KR20070096082A - Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic light emitting display device by same - Google Patents

Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic light emitting display device by same Download PDF

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KR20070096082A
KR20070096082A KR1020050119595A KR20050119595A KR20070096082A KR 20070096082 A KR20070096082 A KR 20070096082A KR 1020050119595 A KR1020050119595 A KR 1020050119595A KR 20050119595 A KR20050119595 A KR 20050119595A KR 20070096082 A KR20070096082 A KR 20070096082A
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Abstract

A donor substrate for a laser induced thermal imaging process and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the donor substrate are provided to prevent the donor substrate from being damaged by preventing a laser beam from reaching the donor substrate. A donor substrate for a laser induced thermal imaging process includes a base layer(11), a photothermal conversion layer(12), a buffer layer(13), and a transfer layer(14). The photothermal conversion layer is arranged on the base layer. The buffer layer is arranged on the photothermal conversion layer on an overall surface of the base layer. The buffer layer is made of a composition of a metal and a polymer. The transfer layer is arranged on the buffer layer. A thickness of the buffer layer is between 200 and 300 angstrom. A concentration of the metal in the composition is between 5 and 25 %.

Description

레이저 전사용 도너기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는 유기전계발광소자의 제조방법{Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic light emitting display device by same}Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic light emitting display device by same}

도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device by a conventional laser thermal transfer method.

도 2 는 본 발명의 제 1 실시예의 의한 레이저 전사용 도너기판의 구조를 나타낸 도면.2 is a diagram showing the structure of a donor substrate for laser transfer according to a first embodiment of the present invention;

도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 2 실시예의 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

* 도면부호에 대한 간단한 설명** Brief description of the drawings

10: 도너기판 11: 기재층10: donor substrate 11: base layer

12: 광-열변환층 13: 버퍼층12: photo-thermal conversion layer 13: buffer layer

14: 전사층 400: 기판14: transfer layer 400: substrate

401: 기판 402: 제 1 전극401: substrate 402: first electrode

404: 유기막패턴404: organic film pattern

본 발명은 레이저 전사용 도너기판 및 상기 도너기판을 사용한 유기전계발광소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전사 특성을 향상시킬 수 있는 레이저 전사용 도너기판 및 이를 사용한 유기전계발광소자의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a laser transfer donor substrate and a method of manufacturing an organic light emitting device using the donor substrate, and more particularly, to a laser transfer donor substrate and an organic electroluminescent device using the same, which can improve transfer characteristics. It is about a method.

유기전계발광소자는 유기발광층을 포함한 유기막에 전압을 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 응답속도 또한 CRT와 같은 수준이며, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 이와 같은 유기전계발광소자는 고화질의 동영상을 표현할 수 있어 차세대 디스플레이로서 각광을 받고 있다.The organic light emitting device is a self-luminous type in which electrons and holes are recombined in the light emitting layer to generate light by applying a voltage to the organic layer including the organic light emitting layer. It can be simplified, and the response speed is the same as the CRT, and it is advantageous in terms of power consumption. Such an organic light emitting display device has been spotlighted as a next generation display because it can express high quality video.

일반적으로, 유기전계발광소자는 양극 및 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 여러 층으로 이루어져 있으며, 상기의 유기전계발광소자에 R, G 및 B의 삼원색을 나타내는 발광층을 패터닝함으로서 풀칼라를 구현할 수 있다. In general, the organic light emitting device is composed of several layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer between the anode and the cathode, the three primary colors of R, G and B in the organic light emitting device The full color can be realized by patterning the light emitting layer.

상기 다층의 유기막은 새도우 마스크를 이용한 진공증착법 또는 통상적인 광식각법을 이용하여 형성되어질 수 있으나 진공 증착법의 경우에는 유기막을 미세 패턴으로 형성하는데 어려움이 있어 완벽한 풀칼라 디스플레이를 구현하는데 어려움이 있으며, 광식각법인 경우에는 현상액 또는 식각액에 의해 유기막의 손상으로 수명 및 효율 등의 발광 특성이 나빠지는 문제점이 있다.The multilayer organic film may be formed using a vacuum deposition method or a conventional optical etching method using a shadow mask, but in the case of the vacuum deposition method, it is difficult to form the organic film in a fine pattern, and thus it is difficult to realize a full-color display. In the case of each method, there is a problem in that light emission characteristics such as lifetime and efficiency are deteriorated due to damage of the organic film by the developer or etching solution.

이에 따라, 이런 문제점을 해결하기 위한 방법으로 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)을 이용하여 유기막을 패턴하는 방식이 도입되었다.Accordingly, a method of patterning an organic film using laser induced thermal imaging (LITI) has been introduced as a method to solve this problem.

상기 레이저 열전사법은 광원에서 빛이 나와 도너기판의 광-열변환층에 흡수되어 빛이 열에너지로 전환되고, 전환된 열에너지에 의해 전사층에 형성된 유기물질이 기판으로 전사되어 형성되는 방법이다.The laser thermal transfer method is a method in which light is emitted from a light source and absorbed by a light-to-heat conversion layer of a donor substrate to convert light into thermal energy, and the organic material formed on the transfer layer is transferred to a substrate by the converted thermal energy.

도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device by a conventional laser thermal transfer method.

도 1a를 참조하면, 먼저, 절연 기판(100)의 버퍼층(110)상부에 통상적인 방법으로 반도체층(125), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(135), 층간 절연막(130), 소오스/드레인 전극(145)을 구비한 박막 트랜지스터가 형성된다.Referring to FIG. 1A, first, a semiconductor layer 125, a gate insulating layer 120, a gate electrode 135, an interlayer insulating layer 130, and a source / layer may be formed on a buffer layer 110 of an insulating substrate 100 in a conventional manner. A thin film transistor having a drain electrode 145 is formed.

상기 기판의 전면에 걸쳐 상기 소오스/드레인 전극 상부에 평탄화막(150)을 형성하고, 상기 소오스 또는 드레인 전극(145)을 노출시키기 위한 비아홀(165)을 형성한다. A planarization layer 150 is formed on the source / drain electrode over the entire surface of the substrate, and a via hole 165 for exposing the source or drain electrode 145 is formed.

상기 평탄화막 상에 상기 비아홀(165)을 통하여 소오스 또는 드레인 전극(145)과 연결되도록 화소전극(160)을 형성한다.The pixel electrode 160 is formed on the planarization layer so as to be connected to the source or drain electrode 145 through the via hole 165.

이 때, 상기 비아홀(160)의 굴곡진 형태를 지닌 상기 화소전극(160)을 덮는 화소정의막(170)을 형성한 후, 상기 화소정의막(170)을 패터닝하여 상기 화소전극(160)의 일부분을 노출시키는 개구부(195)를 형성한다.In this case, after forming the pixel defining layer 170 covering the pixel electrode 160 having the curved shape of the via hole 160, the pixel defining layer 170 is patterned to form the pixel electrode 160. An opening 195 is formed that exposes a portion.

이로써, 박막트랜지스터를 구비하며, 상기 화소전극(160)이 형성되어 있는 기판을 제조한다.As a result, a substrate having a thin film transistor and having the pixel electrode 160 formed thereon is manufactured.

한편, 기재층(201), 광열 변환층(202) 및 전사층(203)을 순차적으로 적층하여 레이저 전사용 도너기판(200)을 제조한다.Meanwhile, the donor substrate 200 for laser transfer is manufactured by sequentially stacking the base layer 201, the light-to-heat conversion layer 202, and the transfer layer 203.

이어서, 상기 기판의 화소 전극과 전사용 도너기판의 전사층을 마주보게 하여 접착(lamination)한 후에 상기 도너기판의 기재층면의 소정 부분에 레이저를 조사한다.Subsequently, lamination is performed by facing the pixel electrode of the substrate and the transfer layer of the transfer donor substrate, and then irradiate a laser to a predetermined portion of the base layer surface of the donor substrate.

