KR20070065663A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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KR20070065663A
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최병철
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삼성전자주식회사
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Abstract

An apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to minimize generation of particles caused by mixture of source gas and cleaning gas by optimizing the arrangement of a gas supply line for transferring source gas for forming a thin film and cleaning gas for cleaning a chamber. Source gas is supplied to the inside of a process chamber(10) by a source gas supply line(21) connected to a process chamber. A cleaning gas is supplied to the inside of the process chamber by a cleaning gas supply line(31) separated from the source gas supply line. The source gas supply line can be connected to a shower head installed in the process chamber, and the cleaning gas supply line is installed outside the process chamber.

Description

반도체 소자 제조 장치{Apparatus for fabricating semiconductor device}Apparatus for fabricating semiconductor device

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically illustrates a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically illustrates an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10, 100: 공정챔버 20, 200: 소스가스 공급부10, 100: process chamber 20, 200: source gas supply

21, 210: 소스가스 공급라인 31, 310: 세정가스 공급라인21, 210: source gas supply line 31, 310: cleaning gas supply line

41, 410: 공통가스 공급라인 50, 500: 플라즈마 발생장치41, 410: common gas supply line 50, 500: plasma generator

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 박막 형성 공정 및 챔버 세정 공정이 반복적으로 수행되는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus in which a thin film forming process and a chamber cleaning process are repeatedly performed.

최근 반도체 소자의 박형화, 소형화, 고집적화, 고속화 추세에 따라서 박막 형성 공정이 개발되고 있다. 이러한 박막 형성 공정은 반도체 기판 상에 각종 절연막, 유전막, 금속막, 실리사이드막 등을 형성하는데 이용되며, 반도체 소자의 신뢰 성에 큰 영향을 주는 공정으로서 중요성이 있다. Recently, thin film formation processes have been developed in accordance with trends of thinning, miniaturization, high integration, and high speed of semiconductor devices. This thin film formation process is used to form various insulating films, dielectric films, metal films, silicide films, and the like on a semiconductor substrate, and is important as a process that greatly affects the reliability of semiconductor devices.

이러한 박막 형성 공정에서는 반도체 기판의 상부뿐만 아니라 공정챔버의 내부에도 박막이 일부 형성된다. 이러한 부산물인 박막이 형성됨으로 인하여 반도체 기판 상에 파티클이 발생될 수 있을 뿐만 아니라 기판상에 형성되는 박막의 조성에도 영향을 미칠 수 있으므로, 박막 형성 공정 후 챔버 내부를 적절하게 세정해 주는 챔버 세정 공정이 요구된다.In the thin film forming process, a thin film is partially formed not only on the upper portion of the semiconductor substrate but also inside the process chamber. Since the by-product thin film is formed, not only particles may be generated on the semiconductor substrate, but also may affect the composition of the thin film formed on the substrate. Is required.

