KR20070094308A - 박막 증착 방법 - Google Patents

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임홍주
박승균
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주식회사 아이피에스
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Abstract

박막 증착 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 (a) 반응실 내에 제1 소스를 유입하여 기판 상에 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계; (b) 반응실 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계; (c) 반응실 내에 제2 소스를 유입하여 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계; 및 (d) 반응실 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 태양에 따르면 (c) 단계 및 (d) 단계 동안에 지속적으로 반응실 내에 플라즈마를 인가한다. 본 발명의 다른 태양에 따르면, (c) 단계 및 (d) 단계뿐만 아니라 (b) 단계 동안에도 지속적으로 반응실 내에 플라즈마를 인가하고, (a) 단계를 진행하는 동안은 플라즈마를 차단한다. 본 발명의 또 다른 태양에 따르면, (c) 단계 및 (d) 단계뿐만 아니라 (a) 및 (b) 단계 동안에도 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가한다.

Description

박막 증착 방법 {Method of depositing thin film}
도 1은 본 발명에 따른 박막 증착 방법을 수행할 수 있는 박막 증착 장비의 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제1 실시예의 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제1 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 4는 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제2 실시예의 순서도이다.
도 5는 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제2 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 6은 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제3 실시예의 순서도이다.
도 7은 본 발명에 따른 박막 증착 방법 제3 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 8은 종래 기술 및 본 발명에 따른 증착 속도를 비교한 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
200...박막 증착 장비 210...챔버 211...샤워헤드
212...웨이퍼 블럭 212a...히터 220...소스 공급 장비
본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 원자층 증착 방법(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition : PEALD)을 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다.
반도체 소자에 있어서, 소자의 집적도가 증가함에 따라 접합(junction) 파괴 등의 문제로 인해 열에 의한 열화 가능성이 증가하고 있다. 그러므로 소자를 제작하는 데 있어 공정 저온화에 대한 요구가 점차 대두되고 있다.
일반적으로 원자층 증착 방법(ALD)은 단차 피복성이 높은 박막 증착 방법으로 잘 알려져 있다. 그리고 ALD는 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapour Deposition : CVD)에 비하여 저온 공정이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 그러나 ALD 공정은 반응원들간의 공급과 퍼지(purge)를 반복하는 싸이클(cycle)을 기준으로 하고 이 싸이클이 진행되는 동안 반응원의 흡착 등의 공정을 통해 한 원자층씩 형성하게 된다. 이러한 싸이클 공정을 반복함에 따라 박막을 형성하기 때문에 일반적으로 CVD에 비해 낮은 증착 속도로 인한 낮은 생산성이 문제가 되고 있다. 특히 저온에서는 더욱 낮은 증착 속도를 보이고 있다.
TiN 박막은 반도체 소자에서 확산방지막(barrier metal layer)과 전극의 재료로 널리 사용되고 있다. 이러한 TiN 박막의 형성 방법은 스퍼터링 방법으로 Ti막을 먼저 형성한 다음 그 표면을 질화시켜 TiN막으로 만드는 방법, NH3 또는 N2를 이용한 반응성(reactive) 스퍼터링 방법, 금속 유기 화학 기상 증착 방법(Metal Organic Chemical Vapour Deposition : MOCVD)과 같은 CVD로 TiN막을 직접 형성하는 방법 그리고 ALD에 의한 방법 등이 있다. CVD 또는 ALD 방법에 의해 TiN 박막을 형성하고자 하는 경우 반응 기체로 TiCl4와 NH3를 사용하고 있으며, 이 때 CVD 공정은 주로 550℃~700℃에서 진행하고 있으며, ALD 방법의 경우 보통 450℃ ~ 700℃에서 공정을 진행하고 있다. 그러나 CVD 방법은 특성에 있어 특히 저온에서 진행할 경우 ALD 방법에 비해 박막이 형성 되지 않는 등 많은 문제점을 가지고 있다. 