KR20070047076A - Protect layer of plasma display panel - Google Patents

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KR20070047076A
KR20070047076A KR1020050103827A KR20050103827A KR20070047076A KR 20070047076 A KR20070047076 A KR 20070047076A KR 1020050103827 A KR1020050103827 A KR 1020050103827A KR 20050103827 A KR20050103827 A KR 20050103827A KR 20070047076 A KR20070047076 A KR 20070047076A
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plasma display
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정진희
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추기 위한 보호막에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film for lowering the discharge start voltage of a plasma display panel.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및 상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 다결정 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막을 제공한다.The present invention provides a protective film for protecting a top dielectric of a plasma display panel, the protective film comprising: a first passivation layer formed on the top dielectric; And a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer comprising polycrystalline particles having a uniform size than the particles forming the first passivation layer.

따라서, 본 발명에 의하면 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 이루는 MgO입자의 평균 직경이 고르며, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.Therefore, according to the present invention, the average diameter of the MgO particles forming the protective film of the plasma display panel is even, and the discharge start voltage of the plasma display panel can be lowered and the contrast can be improved.

PDP, 방전 개시 전압, MgO, 2차 전자 방출 계수 PDP, discharge start voltage, MgO, secondary electron emission coefficient

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 보호막{Protect layer of plasma display panel}Protective layer of plasma display panel

도 1은 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a discharge cell structure of a plasma display panel including a protective film according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 단면도.2 is a cross-sectional view of a protective film of the plasma display panel according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예의 단면도.3 is a sectional view of another embodiment of a plasma display panel according to the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : PDP 하판 20 : 하판 유리10: PDP lower plate 20: lower plate glass

30 : 어드레스 전극 35 : 하판 유전체30 address electrode 35 lower plate dielectric

40 : 격벽 45 : 형광체40: partition 45: phosphor

60 : PDP 상판 70 : 상판 유리60: PDP top plate 70: top glass

75 : 상판 유전체 80 : 보호막75: top dielectric 80: protective film

90 : 서스테인 전극 90a : 투명 전극90: sustain electrode 90a: transparent electrode

90b : 버스 전극 210 : 제 1 보호막90b: bus electrode 210: first protective film

220 : 제 2 보호막 345 : 격벽220: second protective film 345: partition wall

380 : 제 1 보호막 385 : 제 2 보호막380: first protective film 385: second protective film

본 발명은 멀티 미디어 시대의 새로운 화상 표시 장치 중의 하나인 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 'PDP'라 함)에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판에 형성되는 보호막에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel (PDP), which is one of new image display devices in the multimedia era, and more particularly, to a protective film formed on an upper substrate of a plasma display panel.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube) 구조나 LCD(Liquid Crystal Display) 방식으로는 한계가 있어서, 평판표시장치 중 PDP가 각광받고 있으며 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 고정세화와 대화면화가 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, there is a limit to the current CRT (Cathode Ray Tube) structure or LCD (Liquid Crystal Display) method to construct a large screen of 40 inches or more, and PDP is attracting attention among flat panel display devices, and its use is expanding to the field of high-definition image. For the sake of this, high-definition and large screens are rapidly developing.

PDP는 자체 발광형인 CRT와 비교하여 10cm 이하로 얇게 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch)제작이 손쉬울 뿐 아니라 스타일(style)이나 디자인(design)면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다. PDP는 얇고 가벼우며, 자체 발광형으로 박진감, 현장감 있는 화상 구현이 가능하고, 구조가 간단하며 대화면 평면 디스플레이(display)를 쉽게 제작할 수 있어, 일찍부터 HDTV(High Definition Television)의 적격 판정을 받아왔다.PDP can be made thinner than 10cm compared to CRT, which is self-luminous, and it is easy to manufacture large flat screen (60 ~ 80inch), and it is clearly distinguished from conventional CRT in style and design. . PDP is thin, light, self-luminous and enables real-time, realistic image, simple structure, and easy to produce large-screen flat panel display, and has been qualified for HDTV (High Definition Television) since early .

PDP는 격벽으로 정의되는 방전셀 내에 형광체를 가지고 있으며, 그 형광체의 하부 각각에 어드레스 전극을 구비하는 하판과, 상기 하판의 어드레스 전극에 대향하는 서스테인 전극을 구비하는 상판으로 구성된다. 상기 상판과 하판 사이에 방전 공간을 두어 상기 공간 내에서 방전을 일으키며, 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 발생한 빛으로 화면이 표시된다.The PDP has a phosphor in a discharge cell defined as a partition wall, and is composed of a lower plate having an address electrode at each lower portion of the phosphor, and an upper plate having a sustain electrode facing the address electrode of the lower plate. A discharge space is provided between the upper plate and the lower plate to cause discharge in the space, and the screen is displayed with light generated by the incident ultraviolet rays incident on the phosphor.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 (+) 이온의 충격 때문에 상판에 구비된 유전체가 닳아 없어지고, 이 때 Na 등의 금속 물질이 전극을 단락(short)시키기도 한다. 따라서, 보호막으로 MgO 박막을 코팅하여 상기 유전체를 보호하는데, MgO는 (+) 이온의 충격에 잘 견디며, 2차 전자 방출 계수가 높으므로 방전 개시전압을 낮추는 효과를 갖는다.During discharge of the plasma display panel, the dielectric provided on the upper plate is worn out due to the impact of (+) ions, and at this time, a metal material such as Na may short the electrode. Therefore, the MgO thin film is coated with a protective film to protect the dielectric. The MgO is well resistant to the impact of (+) ions and has a high secondary electron emission coefficient, thereby lowering the discharge start voltage.

그러나, 상술한 종래의 보호막은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional protective film described above has the following problems.

첫째, 보호막을 이루는 MgO 입자의 평균 직경에 따라서 기공이 많이 발생하고, 밀도가 낮아지며, 결정이 충분히 성장하지 않는다.First, many pores are generated, density is low, and crystals do not grow sufficiently depending on the average diameter of MgO particles forming the protective film.

둘째, 보호막에서 MgO 입자의 평균 직경이 부적당하면, 보호막의 표면에 수분 등의 불순물 가스(gas)가 다수 부착되어 플라즈마 디스플레이 패널의 방전에 장애가 되고 콘트라스트가 저하되며, 방전 개시 전압이 높아져서 회로 구성이 복잡해지고 비용이 증가한다.Second, if the average diameter of the MgO particles in the protective film is inappropriate, a large number of impurity gases, such as water, adhere to the surface of the protective film, which impedes the discharge of the plasma display panel, the contrast is lowered, and the discharge start voltage is increased, resulting in a circuit configuration. Complexity and cost increase.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO 입자의 평균 직경이 고른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a protective film of the plasma display panel of the average diameter of the MgO particles.

본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고, 콘트라스트가 향상된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a plasma display panel which lowers the discharge start voltage of the plasma display panel and has improved contrast.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및 상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 다결정 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a protective film for protecting the top dielectric of the plasma display panel, the first protective film formed on the top dielectric; And a second passivation layer formed on the first passivation layer, the second passivation layer comprising polycrystalline particles having a uniform size than the particles forming the first passivation layer.

본 발명은 상판 유리, 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 보호막 상에, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 다결정 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법을 제공한다.A method of manufacturing an upper substrate of a plasma display panel comprising a top glass, a sustain electrode pair, and a top dielectric, the method comprising: forming a first passivation layer on the top dielectric; And forming a second passivation layer on the first passivation layer, the second passivation layer comprising polycrystalline particles having a uniform size than the particles forming the first passivation layer.

상기 제 1 보호막은, 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that a said 1st protective film contains at least 1 of MgO of single crystal or MgO of polycrystal.

상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는, 다결정의 MgO 입자를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것이 바람직하다.It is preferable that the polycrystal particle which comprises a said 2nd protective film is formed using the material made by grind | pulverizing polycrystal MgO particle | grains as a material.

상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는, 직경이 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the polycrystal particle which comprises a said 2nd protective film is 10 micrometers (micrometers) or less in diameter.

상기 제 2 보호막은, 두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것이 바람직하다.It is preferable that the said 2nd protective film is 50 nm (nanometer)-200 nm in thickness.

상기 제 1 보호막은, 두께가 300 nm 내지 750 nm 인 것이 바람직하다.It is preferable that the said 1st protective film is 300 nm-750 nm in thickness.

상기 제 2 보호막은, Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.The second protective film is Al (aluminum), B (boron), Ba (barium), Si (silicon), P (phosphorus), Ga (gallium), Ge (germanium), Sc (scandium), and Y (yttrium). It is preferable to include at least one of).

상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것이 바람직하다.In the second passivation layer, the concentrations of Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc, and Y are preferably 5000 ppm (parts per million) or less.

상기 제 2 보호막은, 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 졸-겔법, 전자빔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성된 것이 바람직하다.The second protective film is preferably formed by one of a liquid phase method, a sputtering method, an ion plating method, a sol-gel method, an electron beam method, and a vapor phase oxidation method.

상기 제 2 보호막은, 격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the part which contact | connects a partition is thicker in the said 2nd protective film than the thickness of the partition which does not contact the said partition.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 PDP의 방전셀구조를 나타낸 사시도이다. 도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 PDP의 방전셀구조를 설명하면 다음과 같다.1 is a perspective view showing a discharge cell structure of a PDP including a protective film according to the present invention. Referring to Figure 1, the discharge cell structure of a PDP including a protective film according to the present invention will be described.

3전극 교류 면방전형 PDP는 하판 유리(20) 상의 일부에 어드레스 전극(30)이 구비되고,상기 하판 유리(20)와 어드레스 전극(30) 상에 하판 유전체(35)가 구비된다. 상기 하판 유전체(35) 상의 일부에는 격벽(40)이 형성되는데, 상기 격벽(40)에 의해 이웃한 방전셀이 분리되며, 상기 격벽(40)의 측면 및 상기 하판유전체(35) 상 에는 형광체(45)가 구비된다.In the three-electrode AC surface discharge type PDP, an address electrode 30 is provided on a portion of the lower plate glass 20, and a lower plate dielectric 35 is provided on the lower plate glass 20 and the address electrode 30. A partition 40 is formed on a portion of the lower plate dielectric 35, and adjacent discharge cells are separated by the partition 40, and phosphors are disposed on the side surface of the partition 40 and on the lower plate 35. 45).

이상이 PDP 하판(10)의 구조이며, 이하에서 PDP 상판(60)의 구조를 설명한다.The above is the structure of the PDP lower plate 10, and the structure of the PDP upper plate 60 will be described below.

상판 유리(70) 상에 상기 어드레스 전극(30)과 교차되도록 일정한 간격을 두고 서스테인 전극쌍(90)이 구비되는데, 투명 전극(90a)은 도전율이 낮아 버스 전극(90b)이 추가로 구비되어 상기 서스테인 전극쌍(Y,Z)의 저항을 줄이게 된다. 상기 상판 유리(70)와 서스테인 전극쌍(90) 상에는 상판 유전체(75)가 구비되고, 상기 상판 유전체(75) 상에 보호막(80)이 구비되는데, 상기 보호막(80)은 후술하는 바와 같이 2개의 층으로 구분된다.Sustain electrode pairs 90 are provided on the upper glass 70 at regular intervals so as to intersect with the address electrode 30. The transparent electrode 90a has a low conductivity and an additional bus electrode 90b is provided. The resistance of the sustain electrode pairs Y and Z is reduced. A top dielectric 75 is provided on the top glass 70 and the sustain electrode pair 90, and a passivation film 80 is provided on the top dielectric 75. It is divided into four layers.

상기 PDP 하판(10)과 상기 PDP 상판(60)이 마주보도록 접합되어 PDP 방전셀을 형성하는데, 상기 각각의 서스테인 전극(90)의 사이 간격 또는 상기 격벽(40)의 상부에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 또는 블랙 탑(black top)이 구비되어, PDP에 유입되는 외부광이 패널에 반사되는 것을 흡수하는 역할을 한다. 이 때, PDP 상판(60)과 하판(10) 및 격벽(40)으로 정의되는 방전셀 내에는 방전가스가 주입되는데, 상기 방전가스는 불활성기체로서 He+Xe 또는 Ne+Xe 또는 He+Ne+Xe 가스 등이 주입된다.The PDP lower plate 10 and the PDP upper plate 60 are joined so as to face each other to form a PDP discharge cell. A black matrix is disposed between the respective sustain electrodes 90 or an upper portion of the partition 40. Or a black top is provided to absorb external light entering the PDP from the panel. At this time, a discharge gas is injected into the discharge cells defined by the PDP upper plate 60, the lower plate 10, and the partition wall 40. The discharge gas is He + Xe or Ne + Xe or He + Ne + as an inert gas. Xe gas or the like is injected.

도 2는 상기 보호막(80)의 단면도이다.도 2를 참조하여 본 발명에 따른 PDP의 보호막을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.2 is a cross-sectional view of the protective film 80. A protective film of the PDP according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막은 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막(210) 및 상기 제 1 보호막 상에 형성된 제 2 보호막을 포함하여 이루어진다(220). 상기 보호막(210, 220)은 MgO(산화 마그네슘)를 포함하여 이루어지는데, 상기 MgO는 얇은 막 형태로 코팅(coating)되어 형성되어, 플라즈마 방전시에 상판 유전체를 보호하여 플라즈마 디스플레이 패널의 수명을 보장하고, 상기 플라즈마에서 이온이 입사하면 상기 보호막(210, 220) 표면으로부터 이차전자가 방출되어 보다 낮은 전압에서 방전이 일어날 수 있도록 한다.The passivation layer of the plasma display panel according to the present invention includes a first passivation layer 210 formed on the top dielectric and a second passivation layer formed on the first passivation layer (220). The passivation layers 210 and 220 include MgO (magnesium oxide). The MgO is formed by coating a thin film to protect the top dielectric during plasma discharge to ensure the lifetime of the plasma display panel. In addition, when ions are incident in the plasma, secondary electrons are emitted from the surfaces of the passivation layers 210 and 220 so that discharge may occur at a lower voltage.

본 발명에 따른 PDP 보호막은 MgO 입자의 직경이 균일하여 기공이 적고 입자의 밀도가 높아, 보호막 표면에 불순물 가스(gas)의 부착을 방지하여 방전 개시 전압을 낮출수 있어야 하며, 상술한 특성은 플라즈마 가스와 직접 접하는 상기 제 2 보호막(220)의 조성 등에 특히 좌우될 것이다.The PDP protective film according to the present invention has a uniform diameter of MgO particles, so that the pores are small and the particle density is high, so that the discharge start voltage can be reduced by preventing the deposition of impurity gas on the surface of the protective film. The composition of the second passivation layer 220 in direct contact with the gas will be particularly dependent on the composition.

따라서 본 발명에 따른 보호막은 종래와 유사한 특성을 갖는 제 1 보호막(210)과 본 발명에서 이루고자 하는 과제를 달성하기 위한 특성을 갖는 제 2 보호막(220)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 종래 보호막의 두께는 약 500 nm(나노 미터) 내지 800 nm인데, 본 발명에서는 상기 제 2 보호막(220)의 두께가 50 nm 내지 200nm 이고, 상기 제 1 보호막(210)의 두께는 약 300 nm 내지 750 nm이다. 상기 보호막의 전기적 특성은 플라즈마 가스와 접하는 상기 제 2 보호막(220)에 의하여 결정되며, 상기 제 2 보호막(220)의 전기적 특성은 플라즈마 가스와 접하는 표면에서 결정되는데, 사용 시간이 길어짐에 따라 표면의 MgO가 스퍼터(sputter)되어 다른 곳으로 흡착될 수 있으므로 PDP의 수명을 감안하여 50nm 이상이고 200 nm 이면 충분하다.Therefore, it is preferable that the protective film according to the present invention comprises a first protective film 210 having similar characteristics to those of the related art and a second protective film 220 having characteristics for achieving the problem to be achieved in the present invention. The thickness of the conventional protective film is about 500 nm (nanometer) to 800 nm, in the present invention, the thickness of the second protective film 220 is 50 nm to 200 nm, the thickness of the first protective film 210 is about 300 nm to 750 nm. The electrical properties of the passivation layer are determined by the second passivation layer 220 in contact with the plasma gas, and the electrical properties of the second passivation layer 220 are determined in the surface in contact with the plasma gas. Since MgO can be sputtered and adsorbed elsewhere, it is sufficient to have a wavelength of 50 nm or more and 200 nm in view of the lifetime of the PDP.

PDP의 보호막 전체를 종래와는 다른 방법으로 제조하면, 공정의 어려움 및 제조비용의 증가 등이 예상되므로, 본 발명에서는 보호막을 2개의 층으로 구분하여, 방전 특성 등에 직접적인 영향을 미치는 제 2 보호막(220)의 조성 등을 종래의 기술과 달리한다.If the entire protective film of the PDP is manufactured by a method different from the conventional method, the difficulty of the process and the increase in the manufacturing cost are expected. Therefore, in the present invention, the protective film is divided into two layers, and the second protective film having a direct influence on discharge characteristics and the like ( The composition of 220 is different from the conventional art.

즉, 상기 제 1 보호막(210)은 종래의 보호막의 조성과 유사하여 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어져야 하며, 상기 제 2 보호막(220)은 다결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로 상기 제 2 보호막(220)을 이루는 입자는 다결정의 MgO를 분쇄한 후, 프레스(press) 성형한 후 소결하여 제조된다. 또한, 상기 제 1 보호막(210)을 이루는 입자(212)의 직경은 도 2에 도시된 바와 같이 반드시 균일한 필요는 없으나, 상기 제 2 보호막(220)을 이루는 MgO 다결정 등 입자(222)의 크기는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제 1 보호막을 이루는 입자의 크기보다 균일하여 기공이 적고 밀도가 높아, 보호막 표면에 불순물 가스(gas)의 부착을 방지하여 방전 개시 전압을 낮출 수 있음이 바람직하다. 즉, MgO 다결정을 일정한 조건에서 분쇄하여 상기 MgO 다결정의 입자의 직경을 제어한 후, 가압하여 성형하고 고온으로 소결함으로써, 본래 다결정 입자의 특성을 살리면서 결정 입자의 직경 및 밀도 등을 조정할 수 있다. 단, 상기 MgO 다결정 등의 직경이 작아질수록 기공이 적고 밀도는 증가하나 공정의 어려움과 비용의 증가가 예상되므로, 상기 MgO 다결정의 직경은 10㎛(마이크로 미터) 이하이면 충분하다.That is, the first passivation layer 210 is similar to the composition of the conventional passivation layer and should include at least one of single crystal MgO or polycrystal MgO, and the second passivation layer 220 is a material made by pulverizing polycrystalline MgO. It is preferable that it is formed from a material. Specifically, the particles forming the second protective film 220 are manufactured by pulverizing polycrystalline MgO, pressing molding, and sintering. In addition, the diameter of the particles 212 constituting the first passivation layer 210 is not necessarily uniform as shown in FIG. 2, but the size of the MgO polycrystalline particles 222 constituting the second passivation layer 220. As shown in FIG. 2, it is preferable that the discharge start voltage is lowered by preventing impurity gas from adhering to the surface of the passivation layer because the pores are smaller and have a higher density than the size of the particles forming the first passivation layer. . That is, by controlling the diameter of the MgO polycrystals by grinding the MgO polycrystals under a certain condition, pressing, shaping and sintering at high temperature, the diameter and density of the crystal particles can be adjusted while maintaining the properties of the original polycrystal particles. . However, the smaller the diameter of the MgO polycrystals and the like, the smaller the pores and the higher the density, but the difficulty and cost of the process is expected to increase, so that the diameter of the MgO polycrystal is less than 10㎛ (micrometer) is sufficient.

상기 제 2 보호막(220)에는 Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나의 원소 를 첨가하여, 기공을 줄이고 밀도를 높여서 MgO 박막의 표면에 불순물이 부착되는 것을 방지하여 방전 개시 전압을 낮추는 것이 바람직하며, 도 2에 상술한 첨가된 원소(226)이 도시되어 있다. 상기 제 2 보호막(220) 내에서 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y 의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는 300 내지 500 ppm 이어야 한다. 상기 Al 등의 첨가량을 일정하게 제한하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 2차 전자 방출 계수 또는 막 저항 등 전기적 특성을 조정할 수 있다. 따라서, 상술한 특성의 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮출 수 있고, 싱글 스캔(single scan)이 가능하여 구동 회로의 제조 비용을 절감하는 것이 가능하다. 또한, 상기 원소들은 Al2O3, B2O3, SiO2, P2O5, Ga2O3, GeO2, Sc2O3 및 Y2O3 등의 산화물의 분체로 첨가되고, 상기 제 2 보호막(220) 내에서 MgO 다결정 등과 균일하게 혼합됨이 바람직하다. 구체적으로, 상기 Al2O3 등을 분쇄하여 MgO 다결정을 분쇄한 분말에 혼합하고, 프레스 성형한 것을 소결하여 상기 제2 보호막(220)을 형성할 수 있다. The second passivation layer 220 includes Al (aluminum), B (boron), Ba (barium), Si (silicon), P (phosphorus), Ga (gallium), Ge (germanium), Sc (scandium), and Y. It is preferable to add at least one element of yttrium to reduce pores and increase density to prevent impurities from adhering to the surface of the MgO thin film to lower the discharge start voltage, and the added element 226 described above with reference to FIG. 2. Is shown. The concentration of Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc, and Y in the second passivation layer 220 is preferably 5000 ppm (parts per million) or less, and more preferably 300 to 500 ppm. do. The amount of Al or the like may be constantly limited to adjust electrical characteristics such as secondary electron emission coefficient or film resistance of the protective film of the plasma display panel. Accordingly, it is possible to lower the discharge start voltage of the plasma display panel having the protective film having the above-described characteristics, and to perform a single scan, thereby reducing the manufacturing cost of the driving circuit. In addition, the elements are added as a powder of oxides such as Al 2 O 3 , B 2 O 3 , SiO 2 , P 2 O 5 , Ga 2 O 3 , GeO 2 , Sc 2 O 3 and Y 2 O 3 , In the second passivation layer 220, the MgO polycrystal and the like may be uniformly mixed. Specifically, the second protective film 220 may be formed by pulverizing the Al 2 O 3 or the like, mixing the MgO polycrystals with the pulverized powder, and sintering the pressed molding.

상기 제 2 보호막(220)은 상판 유전체의 하부에 구비된 제 1 보호막(210)의 하부에 증착되는데, 그 증착 방법으로는 액상법, 스퍼터링(sputtering)법, 이온도금(ion-plating)법, 전자빔(E-Beam)법 및 기상산화법 등이 있다.The second passivation layer 220 is deposited under the first passivation layer 210 provided under the upper dielectric. The deposition method may be a liquid phase method, a sputtering method, an ion-plating method, or an electron beam. (E-Beam) method and vapor phase oxidation method.

상기 액상법에는 졸-겔(sol-gel)법, 에멀젼(emulsion)법 등이 있으며, 상기 졸-겔법을 이용하여 금속 알콕사이드 M(OR)n의 가수분해-축합반응을 이용해서 저온에서 상기 제 2 보호막(220)을 형성할 수 있으며, 이 때 M으로는 Cu, Al, Si, Ti, Ge, V, W, Y, Sn, In, Sb 등의 금속이나 반금속이 사용되며, R로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸기 등이 사용된다.The liquid phase method may include a sol-gel method, an emulsion method, and the like. The second method may be performed at a low temperature by using a hydrolysis-condensation reaction of a metal alkoxide M (OR) n using the sol-gel method. The protective film 220 may be formed, wherein M or a metal such as Cu, Al, Si, Ti, Ge, V, W, Y, Sn, In, Sb, or a semimetal may be used, and R may be methyl, Ethyl, propyl, butyl groups and the like are used.

상기 스퍼터링법은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견된 스퍼터링 현상을 이용하며, 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 상기 스퍼터링법을 이용하여 높은 에너지(> 30 eV)를 가진 입자들을 타겟(target)에 충돌하여 타겟 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 타겟 원자들이 방출되어 상기 제 2 보호막(220)을 형성할 수 있다. 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 캐소드 스퍼터링(cathodic sputtering)이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 캐소드 스퍼터링이다. 보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 타겟에 충돌하기 직전 타겟에서 방출되는 전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 타겟에 충돌하기 때문이다The sputtering method utilizes the sputtering phenomenon first discovered by Grove in 1852, and is now widely used for forming various thin films. By using the sputtering method, particles having high energy (> 30 eV) may collide with a target to transfer energy to target atoms, thereby releasing target atoms to form the second passivation layer 220. If the colliding particles are positive ions, they are called cathode sputtering, most of which is cathode sputtering. Usually, positive ions are used for sputtering, because positive ions are easy to accelerate by applying an electric field and are neutralized by the electrons emitted from the target just before they hit the target and are neutralized to the neutral reactor target. Because it crashes

상기 이온도금법은 진공증착법과 스퍼터링이 복합된 경우를 나타내는 일반적인 명칭으로, 고도로 감압된 진공 속에서 높은 전압이 걸려 생기는 글로우 방전에 의해 플라즈마를 형성하고, 기화된 원자들의 일부가 이온화하는 것을 이용하여 상기 제 2 보호막(220)을 형성한다.The ion plating method is a general name representing a combination of vacuum deposition and sputtering, and a plasma is formed by a glow discharge generated by a high voltage in a highly reduced vacuum, and a part of vaporized atoms are ionized. The second passivation layer 220 is formed.

상기 전자빔법은 MgO 다결정 등을 고온으로 가열하여 물리적인 에너지를 이용하여 상기 제 2 보호막(22)을 형성하는 방법이다.The electron beam method is a method of heating the MgO polycrystal or the like to a high temperature to form the second protective film 22 using physical energy.

상기 기상산화법(Vapor Phase Oxidation)은 마그네슘을 가열하여 발생되는 증기에 의해 다결정 산화 마그네슘을 가열하는 방법이다.The vapor phase oxidation method is a method of heating polycrystalline magnesium oxide by steam generated by heating magnesium.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다.3 is a cross-sectional view of another embodiment of a plasma display panel according to the present invention. Referring to FIG. 3, another embodiment of the plasma display panel according to the present invention will be described.

본 실시예의 기본적인 구성은 도 1을 참조하여 설명한 PDP의 방전셀 구조와 기본적으로 동일하다. 그러나, 본 실시예에서 제 2 보호막(385)는 격벽(345)과 접하는 부분의 두께가 다른 부분에 비하여 두껍게 형성되어 있다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 플라즈마 기체의 이온 등이 상기 격벽(345)과 접하는 제 2 보호막(385)에 빈번하게 접촉할 것이므로, 상기 접촉 부분의 보호막을 두껍게 구비하고 있다. 본 실시예에서도 보호막을 제 1 보호막(380)와 제 2 보호막(385)로 나누어 구비하고 있으며, 상기 제 1 보호막(380)의 두께는 일정하나 상기 제 2 보호막(385)의 두께만이 일정하지 않다.The basic configuration of this embodiment is basically the same as the discharge cell structure of the PDP described with reference to FIG. However, in the present embodiment, the second passivation film 385 is formed to be thicker than the portion where the thickness of the portion in contact with the partition wall 345 is different. That is, since the plasma gas ions or the like will frequently contact the second protective film 385 in contact with the partition wall 345 during the discharge of the plasma display panel, the protective film of the contact portion is thickly provided. In this embodiment, the protective film is divided into the first protective film 380 and the second protective film 385, and the thickness of the first protective film 380 is constant, but only the thickness of the second protective film 385 is not constant. not.

본 실시예는 도 1을 참조하여 상술한 PDP 방전셀 구조와 동일하므로, 상기 제 2 보호막(385)은 상기 제 1 보호막(380)보다 직경이 고른 다결정 입자로 이루어지고, 상기 제 1 보호막(380)은 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 보호막(385)은 다결정의 MgO를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 보호막(385)은 상기 격벽(345)과 접하지 않는 부분에서의 두께가 1 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 보호막(385)은 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc, 및 Y 중 적어도 하나의 원소를 포함하여 이루어지고, 상술한 원소들은 산화물의 형태로 첨가됨이 바람직하여, 그 농도는 5000 ppm 이하이고, 바람직하게는 300 내지 500 nm 이어야 한다. 또 한, 상기 제 2 보호막(385)은 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 전자빔, 졸-겔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성되는 것이 바람직하다.Since the present embodiment is the same as that of the PDP discharge cell structure described above with reference to FIG. ) Comprises at least one of monocrystalline MgO or polycrystalline MgO, and the second protective film 385 preferably includes polycrystalline MgO. In addition, the second passivation layer 385 preferably has a thickness of 1 nm (nanometer) to 200 nm at a portion not in contact with the partition wall 345. In addition, the second passivation layer 385 may include at least one of Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc, and Y, and the above-described elements may be added in the form of an oxide. Preferably, the concentration is 5000 ppm or less, preferably 300 to 500 nm. In addition, the second protective film 385 is preferably formed by one of a liquid phase method, a sputtering method, an ion plating method, an electron beam, a sol-gel method, and a vapor phase oxidation method.

본 실시예에서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 기체의 이온 등이 상대적으로 빈번하게 충돌하는 부분, 즉 격벽과 접하는 부분의 제 2 보호막(385)이 상대적으로 두껍게 형성되어 있어 표면의 MgO가 스퍼터(sputter)되어 다른 곳으로 흡착되는 횟수가 증가하여도 상기 제 2 보호막(385)이 완전히 닳지 않는다.In the present embodiment, the second protective layer 385 in the portion where the ions of the gas collide relatively frequently during the discharge of the plasma display panel, that is, the portion in contact with the partition wall is formed relatively thick, so that the MgO on the surface is sputtered. The second passivation layer 385 does not wear out completely even if the number of times of being absorbed to the other place increases.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판을 제조하는 방법은, 종래의 방법으로 형성된 상판 유리와 상기 상판 유리 상에 형성된 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하여 이루어진 PDP 상판에 제 1 보호막을 형성하고, 상기 제 1 보호막 상에 제 2 보호막을 형성하는데, 바람직하게는 액상법, 졸-겔법, 스퍼터링법, 이온도금법, 전자빔법, 기상산화법 중 하나를 사용하여 형성한다. 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는, 상기 제 2 보호막의 격벽과 접하는 부분의 두께가, 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두껍게 형성함이 바람직하다. 상술한 제 1 보호막 및 제 2 보호막의 특성은 상술한 실시예와 동일하다.In the method for manufacturing a top plate of the plasma display panel according to the present invention, a first protective film is formed on a PDP top plate comprising a top glass formed by a conventional method, a sustain electrode pair formed on the top glass, and a top dielectric. A second protective film is formed on the first protective film, preferably by using one of a liquid phase method, a sol-gel method, a sputtering method, an ion plating method, an electron beam method, and a vapor phase oxidation method. In the forming of the second passivation layer, the thickness of the portion of the second passivation layer that is in contact with the partition wall is preferably greater than the thickness of the partition that does not contact the partition wall. The characteristics of the first protective film and the second protective film described above are the same as in the above-described embodiment.

상술한 보호막을 포함한 플라즈마 디스플레이 패널의 상판은, 구동 전압이 인가되면 보호막을 이루는 입자의 직경이 작을수록 상기 입자 간의 결합 에너지가 작으므로, 상기 입자들은 큰 에너지를 가지고 승화하게 된다. 따라서 입자의 평균 직경이 작을수록, 기판 상에서 상기 입자의 에너지가 커지기 때문에 결정의 성장이 촉진되어 보호막의 표면에 수분 등의 불순물 가스의 부착이 감소하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 내에서의 방전에 장애가 줄어들어서 방전 개시 전압이 감소하 고 콘트라스트가 높아지게 된다.In the upper panel of the plasma display panel including the protective film, when the driving voltage is applied, the smaller the diameter of the particles forming the protective film, the smaller the binding energy between the particles, so that the particles sublimate with a large energy. Therefore, the smaller the average diameter of the particles, the greater the energy of the particles on the substrate, thereby promoting the growth of crystals, reducing the adhesion of impurity gases such as moisture to the surface of the protective film, and reducing the disturbance in discharge in the plasma display panel. Then, the discharge start voltage decreases and the contrast becomes high.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형이 가능하도 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and such modifications are included within the scope of the present invention even though modifications may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains.

상기에서 설명한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 효과를 설명하면 다음과 같다.The effect of the protective film of the plasma display panel according to the present invention described above is as follows.

첫째, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 이루는 MgO 입자의 평균 직경이 고르다.First, the average diameter of the MgO particles forming the protective film of the plasma display panel is even.

둘째, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.Second, the discharge start voltage of the plasma display panel can be lowered and the contrast can be improved.

Claims (20)

플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서,A protective film for protecting a top dielectric of a plasma display panel, 상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및A first passivation layer formed on the top dielectric; And 상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 다결정 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막.And a second passivation film formed on the first passivation film, the second passivation film comprising polycrystalline particles having a uniform size than the particles forming the first passivation film. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,The method of claim 1, wherein the first protective film, 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 보호막.A protective film comprising at least one of MgO of single crystal and MgO of polycrystal. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는,The method according to claim 1, wherein the polycrystalline particles forming the second protective film, 다결정의 MgO 입자를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.A protective film formed from a material made by pulverizing polycrystalline MgO particles. 제 1 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는,The polycrystalline particle of Claim 1 or 3 which comprises the said 2nd protective film, 직경이 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것을 특징으로 하는 보호막.A protective film, which has a diameter of 10 µm (micrometer) or less. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 1, wherein the second protective film, 두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 보호막.A protective film, characterized in that the thickness is 50 nm (nanometer) to 200 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,The method of claim 1, wherein the first protective film, 두께가 300 nm 내지 750 nm 인 것을 특징으로 하는 보호막.A protective film, characterized in that the thickness is 300 nm to 750 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 1, wherein the second protective film, Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 보호막.At least one of Al (aluminum), B (boron), Ba (barium), Si (silicon), P (phosphorus), Ga (gallium), Ge (germanium), Sc (scandium), and Y (yttrium) Protective film made by. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것을 특징으로 하는 보호막.In the second protective film, the protective film, characterized in that the concentration of Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc and Y is less than 5000 ppm (parts per million). 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 1, wherein the second protective film, 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 졸-겔법, 전자빔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.A protective film formed by one of a liquid phase method, sputtering method, ion plating method, sol-gel method, electron beam method, and vapor phase oxidation method. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 1, wherein the second protective film, 격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 보호막.The thickness of the part which contact | connects a partition is thicker than the thickness of the partition which does not contact the said partition. The protective film characterized by the above-mentioned. 상판 유리, 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판을 제조하는 방법에 있어서,A method of manufacturing an upper substrate of a plasma display panel comprising a top glass, a sustain electrode pair and a top dielectric, 상기 상판 유전체 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및Forming a first passivation layer on the top dielectric; And 상기 제 1 보호막 상에, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 다결정 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.And forming a second passivation layer on the first passivation layer, the second passivation layer comprising polycrystalline particles having a uniform size than the particles forming the first passivation layer. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,The method of claim 11, wherein the first protective film, 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.A top plate manufacturing method of a plasma display panel comprising at least one of monocrystalline MgO or polycrystalline MgO. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는,The method of claim 11, wherein the polycrystalline particles forming the second protective film, 다결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.A protective film for a plasma display panel, wherein the protective film is formed of a material obtained by pulverizing polycrystalline MgO. 제 11 또는 제13 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 다결정 입자는,The polycrystalline particle constituting the second protective film of claim 11 or 13, 직경이 10 ㎛(마이크로 미터) 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.A method for manufacturing a top plate of a plasma display panel, the diameter of which is 10 m (micrometer) or less. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 11, wherein the second protective film, 두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.A top plate manufacturing method of a plasma display panel, characterized in that the thickness is 50 nm (nanometer) to 200 nm. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,The method of claim 11, wherein the first protective film, 두께가 300 nm(나노 미터) 내지 750 nm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.A top plate manufacturing method of a plasma display panel, characterized in that the thickness is 300 nm (nanometer) to 750 nm. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,The method of claim 11, wherein the forming of the second passivation layer comprises: 다결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질에, In a material made by grinding polycrystalline MgO, Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 혼합하고, 가압하여 성형한 후 소결하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.Mix at least one of Al (aluminum), B (boron), Ba (barium), Si (silicon), P (phosphorus), Ga (gallium), Ge (germanium), Sc (scandium), and Y (yttrium) And pressing, shaping, and sintering the upper plate manufacturing method of the plasma display panel. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.The concentration of the Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc and Y in the second protective film is a manufacturing method of the upper panel of the plasma display panel, characterized in that 5000 ppm (parts per million) or less. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 11, wherein the second protective film, 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 졸-겔법, 전자빔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.A method of manufacturing a top plate of a plasma display panel, characterized in that it is formed by one of a liquid phase method, sputtering method, ion plating method, sol-gel method, electron beam method, and vapor phase oxidation method. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,The method of claim 11, wherein the second protective film, 격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.The thickness of the part which contact | connects a partition is thicker than the thickness of the partition which does not contact the said partition, The upper plate manufacturing method of the plasma display panel characterized by the above-mentioned.
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