KR20070080766A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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KR20070080766A KR1020060012212A KR20060012212A KR20070080766A KR 20070080766 A KR20070080766 A KR 20070080766A KR 1020060012212 A KR1020060012212 A KR 1020060012212A KR 20060012212 A KR20060012212 A KR 20060012212A KR 20070080766 A KR20070080766 A KR 20070080766A
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Abstract

An apparatus for processing a substrate is provided to prevent an increase of a time interval for heating a substrate by uniformly heating the substrate. A substrate is received in a housing(110) during a fabricating process, having a space for performing a semiconductor process. The substrate is placed on a support member(120) installed in the lower part of the inside of the housing. A gas supply member(130) supplies process gas to the surface of the substrate placed on the support member during the process. The gas supply member is disposed on the outer part of the substrate placed on the support member. The gas supply member can have a ring shape, including injection holes for injecting process to the inside of the gas supply member.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정 및 효과를 설명하기 위한 도면들이다.3A to 3F are diagrams for describing an operation process and effects of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating an operation process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 140 : 가스 공급라인 100: substrate processing apparatus 140: gas supply line

110 : 하우징 142 : 공정가스 공급라인110: housing 142: process gas supply line

112 : 출입구 144 : 불활성가스 공급라인112: exit 144: inert gas supply line

114 : 배기구 150 : 가열부재114: exhaust port 150: heating member

120 : 지지부재 152 : 제 1 가열기120: support member 152: first heater

130 : 가스 공급부재 154 : 제 2 가열기130 gas supply member 154 second heater

132 : 몸체 162 : 제 1 구동기132 body 162 first driver

134 : 통로 164 : 제 2 구동기134: passage 164: second driver

134a : 분사홀 170 : 배기부134a: injection hole 170: exhaust

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a semiconductor substrate, and more particularly, to an apparatus for depositing a thin film on a semiconductor substrate.

일반적인 반도체 제조 공정은 식각, 화학기상증착, 현상, 노광, 세정, 이온주입, 도포 등의 공정들은 반복하여 수행함으로써 이루어진다. 이 중 화학기상증착 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 반도체 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징의 하측에 설치되어 기판을 안착시키는 지지부재, 그리고 상기 지지부재와 마주보도록 설치되어 지지부재에 안착된 기판을 향해 반응 가스 및 불활성 가스 등을 포함하는 공정 가스를 분사하는 가스 공급부재를 포함한다.A general semiconductor manufacturing process is performed by repeatedly performing processes such as etching, chemical vapor deposition, development, exposure, cleaning, ion implantation and coating. The substrate processing apparatus performing the chemical vapor deposition process includes a housing providing a space for performing a semiconductor process, a support member installed on the lower side of the housing to seat the substrate, and installed to face the support member. And a gas supply member for injecting a process gas including a reaction gas, an inert gas, and the like toward the seated substrate.

상기와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치는 공정시 하우징 내부로 기판이 반입되어 지지부재의 상부면에 안착된다. 지지부재에는 가열기가 설치되어 있어 기판을 공정 온도로 가열한다. 기판이 공정 온도로 가열되면, 가스 공급부재는 공정 가스를 기판상으로 분사하여 기판에 박막을 형성시킨다. 기판의 처리면에 박막이 형성되면, 기판은 하우징 외부로 언로딩된다.In the substrate processing apparatus having the above configuration, the substrate is loaded into the housing during the process and is mounted on the upper surface of the support member. The support member is provided with a heater to heat the substrate to the process temperature. When the substrate is heated to the process temperature, the gas supply member injects the process gas onto the substrate to form a thin film on the substrate. When a thin film is formed on the processing surface of the substrate, the substrate is unloaded out of the housing.

그러나, 상술한 기판 처리 장치는 공정시 기판의 상부에서 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 방식이다. 그러나, 가스 공급부재는 반응 가스의 공급을 진행함에 따라 가스 공급부재의 가스를 분사하는 면에는 불필요한 반응 가스와 같은 공정 부 산물들이 폴리머와 같은 형태로 가스 공급부재에 흡착된다. 그리고, 가스 공급부재에 흡착된 오염물질은 공정시 기판 표면으로 떨어져 나가 기판을 오염시킨다.However, the substrate processing apparatus described above is a method of injecting the process gas toward the substrate from the upper portion of the substrate during the process. However, as the gas supply member proceeds to supply the reaction gas, process by-products such as reactive gas, which are unnecessary on the surface of the gas supply member, are adsorbed to the gas supply member in the form of a polymer. The contaminants adsorbed on the gas supply member fall to the substrate surface during the process and contaminate the substrate.

또한, 상술한 기판 처리 장치는 지지부재에 가열부재에 제공되어 기판을 공정 온도로 가열하므로, 기판 전체의 균일한 가열을 하기 어려웠다. 예컨대, 지지부재에 설치된 가열부재는 기판의 하부면만을 가열함으로 기판의 하부면과 상부면의 온도차이가 다를 수 있고, 기판을 가열하는 시간이 증가될 수 있다. 공정시 기판기 균일하게 가열되지 않으면, 반도체 소자의 수율이 감소된다.In addition, since the substrate processing apparatus described above is provided to the support member with the heating member to heat the substrate to the process temperature, it is difficult to uniformly heat the entire substrate. For example, the heating member installed in the support member may heat only the lower surface of the substrate, so that a temperature difference between the lower surface and the upper surface of the substrate may be different, and the time for heating the substrate may be increased. If the substrate is not uniformly heated during the process, the yield of the semiconductor element is reduced.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 공정시 기판이 공정 부산물과 같은 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a substrate processing apparatus for preventing the substrate from being contaminated by contaminants such as process by-products during the process.

