KR20070095362A - 노광 방법, 요철 패턴의 형성 방법, 및 광학 소자의 제조방법 - Google Patents

노광 방법, 요철 패턴의 형성 방법, 및 광학 소자의 제조방법 Download PDF

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KR20070095362A
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

서브마이크론 사이즈의 라인 폭을 갖는 노광 패턴은 노광 광원으로서 저렴하고 안정한 고체상태 레이저 또는 가스 레이저를 사용하고, g-라인 또는 i-라인용 포토레지스트를 이용하여 간단하게 형성된다. 레이저 빔의 빔 강도 및 주사 속도를 제어하면서, 기판 (W) 의 표면에 형성된 소정의 두께를 갖는 감광성 재료의 층의 소정의 부분에 레이저 빔을 가하여, 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 제어함으로써 노광이 수행된다.
레이저 빔, 감광성 재료, 노광, 레이저 광원, 스탬퍼

Description

노광 방법, 요철 패턴의 형성 방법, 및 광학 소자의 제조 방법{EXPOSURE METHOD, METHOD FOR FORMING PROJECTING AND RECESSED PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT}
기술분야
본 발명은 노광 방법, 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 요철 패턴을 갖는 반사방지 필름과 다른 부재와 같은 애플리케이션에 사용되는 요철 패턴을 갖는 광학 소자를 제조하는데 적절한 노광 방법, 노광 방법을 사용하여 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
배경기술
종래에는, 감광성 포토레지스트를 이용한 포토패브리케이션 (photofabrication) 이 다양한 분야에 적용되어 왔다. 예를 들어, 비교적 낮은 정밀도가 요구되는 기술 분야는 인쇄 기판에의 적용을 포함하고, 비교적 높은 정밀도가 요구되는 기술 분야는 LSI 와 같은 반조체에의 적용을 포함한다.
포토패브리케이션에 이용되는 광원 (빔 소스) 으로서, 수은 램프, 레이저 빔, 및 전자 빔과 같은 하전 입자 빔이 사용되어 왔다. 패터닝 방법으로서, 포토마스크와 같은 마스크 패턴을 이용하여 노광 패턴이 형성되는 마스크 노광 방법, 및 노광 패턴이 형성되도록 패턴 형상으로 빔이 주사되는 직접 드로잉 방법도 사용 되어 왔다.
패턴 방법 중에서, 레이저 빔을 사용하여 수행되는 직접 드로잉 방법은 패터닝에 있어 높은 자유도를 가지고, 적은 양으로 많은 종류를 제조하는 형태에 적절하다. 이러한 이유로, 직접 드로잉 방법은 반도체 회로 등을 형성하는 (노광 패턴을 형성하는) 포토마스크의 제조에 적용된다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 제 2004-144885호 참조).
일본 공개특허공보 제 2004-144885호의 제안은, 단위 패턴에 대한 노광 프로세싱이 반복되어 다수의 단위를 형성하고, 복수의 레이저 빔이 사용되고 각 빔에서 치수 변동을 야기하는 요소가 보정되는, 레이저 빔을 보정하는 방법에 관한 것이다.
최근에, 반도체 회로의 라인 폭을 반도체 회로의 설계 룰의 소형화에 따라 매우 가늘게 하는 것에 대한 강력한 요구가 있어 왔다. 이러한 요구에 대처하기 위해, 또한, 레이저 빔의 빔 폭을 매우 가늘게 하는 것에 대한 강력한 요구가 있어 왔다.
그러나, 레이저 빔의 빔 폭은 레이저 빔의 에어리 (Airy) 디스크에 대응하고, 따라서, 회절 한계 때문에 레이저 광원의 파장 길이에 동등한 레벨로만 수렴될 수 있다. 도 7 은 이러한 현상을 설명한 개념도이다.
2n 의 광속 직경을 갖는 레이저 빔은 렌즈 (2) 에 의해 집광되지만, 스팟 사이즈는 회절에 의해 1차 에어리 디스크 (3) 로 제한된다. 그러나, 포토레지스트 노광에 대한 스팟 사이즈는 2차 에어리 디스크 (4) 까지 확대된다. 따라서, 본 상황에서는, 라인 폭을 1 ㎛ 이하로 축소시키기 위한 요구조건은 보통의 레이저 광원 (반도체 레이저, CO2 가스 레이저, YAG 레이저 등) 을 이용하여 만족될 수 없다.
한편, 서브마이크론 패턴의 형성 시에, ArF 레이저, KrF 레이저와 같은 자외선 레이저 광원, 및 전자 빔과 같은 하전 입자 빔을 이용하여 드로잉이 수행된다. 그러나, 자외선 레이저 광원은 비싸고 그 안정성을 유지하기 위한 관리가 어려우며, 또한, 극도로 비싼 레지스트가 사용되어야 한다는 단점이 있다.
또한, 전자 빔 노광 디바이스는 진공 챔버, 전자 빔 건 (electron beam gun), 전자 빔 디플렉터 (electron beam deflector) 등에 대한 필요성이 디바이스를 복잡하고 비싸게 만들며, 또한, 드로잉 면적이 작고 드로잉 속도가 느리다는 단점을 가진다.
다른 방법으로는, 노광이 수행되도록, 초점 렌즈와 포토레지스트 사이에 특수 액체를 충전함으로써 빔의 확산을 억제하는 방법, 및 근접 장광을 이용하여 미세 구조를 형성하는 방법과 같은 특수 방법이 제안되어 왔다. 그러나, 이들 특수 방법은 단순하지 않고, 미세 구조를 단순하고 저렴하게 형성하는 것을 가능하게 하지 않는다.
본 발명은 상술한 환경의 관점에서 이루어진다. 본 발명의 목적은, 노광 광원으로서, 안정하고 저렴한 고체상태 레이저 (YAG 레이저 등) 및 가스 레이저 (Ar+ 레이저 등) 를 이용하고, 종래 사용된 g-라인 또는 i-라인용 포토레지스트를 이용하여 라인 폭이 서브마이크론 사이즈인 노광 패턴을 단순하게 형성하는 것을 가능하게 하는 노광 방법을 제공하고, 또한, 노광 방법, 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법을 이용하여 제공하는 것이다.
본 발명의 개시
본 발명에 따라서, 상술한 목적을 달성하기 위해, 레이저 빔의 빔 강도 및 빔 주사 속도를 제어하면서, 기판 표면에 형성된 소정의 두께를 갖는 감광성 재료의 반응 시간상수가 감광성 재료의 층에 레이저 빔을 조사함으로써 국부적으로 제어되게, 노광이 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레이저 빔의 빔 강도 및 빔 주사 속도를 제어하면서, 감광성 재료의 층에 레이저 빔을 조사함으로써 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 조절하기 위해 노광이 수행되며, 그 결과, 노광 빔의 에어리 디스크 보다 더 가는 라인 폭으로 드로잉을 수행하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 노광 광원으로서, 저렴하고 안정한 고체상태 레이저 (YAG 레이저 등) 및 가스 레이저 (Ar+ 레이저 등) 를 이용하고 종래 사용된 g-라인 또는 i-라인용 포토레지스트를 이용하여 서브마이크론 사이즈의 라인 폭을 갖는 노광 패턴을 용이하게 형성하는 것이 가능하다.
즉, 본 발명에 따르면, 포토레지스트와 같은 감광성 재료를 노출시에 통상 정상 상태에 있지 않고 과도적 반응 상태의 비선형 특성을 이용하여 서브마이크론 사이즈의 라인 폭을 갖는 노광 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 방법의 상세 한 원리는 후술한다. 또한, 본 발명에 따르면, 레이저 빔의 빔 강도 및 펄스 폭을 제어하면서, 기판의 표면에 형성된 소정의 두께를 갖는 포토레지스트 재료의 반응 시간상수가 감광성 재료의 층에 펄스 상태의 레이저 빔을 조사함으로써 국부적으로 제어되면서 노광이 수행되는 것을 특징으로 하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 레이저 빔의 빔 강도 및 펄스 폭을 제어하면서, 감광성 재료의 층에 펄스 상태의 레이저 빔을 조사함으로써 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 제어하기 위해 노광이 수행되며, 그 결과, 노광 빔의 에어리 디스크보다 더 작은 사이즈의 포스트 및/또는 홀의 드로잉을 수행하는 것이 가능하다. 이에 의해, 노광 광원으로서, 저렴하고 안정한 고체상태 레이저 (YAG 레이저 등) 및 가스 레이저 (Ar+ 레이저 등) 를 이용하고 종래부터 사용된 g-라인 또는 i-라인용 포토레지스트를 이용하여 서브마이크론 사이즈의 포스트 및/또는 홀, 또는 서브마이크론 사이즈의 라인폭을 갖는 노광 패턴을 단순하게 형성하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서, 상술한 레이저 빔은 시공간적으로 간섭광인 것이 바람직하다. 빔이 시공간적으로 간섭광인 경우, 본 발명에 따른 더 많은 장점이 획득될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 소정의 두께를 가진 감광성 재료의 층을 형성하는 단계; 감광성 재료의 층에 레이저 빔을 가하면서, 레이저 빔의 빔 강도 및 빔 주사 속도를 제어함으로써 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 제어하는 노광을 수행하는 단계; 노광 이후에 감광성 재료의 층에 현상 프로세 싱을 적용하여, 감광성 재료의 층에 복수의 미세 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 패턴을 형성하는 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 높은 정밀도를 갖는 요철 패턴이 저렴하고 안정적으로 제조될 수 있도록, 상술한 노광 방법이 요철 패턴을 형성하는데 적용된다.
본 발명에 있어서, 요철 패턴의 높이는 바람직하게는 0.1 내지 100㎛ 로 설정된다. 요철 패턴의 높이가 이러한 범위로 설정되는 경우, 반사방지 기능과 같은 요구되는 광학 특성이 바람직하게 이루어질 수 있고, 생산의 관점에서 장점도 획득될 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 기판은 원주상체 또는 원기둥체인 것이 바람직하다. 기판이 원주상체 또는 원기둥체인 경우, 이하 후술할 바와 같이, 요철 패턴을 갖는 기판이 요철 패턴을 갖는 광학 소자 등을 더 복제하는데 이용되는 경우에 롤 프로세싱이 채용될 수 있고, 그 결과, 생산성이 상당히 개선될 수 있고, 비용 감소 등의 관점에서 많은 장점도 획득될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 요철 패턴을 형성하기 위한 상술한 방법을 이용하여 광학 소자를 제조하는 방법이 제공되며, 기판의 표면 상에 형성된 복수의 요철 패턴을 이용하여 복수의 요철 패턴이 전사되는 스탬퍼를 제조하는 단계; 및 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면 상에, 복수의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 요철 패턴을 복제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 광학 소자는 이미 제조된 기판을 이용하여 더 복제될 수 있다. 즉, 스탬퍼가 제조되고, 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 복수의 미세한 요철 패턴이 수지 재료의 표면 상에 형성된다. 그 결과, 생산성이 상당히 개선될 수 있고, 비용 감소 등의 관점에서 많은 장점도 획득될 수 있다.
스탬퍼는 일반적으로 기판 (마더 (mother)) 의 표면 형상이 전사되는 평면체를 나타내지만, 여기서는 원주상체 또는 원기둥체와 같은 곡면을 갖는 것도 스탬퍼로서 사용될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 노광 방법에 따르면, 노광 빔의 에어리 디스크보다 더 가는 홀 및/또는 포스트, 또는 라인 폭으로 드로잉을 수행하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 요철 패턴을 형성하는 방법에 따르면, 높은 정밀도를 갖는 요철 패턴이 저렴하고 안정적으로 제조될 수 있도록, 상술한 노광 방법은 요철 패턴을 형성하는데 적용된다.
