KR20070065807A - Coating processing apparatus and coating processing method - Google Patents

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KR20070065807A
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도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

A coating processing apparatus and a method are provided to let an applying position of each glass substrate equal on a transfer line by harmonizing discharging positions of a first nozzle and a second nozzle. A substrate is transferred along a substrate transfer path. Nozzles(80,81) are installed on the substrate transfer path, and discharge a coating solution onto the substrate transferring on the substrate transfer path. Rotary rolls(100,120) are installed on the substrate transfer path, and perform test discharge of the coating solution of the nozzle. The nozzles are installed on front and rear sides of the substrate transfer path. The rotary rolls are installed on each nozzle.

Description

도포 처리 장치 및 도포 처리 방법{COATING PROCESSING APPARATUS AND COATING PROCESSING METHOD}Coating processing apparatus and coating processing method {COATING PROCESSING APPARATUS AND COATING PROCESSING METHOD}

도1은 본 실시 형태에 있어서의 도포 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 평면도. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of a coating and developing apparatus according to the present embodiment.

도2는 레지스트 도포 처리 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도. 2 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of the configuration of a resist coating processing unit;

도3은 레지스트 도포 처리 유닛의 구성의 개략을 도시하는 평면도. 3 is a plan view showing an outline of the configuration of a resist coating processing unit;

도4는 노즐의 설명도. 4 is an explanatory diagram of a nozzle;

도5는 레지스트 도포 유닛의 반송 라인 방향에서 본 종단면도. Fig. 5 is a longitudinal sectional view seen from the conveying line direction of the resist coating unit.

도6은 제1 노즐이 레지스트액을 도포하고 있을 때의 레지스트 도포 처리 유닛 내의 모습을 도시하는 종단면의 설명도. Fig. 6 is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in a resist coating processing unit when the first nozzle is applying a resist liquid;

도7은 제2 노즐이 레지스트액을 도포하고 있을 때의 레지스트 도포 처리 유닛 내의 모습을 도시하는 종단면의 설명도. Fig. 7 is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in a resist coating processing unit when a second nozzle is applying a resist liquid;

도8은 제1 노즐이 레지스트액을 다시 도포하고 있을 때의 레지스트 도포 처리 유닛 내의 모습을 도시하는 종단면의 설명도. FIG. 8 is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in a resist coating processing unit when the first nozzle is applying the resist liquid again; FIG.

도9는 아암을 Y방향으로 이동 가능하게 한 경우의 레지스트 도포 처리 유닛의 구성의 개략을 도시하는 평면도. 9 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a resist coating processing unit when the arm is movable in the Y direction.

도10은 제1 노즐이 레지스트액을 도포하고 있을 때의 레지스트 도포 처리 유닛 내의 모습을 도시하는 종단면의 설명도. 10 is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in a resist coating processing unit when the first nozzle is applying a resist liquid;

도11은 제2 노즐이 레지스트액을 도포하고 있을 때의 레지스트 도포 처리 유닛 내의 모습을 도시하는 종단면의 설명도. Fig. 11 is an explanatory view of a longitudinal section showing a state in a resist coating processing unit when a second nozzle is applying a resist liquid;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 도포 현상 처리 장치1: coating and developing apparatus

24 : 레지스트 도포 처리 유닛24: resist coating processing unit

80 : 제1 노즐80: first nozzle

81 : 제2 노즐81: second nozzle

70b : 도포 스테이지70b: application stage

90 : 아암90: arm

100 : 제1 회전 롤100: first rotating roll

120 : 제2 회전 롤120: second rotating roll

G : 유리 기판G: glass substrate

[문헌 1] 일본 특허 공개 평10-156255호 공보[Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-156255

본 발명은 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치 및 도포 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a coating treatment apparatus and a coating treatment method for applying a coating liquid to a substrate.

예를 들어, 액정 디스플레이의 제조 프로세스의 포토리소그래피 공정에서는 유리 기판 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리가 행해지고 있다. For example, in the photolithography process of the manufacturing process of a liquid crystal display, the resist coating process which apply | coats a resist liquid on a glass substrate and forms a resist film is performed.

상술한 레지스트 도포 처리는 통상 기판 반송 라인 상에 설치된 레지스트 도포 처리 유닛에 있어서 행해지고, 예를 들어 레지스트 도포 처리 유닛의 스테이지 상에 유리 기판이 차례로 반송되고, 노즐에 의해 각 유리 기판에 레지스트액을 토출함으로써 행해지고 있다. The resist coating process mentioned above is normally performed in the resist coating process unit provided on the board | substrate conveyance line, for example, a glass substrate is conveyed in order on the stage of a resist coating process unit, and a resist liquid is discharged to each glass substrate with a nozzle. This is done by doing.

그런데, 상술한 레지스트 도포 처리 유닛에는 노즐의 시험 토출(프라이밍 처리)을 행하는 회전 롤이 설치되어 있다. 도포 전에 노즐의 선단부를 회전 롤의 상면에 근접시켜 회전 롤을 회전시키면서 노즐로부터 회전 롤로 레지스트액을 토출함으로써 노즐의 토출 상태를 안정시킬 수 있다(특허문헌 1 참조). By the way, the above-mentioned resist coating process unit is provided with the rotary roll which performs test discharge (priming process) of a nozzle. The discharging state of a nozzle can be stabilized by discharging a resist liquid from a nozzle to a rotating roll, rotating the rotating roll while making the tip part of a nozzle approach the upper surface of a rotating roll before application | coating (refer patent document 1).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평10-156255호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-156255

그러나, 상술한 노즐의 시험 토출은 1매의 유리 기판을 도포할 때마다 행해진다. 이로 인해, 노즐은 1매의 유리 기판의 도포를 종료한 후에 회전 롤 상으로 이동하여 시험 토출을 행하고, 다시 토출 위치로 복귀된다. 그 동안, 다음에 도포되는 유리 기판은 기판 반송 라인 상에서 기다리게 되어 있다. 이와 같이, 종래에는 레지스트 도포 처리 유닛에서 유리 기판의 대기 시간이 생겼기 때문에, 유리 기판의 처리 택트를 충분히 짧게 할 수는 없었다. 이로 인해, 높은 처리량을 실현하 는 것은 어려웠다. However, the test discharge of the nozzle described above is performed every time one glass substrate is applied. For this reason, after completion | finish of application | coating of one glass substrate, a nozzle moves to a rotating roll, performs test discharge, and returns to a discharge position again. In the meantime, the glass substrate apply | coated next waits on a board | substrate conveyance line. As described above, since the waiting time of the glass substrate is conventionally generated in the resist coating processing unit, the processing tact of the glass substrate cannot be shortened sufficiently. This made it difficult to achieve high throughput.

본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, 레지스트 도포 처리 유닛 등의 도포 처리 장치에 있어서의 기판의 처리 택트를 단축하는 것을 그 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of this point, Comprising: It aims at shortening the process tact of the board | substrate in coating processing apparatuses, such as a resist coating processing unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치이며, 기판이 수평 방향으로 반송되는 기판 반송로와, 상기 기판 반송로의 상방에 설치되어 상기 기판 반송로를 반송되는 기판에 대해 도포액을 토출하는 노즐과, 상기 기판 반송로의 상방에 설치되어 상기 노즐의 도포액의 시험 토출이 행해지는 회전 롤을 구비하고, 상기 노즐은 상기 기판 반송로를 따른 전후에 2개 설치되고, 상기 회전 롤은 상기 각 노즐마다 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object is a coating apparatus for applying a coating liquid to a substrate, the substrate is a substrate conveying path to the substrate conveyance in the horizontal direction, the substrate provided above the substrate conveying path and conveyed the substrate conveying path Nozzles for discharging the coating liquid with respect to the substrate conveyance path, and a rotating roll provided above the substrate conveying path and subjected to a test discharge of the coating liquid of the nozzle. The rotating roll is provided for each of the nozzles.

