KR20070047633A - Organic electroluminescence device and the method for fabricating of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device capable of being flexible and portable, and capable of double-sided light emission and thinning, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 투명기판; 상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a transparent substrate; A black matrix positioned on one surface of the transparent substrate; A first lower electrode disposed on the black matrix; A first organic layer disposed on the first lower electrode; A first upper electrode on the first organic layer; A second lower electrode disposed on the other surface of the transparent substrate; A second organic layer disposed on the second lower electrode; And a second upper electrode positioned on the second organic layer.

유기전계발광소자, 블랙 매트릭스 Organic electroluminescent device, black matrix

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Device And The Method For Fabricating Of The Same}Organic electroluminescent device and its manufacturing method {Organic Electroluminescence Device And The Method For Fabricating Of The Same}

도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.2 and 3 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.4 to 6 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

<도면 주요부호에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Major Symbols in Drawings>

100 : 투명기판 110 : 블랙 매트릭스100: transparent substrate 110: black matrix

120,230 : 버퍼층 130,240 : 게이트 전극120,230 buffer layer 130,240 gate electrode

140,250 : 게이트 절연막 151,152,261,262 : 소스/드레인 전극140,250: gate insulating film 151,152,261,262: source / drain electrodes

160,270 : 반도체층160,270: semiconductor layer

170,280 : 평탄화막 175,285 : 반사막170,280: planarization film 175,285: reflection film

180,290 : 제 1 및 제 2 하부전극 180,290: first and second lower electrodes

190,300 : 화소 정의막 200,310 : 제 1 및 제 2 유기막층190,300: Pixel defining layer 200,310: First and second organic layer

210,320 : 제 1 및 제 2 상부전극 210,320: first and second upper electrodes

220 : 무기막220: inorganic film

본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, which is flexible and portable, can be double-sided light emission and thinning.

최근 평판표시장치는 박형화와 아울러 플렉서블(flexible)한 특성이 요구되고 있다. 이러한 플렉서블한 특성을 위해 종래의 글라스 기판을 사용하던 것과 달리 플라스틱 기판을 사용하려는 시도가 많이 이뤄지고 있는데, 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 고온 공정을 사용하지 않고, 저온 공정을 통해 제조될 수 있는 박막 트랜지스터에 대한 연구가 진행되고 있다.Recently, flat panel displays are required to be thin and flexible. Unlike conventional glass substrates for such flexible characteristics, many attempts have been made to use plastic substrates. In the case of using plastic substrates, thin film transistors that can be manufactured through low temperature processes are not used. Research is ongoing.

최근 그러한 박막 트랜지스터로 각광을 받고 있는 것이 유기물로 형성된 반도체층을 갖는 유기 박막 트랜지스터이다. 유기 박막 트랜지스터는 저온 공정이 가능하여 저가격형 박막 트랜지스터를 실현할 수 있는 장점을 갖는다. In recent years, such a thin film transistor is attracting attention as an organic thin film transistor having a semiconductor layer formed of an organic material. The organic thin film transistor has an advantage of enabling a low temperature process to realize a low priced thin film transistor.

도 1은 종래의 유기전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 기판(5)상에 블랙 매트릭스(10)를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스(10) 상에 버퍼층(15)을 형성한다. 이어, 상기 버퍼층(15) 상에 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(20)를 형성한다. Referring to FIG. 1, a black matrix 10 is formed on a substrate 5, and a buffer layer 15 is formed on the black matrix 10. Next, a thin film transistor 20 including a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode is formed on the buffer layer 15.

이후 상기 박막 트랜지스터(20) 상에 비어홀을 구비한 평탄화막(25)을 형성하고, 상기 평탄화막(25) 상에 반사막(30)을 포함하는 제 1 전극(35)을 형성한다. 이어서, 상기 제 1 전극(35) 상에 개구부를 구비한 화소정의막(40)을 형성하고, 상기 화소정의막(40) 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층(45)을 형성한다.Thereafter, a planarization film 25 having via holes is formed on the thin film transistor 20, and a first electrode 35 including a reflective film 30 is formed on the planarization film 25. Subsequently, a pixel definition layer 40 having an opening is formed on the first electrode 35, and an organic layer 45 including at least an organic light emitting layer is formed on the pixel definition layer 40.

이어서, 상기 유기막층(45) 상에 제 2 전극(50)을 형성하여 종래 유기전계발광소자를 완성한다.Subsequently, a second electrode 50 is formed on the organic layer 45 to complete a conventional organic light emitting display device.

그러나, 종래의 유기전계발광소자는 글라스기판을 사용하여 플렉서블하지 못하고, 또한 양면발광을 할 수 없는 단점이 있다. However, the conventional organic light emitting device has a disadvantage in that it is not flexible using a glass substrate and also cannot emit light on both sides.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플렉서블하고, 두께가 얇으며, 양면발광이 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which are flexible, thin, and can emit light on both sides. .

본 발명의 상기 목적은 투명기판; 상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하 는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.The object of the present invention is a transparent substrate; A black matrix positioned on one surface of the transparent substrate; A first lower electrode disposed on the black matrix; A first organic layer disposed on the first lower electrode; A first upper electrode on the first organic layer; A second lower electrode disposed on the other surface of the transparent substrate; A second organic layer disposed on the second lower electrode; It is achieved by an organic light emitting display device comprising a second upper electrode positioned on the second organic film layer.

또한, 본 발명의 상기 목적은 제 1 투명기판 및 제 2 투명기판; 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판 사이에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 제 1 투명기판 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 제 2 투명기판 상에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 및 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해서도 달성된다. In addition, the object of the present invention is a first transparent substrate and a second transparent substrate; A black matrix positioned between the first transparent substrate and the second transparent substrate; A first lower electrode on the first transparent substrate; A first organic layer disposed on the first lower electrode; A first upper electrode on the first organic layer; A second lower electrode on the second transparent substrate; A second organic layer disposed on the second lower electrode; And a second upper electrode positioned on the second organic film layer.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

본 발명의 유기전계발광소자는 하나의 기판을 사용하여 기판의 양면에 각각 유기전계발광소자를 형성하여 본 발명의 유기전계발광소자를 형성할 수 있다. 또한 각각 하나의 기판에 유기전계발광소자를 형성하여 상기 기판들을 합착함으로써 본 발명의 유기전계발광소자를 형성할 수 있다.The organic light emitting display device of the present invention can form the organic light emitting display device of the present invention by forming organic light emitting display devices on both surfaces of the substrate using one substrate. In addition, the organic light emitting diodes of the present invention may be formed by forming the organic light emitting diodes on one substrate and bonding the substrates together.

이하, 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Example and 2nd Example of this invention are described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 2 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면 도이다.2 to 3 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 투명기판(100)을 제공한다. 상기 투명기판(100)은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하여 플렉서블한 특성이 우수할 수 있다. 또한 이와는 달리 일반적인 유리기판을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 2, a transparent substrate 100 is provided. The transparent substrate 100 may have excellent flexible characteristics using one selected from the group consisting of Kapton, PEN, PES, and PET. Alternatively, a general glass substrate may be used.

상기 투명기판(100) 상에 블랙 매트릭스(110)를 형성한다. 상기 블랙 매트릭스(110)는 Mo 또는 Cr 등과 같은 반사율이 낮은 금속물질을 사용하거나, 착색된 ITO, IZO 등과 같은 물질을 사용할 수 있다.The black matrix 110 is formed on the transparent substrate 100. The black matrix 110 may use a low reflectance metal material such as Mo or Cr, or may use a material such as colored ITO or IZO.

상기 블랙 매트릭스(110) 상에 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.The buffer layer 120 is formed on the black matrix 110. The buffer layer 120 may be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

상기 버퍼층(120) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(130)을 형성한다. 상기 게이트 전극(130)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.The gate electrode 130 is formed on the buffer layer 120 by using an inkjet printing method. The gate electrode 130 may be used in the group consisting of Al, Cr or Cu.

상기 투명기판(100) 전면에 게이트 절연막(140)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(140)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.The gate insulating layer 140 is formed on the entire surface of the transparent substrate 100. The gate insulating layer 140 may be formed of an inorganic material, such as silicon oxide or silicon nitride.

이어서, 상기 게이트 절연막(140) 상에 소스/드레인 전극(151,152)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(151,152)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다. Subsequently, source / drain electrodes 151 and 152 are formed on the gate insulating layer 140. The source / drain electrodes 151 and 152 may use one from the group consisting of Al, Cr, or Cu.

상기 소스/드레인 전극(151,152) 상에 반도체층(160)을 형성한다. 상기 반도체층(160)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로 서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다. The semiconductor layer 160 is formed on the source / drain electrodes 151 and 152. The semiconductor layer 160 is formed of an organic semiconductor material, and as the organic semiconductor material, as a polymer, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, Polyfluorene and derivatives thereof, polythiophenevinylene and derivatives thereof, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, and as low molecular weights, oligoacenes and idols of pentacene, tetracene, Derivatives, alpha-6-thiophenes, oligothiophenes of alpha-5-thiophenes and derivatives thereof, phthalocyanines with and without metals and derivatives thereof, pyromellitic dianhydrides or pyromellitic dies Mead and derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydride or perylenetetracarboxylic diimide and derivatives thereof.

이후에, 상기 투명기판(100) 상에 평탄화막(170)을 형성하고, 상기 평탄화막(170)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(170) 상에 반사막(175)을 형성한다. 상기 반사막(175)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.Thereafter, the planarization layer 170 is formed on the transparent substrate 100, and the planarization layer 170 is etched to form a via hole. The reflective film 175 is formed on the planarization film 170. The reflective film 175 may be Ag, Al, or an alloy thereof.

이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 투명기판(100) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(175)을 포함하는 제 1 하부전극(180)을 형성한다. 상기 제 1 하부전극(180)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다. Subsequently, a transparent conductive film such as ITO is stacked on the transparent substrate 100, and then the transparent conductive film is patterned to form the first lower electrode 180 including the reflective film 175. The first lower electrode 180 may use ITO or IZO.

상기 투명기판(100) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(190)을 형성한다. 상기 개구부에 제 1 유기막층(200)을 형성한다. 상기 제 1 유기막층(200)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 투명기판(100) 전면에 제 1 상부전극(210)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 상부전극(210)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다. A pixel defining layer 190 having an opening is formed on the entire surface of the transparent substrate 100. The first organic layer 200 is formed in the opening. The first organic layer 200 may include at least an organic light emitting layer and may further include any one or more layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Thereafter, a first upper electrode 210 is formed on the front surface of the transparent substrate 100. In this case, the first upper electrode 210 may be used as Mg, Ag, Al, Ca, and an alloy thereof having a transparent and low work function.

이후에, 상기 유기 박막 트랜지스터, 제 1 하부전극, 제 1 유기막층 및 제 1 상부전극을 포함하도록 무기막(220)을 형성한다. 상기 무기막(220)은 후속 공정을 할때 소자를 보호하기 위한 것으로써 산화규소계 또는 질화규소계중에 선택된 하나의 재료로 형성된다.Thereafter, the inorganic layer 220 is formed to include the organic thin film transistor, the first lower electrode, the first organic layer, and the first upper electrode. The inorganic film 220 is formed of one material selected from silicon oxide or silicon nitride based on protecting the device during the subsequent process.

다음, 도 3을 참조하면, 상기 투명기판(100)의 다른 일면 상에 버퍼층(230)을 형성한다. 상기 버퍼층(230)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 3, a buffer layer 230 is formed on the other surface of the transparent substrate 100. The buffer layer 230 may be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

상기 버퍼층(230) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(240)을 형성한다. 상기 게이트 전극(240)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.The gate electrode 240 is formed on the buffer layer 230 by using inkjet printing. The gate electrode 240 may be used in the group consisting of Al, Cr or Cu.

상기 투명기판(100) 전면에 게이트 절연막(250)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(250)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.The gate insulating layer 250 is formed on the entire surface of the transparent substrate 100. The gate insulating layer 250 may be formed of an inorganic material, such as silicon oxide or silicon nitride.

이어서, 상기 게이트 절연막(250) 상에 소스/드레인 전극(261,262)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(261,262)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다. Subsequently, source / drain electrodes 261 and 262 are formed on the gate insulating layer 250. The source / drain electrodes 261 and 262 may be one of Al, Cr, or Cu.

상기 소스/드레인 전극(261,262) 상에 반도체층(270)을 형성한다. 상기 반도체층(270)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리 티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다. The semiconductor layer 270 is formed on the source / drain electrodes 261 and 262. The semiconductor layer 270 is formed of an organic semiconductor material, and as the organic semiconductor material, as a polymer, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, poly Rifluorene and derivatives thereof, polythiophenevinylene and derivatives thereof, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, and as low molecular weights , Oligothiophenes of alpha-6-thiophene, alpha-5-thiophene and derivatives thereof, phthalocyanine and derivatives thereof with or without metals, pyromellitic dianhydrides or pyromellitic diimides And derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydride or perylenetetracarboxylic diimide, and derivatives thereof.

이후에, 상기 투명기판(100) 상에 평탄화막(280)을 형성하고, 상기 평탄화막(280)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(280) 상에 반사막(285)을 형성한다. 상기 반사막(285)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.Thereafter, a planarization layer 280 is formed on the transparent substrate 100, and the via layer is etched to form a via hole. The reflective film 285 is formed on the planarization film 280. The reflective film 285 may be Ag, Al, or an alloy thereof.

이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 투명기판(100) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(285)을 포함하는 제 2 하부전극(290)을 형성한다. 상기 제 2 하부전극(290)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다. Subsequently, a transparent conductive film such as ITO is stacked on the transparent substrate 100, and then the transparent conductive film is patterned to form a second lower electrode 290 including the reflective film 285. The second lower electrode 290 may use ITO or IZO.

상기 투명기판(100) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(300)을 형성한다. 상기 개구부에 제 2 유기막층(310)을 형성한다. 상기 제 2 유기막층(310)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 투명기판(100) 전면에 제 2 상부전극(320)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 상부전극(320)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다. A pixel defining layer 300 having an opening is formed on the entire surface of the transparent substrate 100. The second organic layer 310 is formed in the opening. The second organic layer 310 may include at least an organic light emitting layer, and may further include any one or more layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Thereafter, the second upper electrode 320 is formed on the entire surface of the transparent substrate 100. In this case, the second upper electrode 320 may be used as Mg, Ag, Al, Ca, and an alloy thereof having a transparent and low work function.

이후에, 상기 무기막(220)을 제거하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자를 완성한다.Thereafter, the inorganic layer 220 is removed to complete the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.

상기와 같이, 플렉서블한 기판을 사용함으로써, 유기전계발광소자가 유연하고 휴대가 용이할 수 이점이 있다. As described above, by using the flexible substrate, there is an advantage that the organic light emitting device can be flexible and portable.

또한, 하나의 블랙 매트릭스 및 기판을 사용하여 유기전계발광소자의 두께가 얇아질 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that the thickness of the organic light emitting display device can be reduced by using one black matrix and a substrate.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.4 to 6 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제 1 투명기판(390)을 제공한다. 상기 제 1 투명기판(390)은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하여 플렉서블한 특성이 우수할 수 있다. 또한 이와는 달리 일반적인 유리기판을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 4, a first transparent substrate 390 is provided. The first transparent substrate 390 may have excellent flexible characteristics by using one selected from the group consisting of Kapton, PEN, PES, and PET. Alternatively, a general glass substrate may be used.

상기 제 1 투명기판(390)의 일면에 블랙 매트릭스(400)를 형성한다. 상기 블랙 매트릭스(400)는 Mo 또는 Cr 등과 같은 반사율이 낮은 금속물질을 사용하거나, 착색된 ITO, IZO 등과 같은 물질을 사용할 수 있다.The black matrix 400 is formed on one surface of the first transparent substrate 390. The black matrix 400 may use a low reflectance metal material such as Mo or Cr, or may use a material such as colored ITO or IZO.

상기 제 1 투명기판(390)에 상기 블랙 매트릭스(400)가 형성되어 있지 않은 다른 일면에 버퍼층(410)을 형성한다. 상기 버퍼층(410)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.The buffer layer 410 is formed on the other surface of the first transparent substrate 390 where the black matrix 400 is not formed. The buffer layer 410 may be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

상기 버퍼층(410) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(420)을 형성한다. 상기 게이트 전극(420)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.The gate electrode 420 is formed on the buffer layer 410 by inkjet printing. The gate electrode 420 may be used in the group consisting of Al, Cr or Cu.

상기 제 1 투명기판(390) 전면에 게이트 절연막(430)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(430)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.A gate insulating layer 430 is formed on the entire surface of the first transparent substrate 390. The gate insulating layer 430 may be formed of an inorganic material, such as silicon oxide or silicon nitride.

이어서, 상기 게이트 절연막(430) 상에 소스/드레인 전극(441,442)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(441,442)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다. Subsequently, source / drain electrodes 441 and 442 are formed on the gate insulating layer 430. The source / drain electrodes 441 and 442 may be one of Al, Cr or Cu.

상기 소스/드레인 전극(441,442) 상에 반도체층(450)을 형성한다. 상기 반도체층(450)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다. The semiconductor layer 450 is formed on the source / drain electrodes 441 and 442. The semiconductor layer 450 is formed of an organic semiconductor material, and as the organic semiconductor material, as a polymer, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, poly Rifluorene and its derivatives, polythiophenevinylene and its derivatives, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, and as low molecular weights , Oligothiophenes of alpha-6-thiophene, alpha-5-thiophene and derivatives thereof, phthalocyanine and derivatives thereof with or without metals, pyromellitic dianhydrides or pyromellitic diimides And derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydride or perylenetetracarboxylic diimide, and derivatives thereof.

이후에, 상기 제 1 투명기판(390) 상에 평탄화막(460)을 형성하고, 상기 평탄화막(460)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(460) 상에 반사막(465)을 형성한다. 상기 반사막(465)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.Thereafter, the planarization layer 460 is formed on the first transparent substrate 390, and the planarization layer 460 is etched to form a via hole. The reflective film 465 is formed on the planarization film 460. The reflective film 465 may be Ag, Al, or an alloy thereof.

이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 제 1 투명기판(390) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(465)을 포함하는 제 1 하부전극(470)을 형성한다. 상기 제 1 하부전극(470)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다. Subsequently, a transparent conductive film such as ITO is stacked on the first transparent substrate 390, and then the transparent conductive film is patterned to form a first lower electrode 470 including the reflective film 465. The first lower electrode 470 may use ITO or IZO.

상기 제 1 투명기판(390) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(480)을 형성한다. 상기 개구부에 제 1 유기막층(490)을 형성한다. 상기 제 1 유기막층(490)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 제 1 투명기판(390) 전면에 제 1 상부전극(500)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 상부전극(500)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다. A pixel defining layer 480 having an opening is formed on the entire surface of the first transparent substrate 390. The first organic layer 490 is formed in the opening. The first organic layer 490 may include at least an organic light emitting layer, and may further include any one or more layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Thereafter, a first upper electrode 500 is formed on the entire surface of the first transparent substrate 390. In this case, the first upper electrode 500 may be used as Mg, Ag, Al, Ca, and an alloy thereof having a transparent and low work function.

이어서, 도 5를 참조하면, 제 2 투명기판(510)을 제공한다. 상기 제 2 투명기판(510)은 상기 제 1 투명기판(390)과 동일한 플렉서블한 기판을 사용할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 5, a second transparent substrate 510 is provided. The second transparent substrate 510 may use the same flexible substrate as the first transparent substrate 390.

상기 제 2 투명기판(510) 상에 버퍼층(520)을 형성한다. 상기 버퍼층(520)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.A buffer layer 520 is formed on the second transparent substrate 510. The buffer layer 520 may be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

상기 버퍼층(520) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(530)을 형성한다. 상기 게이트 전극(530)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.The gate electrode 530 is formed on the buffer layer 520 by inkjet printing. The gate electrode 530 may be used in the group consisting of Al, Cr or Cu.

상기 제 2 투명기판(510) 전면에 게이트 절연막(540)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(540)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.A gate insulating layer 540 is formed on the entire surface of the second transparent substrate 510. The gate insulating layer 540 may be formed of an inorganic material, such as silicon oxide or silicon nitride.

이어서, 상기 게이트 절연막(540) 상에 소스/드레인 전극(551,552)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(551,552)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다. Subsequently, source / drain electrodes 551 and 552 are formed on the gate insulating layer 540. The source / drain electrodes 551 and 552 may be used in the group consisting of Al, Cr or Cu.

상기 소스/드레인 전극(551,552) 상에 반도체층(560)을 형성한다. 상기 반도체층(560)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다. The semiconductor layer 560 is formed on the source / drain electrodes 551 and 552. The semiconductor layer 560 is formed of an organic semiconductor material, and as the organic semiconductor material, as a polymer, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, poly Rifluorene and its derivatives, polythiophenevinylene and its derivatives, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, and as low molecular weights , Oligothiophenes of alpha-6-thiophene, alpha-5-thiophene and derivatives thereof, phthalocyanine and derivatives thereof with or without metals, pyromellitic dianhydrides or pyromellitic diimides And derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydride or perylenetetracarboxylic diimide, and derivatives thereof.

이후에, 상기 제 2 투명기판(510) 상에 평탄화막(570)을 형성하고, 상기 평탄화막(570)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(570) 상에 반사막(575)을 형성한다. 상기 반사막(575)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.Thereafter, a planarization layer 570 is formed on the second transparent substrate 510, and the via layer is etched to form a via hole. The reflective film 575 is formed on the planarization film 570. The reflective film 575 may be Ag, Al, or an alloy thereof.

이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 제 2 투명기판(510) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(575)을 포함하는 제 2 하부전극(580)을 형성한다. 상기 제 2 하부전극(580)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다. Subsequently, a transparent conductive film such as ITO is stacked on the second transparent substrate 510, and then the transparent conductive film is patterned to form a second lower electrode 580 including the reflective film 575. The second lower electrode 580 may use ITO or IZO.

상기 제 2 투명기판(510) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(590)을 형성한다. 상기 개구부에 제 2 유기막층(600)을 형성한다. 상기 제 2 유기막층(600)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전 자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 제 2 투명기판(510) 전면에 제 2 상부전극(610)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 상부전극(610)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다. A pixel defining layer 590 having an opening is formed on the entire surface of the second transparent substrate 510. The second organic layer 600 is formed in the opening. The second organic layer 600 may include at least an organic light emitting layer and may further include any one or more layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and a total self-injection layer. Thereafter, a second upper electrode 610 is formed on the entire surface of the second transparent substrate 510. In this case, the second upper electrode 610 may be used as Mg, Ag, Al, Ca, and an alloy thereof having a transparent and low work function.

이후에, 도 6을 참조하면, 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판을 합착하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자를 완성한다.Subsequently, referring to FIG. 6, the organic light emitting diode according to the second exemplary embodiment of the present invention is completed by bonding the first transparent substrate and the second transparent substrate.

상기와 같이, 플렉서블한 기판을 사용함으로써, 유기전계발광소자가 유연하고 휴대가 용이할 수 이점이 있다. As described above, by using the flexible substrate, there is an advantage that the organic light emitting device can be flexible and portable.

또한, 하나의 블랙 매트릭스 및 기판을 사용하여 유기전계발광소자의 두께가 얇아질 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that the thickness of the organic light emitting display device can be reduced by using one black matrix and a substrate.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 이점이 있다.Therefore, the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have the advantages of being flexible and easy to carry, and enabling both side light emission and thickness reduction.

Claims (9)

투명기판;Transparent substrate; 상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스;A black matrix positioned on one surface of the transparent substrate; 상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극;A first lower electrode disposed on the black matrix; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층;A first organic layer disposed on the first lower electrode; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극;A first upper electrode on the first organic layer; 상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극;A second lower electrode disposed on the other surface of the transparent substrate; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층;A second organic layer disposed on the second lower electrode; 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.And a second upper electrode on the second organic layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하거나 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The substrate is an organic light emitting display device using one selected from the group consisting of Kapton, PEN, PES and PET or made of glass. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 블랙 매트릭스는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어 진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The black matrix is an organic electroluminescent device, characterized in that using one selected from the group consisting of carbon-based resin, MIHL, graphite and Cr / CrOx. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전극은 반사막 및 투명도전막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The first electrode is an organic light emitting display device, characterized in that consisting of a reflective film and a transparent conductive film. 투명기판을 제공하는 단계;Providing a transparent substrate; 상기 투명기판의 일면에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;Forming a black matrix on one surface of the transparent substrate; 상기 블랙 매트릭스 상에 제 1 하부전극을 형성하는 단계;Forming a first lower electrode on the black matrix; 상기 제 1 하부전극 상에 제 1 유기막층을 형성하는 단계;Forming a first organic layer on the first lower electrode; 상기 제 1 유기막층 상에 제 1 상부전극을 형성하는 단계;Forming a first upper electrode on the first organic layer; 상기 제 1 하부전극, 제 1 유기막층 및 제 1 상부전극을 포함하는 무기막을 형성하는 단계;Forming an inorganic film including the first lower electrode, the first organic layer, and the first upper electrode; 상기 투명기판의 다른 일면에 제 2 하부전극을 형성하는 단계;Forming a second lower electrode on the other surface of the transparent substrate; 상기 제 2 하부전극 상에 제 2 유기막층을 형성하는 단계;Forming a second organic layer on the second lower electrode; 상기 제 2 유기막층 상에 제 2 상부전극을 형성하는 단계; 및 Forming a second upper electrode on the second organic layer; And 상기 무기막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of removing the inorganic film. 제 1 투명기판 및 제 2 투명기판;A first transparent substrate and a second transparent substrate; 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판 사이에 위치하는 블랙 매트릭스;A black matrix positioned between the first transparent substrate and the second transparent substrate; 상기 제 1 투명기판 상에 위치하는 제 1 하부전극;A first lower electrode on the first transparent substrate; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층;A first organic layer disposed on the first lower electrode; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극;A first upper electrode on the first organic layer; 상기 제 2 투명기판 상에 위치하는 제 2 하부전극;A second lower electrode on the second transparent substrate; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 및 A second organic layer disposed on the second lower electrode; And 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.And a second upper electrode on the second organic layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 블랙 매트릭스는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The black matrix is an organic light emitting diode, characterized in that using one selected from the group consisting of carbon-based resin, MIHL, graphite and Cr / CrOx. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 투명기판은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The transparent substrate is an organic light emitting display device using one selected from the group consisting of Kapton, PEN, PES and PET. 제 1 투명기판을 제공하는 단계;Providing a first transparent substrate; 상기 제 1 투명기판의 일면에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;Forming a black matrix on one surface of the first transparent substrate; 상기 제 1 투명기판의 다른 일면에 제 1 하부전극을 형성하는 단계;Forming a first lower electrode on the other surface of the first transparent substrate; 상기 제 1 하부전극 상에 제 1 유기막층을 형성하는 단계;Forming a first organic layer on the first lower electrode; 상기 제 1 유기막층 상에 제 1 상부전극을 형성하는 단계;Forming a first upper electrode on the first organic layer; 제 2 투명기판을 제공하는 단계;Providing a second transparent substrate; 상기 제 2 투명기판 상에 제 2 하부전극을 형성하는 단계;Forming a second lower electrode on the second transparent substrate; 상기 제 2 하부전극 상에 제 2 유기막층을 형성하는 단계;Forming a second organic layer on the second lower electrode; 상기 제 2 유기막층 상에 제 2 상부전극을 형성하는 단계; 및Forming a second upper electrode on the second organic layer; And 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.And bonding the first transparent substrate and the second transparent substrate to each other.
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