또한, 본 발명의 광학 소자를 제조하는 방법에 따르면, 스탬퍼가 제조되고, 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 복수의 미세한 요철 패턴이 수지 재료의 표면에 형성된다. 이에 의해, 생산성이 상당히 개선될 수 있고, 비용 감소 등의 관점에서 많은 장점도 획득될 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명에 따른 노광 방법, 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법에 사용되는 노광 디바이스의 구성을 도시한 도면이다.
도 2 는 집광된 레이저 빔에 의해 기판의 표면이 드로잉되는 모드를 도시한 개념도이다.
도 3 은 각 파장에서의 포토레지스트의 흡광도 특성를 나타낸 그래프이다.
도 4 는 포토레지스트의 에너지 다이어그램을 도시한 개념도이다.
도 5a 는 기판을 프로세싱하는 단계를 도시한 개략 단면도이다.
도 5b 는 기판을 프로세싱하는 단계를 도시한 개략 단면도이다.
도 5c 는 기판을 프로세싱하는 단계를 도시한 개략 단면도이다.
도 6a 는 스탬퍼를 제조하는 단계를 설명하는 개념도이다.
도 6b 는 스탬퍼를 제조하는 단계를 설명하는 개념도이다.
도 6c 는 스탬퍼를 제조하는 단계를 설명하는 개념도이다.
도 6d 는 스탬퍼를 제조하는 단계를 설명하는 개념도이다.
도 7 은 레이저 빔의 프로파일을 설명하는 개념도이다.
도 8a 는 스탬퍼를 제조하는 다른 단계를 설명하는 개념도이다.
도 8b 는 스탬퍼를 제조하는 또 다른 단계를 설명하는 개념도이다.
도 8c 는 스탬퍼를 제조하는 또 다른 단계를 설명하는 개념도이다.
도 8d 는 스탬퍼를 제조하는 또 다른 단계를 설명하는 개념도이다.
도 8e 는 스탬퍼를 제조하는 또 다른 단계를 설명하는 개념도이다.
부호의 설명
10: 노광 디바이스
12: 노광 광원
14: 기판 테이블
16: 레이저 광원
18: 콜리메이터 렌즈 (collimator lens)
20: 베이스
22: X축 이동 스테이지
24: Y축 이동 스테이지
30: 포토레지스트층
40: 도전층
42: 니켈층 (반전 마더 (reversed mother))
44: 니켈층 (Ni 마더)
46: 니켈층 (스탬퍼 (stamper))
W: 시료 (기판)
본 발명을 실시하기 위한 최상의 형태
다음으로, 본 발명에 따라서, 노광 방법, 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법의 바람직한 실시형태를 첨부도면을 참조하여 설명한다. 도 1 은 본 발명에 따른 노광 방법, 요철 패턴 형성방법, 및 광학 소자 제조방법에 사용되는 노광 디바이스의 아웃라인을 도시한다.
도 1 의 노광 디바이스 (10) 는 노광 광원 (12) 및 기판 테이블 (14) 을 포함하며, 노광 광원 (12) 은 레이저 광원 (16) 및 콜리메이터 렌즈 (18) 를 포함한다. 레이저 광원 (16) 으로부터 출사되는 소정 직경의 광속을 갖는 평행 광인 레이저 빔 L 은 콜리메이터 렌즈 (18) 에 의해 집광되고, 초점 거리에서 기판 (W) 의 표면에 조사되도록 조절될 수 있다.
기판 테이블 (14) 은 베이스 (20), X축 이동 스테이지 (22), Y축 이동 스테이지 (24) 등을 포함한다. X축 이동 스테이지 (22) 는 구동 디바이스 (미도시) 에 의해 도 1 에 도시된 바와 같이 X축 방향으로 상대 이동될 수 있다. 또한, Y축 이동 스테이지 (24) 는 구동 디바이스 (미도시) 에 의해 X축 이동 스테이지 (22) 에 대하여 도 1 에 도시된 바와 같이 Y축 방향으로 상대 이동될 수 있다.
Y축 이동 스테이지 (24) 의 상부 표면에, 기판 (W) 이 고정될 수 있도록 기판 (W) 을 흡착하기 위한 척 (예를 들어, 정적 척 (미도시)) 이 제공된다.
기판 (W) 의 표면 상에 형성된 감광성 재료 (포토레지스트) 는 상술한 바와 같이 구성된 노광 디바이스 (10) 에 의해 노광된다. 도 2 는 집광된 레이저 빔에 의해 기판 (W) 의 표면이 드로잉되는 모드를 도시한 개념도 (평면도) 이다. 도 2 에 있어서, 콜리메이터 렌즈 (18) 의 초점 위치에서 레이저 빔의 스팟 (P) 은 도면의 점선에 의해 도시된 바와 같이 X축 방향 및 Y축 방향으로 주사되고, 거의 기판 (W) 의 전체 표면이 노광되도록 X축 이동 스테이지 (22) 및 Y축 이동 스테이지 (24) 가 구동된다.
레이저 광원 (16) 으로서, Nd:YAG 레이저가 사용될 수 있다. 레이저 광원 (16) 의 제 2 고조파 (SHG) 의 파장은 532 nm이다. 레이저 광원 (16) 으로서, YAG 레이저 이외에 아르곤 레이저가 사용될 수 있다. 레이저 광원으로서의 빔 (16) 이 시공간적으로 간섭광인 한, 다른 종류의 레이저 광원이 사용될 수도 있다. 또한, 짧은 파장을 갖는 안정한 레이저 광원이 획득되는 경우, 그 레이저 광원은 바람직하게 사용된다.
레이저 광원 (16) 으로부터 출사된 노광 빔의 세로 모드의 수는 바람직하게는 3 이하이다. 이는 후술할 자발 천이 확률 (spontaneous transition probability) 이 세로 모드의 수에 따르기 때문이다. 이상적으로는, 노광 빔이 1의 세로 모드의 수를 가지는 (단일 세로 모드) 레이저 광이 바람직하게 이용된다.