본 발명에 따르면, 한쪽 노즐이 기판에 도포액을 토출하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐이 회전 롤에 의해 시험 토출을 행할 수 있다. 이로 인해, 한쪽 노즐에 의해 하나의 기판의 도포 처리가 종료된 후, 즉시 다른 쪽 노즐에 의해 다음 기판의 도포 처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 도포 처리 장치에 있어서 기판의 처리 대기 시간이 없어져 처리 택트를 단축할 수 있다. According to this invention, while one nozzle is discharging a coating liquid to a board | substrate, the other nozzle can perform test discharge with a rotating roll. For this reason, after the application | coating process of one board | substrate is complete | finished by one nozzle, the application | coating process of the next board | substrate can be performed immediately by another nozzle. Thereby, in a coating processing apparatus, the processing waiting time of a board | substrate is lost and a processing tact can be shortened.

상기 각 노즐은 상하 이동 가능하게 구성되고, 상기 각 회전 롤은 상기 기판 반송로를 따라서 전후로 이동하고, 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능하게 구성되어 있어도 좋다. Each said nozzle is comprised so that up-and-down movement is possible, and each said rotating roll may move back and forth along the said board | substrate conveyance path, and may be comprised so that advance and retreat to the position below a nozzle.

상기 기판 반송로의 상류측의 노즐에 대해서는, 한쪽 회전 롤이 상류측으로 부터 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능하고, 상기 기판 반송로의 하류측의 노즐에 대해서는 다른 쪽 회전 롤이 하류측으로부터 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능해도 좋다.With respect to the nozzle upstream of the said substrate conveyance path, one rotating roll can advance and retreat from the upstream side to the position below the nozzle, and with respect to the nozzle of the downstream side of the said substrate conveyance path, the other rotating roll of a nozzle from the downstream side You may advance and retreat to a downward position.

상기 2개의 노즐은 동일한 보유 지지 부재에 보유 지지되어 있어도 좋다.The two nozzles may be held by the same holding member.

상기 2개의 노즐은 상기 기판 반송로 상의 동일한 토출 위치로 이동 가능하게 구성되어 있어도 좋다. The two nozzles may be configured to be movable to the same discharge position on the substrate transfer path.

상술한 도포 처리 장치는 2개의 노즐 중 한쪽 노즐이 기판에 도포액을 도포하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐을 회전 롤에 있어서 시험 토출시키는 제어부를 갖고 있어도 좋다. The above-mentioned coating processing apparatus may have a control part which test-discharges the other nozzle in a rotary roll, while one of two nozzles is apply | coating a coating liquid to a board | substrate.

다른 관점에 의한 본 발명은 상기 도포 처리 장치를 이용한 도포 처리 방법이며, 2개의 노즐 중 한쪽 노즐이 기판에 도포액을 도포하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐이 회전 롤에 있어서 도포액의 시험 토출을 행하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a coating treatment method using the coating apparatus, wherein the other nozzle performs test discharge of the coating liquid in a rotating roll while one of the two nozzles is applying the coating liquid to the substrate. It features.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 도1은 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치가 탑재된 도포 현상 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferable embodiment of this invention is described. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a coating and developing apparatus 1 in which a coating and processing apparatus according to the present embodiment is mounted.

도포 현상 처리 장치(1)는, 도1에 도시한 바와 같이, 예를 들어 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부에 대해 반입출하기 위한 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 유닛이 배치된 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션에(3)에 인접하여 설치되고, 처리 스테이션(3)과 노광 장치(4) 사이에서 유리 기판(G)의 운반을 행하는 인터페이스 스테 이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. As shown in FIG. 1, the coating and developing apparatus 1 is, for example, a cassette station 2 for carrying in and out of a plurality of glass substrates G in a cassette unit to the outside, and a sheet type in a photolithography step. Is provided adjacent to the processing station 3 and the processing station 3 in which the various processing units which perform predetermined | prescribed processing are carried out, and between the processing station 3 and the exposure apparatus 4, the glass substrate G is carried out. It has a configuration in which the interface station 5 for carrying the unit is connected integrally.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 적재대(10)가 설치되고, 상기 카세트 적재대(10)는 복수의 카세트(C)를 X방향(도1 중 상하 방향)에 일렬로 적재 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는 반송로(11) 상을 X방향을 향해 이동 가능한 기판 반송체(12)가 설치되어 있다. 기판 반송체(12)는 카세트(C)에 수용된 유리 기판(G)의 배열 방향(Z방향 ; 수직 방향)으로도 이동 가능하고, X방향에 배열된 각 카세트(C) 내의 유리 기판(G)에 대해 선택적으로 액세스할 수 있다. The cassette station 2 is provided with a cassette holder 10, and the cassette holder 10 is capable of stacking a plurality of cassettes C in a line in the X direction (up and down direction in FIG. 1). The cassette station 2 is provided with a substrate carrier 12 which is movable on the conveying path 11 in the X direction. The substrate carrier 12 is also movable in the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the glass substrate G accommodated in the cassette C, and the glass substrate G in each cassette C arranged in the X direction. Can optionally access to

기판 반송체(12)는 Z축 주위의 θ방향으로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 엑시머 UV 조사 유닛(20)이나 제6 열처리 유닛군(34)의 각 유닛에 대해서도 액세스할 수 있다. The board | substrate carrier body 12 can rotate in the (theta) direction about a Z axis | shaft, and can also access each unit of the excimer UV irradiation unit 20 and the 6th heat processing unit group 34 of the processing station 3 side mentioned later. Can be.

처리 스테이션(3)은, 예를 들어 Y방향(도1의 좌우 방향)으로 연장되는 2열의 반송 라인(A, B)을 구비하고 있다. 이 반송 라인(A, B)에 있어서는, 롤러 반송이나 아암에 의한 반송 등에 의해 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. 처리 스테이션(3)의 정면측[X방향 마이너스 방향측(도1의 하측)]의 기판 반송로로서의 반송 라인(A)에는 카세트 스테이션(2)측으로부터 인터페이스 스테이션(5)측을 향해 차례로, 예를 들어 유리 기판(G) 상의 유기물을 제거하는 엑시머 UV 조사 유닛(20), 유리 기판(G)을 세정하는 스크러버 세정 유닛(21), 제1 열처리 유닛군(22), 제2 열처리 유닛군(23), 유리 기판(G)에 레지스트액을 도포하는 도포 처리 장치로서의 레지스트 도포 처리 유닛(24), 유리 기판(G)을 감압 건조하는 감압 건조 유닛(25) 및 제3 열처리 유닛군(26)이 직선적으로 일렬로 배치되어 있다. The processing station 3 is provided with the conveyance lines A and B of 2 rows extended in the Y direction (left-right direction of FIG. 1), for example. In these conveyance lines A and B, glass substrate G can be conveyed by roller conveyance, conveyance by an arm, etc. In the conveyance line A as the substrate conveyance path on the front side (the X-direction negative direction side (lower side in FIG. 1)) of the processing station 3, the cassette station 2 side toward the interface station 5 side, For example, the excimer UV irradiation unit 20 which removes the organic substance on glass substrate G, the scrubber cleaning unit 21 which wash | cleans glass substrate G, the 1st heat processing unit group 22, and the 2nd heat processing unit group ( 23), the resist coating processing unit 24 as a coating processing apparatus which apply | coats a resist liquid to glass substrate G, the pressure reduction drying unit 25 which vacuum-drys glass substrate G, and the 3rd heat processing unit group 26 These lines are arranged in a straight line.