일반적으로 이러한 박막 형성 공정과 챔버 세정 공정은 별개의 공정으로서 순차적으로 이루어지되, 반복적으로 이루어질 수 있다. 그런데, 종래의 박막 형성을 위한 반도체 소자 제조 장치는 소스가스와 세정가스가 서로 공통된 가스 공급라인을 경유하는 구조를 갖고 있다. 이로 인하여, 가스 공급라인 내에 잔류하는 소스가스 성분이 세정공정을 수행하는 챔버 내로 유입될 수 있으며, 또한 가스 공급라인 내에 잔류하는 세정가스가 박막 형성 공정을 수행하는 챔버 내로 유입될 수 있다. 이로 인하여 공정챔버 내부 혹은 공정챔버 내에 로딩된 반도체 기판 상에 소스가스와 세정가스의 반응으로 인한 파티클이 발생될 수 있어, 공정이 불량해질 뿐만 아니라 반도체 소자의 특성과 신뢰성을 열화시킬 우려가 있다. Generally, the thin film forming process and the chamber cleaning process are sequentially performed as separate processes, but may be repeated. However, the conventional semiconductor device manufacturing apparatus for forming a thin film has a structure in which a source gas and a cleaning gas pass through a common gas supply line. As a result, the source gas component remaining in the gas supply line may be introduced into the chamber for performing the cleaning process, and the cleaning gas remaining in the gas supply line may be introduced into the chamber for performing the thin film formation process. As a result, particles may be generated in the process chamber or on the semiconductor substrate loaded in the process chamber due to the reaction of the source gas and the cleaning gas, thereby deteriorating the process and deteriorating the characteristics and reliability of the semiconductor device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 소스가스와 세정가스의 공급을 최적화하여 파티클 발생을 최소화할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus that can minimize the generation of particles by optimizing the supply of the source gas and the cleaning gas.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으 며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 공정챔버, 상기 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버 내로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급라인 및 상기 소스가스 공급라인과 이격되어 형성되며 상기 공정챔버에 내로 세정가스를 공급하는 세정가스 공급라인을 포함한다.An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem is a source chamber and the source gas supply line and the source gas supply line connected to the process chamber to supply the source gas into the process chamber and It is formed spaced apart and includes a cleaning gas supply line for supplying a cleaning gas into the process chamber.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 사용되는 "소스가스"란 반도체 제조 공정, 특히 박막 형성 공정에서 반응재료로 사용될 수 있는 가스와 이에 대한 보조적인 가스를 포함하여 의미하며, "세정가스"란 챔버 세정 공정시 챔버 내로 투입되어 챔버를 세정하는 가스와 이에 대한 보조적인 가스를 포함하여 의미한다. 또한, "공통가스"란 박막 형성 공정과 챔버 세정 공정의 양 공정에 공통적으로 사용될 수 있는 가스의 총칭으로서, 전술한 소스가스 또는 세정가스와 함께 사용되어 소정의 반응에 참여하거나 보조적인 역할을 하는 가스를 의미한다.As used herein, "source gas" means a gas that can be used as a reaction material in a semiconductor manufacturing process, in particular, a thin film forming process and an auxiliary gas therefor. "Cleaning gas" is introduced into a chamber during a chamber cleaning process. It is meant to include a gas for cleaning the chamber and an auxiliary gas therefor. In addition, the term "common gas" is a generic term for a gas that can be commonly used in both the thin film formation process and the chamber cleaning process, and is used together with the above-described source gas or cleaning gas to participate in or support a predetermined reaction. Means gas.

또한, 본 명세서에서는 설명의 편의상 도면 상 각각의 가스 공급라인들에 유량을 조절하기 위한 밸브나 매스플로우콘트롤러 등 유량 조절 장치를 도시하지 않았으나, 당업자가 예측할 수 있는 범위 내에서 박막 형성 공정과 세정 공정을 수행하기 위한 밸브나 매스플로우콘트롤러가 구비될 수 있으며, 이를 통해 각종 가스들의 유량이나 흐름 방향을 조절할 수 있음은 물론이다. 또한, 도면 상 실선의 화살표는 박막 형성 공정에 필요한 가스들의 흐름을 도시한 것이며, 점선의 화살표는 세정 공정에 필요한 가스들의 흐름을 나타낸 것이다. In addition, in the present specification, for convenience of description, a flow rate adjusting device such as a valve or a mass flow controller for adjusting the flow rate in each gas supply line is not illustrated in the drawings, but a thin film forming process and a cleaning process within a range that can be predicted by those skilled in the art A valve or a massflow controller may be provided to perform the above, and through this, the flow rate or flow direction of various gases may be adjusted. In addition, the solid arrows in the drawings illustrate the flow of gases required for the thin film formation process, and the dotted arrows represent the flow of gases required for the cleaning process.

이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치에 대하여 설명하기로 한다. 이하의 설명에서는 반도체 소자 제조 장치로서 편의상 CVD 장치를 예시로서 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 소정의 가스를 이용하는 박막 형성 공정과 세정 공정이 순차적, 반복적으로 수행되는 모든 반도체 소자 제조 장치에 적용될 수 있음을 밝혀둔다. Hereinafter, a semiconductor device manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. In the following description, a CVD apparatus is described as an example of a semiconductor device manufacturing apparatus for convenience, but the present invention is not limited thereto, and all semiconductor device manufacturing apparatuses in which a thin film forming process and a cleaning process using a predetermined gas are sequentially and repeatedly performed. Note that it can be applied to.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically illustrates an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 공정챔버(10), 소스가스 공급라인(21), 세정가스 공급라인(31) 및 공통가스 공급라인(45)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment may include a process chamber 10, a source gas supply line 21, a cleaning gas supply line 31, and a common gas supply line 45. Include.

공정챔버(10)는 반도체 소자를 제조하는 공정 중 반도체 기판 상에 산화막, 질화막과 같은 소정의 박막을 형성하는 공정으로서 화학기상증착과 같은 열공정 또는 플라즈마 공정이 진행되는 챔버이다. 이러한 공정챔버(10)에는 소스가스가 유입되는 샤워헤드부(미도시)가 공정챔버(10) 내의 천정부에 구비될 수 있다. The process chamber 10 is a process of forming a predetermined thin film such as an oxide film or a nitride film on a semiconductor substrate during a process of manufacturing a semiconductor device, and is a chamber in which a thermal process such as chemical vapor deposition or a plasma process is performed. The process chamber 10 may be provided with a shower head portion (not shown) through which the source gas flows in the ceiling of the process chamber 10.

소스가스 공급라인(21)은 박막 형성 공정 중 공정챔버(10) 내에 박막 형성을 위한 소스가스를 공급한다. 즉, 소스가스 공급라인(21)은 소스가스 공급부(20)와 공정챔버(10)를 연결하며, 소스가스 공급부(20)로부터 공정챔버(10)로 소스가스를 이송한다. 이러한 소스가스 공급라인(21)으로부터 이송된 소스가스는 공정챔버(10)에 구비된 샤워헤드를 통해 공정챔버(10) 내로 확산될 수 있다. 이러한 소스가스 공급라인(21)은 도 1에 도시된 바와 같이 공정챔버(10)와 직접 연결되지 않고 다른 가스 공급라인에 연결되도록 형성될 수 있으나, 본 발명이 소스가스 공급라인(21)이 공정챔버(10)에 직접 연결되는 구조를 배제하는 것은 아니다.The source gas supply line 21 supplies a source gas for forming a thin film in the process chamber 10 during the thin film forming process. That is, the source gas supply line 21 connects the source gas supply unit 20 and the process chamber 10 and transfers the source gas from the source gas supply unit 20 to the process chamber 10. The source gas transferred from the source gas supply line 21 may be diffused into the process chamber 10 through the shower head provided in the process chamber 10. The source gas supply line 21 may be formed to be connected to another gas supply line without being directly connected to the process chamber 10 as shown in FIG. 1. It does not exclude a structure that is directly connected to the chamber 10.

세정가스 공급라인(31)은 챔버 세정 공정 중 세정가스 공급부(30)로부터 공정챔버(10) 내로 세정가스를 이송한다. 이 때, 공정챔버(10)의 외부에 구비된 플라즈마 발생장치(50)로 주입된 세정가스는 활성화된 플라즈마 형태로 전환된 다음 공정챔버(10) 내로 도입될 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 비활성화된 세정가스가 공정챔버(10) 내로 직접 주입되고, 공정챔버(10) 내에서 활성화되어 세정공정을 수행할 수도 있음은 물론이다.The cleaning gas supply line 31 transfers the cleaning gas from the cleaning gas supply unit 30 into the process chamber 10 during the chamber cleaning process. At this time, the cleaning gas injected into the plasma generator 50 provided outside the process chamber 10 may be converted into an activated plasma form and then introduced into the process chamber 10. However, the present invention is not limited thereto, and the deactivated cleaning gas may be directly injected into the process chamber 10 and activated in the process chamber 10 to perform the cleaning process.

