KR20070069902A - Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus - Google Patents

Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20070069902A
KR20070069902A KR1020050132555A KR20050132555A KR20070069902A KR 20070069902 A KR20070069902 A KR 20070069902A KR 1020050132555 A KR1020050132555 A KR 1020050132555A KR 20050132555 A KR20050132555 A KR 20050132555A KR 20070069902 A KR20070069902 A KR 20070069902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
purge
hydrogen
chamber
semiconductor device
equipment
Prior art date
Application number
KR1020050132555A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
서진혁
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050132555A priority Critical patent/KR20070069902A/en
Publication of KR20070069902A publication Critical patent/KR20070069902A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

A semiconductor device manufacturing facility having hydrogen fuzzy apparatus is provided to improve fuzzy efficiency and to prevent an accident caused by remaining gas by changing positions of a vent and a fuzzy gas supply hole. A semiconductor device manufacturing facility comprises a fuzzy device including a fuzzy gas supply line and a vent(230) and is connected to a process chamber having a hydrogen supply line. An entrance of the vent is installed on an upper portion of the fuzzy device.

Description

수소 퍼지 장치를 가지는 반도체 장치 제조 장비{Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus}Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus}

도1은 공정 챔버와 로드록 챔버 및 이들을 연결하는 이송 챔버가 구비된 반도체 장치 제조 장비의 예를 나타내는 평면도,1 is a plan view showing an example of a semiconductor device manufacturing equipment having a process chamber, a load lock chamber, and a transfer chamber connecting them;

도2는 종래의 반도체 장치 제조 장비의 로드록 챔버 및 이송 챔버의 퍼지 장치 설치 형태를 나타내는 장비 일부에 대한 단면도,2 is a cross-sectional view of a portion of equipment showing a load lock chamber and a transfer chamber installation form of a conventional semiconductor device manufacturing equipment;

도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 퍼지 장치를 나타내는 단면도, 3 is a cross-sectional view showing a purge device in one embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 일 실시에에서의 퍼지용 운반 가스 공급구 형태를 설명하기 위한 측면도이다. It is a side view for demonstrating the form of the purge conveyance gas supply port in one Embodiment of this invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10:로드록 챔버 20: 이송챔버10: load lock chamber 20: transfer chamber

30:게이트 밸브 40: 공정 챔버30: gate valve 40: process chamber

110,210,210':공급구 130,230: 벤트110,210,210 ': Supply port 130,230: Vent

140: 수소 센서 211: 노즐140: hydrogen sensor 211: nozzle

본 발명은 반도체 장치 제조 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정에 사용되는 수소를 장비 공간에서 퍼지하여 제거할 수 있는 퍼지 장치를 가지는 반도체 장치 제조 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly to a semiconductor device manufacturing equipment having a purge device capable of purging and removing hydrogen used in the process space in the equipment space.

도1은 공정 챔버와 로드록 챔버 및 이들을 연결하는 이송 챔버가 구비된 반도체 장치 제조 장비의 예를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing an example of a semiconductor device manufacturing equipment having a process chamber, a load lock chamber, and a transfer chamber connecting them.

두 개의 로드록 챔버(10)가 각각 이송 챔버(20)와 접하고, 다른 쪽에는 공정 챔버(40)가 게이트 밸브(30)를 통해 이송 챔버(20)와 접한다. 이송 챔버에는 로봇 아암(25)이 설치되며, 로봇 아암(25)의 웨이퍼와 접하는 첨부가 로드록 챔버(10) 및 공정 챔버(40)로 투입될 수 있다. Two load lock chambers 10 are in contact with the transfer chamber 20, and on the other side, the process chamber 40 is in contact with the transfer chamber 20 through the gate valve 30. The robot arm 25 is installed in the transfer chamber, and an attachment contacting the wafer of the robot arm 25 may be introduced into the load lock chamber 10 and the process chamber 40.

