KR20070082333A - Electron emission display device - Google Patents

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KR20070082333A
KR20070082333A KR1020060015029A KR20060015029A KR20070082333A KR 20070082333 A KR20070082333 A KR 20070082333A KR 1020060015029 A KR1020060015029 A KR 1020060015029A KR 20060015029 A KR20060015029 A KR 20060015029A KR 20070082333 A KR20070082333 A KR 20070082333A
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Abstract

An electron emission display device is provided to improve light emitting uniformity between pixels and to improve color reproduction and color purity by minimizing a thickness difference of an anode electrode. A first and second substrates(2,4) are disposed opposite to each other. A plurality of electron emission units are arranged on the first substrate in order to form an array. A plurality of phosphor layers(18) are formed on one side of the second substrate. An anode electrode(22) is positioned on one surface of each of the phosphor layers. The anode electrode satisfies the following condition Tmax-Tmin/2Tave 0.05 where Tmax is a maximum thickness of the anode electrode, Tmin is a minimum thickness of the anode electrode, and Tave is an average thickness.

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}Electron Emission Display Device {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 애노드 전극의 두께 균일도 변화에 따른 화소간 발광 균일도 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a graph illustrating a change in uniformity of light emission between pixels according to a change in thickness uniformity of an anode electrode.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 애노드 전극의 두께 편차를 최소화하여 화소간 발광 균일도를 높일 수 있는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device, and more particularly, to an electron emission display device capable of increasing light emission uniformity between pixels by minimizing thickness variation of an anode electrode.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, an electron emission element may be classified into a method using a hot cathode and a method using a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using the cold cathode is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, a metal-insulation layer-metal Metal (MIM) type and Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) type are known.

전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.The electron emission devices are arranged in an array on the first substrate to form an electron emission device, and the electron emission device is combined with a second substrate having a light emitting unit composed of a fluorescent layer and an anode electrode to emit electrons. A display device (electron emission display device) is constituted.

전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 복수의 구동 전극들을 구비하여 화소 단위로 제2 기판을 향해 의도한 양의 전자들을 방출시키고, 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.The electron emission device has an electron emission portion and a plurality of driving electrodes to emit an intended amount of electrons toward the second substrate in units of pixels, and the electron emission display device excites a fluorescent layer with electrons emitted from the electron emission portion. To emit light or display.

상기한 전자 방출 표시 디바이스에서 알루미늄(Al)과 같은 금속막이 애노드 전극으로 사용될 수 있다. 이 금속의 애노드 전극은 형광층과 흑색층을 덮도록 형성되며, 형광층에서 방사된 가시광 중 제1 기판을 향해 방사된 가시광을 제2 기판 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.In the electron emission display device, a metal film such as aluminum (Al) may be used as the anode electrode. The anode of the metal is formed to cover the fluorescent layer and the black layer, and the visible light emitted from the fluorescent layer toward the first substrate is reflected to the second substrate to increase the brightness of the screen.

이러한 금속의 애노드 전극은 ①형광층 위에 소성시 기화되는 고분자 물질로 중간막을 형성하고, ②중간막 위에 금속, 일례로 알루미늄을 증착하고, ③소성을 통해 중간막을 제거하는 단계들을 통해 완성된다. 중간막은 애노드 전극이 형광층의 표면 거칠기에 영향을 받지 않도록 하여 애노드 전극을 평탄하게 만드는 역할을 한다.The anode of this metal is completed by forming an intermediate layer of polymer material vaporized upon firing on the fluorescent layer, depositing a metal, for example aluminum, on the intermediate layer, and removing the intermediate layer through firing. The interlayer serves to flatten the anode electrode by preventing the anode electrode from being affected by the surface roughness of the fluorescent layer.

그런데 종래의 애노드 전극은 증착 상태나 중간막 표면의 평탄한 정도 등에 따라 실질적으로 균일한 두께를 갖지 못하고 위치별로 소정의 두께 편차를 갖게 된다.However, the conventional anode electrode does not have a substantially uniform thickness according to the deposition state or the degree of flatness of the surface of the interlayer, but has a predetermined thickness variation for each position.