이후에 도 1b에서와 같이, 상기 기판의 화소전극(160)상에 도너기판으로부터 전사층이 전사되어 유기막 패턴(204')을 형성된다. 이어서, 상기 유기막 패턴(204')의 상을 포함하는 기판 전면에 상부전극(180)을 형성함으로서 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, the transfer layer is transferred from the donor substrate to the pixel electrode 160 of the substrate to form an organic layer pattern 204 ′. Subsequently, the organic light emitting diode may be manufactured by forming the upper electrode 180 on the entire surface of the substrate including the organic layer pattern 204 ′.

그러나 유기전계발광소자는 화소영역의 에지부분이 화소정의막(170)에 의하여 단차가 존재하기 때문에 레이저 전사를 이용하여 발광층을 형성하는 경우에는 그 단차 부분에서 발광층이 끊어져 전사되지 않는 부분이 발생하게 된다. 이를 에지 오픈 불량(edge open 또는 미전사 불량;E)이라 하며, 이러한 오픈 불량은 특히 레이저 에너지를 받아서 팽창하는 부분, 즉 광-열변환층(202) 또는 버퍼층(미도시)과 같은 층이 희어지는 곡률 반경이 크기 때문이다. 즉, 팽창되는 부분의 두께가 두껍기 때문이다. However, in the organic light emitting diode, since the edge portion of the pixel region is formed by the pixel defining layer 170, when the light emitting layer is formed by using laser transfer, the portion of the organic light emitting element is broken and the transfer layer is not generated. do. This is referred to as edge open failure (E), which is a particularly open area that receives laser energy and expands, ie, a layer such as a light-to-heat conversion layer 202 or a buffer layer (not shown). This is because the radius of curvature is large. That is, because the thickness of the expanded portion is thick.

이러한 불량은 유기전계발광소자의 효율과 수명을 떨어뜨리고, 완벽한 풀칼라 구현을 할 수 없는 문제점을 초래 할 수 있다.Such a defect may reduce the efficiency and lifespan of the organic light emitting display device, and may cause a problem in that a full color cannot be realized.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 레이저 열전사법에 의해 유기막 패턴을 형성할 때 기판과 도너기판을 균일하게 접착하기 위한 레이저 전사용 도너기판을 제공한다.Therefore, the present invention is to solve all the disadvantages and problems of the prior art as described above, the object of the present invention is for laser transfer for uniformly bonding the substrate and the donor substrate when forming the organic film pattern by the laser thermal transfer method Provide a donor substrate.

또한, 본 발명은 유기막 패턴의 에지 오픈에 의한 불량 발생을 방지할 수 있는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting device capable of preventing the occurrence of defects due to the edge opening of the organic film pattern.

또한, 본 발명은 유기전계발광소자의 효율 및 수명이 개선된 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing an organic light emitting display device having improved efficiency and lifespan.

본 발명은 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 기재층; 상기 기재층 상에 위치한 광-열변환층; 상기 기재층 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층 상에 위치하고, 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치한 전사층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판을 제공한다.The present invention, in order to solve the above technical problem, the base layer; A photo-thermal conversion layer on the base layer; A buffer layer disposed on the light-to-heat conversion layer over the entire substrate layer and composed of a mixture of metal and polymer; And a transfer layer on the buffer layer. It provides a donor substrate for laser transfer comprising a.