도2는 종래의 반도체 장치 제조 장비의 로드록 챔버 및 이송 챔버의 퍼지 장치 설치 형태를 나타내는 장비 일부에 대한 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view of a part of equipment showing a load lock chamber and a transfer chamber installation form of a conventional semiconductor device manufacturing equipment.

이러한 구성을 가지는 장비 가운데 일부의 공정 챔버에는 수소 가스가 공급되는 경우가 있다. 가령, 실리콘 산화막을 형성한 상태에서 산화막과 실리콘 사이의 계면 처리를 위한 어닐링 단계에서 수소가 공급되어 결정 결함을 치유하는 역할 을 할 수 있으며, 이런 공정을 위해 도1과 같은 장비가 이용될 수 있다. Hydrogen gas may be supplied to the process chambers of some of the equipment having such a configuration. For example, hydrogen may be supplied in an annealing step for interfacial treatment between the oxide film and silicon in a state where a silicon oxide film is formed, and it may serve to heal crystal defects. For this process, equipment such as FIG. 1 may be used. .

이런 장비에서는 공정 가스인 수소가 챔버 외에서 웨이퍼와 함께 유입되는 외기와 화합하여 폭발을 일으킬 수 있으므로 공정 챔버 외에 장비의 다른 부분인 로드록 챔버 및 이송 챔버에 도2에 나타나는 것과 같이 공정 챔버에서 나온 수소 가스를 제거하기 위한 퍼지 장치가 구비된다. In such equipment, hydrogen, a process gas, can combine with the outside air that enters the wafer outside the chamber, causing an explosion, so that hydrogen from the process chamber, as shown in FIG. A purge device for removing the gas is provided.

이런 장비에서의 공정이 이루어지는 한 예를 살펴보면, 먼저 SMIF(Standard Mechanical Interface:미도시)) 장치에서 로드록 챔버(10)로 웨이퍼(100)가 반입되어 장착된다. 이때, 외기의 산소가 웨이퍼(100)와 함께 로드록 챔버(10)로 유입될 수 있다. 웨이퍼(100)를 반입하기 위해 열려진 로드록 챔버(10)의 문(12)이 닫기고, 로드록 챔버(10) 내에서는 유입된 산소를 제거하기 위해 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)의 질소 공급 라인의 공급구(110)에서 일정 시간 공급된다. 공급된 질소는 산소와 섞여 벤트(130) 입구로 흐르며 배출된다. 따라서 퍼지를 통해 산소가 제거된다. Looking at an example of a process performed in such equipment, first, the wafer 100 is loaded into the load lock chamber 10 from a standard mechanical interface (SMIF) device. At this time, the oxygen of the outside air may flow into the load lock chamber 10 together with the wafer 100. The door 12 of the load lock chamber 10 opened to bring in the wafer 100 is closed, and the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20 are removed in the load lock chamber 10 to remove the oxygen introduced therein. Is supplied from the supply port 110 of the nitrogen supply line of (). The supplied nitrogen is mixed with oxygen and flows to the inlet of the vent 130 to be discharged. Therefore, oxygen is removed through the purge.

로드록 챔버(10)에서 웨이퍼(100)가 이송 챔버(20)에 설치된 로봇 아암(25)에 파지되어 이송 챔버를 거쳐 공정 챔버(40) 앞쪽의 게이트 밸브(30)쪽으로 이동한다. 그러면, 게이트 밸브(30)가 열리고 로봇 아암이 웨이퍼(100)를 공정 챔버(40) 내의 척에 웨이퍼를 놓는다. 이때, 공정 챔버(40) 내의 수소 가스가 게이트 밸브(30)를 통해 이송 챔버(20) 및 로드록 챔버(10)로 유입된다.In the load lock chamber 10, the wafer 100 is gripped by a robot arm 25 installed in the transfer chamber 20 and moves through the transfer chamber toward the gate valve 30 in front of the process chamber 40. The gate valve 30 then opens and the robot arm places the wafer 100 on the chuck in the process chamber 40. At this time, hydrogen gas in the process chamber 40 flows into the transfer chamber 20 and the load lock chamber 10 through the gate valve 30.