기판 (W) 으로서, 판 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹 기판 등이 사용될 수 있다. 기판 (W) 의 표면 상에, 감광성 재료로서 포토레지스트 층이 형성된다. 포토레지스트로서, 다양한 종류의 알려진 재료가 사용될 수 있다. YAG 레이저 또는 아르곤 이온 레이저가 레이저 광원 (16) 으로서 사용되는 경우, 종래 사용된 g-라인 또는 i-라인용 포토레지스트가 바람직하게 사용될 수 있다.
이러한 포토레지스트로서, 예를 들어, Arch Corp.의 포토레지스트 (제품명: OIR-907) 가 사용될 수 있다. 기판 (W) 의 표면 상에 포토레지스트 층을 형성하는 방법으로서, 예를 들어, 스핀-코팅법, 염색 코팅법, 롤 코팅법, 딥 코팅법, 스크린 프린팅법 등을 포함하는 다양한 종류의 코팅법과 같은 다양한 종류의 알려진 방법이 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 노광 방법의 원리를 설명한다. 본 발명에 있어서, 빔 강도가 제어되고, 기판 테이블 (14) 의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 이동 속도 (주사 속도) 가 제어되면서, 레이저 빔이 레이저 광원 (16) 으로부터 포토레지스트의 층에 조사된다.
즉, 포토레지스트의 반응 시간상수를 국부적으로 조절하는 노광이 수행된다. 이는 노광 빔의 에어리 디스크보다 더 가는 라인 폭으로 드로잉을 수행하는 것을 가능하게 한다. 즉, 포토레지스트의 노광 시에, 서브마이크론 사이즈의 라인 폭을 갖는 노광 패턴은 통상의 정상 상태가 아니라 과도적 응답 상태에서의 비선형 특성을 이용하여 형성된다.
이러한 경우에, 상술한 포토레지스트와 레이저 광원 (16) 의 특성으로서 다음의 조합이 이용된다. 도 3 은 각 파장 (λ) 에 있어서 포토레지스트의 흡광도 (Abs.) 특성을 도시한 그래프이다.
도 3 에 있어서, 포토레지스트의 흡광도 (Abs.) 가 높은 파장 (예를 들어, λ1) 을 특징으로 하는 레이저 광원이 일반적으로 사용된다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 포토레지스트의 흡광도 (Abs.) 가 낮은 파장 (예를 들어, λ2) 을 특징으로 하는 레이저 광원이 사용된다.
즉, 포토레지스트의 흡광도 (Abs.) 가 높은, 도 3 의 화살표 R1 로 표시된 공명 영역에 포함된 파장을 특징으로 하는 레이저 광원이 사용되지 않고, 포토레지스트의 흡광도 (Abs.) 가 낮은, 화살표 R2 로 표시된 비공명 영역에 포함된 파장을 특징으로 하는 레이저 광원이 사용된다.
이러한 점에서 광범위한 조사 결과로서, 본 발명자는, 광반응의 여기 상태에서 감광성 재료 (포토레지스트 등) 의 흡수 단면적이 크고 여기 상태로부터의 유도 천이 확률 (induced transition probability) 이 크며 자발 천이 확률이 작은 조건 하에서, 감광성 재료 (포토레지스 등) 의 반응 시간상수 τ 가 포톤의 수, 즉, 감광성 재료에 입사하는 광의 강도 I 및 주파수에 크게 의존하는 τ(I) 의 형태인 것 을 발견하였다.
도 4 는 포토레지스트의 에너지 다이어그램을 도시한 개념도이다. 도 4 에 있어서, ΦA 는 자발 천이 확률이고, ΦB 는 유도 천이 확률, K 는 열 속도 상수 (thermal velocity constant), σ 는 흡수 (유도) 단면적 (absorption (induction) cross section) 이다.
도 4 에 도시된 에너지 다이어그램에 있어서, 각 레벨의 원자 수는 각각 N(1), N(2), 및 N(3) 으로 정의된다. 본 발명에 있어서, 레벨 3 의 에너지 레벨을 통해 에너지 이동이 야기되는 일반적인 반응 시스템이 고려된다. 본 발명에 있어서, 포토레지스트의 간섭 상호작용이 이용되는 것으로 인해, 열 모드 반응이 포톤 모드 반응과 비교하여 충분히 작은 것으로 간주되고, 충분한 시간이 경과한 후의 반응 대신에 노광 빔을 주사하는 때의 노광 현상이 이용되기 때문에, 포토레지스트의 과도적 응답 영역에서의 비율 방정식이 고려된다.
에너지 다이어그램에 있어서, 레벨 2 의 수명은 레벨 3 의 수명과 비교하여 충분히 짧고, 결과적으로, N(3) 의 시간 변화는 N(2) 의 시간 변화와 비교하여 매우 느리다. 레벨 3 로부터 에너지 전사된 포토레지스트의 반응 시간상수는 상술한 포톤 모드에서 반응 시간상수와 순서가 매우 상이한 것으로 판단되어, 오직 포톤 모드 반응만이 N(3) 의 시간 변화에 기여하는 것으로 고려된다.
이후, 본 발명자는, 본 발명에 따른 노광 방법에서, 상술한 파라미터 각각이 제어될 수 있어, 빔 강도 및 노광 빔의 조사 시간을 제어함으로써 감광성 재료의 반응률이 의도적으로 취급될 수 있다는 것을 발견하였다. 노광 빔의 조사 시간은 기판 (W) 의 주사 속도의 조절을 기초로 하여 제어된다.
이후, 도 4 에 도시된 포토레지스트의 에너지 다이어그램에 기초한 과도적 응답 시간에서의 비율 방정식을 푸는 것에 의해, 본 발명자는, 반응 시간상수 τ 가 수학식 (1) 로 표시되며, ω 는 광원의 주파수이고, I 는 조사광의 강도이며, ħ 는 Dirac 상수이다.
Figure 112007053368017-PCT00001
여기서, τ = τ(0) 의 수학식은 충분히 낮은 강도의 광이 감광성 재료 (포토레지스트 등) 에 입사하는 때부터 감광성 재료에서 광화학 반응이 시작하는 때까지의 시간 지연을 나타낸다.
또한, τ(I) 는 감광성 재료에 광이 떨어진 때부터 감광성 재료에서 광화학 반응이 시작하는 때까지의 시간 지연이 광 강도에 따른 비선형 상수인 것을 나타낸다. 감광성 재료 (포토레지스트 등) 의 반응 시간상수는 통상의 간섭광을 이용함으로써 노광 동안에 일정하다.
구체적인 방법으로서, 예를 들어, 노광 빔의 조사 시간의 조절 하에서, 입사광 강도 I 가 높은 영역에서 포토레지스트의 반응 시간상수 τ(I: 대) 를 작게 하여, 높은 비율로 반응이 진행하게 하고, 입사광 강도 I 가 낮은 영역에서 포토레지스트의 반응 시간상수 τ(I: 소) 를 크게 하여, 낮은 비율로 반응이 진행하도록 한 다. 이에 의해, 노광 빔의 광 강도 분포 이내의 강도가 낮은 영역에서 광화학 반응이 억제될 수 있으며, 그 결과, 노광 빔의 에어리 디스크 보다 더 가는 라인 폭으로 드로잉을 수행하는 것이 가능하다.
이는 저렴하고 단순한 디바이스를 이용함으로써 서브마이크론 사이즈의 라인 폭을 갖는 노광 패턴을 단순하게 형성하는 것을 가능하게 하며, 그 결과, 다양하고 미세한 요철 패턴이 형성될 수 있다.
노광 빔의 파장은 바람직하게는 포토레지스트의 최대 흡광 비율의 1/2 이하의 범위 이내에서 흡수 파장의 공명 중심으로부터 시프트된다. 이는, 노광 빔의 파장이 흡수 파장의 공명 중심에서 설정되는 경우에 수학식 (1) 에서 레벨 1 의 흡수 단면적 σ1 이 커지고, 수학식 (1) 에서 레벨 1 로부터 레벨 2 로의 유도 천이 확률 Φ1B 도 커지기 때문이다. 또한, 이는 수학식 (1) 에서 레벨 2 로부터 레벨 3 으로의 열 속도 상수 (열 자발 방출 확률) K1 이 커져서, 노광 빔 강도 I 에 대한 의존성이 감소되어 포토레지스트의 반응 시간상수 t 의 제어성이 낮아지기 때문이다.
그러나, 노광 시간이 극도로 짧게 될 수 있는 경우에, 펄스 노광의 경우에서와 같이, 이러한 파장을 시프팅하기 위한 요구조건은 필요하지 않다 (노광 빔의 파장은 흡수 파장의 공명 중심 영역에서 설정될 수도 있다).
다음으로, 도 1 에 도시된 노광 디바이스를 이용한 노광 프로세스, 후속하는 현상 프로세스에 의한 미세한 요철 패턴의 형성에 대해 설명한다. 도 5a 내지 도 5c 는 기판 (W) 을 프로세싱하는 단계를 도시한 개략 단면도이다.
도 5a 에 있어서, (스핀 코팅법과 같은 상술한 방법에 의해) 기판 (W) 의 표면에 포토레지스트가 도포되어 포토레지스트층 (30) 이 형성된다. 이후, 기판 (W) 은 클린 오븐 (미도시) 에 의해 사전-베이킹 처리된다.
이후, 도 5b 에 도시된 바와 같이, 노광 광원 (12) 으로부터 출사되고 콜리메이터 렌즈 (18) 에 의해 집광된 레이저 빔 (L) 이 기판 (W) 의 표면에 조사되고, 도 2 의 평면도에 도시된 바와 같이, 집광된 레이저 빔에 의해 기판 (W) 의 표면 상에 드로잉 (노광) 이 수행되도록 기판 테이블 (14) 의 기판 (W) 이 주사된다. 도 5b 에 있어서, 이미 노광된 포토레지스트의 부분은 참조부호 30A, 30A, …로 나타낸다.
노광 프로세스가 완료된 이후에, 현상액에 의한 현상 프로세스, 그 이후에 순수 (pure water) 에 의한 린싱 프로세스, 후속하여 클린 오븐 (미도시) 을 이용한 사후-베이킹 프로세스를 통해, 기판 (W) 의 표면 상에 도 5c 에 도시된 바와 같은 미세한 단면 형상을 갖는 요철 패턴이 형성된다.
이러한 단면 형상을 갖는 기판 (W) 은 다양한 종류의 광학 소자, 예를 들어, 회절 격자로서 사용될 수 있다. 또한, 이러한 기판 (W) 은, 요철 패턴이 규칙적으로 배열된 표면 상에, 양자 효과에 기초한 광학 가둠 현상 (optical confinement phenomenon) 으로 인한 반사방지 기능을 가진다.
또한, 동일한 단면 형상을 가진 다수의 복제품은 원판 (마더) 으로서 상술한 단면 형상을 갖는 기판 (W) 을 이용하여, 후술할 단계를 통해 제조될 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따라서, 요철 패턴을 형성하는 방법, 및 광학 소자를 제조하는 방법의 다른 실시형태를 설명한다. 본 실시형태는, 복수의 미세 요철 패턴이 기판 (W) 의 표면 상에 형성된 이후에, 동일한 요철 패턴이 복수의 미세 요철 패턴을 이용하여 더 복제된 후, 광학 소자가 제조되는 방법이다.
즉, 본 실시형태는, 미세 요철 패턴을 전사하기 위한 스탬퍼가 완성된 기판 (W; 마더) 의 표면 상에 형성된 복수의 미세 요철 패턴을 이용하여 제조되고, 전사될 미세 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 미세 요철 패턴이 제조된 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면 상에 형성되어, 복수의 광학 소자가 복제되는, 광학 소자를 제조하는 방법이다.
도 6a 내지 도 6e 는 스탬퍼 (46) 를 제조하는 단계를 설명한 개념도이다. 도 6a 에 있어서, 완성된 광학 소자인 기판 (W) 의 단면 형상이 도시된다.