본 발명의 다른 목적은 기판의 온도를 균일하게 가열하는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for uniformly heating the temperature of a substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 기판을 단시간에 공정 온도로 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of heating a substrate to a process temperature in a short time.

본 발명의 또 다른 목적은 기판의 가열을 정밀하게 수행하는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for precisely heating a substrate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정시 내부에 기판을 수용하며, 반도체 공정이 수행되는 공간을 갖는 하우징, 상기 하우징의 내부 하측에 설치되어 기판을 안착시키는 지지부재, 그리고 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부재를 포함하되, 상기 가스 공급부재는 상기 지지부재에 안착된 기판의 외측에 배치된다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a housing that accommodates a substrate therein during the process, a housing having a space in which the semiconductor process is performed, a support member installed in the lower side of the housing to seat the substrate, and And a gas supply member supplying a process gas onto a substrate seated on the support member during the process, wherein the gas supply member is disposed outside the substrate seated on the support member.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 공급부재는 링 형상을 가지며, 상기 가스 공급부재에 내측으로 공정 가스를 분사하는 분사홀들이 형성된다.According to an embodiment of the present invention, the gas supply member has a ring shape, and injection holes for injecting process gas into the gas supply member are formed in the gas supply member.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스 공급부재는 환형일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the gas supply member may be annular.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분사홀들은 상기 가스 공급부재의 내벽에 균등하게 제공되어, 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리 영역으로부터 상기 기판의 중심영역으로 공정 가스를 분사한다.According to an embodiment of the present invention, the injection holes are equally provided on the inner wall of the gas supply member to inject the process gas from the edge region of the substrate seated on the support member to the center region of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리 공정은 기판상에 박막을 증착시킨다.According to an embodiment of the present invention, the treatment process deposits a thin film on a substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판을 가열시키는 가열 부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the invention, the substrate processing apparatus further includes a heating member for heating the substrate seated on the support member during the process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열 부재는 상기 지지부재에 제공되는 제 1 가열기 및 상기 하우징의 상측에서 상기 지지부재와 마주보도록 설치되는 제 2 가열기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the heating member includes a first heater provided to the support member and a second heater installed to face the support member on the upper side of the housing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 가열기가 제공된 상기 지지부재 또는 상기 제 2 가열기 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 구동부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a driving unit for moving at least one of the support member or the second heater provided with the first heater.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 가열기가 제공된 상기 지지부재 및 상기 제 2 가열기를 이동시키는 구동부를 더 포함하되, 상 기 구동부는 상기 지지부재에 안착된 기판을 가열시키는 가열위치 및 상기 지지부재를 가열하기 전에 대기하는 대기 위치 상호간에 상기 제 1 가열기를 이동시키는 제 1 구동기 및 상기 하우징의 외부로/로부터 기판을 반출/반입하기 위한 로딩/언로딩 위치 및 상기 가스 공급부재의 내측으로 인입되어 상기 공정 가스를 공급받는 공정 위치 상호간에 상기 지지부재를 이동시키는 제 2 구동기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a driving unit for moving the support member provided with the first heater and the second heater, wherein the driving unit heats the substrate seated on the support member. A first driver for moving the first heater between a heating position and a standby position waiting before heating the support member, and a loading / unloading position for carrying out / loading a substrate into / out of the housing and the gas supply And a second driver that moves inside the member to move the support member between process positions receiving the process gas.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정시 기판을 수용하여, 상기 기판의 외측에서 상기 기판의 가장자리영역으로부터 상기 기판의 중심영역으로 공정 가스를 분사한다.In the substrate processing method according to the present invention for achieving the above object, the substrate is accommodated during the process, and the process gas is injected from the edge region of the substrate to the center region of the substrate outside the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 기판상에 박막을 증착시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method may deposit a thin film on the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 수용된 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하되, 상기 기판을 가열하는 단계는 상기 기판의 상부 및 하부 각각에서 상기 기판을 가열시킨다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method further includes heating the accommodated substrate, wherein heating the substrate heats the substrate on each of the upper and lower portions of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판을 가열하는 단계는 상기 기판의 상부에서 상기 기판을 가열하는 제 1 가열기 및 상기 기판의 하부에서 상기 기판을 가열하는 제 2 가열기를 상하로 조절하는 단계를 더 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the heating of the substrate may further include adjusting a first heater for heating the substrate on the top of the substrate and a second heater for heating the substrate on the bottom of the substrate. Include.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명 을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a substrate processing apparatus and method according to an embodiment of the present invention. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures is exaggerated to emphasize clear explanation.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.1 is a configuration diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 지지부재(120), 가스 공급부재(130), 가스 공급라인(140), 가열부재(150), 구동부, 그리고, 배기부(170)를 포함한다. 하우징(110)은 내부에 반도체 공정을 수행하는 공간을 갖는다. 하우징(110)은 일 예로서 그 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 원통형으로 제작될 수 있다. 또한, 하우징(110)은 내부에서 전기적인 방전이 발생되는 것을 방지하기 위해 안전 접지(safety-grounded)되는 것이 바람직하다. 또한, 하우징(110)의 외부에는 하우징(110)의 내부 온도를 공정 온도로 유지시키기 위한 소정의 히팅장치(미도시됨)이 구비된다. 상기 히팅장치는 하우징(110)의 외벽 일측에 제공되어, 하우징(110)의 온도를 공정 온도로 유지시켜준다.1 and 2, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention includes a housing 110, a support member 120, a gas supply member 130, a gas supply line 140, and a heating member 150. , A driving unit, and an exhaust unit 170. The housing 110 has a space for performing a semiconductor process therein. As an example, the housing 110 may be made of a cylindrical shape whose surface is made of aluminum which is anodized (anodized). In addition, the housing 110 is preferably safety-grounded to prevent electrical discharge from occurring therein. In addition, a predetermined heating device (not shown) is provided outside the housing 110 to maintain the internal temperature of the housing 110 at a process temperature. The heating device is provided on one side of the outer wall of the housing 110 to maintain the temperature of the housing 110 at a process temperature.

하우징(110)은 공정시 공정 압력으로 감압될 수 있다. 이를 위해, 하우징(110)은 외부와 밀폐되도록 제공되며, 감압에 의해서도 견딜 수 있도록 제작된다. 본 실시예에서는 공정시 하우징(110) 내부가 감압되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 공정시 하우징(110)은 감압되지 않고 상압에서 공정이 진행될 수 있다.The housing 110 may be depressurized to a process pressure during the process. To this end, the housing 110 is provided to be sealed to the outside and is manufactured to withstand pressure reduction. In the present embodiment, the case in which the inside of the housing 110 is depressurized during the process has been described as an example. However, the process of the housing 110 may be performed at atmospheric pressure without being decompressed during the process.

하우징(110) 일측에는 기판(W)이 출입하기 위한 출입구(112)가 형성된다. 출입구(112)는 기판(W)이 하우징(110) 내부로 반입되거나, 하우징(110)으로부터 기판(W)이 반출되는 통로이다. 하우징(110)의 외부에는 로봇암과 같은 기판 이송장치(미도시됨)를 설치되어, 하우징(110)으로 기판(W)을 로딩(loading)시키거나 하우징(110)으로부터 기판(W)을 언로딩(unloading)시킨다.One side of the housing 110 is formed with an entrance 112 through which the substrate W enters and exits. The doorway 112 is a passage through which the substrate W is carried into the housing 110 or the substrate W is carried out from the housing 110. A substrate transfer device (not shown) such as a robot arm is installed outside the housing 110 to load the substrate W into the housing 110 or to free the substrate W from the housing 110. Unloading

하우징(110)의 하측에는 공정시 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시키는 배출구(114)가 형성된다. 배출구(114)는 하우징(110)의 하부벽 가장자리에 형성되는 것이 바람직하다. 배출구(114)는 배기부(170)와 연결된다. 배출구(114)는 공정시 하우징(110)으로 공급되는 공정 가스를 외부로 배출한다. 본 실시예에서는 배출구(114)가 하우징(110)의 하부벽 가장자리를 따라 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 배출구(114)는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시키기 위한 것으로, 하우징(110)의 다양한 위치에서 제공될 수 있다.The lower side of the housing 110 is formed with a discharge port 114 for discharging the air in the housing 110 to the outside during the process. The outlet 114 is preferably formed at the edge of the lower wall of the housing 110. The outlet 114 is connected to the exhaust 170. The discharge port 114 discharges the process gas supplied to the housing 110 during the process to the outside. In this embodiment, the outlet 114 is formed along the lower wall edge of the housing 110 as an example, but the outlet 114 is for discharging air in the housing 110 to the outside, the housing 110 It can be provided at various positions of.

지지부재(120)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(120)는 하우징(110)의 하측 중앙에 설치된다. 지지부재(120)의 상부면에는 기판(W)을 안착시키는 안착면이 제공된다. 상기 안착면은 공정시 기판(W)이 안착되는 공정상의 위치를 제공한다. 또한, 지지부재(120)에는 후술할 제 1 가열기(152)가 제공된다. 제 1 가열기(152)는 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 공정 온도로 가열시킨다. 제 1 가열기(152)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The support member 120 supports the substrate W during the process. The support member 120 is installed at the lower center of the housing 110. The upper surface of the support member 120 is provided with a seating surface for mounting the substrate (W). The seating surface provides a process position where the substrate W is seated during the process. In addition, the support member 120 is provided with a first heater 152 to be described later. The first heater 152 heats the substrate W seated on the support member 120 to a process temperature. Detailed description of the first heater 152 will be described later.

지지부재(120)에는 공정시 기판(W)이 지지부재(120)의 안착면에 고정되도록 소정의 고정 수단(미도시됨)이 구비될 수 있다. 상기 고정 수단은 기판(W)을 진공 으로 지지부재(120)의 안착면에 흡착시키는 진공 라인(미도시됨)을 구비하는 방식, 또는 상기 기판(W)의 가장자리를 지지부재(120)의 안착면에 고정시키는 환형의 고정 부재(미도시됨)를 구비하는 방식 등을 포함한다. 따라서, 기판(W)은 공정시 상기 고정 수단에 의해 지지부재(120)로부터 이탈되는 것이 방지된다.The support member 120 may be provided with a predetermined fixing means (not shown) so that the substrate W is fixed to the seating surface of the support member 120 during the process. The fixing means is provided with a vacuum line (not shown) for adsorbing the substrate (W) to the seating surface of the support member 120 in a vacuum, or the edge of the substrate (W) to seat the support member 120 And an annular fixing member (not shown) fixed to the surface. Therefore, the substrate W is prevented from being separated from the support member 120 by the fixing means in the process.

지지부재(120)는 상하로 승강될 수 있다. 이를 위해, 지지부재(120)의 일측은 하우징(120)의 외부로 연장되며, 연장된 일측은 후술할 제 1 구동기(162)와 결합된다. 제 1 구동기(162)는 하우징(110)의 외부로/로부터 기판(W)을 반출/반입하기 위한 로딩/언로딩 위치(a) 및 가스 공급부재(130)의 내측으로 인입되어 공정 가스를 공급받는 공정 위치(b) 상호간을 이동시킨다. 제 1 구동기(162)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The support member 120 may be lifted up and down. To this end, one side of the support member 120 extends to the outside of the housing 120, the extended one side is coupled to the first driver 162 to be described later. The first driver 162 is introduced into the loading / unloading position a for carrying out / loading the substrate W into and out of the housing 110 and into the gas supply member 130 to supply the process gas. The receiving process positions (b) are moved from one another. Detailed description of the first driver 162 will be described later.