이렇듯, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 소스가스 공급라인(21)과 세정가스 공급라인(31)은 서로 이격되어 형성되며, 또한 공정챔버 (10)의 서로 다른 영역을 통하여 공정챔버(10) 내로 소스가스 또는 세정가스를 각각 공급할 수 있다. 따라서, 박막 형성 공정과 같은 반도체 소자 제조 공정과, 이러한 제조 공정에서 발생한 부산물을 제거하는 세정공정이 순환적으로 반복하여 이루어지더라도 소스가스와 세정가스가 서로 배관내에서 혼합되거나 혹은 배관 내에 잔류된 소스가스 또는 세정가스가 서로 다른 공정상 불순물로 작용할 가능성이 최소화될 수 있다. 이로써 각각의 공정효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 이종가스의 혼합으로 인한 파티클 발생을 최소화할 수 있다.As such, in the semiconductor device manufacturing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, the source gas supply line 21 and the cleaning gas supply line 31 are formed to be spaced apart from each other, and are processed through different regions of the process chamber 10. Source gas or cleaning gas may be supplied into the chamber 10, respectively. Therefore, even if the semiconductor device manufacturing process such as the thin film forming process and the cleaning process for removing the by-products generated in the manufacturing process are repeated repeatedly, the source gas and the cleaning gas are mixed in the pipe or remain in the pipe. The possibility that the source gas or the cleaning gas may act as impurities in different processes may be minimized. This not only improves the efficiency of each process, but also minimizes particle generation due to mixing of different gases.

한편, 박막 형성 공정과 챔버 세정 공정에 공통적으로 사용될 수 있는 공통가스가 공정에 사용되는 경우, 공통가스를 주입하기 위한 공통가스 공급라인(45)이 더 구비될 수 있다.On the other hand, when a common gas that can be commonly used in the thin film forming process and the chamber cleaning process is used in the process, a common gas supply line 45 for injecting the common gas may be further provided.

이러한 공통가스 공급라인(45)은 소스가스 공급라인(21)과 세정가스 공급라인(31)에 각각 연결되어 공통가스를 이송해줄 수 있다. 즉, 도면에 도시하지는 않았으나, 공통가스는 공통가스 공급라인(45)을 통해 소정의 밸브 등 유량 조절장치에 의하여, 박막 형성 공정 중에는 소스가스와 함께 또는 별개로 공정챔버 내에 주입될 수 있고, 세정 공정 중에는 세정가스와 함께 또는 별개로 공정챔버 내에 주입될 수 있다. The common gas supply line 45 may be connected to the source gas supply line 21 and the cleaning gas supply line 31 to transfer the common gas. That is, although not shown in the drawing, the common gas may be injected into the process chamber together with or separately from the source gas during the thin film forming process by a flow control device such as a predetermined valve through the common gas supply line 45. During the process, it may be injected into the process chamber together with or separately from the cleaning gas.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 있어서 공통가스 공급라인(45)은 공통가스 공급부(40)와 공정챔버(10)를 연결하며, 전술한 소스가스 공급라인(20)의 말단부와 합쳐지는 제1 공급라인(41)과, 제1 공급라인(41)으로부터 분기되어 세정가스 공급라인(31)과 연결되는 제2 공급라인(43)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1, in one embodiment of the present invention, the common gas supply line 45 connects the common gas supply unit 40 and the process chamber 10 to the above-described source gas supply line 20. The first supply line 41 is combined with the distal end portion, and the second supply line 43 branched from the first supply line 41 and connected to the cleaning gas supply line 31.

이 때, 제1 공급라인(41)과 소스가스 공급라인(21)이 합쳐지는 영역(49)은 제1 공급라인(41)으로부터 제2 공급라인(31)이 분기되는 영역(47)보다 더 후단, 즉 공정챔버에 더 근접하여 형성될 수 있다. 이로써 공통가스가 사용되는 경우에도 세정가스 공급라인(31)으로 유입되는 공통가스에 소스가스 성분이 혼합되는 것을 최소화할 수 있으므로, 파티클 발생 정도가 개선될 수 있다.At this time, the region 49 where the first supply line 41 and the source gas supply line 21 merge is larger than the region 47 where the second supply line 31 branches from the first supply line 41. It may be formed later, ie closer to the process chamber. As a result, even when the common gas is used, it is possible to minimize the mixing of the source gas component with the common gas flowing into the cleaning gas supply line 31, thereby improving the degree of particle generation.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치에 대하여 설명하기로 한다. 이하에서 앞서 도 1을 참조하여 설명한 반도체 소자의 제조 장치와 중복되는 부분에 대한 설명은 생략하거나 간략하게 하기로 한다. 이하에서는 설명의 편의상 반도체 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정을 예시로서 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명이 실리콘 산화막을 형성하는 공정에 사용되는 반도체 소자 제조 장치에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2. Hereinafter, a description of a portion overlapping with the apparatus for manufacturing a semiconductor device described above with reference to FIG. 1 will be omitted or briefly described. Hereinafter, for convenience of description, a process of forming a silicon oxide film on a semiconductor substrate will be described as an example. However, it should be noted that the present invention is not limited to the semiconductor element manufacturing apparatus used in the process of forming a silicon oxide film.

도 2를 참조하면, 박막 형성 공정 중 공정챔버(100)에 소스가스를 제공하는 소스가스 공급부(200)는 다수의 소스가스를 포함할 수 있다. 이 때, 도 2에는 소스가스를 A1과 A3로 한정하여 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 형성되는 박막의 종류에 따라 조절될 수 있음은 물론이다. 이러한 소스가스들은 공정챔버의 상단에 형성된 샤워헤드부(미도시)를 통해 공정챔버 내로 주입될 수 있으며, 챔버 내부에서 열공정 또는 플라즈마 공정 등에 의해 반도체 기판 상에 박막을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2, the source gas supply unit 200 providing a source gas to the process chamber 100 during the thin film forming process may include a plurality of source gases. In this case, although the source gas is limited to A1 and A3 in FIG. 2, the present invention is not limited thereto and may be adjusted according to the type of thin film to be formed. These source gases may be injected into the process chamber through a shower head portion (not shown) formed at an upper end of the process chamber, and a thin film may be formed on the semiconductor substrate by a thermal process or a plasma process in the chamber.

예를 들어, 반도체 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하기 위하여, 소스가스 중 A1은 TEOS(tetraethoxysilane), A3는 헬륨가스일 수 있다. 이러한 소스가스들은 소스가스 공급라인(210)을 통하여 공정챔버(100)로 공급되며, 공통가스 공급부(400)로부터 공통가스를 이송하는 공통가스 공급라인(410)의 제1 공급라인(411)과 합쳐진다. 이 때, 공통가스로는 예를 들면 산소 가스가 사용될 수 있다.For example, in order to form a silicon oxide film on a semiconductor substrate, A1 may be tetraethoxysilane (TEOS) and A3 may be helium gas. These source gases are supplied to the process chamber 100 through the source gas supply line 210, and the first supply line 411 of the common gas supply line 410 for transferring the common gas from the common gas supply unit 400 and Are combined. At this time, for example, oxygen gas may be used as the common gas.

한편, 공정챔버(100)에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부(300)도 다수의 세정가스를 포함할 수 있다. 여기서 도 2에는 세정가스로서 B1과 B3로 한정하여 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제거하고자 하는 박막의 종류에 따라 조절될 수 있음은 물론이다. Meanwhile, the cleaning gas supply unit 300 supplying the cleaning gas to the process chamber 100 may also include a plurality of cleaning gases. Here, although shown as a cleaning gas limited to B1 and B3 in FIG. 2, the present invention is not limited thereto and may be adjusted according to the type of thin film to be removed.

예를 들면, 세정가스 중 B1은 C3F8과 같은 불소함유 가스, B3은 아르곤 가스일 수 있다. 이러한 세정가스들은 각각 별도의 공급라인(311,313)으로 공급될 수 있으며 공정챔버(100)로 주입되기 전 하나의 공급 라인으로 합쳐질 수 있다. 또한, 세정가스 공급라인(310)은 전술한 공통가스 공급라인(410)의 제1 공급라인(411)으로부터 분기된 제2 공급라인(413)의 말단부와 연결되어 공통가스, 예를 들면 산소가스를 제공받을 수 있다.For example, in the cleaning gas, B1 may be a fluorine-containing gas such as C3F8, and B3 may be an argon gas. These cleaning gases may be supplied to separate supply lines 311 and 313, respectively, and may be combined into one supply line before being injected into the process chamber 100. In addition, the cleaning gas supply line 310 is connected to the distal end of the second supply line 413 branched from the first supply line 411 of the common gas supply line 410 described above, the common gas, for example, oxygen gas Can be provided.

이 때, 챔버 세정 공정을 원격 플라즈마 세정방식에 의하는 경우에는 세정가스와 공통가스를 플라즈마 발생장치(500)를 경유하여 공정챔버(100) 내로 공급할 수 있다. 그러나, 본 발명이 원격 플라즈마 세정(Remote Plasma Cleaning) 방식에 한정되는 것은 아니다.In this case, when the chamber cleaning process is performed by the remote plasma cleaning method, the cleaning gas and the common gas may be supplied into the process chamber 100 via the plasma generator 500. However, the present invention is not limited to the remote plasma cleaning method.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 의하면, 박막 형성을 위한 소스가스와 챔버 세정을 위한 세정가스를 이송하는 가스 공급 라인의 배치를 최적화함으로써, 소스가스와 세정가스의 혼합으로 인한 파티클의 발생을 최소화할 수 있다. As described above, according to the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, by optimizing the arrangement of the gas supply line for transferring the source gas for forming the thin film and the cleaning gas for the chamber cleaning, the particles due to the mixing of the source gas and the cleaning gas The occurrence of can be minimized.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 의하면 반도체 소자의 특성과 신뢰성이 향상된 반도체 소자를 제조할 수 있다.Therefore, according to the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention it is possible to manufacture a semiconductor device with improved characteristics and reliability of the semiconductor device.

Claims (5)

공정챔버;Process chamber; 상기 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버 내로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급라인; 및A source gas supply line connected to the process chamber and supplying a source gas into the process chamber; And 상기 소스가스 공급라인과 이격되어 형성되며 상기 공정챔버 내로 세정가스를 공급하는 세정가스 공급라인을 포함하는 반도체 소자 제조 장치.And a cleaning gas supply line which is formed spaced apart from the source gas supply line and supplies a cleaning gas into the process chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스가스 공급라인은 상기 공정챔버 내에 구비된 샤워헤드부에 연결되고,The source gas supply line is connected to the shower head portion provided in the process chamber, 상기 세정가스 공급라인은 상기 공정챔버의 외부에 설치된 플라즈마 발생장치에 연결된 반도체 소자 제조 장치.The cleaning gas supply line is a semiconductor device manufacturing apparatus connected to the plasma generating device installed outside the process chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스가스 공급라인 및 상기 세정가스 공급라인에 각각 연결되어 반응 및 세정 공정에 함께 사용되는 공통가스를 이송하는 공통가스 공급라인을 더 구비하는 반도체 소자 제조 장치.And a common gas supply line connected to the source gas supply line and the cleaning gas supply line, respectively, to convey a common gas used in the reaction and cleaning processes. 제3항에 있어서, 상기 공통가스 공급라인은 The method of claim 3, wherein the common gas supply line 공통가스 공급부와 상기 공정챔버를 연결하며 상기 소스가스 공급라인과 합쳐지는 제1 공급라인 및 상기 제1 공급라인으로부터 분기되어 상기 세정가스 공급라인과 연결되는 제2 공급라인을 포함하되,A first supply line connecting the common gas supply unit and the process chamber and being merged with the source gas supply line, and a second supply line branched from the first supply line and connected to the cleaning gas supply line, 상기 제1 공급라인 상에서 상기 제1 공급라인과 상기 소스가스 공급라인과 합쳐지는 영역은 상기 제1 공급라인과 상기 제2 공급라인의 분기영역보다 상기 공정챔버와 근접하여 형성된 반도체 소자 제조 장치.And a region where the first supply line and the source gas supply line merge on the first supply line is closer to the process chamber than a branching region of the first supply line and the second supply line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정챔버는 플라즈마 화학기상증착 공정이 수행되는 챔버인 반도체 소자 제조 장치.The process chamber is a semiconductor device manufacturing apparatus which is a chamber in which the plasma chemical vapor deposition process is performed.
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KR100926187B1 (en) * 2007-11-29 2009-11-10 주식회사 아토 Shower-head type gas supplying device and supplying method for thin film-deposition apparatus
KR20160061129A (en) * 2014-11-21 2016-05-31 주식회사 원익아이피에스 Method of fabricating stacked film

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