또한, 본 발명은 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 화소전극이 형성된 기판을 제공하는 단계; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층, 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 버퍼층 및 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 상기 전사층이 상기 기판에 대향하도록 서로 이격하여 배치하는 단계; 상기 레이저 전사용 도너기판의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention, in order to solve the above technical problem, providing a substrate on which a pixel electrode is formed; A donor substrate for laser transfer, which is prepared by sequentially laminating a substrate layer, a light-to-heat conversion layer, a buffer layer composed of a mixture of metal and polymer, and a transfer layer, which is an organic film, so that the transfer layer faces the substrate. Placing them apart from each other; Irradiating a laser onto a predetermined region of the laser transfer donor substrate to form an organic layer pattern on the pixel electrode; It provides a method for manufacturing an organic electroluminescent device comprising a.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above objects and technical configurations and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, in the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2 는 본 발명의 실시예의 의한 레이저 전사용 도너기판의 구조를 나타낸 도면이다.2 is a diagram showing the structure of a donor substrate for laser transfer according to an embodiment of the present invention.

도 2 를 참조하면, 도너기판(10)은 기재층(11), 상기 기재층(11) 상에 위치하는 광-열변환층(12), 상기 기재층(11) 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층(12) 상에 위치하고, 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 버퍼층(13), 상기 버퍼층(13) 상에 위치하는 전사층(14)이 적층되어 있는 구조를 가지고 있다. Referring to FIG. 2, a donor substrate 10 includes a base layer 11, a light-to-heat conversion layer 12 positioned on the base layer 11, and the light-heat across the entire base layer 11. Located on the conversion layer 12, a buffer layer 13 made of a mixture of a metal and a polymer and a transfer layer 14 positioned on the buffer layer 13 are stacked.

또한, 상기 광-열변환층(12)과 상기 버퍼층(13) 사이에 가스생성층(미도시)를 더욱 포함할 수 있다.In addition, a gas generation layer (not shown) may be further included between the light-to-heat conversion layer 12 and the buffer layer 13.

상기 기재층(11)은 상기 광-열 변환층(12)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(11)은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다. 상기 기재층(11)의 역할은 지지기판으로서의 역할을 수행하며 복합적인 다중계도 사용 가능하다.The base layer 11 should have transparency in order to transmit light to the light-to-heat conversion layer 12, and may be made of a material having suitable optical properties and sufficient mechanical stability. For example, it may be made of glass or at least one polymeric material selected from the group consisting of polyester, polyacrylic, polyepoxy, polyethylene and polystyrene. More preferably, the base layer 11 may be polyethylene terephthalate. The base layer 11 serves as a support substrate, and complex multiple systems may be used.

상기 광-열변환층(12)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광-열변환층(12)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다. The light-heat conversion layer 12 absorbs light in the infrared-visible light region and converts a portion of the light into heat. The light-heat conversion layer 12 should have a suitable optical density and is a light absorbing material for absorbing light. It is preferable to include. Here, the light-to-heat conversion layer 12 may be made of a metal film made of Al, Ag, oxides and sulfides thereof, or an organic film made of a polymer including carbon black, graphite, or an infrared dye. Here, the metal film may be formed by vacuum deposition, electron beam deposition, or sputtering, and the organic film is a conventional film coating method, and includes gravure, extrusion, spin, and knife coating. It can be formed by one of the methods.

상기 가스생성층(미도시)은 광 또는 열을 흡수하면 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스 등을 방출함으로서 전사에너지를 제공하는 역할을 수행하며, 사질산페타에리트리트(PETN), 트리니트로톨루엔(TNT)등으로 선택된 물질로 이루어진다.When the gas generating layer (not shown) absorbs light or heat, it generates a decomposition reaction and releases nitrogen gas or hydrogen gas, thereby providing transcriptional energy, and tetranitrate tetranitrate (PETN) and trinitrotoluene ( TNT) and the like.

상기 버퍼층(13)은 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 것을 특징으로 하며, 전사패턴 특성이 향상될 수 있도록 상기 전사층(14)과 접착력을 제어하는 역할을 할뿐만 아니라, 상기 전사층(14)으로 상기 전사층(14) 하부에 생성된 물질내의 유기 가스나 이물질이 확산되는 것을 방지하는 역할을 수행한다. 상기 혼합물질의 금속은 열전도성이 좋은 금속을 사용함으로써 상기 광-열변환층(12)에서 전사층으로 전달되는 열을 분사시켜 전사층의 열적인 손상을 막을 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(13)은 상기 광-열변환층(12)에서 발생하는 가스가 상기 전사층(14)으로 침투하는 것을 방지한다.The buffer layer 13 is formed of a mixture of a metal and a polymer, and serves to control the adhesion between the transfer layer 14 and the transfer layer 14 so that transfer pattern characteristics can be improved. As a result, the organic gas or the foreign substances in the material formed under the transfer layer 14 may be prevented from diffusing. The mixed metal may prevent thermal damage of the transfer layer by spraying heat transferred from the light-to-heat conversion layer 12 to the transfer layer by using a metal having good thermal conductivity. In addition, the buffer layer 13 prevents the gas generated in the light-heat conversion layer 12 from penetrating into the transfer layer 14.

상기 버퍼층(13)의 금속 혼합비율은 5~25%인 것을 특징으로 한다. 상기 금속의 혼합비율이 5% 이하일 경우 열전달 특성이 저하되는 문제점이 발생하며, 25% 이상일 경우 금속과 폴리머의 혼합특성의 재현이 불가능하다.The metal mixing ratio of the buffer layer 13 is characterized in that 5 to 25%. When the mixing ratio of the metal is 5% or less, a problem of deteriorating heat transfer occurs. When the mixing ratio of the metal is 25% or more, it is impossible to reproduce the mixing property of the metal and the polymer.

상기 금속으로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 하며, 상기 폴리머는 폴리에스테르(polyester), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 한다. 상기 버퍼층(13)의 두께는 200~300Å인 것이 바람직하다. 상기 버퍼층(13)의 두께가 200Å이하일 경우 금속과 폴리머의 혼합물을 코팅할 수 없으며, 300Å이상일 경우 열전달이 용이하지 않다는 문제점이 있다.The metal is one material selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) and nickel (Ni), and the polymer is polyester (polyester), polycarbonate (polycarbonate), polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate) is characterized in that one of the materials selected from the group consisting of. It is preferable that the thickness of the said buffer layer 13 is 200-300 GPa. When the thickness of the buffer layer 13 is 200 mW or less, a mixture of metal and polymer cannot be coated, and when the thickness of the buffer layer 13 is 300 mW or more, heat transfer is not easy.

상기 전사층(14)은 전계발광성 유기막, 전공주입성 유기막, 정공수송성 유기막, 정공억제 유기막, 전자 수송성 유기막 및 전자 주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어지거나 적층막으로 이루어질 수 있다.The transfer layer 14 may be formed of one selected from the group consisting of an electroluminescent organic film, a hole injection organic film, a hole transporting organic film, a hole suppressing organic film, an electron transporting organic film, and an electron injection organic film, or may be a laminated film. Can be done.

여기서, 전계발광성 유기막은 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광도펀트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPY(인광 유기물 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA)등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다.The electroluminescent organic film may be formed of low molecular weight materials such as Alq3 (host) / DCJTB (fluorescent dopant), Alq3 (host) / DCM (fluorescent dopant), and CBP (host) / PtOEP (phosphorescent organometallic complex), which are red light emitting materials. PFO-based polymers and PPV-based polymers can be used, and low-molecular materials such as Alq3, Alq3 (host) / C545t (dopant), CBP (host) / IrPPY (phosphorescent organic complex) and green light emitting materials Polymer materials such as polymers and PPV polymers can be used. In addition, low molecular weight materials such as DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzene (DSB), and Distriarylene (DSA), which are blue light emitting materials, and polymer materials such as PFO polymer and PPV polymer can be used. .

상기 정공 주입성 유기막은 유기전계발광소자의 유기발광층에 정공주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 역할을 한다. 상기 정공 주입성 유기막은 아릴 아민계 화합물 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.The hole injection organic layer facilitates hole injection into the organic light emitting layer of the organic light emitting diode and serves to increase the life of the device. The hole injection organic layer may be formed of an aryl amine compound, a starburst type amine, and the like. More specifically, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamino (m-MTDATA), 1,3,5-tris [4- (3-methylphenylphenylamino) phenyl] benzene ( m-MTDATB) and phthalocyanine copper (CuPc).