가스 공급부재(130)는 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판상으로 공정 가스를 공급하되, 지지부재(120)에 안착된 기판(W)의 외측에서 기판(W)의 가장자리 영역으로부터 기판(W)의 중심영역으로 공정 가스를 분사한다. 여기서, 상기 외측이란 지지부재(120)에 안착된 기판(W)의 상부 및 하부를 제외한 측면을 의미한다. 그리고, 상기 공정 가스는 기판(W)의 처리면에 박막을 형성을 위한 반응 가스 및 하우징(110) 내 배기 등을 수행하기 위한 불활성 가스 등을 포함한다. The gas supply member 130 supplies the process gas onto the substrate seated on the support member during the process, and the substrate W from the edge region of the substrate W outside the substrate W seated on the support member 120. Process gas is injected into the center area of the Here, the outer side means a side surface except for the upper and lower portions of the substrate W seated on the support member 120. In addition, the process gas includes a reactive gas for forming a thin film on the processing surface of the substrate W, and an inert gas for exhausting the inside of the housing 110.

일 예로서, 가스 공급부재(130)는 몸체(132) 및 통로(134)를 갖는다. 몸체(132)는 하우징(110)의 상부벽으로부터 하측으로 환형으로 연장되되, 지지부재(120)가 가스 공급부재(130)의 내부로 인입될 수 있도록 그 직경이 지지부재(120)의 가장자리 영역보다 일정한 간격만큼 이격되도록 제작된다. 여기서, 상기 간격은 공정시 가스 공급부재(130)에 의해 공급된 공정 가스가 가스 공급부재(130)와 지지부재(120) 사이로 원활히 빠져나갈 수 있을 정도의 간격인 것이 바람직하다. 만약, 상기 간격이 너무 크면 가스 공급부재(130)에 의해 공급된 공정 가스가 지지부재(120)에 안착된 기판(W)의 처리면으로 공급되기 전에 상기 간격으로 빠져나갈 수 있어 박막 증착의 효율이 떨어진다. 반대로, 상기 간격이 너무 작으면 가스 공급부재(130)에 의해 공급된 공정 가스가 지지부재(120)에 안착된 기판(W)의 처리면으로 과도하게 머무르게 되어 박막 증착의 효율이 떨어진다. 따라서, 상기 간격은 가스 공급부재(130)에 의해 공급된 공정 가스가 효율적으로 박막을 증착시킬 수 있을 정도의 크기로 제공되어야 한다.As an example, the gas supply member 130 has a body 132 and a passage 134. The body 132 extends annularly downward from the upper wall of the housing 110, the diameter of which is an edge region of the support member 120 so that the support member 120 can be introduced into the gas supply member 130. It is manufactured to be spaced at a more regular interval. Here, the interval is preferably an interval such that the process gas supplied by the gas supply member 130 during the process can smoothly escape between the gas supply member 130 and the support member 120. If the interval is too large, the process gas supplied by the gas supply member 130 may escape at the interval before being supplied to the processing surface of the substrate W seated on the support member 120, thereby increasing the efficiency of thin film deposition. Falls. On the contrary, if the interval is too small, the process gas supplied by the gas supply member 130 excessively stays on the processing surface of the substrate W seated on the support member 120, thereby reducing the efficiency of thin film deposition. Therefore, the gap should be provided in such a size that the process gas supplied by the gas supply member 130 can efficiently deposit a thin film.

통로(134)는 몸체(132) 내부에 형성된다. 통로(134)는 가스 공급라인(140)으로부터 공정 가스를 공급받아, 공정 가스를 분사홀(134a)들을 통해 가스 공급부재(130)의 내측으로 분사되도록 한다. 분사홀(134a)들은 몸체(134)의 내측벽에 환형으로 형성된다. 각각의 분사홀(134a)들은 통로(134)와 연결되어 있으며, 통로(134)로부터 공정 가스를 공급받아 기판(W)의 외측에서 기판(W)의 가장자리 영역으로부터 기판(W)의 중심영역으로 공정 가스를 분사한다. 여기서, 각각의 분사홀(134a)들의 크기, 모양, 그리고 각도 등은 기판(W)의 처리면 전체에 공정가스를 균일하게 분사하도록 조절된다.The passage 134 is formed inside the body 132. The passage 134 receives the process gas from the gas supply line 140 to inject the process gas into the gas supply member 130 through the injection holes 134a. The injection holes 134a are formed in an annular shape on the inner wall of the body 134. Each of the injection holes 134a is connected to the passage 134, and receives the process gas from the passage 134 and moves from the edge region of the substrate W to the center region of the substrate W from the outside of the substrate W. Inject process gas. Here, the size, shape, angle, etc. of each of the injection holes 134a are adjusted to uniformly inject the process gas to the entire processing surface of the substrate W.

본 실시예에서는 몸체(132)가 환형으로 제작되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 몸체(132)의 형상은 다양하게 변형이 가능하다. 몸체(132)은 환형이 아닌 링(ring)형상, 예컨대, 단면이 다각형 또는 타원형인 것 등을 포함할 수 있다. 그리 고, 분사홀(134a)들의 크기, 모양, 그리고 각도 등은 다양하게 변형 및 변경이 가능하다. 각각의 분사홀(134a)들은 서로 다른 크기, 모양, 그리고 각도를 갖을 수도 있으며, 그 개수 또한 다양하게 제공될 수 있다.In this embodiment, the body 132 is described as an example of being made in an annular shape, the shape of the body 132 can be variously modified. The body 132 may include a ring shape that is not annular, for example, polygonal or oval in cross section. In addition, the size, shape, and angle of the injection holes 134a may be variously modified and changed. Each of the injection holes 134a may have different sizes, shapes, and angles, and the number of injection holes 134a may be provided in various ways.

