KR20070052509A - Organic light emitting diode display - Google Patents

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KR20070052509A
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고병식
김남덕
최범락
노경은
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 4개의 부화소로 이루어지는 하나의 화소, 하나의 화소에 게이트 신호를 전달하는 2개의 게이트선, 하나의 화소에 데이터 신호를 전달하는 2개의 데이트선, 그리고 하나의 화소에 구동 전압을 전달하는 1개의 구동 전압선을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 4색 부화소로 이루어지는 하나의 화소에 2개의 게이트선, 2개의 데이트선 및 1개의 구동 전압선이 지나가도록 함으로써 개구율을 향상시킨다. According to an exemplary embodiment, an organic light emitting diode display includes one pixel including four subpixels, two gate lines transferring a gate signal to one pixel, and two data lines transferring a data signal to one pixel. And one driving voltage line that transfers the driving voltage to one pixel. Therefore, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment improves the aperture ratio by allowing two gate lines, two data lines, and one driving voltage line to pass through one pixel of four color subpixels.

유기발광표시장치, 4색화소 OLED display, 4-color

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

도 3 및 도 4는 각각 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선 및 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.3 and 4 are cross-sectional views of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along lines III-III and IV-IV, respectively.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110: 기판 121, 129: 게이트선110: substrate 121, 129: gate line

124a: 제1 제어 전극 124b: 제2 제어 전극124a: first control electrode 124b: second control electrode

127: 유지 전극 140: 게이트 절연막127: sustain electrode 140: gate insulating film

154a: 제1 섬형 반도체 154b: 제2 섬형 반도체154a: first island semiconductor 154b: second island semiconductor

163a, 165a: 제1 저항성 접촉 부재163a and 165a: first resistive contact member

163b, 165b: 제2 저항성 접촉 부재163b and 165b: second resistive contact member

171, 179: 데이터선 172: 구동 전압선171 and 179: data line 172: driving voltage line

173a: 제1 입력 전극 173b: 제2 입력 전극173a: first input electrode 173b: second input electrode

175a: 제1 출력 전극 175b: 제2 출력 전극175a: first output electrode 175b: second output electrode

175: 드레인 전극 180: 보호막 175: drain electrode 180: protective film

181, 182, 184, 185a, 185b: 접촉 구멍 181, 182, 184, 185a, 185b: contact hole

191: 화소 전극 270: 공통 전극191: pixel electrode 270: common electrode

361: 격벽 365: 개구부361: partition 365: opening

370: 유기 발광 부재370: organic light emitting member

1211: 제1 부 게이트선 1212: 제2 부 게이트선1211: first sub-gate line 1212: second sub-gate line

1711: 제1 부 데이터선 1712: 제2 부 데이터선1711: first sub data line 1712: second sub data line

81, 82: 접촉 보조 부재 85: 연결 부재 81, 82: contact auxiliary member 85: connecting member

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.

최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다.Recently, there is a demand for weight reduction and thinning of a monitor or a television, and according to such a demand, a cathode ray tube (CRT) has been replaced by a liquid crystal display (LCD).

그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 많은 문제점이 있다.However, the liquid crystal display device requires not only a separate backlight as a light emitting device, but also has many problems in response speed and viewing angle.

최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목받고 있다.Recently, as a display device capable of overcoming such a problem, an organic light emitting diode display (OLED display) has attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exiton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면 서 발광한다.The organic light emitting diode display includes two electrodes and a light emitting layer interposed therebetween, and electrons injected from one electrode and holes injected from another electrode are combined in the light emitting layer to form an exciton. The excitons emit light while releasing energy.

유기 발광 표시 장치는 자체발광형으로 별도의 광원이 필요 없기 때문에 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다. 여기서, 발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어지며, 발광층이 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.The organic light emitting diode display is not only advantageous in terms of power consumption because it does not need a separate light source, and also has excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio. Here, the light emitting layer is made of an organic material that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue, and displays a desired image by the spatial sum of the primary color light emitted by the light emitting layer.

한편, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 발광층에 흰색(W)의 발광층을 추가하여 휘도를 개선하는 4색 배열 방식도 널리 알려진 기술이다. 이러한 4색 배열 방식에는 스트라이프형 배열 방식과 바둑판형 배열 방식이 있다. 스트라이프형 배열 방식의 경우 R, G, B 및 W의 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소는 해상도를 높일 경우 가로 방향으로는 트랜지스터의 수가 4배 증가하나, 세로 방향으로는 트랜지스터의 수가 증가하지 않으므로 해상도 측면에서 불리하다. 그러나, 바둑판형 배열 방식의 경우에는 해상도를 높일 경우 가로 방향 및 세로 방향 모두 트랜지스터의 수가 2배 증가하므로 해상도 측면에서 유리하다. On the other hand, the four-color arrangement method of improving the brightness by adding a white (W) light emitting layer to the light emitting layer of red (R), green (G) and blue (B) is also widely known technology. The four-color array method includes a stripe array method and a checkerboard array method. In the case of the stripe array method, one pixel composed of four subpixels of R, G, B, and W has four times the number of transistors in the horizontal direction when the resolution is increased, but the number of transistors in the vertical direction does not increase. It is disadvantageous in terms of resolution. However, in the case of the checkerboard array method, when the resolution is increased, the number of transistors increases in both the horizontal direction and the vertical direction, which is advantageous in terms of resolution.

그러나, 바둑판형 배열 방식의 경우에는 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 4개의 데이터선, 2개의 구동 전압선 및 1개의 게이트선이 지나가야 하므로 개구율이 작아진다. However, in the case of the checkerboard array system, four data lines, two driving voltage lines, and one gate line must pass through one pixel composed of four subpixels, thereby reducing the aperture ratio.

본 발명의 기술적 과제는 개구율, 수율 및 원가 절감 효과가 향상되는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having improved aperture ratio, yield, and cost reduction effect.

본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 4개의 부화소로 이루어지는 하나의 화소, 상기 하나의 화소에 게이트 신호를 전달하는 2개의 게이트선, 상기 하나의 화소에 데이터 신호를 전달하는 2개의 데이트선, 그리고 상기 하나의 화소에 구동 전압을 전달하는 1개의 구동 전압선을 포함하는 것이 바람직하다.According to an exemplary embodiment, an organic light emitting diode display includes one pixel including four subpixels, two gate lines for transmitting a gate signal to one pixel, and two data signals for transmitting one data signal to one pixel. It is preferable to include a data line and one driving voltage line which transfers a driving voltage to the one pixel.

또한, 상기 4개의 부화소는 적색, 녹색, 청색 및 백색 부화소로 이루어지며, 상기 부화소는 2행 2열의 바둑판 모양으로 배치되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the four sub-pixels are composed of red, green, blue and white sub-pixels, the sub-pixels are preferably arranged in a checkerboard pattern of 2 rows 2 columns.

또한, 상기 2개의 게이트선 중 하나의 게이트선은 제1 행의 부화소에 게이트 신호를 전달하고, 나머지 게이트선은 제2 행의 부화소에 게이트 신호를 전달하는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that one gate line of the two gate lines transfers the gate signal to the subpixels of the first row, and the other gate lines transfer the gate signal to the subpixels of the second row.

또한, 상기 2개의 게이트선에 전달되는 게이트 신호는 동일한 신호인 것이 바람직하다.In addition, the gate signals transmitted to the two gate lines are preferably the same signal.

또한, 상기 2개의 게이트선 중 하나의 게이트선은 제1 행의 부화소의 아래쪽에 형성되고, 나머지 게이트선은 제2 행의 부화소의 아래쪽에 형성되는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that one gate line of the two gate lines is formed below the subpixels of the first row, and the remaining gate lines are formed below the subpixels of the second row.

또한, 상기 2개의 데이터선 중 하나의 데이터선은 제1 열의 부화소에 데이터 신호를 전달하고, 나머지 데이터선은 제2 열의 부화소에 데이터 신호를 전달하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that one data line of the two data lines transmits a data signal to the subpixels of the first column, and the remaining data lines transmit a data signal to the subpixels of the second column.

또한, 상기 2개의 데이터선 중 하나의 데이터선은 제1 열의 부화소의 왼쪽에 형성되고, 나머지 데이터선은 제2 열의 부화소의 오른쪽에 형성되는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that one data line of the two data lines is formed on the left side of the subpixels in the first column, and the remaining data lines are formed on the right side of the subpixels in the second column.

또한, 상기 구동 전압선은 상기 제1 열의 부화소와 상기 제2열의 부화소의 사이에 형성되는 것이 바람직하다.The driving voltage line is preferably formed between the subpixels of the first column and the subpixels of the second column.

그러면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Then, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 상세하게 설명한다.First, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 부화소(subpixel)(sPX)를 포함한다. 부화소는 적색, 녹색, 청색 및 백색 부화소(R, G, B, W)를 포함하며, 적색, 녹색, 청색 및 백색 부화소가 2×２ 행렬의 형태로 배치되어 있으며 이 단위가 하나의 화소(pixel)가 된다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of signal lines 121, 171, and 172, a plurality of subpixels connected to them and arranged in a substantially matrix form. sPX). Subpixels include red, green, blue, and white subpixels (R, G, B, W), with red, green, blue, and white subpixels arranged in a 2x2 matrix, with one unit It becomes a pixel.

도 1에서는 제1 행에서 적색 및 녹색 부화소가 교대로 반복되어 배치되어 있으며, 제2 행에서 백색 및 청색 부화소가 교대로 반복되어 배치되어 있다. 4색 부화소의 배치는 도 1에 도시한 예에 한정되지 않으며 여러 가지 변형이 가능하다.In FIG. 1, red and green subpixels are alternately arranged in a first row, and white and blue subpixels are alternately arranged in a second row. The arrangement of the four color subpixels is not limited to the example shown in FIG. 1 and various modifications are possible.

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines 121 for transmitting a gate signal (or scan signal), a plurality of data lines 171 for transmitting a data signal, and a plurality of driving voltage lines for transmitting a driving voltage. and a driving voltage line 172. The gate lines 121 extend substantially in the row direction, and are substantially parallel to each other, and the data line 171 and the driving voltage line 172 extend substantially in the column direction, and are substantially parallel to each other.

하나의 화소에 게이트 신호를 전달하는 게이트선(121)은 제1 및 제2 부 게이트선(1211, 1212)으로 이루어지고, 하나의 화소에 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171)은 제1 및 제2 부 데이터선(1711, 1712)으로 이루어지며, 하나의 화소에 구동 전압을 전달하는 구동 전압선(172)은 하나이다. The gate line 121 for transmitting a gate signal to one pixel includes first and second sub-gate lines 1211 and 1212, and the data line 171 for transmitting a data signal to one pixel includes first and second gate lines 121 and 1212. One driving voltage line 172 is formed of the second sub data lines 1711 and 1712 and transfers a driving voltage to one pixel.

제1 부 게이트선(1211)은 적색 및 녹색 부화소(R, G)의 아래를 지나가며 적색 및 녹색 부화소(R, G)에 게이트 신호를 전달하며, 제2 부 게이트선(1212)은 백색 및 청색 부화소(W, B)의 아래를 지나가며 백색 및 청색 부화소(W, B)에 게이트 신호를 전달한다. 이 때, 제1 및 제2 부 게이트선(1211, 1212)은 동일한 게이트 신호를 전달한다. The first sub gate line 1211 passes under the red and green subpixels R and G and transmits a gate signal to the red and green subpixels R and G, and the second sub gate line 1212 Passes below the white and blue subpixels (W, B) and transmits a gate signal to the white and blue subpixels (W, B). At this time, the first and second sub-gate lines 1211 and 1212 transmit the same gate signal.

제1 부 데이터선(1711)은 적색 및 백색 부화소(R, W)의 왼쪽을 지나가며 적색 및 백색 부화소(R, W)에 데이터 신호를 전달하며, 제2 부 데이터선(1712)은 녹색 및 청색 부화소(G, B)의 오른쪽을 지나가며 녹색 및 청색 부화소(G, B)에 데이터 신호 를 전달한다. The first sub data line 1711 passes the left side of the red and white subpixels R and W and transmits a data signal to the red and white subpixels R and W, and the second sub data line 1712 It passes the right side of the green and blue subpixels (G, B) and transmits a data signal to the green and blue subpixels (G, B).

구동 전압선(172)은 적색 및 백색 부화소(R, W)와 녹색 및 청색 부화소(G, B)의 사이를 지나가며 모든 부화소(R, G, B, W)에 구동 전압을 전달한다. The driving voltage line 172 passes between the red and white subpixels R and W and the green and blue subpixels G and B to transfer driving voltages to all the subpixels R, G, B, and W. .

각 부화소(sPX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.Each subpixel sPX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. ).

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 121, and the input terminal is a data line 171. ) And the output terminal is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transfers the data signal applied to the data line 171 to the driving transistor Qd in response to the scan signal applied to the gate line 121.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving voltage line 172, and the output terminal being the organic light emitting diode. It is connected to (LD). The driving transistor Qd flows an output current ILD whose magnitude varies depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and maintains it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD has an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage Vss. The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current ILD of the driving transistor Qd.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.

그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 4를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, the detailed structure of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도로서, 도 2에는 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소가 도시되어 있고, 도 3 및 도 4는 각각 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선 및 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. FIG. 2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 2, one pixel including four subpixels is illustrated, and FIGS. 3 and 4 respectively illustrate the organic light emitting diode display of FIG. 2. Is a cross-sectional view taken along lines III-III and IV-IV.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 제1 제어 전극(control electrode)(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 제2 제어 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.A plurality of gates including a plurality of gate lines 121 including a first control electrode 124a and a plurality of second control electrodes 124b on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic. A gate conductor is formed.

게이트선(121)은 제1 및 제2 부 게이트선(1211, 1212)으로 이루어지며, 제1 부 게이트선(1211)은 적색 및 녹색 부화소(R, G)의 아래쪽에 형성되어 있으며 주로 가로 방향으로 뻗어 있고, 제2 부 게이트선(1212)은 백색 및 청색 부화소(W, B)의 아래쪽에 형성되어 있으며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함하며, 제1 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다. 이 때, 타임 컨트롤러(timing controller)에서 게이트 신호를 정렬하여 하나의 화소를 지나가는 2개의 게이트선(1211, 1212)에 동일한 신호가 들어가도록 한다. The gate line 121 includes first and second sub gate lines 1211 and 1212, and the first sub gate line 1211 is formed under the red and green subpixels R and G and is mainly horizontal. Direction, the second sub-gate line 1212 is formed below the white and blue sub-pixels W and B and mainly extends in the horizontal direction. Each gate line 121 includes a wide end portion 129 for connection with another layer or an external driving circuit, and the first control electrode 124a extends upward from the gate line 121. When a gate driving circuit (not shown) generating a gate signal is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit. At this time, the gate controller aligns the gate signals so that the same signals enter the two gate lines 1211 and 1212 passing through one pixel.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 아래 방향으로 뻗다가 오른 쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(127)을 포함한다.The second control electrode 124b is separated from the gate line 121 and includes a storage electrode 127 extending downward and briefly changing to the right and extending upward.

게이트 도전체(121, 124b)는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트 도전체(121, 124b)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate conductors 121 and 124b are made of aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum (Mo) It may be made of molybdenum-based metals such as molybdenum alloys, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. In contrast, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate conductors 121 and 124b may be made of various metals or conductors.

게이트 도전체(121, 124b)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate conductors 121 and 124b are inclined with respect to the substrate 110 surface, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트 도전체(121, 124b) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate conductors 121 and 124b.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 섬형 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)는 각각 제1 및 제2 제어 전극(124a, 124b) 위에 위치한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of first and second island-like semiconductors 154a and 154b made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si), polycrystalline silicon, or the like are formed. It is. The first and second semiconductors 154a and 154b are positioned on the first and second control electrodes 124a and 124b, respectively.

