atmosphere required in the manufacturing process. Therefore, the conventional semiconductor manufacturing equipment is designed to form a predetermined thin film on the wafer W in the chamber 20 that provides an independent space from the outside by using the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 10. It is.

이때, 상기 반응가스 공급부(10)에서 공급되는 반응가스는 상기 챔버(20) 내부의 상기 웨이퍼(W) 상에서 활발하게 반응된다. 또한, 상기 반응가스는 상기 웨이퍼(W) 상에서 상기 박막과 같은 소정의 증착물을 생성한 이후, 반응성이 떨어지는 반응후가스로 변환되어 상기 챔버(20) 내부에서 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 반응후가스는 상기 챔버(20)와 연결되는 상기 배기 라인(40)을 통해 상기 진공 펌프(30)로 펌핑된다. 상기 진공 펌프(30)는 상기 반응후가스 뿐만 아니라, 반응에 참여되지 않은 반응가스를 펌핑할 수도 있다. 예컨대, 상기 진공 펌프(30)는 상기 챔버(20) 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응후가스를 약 10-3Torr 정도의 저진공으로 펌핑하는 저진공 펌프와, 약 10-6Torr 정더의 고진공으로 펌핑하는 고진공 펌프를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 진공 펌프(30)는 상기 챔버(20) 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응후가스를 소정의 펌핑압력으로 단순 펌핑할 뿐 상기 챔버(20) 내부에서의 정밀한 진공도를 조절토록 펌핑할 수 없다.At this time, the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 10 is actively reacted on the wafer (W) in the chamber 20. In addition, the reaction gas may be converted into a post-reaction gas which is less reactive after generating a predetermined deposit such as the thin film on the wafer W and may remain in the chamber 20. Therefore, the post-reaction gas is pumped to the vacuum pump 30 through the exhaust line 40 connected with the chamber 20. The vacuum pump 30 may pump not only the reaction gas but also a reaction gas not involved in the reaction. For example, the vacuum pump 30 is a low vacuum pump for pumping the reaction gas and the reaction gas in the chamber 20 to a low vacuum of about 10 -3 Torr, and a high vacuum of about 10 -6 Torr It consists of a high vacuum pump that pumps into. In this case, the vacuum pump 30 may pump the reaction gas and the reaction gas inside the chamber 20 to a predetermined pumping pressure, and pump to adjust the degree of precise vacuum in the chamber 20. none.

따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 배기 라인(40)을 통해 상기 챔버(20) 내부의 반응가스 및 반응후가스가 펌핑되는 진공 펌프(30)의 전단 상기 배기 라인(40)에 상기 진공 펌프(30)로 펌핑되는 상기 반응가스 또는 상기 반응후가스의 유량을 제어하여 상기 챔버(20) 내부의 정밀한 진공도를 유지하는 상기 압력조절밸브(70)를 포함하여 이루어진다. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the related art is a vacuum pump to the exhaust line 40 in front of the vacuum pump 30 in which the reaction gas and the reaction gas in the chamber 20 is pumped through the exhaust line 40. It comprises a pressure control valve 70 for maintaining a precise vacuum degree inside the chamber 20 by controlling the flow rate of the reaction gas or the reaction gas pumped to 30.

여기서, 상기 압력조절밸브(70)는 상기 배기 라인(40)을 통해 유동되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 흐름을 제어하도록 형성되어 있다. 상기 제어부는 상기 챔버(20) 또는 상기 챔버(20)와 연결되는 상기 배기 라인(40)에 형성된 상기 압력계(50)에서 출력되는 압력감지신호를 이용하여 상기 챔버(20)의 진공도 또는 상기 진공 펌프(30)의 펌핑압력을 조절토록 상기 압력조절밸브(70)를 제어하는 제어신호를 출력한다. 예컨대, 상기 압력계(50)는 상기 챔버(20) 내부의 저진공 상태를 감지하는 진공 센서(52)와, 상기 챔버(20)의 내부가 대기중에 노출된 경우 상압을 감지하는 상압 센서(54)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 압력조절밸브(70)는 상기 배기 라인(40)을 통해 유동되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 유동방향에 대해 소정의 각도로 회전가능하도록 형성되어 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 유량을 제어할 수 있도록 형성되어 있다. 이때, 상기 압력조절밸브(70)는 상기 배기 라인(40)을 통해 유동되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 유량을 조절할 수 있을 뿐, 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 흐름을 단속할 수는 없다. 따라서, 상기 얍력조절밸브의 전단의 상기 메인 밸브(60)가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 메인 밸브(60)는 벨로우즈 밸브를 포함하여 이루어진다. 상기 벨로우즈 밸브는 상기 챔버(20)와 연결되는 일측의 배기 라인(40)과, 상기 압력조절밸브(70)와 연결되는 타측 배기 라인(40)이 서로 수직하게 연결되어 상기 배기 라인(40)을 통해 유동되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 흐름을 단속하도록 형성되어 있다. 이때, 상기 벨로우즈 밸브는 외부 또는 상기 제어부에서 인가되는 전기적인 제어신호에 응답하여 동작되는 솔레노이드 방식으로 충격력이 높고, 단속 시간은 0.3msec 정도로 짧은 시간을 갖는다.Here, the pressure control valve 70 is formed to control the flow of the reaction gas and the reaction gas flowing through the exhaust line 40. The control unit uses the pressure detection signal output from the pressure gauge 50 formed in the chamber 20 or the exhaust line 40 connected to the chamber 20, or the vacuum degree of the chamber 20 or the vacuum pump. A control signal for controlling the pressure regulating valve 70 is outputted to adjust the pumping pressure of 30. For example, the pressure gauge 50 includes a vacuum sensor 52 for detecting a low vacuum state inside the chamber 20, and an atmospheric pressure sensor 54 for detecting atmospheric pressure when the inside of the chamber 20 is exposed to the atmosphere. It is made, including. In addition, the pressure control valve 70 is formed to be rotatable at a predetermined angle with respect to the flow direction of the reaction gas and the reaction gas flowing through the exhaust line 40 is the reaction gas and the reaction gas It is formed to control the flow rate of the. At this time, the pressure control valve 70 can only control the flow rate of the reaction gas and the reaction gas flowing through the exhaust line 40, and can control the flow of the reaction gas and the reaction gas after the reaction. There is no. Thus, the main valve 60 in front of the pressure regulating valve is formed. For example, the main valve 60 includes a bellows valve. The bellows valve has an exhaust line 40 connected to the chamber 20 and an exhaust line 40 connected to the pressure control valve 70 perpendicularly to each other to connect the exhaust line 40. It is formed to interrupt the flow of the reaction gas and the reaction gas flowing through. In this case, the bellows valve has a high impact force in the solenoid method that is operated in response to an electrical control signal applied from the outside or the control unit, the interruption time has a time as short as 0.3msec.

따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 챔버(20)에서 진공 펌프(30)로 연통되는 배기 라인(40)으로 유동되는 반응가스 및 반응후가스의 흐름을 단속하는 메인 밸브(60)와, 상기 반응가스 및 반응후가스의 유량을 제어하는 압력조절밸브(70)를 구비하여 유사시 상기 배기 라인(40)을 통해 유동되는 상기 반응가스 및 상기 반응후가스의 펌핑압력과, 상기 챔버(20) 내부의 정밀한 진공도를 제어하도록 형성되어 있다.Accordingly, the semiconductor manufacturing apparatus according to the related art has a main valve 60 for controlling the flow of the reaction gas and the reaction gas flowing from the chamber 20 to the exhaust line 40 communicating with the vacuum pump 30, and the It is provided with a pressure control valve 70 for controlling the flow rate of the reaction gas and the reaction gas and the pumping pressure of the reaction gas and the reaction gas flowing through the exhaust line 40 in the case of, and inside the chamber 20 It is formed to control the precision of the vacuum.

하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the semiconductor manufacturing equipment according to the prior art had the following problems.

종래의 반도체 제조설비는, 상기 배기 라인(40)을 통해 펌핑되는 반응가스 및 반응후가스를 단속하는 메인 밸브(60)가 챔버(20)에 근접하여 형성되어 있으므로, 상기 메인 밸브(60)의 개폐동작 시 발생되는 파티클과 같은 오염물질이 상기 챔버(20) 내부로 역류하여 상기 챔버(20) 내부의 웨이퍼(W)를 오염시킬 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.In the conventional semiconductor manufacturing equipment, since the main valve 60 for controlling the reaction gas and the reaction gas pumped through the exhaust line 40 is formed in close proximity to the chamber 20, Since contaminants such as particles generated during the opening and closing operation may flow back into the chamber 20 to contaminate the wafer W inside the chamber 20, the production yield may be lowered.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 챔버(20)와 연통되는 배기 라인(40)을 통해 진공 펌프(30)로 배기되는 반응가스 및 반응후가스를 단속하는 밸브의 개폐동작 시 발생되는 파티클을 방지하고, 상기 파티클이 상기 챔버(20) 내부로 역류되는 것을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the above problems, during the opening and closing operation of the valve to control the reaction gas and the reaction gas exhausted to the vacuum pump 30 through the exhaust line 40 in communication with the chamber 20 It is to provide a semiconductor manufacturing equipment that can prevent the generated particles, and prevent the particles from flowing back into the chamber 20 to increase or maximize the production yield.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 생성하는 반응가스 공급부; 상기 반응가스 공급부에서 생성된 상기 반응가스를 이용하여 상기 반도체 제조공정이 수행되며 외부로부터 독립된 공간을 제공하도록 형성된 챔버; 상기 챔버 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응가스가 반응된 반응후 가스를 펌핑하는 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 서로 연결하는 배기 라인; 및 상기 배기 라인을 통해 상기 진공 펌프로 펌핑되는 상기 반응가스 및 반응후 가스를 유량을 조절하고, 상기 반응가스 및 상기 반응후 가스의 흐름을 단속토록 개폐동작되는 회전 개폐부를 구비하는 진공 밸브를 포함함을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object, the reaction gas supply unit for generating a reaction gas used in the semiconductor manufacturing process; A chamber in which the semiconductor manufacturing process is performed by using the reaction gas generated by the reaction gas supply unit and formed to provide a space independent from the outside; A vacuum pump for pumping a gas after the reaction of the reaction gas and the reaction gas in the chamber; An exhaust line connecting the vacuum pump and the chamber to each other; And a vacuum valve having a rotation opening / closing unit configured to control a flow rate of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump through the exhaust line, and to open and close the flow of the reaction gas and the reaction gas. It is characterized by.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완 전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 구성을 개략적으로 나타낸 다이아 그램이다.2 is a diagram schematically illustrating a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 생성하는 반응가스 공급부(110)와, 상기 반응가스 공급부(110)에서 생성된 상기 반응가스를 이용하여 상기 반도체 제조공정이 수행되며 외부로부터 독립된 공간을 제공하도록 형성된 챔버(120)와, 상기 챔버(120) 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응가스가 반응된 반응후 가스를 펌핑하는 진공 펌프(130)와, 상기 진공 펌프(130)와 상기 챔버(120)를 서로 연결하는 배기 라인(140)과, 상기 배기 라인(140) 상에 형성되어 상기 진공 펌프(130)의 펌핑 압력을 감지하는 압력계(150)와, 상기 배기 라인(140)을 통해 상기 진공 펌프(130)로 펌핑되는 상기 반응가스 및 반응후 가스를 유량을 조절하고, 상기 반응가스 및 상기 반응후 가스의 흐름을 단속토록 개폐동작되는 회전 개폐부(조 3의 174)를 구비하는 진공 밸브(170)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention uses a reaction gas supply unit 110 that generates a reaction gas used in a semiconductor manufacturing process, and the reaction gas generated by the reaction gas supply unit 110. Thus, the semiconductor manufacturing process is performed and the chamber 120 is formed to provide a space independent from the outside, and the vacuum pump 130 for pumping the reaction gas and the reaction gas inside the chamber 120 after the reaction is reacted And a pressure gauge 150 for connecting the vacuum pump 130 and the chamber 120 with each other, and a pressure gauge 150 formed on the exhaust line 140 to sense a pumping pressure of the vacuum pump 130. And rotation for controlling the flow rate of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump 130 through the exhaust line 140 and intermittently opening and closing the flow of the reaction gas and the reaction gas after the reaction. Opening and closing It is configured to include a vacuum valve 170 having a (174 of tank 3).

도시되지는 않았지만, 상기 압력계(150)에서 출력되는 상기 펌핑 압력을 이용하여 상기 진공 밸브(170)의 회전 개폐부(174)의 개폐동작을 제어하는 제어신호 를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.Although not shown, the control unit may further include a control unit that outputs a control signal for controlling the opening and closing operation of the rotation opening / closing unit 174 of the vacuum valve 170 using the pumping pressure output from the pressure gauge 150.

여기서, 상기 반응가스 공급부(110)는 상기 챔버(120) 내부에서의 증착, 식각 또는 확산 공정이 이루어지는 반응가스를 생성하여 상기 챔버(120) 내부로 공급한다. 이때, 상기 반응가스 공급부(110)는 상용되는 소스 물질을 가열하여 기화시키거나, 버블링시켜 소정 압력의 상기 반응가스를 생성할 수 있다. 또한, 순수 상기 반응가스는 상기 챔버(120) 내부에서 반도체 제조공정이 수행되는 웨이퍼(W) 상에 과도한 증착물을 증착시키거나, 상기 웨이퍼(W) 또는 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 박막을 과식각시킬 수 있기 때문에 질소 성분과 같은 퍼지가스와 혼합되어 상기 챔버(120) 내부에 공급될 수 있다.Here, the reaction gas supply unit 110 generates a reaction gas in which deposition, etching, or diffusion processes are performed in the chamber 120, and supplies the reaction gas into the chamber 120. In this case, the reaction gas supply unit 110 may generate the reaction gas of a predetermined pressure by heating or vaporizing a commercially available source material. In addition, the pure reaction gas deposits excessive deposits on the wafer W in which the semiconductor manufacturing process is performed in the chamber 120 or overeats the thin film formed on the wafer W or the wafer W. Since it can be angled, it may be mixed with a purge gas such as nitrogen and supplied into the chamber 120.

상기 챔버(120)는 상기 반응가스 공급되는 반응가스를 이용한 반도체 제조공정 중 상기 반응가스가 대기중에 노출되지 않고, 상기 대기중의 오염물질이 반도체 제조공정에 참여하지 못하도록 밀폐된 공간을 제공한다. 예컨대, 상기 챔버(120)는 무쇠 또는 스테인레스와 같은 금속재질, 또는 유리와 같은 석영재질을 갖고, 적어도 하나이상의 상기 웨이퍼(W)가 내부에 탑재되는 돔모양을 갖도록 형성된다. 또한, 상기 챔버(120) 내부에서 반도체 제조공정이 진행되는 웨이퍼(W)가 외부로 보여질 수 있도록 형성되며 투명 재질의 석영으로 내부를 개방시키도록 형성된 적어도 하나이상의 포트(port)를 포함하여 이루어진다.The chamber 120 provides a closed space so that the reaction gas is not exposed to the air during the semiconductor manufacturing process using the reaction gas supplied with the reaction gas, and contaminants in the air do not participate in the semiconductor manufacturing process. For example, the chamber 120 may be formed of a metal material such as cast iron or stainless steel, or a quartz material such as glass, and may have a dome shape in which at least one wafer W is mounted therein. In addition, the wafer W in which the semiconductor manufacturing process is performed in the chamber 120 is formed to be visible to the outside, and includes at least one port formed to open the inside with quartz of transparent material. .

상기 진공 펌프(130)는 상기 챔버(120) 내부에 존재하는 공기, 반응가스, 및 반응후가스를 펌핑하여 상기 챔버(120) 내부에서의 우수한 반도체 제조공정이 수행되도록 할 수 있다. 또한, 상기 진공 펌프(130)는 상기 챔버(120) 내부에 잔존하는 오염물질을 펌핑하여 제거시키는 역할을 수행할 수도 있다. 예컨대, 상기 진공 펌프(130)는 상기 챔버(120) 내부의 진공도를 약 10-3Torr 정도의 저진공으로 펌핑하는 드라이 펌프와 같은 저진공 펌프와, 상기 챔버(120) 내부의 진공도를 약 10-6Torr 정도의 고진공으로 펌핑하는 터보 펌프와 같은 고진공 펌프를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 진공 펌프(130)는 상기 챔버(120) 내부에서 수행되는 반도체 제조공정의 특성, 수율, 및 안정도에 따라 상기 고진공 펌프와 상기 저진공 펌프가 직렬로 설계되거나, 상기 저진공 펌프 단독으로 설계될 수 있다. 이때, 상기 진공 펌프(130) 자체는 상기 챔버(120) 내부의 공기, 반응가스, 및 반응후가스를 단순 펌핑할 뿐, 상기 챔버(120) 내부에서의 반도체 제조공정의 재현성을 높일 수 있도록 설정되어야할 미세한 진공도를 직접 조절토록 제어될 수가 없다.The vacuum pump 130 may pump air, a reaction gas, and a reaction gas present in the chamber 120 to perform an excellent semiconductor manufacturing process in the chamber 120. In addition, the vacuum pump 130 may serve to pump out and remove contaminants remaining in the chamber 120. For example, the vacuum pump 130 may be a low vacuum pump, such as a dry pump, which pumps a vacuum degree in the chamber 120 to a low vacuum of about 10 −3 Torr, and a vacuum degree of about 10 in the chamber 120. It includes a high vacuum pump such as a turbo pump that pumps to a high vacuum of -6 Torr. In this case, the vacuum pump 130 is designed in series with the high vacuum pump and the low vacuum pump according to the characteristics, yield, and stability of the semiconductor manufacturing process performed in the chamber 120, or the low vacuum pump alone Can be designed. At this time, the vacuum pump 130 itself is set to increase the reproducibility of the semiconductor manufacturing process in the chamber 120, as well as simply pump the air, the reaction gas, and the reaction gas in the chamber 120 inside. It cannot be controlled to directly adjust the minute degree of vacuum that should be.

상기 압력계(150)는 상기 챔버(120) 내부의 진공도를 감지하거나, 상기 배기 라인(140)을 통해 상기 챔버(120)와 연통되는 상기 진공 펌프(130)의 펌핑압력을 감지할 수 있다. The pressure gauge 150 may detect the degree of vacuum inside the chamber 120 or the pumping pressure of the vacuum pump 130 communicating with the chamber 120 through the exhaust line 140.

예컨대, 상기 압력계(150)는 상기 챔버(120) 내부의 저진공 상태를 감지하는 진공 센서(152)와, 상기 챔버(120)의 내부가 대기중에 노출된 경우 상압을 감지하는 상압 센서(154)를 포함하며, 상기 진공 센서(152) 및 상압 센서(154)는 각각 저진공 바라트론 센서 및 상압 바라트론 센서를 포함하여 이루어진다. 상기 저진공 바라트론 센서(108)는 반응가스 공급부(110)로부터 공급된 반응가스를 이용하여 웨이퍼(W) 상에 박막을 균일하게 형성하기 위해 상기 챔버(120) 내부의 압력을 감지 한다. 또한, 상기 상압 바라트론 센서(108)는 상기 챔버(120) 내부에 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩할 경우 배기 라인(140)을 통해 상압 상태의 상기 챔버(120) 내부 진공도를 감지할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 바라트론 센서는 상기 배기 라인(140)의 일측으로 연통되는 하우징과, 상기 하우징의 내부로 유출입되는 공기, 반응가스, 및 반응후가스의 압력에 따라 소정 유격을 가지고 변형되는 다이아프램과, 상기 다이아프램의 유격 변형에 따른 거리를 이용하여 커패시턴스를 계측토록 형성된 전극 어셈블리와, 상기 전극 어셈블리에서 계측되는 커패시턴스에 따른 전기적인 신호를 생성하여 상기 제어부에 출력하는 센서 제어부를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 다이아프램은 소정 압력을 갖도록 설계된 유체 또는 기체를 기준으로 상기 배기 라인(140)의 일측에 연결되는 하우징으로 유출입되는 공기, 반응가스, 및 반응후가스의 압력에 대응하여 수축 또는 팽창되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 다이아프램이 상기 하우징의 유출입구로 팽창될 경우, 상기 공기, 반응가스, 및 반응후가스의 펌핑압력이 높아 진공도가 증가될 것이며, 상기 다이아프램이 상기 하우징의 유출입구에 대향되는 방향으로 수축될 경우, 상기 공기, 반응가스, 및 반응후가스의 펌핑압력이 낮아 진공도가 낮아질 것이다. 또한, 상기 다이아프램의 수축 또는 팽창이 주위의 온도와 사용시간에 따라 변경될 수 있으므로 소정 시간을 주기로 영점값 또는 스판값이 조절될 수도 있다.For example, the pressure gauge 150 may include a vacuum sensor 152 that detects a low vacuum state inside the chamber 120, and an atmospheric pressure sensor 154 that detects atmospheric pressure when the inside of the chamber 120 is exposed to the atmosphere. The vacuum sensor 152 and the atmospheric pressure sensor 154 may include a low vacuum baratron sensor and an atmospheric baratron sensor, respectively. The low vacuum baratrone sensor 108 senses the pressure inside the chamber 120 to uniformly form a thin film on the wafer W using the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 110. In addition, the atmospheric pressure baratron sensor 108 may detect the vacuum degree inside the chamber 120 at an atmospheric pressure state through the exhaust line 140 when loading / unloading the wafer W into the chamber 120. have. Although not shown, the baratron sensor is deformed with a predetermined gap in accordance with the pressure of the housing communicating with one side of the exhaust line 140, the air flowing in and out of the housing, the reaction gas, and the reaction gas. And an electrode assembly formed to measure capacitance using a distance according to the gap deformation of the diaphragm, and a sensor controller configured to generate an electrical signal according to the capacitance measured by the electrode assembly and output the electrical signal to the controller. . Here, the diaphragm is contracted or expanded in response to the pressure of the air, the reaction gas, and the reaction gas flowing into and out of the housing connected to one side of the exhaust line 140 based on the fluid or gas designed to have a predetermined pressure. Formed. For example, when the diaphragm is expanded to the outlet inlet of the housing, the pumping pressure of the air, the reaction gas, and the post-reaction gas will be increased to increase the degree of vacuum, and the diaphragm will face the outlet inlet of the housing. In the case of shrinkage, the pumping pressure of the air, the reaction gas, and the reaction gas is low, so that the vacuum degree will be lowered. In addition, since the contraction or expansion of the diaphragm may be changed according to the ambient temperature and the use time, the zero value or the span value may be adjusted at predetermined intervals.

상기 배기 라인(140)은 상기 챔버(120)와 상기 진공 펌프(130)를 서로 연결하는 통로로서, 반도체 제조공정에 사용되는 챔버(120)의 종류에 따라 길이와 직경이 다양하게 설계될 수 있다. 또한, 상기 배기 라인(140)은 상기 반응가스 공급 부(110)에서 공급된 반응가스가 상기 챔버(120) 내부에서 반응을 완료하고 반응후가스로 변환되어 상기 진공펌프로 펌핑될 수 있도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 배기 라인(140)은 상기 챔버(120)의 최하단에 형성되어 상기 챔버(120)의 상부 또는 측면에서 공급되는 상기 반응가스가 상기 챔버(120) 중심에 위치된 웨이퍼(W)를 경유하여 상기 챔버(120)의 하부를 통해 정상적인 배기 흐름을 갖도록 유도할 수 있다.The exhaust line 140 is a passage connecting the chamber 120 and the vacuum pump 130 to each other, and may be designed in various lengths and diameters according to the type of the chamber 120 used in the semiconductor manufacturing process. . In addition, the exhaust line 140 is formed such that the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 110 completes the reaction in the chamber 120 and is converted into a post-reaction gas to be pumped by the vacuum pump. have. For example, the exhaust line 140 is formed at the lowermost end of the chamber 120 so that the reaction gas supplied from the upper side or the side of the chamber 120 passes through the wafer W positioned at the center of the chamber 120. It may be induced to have a normal exhaust flow through the lower portion of the chamber 120.

이때, 상기 배기 라인(140)을 통해 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스를 펌핑하는 진공펌프는 성능에 따라 단순 펌핑동작만 수행할 뿐, 상기 챔버(120) 및 상기 배기 라인(140)의 진공도를 균일하게 제어할 수는 없다. 또한, 상기 진공펌프가 펌핑동작을 중단할 경우, 상기 진공펌프와 상기 배기 라인(140)을 통해 외부의 공기가 역류되어 상기 진공 펌프(130)의 오일 또는 대기중의 오염물이 상기 배기 라인(140) 또는 상기 챔버(120)의 내부를 오염시킬 수 있다.At this time, the vacuum pump for pumping the reaction gas and the reaction gas through the exhaust line 140 performs only a simple pumping operation according to the performance, the degree of vacuum of the chamber 120 and the exhaust line 140 Cannot be controlled uniformly. In addition, when the vacuum pump stops the pumping operation, external air flows back through the vacuum pump and the exhaust line 140 so that oil or atmospheric contaminants of the vacuum pump 130 may be discharged to the exhaust line 140. ) May contaminate the interior of the chamber 120.

따라서, 상기 진공펌프와 상기 챔버(120)사이의 상기 배기 라인(140)에서 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 펌핑압력을 조절하고, 상기 배기 라인(140)을 통해 유동되는 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름을 차단 또 허용하는 것과 같은 기체 흐름의 단속기능을 갖는 진공밸브가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 진공 밸브(170)는 상기 챔버(120)로부터 약 1m 내지 2m 정도 이격된 거리를 갖는 상기 배기 라인(140)에 형성된다.Therefore, in the exhaust line 140 between the vacuum pump and the chamber 120, the pumping pressure of the reaction gas and the post-reaction gas is adjusted, and the reaction gas flowing through the exhaust line 140, and A vacuum valve having an intermittent function of gas flow, such as blocking and allowing the flow of the gas after the reaction is formed. For example, the vacuum valve 170 is formed in the exhaust line 140 having a distance of about 1 m to 2 m from the chamber 120.

도 3은 도 2의 진공 밸브(170)를 자세하게 나타내는 도면으로서, 상기 진공밸브는 상기 배기 라인(140)을 통해 유동되는 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스 가 연속적으로 유동될 수 있도록 상기 배기 라인(140)과 평행한 방향으로 양측에서 상기 배기 라인(140)과 결합되는 몸체(172)와, 상기 몸체(172)의 내경과 동일 또는 유사한 직경을 갖도록 형성되며, 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 유동방향에 수직하는 방향에 회전중심을 갖고 개폐동작되도록 형성된 회전 개폐부(174), 상기 회전 개폐부(174)의 가장자리 또는 외주면에서 상기 몸체(172)와 접촉되는 부위에 밀착되어 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 누설을 방지하도록 형성된 오링(176)을 포함하여 이루어진다. 3 is a detailed view of the vacuum valve 170 of FIG. 2, wherein the vacuum valve is configured to continuously flow the reactant gas and the reactant gas flowing through the exhaust line 140. A body 172 coupled to the exhaust line 140 at both sides in a direction parallel to 140 and a diameter equal to or similar to an inner diameter of the body 172, and the reaction gas, and after the reaction. Rotating opening and closing portion 174 is formed to open and close operation with a rotation center in a direction perpendicular to the flow direction of the gas, the reaction gas is in close contact with the portion in contact with the body 172 on the edge or outer peripheral surface of the rotation opening and closing 174, And an O-ring 176 formed to prevent leakage of the gas after the reaction.

여기서, 상기 몸체(172)는 상기 배기 라인(140)을 통해 유동되는 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름에 따른 와류를 방지토록 하기 위해 상기 배기 라인(140)의 내경과 동일 또는 유사한 직경을 갖도록 형성된다. 예컨대, 상기 몸체(172)는 약 8㎝정도의 직경을 갖도록 형성된다. 또한, 상기 회전 개폐부(174)의 닫힘 동작시 상기 회전 개폐부(174) 또는 상기 오링(176)과 접촉되어 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스를 차단하기 위해 상기 몸체(172)의 내면으로부터 소정 높이를 갖도록 돌출되는 돌출부(178)를 갖도록 형성될 수도 있다. 이때, 상기 돌출부(178)는 와류를 최소화하기 위해 유선형을 갖도록 형성된다.Here, the body 172 is the same or similar diameter to the inner diameter of the exhaust line 140 to prevent vortices caused by the flow of the reaction gas, and the reaction gas flowing through the exhaust line 140 It is formed to have. For example, the body 172 is formed to have a diameter of about 8 cm. In addition, a predetermined height from the inner surface of the body 172 to contact the rotary opening and closing portion 174 or the O-ring 176 in order to block the reaction gas, and the reaction post-gas during the closing operation of the rotation opening and closing portion 174. It may be formed to have a protrusion 178 protruding to have a. At this time, the protrusion 178 is formed to have a streamline to minimize the vortex.

상기 회전 개폐부(174)는 상기 몸체(172)의 내부로 유동되는 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름을 직접적으로 제어하는 제어수단으로서, 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름 방향에 소정각도를 갖도록 제어된다. 예컨대, 상기 회전 개폐부(174)가 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름과 동일 또는 평행한 방향으로 회전될 경우, 상기 진공펌프에서 펌핑되는 상기 반응가스 및 상기 반 응후가스 전체를 유동시킬 수 있다. 반면, 상기 상기 회전 개폐부(174)가 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 흐름에 수직하는 방향으로 회전될 경우, 상기 반응가스 및 상기 반응후가스 전체가 상기 진공 펌프(130)에 펌핑되지 못하도록 할 수 있다. 상기 회전 개폐부(174)는 상기 몸체(172) 외곽에서 회전동력을 생성하는 모터(도시되지 않음) 또는 상기 모터에 체결되는 기어에 연동되는 스핀들(180)에 연결되어 있다. 상기 스핀들(180)은 상기 회전 개폐부(174)의 중심축이되고, 상기 몸체(172)의 직경을 지나도록 형성되어 있다.The rotation opening and closing portion 174 is a control means for directly controlling the flow of the reaction gas and the reaction gas flowing into the body 172, the reaction gas and the reaction gas in the flow direction It is controlled to have a predetermined angle. For example, when the rotation switch 174 is rotated in the same or parallel direction to the flow of the reaction gas and the reaction gas, the reaction gas and the reaction gas pumped by the vacuum pump may flow. have. On the other hand, when the rotation opening and closing portion 174 is rotated in a direction perpendicular to the flow of the reaction gas and the reaction gas, so that the reaction gas and the reaction gas after the reaction is not pumped to the vacuum pump 130 as a whole. can do. The rotation opening and closing portion 174 is connected to a motor (not shown) that generates rotational power outside the body 172 or to a spindle 180 interlocked with a gear fastened to the motor. The spindle 180 is a central axis of the rotation opening and closing portion 174 and is formed to pass through the diameter of the body 172.

상기 오링(176)은 상기 회전 개폐부(174)가 상기 몸체(172)의 내벽 또는 상기 몸체(172)의 돌출부(178)와 접촉되는 부분에서 소정의 탄성을 갖고 밀착되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 오링(176)은 탄성이 우수하고, 상기 반응가스의 화학반응으로부터 내식성이 우수한 고무재질로 형성되어 있다. 상기 오링(176)은 상기 회전 개폐부(174)의 외주면을 따라 형성될 경우, 상기 회전 개폐부(174)의 개폐동작 시 상기 몸체(172)의 내벽에 밀착 또는 슬라이딩될 수 있다. 또한, 상기 오링(176)은 상기 회전 개폐부(174)의 가장자리에 형성될 경우, 상기 회전 개폐부(174)의 돌출부(178)와 밀착되도록 형성될 수 있다. 상기 회전 개폐부(174)의 닫힘 동작 시 상기 스핀들(180)을 중심으로 양측의 상기 회전 개폐부(174)가 만나는 돌출부(178)의 방향이 서로 다르게 형성되어 있다. 따라서, 상기 오링(176)은 회전 개폐부(174)의 양면에 각기 다른 오링(176)으로 형성되거나, 상기 돌출부(178)와 접촉되는 부분에 반원의 원주 모양을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 오링(176)은 상기 회전 개폐부(174)의 개폐동작 시 상기 회전 개폐부(174)와 상기 몸체(172)의 돌출부(178)의 충격력을 감쇄시키고, 상기 회전 개폐부(174)의 개폐동작에 유연성을 부여하여 파티클과 같은 오염물질이 유발되는 것을 방지토록 할 수 있다.The O-ring 176 may be in close contact with a predetermined elasticity in a portion in which the rotation opening and closing portion 174 is in contact with the inner wall of the body 172 or the protrusion 178 of the body 172. For example, the O-ring 176 is formed of a rubber material having excellent elasticity and excellent corrosion resistance from the chemical reaction of the reaction gas. When the O-ring 176 is formed along the outer circumferential surface of the rotation opening / closing portion 174, the O-ring 176 may be in close contact or sliding on the inner wall of the body 172 during the opening / closing operation of the rotation opening / closing portion 174. In addition, when the O-ring 176 is formed at the edge of the rotation opening and closing portion 174, it may be formed to be in close contact with the protrusion 178 of the rotation opening and closing portion 174. In the closing operation of the rotation opening and closing portion 174, the directions of the protrusions 178 where the rotation opening and closing portions 174 meet on both sides of the spindle 180 are different from each other. Accordingly, the O-ring 176 may be formed with different O-rings 176 on both sides of the rotation opening and closing portion 174 or may have a semicircular circumferential shape at a portion in contact with the protrusion 178. At this time, the O-ring 176 attenuates the impact force of the rotation opening and closing portion 174 and the protrusion 178 of the body 172 during the opening and closing operation of the rotary opening and closing portion 174, the opening and closing operation of the rotary opening and closing portion 174. Flexibility can be added to prevent contaminants such as particles from being generated.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는, 배기 라인(140)을 통해 상기 진공 펌프(130)로 펌핑되는 상기 반응가스 및 반응후가스를 유량을 조절하고, 상기 반응가스 및 상기 반응후 가스의 흐름을 단속토록 개폐동작되도록 형성된 진공밸브를 구비하여 챔버(120)와 연통되는 배기 라인(140)을 통해 진공 펌프(130)로 배기되는 반응가스 및 반응후가스를 단속하는 진공밸브에서 발생되는 파티클을 방지하고, 상기 파티클이 상기 챔버(120) 내부로 역류되어 상기 챔버(120) 내부를 오염시키는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention controls the flow rate of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump 130 through the exhaust line 140, and the flow of the reaction gas and the reaction gas after the reaction Particles generated from the vacuum valve for regulating the reaction gas and the reaction gas exhausted to the vacuum pump 130 through the exhaust line 140 in communication with the chamber 120 to the opening and closing operation to control the intermittent In order to prevent the particles from flowing back into the chamber 120 and contaminating the inside of the chamber 120, production yield may be increased or maximized.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.

이상에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 배기 라인을 통해 상기 진공 펌프로 펌핑되는 상기 반응가스 및 반응후가스를 유량을 조절하고, 상기 반응가스 및 상기 반응후 가스의 흐름을 단속토록 개폐동작되도록 형성된 진공밸브를 구비하여 챔버와 연통되는 배기 라인을 통해 진공 펌프로 배기되는 반응가스 및 반응후가스를 단속하는 진공밸브에서 발생되는 파티클을 방지하고, 상기 파티클이 상기 챔 버 내부로 역류되어 상기 챔버 내부를 오염시키는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the flow rate of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump through the exhaust line to adjust the flow rate, so that the opening and closing operation to control the flow of the reaction gas and the reaction gas after the reaction It is provided with a vacuum valve formed to prevent particles generated in the vacuum valve for controlling the reaction gas and the reaction gas exhausted by the vacuum pump through the exhaust line in communication with the chamber, the particles are flowed back into the chamber and the chamber Since pollution can be prevented, the yield can be increased or maximized.

Claims (3)

반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 생성하는 반응가스 공급부;A reaction gas supply unit generating a reaction gas used in a semiconductor manufacturing process; 상기 반응가스 공급부에서 생성된 상기 반응가스를 이용하여 상기 반도체 제조공정이 수행되며 외부로부터 독립된 공간을 제공하도록 형성된 챔버;A chamber in which the semiconductor manufacturing process is performed by using the reaction gas generated by the reaction gas supply unit and formed to provide a space independent from the outside; 상기 챔버 내부의 상기 반응가스 및 상기 반응가스가 반응된 반응후 가스를 펌핑하는 진공 펌프;A vacuum pump for pumping a gas after the reaction of the reaction gas and the reaction gas in the chamber; 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 서로 연결하는 배기 라인; 및An exhaust line connecting the vacuum pump and the chamber to each other; And 상기 배기 라인을 통해 상기 진공 펌프로 펌핑되는 상기 반응가스 및 반응후 가스를 유량을 조절하고, 상기 반응가스 및 상기 반응후 가스의 흐름을 단속토록 개폐동작되는 회전 개폐부를 구비하는 진공 밸브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And a vacuum valve having a rotation opening and closing unit configured to control a flow rate of the reaction gas and the reaction gas pumped to the vacuum pump through the exhaust line, and to control the flow of the reaction gas and the reaction gas after the reaction. Semiconductor manufacturing equipment characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 진공밸브는 상기 배기 라인을 통해 유동되는 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스가 연속적으로 유동될 수 있도록 상기 배기 라인과 평행한 방향으로 양측에서 상기 배기 라인과 결합되는 몸체와, 상기 몸체의 내경과 동일 또는 유사한 직경을 갖도록 형성되며, 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 유동방향에 수직하는 방향에 회전중심을 갖고 개폐동작되도록 형성된 회전 개폐부, 상기 회전 개폐부 의 가장자리 또는 외주면에서 상기 몸체와 접촉되는 부위에 밀착되어 상기 반응가스, 및 상기 반응후가스의 누설을 방지하도록 형성된 오링을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The vacuum valve has a body coupled to the exhaust line on both sides in a direction parallel to the exhaust line so that the reaction gas flowing through the exhaust line and the post-reaction gas flow continuously, and the inner diameter of the body. Is formed to have the same or similar diameter and the rotation gas opening and closing portion having a rotation center in the direction perpendicular to the flow direction of the reaction gas, and the reaction gas, contacting the body at the edge or outer peripheral surface of the rotation opening and closing And an O-ring formed in close contact with a portion to prevent leakage of the reaction gas and the reaction gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오링은 상기 회전 개폐부가 상기 몸체의 내벽 또는 상기 몸체의 내벽에서 소정 높이로 돌출되는 돌출부와 접촉되는 부분에서 소정의 탄성을 갖고 상기 반응가스의 화학반응으로부터의 내식성을 갖는 고무재질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The O-ring is formed of a rubber material having a predetermined elasticity and a corrosion resistance from the chemical reaction of the reaction gas in a portion in which the rotation opening and closing portion is in contact with the protrusion projecting to a predetermined height from the inner wall of the body or the inner wall of the body. Semiconductor manufacturing equipment characterized by the above-mentioned.
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100932118B1 (en) * 2009-03-06 2009-12-16 (주)선린 Vacuum system of semiconductor manufacturing equipment
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8951349B2 (en) 2009-11-20 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9012258B2 (en) 2012-09-24 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus using at least two deposition units
US9150952B2 (en) 2011-07-19 2015-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and deposition apparatus including the same
US9206501B2 (en) 2011-08-02 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using an organic layer deposition apparatus having stacked deposition sources
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN111725105A (en) * 2020-06-22 2020-09-29 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100932118B1 (en) * 2009-03-06 2009-12-16 (주)선린 Vacuum system of semiconductor manufacturing equipment
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US8951349B2 (en) 2009-11-20 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9660191B2 (en) 2009-11-20 2017-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9150952B2 (en) 2011-07-19 2015-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and deposition apparatus including the same
US9206501B2 (en) 2011-08-02 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using an organic layer deposition apparatus having stacked deposition sources
US9012258B2 (en) 2012-09-24 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus using at least two deposition units
CN111725105A (en) * 2020-06-22 2020-09-29 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips
CN111725105B (en) * 2020-06-22 2024-04-16 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor device

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