가스 공급라인(140)은 하우징(110) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급라인(140)은 반응가스를 공급하는 반응가스 공급라인(142)과 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급라인(144)을 갖는다. 반응가스 공급라인(142)은 공정시 기판(W)의 처리면에 증착할 불순물 이온들이 포함된 반응 가스를 공급한다. 그리고, 불활성가스 공급라인(144)은 질소가스와 같은 불활성 가스를 공급한다. 반응가스 공급라인(142) 및 불활성가스 공급라인(144) 각각은 상술한 가스 공급부재(130)의 통로(134)와 연결된다. 본 실시예에서는 가스 공급라인(140)이 반응가스 공급라인(142) 및 불활성가스 공급라인(144)을 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 가스 공그발인(140)은 반응가스 및 불활성가스의 공급을 수행하는 하나의 가스 공급라인으로 제작될 수 있다. 또는, 복수의 반응가스 공급라인 및 불활성가스 공급라인을 갖는 방식일 수 있다.The gas supply line 140 supplies a process gas into the housing 110. The gas supply line 140 has a reaction gas supply line 142 for supplying a reaction gas and an inert gas supply line 144 for supplying an inert gas. The reaction gas supply line 142 supplies a reaction gas containing impurity ions to be deposited on the processing surface of the substrate W during the process. And, the inert gas supply line 144 supplies an inert gas such as nitrogen gas. Each of the reaction gas supply line 142 and the inert gas supply line 144 is connected to the passage 134 of the gas supply member 130 described above. In the present embodiment, the gas supply line 140 has been described as an example including the reaction gas supply line 142 and the inert gas supply line 144, but the gas cognate 140 to supply the reaction gas and the inert gas It can be produced with one gas supply line to perform. Alternatively, the method may have a plurality of reaction gas supply lines and an inert gas supply line.

가열부재(150)는 공정시 기판(W)을 공정 온도로 가열한다. 이를 위해, 가열부재(150)는 제 1 가열기(152) 및 제 2 가열기(154)를 포함한다. 제 1 가열기(152)는 지지부재(120)에 제공된다. 제 1 가열기(152)는 전원을 인가받아 발열하는 발열 코일(미도시됨)을 구비할 수 있다. 상기 발열 코일은 공정시 발열되어, 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 공정 온도로 가열한다.The heating member 150 heats the substrate W to a process temperature during the process. To this end, the heating member 150 includes a first heater 152 and a second heater 154. The first heater 152 is provided to the support member 120. The first heater 152 may include a heating coil (not shown) that generates heat by receiving power. The heating coil generates heat during the process to heat the substrate W seated on the support member 120 to a process temperature.

제 2 가열기(154)는 하우징(110) 내부 상측에서 상기 지지부재(120)의 상부 면과 마주보도록 설치된다. 제 2 가열기(154)는 공정시 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 공정 온도로 조절한다. 또한, 제 2 가열기(154)는 상술한 제 1 가열기(152)와 같은 방식으로 상하로 승강될 수 있다. 이를 위해, 제 2 가열기(154)는 일부가 하우징(110)의 외부로 연장되며, 연장된 일측은 제 2 구동기(164)와 결합된다. 제 2 구동기(164)는 상기 지지부재에 안착된 기판(W)을 가열하기 전에 대기하는 대기 위치(c) 및 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 가열시키는 가열위치(d) 상호간에 제 2 가열기(154)를 이동시킨다. 제 2 구동기(164)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The second heater 154 is installed to face the upper surface of the support member 120 inside the housing 110. The second heater 154 controls the substrate W seated on the support member 120 at a process temperature. In addition, the second heater 154 may be lifted up and down in the same manner as the first heater 152 described above. To this end, a part of the second heater 154 extends to the outside of the housing 110, and one side of the second heater 154 is coupled to the second driver 164. The second driver 164 is a standby position (c) to wait before heating the substrate (W) seated on the support member and the heating position (d) for heating the substrate (W) seated on the support member 120 Move the second heater 154. A detailed description of the second driver 164 will be described later.

상술한 제 1 및 제 2 가열기(152, 154)는 각각 지지부재(120)에 안착된 기판(W)의 상부 및 하부에서 기판(W)을 공정 온도로 가열한다. 또한, 제 1 및 제 2 가열기(152, 154)는 기판(W)을 가열하는 위치의 조정이 가능하므로, 보다 정밀한 기판(W)의 가열을 수행할 수 있다.The first and second heaters 152 and 154 described above heat the substrate W to a process temperature at upper and lower portions of the substrate W mounted on the support member 120, respectively. In addition, the first and second heaters 152 and 154 can adjust the position at which the substrate W is heated, so that the heating of the substrate W can be performed more precisely.

본 실시예에서는 가열 부재(150)의 제 1 가열기(152)가 제공된 지지부재(120) 및 제 2 가열기(154)가 기판(W)을 가열하는 위치를 조절할 수 있도록 제작되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 지지부재(120) 또는 제 2 가열기(154) 중 어느 하나만 이동이 가능하도록 설치될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the supporting member 120 and the second heater 154 provided with the first heater 152 of the heating member 150 are manufactured to adjust the position at which the substrate W is heated. , Only one of the support member 120 or the second heater 154 may be installed to be movable.

구동부(160)는 제 1 구동기(162) 및 제 2 구동기(164)를 포함한다. 제 1 구동기(162) 및 제 2 구동기(164)는 모터 및 상기 모터와 연동되는 적어도 하나의 기어, 벨트, 리드 스크류 등을 가지는 구성일 수 있다. 제 1 구동기(162)는 지지부재(120)를 상하로 승강시킨다. 이때, 제 1 구동기(162)는 지지부재(120)를 로딩/언로 딩 위치(a) 및 공정 위치(b) 상호간에 직선왕복 이동시킨다. 여기서, 로딩/언로딩 위치(a)는 하우징(110)의 외부에 설치된 기판 이송장치(미도시됨)에 의해 하우징(110)의 내부로/로부터 기판(W)을 반입/반출하기 위한 지지부재(120)의 공정상 위치이다. 또한, 공정 위치(b)는 지지부재(120)에 안착된 기판(W)상에 박막을 증착시키기 위한 공정상의 위치이다.The driver 160 includes a first driver 162 and a second driver 164. The first driver 162 and the second driver 164 may have a motor and at least one gear, a belt, a lead screw, and the like interlocked with the motor. The first driver 162 lifts the support member 120 up and down. At this time, the first driver 162 linearly moves the support member 120 between the loading / unloading position (a) and the process position (b). Here, the loading / unloading position (a) is a support member for carrying in / out of the substrate (W) into / out of the housing (110) by a substrate transfer device (not shown) installed outside of the housing (110). It is the process position of (120). In addition, the process position b is a process position for depositing a thin film on the substrate W seated on the support member 120.

제 2 구동기(164)는 상술한 제 1 구동기(162)와 같은 방식으로 제 2 가열기(154)를 상하로 승상시킨다. 이때, 제 2 구동기(164)는 제 2 가열기(154)를 대기 위치(c) 및 가열 위치(d) 상호간에 직선왕복 이동시킨다. 여기서, 대기 위치(c)는 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 공정 온도로 가열하기 전에 대기하는 제 2 가열기(154)의 공정상의 위치이고, 가열 위치(b)는 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 공정 온도로 가열하기 위한 제 2 가열기(154)의 공정상의 위치이다.The second driver 164 raises the second heater 154 up and down in the same manner as the first driver 162 described above. At this time, the second driver 164 linearly moves the second heater 154 between the standby position (c) and the heating position (d). Here, the standby position c is a process position of the second heater 154 that waits before heating the substrate W seated on the support member 120 to a process temperature, and the heating position b is a support member ( A process position of the second heater 154 for heating the substrate W seated on the 120 to a process temperature.

본 실시예에서는 구동부(160)가 제 1 및 제 2 구동기(162, 164)를 가지고, 제 1 및 제 2 구동기(162, 164)가 각각 지지부재(120) 및 제 2 가열기(154)를 이동시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 구동부(160)는 지지부재(120) 또는 제 2 가열기(154) 중 어느 하나만을 이동가능하도록 제공될 수도 있다.In this embodiment, the driving unit 160 has the first and second drivers 162 and 164, and the first and second drivers 162 and 164 move the support member 120 and the second heater 154, respectively. For example, the driving unit 160 may be provided to move only one of the support member 120 and the second heater 154.

배기부(170)는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배기시킨다. 이를 위해, 배기부(170)는 하우징(110)에 형성된 배출구(114)와 연결된다. 배기부(170)는 공정시 하우징(110) 내부로 공급되는 공정 가스를 하우징(110) 외부로 배출시킨다. 배기부(170)에는 효과적인 배기를 위해 진공 펌프와 같은 흡입 부재(미도시됨)가 설치될 수 있다. 또한, 배기부(170)는 공정시 하우징(110) 내 압력을 공정 압력으로 감압 할 수 있다. 즉, 상기 흡입 부재는 공정시 하우징(110) 내 공기를 강제 흡입하여, 하우징(110) 내 압력을 기설정된 압력으로 감압할 수 있다.The exhaust unit 170 exhausts the air in the housing 110 to the outside. To this end, the exhaust unit 170 is connected to the outlet 114 formed in the housing 110. The exhaust unit 170 discharges the process gas supplied into the housing 110 to the outside of the housing 110 during the process. The exhaust unit 170 may be provided with a suction member (not shown) such as a vacuum pump for effective exhaust. In addition, the exhaust unit 170 may reduce the pressure in the housing 110 to the process pressure during the process. That is, the suction member may forcibly suck air in the housing 110 during the process to reduce the pressure in the housing 110 to a predetermined pressure.

이하, 상술한 구성을 갖는 기판 처리 장치(100)의 동작 과정을 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation process of the substrate processing apparatus 100 having the above-described configuration will be described in detail.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정 및 효과를 설명하기 위한 도면들이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 순서도이다. 여기서, 상술한 기판 처리 장치(100)의 구성과 동일한 구성들은 참조 번호를 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.3A to 3F are views for explaining an operation process and effects of the substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a flowchart for explaining an operation process of the substrate processing apparatus according to the present invention. Here, the same components as those of the substrate processing apparatus 100 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed descriptions of the components are omitted.

도 3a 내지 도 3c, 그리고, 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 하우징(100) 외부에 설치된 기판 이송장치(미도시됨)은 하우징(110)의 출입구(112)를 통해 하우징(110) 내부로 기판(W)을 반입한다. 이때, 지지부재(120)는 로딩/언로딩 위치(a)에 위치하여 있으며, 기판 이송장치는 지지부재(120)의 상부면에 기판(W)을 로딩한다(S110). 기판(W)이 지지부재(120)에 안착되면, 지지부재(120)는 기판(W)을 지지부재(120)의 상부면에 고정시키고, 제 1 구동기(162)는 지지부재(120)를 로딩/언로딩 위치(a)로부터 공정 위치(b)로 이동시킨다.3A to 3C and FIG. 4, when a process of the substrate processing apparatus 100 is started, a substrate transfer apparatus (not shown) installed outside the housing 100 may include an entrance and exit 112 of the housing 110. The substrate W is loaded into the housing 110 through the. At this time, the support member 120 is located in the loading / unloading position (a), the substrate transfer device loads the substrate (W) on the upper surface of the support member 120 (S110). When the substrate W is seated on the support member 120, the support member 120 fixes the substrate W to the upper surface of the support member 120, and the first driver 162 fixes the support member 120. Move from loading / unloading position (a) to process position (b).

지지부재(120)가 공정 위치(b)에 위치하면, 제 2 구동기(164)는 제 2 가열기(154)를 대기 위치(c)로부터 가열 위치(d)로 이동시킨다. 제 1 및 제 2 가열기(152, 154)가 각각 공정 위치(b) 및 가열 위치(d)에 위치하면, 가열 부재(150)는 기판(W)을 공정 온도로 가열한다(S120). 이때, 하우징(110) 내부는 공정 압력으로 감압될 수 있다.When the support member 120 is located at the process position b, the second driver 164 moves the second heater 154 from the standby position c to the heating position d. When the first and second heaters 152 and 154 are positioned at the process position b and the heating position d, respectively, the heating member 150 heats the substrate W to the process temperature (S120). At this time, the inside of the housing 110 may be reduced to a process pressure.

도 3d를 참조하면, 기판(W)이 공정 온도로 가열되면, 가스 공급부재(130)는 반응가스 공급라인(142)으로부터 반응 가스를 공급받아 기판(W)의 외측에서 기판(W)의 가장자리 영역으로부터 기판(W)의 중심영역으로 반응 가스를 분사하여, 기판(W)의 처리면에 박막을 증착한다(S130). 이때, 배기부(170)는 하우징(110) 내 공정 가스를 외부로 배출시킨다. 가스 공급부재(130)가 기판(W)의 외측에서 반응 가스를 분사하도록 설치되어 있으므로, 가스 공급부재(130) 내벽에 흡착되어 있던 공정 부산물들이 떨어져나갈 때, 가스 공급부재(130)와 지지부재(120)의 사이의 간격으로 빠져나가 배기부(170)에 의해 배출되도록 한다. 따라서, 공정 부산물에 의해 기판(W)의 처리면이 오염되는 것을 방지한다.Referring to FIG. 3D, when the substrate W is heated to a process temperature, the gas supply member 130 receives a reaction gas from the reaction gas supply line 142 and an edge of the substrate W outside the substrate W. Referring to FIG. The reaction gas is injected from the region into the center region of the substrate W to deposit a thin film on the processing surface of the substrate W (S130). At this time, the exhaust unit 170 discharges the process gas in the housing 110 to the outside. Since the gas supply member 130 is installed to inject the reaction gas from the outside of the substrate W, when the process by-products adsorbed on the inner wall of the gas supply member 130 fall off, the gas supply member 130 and the support member Out of the interval between the 120 to be discharged by the exhaust unit 170. Therefore, the processing surface of the substrate W is prevented from being contaminated by the process by-products.

도 3e를 참조하면, 기판(W)에 박막이 증착되면 가스 공급부재(130)는 불활성가스 공급라인(144)으로부터 불활성 가스를 공급받아 하우징(110) 내부로 공급한다. 그리고, 제 1 구동기(162)는 지지부재(120)를 공정 위치(b)로부터 로딩/언로딩 위치(a)로 이동시키고, 제 2 구동기(164)는 제 2 가열기(154)를 가열 위치(d)로부터 대기 위치(c)로 이동시킨다.Referring to FIG. 3E, when a thin film is deposited on the substrate W, the gas supply member 130 receives an inert gas from the inert gas supply line 144 and supplies the inert gas into the housing 110. The first driver 162 moves the support member 120 from the process position b to the loading / unloading position a, and the second driver 164 moves the second heater 154 to the heating position ( from d) to the standby position (c).

도 3f를 참조하면, 지지부재(120)가 로딩/언로딩 위치(a)에 이동하면, 하우징(110) 외부에 설치된 기판 이송장치(미도시됨)은 지지부재(120)에 안착된 기판(W)을 하우징(110) 외부로 언로딩시킨다(S140). 이때, 가스 공급부재(130)는 불활성 가스를 공급하고, 배기부(170)는 하우징(110) 내부로 공급되는 불활성 가스를 배출시킨다.Referring to FIG. 3F, when the support member 120 moves to the loading / unloading position (a), the substrate transfer device (not shown) installed outside the housing 110 may be a substrate (not shown) mounted on the support member 120. W) is unloaded to the outside of the housing 110 (S140). In this case, the gas supply member 130 supplies an inert gas, and the exhaust unit 170 discharges the inert gas supplied into the housing 110.

상술한 구성을 갖는 기판 처리 장치 및 방법은 가스 공급부재(130)가 기판(W)의 외측에서 공정가스를 분사하도록 설치되어 있으므로, 가스 공급부재(130)로부터 떨어져나가는 공정 부산물들이 기판(W)의 처리면으로 향하지 않고, 가스 공급부재(130)와 지지부재(120)의 사이의 간격으로 빠져나가도록 제작된다. 따라서, 공정시 기판이 공정 부산물과 같은 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지한다.In the substrate processing apparatus and method having the above-described configuration, since the gas supply member 130 is installed to inject the process gas from the outside of the substrate W, the process by-products that are separated from the gas supply member 130 are transferred to the substrate W. It is manufactured to exit at the interval between the gas supply member 130 and the support member 120 without facing to the processing surface of the. Thus, during processing, the substrate is prevented from being contaminated by contaminants such as process byproducts.

또한, 상술한 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 공정 온도로 가열하는 가열 부재(150)가 기판(W)의 하측에서 기판(W)을 가열하는 제 1 가열기(152) 및 기판(W)의 상측에서 기판(W)을 가열하는 제 2 가열기(154)가 구비되고, 제 1 및 제 2 가열기(152, 154)가 기판(W)을 가열하는 위치를 조정할 수 있도록 제작된다. 따라서, 기판(W)의 온도를 단시간에 균일하게 가열할 수 있고, 기판(W)의 가열을 정밀하게 수행할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 100 described above includes a first heater 152 and a substrate (in which a heating member 150 for heating the substrate W to a process temperature) heats the substrate W under the substrate W. The second heater 154 for heating the substrate W is provided on the upper side of the W), and the first and second heaters 152 and 154 are manufactured to adjust the position for heating the substrate W. Therefore, the temperature of the board | substrate W can be heated uniformly in a short time, and heating of the board | substrate W can be performed precisely.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판이 공정 부산물과 같은 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지한다.As described above, the substrate processing apparatus and method according to the present invention prevent the substrate from being contaminated by contaminants such as process by-products during the process.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 온도를 균일하게 가열한다.Moreover, the substrate processing apparatus which concerns on this invention heats the temperature of a board | substrate uniformly.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 단시간에 공정 온도로 가열한다.Moreover, the substrate processing apparatus which concerns on this invention heats a board | substrate to process temperature in a short time.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 가열을 정밀하게 수행한다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention precisely performs heating of the substrate.

Claims (13)

반도체 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing a semiconductor substrate, 공정시 내부에 기판을 수용하며, 반도체 공정이 수행되는 공간을 갖는 하우징과,A housing accommodating a substrate therein during the process and having a space where a semiconductor process is performed; 상기 하우징의 내부 하측에 설치되어 기판을 안착시키는 지지부재와,A support member installed at an inner lower side of the housing to seat a substrate; 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부재를 포함하되,Including a gas supply member for supplying a process gas on the substrate seated on the support member during the process, 상기 가스 공급부재는,The gas supply member, 상기 지지부재에 안착된 기판의 외측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a substrate disposed on an outer side of the substrate seated on the support member. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 공급부재는,The gas supply member, 링 형상을 가지며, 상기 가스 공급부재에 내측으로 공정 가스를 분사하는 분사홀들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.It has a ring shape, the substrate processing apparatus, characterized in that the injection hole for injecting the process gas into the gas supply member is formed. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가스 공급부재는,The gas supply member, 환형인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that the annular. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 분사홀들은,The injection holes, 상기 가스 공급부재의 내벽에 균등하게 제공되어, 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리 영역으로부터 상기 기판의 중심영역으로 공정 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus characterized in that it is uniformly provided on the inner wall of the gas supply member, and sprays the process gas from the edge region of the substrate seated on the support member to the center region of the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 처리 공정은,The treatment step, 기판상에 박막을 증착시키는 공정인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.It is a process of depositing a thin film on a board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판을 가열시키는 가열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus further comprises a heating member for heating the substrate seated on the support member during the process. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 가열 부재는,The heating member, 상기 지지부재에 제공되는 제 1 가열기와,A first heater provided to the support member; 상기 하우징의 상측에서 상기 지지부재와 마주보도록 설치되는 제 2 가열기 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second heater installed to face the support member at an upper side of the housing. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 제 1 가열기가 제공된 상기 지지부재 또는 상기 제 2 가열기 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a driving unit for moving at least one of the support member and the second heater provided with the first heater. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 제 1 가열기가 제공된 상기 지지부재 및 상기 제 2 가열기를 이동시키는 구동부를 더 포함하되,Further comprising a drive for moving the support member and the second heater provided with the first heater, 상기 구동부는,The driving unit, 상기 지지부재에 안착된 기판을 가열시키는 가열위치 및 상기 지지부재를 가열하기 전에 대기하는 대기 위치 상호간에 상기 제 1 가열기를 이동시키는 제 1 구동기와,A first driver for moving said first heater between a heating position for heating a substrate seated on said support member and a standby position waiting before heating said support member; 상기 하우징의 외부로/로부터 기판을 반출/반입하기 위한 로딩/언로딩 위치 및 상기 가스 공급부재의 내측으로 인입되어 상기 공정 가스를 공급받는 공정 위치 상호간에 상기 지지부재를 이동시키는 제 2 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A second driver for moving the support member between a loading / unloading position for carrying in / out a substrate to and from the housing and a process position that is drawn into the gas supply member to receive the process gas; The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 반도체 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a semiconductor substrate, 공정시 기판을 수용하여, 상기 기판의 외측에서 상기 기판의 가장자리영역으로부터 상기 기판의 중심영역으로 공정 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising receiving a substrate during a process and injecting a process gas from an edge region of the substrate to a center region of the substrate outside the substrate. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 기판 처리 방법은,The substrate processing method, 상기 기판상에 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And depositing a thin film on the substrate. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 기판 처리 방법은,The substrate processing method, 수용된 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하되,Further comprising heating the received substrate, 상기 기판을 가열하는 단계는,Heating the substrate, 상기 기판의 상부 및 하부 각각에서 상기 기판을 가열시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And heating the substrate at each of the upper and lower portions of the substrate. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판을 가열하는 단계는,Heating the substrate, 상기 기판의 상부에서 상기 기판을 가열하는 제 1 가열기 및 상기 기판의 하 부에서 상기 기판을 가열하는 제 2 가열기를 상하로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And adjusting a first heater for heating the substrate at the top of the substrate and a second heater for heating the substrate at the bottom of the substrate.
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KR101642767B1 (en) * 2015-09-02 2016-07-26 (주)아인스 apparatus for cleaning aluminum member

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