웨이퍼가 공정 챔버에 놓이면 로봇 아암이 이송 챔버쪽으로 후퇴하고 게이트 밸브가 닫힌다. When the wafer is placed in the process chamber, the robot arm retracts towards the transfer chamber and the gate valve closes.

공정 챔버에서 웨이퍼 처리가 완료되면 게이트 밸브, 로봇 아암 등 장비 내 장치는 역순으로 움직이면서 웨이퍼를 로드록 챔버로 돌려주게 된다. 장비에 따라서는 로봇 아암은 수평으로만 작용하고, 웨이퍼 카세트는 로드록 챔버에서 엘리베이터에 놓여 웨이퍼 한장을 처리할 때마다 수직으로 한 단계씩 상승, 하강할 수 있다. When wafer processing is completed in the process chamber, devices in the equipment, such as gate valves and robot arms, move in reverse order to return the wafer to the loadlock chamber. Depending on the equipment, the robot arm works only horizontally, and the wafer cassette is placed in an elevator in the loadlock chamber and can be raised and lowered vertically by one step each time a wafer is processed.

한 카세트의 웨이퍼들이 모두 처리되면, 카세트는 역순으로 로드록 챔버에서 SMIF로 전달된다.Once the wafers of one cassette have all been processed, the cassette is transferred from the loadlock chamber to the SMIF in reverse order.

한편, 공정 챔버(10)에서 유입된 수소 가스를 제거하기 위해 이송 챔버(20와 로드록 챔버(10)에는 퍼지용 운반 가스 공급 라인의 공급구(110)를 통해 질소 가스가 일정 시간 유입되어 벤트(130)쪽으로 흐르게 된다. 즉, 수소 퍼지가 이루어지게 된다. 가령, 카세트(60)를 SMIF로 반출하기 위해 로드록 챔버(10)의 문(12)을 개방하면 외기를 통해 로드록 챔버10)로 산소가 유입되는데 로드록 챔버 및 이송 챔버에 공정 챔버(40)에서 유입된 수소가 잔존하면 폭발을 일으키게 된다. 따라서, 필요한 시점마다 질소 가스 공급을 통한 수소 퍼지가 이루어져야 한다.Meanwhile, in order to remove hydrogen gas introduced from the process chamber 10, nitrogen gas is introduced into the transfer chamber 20 and the load lock chamber 10 through a supply port 110 of a purge carrier gas supply line for a predetermined time. In other words, hydrogen purge is performed, for example, when the door 12 of the load lock chamber 10 is opened to carry the cassette 60 to the SMIF, the load lock chamber 10 is opened through the outside air. Oxygen is introduced into the furnace, which causes an explosion when hydrogen introduced from the process chamber 40 remains in the load lock chamber and the transfer chamber. Therefore, hydrogen purge through nitrogen gas supply should be performed at every necessary time point.

그런데, 도2와 같이 기존 장비에서 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)의 질소 가스 공급 라인의 공급구(110)는 공간의 상부에 위치하며, 벤트(130) 입구는 공간의 하부에 설치되어 있다. 이런 퍼지 장치는 산소나 기타 공기와 비슷한 비중을 가지는 가스의 제거에는 문제가 없을 것이나, 수소와 같은 가벼운 기체를 제거하는 데에는 효율이 떨어진다. 즉, 수소를 제거하기 위해 질소 가스의 소비가 늘어나고, 시간이 오래 걸릴 수 있으며, 한편으로 퍼지 시간이나 질소 가스 공급이 충분하지 못하면 수소가 잔존하여 폭발의 위험성이 높아질 수 있다.However, as shown in FIG. 2, in the existing equipment, the supply port 110 of the nitrogen gas supply line of the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20 is located at the upper portion of the space, and the vent 130 inlet is located at the lower portion of the space. It is installed. Such purge devices will not have problems with the removal of gases with specific gravity similar to oxygen or other air, but are less efficient at removing light gases such as hydrogen. That is, the consumption of nitrogen gas to remove the hydrogen is increased, it may take a long time, on the other hand, if there is insufficient purge time or nitrogen gas supply, hydrogen may remain and the risk of explosion may be increased.