상기 정공 수송성 유기막은 정공을 쉽게 유기발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 캐소드 전극으로부터 발생한 전자를 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로써 발광효율을 높일 수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송성 유기막은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐디아민유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프릴)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.The hole transporting organic layer not only transports holes easily to the organic light emitting layer, but also serves to increase luminous efficiency by suppressing electrons generated from the cathode from moving to the light emitting region. The hole transporting organic film may be formed of an arylene diamine derivative, a starburst compound, a biphenyldiamine derivative having a spiro group, a ladder compound, and the like. More specifically N, N-diphenyl-N, N'-bis (4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) or 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB).

상기 정공억제 유기막은 유기발광층내에서 전자이동도보다 정공이동도가 크기 때문에 정공이 전자주입층으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기 상기 정공억제유기막은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The hole suppression organic layer has a role of preventing hole from moving to the electron injection layer because the hole mobility is greater than the electron mobility in the organic light emitting layer. Wherein the hole-inhibiting organic membrane is 2-biphenyl-4-yl-5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxydiazole (PBD), spiro-PBD and 3- (4'-tert -Butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ).

상기 전자수송성 유기막은 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며, 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.The electron transporting organic film is laminated on the organic light emitting layer and is made of a metal compound that can accept electrons well, and has 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3) having excellent properties for stably transporting electrons supplied from the cathode electrode. Can be done.

상기 전자주입성 유기막은 1,3,4-옥시디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.The electron injection organic layer may be formed of one or more materials selected from the group consisting of 1,3,4-oxydiazole derivatives, 1,2,4-triazole derivatives, and LiF.

또한 이와 같은 유기막은 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, CVD등의 방법에 의해 형성될 수 있다.In addition, such an organic film may be formed by a method such as extrusion, spin, knife coating, vacuum deposition, or CVD.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 2 실시예의 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 3a와 같이, 먼저 절연기판(301)이 제공되고 상기 절연기판(301) 상에 제 1 전극(302)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 전극(302)상에 위치하며 화소부를 정의하는 역할을 수행하는 화소정의막 패턴(303)을 구비한 기판(300)을 제공한다. 여기서 상기 기판(300)은 상기 절연기판(301)과 상기 제 1 전극(302)의 사이에 박막트랜지스터, 절연막 및 캐패시터를 포함할 수도 있다.As shown in FIG. 3A, an insulating substrate 301 is first provided, and a first electrode 302 is formed on the insulating substrate 301, and is positioned on the first electrode 302 to define a pixel portion. A substrate 300 having a pixel definition layer pattern 303 to be provided is provided. The substrate 300 may include a thin film transistor, an insulating film, and a capacitor between the insulating substrate 301 and the first electrode 302.

한편, 기재층(401)이 제공되고, 상기 기재층(401)상에 광-열변환층(402), 버퍼층(403) 및 전사층(404)을 순차적으로 적층하여 레이저 전사용 도너기판(400)을 제조한다. 또한 상기 광-열변환층(402)과 상기 버퍼층(403)사이에 가스생성층을 더욱 포함할 수 있다.On the other hand, the substrate layer 401 is provided, the laser transfer donor substrate 400 by sequentially laminating the light-heat conversion layer 402, the buffer layer 403 and the transfer layer 404 on the base layer 401 ). In addition, a gas generation layer may be further included between the light-to-heat conversion layer 402 and the buffer layer 403.

상기 버퍼층(403)은 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 것을 특징으로 하며, 전사패턴 특성이 향상될 수 있도록 상기 전사층(404)과 접착력을 제어하는 역 할을 할뿐만 아니라, 상기 전사층(404)으로 상기 전사층(404) 하부에 생성된 물질내의 유기 가스나 이물질이 확산되는 것을 방지하는 역할을 수행한다. 상기 혼합물질의 금속은 열전도성이 좋은 금속을 사용함으로써 상기 광-열변환층(402)에서 전사층으로 전달되는 열을 분사시켜 전사층의 열적인 손상을 막을 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(403)은 상기 광-열변환층(402)에서 발생하는 가스가 상기 전사층(404)으로 침투하는 것을 방지한다.The buffer layer 403 is composed of a mixture of a metal and a polymer, and not only plays a role of controlling the adhesive force with the transfer layer 404 to improve the transfer pattern characteristics, the transfer layer 404 ) Serves to prevent the diffusion of organic gas or foreign matter in the material formed under the transfer layer 404. The mixed metal may prevent thermal damage of the transfer layer by spraying heat transferred from the light-to-heat conversion layer 402 to the transfer layer by using a metal having good thermal conductivity. In addition, the buffer layer 403 prevents gas generated in the light-to-heat conversion layer 402 from penetrating into the transfer layer 404.

상기 버퍼층(403)의 금속 혼합비율은 5~25%인 것을 특징으로 한다. 상기 금속의 혼합비율이 5% 이하일 경우 열전달 특성이 저하되는 문제점이 발생하며, 25% 이상일 경우 금속과 폴리머의 혼합특성의 재현이 불가능하다.The metal mixing ratio of the buffer layer 403 is characterized in that 5 to 25%. When the mixing ratio of the metal is 5% or less, a problem of deteriorating heat transfer occurs. When the mixing ratio of the metal is 25% or more, it is impossible to reproduce the mixing property of the metal and the polymer.

상기 금속으로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 하며, 상기 폴리머는 폴리에스테르(polyester), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 한다. 상기 버퍼층(403)의 두께는 200~300Å인 것이 바람직하다. 상기 버퍼층(403)의 두께가 200Å이하일 경우 금속과 폴리머의 혼합물을 코팅할 수 없으며, 300Å이상일 경우 열전달이 용이하지 않다는 문제점이 있다.The metal is one material selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) and nickel (Ni), and the polymer is polyester (polyester), polycarbonate (polycarbonate), polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate) is characterized in that one of the materials selected from the group consisting of. The thickness of the buffer layer 403 is preferably 200 ~ 300 200. If the thickness of the buffer layer 403 is less than 200 mW, the mixture of the metal and the polymer cannot be coated, and if the thickness of the buffer layer 403 is more than 300 mW, heat transfer is not easy.

이어서, 상기 기판(300)의 화소영역과 상기 도너기판의 전사층(404)이 서로 마주보게 배치한 후 균일하게 접착(lamination)한다. 이때 상기 도너기판의 버퍼층(403)의 영향으로 상기 기판(300)의 굴곡진 부분에 도너기판이 균일하게 밀착될 수 있다.Subsequently, the pixel region of the substrate 300 and the transfer layer 404 of the donor substrate are disposed to face each other, and are then uniformly laminated. In this case, the donor substrate may be uniformly in close contact with the curved portion of the substrate 300 under the influence of the buffer layer 403 of the donor substrate.

이후에 도 3b에서와 같이 상기 기판(300)에 밀착되어 있는 상기 도너기판의 기재층(401)상부에 레이저를 조사하여 전사층(404)이 상기 기판(300)에 전사되어 유기막 패턴(404')을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3B, a laser is irradiated onto the substrate layer 401 of the donor substrate which is in close contact with the substrate 300, and the transfer layer 404 is transferred to the substrate 300 to form an organic layer pattern 404. Form ').

여기서 상기 유기막 패턴(404')은 적어도 유기발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층, 전자수송층을 하나 이상을 더 포함할 수 있다. The organic layer pattern 404 ′ may include at least an organic light emitting layer, and may further include one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

이어서, 도 3c에서와 같이, 상기 기판(300)전면에 걸쳐 상기 유기막 패턴(404')상부에 제 2 전극(405)을 형성한 후, 봉지하면 유기전계발광소자를 제작할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, the second electrode 405 is formed on the organic layer pattern 404 ′ over the entire surface of the substrate 300, and then encapsulated to manufacture the organic light emitting diode.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

이상과 같은 본 발명에서는 레이저 전사용 도너기판에서 광-열 변환층과 전사층 사이에 금속과 폴리머의 혼합물질인 버퍼층을 형성함으로써, 광-열 변환층에 흡수되는 에너지의 양을 크게하고 레이저 빔이 기판에 전달되지 않도록 함으로써 기판 손상을 방지하고 열에 의해 광-열 변환층에서 발생되는 가스가 전사층으로 침투하는 것을 방지하며, 전사층으로 전달되는 열이 잘 분산되도록 전사층의 열화를 막아준다.In the present invention as described above by forming a buffer layer of a mixture of a metal and a polymer between the light-heat conversion layer and the transfer layer in the laser transfer donor substrate, the amount of energy absorbed in the light-heat conversion layer is increased and the laser beam This prevents the substrate from being damaged and prevents damage to the substrate, prevents heat generated from the light-to-heat conversion layer from penetrating into the transfer layer, and prevents deterioration of the transfer layer so that heat transferred to the transfer layer is well dispersed. .

또한 유기전계발광소자의 화소영역의 화소정의막에 의한 단차부분에서 전사층과 기판의 밀착성을 높임으로써 에지 오픈 불량을 줄일 수 있다.In addition, edge open defects can be reduced by increasing the adhesion between the transfer layer and the substrate in the stepped portion of the organic light emitting device by the pixel defining layer in the pixel region.

또한 본 발명은 유기막 패턴이 균일하게 형성할 수 있어 깨끗한 화질을 갖는 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.In addition, according to the present invention, the organic film pattern may be uniformly formed, thereby manufacturing an organic light emitting display device having a clean image quality.

Claims (7)

기재층;Base layer; 상기 기재층 상에 위치한 광-열변환층;A photo-thermal conversion layer on the base layer; 상기 기재층 전면에 걸쳐 상기 광-열변환층 상에 위치하고, 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 버퍼층; 및A buffer layer disposed on the light-to-heat conversion layer over the entire substrate layer and composed of a mixture of metal and polymer; And 상기 버퍼층 상에 위치한 전사층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.A transfer layer on the buffer layer; Donor substrate for laser transfer comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층의 두께는 200~300Å인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.The donor substrate for laser transfer, characterized in that the thickness of the buffer layer is 200 ~ 300Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속과 폴리머의 혼합물질의 금속 혼합비율은 5~25%인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.A donor substrate for laser transfer, characterized in that the metal mixing ratio of the mixture of the metal and the polymer is 5 to 25%. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.The metal is a donor substrate for laser transfer, characterized in that the material of the one kind selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) and nickel (Ni). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리머는 폴리에스테르(polyester), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.The polymer is a donor substrate for laser transfer, characterized in that the material of the one kind selected from the group consisting of polyester (polyester), polycarbonate, polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광-열변환층과 상기 버퍼층 사이에 가스생성층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사용 도너기판.A donor substrate for laser transfer, further comprising a gas generation layer between the light-to-heat conversion layer and the buffer layer. 화소전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate on which a pixel electrode is formed; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층, 금속과 폴리머의 혼합물질로 구성된 버퍼층 및 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 상기 전사층이 상기 기판에 대향하도록 서로 이격되어 배치하는 단계;A donor substrate for laser transfer, which is prepared by sequentially laminating a substrate layer, a light-to-heat conversion layer, a buffer layer composed of a mixture of metal and polymer, and a transfer layer, which is an organic film, so that the transfer layer faces the substrate. Placing them spaced apart from each other; 상기 레이저 전사용 도너기판의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.Irradiating a laser onto a predetermined region of the laser transfer donor substrate to form an organic layer pattern on the pixel electrode; Method for manufacturing an organic light emitting device comprising a.
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