또한 종래의 ALD에 의한 기술에 따른 TiN막 형성 방법에 있어서는 낮은 성장 속도의 문제점이 있다. 특히 ALD 장비를 사용하여 TiCl4를 소스 가스로 하여 TiN막을 형성하는 경우, 박막 성장률이 0.2Å/cycle에서 0.4Å/cycle 사이이다. 이러한 박막 성장률은 기존의 CVD에 의한 박막 성장률 약 7~10Å/sec와는 비교도 될 수 없을 정도로 낮다. 특히 공정 온도를 450℃ 이하로 저온화하는 경우에는 증착 속도가 더욱 낮아진다. 이러한 낮은 박막 성장률을 가진 종래 기술에 따른 ALD TiN막 형성 방법을 실제 반도체 소자 제조 공정에 적용하기는 어렵다. 따라서 높은 증착 속도, 특히 저온에서도 높은 박막 성장률을 유지하는 ALD에 의한 박막 증착 방법이 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저온에서도 높은 박막 성장률을 유지하는 ALD에 의한 박막 증착 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 (a) 반응실 내에 제1 소스를 유입하여 기판 상에 상기 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계; (b) 상기 반응실 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계; (c) 상기 반응실 내에 제2 소스를 유입하여 상기 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계; 및 (d) 상기 반응실 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 일 태양에 따르면 상기 (c) 단계 및 (d) 단계 동안에 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가한다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 (c) 단계 및 (d) 단계뿐만 아니라 상기 (b) 단계 동안에도 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가하고, 상기 (a) 단계를 진행하는 동안은 플라즈마를 차단한다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 상기 (c) 단계 및 (d) 단계뿐만 아니라 상기 (a) 및 (b) 단계 동안에도 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가한다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 소스는 Ti 소스이고 상기 제2 소스는 N 소스일 수 있다. 상기 제1 소스 및 제2 소스 중 어느 하나는 TiCl4이고 다른 하나는 NH3일 수 있다. 상기 기판은 200℃ 이상 450℃ 이하로 가열시킬 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 박막 증착 방법에 이용하는 플라즈마는 다이렉트 (direct) 플라즈마 혹은 리모트(remote) 플라즈마일 수 있다. 다이렉트 플라즈마는 상기 반응실 내에 플라즈마를 직접 발생시키는 것이며, 리모트 플라즈마는 상기 반응실 외부에서 플라즈마를 발생시켜 상기 반응실 내로 유입시키는 것이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 하고자 한다. 다음에 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 본 발명의 실시예를 설명하는 도면에 있어서, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
실시예 1
본 발명에 따른 박막 증착 방법을 수행하는 데에 이용되는 장비는 기존에 널리 사용되고 있는 ALD 시스템과 유사하며, 단지 반응실 내에서 혹은 반응실에 도달하기 전 특정 공간에서 임의의 가스(불활성 가스, 반응 가스 및/또는 전구체와 같은 소스 가스)가 플라즈마화되도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 대한 장비의 구조는 도 1에 도시되어 있으며, 플라즈마를 발생시키는 장치는 도시 생략되어 있다.
도 1의 박막 증착 장비(200)는 반응실(210) 내의 웨이퍼 블럭(212) 상에 안착된 실리콘 웨이퍼와 같은 기판(w) 상에 TiN막과 같은 박막을 증착하기 위한 것이다.
여기서, 박막 증착 장비(200)는, 박막 증착이 진행되는 반응실(210)과, 반응 실(210)로 2 종류 이상의 소스(반응 가스, 전구체) 및 불활성 가스(퍼지 가스)를 공급하는 소스 공급 장비(220)를 포함한다.
반응실(210)은, 그 내부 상부에 설치되어 소스 및 불활성 가스가 분사되는 샤워헤드(211)와, 샤워헤드(211) 하부에 설치되며 실리콘 기판과 같은 반도체 소자 제조용 기판(w)이 안착되는 웨이퍼 블럭(212)을 포함한다.
소스 공급 장비(220)는, 2 종류 이상의 소스 및 불활성 가스를 반응실(210)로 공급할 뿐만 아니라, ALD에 있어서 필수적인 밸빙(valving)을 가능하게 해준다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법 진행시, 예컨대 제1 소스(전구체)로는 Ti 소스(예컨대 TiCl4)를, 제2 소스(반응 가스)로는 N 소스(예컨대 NH3)를 이용하며, 기판(w) 상에 TiN 박막을 증착하게 된다.
샤워헤드(211)는, 피딩되는 소스들이 상호 만나지 않도록 여러 개의 영역으로 분리되어 있다. 각각의 영역은 샤워헤드(211) 내부에서 상호 만나지 않는 유로 및 하단의 분사홀과 연결되어 있다. 따라서, 샤워헤드(211) 내부의 유로를 경유하는 소스 및 불활성 가스는 샤워헤드(211)를 경유하는 도중에 샤워헤드(211) 내부에서 만나지 않게 된다.
웨이퍼 블럭(212)의 내부에는 히터(212a)가 내장되어 있으며, 히터(212a)는 안착되어 있는 기판(w)을 적정한 온도로 가열시킬 수 있다. 본 발명의 경우에는 200℃ ~ 450℃ 범위에서 가열시켜도 충분하다. 증착 공정이 진행되는 동안 반응실(210)의 온도는 200℃ ~ 450℃ 범위로 유지되고, 반응실(210)의 압력은 0.001 Torr ~ 100 Torr 범위로 유지된다.
도 2는 본 발명에 따라 도 1에 도시한 것과 같은 장비를 가지고 박막을 증착하는 실시예를 보이는 순서도이다. 도 3은 이 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 형성 방법의 제1 실시예를 각 단계별로 설명하면 다음과 같다.
먼저 도 2의 단계 s1에서와 같이 기판(도 1의 w)을 반응실(210) 내로 인입한다. 그런 다음, 기판(w)의 온도가 증착 온도까지 충분히 올라갈 수 있도록 불활성 가스를 흘려주며 온도를 올린다. 예컨대, 반응실(210) 내의 압력을 0.001 Torr ~ 100 Torr로 유지한 상태에서 기판을 반응실(210) 내로 인입하고 웨이퍼 블록(212)을 이용하여 기판의 온도를 200℃ ~ 450℃로 올린다. 예를 들어, 250℃의 온도로 가열하여도 충분하다.
그 다음 단계로, 반응실(210) 내에 제1 소스를 유입하여 기판(w) 상에 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계(s2), 반응실(210) 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s3), 반응실(210) 내에 제2 소스를 유입하여 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계(s4), 반응실(210) 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s5)를 거치게 된다. 여기서, 단계 s2, s3, s4 및 s5 동안에 지속적으로 반응실(210) 내에 플라즈마를 인가하는 것이 특징이다. 그리고, 원하는 두께의 박막이 증착되었는지를 확인하여(단계 s6), 원하는 두께의 박막이 증착될 때까지 단계 s2 내지 s5로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복한다.
제1 소스는 Ti 소스이고 제2 소스는 N 소스일 수 있다. 이때, 제1 소스는 TiCl4이고 제2 소스는 NH3임이 바람직하다. 그러면 TiN 박막을 형성할 수 있게 되는데, 본 발명에 따른 특유한 구성에 따라 ALD 전 구간에 걸쳐 플라즈마를 발생시키면 증착 속도가 매우 빨라지게 된다. 따라서, 기존의 TiN 박막 증착 공정이 450℃ 이상의 고온에서 이루어져야 하는 것에 비하여, 공정 온도를 200℃ 이상 450℃ 이하의 온도로 낮추어도 충분한 증착 속도를 얻을 수 있게 된다. 그러므로, 본 발명에 의하면 종래보다 저온의 온도에서도 빠른 증착 속도로 TiN막을 형성할 수 있다.
단계 s3와 단계 s5의 퍼지 가스로는 Ar과 같은 불활성가스를 사용할 수 있다. 단계 s3와 단계 s5의 퍼지 가스는 서로 다른 종류의 가스를 사용할 수 있다.
여기서 인가하는 플라즈마는 다이렉트(direct) 플라즈마 혹은 리모트(remote) 플라즈마일 수 있다. 다이렉트 플라즈마는 반응실(210) 내에 플라즈마를 직접 발생시키는 것이며, 리모트 플라즈마는 반응실(210) 외부에서 플라즈마를 발생시켜 반응실(210) 내로 유입시키는 것이다. 그리고, 플라즈마의 발생 주파수는 마이크로파(microwave), 300~500KHz의 저주파(LF), 또는 13.56MHz ~ 21.12MHz의 고주파(HF)와 같이 다양할 수 있다. 이러한 플라즈마의 발생 파워는 10 ~ 1000 W일 수 있다.
본 발명에서는 PEALD 싸이클을 이루는 단계의 전 구간 동안에 플라즈마를 인가한다. 플라즈마에 의해 제1 소스 및 제2 소스의 활성화가 이루어지고 퍼지 단계 동안에도 플라즈마에 의한 효과가 발현되므로 본 발명에 의하면 증착 속도가 매우 증가하게 된다.
실시예 2
도 4는 본 발명에 따라 도 1에 도시한 것과 같은 장비를 가지고 박막을 증착하는 다른 실시예를 보이는 순서도이다. 도 5는 이 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 형성 방법의 제2 실시예를 각 단계별로 설명하면 다음과 같다.
먼저 도 4의 단계 s11에서와 같이 기판(도 1의 w)을 반응실(210) 내로 인입한다. 그런 다음, 기판(w)의 온도가 증착 온도까지 충분히 올라갈 수 있도록 불활성 가스를 흘려주며 온도를 올린다. 예컨대, 반응실(210) 내의 압력을 0.001 Torr ~ 100 Torr로 유지한 상태에서 기판을 반응실(210) 내로 인입하고 웨이퍼 블록(212)을 이용하여 기판의 온도를 200℃ ~ 450℃로 올린다.
그 다음 단계로, 반응실(210) 내에 제1 소스를 유입하여 기판(w) 상에 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계(s12), 반응실(210) 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s13), 반응실(210) 내에 제2 소스를 유입하여 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계(s14), 반응실(210) 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s15)를 거치게 된다. 여기서, 단계 s13, s14 및 s15 동안에 지속적으로 반응실(210) 내에 플라즈마를 인가하고, 단계 s12를 진행하는 동안은 플라즈마를 차단하는 것이 특징이다. 그리고, 원하는 두께의 박막이 증착되었 는지를 확인하여(단계 s16), 원하는 두께의 박막이 증착될 때까지 단계 s12 내지 s15로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복한다. 나머지 사항은 앞의 제1 실시예의 것을 그대로 원용할 수 있다.
본 실시예에서는 앞의 제1 실시예에서와 다르게 제1 소스를 공급하는 동안은 플라즈마를 차단한다. 따라서, 제1 소스의 증착 등으로 인한 파티클의 발생 등의 문제는 없다. 그러나, PEALD 싸이클을 이루는 나머지 단계의 전 구간 동안에 플라즈마를 인가한다. 플라즈마에 의해 제2 소스의 활성화가 이루어지고 퍼지 단계 동안에도 플라즈마에 의한 효과가 발현되므로 증착 속도가 증가하게 된다.
실시예 3
도 6은 본 발명에 따라 도 1에 도시한 것과 같은 장비를 가지고 박막을 증착하는 또 다른 실시예를 보이는 순서도이다. 도 7은 이 실시예에서의 시간에 따른 공정 흐름을 보여주는 그림이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 형성 방법의 제3 실시예를 각 단계별로 설명하면 다음과 같다.
먼저 도 6의 단계 s21에서와 같이 기판(도 1의 w)을 반응실(210) 내로 인입한다. 그런 다음, 기판(w)의 온도가 증착 온도까지 충분히 올라갈 수 있도록 불활성 가스를 흘려주며 온도를 올린다. 예컨대, 반응실(210) 내의 압력을 0.001 Torr ~ 100 Torr로 유지한 상태에서 기판을 반응실(210) 내로 인입하고 웨이퍼 블록(212)을 이용하여 기판의 온도를 200℃ ~ 450℃로 올린다.
그 다음 단계로, 반응실(210) 내에 제1 소스를 유입하여 기판(w) 상에 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계(s22), 반응실(210) 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s23), 반응실(210) 내에 제2 소스를 유입하여 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계(s24), 반응실(210) 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계(s25)를 거치게 된다. 여기서, 단계 s24 및 s25 동안에 지속적으로 반응실(210) 내에 플라즈마를 인가하고, 단계 s22 및 단계 s23 동안에는 플라즈마를 차단한다. 그리고, 원하는 두께의 박막이 증착되었는지를 확인하여(단계 s26), 원하는 두께의 박막이 증착될 때까지 단계 s22 내지 s25로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복한다. 나머지 사항은 앞의 제1 실시예의 것을 그대로 원용할 수 있다.
본 실시예에서는 앞의 제1 및 제2 실시예에서와 다르게 제2 소스를 공급하는 단계(s24)와 그 후의 퍼지 단계(s25) 동안에만 플라즈마를 인가하고, 나머지 단계(s22, s23)에서는 플라즈마를 차단한다. 따라서, 제1 소스 공급 단계(s22) 동안에는 플라즈마를 차단하므로 제1 소스의 증착 등으로 인한 파티클의 발생 등의 문제는 없다. 그러나, 단계 s24 및 단계 s25 동안, 플라즈마에 의해 제2 소스의 활성화가 이루어지고 플라즈마에 의한 효과가 발현되므로 증착 속도가 증가하게 된다.
실험예
일반적인 PEALD에 의하여 TiN막을 증착하는 경우와, 본 발명의 제1 실시예에서와 같은 방법으로 TiN막을 증착하는 경우의 증착 속도를 비교하였다. 공정 온도는 350℃로 하였다.
먼저 일반적인 PEALD에 의한 TiN막의 증착은, TiCl4 소스 유입 단계, 퍼지 단계, NH3 소스 유입 단계 및 퍼지 단계로 이루어지는 싸이클을 반복하여 이루어졌다. 이 때, NH3 소스를 공급하는 동안만 플라즈마를 인가하였다.
다음, 본 발명의 제1 실시예에서와 같은 TiN막의 증착은, TiCl4 소스 유입 단계, 퍼지 단계, NH3 소스 유입 단계 및 퍼지 단계로 이루어지는 싸이클을 반복하여 이루어졌다. 이 때, ALD 공정의 전 구간 동안에 플라즈마를 인가하였다.
소정 싸이클 반복 후 얻어진 박막의 두께를 싸이클 수로 나누어 증착 속도를 얻었으며, 도 8은 그 결과를 보이는 그래프이다.
도 8을 참조하면, 일반적인 PEALD에 의하여 TiN막을 증착하는 경우의 증착 속도는 약 0.4Å/cycle이고, 본 발명의 제1 실시예에서와 같은 방법으로 TiN막을 증착하는 경우의 증착 속도는 약 0.85Å/cycle이다. 이와 같이, 본 발명에서 제안하는 방법에 따라 증착하는 경우, 2배 이상의 증착 속도를 얻을 수 있다. 특히, 350℃ 공정 온도에서 이러한 증착 속도는 종래에 비하여 상당히 개선된 효과임을 알 수 있다.
이상, 본 발명의 상세한 설명을 하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않은 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다. 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명에 따르면, 기본적으로 플라즈마를 이용한 원자층 증착 방법(PEALD)을 이용해 박막을 증착하는데, PEALD 싸이클을 이루는 단계의 전 구간, 또는 제1 소스를 공급하는 구간의 제외한 전 구간, 또는 제2 소스 공급과 그 후의 퍼지 단계 동안에 걸쳐 플라즈마를 발생시킴으로써, 박막의 증착 속도를 향상시킬 수 있다. 특히 일반적으로 450℃ 이하의 저온에서 증착하면 증착 속도가 느리고 박막 특성도 불량해지는 TiN막을 450℃ 이하의 저온에서도 빠른 속도로 증착할 수 있는 효과가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 박막 형성 방법은 기존의 ALD의 가장 큰 문제점인 낮은 박막 성장률을 해결함에 의해, 단위 시간 내 작업 처리량(throughput)이 획기적으로 향상되는 효과가 있다. 따라서, 높은 박막 성장률을 가지면서도, ALD가 특유하게 가지는 장점들 즉, 월등한 단차 피복성, 표면 피복성(surface coverage), 치밀한 막질 상태가 함께 얻어질 수 있으므로, 제조된 반도체 소자의 신뢰성이 개선되고 제조 원가를 낮출 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. (a) 반응실 내에 제1 소스를 유입하여 기판 상에 상기 제1 소스의 흡착층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 반응실 내에 잔류하는 제1 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계;
    (c) 상기 반응실 내에 제2 소스를 유입하여 상기 제1 소스의 흡착층과 반응시키는 단계; 및
    (d) 상기 반응실 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서,
    상기 (c) 단계 및 (d) 단계 동안에 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 동안에도 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가하고, 상기 (a) 단계를 진행하는 동안은 플라즈마를 차단하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계 동안에도 지속적으로 상기 반응실 내에 플라즈마를 인가하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 소스는 Ti 소스이 고 상기 제2 소스는 N 소스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 소스 및 제2 소스 중 어느 하나는 TiCl4이고 다른 하나는 NH3인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판은 200℃ 이상 450℃ 이하로 가열시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 반응실 내에 직접 발생시킨 다이렉트(direct) 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 반응실 외부에서 발생시켜 상기 반응실 내로 유입시키는 리모트(remote) 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
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