KR20070052505A - Organic thin film transistor array panel and method for manufacturing the same - Google Patents

Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템은 챔버, 챔버 내부에 설치되어 있으며 기판이 탑재되는 스테이지, 기판 위에 유기 반도체용 잉크를 적하하는 잉크젯 헤드, 잉크젯 헤드를 소정 위치로 이동시키는 이송 장치, 챔버에 설치되어 있는 증기압 조절 장치를 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템은 증기압 조절 장치를 이용하여 챔버 내부의 용매 증기압을 조절함으로써 잉크의 건조 속도를 조절하여 유기 반도체의 결정성을 향상시킨다.An inkjet printing system according to an embodiment of the present invention includes a chamber, a stage installed inside a chamber, a stage on which a substrate is mounted, an inkjet head for dropping ink for organic semiconductors on a substrate, a transfer device for moving the inkjet head to a predetermined position, and a chamber. It is preferable to include a vapor pressure regulating device installed in. Therefore, the inkjet printing system according to an embodiment of the present invention improves the crystallinity of the organic semiconductor by controlling the drying rate of the ink by adjusting the solvent vapor pressure in the chamber using a vapor pressure adjusting device.

유기반도체, 잉크젯, 유기용매, 용매증기압, 결정성 Organic semiconductor, inkjet, organic solvent, solvent vapor pressure, crystallinity

Description

잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법{ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 사시도이다. 1 is a perspective view of an inkjet printing system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 헤드 유니트의 저면도이다.2 is a bottom view of a head unit of the inkjet printing system according to one embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 잉크젯 헤드를 이용하여 유기 반도체를 형성하는 방법을 개략적으로 설명한 도면이다.3 is a view schematically illustrating a method of forming an organic semiconductor using an inkjet head of an inkjet printing system according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 처음 단계를 도시한 배치도이다.4 is a layout view illustrating a first step of a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 4 taken along a line V-V.

도 6은 도 4의 다음 단계를 도시한 배치도이다. 6 is a layout view showing the next step of FIG. 4.

도 7은 도 6의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 6 taken along the line VII-VII. FIG.

도 8은 도 6의 다음 단계를 도시한 배치도이다. FIG. 8 is a layout view showing the next step of FIG. 6.

도 9는 도 8의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면 도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 8 taken along the line IX-IX.

도 10은 도 8의 다음 단계를 도시한 배치도이다.FIG. 10 is a layout view showing the next step of FIG. 8.

도 11은 도 10의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. FIG. 11 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 10 taken along the line XI-XI.

도 12는 도 10의 다음 단계를 도시한 배치도이다. 12 is a layout view showing the next step of FIG. 10.

도 13은 도 12의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 13 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 12 taken along the line XIII-XIII.

도 14는 도 12의 다음 단계를 도시한 배치도이다. FIG. 14 is a layout view showing the next step of FIG. 12.

도 15는 도 14의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 14 taken along the line XV-XV.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110: 절연 기판 121: 게이트선110: insulating substrate 121: gate line

124: 게이트 전극 127: 유지 축전기용 도전체124: gate electrode 127: conductor for holding capacitor

129: 게이트선의 끝 부분 131: 유지 전극선129: end portion of gate line 131: sustain electrode line

137: 유지 전극 140, 160, 180: 층간 절연막 137: sustain electrode 140, 160, 180: interlayer insulating film

146: 게이트 절연체 154: 유기 반도체146: gate insulator 154: organic semiconductor

171: 데이터선 179: 데이터선의 끝 부분 171: data line 179: end of data line

81, 82: 접촉 보조 부재 141, 143, 147, 162, 163: 접촉 구멍81, 82: contact auxiliary members 141, 143, 147, 162, and 163: contact holes

144, 184: 개구부 186: 차단 부재144 and 184: opening 186: blocking member

191: 화소 전극 193: 소스 전극191: pixel electrode 193: source electrode

195: 드레인 전극 Q: 유기 박막 트랜지스터 195: drain electrode Q: organic thin film transistor

본 발명은 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inkjet printing system and a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel using the same.

일반적으로 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)나 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.In general, a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED display), an electrophoretic display, or the like, includes a plurality of pairs of field generating electrodes and And an electro-optical active layer interposed therebetween. In the case of the liquid crystal display, the liquid crystal layer is included as the electro-optical active layer, and in the case of the organic light emitting display, the organic light emitting layer is included as the electro-optical active layer.

한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가받고, 전기광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호를 변환함으로써 영상을 표시한다.One of the pair of field generating electrodes is typically connected to a switching element to receive an electrical signal, and the electro-optical active layer converts the electrical signal into an optical signal to display an image.

평판 표시 장치에서는 스위칭 소자로서 삼단자 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 사용하며, 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 주사 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선(data line)이 평판 표시 장치에 구비된다.In the flat panel display device, a thin film transistor (TFT), which is a three-terminal element, is used as a switching element. A data line to be transmitted is provided in the flat panel display.

이러한 박막 트랜지스터 중에서, 규소(Si)와 같은 무기 반도체 대신 유기 반도체를 사용하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.Among these thin film transistors, studies on organic thin film transistors (OTFTs) using organic semiconductors instead of inorganic semiconductors such as silicon (Si) have been actively conducted.

유기 박막 트랜지스터는 저온에서 용액 공정(solution process) 특히 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방법으로 제작할 수 있어서 증착 공정만으로 한계가 있는 대면적 평판 표시 장치에도 쉽게 적용할 수 있다. The organic thin film transistor can be manufactured at a low temperature by a solution process, particularly inkjet printing, and thus can be easily applied to a large-area flat panel display device that is limited only by the deposition process.

유기 반도체는 대부분의 결정성 물질들이며, 결정성 또는 분자 배향성(ordering)이 잘 발달되어 있는 유기 반도체의 경우에 박막 트랜지스터 특성이 향상된다. The organic semiconductors are most crystalline materials, and the thin film transistor characteristics are improved in the case of the organic semiconductors in which crystalline or molecular ordering is well developed.

이와 같은 유기 반도체의 결정성을 향상시키기 위해 유기 반도체 형성 전에 자기 조립 단분자막(self-assembled monolayer, SAM)을 처리하여 유기 반도체의 표면을 개선하거나 유기 반도체 형성 후 추가적인 열처리 (annealing) 공정을 통하여 유기 반도체의 결정성을 향상시키는 방법 등이 사용되었다. In order to improve the crystallinity of the organic semiconductor, the surface of the organic semiconductor may be improved by treating a self-assembled monolayer (SAM) before forming the organic semiconductor, or through an annealing process after forming the organic semiconductor. The method of improving the crystallinity of this, etc. were used.

그러나, 이 경우 별도의 공정이 추가되므로 비용 및 시간이 많이 든다는 문제점이 있다. However, in this case, since a separate process is added, there is a problem in that it takes a lot of cost and time.

본 발명의 기술적 과제는 비용 및 제조 시간을 단축시킬 수 있는 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 공정 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an inkjet printing system capable of reducing costs and manufacturing time, and a method of manufacturing a process organic thin film transistor array panel using the same.

본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템은 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되어 있으며 기판이 탑재되는 스테이지, 상기 기판 위에 유기 반도체용 잉크를 적 하하는 잉크젯 헤드, 상기 잉크젯 헤드를 소정 위치로 이동시키는 이송 장치, 상기 챔버에 설치되어 있는 증기압 조절 장치를 포함하는 것이 바람직하다.An inkjet printing system according to an embodiment of the present invention includes a chamber, a stage installed inside the chamber, a stage on which a substrate is mounted, an inkjet head for dropping ink for organic semiconductors on the substrate, and a movement of the inkjet head to a predetermined position. It is preferable to include a transfer device and a vapor pressure regulating device installed in the chamber.

또한, 상기 증기압 조절 장치는 상기 유기 반도체용 잉크의 용매를 증기로 분사하여 증기압을 조절하는 것이 바람직하다.In addition, the vapor pressure control device is preferably to control the vapor pressure by spraying the solvent of the ink for the organic semiconductor with steam.

또한, 상기 챔버에는 증기압 측정기가 더 설치되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the chamber is preferably further provided with a steam pressure gauge.

또한, 상기 챔버 내부에 설치되어 있는 잉크젯 헤드 및 이송 장치에 신호를 전달하는 복수개의 회로 배선이 설치되어 있으며, 상기 회로 배선은 밀봉재로 밀봉되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the some circuit wiring which transmits a signal to the inkjet head and the conveying apparatus provided in the said chamber is provided, and the said circuit wiring is sealed by the sealing material.

또한, 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하다.In addition, the solvent is preferably an organic solvent.

또한, 상기 유기 용매는 메시틸렌 또는 테트라린 중에서 선택된 어느 하나인 것이 바람직하다.In addition, the organic solvent is preferably any one selected from mesitylene and tetralin.

또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템을 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 챔버 내에 잉크젯 헤드 및 증기압 조절 장치가 설치되어 있는 잉크젯 프린팅 시스템을 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 있어서, 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계, 상기 기판 위에 데이터선을 형성하는 단계, 상기 데이터선 위에 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 절연막 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 및 상기 제1 절연막 위에 제2 절연막을 적층하는 단계, 상기 제2 절연막 위에 상기 데이터선과 연결되는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극 위에 개구부를 가진 둑 을 형성하는 단계, 상기 잉크젯 헤드에서 상기 개구부에 유기 반도체용 잉크를 적하하여 유기 반도체를 형성하는 단계, 상기 유기 반도체를 건조시키는 단계를 포함하고, 상기 증기압 조절 장치를 이용하여 상기 유기 반도체용 잉크의 용매의 증기압을 조절하여 상기 유기 반도체를 건조시키는 것이 바람직하다.In addition, a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel using an inkjet printing system according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel using an inkjet printing system in which an inkjet head and a vapor pressure adjusting device are installed in a chamber. Positioning a substrate in the chamber, forming a data line on the substrate, forming a first insulating film over the data line, forming a gate line including a gate electrode on the first insulating film, and forming the gate line. And depositing a second insulating film on the first insulating film, forming a pixel electrode on the second insulating film, a source electrode connected to the data line and a drain electrode facing the source electrode. Forming a dam having an opening over the pixel electrode, Forming an organic semiconductor by dropping the ink for the organic semiconductor into the opening in the inkjet head; and drying the organic semiconductor, and adjusting the vapor pressure of the solvent of the ink for the organic semiconductor using the vapor pressure adjusting device. It is preferable to dry the organic semiconductor.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on top" of another part, this includes not only when the other part is "right over" but also when there is another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템에 대하여 도 1 내지 도 3을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, an inkjet printing system according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 헤드 유니트의 저면도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템의 잉크젯 헤드를 이용하여 유기 반도체를 형성하는 방법을 개략적으로 설명한 도면이다.1 is a perspective view of an inkjet printing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a head unit of the inkjet printing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is a view schematically illustrating a method of forming an organic semiconductor using an inkjet head of the inkjet printing system according to the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 잉크젯 프린팅 시스템은 잉크젯 프린팅 공정이 진행되는 챔버(1), 챔버(1) 내부에 설치되어 있으며 기판(110)이 탑재되는 스테이지(500), 스테이지(500) 위에 소정 간격 이격되어 위치하는 헤드 유니트(700), 그리고 헤드 유니트(700)를 소정 위치로 이동시키는 이송 장치(300), 챔버(1)에 설치되어 있는 증기압 조절 장치(800) 및 증기압 측정기(900)를 포함한다. As shown in FIGS. 1 to 3, the inkjet printing system includes a chamber 1 in which an inkjet printing process is performed, a stage 500 installed in the chamber 1, and a stage 500 and a stage 500 on which the substrate 110 is mounted. A head unit 700 spaced apart from each other by a predetermined interval, a transfer device 300 for moving the head unit 700 to a predetermined position, a steam pressure adjusting device 800 installed in the chamber 1, and a steam pressure measuring device ( 900).

헤드 유니트(700)는 잉크젯 헤드(400), 잉크젯 헤드의 위치를 정렬시키기 위한 정렬 센서(600)를 포함한다. 잉크젯 헤드(400)는 긴 막대기 형상을 갖고, 그 저면에 배치된 복수개의 노즐(410)을 포함하며, 이 노즐(410)을 통해 유기 반도체를 형성하기 위한 유기 반도체용 잉크(5)가 기판(110) 위에 떨어진다. 유기 반도체용 잉크(5)의 용매는 메시티렌(mesitylen), 테트라린(tetralin) 등의 유기 용매가 사용된다. The head unit 700 includes an inkjet head 400 and an alignment sensor 600 for aligning positions of the inkjet head. The inkjet head 400 has a long stick shape and includes a plurality of nozzles 410 disposed on a bottom thereof, and the ink 5 for organic semiconductors for forming an organic semiconductor is formed on a substrate ( 110) falls on top. As a solvent of the organic semiconductor ink 5, organic solvents such as mesitylen and tetralin are used.

잉크젯 헤드(400)는 소정 각도(θ)로 Y 방향에 대하여 경사져 있다. 즉, 잉크젯 헤드(400)에 형성되어 있는 노즐(410)간의 거리인 노즐 피치(D)와 프린팅될 유기 반도체(154)간의 거리(P)가 차이가 있으므로, 잉크젯 헤드(400)를 소정 각도(θ) 회전시킴으로써 노즐(410)에서 적하되는 잉크(5) 사이의 간격을 인접하는 유기 반도체(154)간의 거리(P)와 일치시킨다. 도 2에서, 잉크젯 헤드 유니트(700)는 하나만 도시하였지만, 복수 개일 수 있다.The inkjet head 400 is inclined with respect to the Y direction at a predetermined angle θ. That is, since the distance P between the nozzle pitch D, which is the distance between the nozzles 410 formed in the inkjet head 400, and the organic semiconductor 154 to be printed, is different, the inkjet head 400 may have a predetermined angle ( (theta) rotates so that the space | interval between the ink 5 dripping from the nozzle 410 matches the distance P between the adjacent organic semiconductors 154. FIG. In FIG. 2, only one inkjet head unit 700 is illustrated, but a plurality of inkjet head units 700 may be provided.

이송 장치(300)는 헤드 유니트(700)를 기판(110)과 위쪽으로 소정 간격 떨어지게 위치시키는 지지부(310), 헤드 유니트(700)를 X 또는 Y 방향으로 이송시키는 수평 이송부(330), 그리고 헤드 유니트(700)를 승강시키는 승강부(340)를 포함한 다.The transfer apparatus 300 includes a support 310 for positioning the head unit 700 apart from the substrate 110 by a predetermined distance, a horizontal transfer unit 330 for transferring the head unit 700 in the X or Y direction, and the head. Lifting unit 340 for lifting the unit 700 is included.

증기압 조절 장치(800)는 유기 반도체용 잉크(5)의 용매를 가열하여 증기(2)로 만들어서 증기(2)의 상태로 챔버(1) 내부로 분사한다. The vapor pressure regulating device 800 heats the solvent of the ink for the organic semiconductor 5 to make the vapor 2 and sprays it into the chamber 1 in the state of the vapor 2.

증기압 측정기(900)는 챔버 내부의 유기 반도체용 잉크(5)의 용매 증기압을 측정한다. 챔버(1) 내부의 회로 배선(도시하지 않음) 등은 밀봉재(도시하지 않음)로 밀봉하여 증기(2)에 노출되는 것을 방지한다. 이는 용매 증기(2)에 의해 챔버(1) 내부의 회로 배선 등(도시하지 않음)이 손상되는 것을 방지하기 위함이다. The vapor pressure measuring device 900 measures the solvent vapor pressure of the ink for the organic semiconductor 5 in the chamber. Circuit wiring (not shown) or the like inside the chamber 1 is sealed with a sealing material (not shown) to prevent exposure to the vapor 2. This is to prevent damage to circuit wiring and the like (not shown) inside the chamber 1 by the solvent vapor 2.

이러한 구조를 갖는 잉크젯 프린팅 시스템을 이용하여 기판(110) 상에 유기 반도체를 형성하는 동작을 설명한다.An operation of forming an organic semiconductor on the substrate 110 using an inkjet printing system having such a structure will be described.

먼저, 잉크젯 프린팅 시스템의 이송 장치(300)의 수평 이송부(330)와 승강부(340)의 동작에 의해 헤드 유니트(700)는 해당 기판(110) 위에 위치한다.First, the head unit 700 is positioned on the substrate 110 by the horizontal transfer unit 330 and the lift unit 340 of the transfer apparatus 300 of the inkjet printing system.

다음, 이송 장치(300)의 수평 이송부(330)와 잉크젯 헤드(400)의 노즐(410)을 구동시켜 헤드 유니트(700)를 X 방향으로 이동시키면서, 도 3에 도시한 것처럼, 잉크(5)를 떨어뜨려 화소 각각에 유기 반도체(154)를 형성한다.Next, the ink 5 is driven as shown in FIG. 3 while driving the horizontal unit 330 of the transfer device 300 and the nozzle 410 of the inkjet head 400 to move the head unit 700 in the X direction. The organic semiconductor 154 is formed in each pixel by dropping.

다음, 잉크(5)를 건조시켜 유기 반도체(154)를 완성한다. 이 때, 증기압 조절 장치(800)를 이용하여 챔버(1) 내부의 용매 증기압을 조절함으로써 잉크(5)의 건조 속도를 조절하여 유기 반도체(154)의 결정성을 향상시킨다. 용매 증기압이 증가할수록 유기 반도체(154)의 결정 성장이 촉진되어 결정성이 향상되며, 용매 증기압은 유기 반도체(154)가 다시 용해되지 않을 정도까지 증가시키는 것이 바람직하다. 이 때, 증기압 측정기(900)를 이용하여 챔버(1) 내부의 용매 증기압을 확인 하여 용매 증기압이 초과 증가하지 않도록 한다. Next, the ink 5 is dried to complete the organic semiconductor 154. At this time, by controlling the vapor pressure of the solvent in the chamber 1 using the vapor pressure control device 800 to control the drying rate of the ink 5 to improve the crystallinity of the organic semiconductor 154. As the solvent vapor pressure increases, crystal growth of the organic semiconductor 154 is promoted to improve crystallinity, and the solvent vapor pressure is preferably increased to such an extent that the organic semiconductor 154 is not dissolved again. At this time, the solvent vapor pressure in the chamber 1 is checked using the vapor pressure measuring device 900 so that the solvent vapor pressure does not increase excessively.

그러면 도 1 내지 도 3에 도시한 잉크젯 프린팅 시스템을 이용하여 유기 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법에 대하여 도 4 내지 도 15를 참고하여 상세히 설명한다.Next, a method of manufacturing the organic thin film transistor array panel using the inkjet printing system illustrated in FIGS. 1 to 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 15.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 처음 단계를 도시한 배치도이고, 도 5는 도 4의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 도 4의 다음 단계를 도시한 배치도이고, 도 7은 도 6의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8은 도 6의 다음 단계를 도시한 배치도이고, 도 9는 도 8의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 10은 도 8의 다음 단계를 도시한 배치도이고, 도 11은 도 10의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 12는 도 10의 다음 단계를 도시한 배치도이고, 도 13은 도 12의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 14는 도 12의 다음 단계를 도시한 배치도이고, 도 15는 도 14의 유기 박막 트랜지스터 표시판을 XIV-XIV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a layout view illustrating a first step of a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 illustrates a VV line of the organic thin film transistor array panel of FIG. 4. 6 is a layout view illustrating the next step of FIG. 4, FIG. 7 is a cross-sectional view of the organic thin film transistor array panel of FIG. 6 taken along the line VII-VII, and FIG. 8 is a cross-sectional view of FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the organic thin film transistor array panel of FIG. 8 taken along the line IX-IX, FIG. 10 is a layout view illustrating the next step of FIG. 8, and FIG. 11 is FIG. 10. 12 is a cross-sectional view illustrating the organic thin film transistor array panel of FIG. 12 along the line XI-XI, and FIG. 12 is a layout view illustrating the next step of FIG. 10, and FIG. 13 illustrates the organic thin film transistor array panel of FIG. 12 well along the XIII-XIII line. Is a sectional view, Figure 14 is a constellation diagram illustrating the steps of Figure 12, Figure 15 is a cross-sectional view cut along the line XIV-XIV of the organic TFT array panel of FIG.

먼저, 기판(110) 위에 스퍼터링(sputtering) 따위의 방법으로 금속층을 적층하고 이를 사진 식각하여, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 돌출부(173) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171) 및 유지 전극(137)을 포함하는 유지 전극선(131)을 형성한다.First, a metal layer is stacked on the substrate 110 by a method such as sputtering and photo-etched, thereby as shown in FIGS. 4 and 5, as illustrated in FIGS. 4 and 5, a data line including a protrusion 173 and an end portion 179. The sustain electrode line 131 including the 171 and the sustain electrode 137 is formed.

다음, 무기 물질을 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD)하거나 유기 물질을 스핀 코팅(spin coating)하여 접촉 구멍(163, 162)을 가지는 하부 층간 절연막(160)을 형성한다. 접촉 구멍(163, 162)은 무기 물질인 경우 감광막을 사용한 사진 식각 공정으로 형성하고 유기 물질인 경우 사진 공정만으로 형성할 수 있다. Next, the lower interlayer insulating layer 160 having the contact holes 163 and 162 is formed by chemical vapor deposition (CVD) of the inorganic material or spin coating of the organic material. The contact holes 163 and 162 may be formed by a photolithography process using a photosensitive film in the case of an inorganic material, and may be formed only by a photo process in the case of an organic material.

도 6 및 도 7을 참고하면, 하부 층간 절연막(160) 위에 금속층을 적층하고 사진 식각하여, 게이트 전극(124) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121) 및 유지 축전기용 도전체(127)를 형성한다. 6 and 7, a metal layer is stacked and photo-etched on the lower interlayer insulating layer 160 to form a gate line 121 including a gate electrode 124 and an end portion 129, and a conductor for a storage capacitor ( 127).

다음, 도 8 및 도 9를 참고하면, 감광성 유기물 등을 스핀 코팅하고 패터닝하여 개구부(144) 및 접촉 구멍(141, 143, 147)의 상부 측벽을 가지는 상부 층간 절연막(140)을 형성한다. 이 때 데이터선(171)의 끝 부분(179) 부근은 유기물이 모두 제거되도록 한다. Next, referring to FIGS. 8 and 9, the upper interlayer insulating layer 140 having the upper sidewalls of the openings 144 and the contact holes 141, 143, and 147 may be formed by spin coating and patterning the photosensitive organic material and the like. In this case, all organic matters are removed near the end portion 179 of the data line 171.

이어서, 상부 층간 절연막(140)의 개구부(144)에 잉크젯 인쇄 방법 등으로 게이트 절연체(146)를 형성한다. 잉크젯 인쇄 방법으로 게이트 절연체(146)를 형성하는 경우 개구부(144)에 용액을 적하한 다음 건조한다. 그러나 이에 한정하지 않고 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 다양한 용액 공정으로 형성할 수도 있다.Subsequently, the gate insulator 146 is formed in the opening 144 of the upper interlayer insulating layer 140 by an inkjet printing method or the like. When the gate insulator 146 is formed by the inkjet printing method, a solution is dropped into the opening 144 and then dried. However, the present invention is not limited thereto, and may be formed by various solution processes such as spin coating and slit coating.

도 10 및 도 11을 참고하면, 비정질 ITO 등을 스퍼터링한 후 사진 식각하여 데이터 전극(195)을 포함하는 화소 전극(191), 소스 전극(193) 및 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다. 스퍼터링의 온도는 25℃ 내지 130℃의 저온, 특히 상온인 것이 바람직하며, 비정질 ITO는 약염기성 식각액을 사용하여 식각하는 것이 바람직하다. 이와 같이 ITO를 저온에서 형성하고 약염기성 식각액으로 식각함으로써 유기물로 만 들어진 하부의 게이트 절연체(146) 및 상부 층간 절연막(140)이 열 및 화학액으로 인하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIGS. 10 and 11, after sputtering amorphous ITO or the like, photolithography is performed to form the pixel electrode 191 including the data electrode 195, the source electrode 193, and the contact auxiliary members 81 and 82. . It is preferable that the temperature of sputtering is 25 to 130 degreeC low temperature, especially room temperature, and amorphous ITO is etched using a weakly basic etching liquid. As such, by forming ITO at a low temperature and etching with a weakly basic etching solution, the lower gate insulator 146 and the upper interlayer insulating layer 140 made of organic material may be prevented from being damaged by heat and chemical liquid.

다음, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 감광성 유기막을 도포하고 현상하여 개구부(184)를 가지는 둑(180)을 형성한다. Next, as shown in FIGS. 12 and 13, a photosensitive organic film is coated and developed to form a weir 180 having an opening 184.

그리고, 본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템을 이용하여 잉크젯 헤드(400)의 노즐(410)에서 잉크(5)를 개구부(184)에 적하하여 유기 반도체(154)를 형성한다. 이 때, 증기압 조절 장치(800)를 이용하여 챔버(1) 내부의 용매 증기압을 조절함으로써 잉크(5)의 건조 속도를 조절하여 유기 반도체(154)의 결정성을 향상시킨다.Then, using the inkjet printing system according to an embodiment of the present invention, the ink 5 is dropped into the opening 184 in the nozzle 410 of the inkjet head 400 to form the organic semiconductor 154. At this time, by controlling the vapor pressure of the solvent in the chamber 1 using the vapor pressure control device 800 to control the drying rate of the ink 5 to improve the crystallinity of the organic semiconductor 154.

다음으로, 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 유기 반도체(154) 위에 차단 부재(186)를 형성하여 유기 박막 트랜지스터 표시판을 완성한다. Next, as shown in FIGS. 14 and 15, the blocking member 186 is formed on the organic semiconductor 154 to complete the organic thin film transistor array panel.

투명한 유리, 실리콘(silicone) 또는 플라스틱(plastic) 따위로 만들어진 절연 기판(substrate)(110) 위에 복수의 데이터선(data line)(171) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass, silicon, or plastic. It is.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 있다. 각 데이터선(171)은 옆으로 돌출한 복수의 돌출부(projection)(173)와 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데 이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction. Each data line 171 includes a plurality of projections 173 protruding sideways and a wide end portion 179 for connection with another layer or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may extend to be directly connected to the data driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 데이터선(171)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 두 데이터선(171) 사이에 위치하며 두 데이터선(171) 중 왼쪽에 가깝다. 유지 전극선(131)은 옆으로 확장된 유지 전극(storage electrode)(137)을 포함한다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다. The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and extends substantially in parallel with the data line 171. Each storage electrode line 131 is positioned between the two data lines 171 and is closer to the left side of the two data lines 171. The storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 extending laterally. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

데이터선(171) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 금(Ag)이나 금 합금 등 금 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 기판(110)과의 접착성이 우수하거나, 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이나 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver-based metal such as silver (Ag) or silver alloy, gold-based metal such as gold (Ag) or gold alloy, or copper ( It may be made of copper-based metals such as Cu) and copper alloys, molybdenum-based metals such as molybdenum (Mo) or molybdenum alloys, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. On the other hand, other conductive films have excellent adhesion to the substrate 110 or have physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals and chromium. Made of tantalum, titanium, etc. Examples of such a combination include a chromium lower film, an aluminum (alloy) upper film, an aluminum (alloy) lower film and a molybdenum (alloy) upper film. However, the data line 171 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

데이터선(171) 및 유지 전극선(131)은 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30。 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The side surfaces of the data line 171 and the storage electrode line 131 may be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

데이터선(171) 및 유지 전극선(131) 위에는 하부 층간 절연막(lower interlayer insulating layer)(160)이 형성되어 있다. 하부 층간 절연막(160)은 무기 절연물 또는 유기 절연물로 만들어질 수 있으며, 무기 절연물의 예로는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiO2)를 들 수 있다. 하부 층간 절연막(160)의 두께는 약 2,000Å 내지 4㎛일 수 있다.A lower interlayer insulating layer 160 is formed on the data line 171 and the storage electrode line 131. The lower interlayer insulating layer 160 may be made of an inorganic insulator or an organic insulator, and examples of the inorganic insulator may be silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2). The thickness of the lower interlayer insulating layer 160 may be about 2,000 μm to 4 μm.

하부 층간 절연막(160)에는 데이터선(171)의 돌출부(173) 및 끝 부분(179)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(163, 162)을 가질 수 있다. The lower interlayer insulating layer 160 may have a plurality of contact holes 163 and 162 exposing the protrusion 173 and the end portion 179 of the data line 171, respectively.

하부 층간 절연막(160) 위에는 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 축전기용 도전체(storage capacitor conductor)(127)가 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage capacitor conductors 127 are formed on the lower interlayer insulating layer 160.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 데이터선(171) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction to cross the data line 171 and the storage electrode line 131. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upwards and a wide end portion 129 for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) that generates a gate signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached over the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated into the substrate 110. Can be. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 축전기용 도전체(127)는 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 유지 전극(137)과 중첩한다. The storage capacitor conductor 127 is separated from the gate line 121 and overlaps the storage electrode 137.

게이트선(121) 및 유지 축전기용 도전체(127)는 데이터선(171) 및 유지 전극선(131)과 동일한 재료로 만들어질 수 있다. 게이트선(121) 및 유지 축전기용 도전체(127)의 측면 또한 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80° 인 것이 바람직하다.The gate line 121 and the conductor 127 for the storage capacitor may be made of the same material as the data line 171 and the storage electrode line 131. Sides of the gate line 121 and the conductor 127 for the storage capacitor are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121) 및 유지 축전기용 도전체(127) 위에는 상부 층간 절연막(140) 이 형성되어 있다. 상부 층간 절연막(140)은 약 2.5 내지 4.0 정도의 비교적 낮은 유전 상수(dielectric constant)를 가지는 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어진다. 유기 물질의 예로는 폴리아크릴(polyacryl)계 화합물, 폴리스티렌(polystyrene)계 화합물, 벤조시클로부탄(benzocyclobutane, BCB) 따위의 용해성 고분자 화합물을 들 수 있고, 무기 물질의 예로는 질화규소 및 산화규소를 들 수 있다. 상부 층간 절연막(140)의 두께는 5,000Å 내지 4㎛ 정도일 수 있다. An upper interlayer insulating layer 140 is formed on the gate line 121 and the storage capacitor conductor 127. The upper interlayer insulating layer 140 is made of an organic material or an inorganic material having a relatively low dielectric constant of about 2.5 to 4.0. Examples of organic materials include soluble polymer compounds such as polyacryl compounds, polystyrene compounds, and benzocyclobutane (BCB), and examples of inorganic materials include silicon nitride and silicon oxide. have. The thickness of the upper interlayer insulating layer 140 may be about 5,000 μm to about 4 μm.

이와 같이 유전 상수가 낮은 상부 층간 절연막(140)을 둠으로써 데이터선(171) 및 게이트선(121)과 상부 도전층과의 기생 용량(parasitic capacitance)을 줄일 수 있다.As such, by providing the upper interlayer insulating layer 140 having a low dielectric constant, parasitic capacitance between the data line 171 and the gate line 121 and the upper conductive layer may be reduced.

상부 층간 절연막(140)은 데이터선(171)의 끝 부분(179) 부근에는 존재하지않는다. 이는 데이터선(171)의 끝 부분(179) 위에 형성된 하부 층간 절연막(160)과 상부 층간 절연막(140)이 접착성(adhesion) 불량으로 분리되는 것을 방지하는 한편, 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 회로가 효과적으로 연결되도록 층간 절연막의 두께를 줄이기 위함이다.The upper interlayer insulating layer 140 does not exist near the end portion 179 of the data line 171. This prevents the lower interlayer insulating layer 160 and the upper interlayer insulating layer 140 formed on the end 179 of the data line 171 from being separated due to poor adhesion, while at the end of the data line 171. This is to reduce the thickness of the interlayer insulating film so that the 179 and the external circuit are effectively connected.

상부 층간 절연막(140)에는 게이트 전극(124)을 드러내는 복수의 개구부(144), 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(141), 데이터선(171)의 돌출부(173)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(143) 그리고 유지 축전기용 도전체(127)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(147)이 형성되어 있다. The upper interlayer insulating layer 140 includes a plurality of openings 144 exposing the gate electrode 124, a plurality of contact holes 141 exposing the end portion 129 of the gate line 121, and protrusions of the data line 171 ( A plurality of contact holes 143 exposing 173 and a plurality of contact holes 147 exposing the conductor 127 for the storage capacitor are formed.

상부 층간 절연막(140)의 개구부(144) 안에는 게이트 절연체(gate insulator)(146)가 형성되어 있다. 게이트 절연체(146)는 게이트 전극(124)을 덮으며, 그 두께는 1,000 내지 10,000Å 정도이다. 개구부(144)의 측벽은 그 높이가 상부 층간 절연막(140)보다 높아서 상부 층간 절연막(140)이 둑(bank)의 역할을 하며, 개구부(144)는 게이트 절연체(146)의 표면이 평탄해질 수 있도록 충분한 크기를 가진다.A gate insulator 146 is formed in the opening 144 of the upper interlayer insulating layer 140. The gate insulator 146 covers the gate electrode 124 and has a thickness of about 1,000 to 10,000 Å. The height of the sidewall of the opening 144 is higher than that of the upper interlayer insulating layer 140, so that the upper interlayer insulating layer 140 serves as a bank, and the opening 144 may have a flat surface of the gate insulator 146. Have enough size to allow.

게이트 절연체(146)는 약 3.5 내지 10 정도의 비교적 높은 유전 상수를 가지는 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어진다. 이러한 유기 물질의 예로는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol)계 화합물, 폴리플루오란(polyfluorane)계 화합물, 파릴렌(parylene) 등의 용해성 고분자 화합물을 들 수 있으며, 무기 물질의 예로는 옥타데실트리클로로실란(octadecyl trichloro silane, OTS)로 표면처리된 산화규소 따위를 들 수 있다. 특히, 게이트 절연체(146)의 유전 상수는 상부 층간 절연막(140)보다 높은 것이 바람직하다. Gate insulator 146 is made of an organic or inorganic material having a relatively high dielectric constant of about 3.5 to 10 degrees. Examples of such organic materials include soluble polymer compounds such as polyimide compounds, polyvinyl alcohol compounds, polyfluorane compounds, and parylene, and inorganic materials. For example, silicon oxide surface-treated with octadecyl trichloro silane (OTS). In particular, the dielectric constant of the gate insulator 146 is preferably higher than the upper interlayer insulating layer 140.

이와 같이 유전 상수가 높은 게이트 절연체(146)를 둠으로써, 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압(threshold voltage)을 낮추고 전류량(Ion)을 증가시켜 유기 박막 트랜지스터의 효율을 높일 수 있다.By providing the gate insulator 146 having a high dielectric constant in this manner, the threshold voltage of the organic thin film transistor can be lowered and the current amount Ion can be increased to increase the efficiency of the organic thin film transistor.

상부 층간 절연막(140) 및 게이트 절연체(146) 위에는 복수의 소스 전극(source electrode)(193), 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 IZO 또는 ITO 등과 같은 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있으며, 그 두께는 약 300Å 내지 약 800Å일 수 있다.The plurality of source electrodes 193, the plurality of pixel electrodes 191, and the plurality of contact assistants 81 and 82 are disposed on the upper interlayer insulating layer 140 and the gate insulator 146. ) Is formed. They may be made of a transparent conductive material such as IZO or ITO and the thickness thereof may be about 300 kPa to about 800 kPa.

소스 전극(193)은 접촉 구멍(143)을 통하여 데이터선(171)과 연결되어 있으며 게이트 전극(124) 위로 뻗어 있다.The source electrode 193 is connected to the data line 171 through the contact hole 143 and extends over the gate electrode 124.

화소 전극(191)은 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(193)과 마주하는 부분(이하 '드레인 전극'이라 함)(195)을 포함하며, 접촉 구멍(147)을 통하여 유지 축전기용 도전체(127)와 연결되어 있다. 드레인 전극(195)과 소스 전극(193)의 마주하는 두 변은 서로 나란하며 구불구불하게 사행(蛇行)한다. 화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩하여 개구율(aperture ratio)을 높인다. The pixel electrode 191 includes a portion (hereinafter, referred to as a “drain electrode”) 195 facing the source electrode 193 around the gate electrode 124, and conducts a conductive capacitor through the contact hole 147. It is connected to the sieve 127. Two opposite sides of the drain electrode 195 and the source electrode 193 are parallel to each other and meander meander. The pixel electrode 191 overlaps the gate line 121 and the data line 171 to increase the aperture ratio.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(141, 162)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 각각 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 141 and 162, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

소스 전극(193), 화소 전극(191) 및 상부 층간 절연막(140) 위에는 복수의 둑(bank)(180)이 형성되어 있다.A plurality of banks 180 are formed on the source electrode 193, the pixel electrode 191, and the upper interlayer insulating layer 140.

둑(180)에는 복수의 개구부(184)가 형성되어 있다. 개구부(184)는 게이트 전극(124) 및 상부 층간 절연막(140)의 개구부(144) 위에 위치하며 소스 전극(193)과 드레인 전극(195)의 일부와 그 사이의 게이트 절연체(145)를 노출한다.A plurality of openings 184 are formed in the dam 180. The opening 184 is positioned over the opening 144 of the gate electrode 124 and the upper interlayer insulating layer 140 and exposes a portion of the source electrode 193 and the drain electrode 195 and a gate insulator 145 therebetween. .

둑(180)은 용액 공정이 가능한 감광성 유기 물질로 만들어지며, 그 두께는 약 5,000Å 내지 4㎛ 일 수 있다. 둑(180)의 개구부(184)는 상부 층간 절연막(140)의 개구부(144)보다 작다. 이로써, 하부에 형성되어 있는 게이트 절연체(146)를 둑(180)이 단단하게 고정하여 들뜨는 것(lifting)을 방지할 수 있고, 후속 제조 과정에서 화학 용액이 침투하는 것을 줄일 수 있다. Weir 180 is made of a photosensitive organic material capable of solution processing, the thickness may be about 5,000 약 to 4㎛. The opening 184 of the weir 180 is smaller than the opening 144 of the upper interlayer insulating layer 140. As a result, the dam 180 may be firmly fixed to the gate insulator 146 formed at the lower portion thereof, thereby preventing lifting, and the penetration of the chemical solution may be reduced during the subsequent manufacturing process.

둑(180)의 개구부(184) 내에는 복수의 섬형 유기 반도체(organic semiconductor island)(154)가 형성되어 있다. 유기 반도체(154)는 게이트 전극(124) 상부에서 소스 전극(193) 및 드레인 전극(195)과 접하며, 그 높이가 둑(180)보다 낮아서 둑(180)으로 완전히 갇혀 있다. 이와 같이 유기 반도체(154)가 둑(180)에 의해 완전히 갇혀 측면이 노출되지 않으므로 후속 공정에서 유기 반도체(154)의 측면으로 화학액 따위가 침투하는 것을 방지할 수 있다. A plurality of island type organic semiconductor islands 154 are formed in the opening 184 of the weir 180. The organic semiconductor 154 is in contact with the source electrode 193 and the drain electrode 195 on the gate electrode 124, and the height of the organic semiconductor 154 is lower than that of the weir 180, so that the organic semiconductor 154 is completely trapped by the weir 180. As such, since the organic semiconductor 154 is completely trapped by the weir 180 and the side surfaces thereof are not exposed, it is possible to prevent a chemical liquid from penetrating into the side surface of the organic semiconductor 154 in a subsequent process.

유기 반도체(154)는 유기 용매에 용해되는 고분자 화합물이나 저분자 화합물을 포함할 수 있으며, 잉크젯 인쇄 방법(inkjet printing)으로 형성될 수 있다. The organic semiconductor 154 may include a high molecular compound or a low molecular compound dissolved in an organic solvent, and may be formed by inkjet printing.

유기 반도체(154)는 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 또한 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치에서 연결된 4 내지 8개의 티오펜을 포함하는 올리고티오펜(oligothiophene)을 포함할 수 있다.The organic semiconductor 154 may include a derivative including a substituent of tetratracene or pentacene. The organic semiconductor 154 may also include oligothiophenes comprising 4 to 8 thiophenes linked at the 2, 5 positions of the thiophene ring.

유기 반도체(154)는 폴리티닐렌비닐렌(polythienylenevinylene), 폴리-3-헥실티오펜(poly 3-hexylthiophene), 폴리티오펜(polythiophene), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine) 또는 그의 할 로겐화 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 또한 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 이들의 이미드(imide) 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 페릴렌(perylene) 또는 코로넨(coronene)과 그들의 치환기를 포함하는 유도체를 포함할 수도 있다. The organic semiconductor 154 may be polythienylenevinylene, poly-3-hexylthiophene, polythiophene, phthalocyanine, metallized phthalocyanine or a metallized phthalocyanine thereof. And halogenated derivatives. The organic semiconductor 154 may also include perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA), naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA) or imide derivatives thereof. The organic semiconductor 154 may include a derivative including perylene or coronene and substituents thereof.

유기 반도체의 두께는 약 300Å 내지 3,000Å일 수 있다.The thickness of the organic semiconductor may be about 300 kPa to 3,000 kPa.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(193) 및 하나의 드레인 전극(195)은 유기 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Q)를 이루며, 박막 트랜지스터(Q)의 채널(channel)은 소스 전극(193)과 드레인 전극(195) 사이의 유기 반도체(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 193, and one drain electrode 195 form one thin film transistor (TFT) Q together with the organic semiconductor 154. A channel (Q) is formed in the organic semiconductor 154 between the source electrode 193 and the drain electrode 195.

화소 전극(191)은 박막 트랜지스터(Q)에서 데이터 전압을 인가 받아 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 화소 전극(191)과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 generates an electric field together with a common electrode (not shown) of another display panel (not shown) which receives a data voltage from the thin film transistor Q and receives a common voltage. This determines the direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer (not shown) between the two electrodes. The pixel electrode 191 and the common electrode form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

유기 반도체(154) 위에는 차단 부재(186)가 형성되어 있다. 차단 부재(186)는 불소계 탄화수소 화합물 또는 폴리비닐알코올계 화합물 따위로 만들어지며, 외부의 열, 플라스마 또는 화학 물질로부터 유기 반도체(154)를 보호한다. The blocking member 186 is formed on the organic semiconductor 154. The blocking member 186 is made of a fluorine-based hydrocarbon compound or a polyvinyl alcohol-based compound, and protects the organic semiconductor 154 from external heat, plasma, or chemicals.

차단 부재(186) 위에는 유기 반도체(154)의 보호 기능을 강화하기 위한 다른 보호 막(도시하지 않음)이 형성될 수도 있다.Another protective film (not shown) may be formed on the blocking member 186 to enhance the protective function of the organic semiconductor 154.

본 발명의 한 실시예에 따른 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 증기압 조절 장치를 이용하여 챔버 내부의 용매 증기압을 조절함으로써 잉크의 건조 속도를 조절하여 유기 반도체의 결정성을 향상시킨다.An inkjet printing system and a method of manufacturing an organic thin film transistor array panel using the same according to an embodiment of the present invention improve the crystallinity of an organic semiconductor by controlling a drying rate of ink by controlling a solvent vapor pressure in a chamber using a vapor pressure adjusting device. Let's do it.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

Claims (7)

챔버, chamber, 상기 챔버 내부에 설치되어 있으며 기판이 탑재되는 스테이지,A stage installed inside the chamber and on which a substrate is mounted; 상기 기판 위에 유기 반도체용 잉크를 적하하는 잉크젯 헤드,An inkjet head dropping an ink for an organic semiconductor onto the substrate, 상기 잉크젯 헤드를 소정 위치로 이동시키는 이송 장치, A transfer device for moving the inkjet head to a predetermined position; 상기 챔버에 설치되어 있는 증기압 조절 장치를 포함하는 잉크젯 프린팅 시스템.Inkjet printing system comprising a vapor pressure control device installed in the chamber. 제1항에서,In claim 1, 상기 증기압 조절 장치는 상기 유기 반도체용 잉크의 용매를 증기로 분사하여 증기압을 조절하는 잉크젯 프린팅 시스템.The vapor pressure control device is an inkjet printing system for controlling the vapor pressure by spraying a solvent of the ink for the organic semiconductor to the vapor. 제1항에서,In claim 1, 상기 챔버에는 증기압 측정기가 더 설치되어 있는 잉크젯 프린팅 시스템.And a vapor pressure meter is installed in the chamber. 제1항에서,In claim 1, 상기 챔버 내부에 설치되어 있는 잉크젯 헤드 및 이송 장치에 신호를 전달하는 복수개의 회로 배선이 설치되어 있으며, 상기 회로 배선은 밀봉재로 밀봉되어 있는 잉크젯 프린팅 시스템.And a plurality of circuit wires for transmitting signals to an inkjet head and a transfer device installed in the chamber, wherein the circuit wires are sealed with a sealing material. 제2항에서, In claim 2, 상기 용매는 유기 용매인 잉크젯 프린팅 시스템.The solvent is an ink jet printing system. 제5항에서, In claim 5, 상기 유기 용매는 메시틸렌 또는 테트라린 중에서 선택된 어느 하나인 잉크젯 프린팅 시스템. The organic solvent is any one selected from mesitylene or tetralin. 챔버 내에 잉크젯 헤드 및 증기압 조절 장치가 설치되어 있는 잉크젯 프린팅 시스템을 이용한 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the organic thin film transistor array panel using the inkjet printing system in which the inkjet head and the vapor pressure control apparatus are installed in the chamber, 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계,Positioning the substrate in the chamber, 상기 기판 위에 데이터선을 형성하는 단계,Forming a data line on the substrate; 상기 데이터선 위에 제1 절연막을 형성하는 단계,Forming a first insulating film on the data line; 상기 제1 절연막 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,Forming a gate line including a gate electrode on the first insulating layer; 상기 게이트선 및 상기 제1 절연막 위에 제2 절연막을 적층하는 단계,Stacking a second insulating film on the gate line and the first insulating film, 상기 제2 절연막 위에 상기 데이터선과 연결되는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계,Forming a pixel electrode on the second insulating layer, the pixel electrode including a source electrode connected to the data line and a drain electrode facing the source electrode; 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극 위에 개구부를 가진 둑을 형성하는 단계, Forming a dam having an opening on the source electrode and the pixel electrode; 상기 잉크젯 헤드에서 상기 개구부에 유기 반도체용 잉크를 적하하여 유기 반도체를 형성하는 단계,Dropping an ink for an organic semiconductor into the opening in the inkjet head to form an organic semiconductor, 상기 유기 반도체를 건조시키는 단계를 포함하고,Drying the organic semiconductor; 상기 증기압 조절 장치를 이용하여 상기 유기 반도체용 잉크의 용매의 증기압을 조절하여 상기 유기 반도체를 건조시키는 유기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법. A method of manufacturing an organic thin film transistor array panel, wherein the organic semiconductor is dried by controlling the vapor pressure of a solvent of the ink for the organic semiconductor using the vapor pressure adjusting device.

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