제1 및 제2 열처리 유닛군(22, 23)에는 유리 기판(G)을 가열 또는 냉각하는 복수의 열처리 유닛이 다단으로 적층되어 있다. 제1 열처리 유닛군(22)과 제2 열처리 유닛군(23) 사이에는 이 유닛군(22, 23) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(27)가 설치되어 있다. 제3 열처리 유닛군(26)에도 마찬가지로 열처리 유닛이 다단으로 적층되어 있다. In the first and second heat treatment unit groups 22 and 23, a plurality of heat treatment units for heating or cooling the glass substrate G are laminated in multiple stages. Between the 1st heat processing unit group 22 and the 2nd heat processing unit group 23, the conveyance body 27 which conveys the glass substrate G between these unit groups 22 and 23 is provided. Similarly, in the third heat treatment unit group 26, heat treatment units are stacked in multiple stages.

처리 스테이션(3)의 배면측[X방향 플러스 방향측(도1의 상방측)]의 반송 라인(B)에는 인터페이스 스테이션(5)측으로부터 카세트 스테이션(2)측을 향해 차례로, 예를 들어 제4 열처리 유닛군(30), 유리 기판(G)을 현상 처리하는 현상 처리 유닛(31), 유리 기판(G)의 탈색 처리를 행하는 i선 UV 조사 유닛(32), 제5 열처리 유닛군(33) 및 제6 열처리 유닛군(34)이 직선형으로 일렬로 배치되어 있다. The conveyance line B on the back side (the X-direction plus direction side (upper side in Fig. 1)) of the processing station 3 is sequentially turned from the interface station 5 side toward the cassette station 2 side, for example, 4 heat treatment unit group 30, development processing unit 31 for developing glass substrate G, i-ray UV irradiation unit 32 for decolorizing glass substrate G, and fifth heat treatment unit group 33 ) And the sixth heat treatment unit group 34 are arranged in a straight line.

제4 내지 제6 열처리 유닛군(30, 33, 34)에는 각각 열처리 유닛이 다단으로 적층되어 있다. 또한, 제5 열처리 유닛군(33)과 제6 열처리 유닛군(34) 사이에는 이 유닛군(33, 34) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(40)가 설치되어 있다. The heat treatment units are stacked in multiple stages in the fourth to sixth heat treatment unit groups 30, 33, and 34, respectively. Moreover, the conveyance body 40 which conveys the glass substrate G between these unit groups 33 and 34 is provided between the 5th heat processing unit group 33 and the 6th heat processing unit group 34. As shown in FIG.

반송 라인(A)의 제3 열처리 유닛군(26)과 반송 라인(B)의 제4 열처리 유닛군(30) 사이에는 이 유닛군(26, 30) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(41)가 설치되어 있다. 이 반송체(41)는 후술하는 인터페이스 스테이션(5)의 익스텐션 쿨링 유닛(60)에 대해서도 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. The glass substrate G between the unit groups 26 and 30 is conveyed between the third heat treatment unit group 26 of the conveying line A and the fourth heat treatment unit group 30 of the conveying line B. The carrier body 41 is provided. This conveyance body 41 can convey glass substrate G also with respect to the extension cooling unit 60 of the interface station 5 mentioned later.

반송 라인(A)과 반송 라인(B) 사이에는 Y방향을 따른 직선적인 공간(50)이 형성되어 있다. 공간(50)에는 유리 기판(G)을 적재하여 반송 가능한 셔틀(51)이 설치되어 있다. 셔틀(51)은 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측의 단부로부터 인터페이스 스테이션(5)측의 단부까지 이동 가능하고, 처리 스테이션(3) 내의 각 반송체(27, 40, 41)에 대해 유리 기판(G)을 운반할 수 있다.Between the conveyance line A and the conveyance line B, the linear space 50 along a Y direction is formed. In the space 50, the shuttle 51 which can load and convey the glass substrate G is provided. The shuttle 51 is movable from the end of the cassette station 2 side of the processing station 3 to the end of the interface station 5 side, and is connected to each carrier 27, 40, 41 in the processing station 3. The glass substrate G can be conveyed.

인터페이스 스테이션(5)에는, 예를 들어 냉각 기능을 갖고 유리 기판(G)의 운반을 행하는 익스텐션 쿨링 유닛(60)과, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 카세트(61)와, 외부 장치 블럭(62)이 설치되어 있다. 외부 장치 블럭(62)에는 기판(G)에 생산 관리용 코드를 노광하는 타이틀러와, 유리 기판(G)의 주변부를 노광하는 주변 노광 장치가 설치되어 있다. 인터페이스 스테이션(5)에는 상기 익스텐션 쿨링 유닛(60), 버퍼 카세트(61), 외부 장치 블럭(62) 및 노광 장치(4)에 비해, 유리 기판(G)을 반송 가능한 기판 반송체(63)가 설치되어 있다. The interface station 5 includes, for example, an extension cooling unit 60 having a cooling function and carrying the glass substrate G, a buffer cassette 61 temporarily accommodating the glass substrate G, and an external device. Block 62 is provided. The external device block 62 is provided with a titler for exposing the production management code to the substrate G, and a peripheral exposure apparatus for exposing the periphery of the glass substrate G. The interface station 5 has a substrate carrier 63 capable of conveying a glass substrate G, compared to the extension cooling unit 60, the buffer cassette 61, the external device block 62, and the exposure apparatus 4. It is installed.

다음에, 상술한 레지스트 도포 처리 유닛(24)의 구성에 대해 설명한다. Next, the structure of the resist coating process unit 24 mentioned above is demonstrated.

레지스트 도포 처리 유닛(24)에는, 예를 들어 도2 및 도3에 도시한 바와 같이 반송 라인(A)을 따른 Y방향에 긴 스테이지(70)가 설치되어 있다. 스테이지(70)는 반입 스테이지(70a), 도포 스테이지(70b) 및 반출 스테이지(70c)를 반송 라인(A)의 상류측(Y방향 마이너스 방향측)으로부터 하류측(Y방향 플러스 방향측)을 향해 차례로 구비하고 있다. 반입 스테이지(70a)와 반출 스테이지(70c)의 상면에는, 도3에 도시한 바와 같이 다수의 가스 분출구(71)가 형성되어 있다. 도포 스테이지(70b)의 상면에는 가스 분출구(71)와 흡입구(72)가 형성되어 있다. 가스 분출구(71)로부터 가스를 분출함으로써 스테이지(70) 전체면에 있어서 유리 기판(G)을 부상시킬 수 있다. 또한, 도포 스테이지(70b)에 있어서는, 가스 분출구(71)에 의 한 가스의 분출과 흡입구(72)에 의한 흡인을 조정함으로써 유리 기판(G)을 도포 스테이지(70b)에 보다 근접시켜 안정된 높이로 부상시킬 수 있다. The resist coating processing unit 24 is provided with an elongate stage 70 in the Y direction along the conveying line A, for example, as shown in FIGS. 2 and 3. The stage 70 moves the carrying-in stage 70a, the application | coating stage 70b, and the carrying out stage 70c toward the downstream side (Y direction positive direction side) from the upstream side (Y direction negative direction side) of conveyance line A. FIG. It is provided in order. On the upper surfaces of the carry-in stage 70a and the carry-out stage 70c, as shown in FIG. 3, many gas ejection openings 71 are formed. The gas blowing port 71 and the suction port 72 are formed in the upper surface of the application | coating stage 70b. The glass substrate G can be floated on the whole surface of the stage 70 by blowing gas from the gas blowing port 71. In addition, in the application | coating stage 70b, the glass substrate G is made closer to the application | coating stage 70b by adjusting the blowing of the gas by the gas ejection opening 71, and the suction by the suction opening 72, and to a stable height. It may cause injury.

