KR20070080165A - Flatness sensor apparatus of wafer stage and method for sensing thereof - Google Patents

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KR20070080165A
KR20070080165A KR1020060011339A KR20060011339A KR20070080165A KR 20070080165 A KR20070080165 A KR 20070080165A KR 1020060011339 A KR1020060011339 A KR 1020060011339A KR 20060011339 A KR20060011339 A KR 20060011339A KR 20070080165 A KR20070080165 A KR 20070080165A
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삼성전자주식회사
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Abstract

A flatness detecting apparatus of a wafer stage and a method thereof are provided to check the existence of particles in short time and to detect a damaged portion of a surface of the wafer stage by using a sensor unit. A flatness detecting apparatus includes a wafer stage(106) for loading a wafer, a sensor unit, and a control unit. The sensor unit(104) irradiates a laser beam onto a surface of the wafer stage and obtaining detection data from the laser beam reflected from the surface of the wafer stage. The control unit(102) receives the detection data from the sensor unit and discriminates the flatness of the surface of the wafer stage. The sensor unit obtains the detection data by checking the time difference between a laser beam irradiation point and a laser beam reflection point.

Description

웨이퍼 스테이지의 평탄도 감지 장치 및 그 방법{FLATNESS SENSOR APPARATUS OF WAFER STAGE AND METHOD FOR SENSING THEREOF}Flatness detection device of wafer stage and its method {FLATNESS SENSOR APPARATUS OF WAFER STAGE AND METHOD FOR SENSING THEREOF}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지의 평탄도 감지 장치의 구성을 나타내는 도면;1 is a view showing the configuration of a flatness sensing device of a wafer stage according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 센서 유닛의 감지 데이터를 설명하기 위한 파형도;FIG. 2 is a waveform diagram illustrating the sensed data of the sensor unit shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 데이터 파형도들; 그리고3 is a sensed data waveform diagram according to an embodiment of the present invention; And

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지의 평탄도 감지 수순을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a flatness sensing procedure of the wafer stage according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 반도체 제조 설비100: semiconductor manufacturing equipment

102 : 제어부102: control unit

104 : 센서 유닛104: sensor unit

106 : 웨이퍼 스테이지106: wafer stage

108 : 프로젝션 렌즈108: projection lens

110 : 파티클110: Particles

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼 스테이지의 평탄도를 감지하여 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부 및 파티클 유무를 감지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to an apparatus and a method for sensing the flatness of a wafer stage to detect whether a wafer stage surface is damaged and whether particles are present.

일반적으로 반도체 제조 공정 중 포토 리소그라피 공정을 처리하는 반도체 노광 설비는 포토 마스크 또는 레티클과, 광원 및 렌즈 등을 포함하는 광학 시스템을 이용하여 반도체 기판에 회로 패턴을 형성한다. 즉, 반도체 노광 설비는 광원으로부터 주사되는 광으로 웨이퍼 상에 코팅된 포토레지스트를 감광시키고, 현상 및 식각 공정을 거쳐 웨이퍼에 원하는 패턴을 형성한다.In general, a semiconductor exposure apparatus that processes a photolithography process in a semiconductor manufacturing process forms a circuit pattern on a semiconductor substrate using an optical system including a photo mask or a reticle, a light source, a lens, and the like. That is, the semiconductor exposure equipment exposes the photoresist coated on the wafer with light scanned from the light source, and forms a desired pattern on the wafer through a developing and etching process.

이러한 노광 설비 예를 들어, 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지(또는 척) 표면에 파티클이 존재하는 상태에서 노광 공정을 수행하는 경우가 빈번하게 발생되는데, 웨이퍼 기판이 파티클로 인하여 부분적 즉, 파티클이 존재하는 위치와 파티클이 존재하지 않는 위치의 Z 축 방향으로 미세한 높이 차이가 발생하게 된다.In such exposure equipment, for example, an exposure process is frequently performed while particles are present on the wafer stage (or chuck) surface on which the wafer is placed. There is a slight height difference in the Z-axis direction between the position and the position where the particle does not exist.

그 결과, 반복적으로 이루어지는 노광 공정 수행시, 웨이퍼 스테이지 표면에 존재하는 파티클에 의해 노광된 웨이퍼에 포커스(focus) 불량 등의 결함 발생의 원인이 된다.As a result, when the exposure process is performed repeatedly, defects such as poor focus on the wafer exposed by the particles present on the wafer stage surface are caused.