애노드 전극의 두께는 전자 투과량 및 광 반사율 등과 밀접한 관계가 있는데, 일례로 애노드 전극의 평균 두께보다 상대적으로 큰 두께를 갖는 애노드 전극 부위는 전자 투과량이 낮아져 해당 화소의 휘도를 낮추게 되고, 애노드 전극의 평균 두께보다 상대적으로 작은 두께를 갖는 애노드 전극 부위는 전자 투과량이 높아져 해당 화소의 휘도를 높이게 된다.The thickness of the anode electrode is closely related to the electron transmission amount and the light reflectance. For example, an anode electrode portion having a thickness relatively larger than the average thickness of the anode electrode has a low electron transmission amount, thereby lowering the luminance of the corresponding pixel, and an average of the anode electrode. An anode electrode portion having a thickness that is relatively smaller than the thickness of the anode electrode has a high electron transmission amount to increase the luminance of the pixel.

그 결과 형광층은 애노드 전극의 두께에 따라 서로 다른 휘도의 가시광을 방출하게 되어 화소별 발광 균일도를 떨어뜨리고, 그에 따라 화면의 색순도와 색재현율이 낮아지는 등 표시품질이 저하되는 문제가 있다.As a result, the fluorescent layer emits visible light having different luminance according to the thickness of the anode electrode, thereby lowering the uniformity of emission for each pixel, thereby lowering display quality such as color purity and color reproducibility of the screen.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 애노드 전극의 최적화된 두께 설정을 통해 화소별 발광 균일도를 높일 수 있는 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron emission display device capable of increasing luminous uniformity for each pixel by setting an optimized thickness of an anode electrode.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 소자들과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들과, 형광층들의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하며, 애노드 전극이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.A first substrate and a second substrate disposed to face each other, electron emission devices arranged in an array on the first substrate, fluorescent layers formed on one surface of the second substrate, and an anode positioned on one surface of the fluorescent layers It includes, the anode electrode provides an electron emission display device that satisfies the following conditions.

Figure 112006011395830-PAT00002
Figure 112006011395830-PAT00002

여기서, Tmax는 애노드 전극의 최대 두께를 나타내고, Tmin은 애노드 전극의 최소 두께를 나타내며, Tave는 애노드 전극의 평균 두께를 나타낸다.Herein, T max represents the maximum thickness of the anode electrode, T min represents the minimum thickness of the anode electrode, and T ave represents the average thickness of the anode electrode.

상기 애노드 전극은 제1 기판을 향한 형광층들의 일면에 위치하는 금속막으로 이루어질 수 있다.The anode electrode may be formed of a metal film positioned on one surface of the fluorescent layers facing the first substrate.

상기 전자 방출 소자들은 전계 방출 어레이형, 표면 전도 에미션형, 금속-절연층-금속형 및 금속-절연층-반도체형 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The electron emission devices may be any one of a field emission array type, a surface conduction emission type, a metal-insulation layer-metal type, and a metal-insulation layer-semiconductor type.

또한, 전자 방출 소자들은 전자 방출부들과 구동 전극들을 포함하고, 구동 전극들이 전자 방출부와 전기적으로 연결되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들과 절연되어 위치하는 게이트 전극들을 포함할 수 있다.In addition, the electron emission devices may include electron emission parts and driving electrodes, cathode electrodes in which the driving electrodes are electrically connected to the electron emission parts, and gate electrodes insulated from the cathode electrodes.

또한, 전자 방출부는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In addition, the electron emission unit may include at least one material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamond, diamond-like carbon, C 60, and silicon nanowires.

또한, 전자 방출 표시 디바이스는 구동 전극들 상부에서 구동 전극들과 절연되어 위치하는 집속 전극을 더욱 포함할 수 있다.Also, the electron emission display device may further include a focusing electrode positioned to be insulated from the driving electrodes on the driving electrodes.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다. 도 1과 도 2에서는 전자 방출 디바이스의 일례로 전계 방출 어레이(FEA)형을 도시하였다.1 and 2 are partially exploded perspective and partial cross-sectional views of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention, respectively. 1 and 2 show a field emission array (FEA) type as an example of an electron emission device.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.Referring to the drawings, the electron emission display device includes a first substrate 2 and a second substrate 4 which are arranged in parallel to each other at predetermined intervals. Sealing members (not shown) are disposed at the edges of the first substrate 2 and the second substrate 4 to bond the two substrates, and the inner space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 Torr to form the first substrate 2. ), The second substrate 4 and the sealing member constitute a vacuum container.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.On the opposite surface of the first substrate 2 to the second substrate 4, electron emission elements are arranged in an array to form the electron emission device 100 together with the first substrate 2, and the electron emission device ( 100 is combined with the second substrate 4 and the light emitting unit 110 provided on the second substrate 4 to form an electron emission display device.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 제1 기판(2)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.First, cathode electrodes 6, which are first electrodes, are formed on the first substrate 2 in a stripe pattern along one direction of the first substrate 2, and cover the cathode electrodes 6. 2) The first insulating layer 8 is formed in its entirety. Gate electrodes 10, which are second electrodes, are formed on the first insulating layer 8 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrode 6.

캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극들(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성된다. 그리고 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(81,101)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.When the intersection region of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is defined as a pixel region, one or more electron emission portions 12 are formed in each pixel region over the cathode electrodes 6. Openings 81 and 101 corresponding to the electron emission portions 12 are formed in the first insulating layer 8 and the gate electrode 10 to expose the electron emission portions 12 on the first substrate 2. .

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(12)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60, 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission unit 12 may be made of materials emitting electrons, for example, carbon-based materials or nanometer-sized materials, when an electric field is applied in a vacuum. The electron emitter 12 may include, for example, carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbon, C 60, silicon nanowires , or a combination thereof, and the method of manufacturing the electron emitters 12. Screen printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering may be applied.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(12)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.In the drawing, the electron emission parts 12 are formed in a circular shape and arranged in a line along the length direction of the cathode electrode 6 in each pixel area. However, the planar shape of the electron emission unit 12, the number and arrangement form per pixel area, etc. are not limited to the illustrated example and may be variously modified.

또한 상기에서는 게이트 전극들(10)이 제1 절연층(8)을 사이에 두고 캐소드 전극들(6) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 경우 전자 방출부는 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 위치할 수 있다.In addition, the structure in which the gate electrodes 10 are positioned on the cathode electrodes 6 with the first insulating layer 8 therebetween has been described. However, the gate electrodes 10 have the first insulating layer therebetween. A structure located below the field is also possible. In this case, the electron emission part may be positioned on the side of the cathode electrode on the first insulating layer.

그리고 게이트 전극들(10)과 제1 절연층(8) 위로 제3 전극인 집속 전극(14)이 형성된다. 집속 전극(14) 하부에는 제2 절연층(16)이 위치하여 게이트 전극(10)과 집속 전극(14)을 절연시키며, 제2 절연층(16)과 집속 전극(14)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(161,141)가 마련된다.The focusing electrode 14, which is a third electrode, is formed on the gate electrodes 10 and the first insulating layer 8. A second insulating layer 16 is positioned below the focusing electrode 14 to insulate the gate electrode 10 and the focusing electrode 14, and to pass the electron beam through the second insulating layer 16 and the focusing electrode 14. Openings 161 and 141 are provided.

집속 전극(14)은 전자 방출부(12)마다 이에 대응하는 하나의 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(12)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속하거나, 화소 영역마다 하나의 개구부를 형성하여 하나의 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다. 도 1에서는 두번째 경우를 도시하였다.The focusing electrode 14 forms an opening corresponding to each of the electron emission units 12 to individually focus electrons emitted from each electron emission unit 12, or to form one opening for each pixel region. The electrons emitted from the pixel region can be collectively focused. 1 shows the second case.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다. 형광층(18)은 제1 기판(2)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층(18R,18G,18B)이 대응하도록 형성된다.Next, on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, the fluorescent layer 18, for example, the red, green, and blue fluorescent layers 18R, 18G, and 18B may be disposed at random intervals. The black layer 20 is formed between the fluorescent layers 18 to improve contrast of the screen. The fluorescent layer 18 is formed so that the fluorescent layers 18R, 18G, and 18B of one color correspond to the pixel areas set on the first substrate 2.

형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 휘도를 높인다.An anode electrode 22 made of a metal film such as aluminum is formed on the fluorescent layer 18 and the black layer 20. The anode 22 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside, and reflects the visible light emitted toward the first substrate 2 of the visible light emitted from the fluorescent layer 18 toward the second substrate 4 to improve luminance. Increase

그리고 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(24)이 배치된다. 스페이서들(24)은 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다.In addition, spacers 24 are disposed between the first substrate 2 and the second substrate 4 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant. The spacers 24 are positioned corresponding to the black layer 20 so as not to invade the fluorescent layer 18.

전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(6), 게이트 전극들(10), 집속 전극(14) 및 애노드 전극(22)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.The electron emission display device having the above-described configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrodes 6, the gate electrodes 10, the focusing electrode 14, and the anode electrode 22 from the outside.

일례로 캐소드 전극들(6)과 게이트 전극들(10) 중 어느 한 전극들이 주사 구 동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(14)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(22)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.For example, any one of the cathode electrodes 6 and the gate electrodes 10 receives a scan driving voltage to serve as scan electrodes, and the other electrodes receive a data driving voltage to serve as data electrodes. . In addition, the focusing electrode 14 receives a voltage required for electron beam focusing, for example, 0 V or a negative DC voltage of several to several tens of volts, and the anode electrode 22 requires a voltage for accelerating the electron beam, for example, several hundred to several thousand volts. DC voltage of is applied.

그러면 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 전압 차가 임계치 이상인 화소 영역들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(14)의 개구부(141)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(22)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소 영역의 형광층(18)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.Then, an electric field is formed around the electron emission part 12 in the pixel areas where the voltage difference between the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is greater than or equal to the threshold value, thereby emitting electrons therefrom. The emitted electrons are focused to the center of the electron beam bundle while passing through the opening 141 of the focusing electrode 14, and are attracted to the fluorescent layer 18 of the corresponding pixel region by being attracted by the high voltage applied to the anode electrode 22. It emits light.

본 실시예에서 애노드 전극(22)은 아래 조건을 만족하도록 형성된다.In this embodiment, the anode electrode 22 is formed to satisfy the following conditions.

Figure 112006011395830-PAT00003
Figure 112006011395830-PAT00003

여기서, Tmax는 애노드 전극(22)의 최대 두께를 나타내고, Tmin은 애노드 전극(22)의 최소 두께를 나타내며, Tave는 애노드 전극(22)의 평균 두께를 나타낸다. 위 수식에서 좌변은 애노드 전극(22)의 두께 균일도를 의미한다.Here, T max represents the maximum thickness of the anode electrode 22, T min represents the minimum thickness of the anode electrode 22, and T ave represents the average thickness of the anode electrode 22. In the above formula, the left side means thickness uniformity of the anode electrode 22.

도 3은 애노드 전극(22)의 두께 균일도 변화에 따른 화소간 발광 균일도 변화를 나타낸 그래프이다. 그래프의 세로축에 표시한 화소간 발광 균일도는 애노드 전극(22)의 최대 두께(Tmax)가 관찰되는 화소와 애노드 전극(22)의 최소 두께(Tmin)가 관찰되는 화소의 휘도 차이를 퍼센트 단위로 나타낸 것이다.3 is a graph illustrating a change in uniformity of light emission between pixels according to a change in thickness uniformity of the anode electrode 22. The uniformity of emission between pixels displayed on the vertical axis of the graph is a percentage unit of the luminance difference between the pixel where the maximum thickness T max of the anode electrode 22 is observed and the pixel where the minimum thickness T min of the anode electrode 22 is observed. It is represented as.

도 3을 참고하면, 전술한 수식에 나타낸 바와 같이 애노드 전극(22)의 두께 균일도가 0.05 이하일 때 화소간 발광 균일도가 90% 이상의 조건을 만족하고 있음을 알 수 있다. 화소간 발광 균일도가 90% 미만이면 화면의 색순도와 색재현율이 저하되어 실질적인 표시 품질 저하가 발생한다.Referring to FIG. 3, it can be seen that the uniformity of emission between pixels satisfies 90% or more when the thickness uniformity of the anode electrode 22 is 0.05 or less, as shown in the above formula. If the luminance uniformity between pixels is less than 90%, the color purity and color reproducibility of the screen may be lowered, thereby causing substantial display quality degradation.

이와 같이 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극(22)의 최적화된 두께 설정을 통해 화소별 발광 균일도를 높이고, 그에 따라 화면의 색재현율과 색순도를 향상시켜 표시 품질을 높이는 효과가 있다.As described above, the electron emission display device of the present exemplary embodiment has the effect of increasing the uniformity of light emission for each pixel through the optimized thickness setting of the anode electrode 22, thereby improving the color reproducibility and color purity of the screen, thereby improving display quality.

상기에서는 전자 방출부가 진공 중에서 전계에 의해 전자를 방출하는 물질들로 이루어진 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 전계 방출 어레이형에 한정되지 않고 다른 타입의 전자 방출 표시 디바이스에도 용이하게 적용될 수 있다.In the above, the field emission array (FEA) type electron emission display device made of materials in which the electron emission portion emits electrons by an electric field in vacuum has been described. However, the present invention is not limited to such a field emission array type, but other types of electrons. It can also be easily applied to the emission display device.

또한 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.In addition, while the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극의 두께 최적화를 통해 화소별 발광 균일도를 향상시킨다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 화면의 색재현율과 색순도를 향상시켜 표시 품질을 높이는 효과가 있다.As described above, the electron emission display device according to the present invention improves the uniformity of light emission for each pixel by optimizing the thickness of the anode electrode. Therefore, the electron emission display device according to the present invention has the effect of improving the display quality by improving the color reproducibility and color purity of the screen.

Claims (6)

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;A first substrate and a second substrate disposed to face each other; 상기 제1 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 소자들과;Electron-emitting devices arranged in an array on the first substrate; 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들; 및Fluorescent layers formed on one surface of the second substrate; And 상기 형광층들의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하며,An anode located on one surface of the fluorescent layers, 상기 애노드 전극이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 표시 디바이스.And an anode electrode satisfying the following conditions.
Figure 112006011395830-PAT00004
Figure 112006011395830-PAT00004
 여기서, Tmax는 애노드 전극의 최대 두께를 나타내고, Tmin은 애노드 전극의 최소 두께를 나타내며, Tave는 애노드 전극의 평균 두께를 나타낸다.Herein, T max represents the maximum thickness of the anode electrode, T min represents the minimum thickness of the anode electrode, and T ave represents the average thickness of the anode electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 애노드 전극이 상기 제1 기판을 향한 상기 형광층들의 일면에 위치하는 금속막으로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.And an anode electrode formed of a metal film positioned on one surface of the fluorescent layers facing the first substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출 소자들이 전계 방출 어레이형, 표면 전도 에미션형, 금속-절연층-금속형 및 금속-절연층-반도체형 중 어느 하나인 전자 방출 표시 디바이스.And the electron emission elements are any one of a field emission array type, a surface conduction emission type, a metal-insulation layer-metal type, and a metal-insulation layer-semiconductor type. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출 소자들이 전자 방출부들과 구동 전극들을 포함하며,The electron emission devices include electron emission portions and drive electrodes, 상기 구동 전극들이 상기 전자 방출부와 전기적으로 연결되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들과 절연되어 위치하는 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And cathode electrodes in which the driving electrodes are electrically connected to the electron emission parts, and gate electrodes insulated from the cathode electrodes. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And at least one material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, C 60 and silicon nanowires. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 구동 전극들 상부에서 구동 전극들과 절연되어 위치하는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And a focusing electrode positioned to be insulated from the driving electrodes on the driving electrodes.
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