스테이지(70)의 폭방향(X방향)의 양측에는 Y방향으로 연장되는 한 쌍의 제1 가이드 레일(73)이 형성되어 있다. 각 제1 가이드 레일(73)에는 유리 기판(G)의 폭방향의 단부를 보유 지지하여 이동하는 보유 지지 아암(74)이 설치되어 있다. 스테이지(70) 상에서 부상한 유리 기판(G)의 양단부를 보유 지지 아암(74)에 의해 보유 지지하고, 그 유리 기판(G)을 제1 가이드 레일(73)을 따라서 Y방향으로 이동시킬 수 있다. On both sides of the stage 70 in the width direction (X direction), a pair of first guide rails 73 extending in the Y direction are formed. The holding arm 74 which hold | maintains and moves the edge part of the width direction of the glass substrate G in each 1st guide rail 73 is provided. Both ends of the glass substrate G which floated on the stage 70 can be hold | maintained by the holding arm 74, and the glass substrate G can be moved to a Y direction along the 1st guide rail 73. FIG. .

도포 스테이지(70b)의 상방에는 유리 기판(G)에 레지스트액을 토출하는 2개의 노즐(80, 81)이 설치되어 있다. 제1 노즐(80)은, 예를 들어 도3 및 도4에 도시한 바와 같이 X방향을 향해 긴 대략 직육면체형으로 형성되어 있다. 제1 노즐(80)은, 예를 들어 유리 기판(G)의 X방향의 폭보다도 길게 형성되어 있다. 제1 노즐(80)의 하단부에는, 도4에 도시한 바와 같이 슬릿형의 토출구(80a)가 형성되어 있다. 제1 노즐(80)의 상부에는 레지스트액 공급원(82)에 통하는 레지스트액 공급관(83)이 접속되어 있다. Above the application | coating stage 70b, the two nozzles 80 and 81 which discharge a resist liquid to the glass substrate G are provided. As shown in Figs. 3 and 4, for example, the first nozzle 80 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape that is long toward the X direction. The 1st nozzle 80 is formed longer than the width | variety of the X direction of glass substrate G, for example. At the lower end of the first nozzle 80, as shown in FIG. 4, a slit-shaped discharge port 80a is formed. The resist liquid supply pipe 83 which connects to the resist liquid supply source 82 is connected to the upper part of the 1st nozzle 80.

제2 노즐(81)은 제1 노즐(80)과 동일한 구성을 갖고, 제2 노즐(81)의 하단부에는 토출구(81a)가 형성되고, 제2 노즐(81)의 상부에는 레지스트액 공급원(82)에 통하는 레지스트액 공급관(83)이 접속되어 있다. The second nozzle 81 has the same configuration as the first nozzle 80, a discharge port 81a is formed at the lower end of the second nozzle 81, and a resist liquid supply source 82 is disposed above the second nozzle 81. Is connected to a resist liquid supply pipe (83).

도3 및 도5에 도시한 바와 같이 제1 노즐(80)과 제2 노즐(81)은 도포 스테이지(70b)의 X방향의 양측에 걸쳐서 가설된 문형의 보유 지지 부재로서의 아암(갠트 리)(90)에 의해 보유 지지되어 있다. 아암(90)은 도포 스테이지(70b) 상방에서 X방향의 수평 방향을 향해 형성된 상부 수평부(90a)를 구비하고 있다. 노즐(80, 81)의 상부에는 상하 방향으로 구동하는 실린더 등의 구동 기구(91)가 설치되고, 노즐(80, 81)은 이 구동 기구(91)를 거쳐서 아암(90)의 상부 수평부(90a)에 설치되어 있다. 도2에 도시한 바와 같이, 제1 노즐(80)은 상부 수평부(90a)의 Y방향 마이너스 방향측의 측면에 설치되고, 제2 노즐(81)은 상부 수평부(90a)의 Y방향 플러스 방향측의 측면에 설치되어 있다. 각 노즐(80, 81)은 각각의 구동 기구(91)에 의해 승강하여 하방을 통과하는 유리 기판(G)의 표면에 대해 진퇴할 수 있다. As shown in Figs. 3 and 5, the first nozzle 80 and the second nozzle 81 are arms (gantry) serving as door-shaped holding members that are hypothesized over both sides in the X direction of the application stage 70b ( 90). The arm 90 is provided with the upper horizontal part 90a formed in the X direction horizontal direction above the application | coating stage 70b. A drive mechanism 91 such as a cylinder for driving in the up and down direction is provided above the nozzles 80, 81, and the nozzles 80, 81 pass through the drive mechanism 91 to the upper horizontal portion of the arm 90 ( 90a). As shown in Fig. 2, the first nozzle 80 is provided on the side of the upper horizontal portion 90a in the negative direction of the Y direction, and the second nozzle 81 is positive in the Y horizontal direction of the upper horizontal portion 90a. It is provided in the side surface of a direction side. Each nozzle 80, 81 can advance and retreat with respect to the surface of the glass substrate G which raises and lowers by each drive mechanism 91, and passes below.

도2 및 도3에 도시한 바와 같이, 제1 노즐(80)의 Y방향 마이너스 방향측에는 제1 노즐(80)의 시험 토출이 행해지는 제1 회전 롤(100)이 설치되어 있다. 이 제1 회전 롤(100)의 위치가 대기 위치(T1)가 된다. 제1 회전 롤(100)은 회전축을 X방향을 향하게 하고, 예를 들어 제1 노즐(80)보다도 길게 형성되어 있다. 제1 회전 롤(100)은, 예를 들어 제1 회전 롤(100)을 세정하기 위한 세정 용기(101) 내에 수용되어 있다. 이 제1 회전 롤(100)의 최상부에 제1 노즐(80)의 토출구(80a)를 근접시켜 제1 회전 롤(100)을 회전시키면서 토출구(80a)로부터 제1 회전 롤(100)로 레지스트액을 토출함으로써 토출구(80a)에 있어서의 레지스트액의 부착 상태를 정리하여 레지스트액의 토출 상태를 안정시킬 수 있다. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the 1st rotating roll 100 by which the test discharge of the 1st nozzle 80 is performed is provided in the Y direction negative direction side of the 1st nozzle 80. As shown in FIG. The position of this 1st rotating roll 100 turns into a standby position T1. The 1st rotating roll 100 faces the rotation axis in the X direction, and is formed longer than the 1st nozzle 80, for example. The 1st rotating roll 100 is accommodated in the washing | cleaning container 101 for washing | cleaning the 1st rotating roll 100, for example. The resist liquid from the discharge port 80a to the first rotary roll 100 while rotating the first rotary roll 100 by bringing the discharge port 80a of the first nozzle 80 close to the top of the first rotary roll 100. The discharge state of the resist liquid can be stabilized by arranging the adhesion state of the resist liquid in the discharge port 80a.

예를 들어, 도3에 도시한 바와 같이 제1 회전 롤(100)의 X방향의 양측에는 Y방향으로 연장되는 한 쌍의 제2 가이드 레일(110)이 형성되어 있다. 예를 들어, 세정 용기(101)는 모터 등의 구동원에 의해 제2 가이드 레일(110) 상을 이동하는 지지 아암(111)에 의해 지지되어 있다. 제2 가이드 레일(110) 상에서 지지 아암(111)을 이동시킴으로써, 세정 용기(101) 내의 제1 회전 롤(100)을 Y방향의 수평 방향으로 이동시키고, 제1 노즐(80)의 하방의 위치로 이동시킬 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, a pair of second guide rails 110 extending in the Y direction are formed on both sides of the first rotation roll 100 in the X direction. For example, the cleaning container 101 is supported by the support arm 111 which moves on the 2nd guide rail 110 by the drive source, such as a motor. By moving the support arm 111 on the 2nd guide rail 110, the 1st rotating roll 100 in the cleaning container 101 is moved to the horizontal direction of a Y direction, and the position of the 1st nozzle 80 below Can be moved to

제2 노즐(81)의 Y방향 플러스 방향측에는 제2 노즐(81)의 시험 토출이 행해지는 제2 회전 롤(120)이 설치되어 있다. 이 제2 회전 롤(120)의 위치가 대기 위치(T2)가 된다. 제2 회전 롤(120)은 상술한 제1 회전 롤(100)과 동일한 구성을 갖고 있다. 제2 회전 롤(120)은, 예를 들어 세정 용기(121) 내에 수용되어 있다. 또한, 세정 용기(121)는 상술한 세정 용기(101)와 마찬가지로 제2 가이드 레일(110) 상을 이동하는 지지 아암(122)에 의해 지지되어 있다. 이에 의해, 제2 회전 롤(120)은 Y방향의 수평 방향으로 이동하고, 제2 노즐(81)의 하방의 위치로 이동할 수 있다. The 2nd rotating roll 120 by which the test discharge of the 2nd nozzle 81 is performed is provided in the Y direction positive direction side of the 2nd nozzle 81. The position of this 2nd rotating roll 120 turns into a standby position T2. The 2nd rotating roll 120 has the same structure as the 1st rotating roll 100 mentioned above. The 2nd rotary roll 120 is accommodated in the washing | cleaning container 121, for example. In addition, the cleaning container 121 is supported by the support arm 122 which moves on the 2nd guide rail 110 similarly to the cleaning container 101 mentioned above. Thereby, the 2nd rotating roll 120 can move to the horizontal direction of a Y direction, and can move to the position below the 2nd nozzle 81. FIG.

또한, 유리 기판(G)의 보유 지지 아암(74), 노즐(80, 81)의 구동 기구(91), 회전 롤(100, 120)의 회전 기구, 세정 용기(101, 121)의 지지 아암(111, 122) 등의 구동계의 동작은, 예를 들어 도1에 도시하는 제어부(125)에 의해 제어되어 있다. 제어부(125)는 이들 구동계의 동작을 제어하고, 레지스트 도포 처리 유닛(24)에 있어서 소정의 도포 처리를 실행할 수 있다. Moreover, the holding arm 74 of the glass substrate G, the drive mechanism 91 of the nozzles 80 and 81, the rotating mechanism of the rotation rolls 100 and 120, and the support arm of the cleaning container 101 and 121 ( The operation of drive systems such as 111 and 122 is controlled by the controller 125 shown in FIG. 1, for example. The control part 125 can control the operation | movement of these drive systems, and can perform predetermined | prescribed coating process in the resist coating process unit 24. FIG.

다음에, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포 처리 유닛(24)의 도포 처리 프로세스를 도포 현상 처리 장치(1)에서 행해지는 포트리소그래피 공정의 프로세스와 함께 설명한다. Next, the coating process of the resist coating process unit 24 comprised as mentioned above is demonstrated with the process of the port lithography process performed by the coating-development processing apparatus 1.

우선, 카세트 스테이션(2)의 카세트(C) 내의 복수의 유리 기판(G)이 기판 반 송체(12)에 의해 차례로 처리 스테이션(3)의 엑시머 UV 조사 유닛(20)으로 반송된다. 유리 기판(G)은 반송 라인(A)을 따라서 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크러버 세정 유닛(21), 제1 열처리 유닛군(22)의 열처리 유닛, 제2 열처리 유닛군(23)의 열처리 유닛, 레지스트 도포 처리 유닛(24), 감압 건조 유닛(25) 및 제3 열처리 유닛군(26)의 열처리 유닛으로 차례로 반송되고, 각 처리 유닛에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 제3 열처리 유닛군(26)에서 열처리가 종료된 유리 기판(G)은 반송체(41)에 의해 인터페이스 스테이션(5)으로 반송되고, 기판 반송체(63)에 의해 노광 장치(4)로 반송된다. First, the some glass substrate G in the cassette C of the cassette station 2 is conveyed by the board | substrate carrier 12 to the excimer UV irradiation unit 20 of the processing station 3 one by one. The glass substrate G is subjected to the heat treatment of the excimer UV irradiation unit 20, the scrubber cleaning unit 21, the heat treatment unit of the first heat treatment unit group 22, and the second heat treatment unit group 23 along the conveyance line A. The unit, the resist coating processing unit 24, the vacuum drying unit 25, and the heat treatment unit of the third heat treatment unit group 26 are sequentially conveyed, and predetermined treatment is performed in each processing unit. The glass substrate G in which the heat processing was completed in the 3rd heat processing unit group 26 is conveyed to the interface station 5 by the conveyance body 41, and is conveyed to the exposure apparatus 4 by the board | substrate conveyance body 63. FIG. do.

노광 장치(4)에 있어서 노광 처리가 종료된 유리 기판(G)은 기판 반송체(63)에 의해 인터페이스 스테이션(5)으로 복귀되고, 반송체(41)에 의해 처리 스테이션(3)의 제4 열처리 유닛군(30)으로 반송된다. 유리 기판(G)은 반송 라인(B)을 따라서 제4 열처리 유닛군(30)의 열처리 유닛, 현상 처리 유닛(31), i선 UV 조사 유닛(32), 제5 열처리 유닛군(33)의 열처리 유닛 및 제6 열처리 유닛군(34)의 열처리 유닛으로 차례로 반송되고, 각 처리 유닛에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 제6 열처리 유닛군(34)에서 열처리가 종료된 유리 기판(G)은 기판 반송체(12)에 의해 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)로 복귀되고, 일련의 포트리소그래피 공정이 종료된다. In the exposure apparatus 4, the glass substrate G on which the exposure process is completed is returned to the interface station 5 by the substrate carrier 63, and the fourth of the processing station 3 is carried out by the carrier 41. It is conveyed to the heat processing unit group 30. The glass substrate G is formed by the heat treatment unit of the fourth heat treatment unit group 30, the development treatment unit 31, the i-ray UV irradiation unit 32, and the fifth heat treatment unit group 33 along the transfer line B. It is conveyed to the heat processing unit of the heat processing unit and the 6th heat processing unit group 34 one by one, and a predetermined process is performed in each processing unit. The glass substrate G in which the heat processing was completed in the 6th heat processing unit group 34 is returned to the cassette C of the cassette station 2 by the board | substrate carrier body 12, and a series of port lithography processes are complete | finished.

다음에, 레지스트 도포 처리 유닛(24)에 있어서의 도포 처리 프로세스에 대해 설명한다. Next, the coating processing process in the resist coating processing unit 24 is demonstrated.

우선, 제1 노즐(80)의 시험 토출이 행해진다. 이때, 도2에 도시한 바와 같 이 제1 노즐(80)로부터 Y방향 마이너스 방향측의 대기 위치(T1)에서 대기하고 있던 제1 회전 롤(100)이 Y방향 플러스 방향측으로 이동하여 제1 노즐(80)의 하방에 위치된다. 이때, 제1 노즐(80)의 토출구(80a)가 제1 회전 롤(100)의 상부 표면에 근접된다. 제1 회전 롤(100)이 회전하여 제1 노즐(80)로부터 제1 회전 롤(100)로 레지스트액이 토출되어 제1 노즐(80)의 토출 상태가 안정된다. 그 후, 제1 회전 롤(100)은 Y방향 마이너스 방향측으로 이동하여 본래의 대기 위치(T1)로 복귀된다.First, test discharge of the first nozzle 80 is performed. At this time, as shown in FIG. 2, the first rotating roll 100 waiting at the standby position T1 on the negative Y-direction side from the first nozzle 80 moves toward the positive Y-direction and moves to the first nozzle. It is located below 80. At this time, the discharge port 80a of the first nozzle 80 is close to the upper surface of the first rotary roll 100. The first rotating roll 100 rotates to discharge the resist liquid from the first nozzle 80 to the first rotating roll 100, thereby stabilizing the discharge state of the first nozzle 80. Thereafter, the first rotary roll 100 moves to the negative direction in the Y direction and returns to the original standby position T1.

제1 노즐(80)의 시험 토출이 종료되면, 제1 노즐(80)은, 도6에 도시한 바와 같이 하강하여 소정의 높이의 토출 위치(E1)로 이동한다. 지금까지의 동안에 유리 기판(G1)은 반입 스테이지(70a)로 반입되고 있다. 제1 노즐(80)이 토출 위치(E1)까지 이동하면, 반입 스테이지(70a)의 유리 기판(G1)이 일정한 속도로 Y방향 플러스 방향측으로 반송된다. 유리 기판(G1)이 도포 스테이지(70b) 상을 이동하고, 제1 노즐(80)의 하방을 통과할 때에, 제1 노즐(80)로부터 레지스트액이 토출되어 유리 기판(G1)의 상면의 전체면에 레지스트액이 도포된다. When the test discharge of the first nozzle 80 is completed, the first nozzle 80 is lowered to move to the discharge position E1 of a predetermined height as shown in FIG. 6. Until now, the glass substrate G1 is carried in to the loading stage 70a. When the 1st nozzle 80 moves to the discharge position E1, the glass substrate G1 of the loading stage 70a is conveyed to the Y direction plus direction side at a constant speed. When glass substrate G1 moves on the application | coating stage 70b, and passes below 1st nozzle 80, resist liquid is discharged from 1st nozzle 80, and the whole upper surface of glass substrate G1 is discharged. The resist liquid is applied to the surface.

제1 노즐(80)이 유리 기판(G1)에 레지스트액을 도포하고 있는 동안에 제2 노즐(81)의 시험 토출이 행해진다. 이때, 제2 회전 롤(120)은 제2 노즐(81)보다도 Y방향 플러스 방향측의 대기 위치(T2)로부터 제2 노즐(81)의 하방의 위치까지 이동한다. 제2 노즐(81)로부터 회전하고 있는 제2 회전 롤(120)에 레지스트액이 토출되어 제2 노즐(81)의 토출 상태가 안정된다. 제2 노즐(81)의 시험 토출이 종료되면, 제2 회전 롤(120)은 Y방향 플러스 방향측으로 이동하여 본래의 대기 위치(T2)로 복귀된다.The test discharge of the second nozzle 81 is performed while the first nozzle 80 is applying the resist liquid to the glass substrate G1. At this time, the 2nd rotating roll 120 moves to the position below the 2nd nozzle 81 from the standby position T2 of the positive direction Y-direction more than the 2nd nozzle 81. The resist liquid is discharged to the second rotary roll 120 rotating from the second nozzle 81, so that the discharge state of the second nozzle 81 is stabilized. When the test discharge of the second nozzle 81 is completed, the second rotary roll 120 moves to the Y-direction plus direction to return to the original standby position T2.

또한, 유리 기판(G1)의 도포 처리가 행해지고 있는 동안에 다음의 유리 기판(G2)이 반입 스테이지(70a)로 반입된다. In addition, the next glass substrate G2 is carried into the carry-in stage 70a while the coating process of the glass substrate G1 is performed.

유리 기판(G1)이 제1 노즐(80)의 하방을 통과한 후 레지스트액의 도포가 종료되면, 제1 노즐(80)은, 도7에 도시한 바와 같이 본래의 대기 위치까지 상승된다. 이때, 제2 노즐(81)은 하강하여 소정의 높이의 토출 위치(E2)까지 이동한다. 제2 노즐(81)이 토출 위치(E2)로 이동하면, 반입 스테이지(70a)에서 대기하고 있던 유리 기판(G2)이 유리 기판(G1)에 연속하고 도포 스테이지(70b)측으로 이동된다. 유리 기판(G2)이 제2 노즐(81)의 하방을 통과할 때에 제2 노즐(81)로부터 레지스트액이 토출되어 유리 기판(G2)의 상면의 전체면에 레지스트액이 도포된다. After glass substrate G1 passes below the 1st nozzle 80, when application | coating of a resist liquid is complete | finished, the 1st nozzle 80 will raise to the original standby position as shown in FIG. At this time, the second nozzle 81 descends and moves to the discharge position E2 of a predetermined height. When the 2nd nozzle 81 moves to the discharge position E2, the glass substrate G2 waiting by the loading stage 70a will continue to glass substrate G1, and will move to the application | coating stage 70b side. When glass substrate G2 passes below 2nd nozzle 81, resist liquid is discharged from 2nd nozzle 81, and resist liquid is apply | coated to the whole surface of the upper surface of glass substrate G2.

제2 노즐(81)이 유리 기판(G2)에 레지스트액을 도포하고 있는 동안에 제1 회전 롤(100)이 대기 위치(T1)로부터 제1 노즐(80)의 하방의 위치까지 다시 이동하여 제1 노즐(80)의 시험 토출이 행해진다. 제1 노즐(80)의 시험 토출이 종료되면, 제1 회전 롤(100)은 다시 대기 위치(T1)로 복귀된다. 또한, 그 동안에 다음의 유리 기판(G3)이 반입 스테이지(70a)로 반입된다. 전회의 유리 기판(G1)은 반출 스테이지(70c)로부터 다음의 감압 건조 유닛(25)으로 반송된다. While the second nozzle 81 is applying the resist liquid to the glass substrate G2, the first rotating roll 100 moves again from the standby position T1 to a position below the first nozzle 80 to be the first. Test discharge of the nozzle 80 is performed. When the test discharge of the first nozzle 80 is finished, the first rotary roll 100 is returned to the standby position T1 again. In the meantime, the next glass substrate G3 is carried in to the loading stage 70a. The last glass substrate G1 is conveyed to the next pressure reduction drying unit 25 from the carrying out stage 70c.

유리 기판(G2)이 제2 노즐(81)의 하방을 통과한 후, 레지스트액의 도포가 종료되면, 제2 노즐(81)은, 도8에 도시한 바와 같이 상방의 대기 위치까지 복귀되고, 금회에는 제1 노즐(80)이 토출 위치(E1)까지 하강한다. 제1 노즐(80)이 토출 위치(E1)로 이동하면, 다음의 유리 기판(G3)이 도포 스테이지(70b)측으로 이송되고, 유리 기판(G3)이 제1 노즐(80)의 하방을 통과할 때에 제1 노즐(80)로부터 유리 기 판(G3)으로 레지스트액이 도포된다. 한편, 그 동안에 제2 회전 롤(120)이 대기 위치(T2)로부터 제2 노즐(81)의 하방의 위치까지 이동하고, 제2 노즐(81)의 시험 토출이 행해진다. 이와 같이, 제1 노즐(80)과 제2 노즐(81)에 의한 도포 처리가 교대로 행해지고, 도포 처리를 행하지 않은 노즐에 대해서는 시험 토출이 행해진다. 또한, 이상의 레지스트 도포 처리 유닛(24)에 있어서의 일련의 도포 처리 프로세스는, 예를 들어 제어부(125)에 의한 각종 구동계의 제어에 의해 실현되고 있다.After the glass substrate G2 passes below the 2nd nozzle 81, when application | coating of a resist liquid is complete | finished, the 2nd nozzle 81 will return to an upper standby position as shown in FIG. 8, The first nozzle 80 descends to the discharge position E1 at this time. When the first nozzle 80 moves to the discharge position E1, the next glass substrate G3 is transferred to the coating stage 70b side, and the glass substrate G3 can pass below the first nozzle 80. At this time, a resist liquid is applied from the first nozzle 80 to the glass substrate G3. In the meantime, the 2nd rotating roll 120 moves to the position below the 2nd nozzle 81 from the standby position T2, and test discharge of the 2nd nozzle 81 is performed. Thus, the coating process by the 1st nozzle 80 and the 2nd nozzle 81 is performed alternately, and test discharge is performed with respect to the nozzle which has not performed the coating process. In addition, the series of coating processing processes in the above-mentioned resist coating processing unit 24 are realized by the control of various drive systems by the control part 125, for example.

이상의 실시 형태에 따르면, 레지스트 도포 처리 유닛(24)의 도포 스테이지(70b) 상에 2개의 노즐(80, 81)이 설치되고, 각 노즐(80, 81)에 대해 회전 롤(100, 120)이 설치되었으므로, 한쪽 노즐이 레지스트액을 도포하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐의 시험 토출을 행할 수 있다. 이에 의해, 한쪽 노즐에 의한 도포 처리가 종료된 후, 즉시 다른 쪽 노즐이 레지스트액을 토출할 수 있으므로, 복수의 유리 기판(G)을 대기 시간 없이 연속해서 처리할 수 있다. 이 결과, 반송 라인(A)에 있어서의 레지스트 도포 처리 유닛(24)의 처리 택트를 단축할 수 있다. According to the above embodiment, two nozzles 80 and 81 are provided on the application | coating stage 70b of the resist coating processing unit 24, and the rotary rolls 100 and 120 with respect to each nozzle 80 and 81 are provided. Since it was provided, test discharge of the other nozzle can be performed while one nozzle is applying the resist liquid. Thereby, since the other nozzle can discharge a resist liquid immediately after the application | coating process by one nozzle is complete, the some glass substrate G can be processed continuously without waiting time. As a result, the processing tact of the resist coating processing unit 24 in the conveyance line A can be shortened.

제1 및 제2 노즐(80, 81)을 상하로 이동 가능하게 하여 제1 및 제2 회전 롤(100, 120)을 노즐의 하방의 위치에 대해 수평 방향으로 진퇴 가능하게 하였으므로, 각 노즐(80, 81)은 하강하고, 유리 기판(G)에 근접하여 레지스트액을 토출할 수 있다. 또한, 각 노즐(80, 81)이 상승하고, 각 회전 롤(100, 120)을 노즐(80, 81)의 하방으로 이동시켜 각 노즐(80, 81)의 시험 토출을 행할 수 있다. 이 경우, 각 노즐(80, 81)을 각 회전 롤(100, 120) 상부까지 왕복시킬 필요가 없으므로, 그만큼 노즐(80, 81)의 이동 거리와 이동 시간이 짧아져 각 노즐(80, 81)의 도포 처 리와 시험 토출의 절환을 신속하게 행할 수 있다. 그로 인해, 유리 기판(G)의 처리 택트를 보다 단축할 수 있다. Since the first and second nozzles 80 and 81 are movable up and down to allow the first and second rotating rolls 100 and 120 to be moved back and forth in the horizontal direction with respect to the position below the nozzles, the respective nozzles 80 , 81 is lowered, and the resist liquid can be discharged in proximity to the glass substrate G. FIG. Moreover, each nozzle 80 and 81 raises, and each rotating roll 100 and 120 can be moved below the nozzle 80 and 81, and test discharge of each nozzle 80 and 81 can be performed. In this case, since the nozzles 80 and 81 need not be reciprocated to the upper portions of the rotary rolls 100 and 120, the moving distances and the moving times of the nozzles 80 and 81 are shortened by that amount, so that the nozzles 80 and 81 The application process and the switching of the test discharge can be performed quickly. Therefore, the process tact of glass substrate G can be shortened more.

제1 노즐(80)과 제2 노즐(81)이 동일한 아암(90)에 보유 지지되어 있으므로, 레지스트 도포 처리 유닛(24)의 구조를 단순화하고, 또한 레지스트 도포 처리 유닛(24)을 소형화할 수 있다.Since the first nozzle 80 and the second nozzle 81 are held on the same arm 90, the structure of the resist coating processing unit 24 can be simplified, and the resist coating processing unit 24 can be miniaturized. have.

상기 실시 향테에서는 제1 노즐(80)과 제2 노즐(81)의 토출 위치(E2, E2)가 반송 라인(A) 상의 전후로 어긋나 있었지만, 동일 위치에서 토출할 수 있도록 해도 좋다. 이 경우, 예를 들어, 도9에 도시한 바와 같이 도포 스테이지(70b)의 X방향의 양측에 Y방향으로 연장되는 제3 가이드 레일(130)이 설치된다. 아암(90)은 모터 등의 구동원(131)에 의해 제3 가이드 레일(130) 상을 이동할 수 있다. In the said embodiment, although discharge position E2, E2 of the 1st nozzle 80 and the 2nd nozzle 81 shifted back and forth on the conveyance line A, you may make it possible to discharge in the same position. In this case, for example, as shown in Fig. 9, the third guide rails 130 extending in the Y direction are provided on both sides of the application stage 70b in the X direction. The arm 90 can move on the third guide rail 130 by a drive source 131 such as a motor.

그리고, 도포 처리 시에는, 예를 들어 도10에 도시한 바와 같이 시험 토출이 종료된 제1 노즐(80)이 하강할 때에 아암(90)이, 예를 들어 Y방향 플러스 방향측으로 이동하고, 제1 노즐(80)이, 예를 들어 도포 스테이지(70b) 상의 중간점의 토출 위치(E3)로 이동된다. 이때, 제1 노즐(80)은 하강과 수평 이동의 조합에 의해 Y방향 플러스 방향측의 경사 하방향의 토출 위치(E3)에 대해 직선적으로 이동된다. 또한, 이 아암(90)의 이동에 의해 제2 노즐(81)은 Y방향 플러스 방향측으로 이동되고, 예를 들어 제2 회전 롤(120)의 상방으로 이동한다. 또한, 제2 회전 롤(120)은 이미 제2 노즐(81)의 이동처의 하방에 설치되어 있어도 좋고, 제2 노즐(81)의 시험 토출 시에 제2 회전 롤(120)이 제2 노즐(81)의 이동처의 하방으로 이동하도록 해도 좋다. 전자의 경우에는 제2 회전 롤(120)의 수평 구동 기구는 없어도 좋다.At the time of application | coating process, for example, as shown in FIG. 10, when the 1st nozzle 80 which finishes test discharge descend | falls, the arm 90 moves to the Y direction plus direction side, for example, One nozzle 80 is moved to the discharge position E3 of the intermediate point on the application | coating stage 70b, for example. At this time, the first nozzle 80 is linearly moved with respect to the discharge position E3 in the inclined downward direction on the plus direction in the Y direction by a combination of lowering and horizontal movement. In addition, by the movement of this arm 90, the 2nd nozzle 81 is moved to the positive direction of a Y direction, for example, moves upward of the 2nd rotating roll 120. As shown in FIG. Moreover, the 2nd rotating roll 120 may already be provided under the moving destination of the 2nd nozzle 81, and the 2nd rotating roll 120 is a 2nd nozzle at the time of the test discharge of the 2nd nozzle 81. Moreover, as shown in FIG. You may make it move below the moving destination of (81). In the former case, the horizontal drive mechanism of the second rotary roll 120 may not be required.

또한, 제1 노즐(80)은 레지스트액의 도포를 종료하면, 도11에 도시한 바와 같이 아암(90)이 Y방향 마이너스 방향측으로 이동한다. 이때, 제1 노즐(80)은 아암(90)에 의해 Y방향 마이너스 방향측으로 이동되고, 그것과 동시에 상승한다. 이에 의해, 제1 노즐(80)은 Y방향 마이너스 방향측의 경사 상방으로 이동되고, 제1 회전 롤(100)의 상방의 대기 위치로 복귀된다. 또한, 제2 노즐(81)도 아암(90)에 의해 Y방향 마이너스 방향측으로 이동되고, 그것과 동시에 하강한다. 이에 의해, 제2 노즐(81)은 Y방향 마이너스 방향측의 경사 하방향으로 이동되고, 제1 노즐(80)과 동일한 토출 위치(E3)로 이동된다. 또한, 제1 회전 롤(100)은 이미 제1 노즐(80)의 대기 위치의 하방에 설치되어 있어도 좋고, 제1 노즐(80)의 시험 토출을 행할 때에 제1 회전 롤(100)이 제1 노즐(80)의 하방으로 이동되어도 좋다.When the first nozzle 80 finishes applying the resist liquid, the arm 90 moves toward the negative direction in the Y direction as shown in FIG. At this time, the first nozzle 80 is moved to the negative direction in the Y direction by the arm 90, and rises at the same time. Thereby, the 1st nozzle 80 is moved to the inclination upper direction of the Y direction negative direction side, and is returned to the standby position above the 1st rotating roll 100. FIG. In addition, the second nozzle 81 is also moved to the negative direction in the Y direction by the arm 90, and simultaneously descends. As a result, the second nozzle 81 is moved in the inclined downward direction on the negative Y-direction side, and is moved to the same discharge position E3 as the first nozzle 80. In addition, the 1st rotating roll 100 may already be provided under the standby position of the 1st nozzle 80, and when the 1st rotating roll 100 performs the test discharge of the 1st nozzle 80, the 1st rotating roll 100 is a 1st It may be moved below the nozzle 80.

본 실시 형태에 따르면, 제1 노즐(80)과 제2 노즐(81)의 토출 위치가 일치하므로, 반송 라인(A) 상에 있어서의 각 유리 기판(G)의 도포 위치가 동일해진다. 이 결과, 예를 들어 각 유리 기판(G)에 대해 도포 처리로부터 다음의 건조 처리까지의 소요 시간이 일정해지고, 그 소요 시간의 상이에 의해 도포 상태가 불규칙해지는 일이 없어진다. According to this embodiment, since the discharge position of the 1st nozzle 80 and the 2nd nozzle 81 match, the application position of each glass substrate G on the conveyance line A becomes the same. As a result, for example, the time required from the coating process to the next drying treatment is constant for each glass substrate G, and the application state is not irregular due to the difference in the required time.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적절한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범위 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It is apparent to those skilled in the art that various modifications or modifications can be made within the scope of the idea described in the claims, and that these naturally belong to the technical scope of the present invention.

예를 들어, 이상의 실시 형태에서는 2개의 노즐(80, 81)이 동일한 아암(90)에 보유 지지되어 있었지만, 다른 아암에 보유 지지되어 있는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 이상의 실시 형태에서는 본 발명을 레지스트액의 도포가 행해지는 레지스트 도포 처리 유닛(24)에 적용하고 있었지만, 현상액 등의 다른 도포액을 도포하는 도포 처리 장치에 적용해도 좋다. 본 발명은 유리 기판(G) 이외의 다른 FPD(플랫 패널 디스플레이)나 포토마스크용 마스크 레티클, 반도체 웨이퍼 등의 다른 기판에 도포액을 도포하는 경우에도 적용할 수 있다. For example, although the two nozzles 80 and 81 were hold | maintained by the same arm 90 in the above embodiment, even if it is hold | maintained by the other arm, this invention is applicable. Moreover, in the above embodiment, although this invention was applied to the resist coating process unit 24 to which a resist liquid is apply | coated, you may apply to the coating processing apparatus which apply | coats other coating liquids, such as a developing solution. This invention can be applied also when apply | coating a coating liquid to other board | substrates, such as FPD (flat panel display) other than glass substrate G, a mask reticle for photomasks, and a semiconductor wafer.

본 발명에 따르면, 도포 처리 장치에 있어서의 처리 택트를 단축할 수 있으므로, 처리량을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, since the processing tact in the coating apparatus can be shortened, the throughput can be improved.

본 발명은 도포 처리 장치에 있어서의 기판의 처리 능력을 향상시킬 때에 유용하다. This invention is useful when improving the processing capability of the board | substrate in a coating processing apparatus.

Claims (7)

기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치이며, It is a coating processing apparatus which apply | coats a coating liquid to a board | substrate, 기판이 수평 방향으로 반송되는 기판 반송로와, A substrate conveying path through which the substrate is conveyed in a horizontal direction, 상기 기판 반송로의 상방에 설치되어 상기 기판 반송로를 반송되는 기판에 대해 도포액을 토출하는 노즐과, A nozzle provided above the substrate conveying path and discharging a coating liquid to a substrate conveyed by the substrate conveying path; 상기 기판 반송로의 상방에 설치되어 상기 노즐의 도포액의 시험 토출이 행해지는 회전 롤을 구비하고, It is provided above the said board | substrate conveyance path, and is provided with the rotary roll which test discharge of the coating liquid of the said nozzle is performed, 상기 노즐은 상기 기판 반송로에 따른 전후에 2개 설치되고, Two nozzles are provided before and after the substrate conveying path, 상기 회전 롤은 상기 각 노즐마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The said rotary roll is provided for every said nozzle, The coating processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 각 노즐은 상하 이동 가능하게 구성되고, The method of claim 1, wherein each nozzle is configured to be movable up and down, 상기 각 회전 롤은 상기 기판 반송로를 따라서 전후로 이동하고, 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. Each said rotating roll is moved back and forth along the said board | substrate conveyance path, and is comprised so that advancement and retreat to the position below a nozzle are possible. 제2항에 있어서, 상기 기판 반송로의 상류측의 노즐에 대해서는 한쪽 회전 롤이 상류측으로부터 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능하고, The upstream side of the said nozzle | substrate conveyance path is able to advance and retreat to the position of one side of a rotating roll from the upstream side to a nozzle below, 상기 기판 반송로의 하류측의 노즐에 대해서는, 다른 쪽 회전 롤이 하류측으로부터 노즐의 하방의 위치로 진퇴 가능한 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. About the nozzle of the downstream side of the said board | substrate conveyance path, the other rotating roll can advance and retreat to the position below a nozzle from a downstream side, It is characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 노즐은 동일한 보유 지지 부재에 보유 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The coating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the two nozzles are held by the same holding member. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 노즐은 상기 기판 반송로 상의 동일한 토출 위치로 이동 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The coating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the two nozzles are configured to be movable to the same discharge position on the substrate transfer path. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 2개의 노즐 중 한쪽 노즐이 기판에 도포액을 도포하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐을 회전 롤에 있어서 시험 토출시키는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The coating treatment according to any one of claims 1 to 3, wherein the nozzle has a control unit which causes the other nozzle to be test discharged in the rotary roll while one of the two nozzles is applying the coating liquid to the substrate. Device. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도포 처리 장치를 이용한 도포 처리 방법이며, It is the coating processing method using the coating processing apparatus in any one of Claims 1-3, 2개의 노즐 중 한쪽 노즐이 기판에 도포액을 도포하고 있는 동안에 다른 쪽 노즐이 회전 롤에 있어서 도포액의 시험 토출을 행하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. The other nozzle performs test discharge of a coating liquid in a rotating roll, while one of two nozzles is apply | coating a coating liquid to a board | substrate.
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