제1 및 제2 반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)와 복수 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 섬 모양이며, 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 제1 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 쌍을 이루어 제1 반도체(154a) 위에 배치되어 있고, 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b) 또한 쌍을 이루어 제2 반도체(154b) 위에 배치되어 있다.A plurality of pairs of first ohmic contacts 163a and 165a and a plurality of pairs of second ohmic contacts 163b and 165b are formed on the first and second semiconductors 154a and 154b, respectively. The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b have an island shape, and may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped or made of silicide. The first ohmic contacts 163a and 165a are arranged in pairs on the first semiconductor 154a, and the second ohmic contacts 163b and 165b are also arranged in pairs and disposed on the second semiconductor 154b.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 구동 전압선(172)과 복수의 제1 및 제2 출력 전극(output electrode)(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.The plurality of data lines 171, the plurality of driving voltage lines 172, and the plurality of first and second output electrodes 175a are disposed on the ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b and the gate insulating layer 140. , A plurality of data conductors including 175b are formed.

데이터선(171)은 제1 및 제2 데이터선(1711, 1712)으로 이루어지며, 제1 데이터선(1711)은 적색 및 백색 부화소(R, W)의 왼쪽에 형성되어 있으며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하고, 제2 데이터선(1712)은 녹색 및 청색 부화소(G, B)의 오른쪽에 형성되어 있으며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.The data line 171 includes first and second data lines 1711 and 1712, and the first data line 1711 is formed on the left side of the red and white subpixels R and W, and mainly in the vertical direction. It extends and intersects the gate line 121, and the second data line 1712 is formed on the right side of the green and blue subpixels G and B and mainly extends in the vertical direction to intersect the gate line 121.

각 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 입력 전극(input electrode)(173a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.Each data line 171 has a wide end portion 179 for connection of a plurality of first input electrodes 173a extending toward the first control electrode 124a with another layer or an external driving circuit. It includes. When a data driving circuit (not shown) generating a data signal is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

구동 전압선(172)은 적색 및 백색 부화소(R, W)와 녹색 및 청색 부화소(G, B)의 사이에 형성되며 모든 부화소(R, G, B, W)에 구동 전압을 전달하고 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 모든 화소의 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 입력 전극(173b)을 포함한다. 구동 전압선(172)은 유지 전극(127)과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.The driving voltage line 172 is formed between the red and white subpixels R and W and the green and blue subpixels G and B, and transfers the driving voltage to all the subpixels R, G, B, and W. It mainly extends in the vertical direction and crosses the gate line 121. Each driving voltage line 172 includes a plurality of second input electrodes 173b extending toward the second control electrode 124b of every pixel. The driving voltage line 172 overlaps the storage electrode 127 and may be connected to each other.

제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하고, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.The first and second output electrodes 175a and 175b are separated from each other and also separated from the data line 171 and the driving voltage line 172. The first input electrode 173a and the first output electrode 175a face each other with respect to the first control electrode 124a, and the second input electrode 173b and the second output electrode 175b are the second control electrode. Facing each other around 124b.

상기와 같이 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 2개의 데이터선(1711, 1712), 1개의 구동 전압선(172)이 형성되어 있으므로 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 개구율이 향상된다. 즉, 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 4개의 데이터선이 지나가는 것이 아니라 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 2개의 데이터선(1711, 1712)이 지나가므로 하나의 화소에서 데이터선이 차지하는 면적이 작아지므로 개구율이 향상된다. 또한, 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 2개의 구동 전압선이 지나가는 것이 아니라 4개의 부화소로 이루어진 하나의 화소에 1개의 구동 전압선(172)이 지나가므로 하나의 화소에서 구동 전압선이 차지하는 면적이 작아지므로 개구율이 향상된다. As described above, since two data lines 1711 and 1712 and one driving voltage line 172 are formed in one pixel including four subpixels, the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment may have an improved aperture ratio. do. That is, since four data lines do not pass through one pixel composed of four subpixels, two data lines 1711 and 1712 pass through one pixel composed of four subpixels, so that the data lines occupy one pixel. Since the area becomes smaller, the aperture ratio is improved. In addition, since one driving voltage line 172 passes through one pixel composed of four subpixels instead of two driving voltage lines passing through one pixel composed of four subpixels, the area occupied by the driving voltage line in one pixel is increased. Since it becomes small, an opening ratio improves.

또한, 하나의 화소를 지나가는 데이터선(1711, 1712)의 수가 적으므로 데이터 구동 집적 회로의 수도 적게되어 원가도 절감된다. 이 때, 게이트 구동 집적 회로의 수는 늘어나지만, 데이터 구동 집적 회로의 가격보다 게이트 구동 집적 회로의 가격이 훨씬 싸므로 원가 절감 측면에서는 문제되지 않는다. In addition, since the number of data lines 1711 and 1712 passing through one pixel is small, the number of data driving integrated circuits is reduced, thereby reducing the cost. At this time, the number of gate driving integrated circuits is increased, but the cost of the gate driving integrated circuits is much lower than that of the data driving integrated circuits, which is not a problem in terms of cost reduction.

또한, 하나의 화소를 지나가는 데이터선(1711, 1712) 및 구동 전압선(172)의 수가 적으므로 데이터선 및 구동 전압선 사이에 단락성 불량의 발생 빈도가 적어 수율이 향상된다. In addition, since the number of data lines 1711 and 1712 and the driving voltage line 172 passing through one pixel is small, the frequency of occurrence of short circuit failure between the data line and the driving voltage line is small, so that the yield is improved.

한편, 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막 (도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.Meanwhile, the data conductors 171, 172, 175a, and 175b are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film ( It may have a multi-layer structure (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data conductors 171, 172, 175a, and 175b may be made of various other metals or conductors.

게이트 도전체(121, 124b)와 마찬가지로 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.Like the gate conductors 121 and 124b, the data conductors 171, 172, 175a and 175b also preferably have their side surfaces inclined at an inclination angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 입력 전극(173a, 173b)과 출력 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b exist only between the semiconductors 154a and 154b below and the data conductors 171, 172, 175a, and 175b thereon, thereby lowering the contact resistance. The semiconductors 154a and 154b have portions exposed between the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b and not covered by the data conductors 171, 172, 175a and 175b.

데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다. 유기 절연물과 저유전율 절연물의 유전 상수는 4.0 이하인 것이 바람직하며 저유전율 절연물의 예로는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등을 들 수 있다. 유기 절연물 중 감광성(photosensitivity)을 가지는 것으로 보호막(180)을 만들 수도 있으 며, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154a, 154b) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171, 172, 175a, and 175b and the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b. The passivation layer 180 is made of an inorganic insulator such as silicon nitride or silicon oxide, an organic insulator, or a low dielectric insulator. The dielectric constant of the organic insulator and the low dielectric insulator is preferably 4.0 or less. Examples of the low dielectric insulator include a-Si: C: O and a-Si: O formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). : F, etc. can be mentioned. The passivation layer 180 may be formed by having photosensitivity among the organic insulators, and the surface of the passivation layer 180 may be flat. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 제1 및 제2 출력 전극(175b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185a, 185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 제2 입력 전극(124b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 184)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 has a plurality of contact holes 182, 185a, and 185b exposing the end portion 179 of the data line 171 and the first and second output electrodes 175b, respectively. In the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140, a plurality of contact holes 181 and 184 exposing the end portion 129 of the gate line 121 and the second input electrode 124b are formed.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 부재(connecting member)(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191, a plurality of connecting members 85, and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180. These may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver or an alloy thereof.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 출력 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 제어 전극(124b) 및 제1 출력 전극(175a)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the second output electrode 175b through the contact hole 185b, and the connection member 85 is connected to the second control electrode 124b through the contact holes 184 and 185a. ) And the first output electrode 175a.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

보호막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.A partition 361 is formed on the passivation layer 180. The partition 361 surrounds the edge of the pixel electrode 191 like a bank to define an opening 365 and is made of an organic insulator or an inorganic insulator. The partition 361 may also be made of a photosensitizer including a black pigment, in which case the partition 361 serves as a light blocking member and the forming process is simple.

격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어진다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 부재(370)들이 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.An organic light emitting member 370 is formed in the opening 365 on the pixel electrode 191 defined by the partition 361. The organic light emitting member 370 is made of an organic material that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue. The organic light emitting diode display displays a desired image by using a spatial sum of the primary color light emitted by the organic light emitting members 370.

유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있다.The organic light emitting member 370 may have a multilayer structure including an auxiliary layer (not shown) for improving the light emitting efficiency of the light emitting layer in addition to the light emitting layer (not shown) for emitting light. The auxiliary layer includes an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) for balancing electrons and holes, and an electron injection layer for enhancing the injection of electrons and holes ( electron injecting layers (not shown) and hole injecting layers (not shown).

유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 공통 전압(Vss)을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속 또는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어진다.The common electrode 270 is formed on the organic light emitting member 370. The common electrode 270 receives a common voltage Vss and is made of a reflective metal including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, or the like, or a transparent conductive material such as ITO or IZO. .

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 제어 전극 (124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a) 사이의 제1 반도체(154a)에 형성된다. 제1 출력 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 입력 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 출력 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 제2 반도체(154b)에 형성된다. 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.In the organic light emitting diode display, the first control electrode 124a connected to the gate line 121, the first input electrode 173a and the first output electrode 175a connected to the data line 171 may be formed. 1 together with the semiconductor 154a, a switching TFT Qs is formed, and a channel of the switching TFT Qs is formed between the first input electrode 173a and the first output electrode 175a. 1 is formed in the semiconductor 154a. The second control electrode 124b connected to the first output electrode 175a, the second input electrode 173b connected to the driving voltage line 172, and the second output electrode connected to the pixel electrode 191 ( 175b forms a driving TFT Qd together with the second semiconductor 154b, and a channel of the driving TFT Qd is formed between the second input electrode 173b and the second output electrode 175b. It is formed in the second semiconductor 154b. The pixel electrode 191, the organic light emitting member 370, and the common electrode 270 form an organic light emitting diode LD, and the pixel electrode 191 is an anode and the common electrode 270 is a cathode. Alternatively, the pixel electrode 191 becomes a cathode and the common electrode 270 becomes an anode. The storage electrode 127 and the driving voltage line 172 overlapping each other form a storage capacitor Cst.

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 위쪽 또는 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 불투명한 화소 전극(191)과 투명한 공통 전극(270)은 기판(110)의 위쪽 방향으로 영상을 표시하는 전면 발광(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용하며, 투명한 화소 전극(191)과 불투명한 공통 전극(270)은 기판(110)의 아래 방향으로 영상을 표시하는 배면 발광(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용한다.The organic light emitting diode display emits light toward the top or the bottom of the substrate 110 to display an image. The opaque pixel electrode 191 and the transparent common electrode 270 are applied to a top emission type organic light emitting display device that displays an image in an upward direction of the substrate 110. The opaque common electrode 270 is applied to a bottom emission organic light emitting display device that displays an image in a downward direction of the substrate 110.

한편, 반도체(154a, 154b)가 다결정 규소인 경우에는, 제어 전극(124a, 124b)과 마 주하는 진성 영역(intrinsic region)(도시하지 않음)과 그 양쪽에 위치한 불순물 영역(extrinsic region)(도시하지 않음)을 포함한다. 불순물 영역은 입력 전극(173a, 173b) 및 출력 전극(175a, 175b)과 전기적으로 연결되며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 생략할 수 있다.On the other hand, when the semiconductors 154a and 154b are polycrystalline silicon, an intrinsic region (not shown) facing the control electrodes 124a and 124b and an impurity region (extrinsic region) located on both sides thereof are shown. Not). The impurity region is electrically connected to the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b, and the ohmic contacts 163a, 163b, 165a and 165b may be omitted.

또한, 제어 전극(124a, 124b)을 반도체(154a, 154b) 위에 둘 수 있으며 이때에도 게이트 절연막(140)은 반도체(154a, 154b)와 제어 전극(124a, 124b) 사이에 위치한다. 이때, 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)는 게이트 절연막(140) 위에 위치하고 게이트 절연막(140)에 뚫린 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 반도체(154a, 154b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)가 반도체(154a, 154b) 아래에 위치하여 그 위의 반도체(154a, 154b)와 전기적으로 접촉할 수 있다.In addition, the control electrodes 124a and 124b may be disposed on the semiconductors 154a and 154b, and the gate insulating layer 140 may be positioned between the semiconductors 154a and 154b and the control electrodes 124a and 124b. In this case, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be disposed on the gate insulating layer 140 and may be electrically connected to the semiconductors 154a and 154b through contact holes (not shown) bored in the gate insulating layer 140. . Alternatively, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be positioned under the semiconductors 154a and 154b to be in electrical contact with the semiconductors 154a and 154b thereon.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 4색 부화소로 이루어지는 하나의 화소에 2개의 게이트선, 2개의 데이트선 및 1개의 구동 전압선이 지나가도록 함으로써 개구율을 향상시킨다. The organic light emitting diode display according to the present invention improves the aperture ratio by allowing two gate lines, two data lines, and one driving voltage line to pass through one pixel of four color subpixels.

또한, 하나의 화소를 지나가는 데이터선의 수가 적으므로 데이터 구동 집적 회로의 수도 적게되어 원가도 절감되며, 하나의 화소를 지나가는 데이터선 및 구동 전압선의 수가 적으므로 데이터선 및 구동 전압선 사이에 단락성 불량의 발생 빈도가 적어 수율이 향상된다. In addition, since the number of data lines passing through one pixel is small, the number of data driving integrated circuits is reduced, and the cost is also reduced. The frequency of occurrence is small and the yield is improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

Claims (8)

4개의 부화소로 이루어지는 하나의 화소,One pixel consisting of four subpixels, 상기 하나의 화소에 게이트 신호를 전달하는 2개의 게이트선,Two gate lines transferring a gate signal to the one pixel, 상기 하나의 화소에 데이터 신호를 전달하는 2개의 데이트선, 그리고Two data lines for transmitting a data signal to the one pixel, and 상기 하나의 화소에 구동 전압을 전달하는 1개의 구동 전압선을 포함하는 유기 발광 표시 장치. And one driving voltage line configured to transfer a driving voltage to the one pixel. 제1항에서,In claim 1, 상기 4개의 부화소는 적색, 녹색, 청색 및 백색 부화소로 이루어지며, 상기 부화소는 2행 2열의 바둑판 모양으로 배치되어 있는 유기 발광 표시 장치. The four subpixels are formed of red, green, blue, and white subpixels, and the subpixels are arranged in a checker pattern of two rows and two columns. 제2항에서,In claim 2, 상기 2개의 게이트선 중 하나의 게이트선은 제1 행의 부화소에 게이트 신호를 전달하고, 나머지 게이트선은 제2 행의 부화소에 게이트 신호를 전달하는 유기 발광 표시 장치.One gate line of the two gate lines transmits a gate signal to a subpixel of a first row, and the other gate line transfers a gate signal to a subpixel of a second row. 제3항에서, In claim 3, 상기 2개의 게이트선에 전달되는 게이트 신호는 동일한 신호인 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 2, wherein the gate signals transmitted to the two gate lines are the same signal. 제2항에서,In claim 2, 상기 2개의 게이트선 중 하나의 게이트선은 제1 행의 부화소의 아래쪽에 형성되고, 나머지 게이트선은 제2 행의 부화소의 아래쪽에 형성되는 유기 발광 표시 장치.One gate line of the two gate lines is formed below the subpixels of the first row, and the other gate line is formed below the subpixels of the second row. 제2항에서,In claim 2, 상기 2개의 데이터선 중 하나의 데이터선은 제1 열의 부화소에 데이터 신호를 전달하고, 나머지 데이터선은 제2 열의 부화소에 데이터 신호를 전달하는 유기 발광 표시 장치.One data line of the two data lines transmits a data signal to a subpixel of a first column, and the other data line transmits a data signal to a subpixel of a second column. 제2항에서,In claim 2, 상기 2개의 데이터선 중 하나의 데이터선은 제1 열의 부화소의 왼쪽에 형성되고, 나머지 데이터선은 제2 열의 부화소의 오른쪽에 형성되는 유기 발광 표시 장치. One data line of the two data lines is formed on the left side of the subpixels in the first column, and the remaining data lines are formed on the right side of the subpixels in the second column. 제2항에서,In claim 2, 상기 구동 전압선은 상기 제1 열의 부화소와 상기 제2열의 부화소의 사이에 형성되는 유기 발광 표시 장치. The driving voltage line is formed between the subpixels of the first column and the subpixels of the second column.
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