먼저, 도 6b 에 도시된 바와 같이, 도전층 (40) 이 기판 (W) 의 전체 표면에 형성된다. 도전층 (40) 은 후속 단계에서 무전해 도금이 수행되는 경우에 접촉층의 역할을 한다. 따라서, 층 두께는 형상 전사 정밀도의 관점에서 소정의 저항이 획득될 수 있는 범위가 최소화되는 것이 바람직하다.
도전층 (40) 의 재료로서, 구리, 은 등이 사용될 수 있고, 도전층 (40) 의 층 두께로서, 예를 들어, 두께 0.1 ㎛ 이 채용될 수 있다. 도전층 (40) 을 형성하기 위한 방법으로서, 진공 증착법, 스퍼터링법, 무전해 도금법 등이 사용될 수 있다.
계속하여, 도 6c 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (42) 이 무전해 도금에 의해 기판 (W) 표면의 도전층 (40) 에 형성되는, 전기 주조가 수행된다. 니켈층 (42) 의 두께는 취급시 및 Ni 마더 (44) 의 전사를 수행하는 후속 단계에서 변형을 방지하기에 충분한 정도일 수도 있다. 여기에서 무전해 도금에 의해 형성된 니켈층 (42) 은 완성된 광학 소자로서 기판 (W) 의 표면에 형성된 패턴의 반전 형상을 가지며, 반전 마더의 역할을 한다. 반전 마더 (42) 는 기판 (W) 으로부터 박리된다.
계속하여, 도 6d 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (44) 이 무전해 도금에 의해 반전 마더 (42) 에 형성되는, 전기 주조가 수행된다. 니켈층 (44) 의 두께는 취급시 및 스탬퍼 (46) 의 전사를 수행하는 후속 단계에서 변형을 방지하기에 충분한 정도일 수도 있다. 여기에서 무전해 도금에 의해 형성된 니켈층 (44) 은 완성된 광학 소자로서 기판 (W) 에 형성된 패턴과 동일한 형상을 가지고, Ni 마더의 역할을 한다. 전기 주조의 완료 후에, Ni 마더 (44) 는 반전 마더 (42) 로부터 박리된다.
계속하여, 도 6e 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (46) 이 무전해 도금에 의해 Ni 마더 (44) 에 형성되는, 전기 주조가 수행된다. 니켈층 (46) 은 스탬퍼로서 사용된다. 니켈층 (46) 의 두께는 스탬퍼로서의 사용 조건을 견디기에 충분한 정도일 필요가 있다. 여기에서 무전해 도금에 의해 형성된 니켈층 (46) 은 완성된 광학 소자로서 기판 (W) 의 표면에 형성된 패턴의 반전 형상을 가진다.
도 6e 에 도시된 바와 같이, 본 단계에 있어서, 복수의 스탬퍼 (46) 는 하나의 Ni 마더 (44) 로부터 재제조될 수 있다. 따라서, 이는 광학 소자의 다수의 시트가, 예를 들어, 멀티스테이지 핫 프레스 프로세싱에 의해 동시에 제조되는 경우에 유리하다. 전기 주조의 완료 이후에, 니켈층 (스탬퍼; 46) 은 Ni 마더 (44) 로부터 박리된다.
수지 재료의 표면에 완성된 광학 소자 (마더) 의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 미세 요철 패턴이 스탬퍼 (46) 를 이용하여 성형함으로써 형성되기 때문에, 다양한 종류의 알려진 성형법은 광학 소자를 복제하는 제조 방법으로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 사출 성형법, 핫 프레스 성형법, UV 경화 수지에 대한 전사 성형법, EB 경화 수지에 대한 전사 성형법, 및 용액 캐스팅 건조 경화 성형법 등을 사용하는 것이 가능하다. 다양한 성형법에 있어서, 또한, 판형 스탬퍼를 이용한 방법뿐만 아니라, 롤모양 스탬퍼를 이용한 롤 형성법 (예를 들어, 용액 캐스팅 건조 경화 성형법) 을 적용하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른, 노광 방법, 요철 패턴 형성 방법, 및 광학 소자 제조 방법의 실시형태를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시형태에 제한되지 않고, 다양한 종류의 모드가 본 발명에 따른 실시형태로서 취해질 수 있다.
예를 들어, 본 발명에 따르면, 도 2 에서, X축 이동 스테이지 (22) 및 Y축 이동 스테이지 (24) 가 구동되어, 실질적으로 기판 (W) 의 전체 표면이 레이저 빔 스팟 (P) 에 의해 노광된다. 그러나, 기판 (W) 이 이동하지 않고 레이저 빔이 예를 들면 다면경 (polygon mirror) 에 의해 주사되어, 실질적으로 기판의 전체 표면이 노광되는 구성도 채용될 수 있다.
또한, 광학 소자의 제조 시에, 도 6e 에 도시된 바와 같이, 완성된 광학 소자로서 기판 (W) 의 표면에 형성된 패턴의 반전 형상이 스탬퍼 (46) 로서 사용된다. 그러나, 완성된 광학 소자로서 기판 (W) 의 표면에 형성된 패턴과 동일한 형상을 갖는 Ni 마더 (44) 도 스탬퍼로서 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 성형에 의해 형성된 수지 재료의 표면은 기판 (W) 의 표면에 형성된 패턴의 반전 형상을 가진다. 이는 이러한 수지 재료도 광학 소자로서 효율적으로 기능하는 경우도 있기 때문이다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서, 스탬퍼는 판형 부재로서 기술되지만, 롤 모양 부지도 스탬퍼로서 사용될 수도 있다. 이러한 경우에, 롤모양 스탬퍼를 제조하는 방법으로서, 시트모양 Ni 마더 (44) 가 원주상체 주위로 감겨서 반전 성형이 전기 주조에 의해 형성되는 구성, 및 시트모양 Ni 마더 (44) 가 원기둥 형상으로 변형되어 미세 요철 패턴의 표면이 내부주변측에 위치한 후 반전 성형이 전기 주조에 의해 형성되는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
또한, 예를 들어, 원주상체 또는 원기둥체가 기판 (W) 으로서 사용되고, 마더로서 사용되도록 복수의 미세 요철 패턴이 원주상체의 표면 또는 원기둥체의 내부주변 표면에 형성되어 전기 주조에 의해 롤모양 스탬퍼를 형성하는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
또한, 원주상체 또는 원기둥체가 기판 (W) 으로서 사용되고, 복수의 미세 요철 패턴이 원주상체의 표면 또는 원기둥체의 내부 주변 표면에 형성되며, 미세 요철 패턴의 표면이 소정의 경도를 갖도록 소정의 두께로 전기주조 프로세싱되어, 원 주상체 또는 원기둥체가 롤모양 스탬퍼로서 사용되는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
또한, 도 6a 내지 도 6e 에 도시된 요철 패턴의 단면 형상에서 오목 부분에 대한 볼록 부분의 비율은, 노광 조건을 제어함으로써, 도면들에 도시된 1 대 1 의 비율과 상이하게 할 수도 있다.
또한, 미세 요철 패턴을 전사하기 위한 스탬퍼를 제조하는 단계는 상술한 실시형태에 제한되지 않는다. 도 8a 내지 도 8e 는 스탬퍼를 제조하는 다른 단계를 설명하는 개념도이다. 도 8a 내지 도 8e 는 상술한 도 6a 내지 도 6e 에 대응한다.
도 8a 에는, 완성된 광학 소자인 기판 (W) 의 단면 형상이 도시된다. 본 실시형태에 있어서, 도 6a 의 기판 (W) 의 표면에 형성된 복수의 미세 요철 패턴 대신에, 도 5c 의 단면 형성과 동일한 형상인 포토레지스트 (30) 의 복수의 미세 요철 패턴이 사용된다.
즉, 본 실시형태는, 미세 요철 패턴을 전사하기 위한 스탬퍼가 기판의 표면에 형성된 포토레지스트 (30) 의 복수의 미세 요철 패턴을 이용하여 제조되고, 제조된 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써, 전사될 미세 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 미세 요철 패턴이 수지 재료의 표면상에 형성되어, 복수의 광학 소자가 복제되는, 광학 소자 제조 방법이다.
먼저, 도 8b 에 도시된 바와 같이, 도전층 (40) 은 기판 (W) 의 전체 표면에 형성된다. 본 단계는 도 6b 와 실질적으로 동일하다. 도전층 (40) 은 후속 단계에서 무전해 도금이 수행되는 경우에 접촉층의 역할을 한다.
계속하여, 도 8c 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (42) 이 무전해 도금에 의해 기판 (W) 표면의 도전층 (40) 에 형성되는 전기 주조가 수행된다. 본 단계는 도 6c 와 실질적으로 동일하다. 반전 마더 (42) 는 기판 (W) 으로부터 박리된다.
계속하여, 도 8d 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (44) 이 무전해 도금에 의해 반전 마더 (42) 에 형성되는 전기 주조가 수행된다. 본 단계는 도 6d 와 실질적으로 동일하다. 전기 주조의 완료 이후에, Ni 마더 (44) 가 반전 마더 (42) 로부터 박리된다.
계속하여, 도 8e 에 도시된 바와 같이, 니켈층 (46) 이 무전해 도금에 의해 Ni 마더 (44) 에 형성되는 전기 주조가 수행된다. 니켈층 (46) 은 스탬퍼로서 사용된다. 본 단계는 도 6e 와 실질적으로 동일하다.
도 8e 에 도시된 바와 같이, 본 단계에 있어서, 복수의 스탬퍼 (46) 는 하나의 Ni 마더 (44) 로부터 재제조될 수 있다. 스탬퍼 (46) 를 이용한 본 성형 단계는 도 6e 와 동일하다.
[실시예]
기판 (W) 은 도 1 에 도시된 노광 디바이스 (10) 를 이용하여 노광되고, 복수의 미세 요철 패턴이 기판 (W) 의 표면에 형성된다.
Nd:YAG 레이저 (SHG 파장 532 nm) 가 노광 광원 (12) 의 레이저 광원 (16) 으로서 사용된다. 노광 이전에, 레이저 광원 (16) 으로부터 출사되고 콜리메이 터 렌즈 (18) 에 의해 집광된 레이저 빔의 1차 에어리 디스크 (3; 도 7 참조) 의 직경 및 2차 에어리 디스크의 직경이 측정된다.
측정을 위해, 기판 (W) 의 표면에 포토레지스트가 도포 및 형성되며, 그 표면에 포토레지스트의 추천 조건에 따라 레이저 빔이 조사된다. 현상 이후에, 조사된 부분의 프로파일이 AFM 에 의해 측정된다. 또한, 조사를 위한 레이저 빔은 레이저 빔 프로파일러 (Gentec Corp.에 의해 제조, 제품명: Beam Map) 에 의해 직접 측정된다.
그 결과, 초점 위치에서의 1차 에어리 디스크 (3) 의 직경은 722 nm 이고, 2차 에어리 디스크의 직경은 1.2 ㎛이다.
기판 (W) 으로서, 두께가 5 mm인 소다석회 유리 (플로트 유리 (float glass)) 로 된 기판이 사용된다. 기판 (W) 이 세정 및 건조된 이후에, 건조 후 2 ㎛ 의 층두께를 갖도록 기판 (W) 의 표면에 포토레지스트 (g-라인 포지티브형 포토레지스트) 가 도포 및 형성된다. 포토레지스트로서, Arch Corp. 에 의해 제조된 제품 (제품명: OIR-907) 이 사용된다.
노광 디바이스 (10) 의 사용에 의한 노광 프로세싱 시에, 레이저 빔의 빔 강도 및 주사 속도 (실제로, 기판 (W) 의 이동 속도) 가 제어되면서 노광이 수행되어, 포토레지스트의 반응 시간상수가 국부적으로 제어되면서 노광이 수행될 수 있다. 상세하게는, 레이저 빔의 빔 강도는 I=535 μW 로 설정되고, X축 방향에서 기판 (W) 의 이동 속도는 V=500 ㎛/s 로 설정된다. 기판 (W) 의 Y축 방향에서 라인 주사 폭은 1 ㎛로 설정된다.
노광 이후에, 현상액에 의한 현상 프로세싱, 순수에 의한 린싱 프로세싱, 및 사후 베이킹 프로세싱이 수행된다. 이후, 형성된 패턴이 측정되고, 패턴이 약 700 nm 의 패턴 라인폭 및 (포토레지스트의 층 두께에 대응하는) 약 2 ㎛ 의 패턴 깊이를 가지는 것으로 확인된다.
다음으로, 비교예로서, 포토레지스트의 반응 시간상수를 국부적으로 제어하지 않고 노광이 수행된다. 상세하게는, 레이저 빔의 빔 강도가 I=45 μW 로 설정되고, X축 방향에서 기판 (W) 의 이동 속도는 V= 200㎛/s 로 설정된다. 기판 (W) 의 Y축 방향에서 라인 주사 폭은 1 ㎛로 설정된다.
노광 이후에, 현상액에 의한 현상 프로세싱, 순수에 의한 린싱 프로세싱, 및 사후 베이킹 프로세싱이 수행된다. 이후, 형성된 패턴이 측정되고, 패턴이 약 750 nm의 패턴 라인 폭 및 약 100 nm의 패턴 깊이를 갖는 것으로 확인된다.
또한, 다른 비교예로서, 포토레지스트의 반응 시간상수를 국부적으로 제어하지 않고 노광이 수행된다. 상세하게는, 레이저 빔의 빔 강도가 I=535μW 로 설정되고, X축 방향에서 기판 (W) 의 이동 속도는 V=100 ㎛/s 로 설정된다. 기판 (W) 의 Y축 방향에서 라인 주사 폭은 1 ㎛ 로 설정된다.
노광 이후에, 현상액에 의한 현상 프로세싱, 순수에 의한 린싱 프로세싱, 및 사후 베이킹 프로세싱이 수행된다. 이후, 형성된 패턴이 측정되고, 패턴이 형성되지 않게 전체 표면이 노광되는 것으로 확인된다.

Claims (16)

  1. 레이저 빔의 빔 강도 및 빔 주사 속도를 제어하면서, 기판의 표면에 소정의 두께로 형성된 감광성 재료의 층에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는, 요철 패턴을 갖는 소자를 제조하는데 적절한 노광 방법으로서,
    상기 레이저 빔을 가하여 상기 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 제어함으로써 노광을 수행하는, 노광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    원하는 노광 폭은 상기 레이저 빔의 에어리 디스크의 직경 보다 작은, 노광 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 시공간적으로 간섭광인, 노광 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 시공간적으로 간섭광인, 노광 방법.
  5. 레이저 빔의 빔 강도 및 펄스 폭을 제어하면서, 기판의 표면에 소정의 두께로 형성된 감광성 재료의 층에 펄스 상태의 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 요철 패턴을 갖는 소자를 제조하는데 적절한 노광 방법으로서,
    상기 펄스 상태의 레이저 빔을 가하여 상기 감광성 재료의 반응 시간상수를 국부적으로 제어함으로써 노광을 수행하는, 노광 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    원하는 노광 폭은 상기 레이저 빔의 에어리 디스크의 직경보다 작은, 노광 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 시공간적으로 간섭광인, 노광 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 시공간적으로 간섭광인, 노광 방법.
  9. 기판의 표면에 소정의 두께를 갖는 감광성 재료의 층을 형성하는 단계;
    상기 감광성 재료의 층에 레이저 빔을 가하면서, 상기 감광성 재료의 반응 시간상수가 상기 레이저 빔의 빔 강도 및 빔 주사 속도를 제어함으로써 국부적으로 제어되는 노광을 수행하는 단계;
    상기 노광을 수행하는 단계 이후에 상기 감광성 재료의 층의 현상을 수행하는 단계; 및
    상기 감광성 재료의 층에 복수의 미세 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 요철 패턴의 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 요철 패턴의 높이는 0.1 내지 100 ㎛ 로 설정되는, 요철 패턴의 형성 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 원주상체 또는 원기둥체인, 요철 패턴의 형성 방법.
  12. 제 9 항에 기재된 요철 패턴 형성 방법을 이용하여 광학 소자를 제조하는 방법으로서,
    기판의 표면에 형성된 복수의 요철 패턴을 이용하여 상기 복수의 요철 패턴의 표면 형상이 전사되는 스탬퍼를 제조하는 단계; 및
    상기 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면에, 상기 복수의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 요철 패턴을 복제하는 단계를 포함하는, 광학 소자의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판은 원주상체 또는 원기둥체인, 요철 패턴의 형성 방법.
  14. 제 10 항에 기재된 요철 패턴 형성 방법을 이용하여 광학 소자를 제조하는 방법으로서,
    기판의 표면에 형성된 복수의 요철 패턴을 이용하여 상기 복수의 요철 패턴의 표면 형상이 전사되는 스탬퍼를 제조하는 단계; 및
    상기 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면에, 상기 복수의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 요철 패턴을 복제하는 단계를 포함하는, 광학 소자의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 기재된 요철 패턴 형성 방법을 이용하여 광학 소자를 제조하는 방법으로서,
    기판의 표면에 형성된 복수의 요철 패턴을 이용하여 상기 복수의 요철 패턴의 표면 형상이 전사되는 스탬퍼를 제조하는 단계; 및
    상기 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면에, 상기 복수의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 요철 패턴을 복제하는 단계를 포함하는, 광학 소자의 제조 방법.
  16. 제 12 항에 기재된 요철 패턴 형성 방법을 이용하여 광학 소자를 제조하는 방법으로서,
    기판의 표면에 형성된 복수의 요철 패턴을 이용하여 상기 복수의 요철 패턴 의 표면 형상이 전사되는 스탬퍼를 제조하는 단계; 및
    상기 스탬퍼를 이용하여 성형함으로써 수지 재료의 표면에, 상기 복수의 요철 패턴과 형상이 실질적으로 동일한 복수의 요철 패턴을 복제하는 단계를 포함하는, 광학 소자의 제조 방법.
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