이를 방지하기 위하여, 반도체 노광 설비는 웨이퍼 스테이지의 로컬 세정 공정을 실시하는데, 로컬 세정 공정 전후의 데이터를 비교하기 위해 액티브 웨이퍼(active wafer)를 이용하여 웨이퍼 스테이지의 평탄도(flatness)를 검사한다. 즉, 액티브 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(또는 척)에 로딩한 후, 웨이퍼 스테이지의 평탄 도를 검사한다. 이 검사 방법은 소요 시간이 많이 걸리는 문제점이 있다.To prevent this, the semiconductor exposure apparatus performs a local cleaning process of the wafer stage, which checks the flatness of the wafer stage using an active wafer to compare data before and after the local cleaning process. That is, after loading the active wafer into the wafer stage (or chuck), the flatness of the wafer stage is inspected. This test method has a problem that it takes a long time.

본 발명의 목적은 반도체 노광 설비에서 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부를 감지하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for detecting whether a wafer stage surface is damaged in a semiconductor exposure facility.

본 발명의 다른 목적은 반도체 노광 설비에서 웨이퍼 스테이지 표면에 파티클 존재 여부를 감지하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for detecting the presence of particles on a wafer stage surface in a semiconductor exposure facility.

상기 목적들을 달성하기 위한, 웨이퍼 스테이지의 평탄도 감지 장치는 레이저를 이용하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 장치는 웨이퍼 스테이지의 표면 상태에 대응하여 레이저의 조사 및 감지 소요 시간 차이에 대한 감지 데이터를 획득하여 웨이퍼 스테이지의 표면 상태를 확인할 수 있다. To achieve the above objects, the flatness sensing device of the wafer stage is characterized by using a laser. As such, the device may check the surface state of the wafer stage by acquiring detection data on the difference in the time required for irradiation and detection of the laser in response to the surface state of the wafer stage.

본 발명의 평탄도 감지 장치는: 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지와; 스캔 방향으로 이동하면서 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로 레이저를 조사하고, 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로부터 반사된 레이저를 받아서 감지 데이터를 획득하는 센서부 및; 상기 센서부로부터 상기 감지 데이터를 받아서 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 평탄도를 판별하는 제어부를 포함한다.The flatness sensing device of the present invention comprises: a wafer stage on which a wafer is placed; A sensor unit for irradiating a laser onto the wafer stage surface while moving in a scanning direction, receiving a laser reflected from the wafer stage surface, and obtaining sensing data; And a controller configured to receive the sensed data from the sensor unit and determine flatness of the wafer stage surface.

한 실시예에 있어서, 상기 센서부는; 상기 웨이퍼 스테이지와의 거리에 의해 상기 레이저의 조사에서 반사까지의 소요 시간을 감지하여 상기 감지 데이터를 획득한다.In one embodiment, the sensor unit; The detection time is acquired by sensing the time required from the irradiation of the laser to the reflection by the distance from the wafer stage.

다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 감지 데이터를 이용하여 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부 및 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 파티클 유무를 판별한다.In another embodiment, the control unit; The sensed data is used to determine whether the wafer stage surface is damaged or whether particles on the wafer stage surface are present.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 웨이퍼 스테이지의 평탄도를 감지하는 장치의 처리 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 평탄도 감지 장치의 처리 방법은: 센서부로부터 웨이퍼 스테이지 표면으로 레이저를 조사한다. 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로부터 반사된 상기 레이저를 상기 센서부로 받아들인다. 상기 레이저의 조사에서 반사까지의 소요 시간을 감지한다. 이어서 상기 감지 결과에 대응하여 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 평탄도를 판별한다.According to another feature of the invention, there is provided a processing method of an apparatus for detecting the flatness of a wafer stage. According to this method, the processing method of the flatness sensing apparatus: irradiates a laser from the sensor part to the wafer stage surface. The laser reflected from the wafer stage surface is received by the sensor unit. The time required from the irradiation of the laser to the reflection is sensed. Subsequently, the flatness of the wafer stage surface is determined in response to the detection result.

한 실시예에 있어서, 상기 감지하는 것은, 상기 센서부와 상기 웨이퍼 스테이지와의 거리 차이에 의해 상기 소요 시간을 감지한다.In one embodiment, the sensing is to detect the time required by the distance difference between the sensor unit and the wafer stage.

다른 실시예에 있어서, 상기 평탄도를 판별하는 것은, 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부 및 상기 웨이퍼 스테이지 표면에 파티클이 존재하는지를 판별한다.In another embodiment, determining the flatness determines whether the wafer stage surface is damaged and whether particles are present on the wafer stage surface.

본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 노광 설비의 일부 구성을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a part of a configuration of a semiconductor exposure apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 노광 설비(100) 예를 들어, 캐논 사의 스캐너 설비는 레이저 지연 시간 즉, 소요 시간(도 2의 T)을 이용한 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 감지하기 위한 장치(102 ~ 106)를 구비한다. 그리고 전형적인 반도체 노광 설비의 구성 요소들 예를 들어, 광원(미도시됨), 프로젝션 렌즈(108) 등의 광학 시스템 및 스캔 이동을 위한 구동 장치(미도시됨)들을 구비한다.Referring to FIG. 1, for example, a semiconductor exposure apparatus 100, for example, a scanner apparatus of Canon Corp., may be used to detect flatness of the wafer stage 106 using a laser delay time, that is, a required time (T in FIG. 2). 102 to 106). And components of a typical semiconductor exposure installation, for example, a light source (not shown), an optical system such as projection lens 108, and drive devices (not shown) for scan movement.

평탄도 감지 장치(102 ~ 106)는 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 스테이지(106)와, 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 감지하는 센서 유닛(104) 및, 감지된 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 이용하여 웨이퍼 스테이지(106)의 표면 손상 여부 및 파티클(110) 발생 여부를 판별하는 제어부(102)를 포함한다. 평탄도 감지 장치(102 ~ 106)는 레이저를 이용하여 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 검사한다.The flatness sensing devices 102 to 106 measure the flatness of the wafer stage 106 on which the wafer is loaded, the sensor unit 104 for sensing the flatness of the wafer stage 106, and the sensed flatness of the wafer stage 106. The controller 102 may be configured to determine whether the wafer stage 106 is damaged by the surface of the wafer stage 106 and whether or not the particle 110 is generated. The flatness sensing devices 102 to 106 check the flatness of the wafer stage 106 using a laser.

구체적으로, 센서 유닛(104)은 웨이퍼 스테이지(106)와 프로젝션 렌즈(108) 사이에 구비되어 X 축 방향으로 스캔 이동하면서 레이저(광신호)를 웨이퍼 스테이지(106) 표면으로 조사하고, 조사된 레이저가 웨이퍼 스테이지(106) 표면에 의해 반사되면, 이 반사된 레이저를 받아서 웨이퍼 스테이지(106) 표면에 대한 감지 데이터(도 2의 DATA)를 획득한다.Specifically, the sensor unit 104 is provided between the wafer stage 106 and the projection lens 108 to irradiate a laser (optical signal) to the surface of the wafer stage 106 while scanning movement in the X-axis direction, and irradiated laser Is reflected by the surface of the wafer stage 106, this reflected laser is received to obtain sensing data (DATA in FIG. 2) for the surface of the wafer stage 106.

그리고 제어부(102)는 센서 유닛(104)으로부터 감지 데이터(DATA)를 받아서 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 판별하여, 웨이퍼 스테이지(106) 표면의 손상 여부 및 파티클 존재 여부를 판별한다.The controller 102 receives the sensing data DATA from the sensor unit 104 and determines the flatness of the wafer stage 106 to determine whether the surface of the wafer stage 106 is damaged or whether particles are present.

감지 데이터(DATA)는 도 2에 도시된 바와 같이, 특정 경향이 변화가 발생되 는 위치(또는 구간)(A3)에서 웨이퍼 스테이지(106) 표면의 손상되거나 파티클(110)이 존재하는 것을 의미한다.As illustrated in FIG. 2, the sensed data DATA may indicate that a certain tendency is damaged or particles 110 are present on the surface of the wafer stage 106 at a location (or section) A3 where a change occurs.

즉, 제 1 구간(A1)의 감지 데이터(DATA) 중에서 레이저가 존재하지 않는 곳은 웨이퍼 스테이지(106) 이외의 부분으로 스캐닝 시작 위치(scanning starting position) 지역을 의미하며, 반사된 레이저의 값이 존재하는 곳은 웨이퍼 스테이지(106) 상부의 위치로 센서 유닛(104)이 들어 갔음을 의미한다.That is, the place where the laser does not exist among the sensing data DATA in the first section A1 means a region of a scanning starting position to a portion other than the wafer stage 106, and the value of the reflected laser is Where present means that the sensor unit 104 has entered the position above the wafer stage 106.

제 2 구간(A2)의 감지 데이터(DATA)에서 일정한 지연 시간을 가지고 레이저가 감지되는 것으로 웨이퍼 스테이지(106)가 지니고 있는 고유의 높이 차이(T3-T2) 즉, 웨이퍼 스테이지(106)의 고유의 표면 모양을 의미한다.Intrinsic height difference T3-T2 of the wafer stage 106, that is, inherent to the wafer stage 106, is detected by the laser having a predetermined delay time in the sensing data DATA of the second section A2. It means the surface shape.

그리고 제 3 구간(A3)의 감지 데이터(DATA)는 기존 감지 데이터의 경향에서 크게 벗어나는 지역으로 웨이퍼 스테이지(106) 표면 위에 어떤 물질 즉, 파티클(110)이 존재하거나 웨이퍼 스테이지(106) 표면이 다른 위치와는 다른 모양 예를 들어, 손상되어 레이저가 반사되어 감지되는 시간(T1)이 줄어든 것을 확인할 수 있다.In addition, the sensing data DATA of the third section A3 is an area that greatly deviates from the tendency of the existing sensing data, and a material, that is, particles 110 or different surfaces on the wafer stage 106 is different from the surface of the wafer stage 106. It can be seen that the shape different from the position, for example, is damaged and the time T1 at which the laser is reflected and detected is reduced.

따라서 감지 데이터(DATA)는 도 3에 도시된 바와 같이, 센서 유닛(104)으로부터 웨이퍼 스테이지(106)로 조사된 레이저가 웨이퍼 스테이지(106) 표면에서 반사되는 소요 시간(T)에 대한 것(a)으로, 감지 데이터(DATA)(a)를 거꾸로 돌리면(inversed), 실제 웨이퍼 스테이지(106)의 표면 상태를 확인할 수 있다. 즉, 거꾸로 돌린 데이터(inversed data)(b)는 웨이퍼 스테이지(106) 표면의 상태를 의미한다. 그러므로 거꾸로 돌린 데이터(inversed data)(b)와 원래 웨이퍼 스테이지(106) 의 표면 상태의 데이터(c)를 비교하여 보면, 웨이퍼 스테이지(106)의 각 위치에 대한 다른 소요 시간으로 인하여 특정 경향의 감지 데이터(120, 130)가 획득되는데, 이 위치(120)에서 파티클 및/또는 웨이퍼 스테이지(106) 표면이 손상 상태임을 알 수 있다.Therefore, the sensing data DATA is as shown in FIG. 3, in relation to the required time T at which the laser irradiated from the sensor unit 104 to the wafer stage 106 is reflected from the surface of the wafer stage 106 (a). By inverting the sensed data DATA (a), the surface state of the actual wafer stage 106 can be confirmed. That is, inversed data b means the state of the wafer stage 106 surface. Thus, comparing the inversed data b with the data c of the surface state of the original wafer stage 106, the detection of a particular trend is due to the different time required for each position of the wafer stage 106. Data 120 and 130 are acquired, where it can be seen that the particle and / or wafer stage 106 surface is damaged.

또, 본 발명의 평탄도 감지 장치(102 ~ 106)는 레이저를 이용하여 스캐닝 속도를 빠르게 하여 웨이퍼 스테이지(106)의 표면 상태를 확인하므로 파티클(110) 유무를 확인하는데 소요 시간(T)이 줄어든다. 또한 웨이퍼 스테이지(106) 세정 후, 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도 검사(Stage Flatness Check)를 하는 경우, 평탄도 검사 소요 시간이 전체 소요 시간의 약 45 % 정도(예를 들어, 세정 약 20 ~ 25 분, 평탄도 검사 약 15 분 소요)가 차지하는데, 그 비율을 줄임으로써, 빈번히(예를 들어, 현재 약 3 건/1 일 정도) 발생되는 로컬 세정 공정으로 인한 소요 시간을 줄일 수 있다.In addition, the flatness sensing devices 102 to 106 of the present invention use a laser to increase the scanning speed to check the surface state of the wafer stage 106, thereby reducing the time (T) required to confirm the presence or absence of the particle 110. . In addition, in the case of performing a stage flatness check of the wafer stage 106 after cleaning the wafer stage 106, the time required for the flatness inspection is about 45% of the total required time (for example, about 20 to about cleaning). 25 minutes, which takes about 15 minutes of flatness inspection), by reducing the rate, it is possible to reduce the time required due to the local cleaning process, which occurs frequently (for example, about 3 cases per day).

그리고 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지의 평탄도 감지 수순을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a flatness sensing procedure of the wafer stage according to the present invention.

도 4를 참조하면, 단계 S150에서 센서 유닛(104)을 X 축 방향으로 스캔 이동하면서 웨이퍼 스테이지(106)로 레이저를 조사한다. 단계 S152에서 조사된 레이저가 웨이퍼 스테이지(106) 표면에 의해 반사되면 이를 센서 유닛(104)에서 받아들여서, 반사된 레이저의 소요 시간(T)에 대한 감지 데이터(DATA)를 획득한다.Referring to FIG. 4, in step S150, the laser is irradiated onto the wafer stage 106 while the sensor unit 104 is scanned in the X axis direction. If the laser irradiated in step S152 is reflected by the surface of the wafer stage 106, it is accepted by the sensor unit 104 to obtain the sensing data DATA for the required time T of the reflected laser.

단계 S154에서 획득된 감지 데이터(DATA)를 이용하여 레이저 조사에서 반사 및 감지된 소요 시간에 대한 차이를 판별한다. 즉, 웨이퍼 스테이지(106)의 특정 위치에서 특정 경향의 감지 데이터(DATA)가 발생되어서 이에 따른 소요 시간(T)이 감지되었는지를 판별한다.The difference in the time required for reflection and detection in laser irradiation is determined using the sensing data DATA acquired in step S154. That is, it is determined whether the sensing data DATA of a specific trend is generated at a specific position of the wafer stage 106 and thus the required time T is sensed.

판별 결과, 소요 시간(T)이 감소되었으면 이 수순은 단계 S156으로 진행하여 해당 위치의 웨이퍼 스테이지(106) 표면이 손상되거나 파티클(도 1의 110)이 존재하는지를 확인한다. 따라서 웨이퍼 스테이지(106) 표면에 손상을 보수하거나 웨이퍼 스테이지(106)를 세정하여 파티클을 제거한다.As a result of the determination, if the required time T is reduced, the procedure proceeds to step S156 to check whether the surface of the wafer stage 106 at the corresponding position is damaged or the particles (110 in FIG. 1) are present. Therefore, damage to the surface of the wafer stage 106 is repaired or the wafer stage 106 is cleaned to remove particles.

그리고 소요 시간(T)이 감소되지 않았으면, 즉, 특정 경향의 감지 데이터(DATA)가 획득되지 않으면, 단계 S158으로 진행하여 웨이퍼 스테이지(106) 표면이 양호하므로 웨이퍼 스테이지(106) 표면 검사를 완료하고 후속 공정을 처리한다.If the required time T has not been reduced, that is, if the sensed data DATA of a particular tendency is not obtained, the process proceeds to step S158 where the wafer stage 106 surface is good, thus completing the wafer stage 106 surface inspection. And the subsequent process.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 검사하는 평탄도 감지 장치(102 ~ 106)는 레이저를 이용하여 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도를 검사한다. 또 검사 방법은 레이저의 파장 중 반사되는 것을 센서 유닛(104)에 의해 감지하고 제어부(102)가 이를 소요 시간별로 분석한다. 그러므로 전체 웨이퍼 스테이지(106)에서 특정 경향 즉, 웨이퍼 스테이지(106) 표면에 따른 감지 데이터(DATA)의 파형 모양이 다른 지점과 차이가 나는 지점을 찾아 파티클(110)의 존재 여부 및 로컬 세정 전후의 데이터를 비교한다. 따라서 웨이퍼 스테이지(106)의 평탄도 검사에 소요되는 시간을 줄일 뿐 아니라 웨이퍼 스테이지(106) 표면의 손상 여부까지 파악할 수 있다.As described above, the flatness sensing devices 102 to 106 that inspect the flatness of the wafer stage 106 according to the present invention inspect the flatness of the wafer stage 106 using a laser. In addition, the inspection method detects the reflection of the wavelength of the laser by the sensor unit 104 and the control unit 102 analyzes it for each time required. Therefore, a specific trend in the entire wafer stage 106, that is, the point where the waveform shape of the sensing data DATA according to the surface of the wafer stage 106 differs from the other points, is searched for before and after the presence of the particle 110 and before and after local cleaning. Compare the data. Therefore, not only the time required for the flatness inspection of the wafer stage 106 can be reduced, but also the surface of the wafer stage 106 can be identified.

이상에서, 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지 평탄도 감지 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the wafer stage flatness sensing apparatus according to the present invention has been shown in accordance with the detailed description and drawings, but this is merely described by way of example, and various changes without departing from the technical spirit of the present invention. And changes are possible.

상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 노광 설비는 레이저를 이용하여 웨이퍼 스테이지의 평탄도를 감지하는 장치를 구비함으로써, 레이저의 반사 지연 시간(delay time)을 측정하여 감지 데이터를 획득하고, 감지 데이터의 경향(trend)을 판별하여 웨이퍼 스테이지의 표면에 대한 손상 여부 등의 기본적인 정보뿐 만 아니라 로컬 포커스(local focus)를 발생시킬 수 있는 파티클의 유무를 보다 빠른 시간에 파악할 수 있다.As described above, the semiconductor exposure apparatus of the present invention includes a device for detecting the flatness of the wafer stage by using a laser, thereby measuring the reflection delay time of the laser to obtain sensing data, and Trends can be determined to quickly identify the presence of particles that can cause local focus, as well as basic information such as damage to the surface of the wafer stage.

Claims (6)

반도체 노광 설비의 평탄도 감지 장치에 있어서:In the flatness detection device of the semiconductor exposure equipment: 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지와;A wafer stage on which the wafer is placed; 스캔 방향으로 이동하면서 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로 레이저를 조사하고, 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로부터 반사된 레이저를 받아서 감지 데이터를 획득하는 센서부 및;A sensor unit for irradiating a laser onto the wafer stage surface while moving in a scanning direction, receiving a laser reflected from the wafer stage surface, and obtaining sensing data; 상기 센서부로부터 상기 감지 데이터를 받아서 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 평탄도를 판별하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감지 장치.And a control unit which receives the sensing data from the sensor unit and determines the flatness of the wafer stage surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서부는;The sensor unit; 상기 웨이퍼 스테이지와의 거리에 의해 상기 레이저의 조사에서 반사까지의 소요 시간을 감지하여 상기 감지 데이터를 획득하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감지 장치.And detecting the time required from the irradiation of the laser to the reflection based on the distance from the wafer stage to obtain the detection data. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제어부는;The control unit; 상기 감지 데이터를 이용하여 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부 및 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 파티클 유무를 판별하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감 지 장치.And detecting the damage of the wafer stage surface and the presence or absence of particles on the wafer stage surface using the sensed data. 평탄도 감지 장치의 처리 방법에 있어서:In the method of processing the flatness detection device: 센서부로부터 웨이퍼 스테이지 표면으로 레이저를 조사하는 단계와;Irradiating a laser from the sensor portion to the wafer stage surface; 상기 웨이퍼 스테이지 표면으로부터 반사된 상기 레이저를 상기 센서부로 받아들이는 단계와;Receiving the laser reflected from the wafer stage surface into the sensor portion; 상기 레이저의 조사에서 반사까지의 소요 시간을 감지하는 단계 및;Sensing the time required from the irradiation of the laser to the reflection; 상기 감지 결과에 대응하여 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 평탄도를 판별하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감지 장치의 처리 방법.And determining the flatness of the surface of the wafer stage in response to the detection result. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 감지하는 단계는 상기 센서부와 상기 웨이퍼 스테이지와의 거리 차이에 의해 상기 소요 시간을 감지하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감지 장치의 처리 방법.The detecting may include detecting the time required by a distance difference between the sensor unit and the wafer stage. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 평탄도를 판별하는 단계는 상기 웨이퍼 스테이지 표면의 손상 여부 및 상기 웨이퍼 스테이지 표면에 파티클이 존재하는지를 판별하는 것을 특징으로 하는 평탄도 감지 장치의 처리 방법.The determining of the flatness may include determining whether the wafer stage surface is damaged and whether particles are present on the wafer stage surface.
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