또한, 기존에는 장비의 질소 공급 라인의 공급구(110) 노즐이 하나의 작은 포트로 이루어져 여러 방향으로 질소를 분사하지 못하여 부분적으로 수소 제거 효율이 높지 못한 문제가 있었다. In addition, conventionally, the nozzle of the supply port 110 of the nitrogen supply line of the equipment is composed of one small port, and there is a problem in that the hydrogen removal efficiency is not high due to partial injection of nitrogen in various directions.

본 발명은 상술한 종래 장비의 퍼지 장치의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 수소의 퍼지 효율을 높일 수 있는 퍼지 장치를 가진 반도체 장치 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the purge device of the conventional equipment described above, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing equipment having a purge device that can increase the purge efficiency of hydrogen.

본 발명은 수소의 퍼지 효율을 높여 안전성을 증대시키고, 공정 비용을 절감할 수 있는 퍼지 장치를 가진 반도체 장비 제조 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor equipment manufacturing equipment having a purge device that can increase the purge efficiency of hydrogen, increase safety, and reduce the process cost.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수소 공급 라인을 가지는 공정 챔버와 상기 공정 챔버와 개폐 장치를 통해 연결되며 퍼지용 운반 가스 공급 라인과 벤트를 포함하는 퍼지 장치가 구비된 준비 공간을 가지는 반도체 장치 제조 장비에서, 퍼지 장치의 퍼지용 운반 가스 공급 라인의 공급구가 상기 준비 공간의 중간 부분이나 하부 공간에 설치되고, 상기 벤트의 입구가 상기 준비 공간의 상부에 설치되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a semiconductor device having a process chamber having a hydrogen supply line and a preparation space connected through the process chamber and the opening and closing device and equipped with a purge device including a purge carrier gas supply line and a vent In the production equipment, the supply port of the purge carrier gas supply line of the purge device is installed in the middle portion or the lower space of the preparation space, the inlet of the vent is characterized in that it is provided in the upper portion of the preparation space.

본 발명에서 상부는 공간의 체적을 기준으로 절반이 되는 수평면의 위쪽을 의미할 수 있고, 벤트는 상부에서도 공간의 제일 위쪽인 상단에 위치할 수 있다.In the present invention, the upper portion may mean an upper portion of the horizontal plane which is half of the volume of the space, and the vent may be located at the upper portion of the upper portion of the space even in the upper portion.

본 발명에서 퍼지용 가스의 공급구는 준비 공간의 하단에 위치할 수 있고, 공급구의 형태가 상하로 길게 형성되면서 노즐 자체의 형태가 상하로 길게 형성되거나, 상하로 많은 개별 노즐이 배치되도록 이루어질 수 있다. 또한, 노즐은 공급구에서 여러 방향을 향하도록 복수 개로 이루어질 수 있다. 가령, 파이프 형태의 공급구에서 노즐이 방사상으로 설치되는 경우를 생각할 수 있다. In the present invention, the supply port of the purge gas may be located at the lower end of the preparation space, the shape of the supply port is formed long up and down, the shape of the nozzle itself is formed long up and down, or may be made so that many individual nozzles are arranged up and down. . In addition, the nozzle may be formed in plural number so as to face in various directions at the supply port. For example, a case may be considered in which a nozzle is radially installed at a pipe-shaped supply port.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 퍼지 장치를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a purge device in one embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시에에서의 퍼지용 운반 가스 공급구 형태를 설명하기 위한 측면도이다. It is a side view for demonstrating the form of the purge conveyance gas supply port in one Embodiment of this invention.

종래의 경우를 나타내는 도2의 단면도와 같이 장비의 준비 공간은 수직으로 높이 형성되는 로드록 챔버(10)와 이와 연통되는 이송 챔버(20)로 구분된다. 로드록 챔버(10)에는 카세트(60)가 출입하는 문(12:입구)이 있고, 카세트(60)는 수직 이동 가능한 엘리베이터(13)에 수직으로 놓인다. 로드록 챔버(10) 하부에 엘리베이터(13)를 움직이는 축과 모터(미도시)가 있으며, 축의 일정 구간 이동부는 로드록 챔버(10)의 기밀을 위해 벨로즈 실(Bellows seal)로 밀폐된다. As shown in the cross-sectional view of FIG. 2 showing a conventional case, the preparation space of the equipment is divided into a load lock chamber 10 which is vertically formed in height and a transfer chamber 20 in communication therewith. The load lock chamber 10 has a door 12 (entrance) through which the cassette 60 enters and exits, and the cassette 60 is placed perpendicular to the vertically movable elevator 13. There is a shaft and a motor (not shown) for moving the elevator 13 below the load lock chamber 10, and the moving portion of the shaft is sealed with a bellows seal for hermetic sealing of the load lock chamber 10.

먼저 미도시된 SMIF(Standard Mechanical Interface) 장치에서 로드록 챔버로 웨이퍼(100)가 반입되어 엘리베이터(13)의 다이에 카세트(60)가 장착된다. 이때, 카세트(60) 내에서 웨이퍼(100)는 수직으로 배열된다. 웨이퍼를 반입하기 위해 열려진 로도록 챔버의 문(12)이 닫기고, 로드록 챔버(10) 내에서는 유입된 산소를 제거하기 위해 질소가 일정 시간 공급된다. 질소는 로드록 챔버(10)의 중간 부분과 하부에 설치된 퍼지용 운반 가스 라인의 단부를 이루는 공급구(210)를 통해 장비의 준비 공간, 즉, 로드록 챔버(10)와 이송 챔버(20)에 공급된다. 공급구(210)는 퍼지 효율을 높이기 위해 로드록 챔버와 이송 챔버의 복수 개소에 설치될 수 있다. First, the wafer 100 is loaded into the load lock chamber from the SMIF (Standard Mechanical Interface) apparatus, which is not shown, and the cassette 60 is mounted on the die of the elevator 13. At this time, the wafers 100 are arranged vertically in the cassette 60. The door 12 of the chamber is closed so that the furnace opened for loading the wafer, and nitrogen is supplied for a predetermined time in the load lock chamber 10 to remove the introduced oxygen. Nitrogen is provided in the preparation space of the equipment, that is, the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20 through the supply port 210 which forms the middle portion of the load lock chamber 10 and the end of the purge carrier gas line installed in the lower portion. Supplied to. The supply port 210 may be installed at a plurality of locations of the load lock chamber and the transfer chamber in order to increase the purge efficiency.

공급된 질소는 산소와 섞여 벤트(230) 입구로 흐르며 배출된다. 따라서 퍼지를 통해 산소가 제거된다. 벤트(230) 입구는 로드록 챔버(10) 측벽의 상단부에 설치된다. 산소나 질소는 큰 비중 차이가 없으므로 공간 내에서 공급되는 질소의 양과 압력에 의해 희석되고 배출되고, 이런 경우, 벤트(230)의 위치는 중요하지 않다. The supplied nitrogen is mixed with oxygen and flows to the inlet of the vent 230 and is discharged. Therefore, oxygen is removed through the purge. The vent 230 inlet is installed at an upper end of the sidewall of the load lock chamber 10. Since oxygen or nitrogen does not have a large specific gravity difference, it is diluted and discharged by the amount and pressure of nitrogen supplied in the space. In this case, the position of the vent 230 is not important.

로드록 챔버에서 웨이퍼가 이송 챔버에 설치된 로봇 아암에 파지되어 이송 챔버를 거쳐 공정 챔버 앞쪽의 게이트 밸브쪽으로 이동한다. 그러면, 게이트 밸브가 열리고 로봇 아암이 웨이퍼를 공정 챔버 내의 척에 웨이퍼를 놓는다. 이때, 공정 챔버 내의 수소 가스가 게이트 밸브를 통해 이송 챔버 및 로드록 챔버로 유입된다.In the loadlock chamber, the wafer is gripped by a robot arm installed in the transfer chamber and moves through the transfer chamber toward the gate valve in front of the process chamber. The gate valve then opens and the robot arm places the wafer on the chuck in the process chamber. At this time, hydrogen gas in the process chamber flows into the transfer chamber and the load lock chamber through the gate valve.

웨이퍼가 공정 챔버에 놓이면 로봇 아암이 이송 챔버쪽으로 후퇴하고 게이트 밸브가 닫힌다. 공정 챔버에서 웨이퍼 처리가 완료되면 게이트 밸브, 로봇 아암 등 장비 내 장치는 역순으로 움직이면서 웨이퍼를 로드록 챔버로 돌려주게 된다. When the wafer is placed in the process chamber, the robot arm retracts towards the transfer chamber and the gate valve closes. When wafer processing is completed in the process chamber, devices in the equipment, such as gate valves and robot arms, move in reverse order to return the wafer to the loadlock chamber.

웨이퍼(100)가 한장씩 진행되면서 엘리베이터(13)가 한칸씩 상승, 하강하게 된다. 따라서, 로봇 아암은 수평으로만 작용하고, 이송 챔버는 로드록 챔버와 같이 높게 형성될 필요가 없다. 한 카세트의 웨이퍼들이 모두 처리되면, 카세트는 역순으로 로드록 챔버에서 SMIF로 전달된다.As the wafers 100 progress one by one, the elevator 13 rises and descends one by one. Thus, the robot arm only works horizontally, and the transfer chamber does not need to be formed as high as the load lock chamber. Once the wafers of one cassette have all been processed, the cassette is transferred from the loadlock chamber to the SMIF in reverse order.

로드록 챔버(10)의 문(12)이 열리고, 웨이퍼 카세트(60)가 SMIF로 이송되기 전에 공정 챔버에서 유입된 수소 가스가 퍼지를 통해 제거된다. 이송 챔버(20)와 로드록 챔버(10)에서는 퍼지용 운반 가스 라인을 통해 질소 가스가 일정 시간 준비 공간을 이루는 로드록 챔버와 이송 챔버로 유입된다. 유입된 가스는 일부 수소와 섞이는 부분도 있으나 질소가 무거우므로 유입된 질소 가스는 준비 공간의 하부를 차지하면서 수소 가스를 위로 몰아 준비 공간 상단부에 있는 벤트(230)로 먼저 빠져나가도록 한다. 계속되는 질소 유입에 의해 일부 질소와 섞인 수소가 차례로 벤트(230)를 통해 외부로 제거된다. 즉, 수소 퍼지가 이루어지게 된다.The door 12 of the loadlock chamber 10 is opened and hydrogen gas introduced from the process chamber is purged through the purge before the wafer cassette 60 is transferred to the SMIF. In the transfer chamber 20 and the load lock chamber 10, nitrogen gas flows into the load lock chamber and the transfer chamber forming a predetermined space through a purge carrier gas line. The introduced gas is mixed with some hydrogen, but the nitrogen is heavy, so the introduced nitrogen gas drives the hydrogen gas upward while occupying the lower portion of the preparation space and exits to the vent 230 at the upper end of the preparation space. As a result of the continuous nitrogen inflow, hydrogen mixed with some nitrogen is sequentially removed to the outside through the vent 230. That is, hydrogen purge is made.

본 발명에 따르면 짧은 시간 내에 수소가 준비 공간 밖으로 배출되고, 퍼지가 계속되면서 잔존하는 미량의 수소도 점차 희석되어 제거된다. According to the present invention, hydrogen is discharged out of the preparation space within a short time, and as the purge continues, the remaining amount of hydrogen is gradually diluted and removed.

한편, 준비 공간 내에 전체적으로 질소가 빠르게 확산되도록 하는 방법으로서 퍼지용 운반 가스 공급구(210)의 갯수를 복수로 하여 공간 내의 여러 곳에 분포시키거나, 공급구(210)의 형태가 상하로 길게 형성되면서 노즐 자체의 형태가 상하로 길게 형성되거나, 도4와 같이 상하로 길게 형성된 공급구(210')에 많은 개별 노즐(211)이 배치되도록 이루어질 수 있다. 또한, 노즐(211)은 공급구(210')에서 여러 방향을 향하도록 복수 개로 이루어질 수 있다. 가령, 파이프 형태의 공급구에서 노즐(211)이 방사상으로 설치되는 경우를 생각할 수 있다. On the other hand, as a method for rapidly spreading the nitrogen in the preparation space as a whole, the number of the purge carrier gas supply port 210 is distributed in several places in the space, or the shape of the supply port 210 is formed long up and down The shape of the nozzle itself may be long and vertically formed, or as shown in FIG. 4, a plurality of individual nozzles 211 may be disposed in the supply holes 210 ′. In addition, a plurality of nozzles 211 may be formed to face different directions at the supply port 210 '. For example, the case where the nozzle 211 is radially installed in the pipe-shaped supply port can be considered.

본 발명에서 수소 가스를 감지하는 수소 센서(140)는 수소가 밖으로 배출되는 벤트 입구와 함께 있거나, 인근의 준비 공간 상단에 위치하는 것이 바람직하다. In the present invention, the hydrogen sensor 140 for detecting the hydrogen gas is preferably located at the top of the preparation space in the vicinity or with a vent inlet through which hydrogen is discharged out.

퍼지가 잘 이루어지면 규정된 시간의 퍼지 과정에서도 수소가 잔류하여 센서에 수소가 감지되고, 장비가 다음 공정으로 이어지지 못하고 셧다운 되며, 장비 이용율이 낮아지는 문제가 없어진다.A good purge eliminates the problem that hydrogen remains in the sensor during the defined purge time and hydrogen is detected in the sensor, the equipment is shut down rather than the next process, and the equipment utilization rate is reduced.

본 발명에 따르면, 벤트 위치와 퍼지 가스 공급구의 위치만을 변경하면서 수소와 같은 가벼운 가스에 대해서는 퍼지 효율을 획기적으로 높이고, 기존의 산소와 같은 가스에 대해서는 퍼지 효율의 저하가 거의 없게 된다. According to the present invention, while changing only the vent position and the position of the purge gas supply port, the purge efficiency is remarkably increased for light gases such as hydrogen, and there is almost no decrease in purge efficiency for gases such as oxygen.

따라서, 공정 장비에서 보다 원활하게 퍼지가 이루어질 수 있고, 퍼지에 소요되는 시간이 많이 감소되어 장비 가동률이 향상되는 효과가 있다. 또한, 퍼지가 잘 이루어져 잔류 가스에 의한 사고 위험성을 줄일 수 있다. Therefore, purging can be performed more smoothly in the process equipment, and the time required for purging is reduced a lot, thereby improving the equipment operation rate. In addition, it is possible to purge well to reduce the risk of accidents due to residual gas.

Claims (5)

수소 공급 라인을 가지는 공정 챔버와 상기 공정 챔버와 개폐 장치를 통해 연결되며 퍼지용 운반 가스 공급 라인과 벤트를 포함하는 퍼지 장치가 구비된 준비 공간을 가지는 반도체 장치 제조 장비에서, In the semiconductor device manufacturing equipment having a process chamber having a hydrogen supply line and a preparation space connected through the process chamber and the opening and closing device and equipped with a purge device including a purge carrier gas supply line and a vent, 상기 퍼지 장치의 상기 벤트의 입구가 상기 준비 공간의 상부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 장비.The inlet of the vent of the purge device is provided in the upper portion of the preparation space, the semiconductor device manufacturing equipment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지용 운반 가스 공급 라인의 공급구가 상기 준비 공간의 중간 부분이나 하부 공간에 복수 개가 분포하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 장비. And a plurality of supply ports of the purge carrier gas supply line are disposed in the middle portion or the lower space of the preparation space. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 벤트는 상기 준비 공간의 상부에서도 상단에 수소 감지 센서와 함께 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 장비.And the vent is positioned at the top of the preparation space together with a hydrogen detection sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퍼지용 가스의 공급구는 상기 준비 공간에서 상하로 길게 형성되고, The supply port of the purge gas is formed long in the preparation space up and down, 노즐 자체의 형태가 상하로 길게 형성되거나, 상하로 많은 개별 노즐이 배치 되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 장비.A device for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the shape of the nozzle itself is elongated up and down, or that many individual nozzles are arranged up and down. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 노즐은 복수 개의 개별 노즐이 상기 공급구에서 방사상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 장비.The nozzle is a semiconductor device manufacturing equipment, characterized in that a plurality of individual nozzles are provided radially from the supply port.
KR1020050132555A 2005-12-28 2005-12-28 Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus KR20070069902A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132555A KR20070069902A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132555A KR20070069902A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070069902A true KR20070069902A (en) 2007-07-03

Family

ID=38505465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050132555A KR20070069902A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070069902A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020053960A1 (en) * 2018-09-11 2020-03-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program
CN112889142A (en) * 2018-10-28 2021-06-01 应用材料公司 Processing chamber with annealing mini-environment

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020053960A1 (en) * 2018-09-11 2020-03-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program
JPWO2020053960A1 (en) * 2018-09-11 2021-08-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
CN112889142A (en) * 2018-10-28 2021-06-01 应用材料公司 Processing chamber with annealing mini-environment
CN112889142B (en) * 2018-10-28 2024-05-28 应用材料公司 Processing chamber with annealing mini-environment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11003149B2 (en) Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
US11887868B2 (en) Substrate processing apparatus and apparatus for manufacturing integrated circuit device
US6808352B2 (en) Method for transporting boards, load port apparatus, and board transport system
KR100706250B1 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices
US7934513B2 (en) Facility with multi-storied process chamber for cleaning substrates and method for cleaning substrates using the facility
KR102367124B1 (en) Load port apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and method of controlling atmosphere in pod
KR20070069902A (en) Equipment for making semiconductor device having hydrogen purge apparatus
KR101099603B1 (en) A chamber and substrates treating method using the chamber
KR100574686B1 (en) Vacuum gate valve having anti-suck back function
CN114121579B (en) Chuck and semiconductor device
KR200169705Y1 (en) Automatic wafer pusher up-down speed control device for semiconductor manufacturing apparatus
KR20060085716A (en) Slot valve for double sealing in semiconductor equipment
KR20080058690A (en) Apparatus for treating substrates
KR20070000686A (en) Wafer lifting apparatus of semiconductor device manufacturing equipment
KR100827478B1 (en) Auto shutter and purge gas cleaning method of lpcvd
KR20080073815A (en) Equipment for manufacturing semiconductor
KR20050017487A (en) Chamber opening and closing device of smiconductor manufacture equipment
KR20230112951A (en) A efem
KR20240094552A (en) Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same
KR20240037128A (en) Substrate processing device and the control method of the same
JP2018170359A (en) Load port apparatus
KR20080071643A (en) Load-lock chamber
KR20060114980A (en) Etching facility for manufacturing semiconductor devices and etching method thereof
KR20040053465A (en) Process Chamber And Method For Cleaning Electrostatic Chuck
KR20060008359A (en) Equipment for preventing paticle of load-lock chamber

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination