KR20070071506A - Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20070071506A
KR20070071506A KR1020050135016A KR20050135016A KR20070071506A KR 20070071506 A KR20070071506 A KR 20070071506A KR 1020050135016 A KR1020050135016 A KR 1020050135016A KR 20050135016 A KR20050135016 A KR 20050135016A KR 20070071506 A KR20070071506 A KR 20070071506A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
electrode rod
pecvd apparatus
process tube
disposed
Prior art date
Application number
KR1020050135016A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
장진수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050135016A priority Critical patent/KR20070071506A/en
Publication of KR20070071506A publication Critical patent/KR20070071506A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

An electrode bar of a PECVD apparatus is provided to support first and second electrode bars even if the first and second electrode bars are deteriorated by an interval of long time by including a sagging preventing cap composed of a plurality of unit capsules that are inserted to be closely attached to each outer surface of the first and second electrode bars. A first electrode bar(136) to which plasma power is applied is disposed in the lengthwise direction of a process tube. A second electrode bar(138) to which bias power is applied is disposed in parallel with the first electrode bar, separated from the first electrode bar by a predetermined interval. A sagging preventing cap is inserted into the first and second electrode bars by its corresponding length to prevent the first and second electrode bars from sagging. The sagging preventing cap is composed of a plurality of unit capsules(137) of a cylindrical type whose inner diameter is the same as the outer diameter of each one of the first and second electrode bars.

Description

ＰＥＣＶＤ 장치의 전극봉{ELECTRODE OF PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Electrode bar of PCD device {ELECTRODE OF PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

도 1은 종래 PECVD 장치의 개략적 구성을 나타낸 종단면도이다.1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional PECVD apparatus.

도 2는 도 1의 공정 튜브 내부에 배치되는 전극봉을 나타낸 도면이다.2 is a view showing an electrode disposed inside the process tube of FIG.

도 3은 반복적 사용에 따라 처짐 현상이 나타난 전극봉을 보인 도면이다.3 is a view showing an electrode showing a deflection phenomenon with repeated use.

도 4는 본 발명에 따른 PECVD 장치의 전극봉을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the electrode of the PECVD apparatus according to the present invention.

**도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

20 : 공정 튜브 22 : 배기 포트20 process tube 22 exhaust port

26, 28 : 관 40 : 플랜지26, 28: pipe 40: flange

50 : 보트 60 : 엘리베이터50: boat 60: elevator

136 : 제1전극봉 138 : 제2전극봉136: first electrode 138: second electrode

137 : 단위 캡슐137: unit capsule

본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 는 플라즈마를 이용한 화학기상증착 장치인 PECVD(Plasma Enhanced Chamical Vapor Deposition) 장치에 구비되어 공급되는 공정 가스를 플라즈마화시키는 전극봉(Electrode)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an electrode rod for plasmalizing a process gas provided in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus, which is a chemical vapor deposition apparatus using plasma. It is about.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 단위 공정을 거쳐야 하며, 그 중에서 기판인 웨이퍼 표면에 여러 가지 막을 형성하기 위한 공정으로서 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 함) 공정이 주로 사용된다.In general, to manufacture a semiconductor device, a variety of unit processes are required. Among them, chemical vapor deposition (hereinafter, referred to as CVD) is mainly used to form various films on the wafer surface as a substrate. .

통상적으로 상기 CVD 공정은 반응이 이루어지는 공정 튜브 내부의 압력에 따라 저압 CVD(Low Pressure CVD) 공정과, 상압 CVD(Atmospheric Pressure CVD) 공정으로 구분되며, 이 외에 플라즈마 CVD(Plasma Enhanced CVD) 공정 및 광여기 CVD 공정 등이 포함된다. 이 중 상기 플라즈마 CVD 공정은 고주파 전력이 인가되는 전극봉을 통해 공정 튜브 내로 유입되는 공정 가스를 플라즈마화시켜 반응성이 높은 라디칼(radical) 및 이온(ion) 들을 형성하고, 이들의 화학 반응을 통해 원하는 소정막이 웨이퍼 상에 증착되도록 한다.Typically, the CVD process is classified into a low pressure CVD process and an atmospheric pressure CVD process according to the pressure inside the process tube in which the reaction is carried out, in addition to the plasma enhanced CVD process and the optical process. Excitation CVD processes and the like. Among these, the plasma CVD process forms a highly reactive radical and ions by plasmalizing the process gas introduced into the process tube through an electrode to which high frequency power is applied, and through the chemical reaction thereof, a desired predetermined reaction is performed. Allow a film to be deposited on the wafer.

도 1은 종래 PECVD 장치의 개략적 구성을 나타낸 종단면도이고, 도 2는 도 1의 공정 튜브 내부에 배치되는 전극봉을 나타낸 도면이며, 도 3은 반복적 사용에 따라 처짐 현상이 나타난 전극봉을 보인 도면이다.1 is a longitudinal cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional PECVD apparatus, FIG. 2 is a view showing an electrode disposed inside the process tube of FIG. 1, and FIG. 3 is a view showing an electrode showing a deflection phenomenon according to repeated use.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래 PECVD 장치(10)에는 플랜지(40) 상에 장착되어, 증착이 이루어지는 반응 공간을 제공하는 공정 튜브(20)가 구비된다. 상기 공정 튜브(20)에는 그 내부로 공정 가스를 공급하는 노즐(24)과, 공정 완료 후 상기 공정 튜브(20) 내부에 잔류하는 가스를 배출하기 위한 배기 포트(22)가 마 련되어 있다. 상기 배기 포트(22)에는 도시되지 않은 진공 라인을 통해 진공 펌프가 연결되어 상기 공정 튜브(20) 내부를 소정의 진공 분위기로 형성한다. 상기 공정 튜브(20) 외측에는 상기 공정 튜브(20) 내부를 소정의 공정 온도로 형성하기 위해 가열하는 히터(미도시)가 마련된다. As shown in FIGS. 1 and 2, a conventional PECVD apparatus 10 is provided with a process tube 20 mounted on a flange 40 to provide a reaction space in which deposition takes place. The process tube 20 is provided with a nozzle 24 for supplying a process gas therein, and an exhaust port 22 for discharging the gas remaining in the process tube 20 after completion of the process. A vacuum pump is connected to the exhaust port 22 through a vacuum line (not shown) to form the inside of the process tube 20 in a predetermined vacuum atmosphere. Outside the process tube 20 is provided with a heater (not shown) for heating to form the inside of the process tube 20 to a predetermined process temperature.

한편, 상기 공정 튜브(20) 내부의 반응 공간에는 다수 매의 웨이퍼(W)가 적재된 보트(50)가 배치된다. 상기 보트(50)는 베이스 플레이트(62) 상에 장착된 상태로 엘리베이터(60)의 구동에 의해 상기 공정 튜브(20) 내부로 로딩되며, 공정이 완료된 후에는 상기 공정 튜브(20) 외부로 언로딩된다.Meanwhile, a boat 50 in which a plurality of wafers W are loaded is disposed in the reaction space inside the process tube 20. The boat 50 is loaded into the process tube 20 by the operation of the elevator 60 while being mounted on the base plate 62, and after the process is completed, the boat 50 is frozen outside the process tube 20. Loaded.

한편, 상기 공정 튜브(20) 내부에 마련되는 노즐(24)과 나란하게 이격 배치된 관(26) 내에는 플라즈마 전력이 인가되는 제1전극봉(36)이 삽입되어 있고, 상기 관(26)과 나란하게 이격 배치된 또 다른 관(28) 내에는 바이어스 전력이 인가되는 제2전극봉(38)이 삽입되어 있다. Meanwhile, a first electrode rod 36 to which plasma power is applied is inserted into the tube 26 spaced apart from the nozzle 24 provided inside the process tube 20. The second electrode 38 to which the bias power is applied is inserted into another tube 28 arranged side by side.

상기 보트(50)가 엘리베이터(60)의 구동에 의해 상기 공정 튜브(20) 내부로 로딩되어 베이스 플레이트(62)와 플랜지(40)의 바닥면이 밀착됨으로써 상기 공정 튜브(20) 내부가 밀폐되면, 진공 펌프 및 히터에 의해 상기 공정 튜브(20) 내부가 소정의 진공 분위기 및 소정의 고온 분위기로 형성된다. 이와 같은 상태하에서 노즐(24)을 통해 공정 가스가 상기 공정 튜브(20) 내부로 공급되면, 상기 제1전극봉(36)에 플라즈마 전력이 인가되고, 상기 제2전극봉(38)에는 바이어스 전력이 인가됨으로써 상기 제1전극봉(36) 및 제2전극봉(38) 사이에 전계가 형성된다. 이와 같이 형성된 전계에 의해 전자가 가속되어 공정 가스와 충돌함으로써 상기 공정 가스 를 여기시켜 플라즈마가 발생된다. 이와 같이 플라즈마화된 공정 가스에 포함된 반응성이 높은 라디칼(radical) 및 이온(ion) 들은 화학 반응을 통해 웨이퍼(W) 상에 원하는 소정막을 형성한다.When the boat 50 is loaded into the process tube 20 by the driving of the elevator 60 and the bottom surface of the base plate 62 and the flange 40 are in close contact, the inside of the process tube 20 is sealed. The inside of the process tube 20 is formed in a predetermined vacuum atmosphere and a predetermined high temperature atmosphere by a vacuum pump and a heater. In this state, when the process gas is supplied into the process tube 20 through the nozzle 24, plasma power is applied to the first electrode 36, and bias power is applied to the second electrode 38. As a result, an electric field is formed between the first electrode rod 36 and the second electrode rod 38. Electrons are accelerated by the electric field thus formed and collide with the process gas to excite the process gas to generate plasma. The highly reactive radicals and ions contained in the plasmalized process gas form a desired film on the wafer W through a chemical reaction.

그런데 전술한 종래 PECVD 장치(10)에 구비되는 상기 제1 및 제2전극봉(36, 38)의 경우 약 2∼3개월 사용하게 되면, 도 3에 도시된 바와 같이 열화에 의한 처짐 현상이 나타나게 된다. 상기 제1 및 제2전극봉(36, 38)이 열화에 의해 처지게 되면, 그와 같이 처진 만큼에 해당하는 공간에 전계를 형성시키지 못하게 되고, 그에 따라 공정 가스가 플라즈마화되지 못함으로써 보트(50)의 상부에 적재된 웨이퍼(W) 상에는 소정막의 증착이 제대로 이루어지지 않게 되어 공정 불량이 발생되는 문제가 있다.However, when the first and second electrode rods 36 and 38 provided in the above-described conventional PECVD apparatus 10 are used for about two to three months, sagging due to deterioration may occur as shown in FIG. 3. . When the first and second electrode rods 36 and 38 sag due to deterioration, the electric field cannot be formed in the space corresponding to the sag and thus the process gas cannot be plasmatized. There is a problem in that the deposition of the predetermined film is not properly made on the wafer (W) stacked on the top of the) and a process defect occurs.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 장시간 사용에도 열화에 따른 처짐의 문제가 발생되지 않는 PECVD 장치의 전극봉을 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, the technical problem is to provide an electrode of the PECVD apparatus that does not cause sagging due to deterioration even after long-term use.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 PECVD 장치의 전극봉은 PECVD 장치의 공정 튜브 내에 배치되어 공정 가스를 플라즈마화시키는 역할을 수행한다. 상기 PECVD 장치의 전극봉은 상기 공정 튜브의 길이 방향으로 배치되어 플라즈마 전력이 인가되는 제1전극봉과, 상기 제1전극봉과 일정 간격 이격된 상태로 나란히 배치되어 바이어스 전력이 인가되는 제2전극봉, 및 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉의 처짐을 방지하기 위해 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉 각각에 그 해당 길이 만큼 끼워지는 처짐방지캡을 포함한다.The electrode of the PECVD apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is disposed in the process tube of the PECVD apparatus serves to plasma the process gas. The electrode of the PECVD apparatus is a first electrode that is disposed in the longitudinal direction of the process tube to apply plasma power, the second electrode to be arranged side by side spaced apart from the first electrode at a predetermined interval, the bias electrode is applied, and the And a sag prevention cap fitted to each of the first electrode and the second electrode in order to prevent sagging of the first electrode and the second electrode.

이때, 상기 처짐방지캡은 그 내경이 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉 각각의 외경과 동일한 원통 형상을 갖는 복수 개의 단위 캡슐로 구성될 수 있다.In this case, the deflection prevention cap may be composed of a plurality of unit capsules having an inner diameter of the same cylindrical shape as the outer diameter of each of the first electrode and the second electrode.

또한, 상기 단위 캡슐의 상단 및 하단은 둥그스름하게 라운딩처리된 것일 수 있다.In addition, the top and bottom of the unit capsule may be rounded round.

또한, 상기 단위 캡슐은 퀄츠(Quartz) 재질로 형성된 것일 수 있다.In addition, the unit capsule may be formed of a material (Quartz).

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 한편, 첨부된 도면들에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위해 다소 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 명세서 전반에 걸쳐 동일한 참조부호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. On the other hand, the shape and the like of the elements in the accompanying drawings is preferably understood to be somewhat exaggerated for clearer description, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.

도 4는 본 발명에 따른 PECVD 장치의 전극봉을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the electrode of the PECVD apparatus according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 한 쌍의 전극봉(136, 138)은 도 1 및 도 2를 통해 설명한 PECVD 장치(10)의 공정 튜브(20) 내부에 마련된 관들(26, 28)에 각각 삽입되어 노즐(24)을 통해 공급되는 공정 가스를 플라즈마화시킨다. Referring to FIG. 4, the pair of electrodes 136 and 138 according to the present invention are respectively provided in tubes 26 and 28 provided inside the process tube 20 of the PECVD apparatus 10 described with reference to FIGS. 1 and 2. Plasma the process gas that is inserted and supplied through the nozzle 24.

상기 전극봉(136, 138)은 플라즈마 전력이 인가되는 제1전극봉(136)과, 바이어스 전력이 인가되는 제2전극봉(138)으로 구성된다. 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)은 니켈 합금으로 형성될 수 있다.The electrodes 136 and 138 include a first electrode 136 to which plasma power is applied and a second electrode 138 to which bias power is applied. The first electrode 136 and the second electrode 138 may be formed of a nickel alloy.

본 발명에 따른 상기 전극봉(136, 138)의 경우, 장시간의 사용에 따른 열화로 처짐 현상이 발생하는 것을 방지하도록 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)에는 각각 처짐방지캡이 끼워진다. 상기 처짐방지캡은 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138) 각각의 길이 만큼 끼워지는 복수 개의 단위 캡슐(137)로 이루어진다. In the case of the electrode rods 136 and 138 according to the present invention, the sag prevention caps are respectively provided on the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138 to prevent sagging from occurring due to deterioration due to prolonged use. Is fitted. The sag prevention cap includes a plurality of unit capsules 137 that are fitted by the length of each of the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138.

이때, 상기 단위 캡슐(137)은 그 내경이 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138) 각각의 외경과 동일한 대략 원통 형상을 갖는다. 따라서 상기 단위 캡슐(137)은 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138) 각각의 외면과 밀착되어 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)이 장시간의 사용에 따라 열화되더라도 처지지 않도록 지탱해 줌으로써 최초의 설치 상태를 유지할 수 있도록 한다. 그에 따라 도 3을 통해 설명한 바와 같은 종래 기술의 문제점, 즉 열화에 의한 처짐 현상으로, 처진 만큼에 해당하는 공간에 전계가 형성되지 못하여 공정 가스가 플라즈마화되지 못함으로써 보트(50)의 상부에 적재된 웨이퍼(W) 상에 소정막의 증착이 제대로 이루어지지 않게 되어 발생하는 공정 불량의 문제를 해소할 수 있다.In this case, the unit capsule 137 has a substantially cylindrical shape whose inner diameter is the same as the outer diameter of each of the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138. Therefore, the unit capsule 137 is in close contact with the outer surfaces of each of the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138 so that the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138 may be used for a long time. Even if it deteriorates, it is supported to prevent it from sagging so that the original installation state can be maintained. Accordingly, due to the problem of the prior art as described with reference to FIG. 3, that is, a sag caused by deterioration, an electric field is not formed in a space corresponding to the sag and the process gas is not plasmaded so that it is loaded on the top of the boat 50. It is possible to solve the problem of process defects caused by poor deposition of a predetermined film on the wafer W thus formed.

또한, 상기 단위 캡슐(137)은 그 상단 및 하단이 둥그스름하게 라운딩처리되어 있다. 상기 단위 캡슐(137)을 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)에 각각의 길이 만큼 접촉되도록 끼운 후, 공정 튜브(20) 외부로부터 각 관(26, 28) 내에 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)을 각각 삽입할 때 휘어지면서 들어가게 되는데, 상기 단위 캡슐(137)의 상단 및 하단이 둥그스름하게 라운딩처리 되어 있어, 무리 없이 휘어지면서 삽입될 수 있다.In addition, the unit capsule 137 is rounded at its upper and lower ends. The unit capsule 137 is inserted into the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138 so as to be in contact with the respective lengths, and the first capsule 137 is inserted into the tubes 26 and 28 from the outside of the process tube 20. When the electrode rod 136 and the second electrode rod 138 are respectively bent and inserted, the upper and lower ends of the unit capsule 137 are rounded and rounded, so that the electrode rod 136 and the second electrode rod 138 can be inserted while bending.

한편, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138) 각각에는 플라즈마 전력 및 바이어스 전력이 인가되고, 그에 따라 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138)은 매우 고온의 상태가 지속되게 된다. 따라서 상기 제1전극봉(136) 및 상기 제2전극봉(138) 각각의 외면과 밀착되도록 끼워지는 상기 단위 캡슐(137)들은 고온에 강한 세라믹 소재, 예를 들면 퀄츠(Quartz) 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, plasma power and bias power are applied to each of the first electrode 136 and the second electrode 138 to form a plasma, and thus the first electrode 136 and the second electrode 138 are applied. Is very hot. Therefore, the unit capsules 137 fitted to be in close contact with the outer surfaces of each of the first electrode rod 136 and the second electrode rod 138 may be formed of a ceramic material, for example, a quartz material, resistant to high temperature. Do.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention has been described with respect to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications without departing from the scope of the present invention Of course it is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 제1전극봉 및 제2전극봉 각각의 외면과 밀착되도록 끼워지는 복수 개의 단위 캡슐들로 구성된 처짐방지캡을 통해 상기 제1전극봉 및 제2전극봉이 장시간 사용에 따라 열화되더라도 처지지 않도록 지탱해 줌으로써 상기 제1전극봉 및 제2전극봉이 최초의 설치 상태를 유지할 수 있도록 하여 종래와 같은 처짐 현상에 따른 공정 불량을 방지할 수 있다.According to the present invention having the configuration as described above, the first electrode and the second electrode rod for a long time use through the sag prevention cap consisting of a plurality of unit capsules fitted to be in close contact with the outer surface of each of the first electrode and second electrode rods. As a result, the first electrode and the second electrode can maintain the initial installation state by supporting the sag so as not to sag, thereby preventing a process defect due to the sagging phenomenon as in the prior art.

Claims (4)

PECVD 장치의 공정 튜브 내에 배치되어 공정 가스를 플라즈마화시키는 전극봉에 있어서, An electrode rod disposed within a process tube of a PECVD apparatus for plasmalizing a process gas, 상기 공정 튜브의 길이 방향으로 배치되어 플라즈마 전력이 인가되는 제1전극봉;A first electrode rod disposed in the longitudinal direction of the process tube to which plasma power is applied; 상기 제1전극봉과 일정 간격 이격된 상태로 나란히 배치되어 바이어스 전력이 인가되는 제2전극봉; 및A second electrode disposed side by side with a predetermined interval spaced apart from the first electrode and receiving a bias power; And 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉의 처짐을 방지하기 위해 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉 각각에 그 해당 길이 만큼 끼워지는 처짐방지캡을 포함하는 것을 특징으로 하는 PECVD 장치의 전극봉.And a sag prevention cap fitted to each of the first electrode and the second electrode rod by a corresponding length to prevent sagging of the first electrode and the second electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처짐방지캡은 그 내경이 상기 제1전극봉 및 상기 제2전극봉 각각의 외경과 동일한 원통 형상을 갖는 복수 개의 단위 캡슐로 구성되는 것을 특징으로 하는 PECVD 장치의 전극봉.The deflection prevention cap is an electrode rod of a PECVD apparatus, characterized in that the inner diameter is composed of a plurality of unit capsules having a cylindrical shape the same as the outer diameter of each of the first electrode and the second electrode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 단위 캡슐의 상단 및 하단은 둥그스름하게 라운딩처리된 것을 특징으로 하는 PECVD 장치의 전극봉.The electrode rod of the PECVD apparatus, characterized in that the top and bottom of the unit capsule is rounded round. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 단위 캡슐은 퀄츠(Quartz) 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 PECVD 장치의 전극봉.The unit capsule of the PECVD apparatus, characterized in that formed of a (Quartz) material.
KR1020050135016A 2005-12-30 2005-12-30 Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus KR20070071506A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050135016A KR20070071506A (en) 2005-12-30 2005-12-30 Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050135016A KR20070071506A (en) 2005-12-30 2005-12-30 Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070071506A true KR20070071506A (en) 2007-07-04

Family

ID=38506628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050135016A KR20070071506A (en) 2005-12-30 2005-12-30 Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070071506A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103938184A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 中国兵器工业第五九研究所 Device for preparing tubular part inner hole coating

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103938184A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 中国兵器工业第五九研究所 Device for preparing tubular part inner hole coating
CN103938184B (en) * 2013-01-21 2016-03-23 中国兵器工业第五九研究所 A kind of device preparing tubular member internal coating

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100817644B1 (en) Substrate processing device
US20130337653A1 (en) Semiconductor processing apparatus with compact free radical source
KR20030013303A (en) Substrate processing apparatus
JP4435111B2 (en) ALD apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2006120926A (en) Plasma processing apparatus
JP2007324477A (en) Substrate processing device
JP4645616B2 (en) Deposition equipment
JP2014518591A (en) Hot wire method for depositing semiconductor material on a substrate and apparatus for carrying out the method
KR20070071506A (en) Electrode of plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
KR101388224B1 (en) Deposition apparatus providing direct palsma
KR20180014656A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010103544A (en) Film forming apparatus and method
US20090203198A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method using the same
JP2594051B2 (en) Plasma processing method
JP4384645B2 (en) Processing tube
JP2547035B2 (en) Plasma processing device
JP2008095126A (en) Substrate treatment apparatus
JP2009283794A (en) Substrate processing apparatus
JP4890313B2 (en) Plasma CVD equipment
KR100755517B1 (en) Highdensity plasma generaror apparatus for using atmospheric remote plasma
KR0144799B1 (en) Single wafer type low pressure chemical vapor deposition apparatus
US20230416917A1 (en) Substrate processing apparatus
JP4895685B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US20230335377A1 (en) Showerhead assembly with heated showerhead
KR101358858B1 (en) Electrostatic chuck apparatus and substrate processing equipment having the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination