KR20070069902A - Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도1은 공정 챔버와 로드록 챔버 및 이들을 연결하는 이송 챔버가 구비된 반도체 장치 제조 장비의 예를 나타내는 평면도,1 is a plan view showing an example of a semiconductor device manufacturing equipment having a process chamber, a load lock chamber, and a transfer chamber connecting them;
도2는 종래의 반도체 장치 제조 장비의 로드록 챔버 및 이송 챔버의 퍼지 장치 설치 형태를 나타내는 장비 일부에 대한 단면도,2 is a cross-sectional view of a portion of equipment showing a load lock chamber and a transfer chamber installation form of a conventional semiconductor device manufacturing equipment;
도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 퍼지 장치를 나타내는 단면도, 3 is a cross-sectional view showing a purge device in one embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 일 실시에에서의 퍼지용 운반 가스 공급구 형태를 설명하기 위한 측면도이다. It is a side view for demonstrating the form of the purge conveyance gas supply port in one Embodiment of this invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10:로드록 챔버 20: 이송챔버10: load lock chamber 20: transfer chamber
30:게이트 밸브 40: 공정 챔버30: gate valve 40: process chamber
110,210,210':공급구 130,230: 벤트110,210,210 ': Supply port 130,230: Vent
140: 수소 센서 211: 노즐140: hydrogen sensor 211: nozzle
본 발명은 반도체 장치 제조 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정에 사용되는 수소를 장비 공간에서 퍼지하여 제거할 수 있는 퍼지 장치를 가지는 반도체 장치 제조 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly to a semiconductor device manufacturing equipment having a purge device capable of purging and removing hydrogen used in the process space in the equipment space.
도1은 공정 챔버와 로드록 챔버 및 이들을 연결하는 이송 챔버가 구비된 반도체 장치 제조 장비의 예를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing an example of a semiconductor device manufacturing equipment having a process chamber, a load lock chamber, and a transfer chamber connecting them.
두 개의 로드록 챔버(10)가 각각 이송 챔버(20)와 접하고, 다른 쪽에는 공정 챔버(40)가 게이트 밸브(30)를 통해 이송 챔버(20)와 접한다. 이송 챔버에는 로봇 아암(25)이 설치되며, 로봇 아암(25)의 웨이퍼와 접하는 첨부가 로드록 챔버(10) 및 공정 챔버(40)로 투입될 수 있다. Two
도2는 종래의 반도체 장치 제조 장비의 로드록 챔버 및 이송 챔버의 퍼지 장치 설치 형태를 나타내는 장비 일부에 대한 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view of a part of equipment showing a load lock chamber and a transfer chamber installation form of a conventional semiconductor device manufacturing equipment.
이러한 구성을 가지는 장비 가운데 일부의 공정 챔버에는 수소 가스가 공급되는 경우가 있다. 가령, 실리콘 산화막을 형성한 상태에서 산화막과 실리콘 사이의 계면 처리를 위한 어닐링 단계에서 수소가 공급되어 결정 결함을 치유하는 역할 을 할 수 있으며, 이런 공정을 위해 도1과 같은 장비가 이용될 수 있다. Hydrogen gas may be supplied to the process chambers of some of the equipment having such a configuration. For example, hydrogen may be supplied in an annealing step for interfacial treatment between the oxide film and silicon in a state where a silicon oxide film is formed, and it may serve to heal crystal defects. For this process, equipment such as FIG. 1 may be used. .
이런 장비에서는 공정 가스인 수소가 챔버 외에서 웨이퍼와 함께 유입되는 외기와 화합하여 폭발을 일으킬 수 있으므로 공정 챔버 외에 장비의 다른 부분인 로드록 챔버 및 이송 챔버에 도2에 나타나는 것과 같이 공정 챔버에서 나온 수소 가스를 제거하기 위한 퍼지 장치가 구비된다. In such equipment, hydrogen, a process gas, can combine with the outside air that enters the wafer outside the chamber, causing an explosion, so that hydrogen from the process chamber, as shown in FIG. A purge device for removing the gas is provided.
이런 장비에서의 공정이 이루어지는 한 예를 살펴보면, 먼저 SMIF(Standard Mechanical Interface:미도시)) 장치에서 로드록 챔버(10)로 웨이퍼(100)가 반입되어 장착된다. 이때, 외기의 산소가 웨이퍼(100)와 함께 로드록 챔버(10)로 유입될 수 있다. 웨이퍼(100)를 반입하기 위해 열려진 로드록 챔버(10)의 문(12)이 닫기고, 로드록 챔버(10) 내에서는 유입된 산소를 제거하기 위해 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)의 질소 공급 라인의 공급구(110)에서 일정 시간 공급된다. 공급된 질소는 산소와 섞여 벤트(130) 입구로 흐르며 배출된다. 따라서 퍼지를 통해 산소가 제거된다. Looking at an example of a process performed in such equipment, first, the
로드록 챔버(10)에서 웨이퍼(100)가 이송 챔버(20)에 설치된 로봇 아암(25)에 파지되어 이송 챔버를 거쳐 공정 챔버(40) 앞쪽의 게이트 밸브(30)쪽으로 이동한다. 그러면, 게이트 밸브(30)가 열리고 로봇 아암이 웨이퍼(100)를 공정 챔버(40) 내의 척에 웨이퍼를 놓는다. 이때, 공정 챔버(40) 내의 수소 가스가 게이트 밸브(30)를 통해 이송 챔버(20) 및 로드록 챔버(10)로 유입된다.In the
웨이퍼가 공정 챔버에 놓이면 로봇 아암이 이송 챔버쪽으로 후퇴하고 게이트 밸브가 닫힌다. When the wafer is placed in the process chamber, the robot arm retracts towards the transfer chamber and the gate valve closes.
공정 챔버에서 웨이퍼 처리가 완료되면 게이트 밸브, 로봇 아암 등 장비 내 장치는 역순으로 움직이면서 웨이퍼를 로드록 챔버로 돌려주게 된다. 장비에 따라서는 로봇 아암은 수평으로만 작용하고, 웨이퍼 카세트는 로드록 챔버에서 엘리베이터에 놓여 웨이퍼 한장을 처리할 때마다 수직으로 한 단계씩 상승, 하강할 수 있다. When wafer processing is completed in the process chamber, devices in the equipment, such as gate valves and robot arms, move in reverse order to return the wafer to the loadlock chamber. Depending on the equipment, the robot arm works only horizontally, and the wafer cassette is placed in an elevator in the loadlock chamber and can be raised and lowered vertically by one step each time a wafer is processed.
한 카세트의 웨이퍼들이 모두 처리되면, 카세트는 역순으로 로드록 챔버에서 SMIF로 전달된다.Once the wafers of one cassette have all been processed, the cassette is transferred from the loadlock chamber to the SMIF in reverse order.
한편, 공정 챔버(10)에서 유입된 수소 가스를 제거하기 위해 이송 챔버(20와 로드록 챔버(10)에는 퍼지용 운반 가스 공급 라인의 공급구(110)를 통해 질소 가스가 일정 시간 유입되어 벤트(130)쪽으로 흐르게 된다. 즉, 수소 퍼지가 이루어지게 된다. 가령, 카세트(60)를 SMIF로 반출하기 위해 로드록 챔버(10)의 문(12)을 개방하면 외기를 통해 로드록 챔버10)로 산소가 유입되는데 로드록 챔버 및 이송 챔버에 공정 챔버(40)에서 유입된 수소가 잔존하면 폭발을 일으키게 된다. 따라서, 필요한 시점마다 질소 가스 공급을 통한 수소 퍼지가 이루어져야 한다.Meanwhile, in order to remove hydrogen gas introduced from the
그런데, 도2와 같이 기존 장비에서 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)의 질소 가스 공급 라인의 공급구(110)는 공간의 상부에 위치하며, 벤트(130) 입구는 공간의 하부에 설치되어 있다. 이런 퍼지 장치는 산소나 기타 공기와 비슷한 비중을 가지는 가스의 제거에는 문제가 없을 것이나, 수소와 같은 가벼운 기체를 제거하는 데에는 효율이 떨어진다. 즉, 수소를 제거하기 위해 질소 가스의 소비가 늘어나고, 시간이 오래 걸릴 수 있으며, 한편으로 퍼지 시간이나 질소 가스 공급이 충분하지 못하면 수소가 잔존하여 폭발의 위험성이 높아질 수 있다.However, as shown in FIG. 2, in the existing equipment, the
또한, 기존에는 장비의 질소 공급 라인의 공급구(110) 노즐이 하나의 작은 포트로 이루어져 여러 방향으로 질소를 분사하지 못하여 부분적으로 수소 제거 효율이 높지 못한 문제가 있었다. In addition, conventionally, the nozzle of the
본 발명은 상술한 종래 장비의 퍼지 장치의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 수소의 퍼지 효율을 높일 수 있는 퍼지 장치를 가진 반도체 장치 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the purge device of the conventional equipment described above, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing equipment having a purge device that can increase the purge efficiency of hydrogen.
본 발명은 수소의 퍼지 효율을 높여 안전성을 증대시키고, 공정 비용을 절감할 수 있는 퍼지 장치를 가진 반도체 장비 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor equipment manufacturing equipment having a purge device that can increase the purge efficiency of hydrogen, increase safety, and reduce the process cost.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수소 공급 라인을 가지는 공정 챔버와 상기 공정 챔버와 개폐 장치를 통해 연결되며 퍼지용 운반 가스 공급 라인과 벤트를 포함하는 퍼지 장치가 구비된 준비 공간을 가지는 반도체 장치 제조 장비에서, 퍼지 장치의 퍼지용 운반 가스 공급 라인의 공급구가 상기 준비 공간의 중간 부분이나 하부 공간에 설치되고, 상기 벤트의 입구가 상기 준비 공간의 상부에 설치되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a semiconductor device having a process chamber having a hydrogen supply line and a preparation space connected through the process chamber and the opening and closing device and equipped with a purge device including a purge carrier gas supply line and a vent In the production equipment, the supply port of the purge carrier gas supply line of the purge device is installed in the middle portion or the lower space of the preparation space, the inlet of the vent is characterized in that it is provided in the upper portion of the preparation space.
본 발명에서 상부는 공간의 체적을 기준으로 절반이 되는 수평면의 위쪽을 의미할 수 있고, 벤트는 상부에서도 공간의 제일 위쪽인 상단에 위치할 수 있다.In the present invention, the upper portion may mean an upper portion of the horizontal plane which is half of the volume of the space, and the vent may be located at the upper portion of the upper portion of the space even in the upper portion.
본 발명에서 퍼지용 가스의 공급구는 준비 공간의 하단에 위치할 수 있고, 공급구의 형태가 상하로 길게 형성되면서 노즐 자체의 형태가 상하로 길게 형성되거나, 상하로 많은 개별 노즐이 배치되도록 이루어질 수 있다. 또한, 노즐은 공급구에서 여러 방향을 향하도록 복수 개로 이루어질 수 있다. 가령, 파이프 형태의 공급구에서 노즐이 방사상으로 설치되는 경우를 생각할 수 있다. In the present invention, the supply port of the purge gas may be located at the lower end of the preparation space, the shape of the supply port is formed long up and down, the shape of the nozzle itself is formed long up and down, or may be made so that many individual nozzles are arranged up and down. . In addition, the nozzle may be formed in plural number so as to face in various directions at the supply port. For example, a case may be considered in which a nozzle is radially installed at a pipe-shaped supply port.
이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 퍼지 장치를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a purge device in one embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시에에서의 퍼지용 운반 가스 공급구 형태를 설명하기 위한 측면도이다. It is a side view for demonstrating the form of the purge conveyance gas supply port in one Embodiment of this invention.
종래의 경우를 나타내는 도2의 단면도와 같이 장비의 준비 공간은 수직으로 높이 형성되는 로드록 챔버(10)와 이와 연통되는 이송 챔버(20)로 구분된다. 로드록 챔버(10)에는 카세트(60)가 출입하는 문(12:입구)이 있고, 카세트(60)는 수직 이동 가능한 엘리베이터(13)에 수직으로 놓인다. 로드록 챔버(10) 하부에 엘리베이터(13)를 움직이는 축과 모터(미도시)가 있으며, 축의 일정 구간 이동부는 로드록 챔버(10)의 기밀을 위해 벨로즈 실(Bellows seal)로 밀폐된다. As shown in the cross-sectional view of FIG. 2 showing a conventional case, the preparation space of the equipment is divided into a
먼저 미도시된 SMIF(Standard Mechanical Interface) 장치에서 로드록 챔버로 웨이퍼(100)가 반입되어 엘리베이터(13)의 다이에 카세트(60)가 장착된다. 이때, 카세트(60) 내에서 웨이퍼(100)는 수직으로 배열된다. 웨이퍼를 반입하기 위해 열려진 로도록 챔버의 문(12)이 닫기고, 로드록 챔버(10) 내에서는 유입된 산소를 제거하기 위해 질소가 일정 시간 공급된다. 질소는 로드록 챔버(10)의 중간 부분과 하부에 설치된 퍼지용 운반 가스 라인의 단부를 이루는 공급구(210)를 통해 장비의 준비 공간, 즉, 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)에 공급된다. 공급구(210)는 퍼지 효율을 높이기 위해 로드록 챔버와 이송 챔버의 복수 개소에 설치될 수 있다. First, the
공급된 질소는 산소와 섞여 벤트(230) 입구로 흐르며 배출된다. 따라서 퍼지를 통해 산소가 제거된다. 벤트(230) 입구는 로드록 챔버(10) 측벽의 상단부에 설치된다. 산소나 질소는 큰 비중 차이가 없으므로 공간 내에서 공급되는 질소의 양과 압력에 의해 희석되고 배출되고, 이런 경우, 벤트(230)의 위치는 중요하지 않다. The supplied nitrogen is mixed with oxygen and flows to the inlet of the
로드록 챔버에서 웨이퍼가 이송 챔버에 설치된 로봇 아암에 파지되어 이송 챔버를 거쳐 공정 챔버 앞쪽의 게이트 밸브쪽으로 이동한다. 그러면, 게이트 밸브가 열리고 로봇 아암이 웨이퍼를 공정 챔버 내의 척에 웨이퍼를 놓는다. 이때, 공정 챔버 내의 수소 가스가 게이트 밸브를 통해 이송 챔버 및 로드록 챔버로 유입된다.In the loadlock chamber, the wafer is gripped by a robot arm installed in the transfer chamber and moves through the transfer chamber toward the gate valve in front of the process chamber. The gate valve then opens and the robot arm places the wafer on the chuck in the process chamber. At this time, hydrogen gas in the process chamber flows into the transfer chamber and the load lock chamber through the gate valve.
웨이퍼가 공정 챔버에 놓이면 로봇 아암이 이송 챔버쪽으로 후퇴하고 게이트 밸브가 닫힌다. 공정 챔버에서 웨이퍼 처리가 완료되면 게이트 밸브, 로봇 아암 등 장비 내 장치는 역순으로 움직이면서 웨이퍼를 로드록 챔버로 돌려주게 된다. When the wafer is placed in the process chamber, the robot arm retracts towards the transfer chamber and the gate valve closes. When wafer processing is completed in the process chamber, devices in the equipment, such as gate valves and robot arms, move in reverse order to return the wafer to the loadlock chamber.
웨이퍼(100)가 한장씩 진행되면서 엘리베이터(13)가 한칸씩 상승, 하강하게 된다. 따라서, 로봇 아암은 수평으로만 작용하고, 이송 챔버는 로드록 챔버와 같이 높게 형성될 필요가 없다. 한 카세트의 웨이퍼들이 모두 처리되면, 카세트는 역순으로 로드록 챔버에서 SMIF로 전달된다.As the
로드록 챔버(10)의 문(12)이 열리고, 웨이퍼 카세트(60)가 SMIF로 이송되기 전에 공정 챔버에서 유입된 수소 가스가 퍼지를 통해 제거된다. 이송 챔버(20)와 로드록 챔버(10)에서는 퍼지용 운반 가스 라인을 통해 질소 가스가 일정 시간 준비 공간을 이루는 로드록 챔버와 이송 챔버로 유입된다. 유입된 가스는 일부 수소와 섞이는 부분도 있으나 질소가 무거우므로 유입된 질소 가스는 준비 공간의 하부를 차지하면서 수소 가스를 위로 몰아 준비 공간 상단부에 있는 벤트(230)로 먼저 빠져나가도록 한다. 계속되는 질소 유입에 의해 일부 질소와 섞인 수소가 차례로 벤트(230)를 통해 외부로 제거된다. 즉, 수소 퍼지가 이루어지게 된다.The
본 발명에 따르면 짧은 시간 내에 수소가 준비 공간 밖으로 배출되고, 퍼지가 계속되면서 잔존하는 미량의 수소도 점차 희석되어 제거된다. According to the present invention, hydrogen is discharged out of the preparation space within a short time, and as the purge continues, the remaining amount of hydrogen is gradually diluted and removed.
한편, 준비 공간 내에 전체적으로 질소가 빠르게 확산되도록 하는 방법으로서 퍼지용 운반 가스 공급구(210)의 갯수를 복수로 하여 공간 내의 여러 곳에 분포시키거나, 공급구(210)의 형태가 상하로 길게 형성되면서 노즐 자체의 형태가 상하로 길게 형성되거나, 도4와 같이 상하로 길게 형성된 공급구(210')에 많은 개별 노즐(211)이 배치되도록 이루어질 수 있다. 또한, 노즐(211)은 공급구(210')에서 여러 방향을 향하도록 복수 개로 이루어질 수 있다. 가령, 파이프 형태의 공급구에서 노즐(211)이 방사상으로 설치되는 경우를 생각할 수 있다. On the other hand, as a method for rapidly spreading the nitrogen in the preparation space as a whole, the number of the purge carrier
본 발명에서 수소 가스를 감지하는 수소 센서(140)는 수소가 밖으로 배출되는 벤트 입구와 함께 있거나, 인근의 준비 공간 상단에 위치하는 것이 바람직하다. In the present invention, the
퍼지가 잘 이루어지면 규정된 시간의 퍼지 과정에서도 수소가 잔류하여 센서에 수소가 감지되고, 장비가 다음 공정으로 이어지지 못하고 셧다운 되며, 장비 이용율이 낮아지는 문제가 없어진다.A good purge eliminates the problem that hydrogen remains in the sensor during the defined purge time and hydrogen is detected in the sensor, the equipment is shut down rather than the next process, and the equipment utilization rate is reduced.
본 발명에 따르면, 벤트 위치와 퍼지 가스 공급구의 위치만을 변경하면서 수소와 같은 가벼운 가스에 대해서는 퍼지 효율을 획기적으로 높이고, 기존의 산소와 같은 가스에 대해서는 퍼지 효율의 저하가 거의 없게 된다. According to the present invention, while changing only the vent position and the position of the purge gas supply port, the purge efficiency is remarkably increased for light gases such as hydrogen, and there is almost no decrease in purge efficiency for gases such as oxygen.
따라서, 공정 장비에서 보다 원활하게 퍼지가 이루어질 수 있고, 퍼지에 소요되는 시간이 많이 감소되어 장비 가동률이 향상되는 효과가 있다. 또한, 퍼지가 잘 이루어져 잔류 가스에 의한 사고 위험성을 줄일 수 있다. Therefore, purging can be performed more smoothly in the process equipment, and the time required for purging is reduced a lot, thereby improving the equipment operation rate. In addition, it is possible to purge well to reduce the risk of accidents due to residual gas.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020053960A1 (en) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
CN112889142A (en) * | 2018-10-28 | 2021-06-01 | 应用材料公司 | Processing chamber with annealing mini-environment |
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- 2005-12-28 KR KR1020050132555A patent/KR20070069902A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
WO2020053960A1 (en) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
JPWO2020053960A1 (en) * | 2018-09-11 | 2021-08-30 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs |
CN112889142A (en) * | 2018-10-28 | 2021-06-01 | 应用材料公司 | Processing chamber with annealing mini-environment |
CN112889142B (en) * | 2018-10-28 | 2024-05-28 | 应用材料公司 | Processing chamber with annealing mini-environment |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |