KR20070045561A - Focus ring and fabricating apparatus for semiconductor device comprising thereof - Google Patents

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Abstract

포커스 링이 제공된다. 포커스 링은 플랫존을 구비한 웨이퍼의 외측면을 써라운딩하는 내경면을 포함하는 내측 링으로, 플랫존과 대향하는 제1 부분 내경면과 플랫존과의 간격은 플랫존 이외의 영역과 대향하는 제2 부분 내경면과 플랫존 이외의 영역과의 간격보다 더 넓은 내측 링, 및 내측 링의 상측면 및 외측면을 써라운딩하는 외측 링을 포함한다.A focus ring is provided. The focus ring is an inner ring including an inner diameter surface that surrounds the outer surface of the wafer with the flat zone, wherein a distance between the first partial inner diameter surface facing the flat zone and the flat zone faces an area other than the flat zone. An inner ring wider than a gap between the second partial inner diameter surface and a region other than the flat zone, and an outer ring surrounding the upper and outer surfaces of the inner ring.

포커스 링, 플랫 존, 헬륨 누출 Focus ring, flat zone, helium leak

Description

포커스 링 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비{Focus ring and fabricating apparatus for semiconductor device comprising thereof}Focus ring and semiconductor manufacturing apparatus including the same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링을 구비한 반도체 제조 설비를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a focus ring according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링을 설명하기 위한 사시도이다. 2 is a perspective view illustrating a focus ring according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링의 내측 링을 설명하기 위한 평면도이다.3A and 3B are plan views illustrating inner rings of a focus ring according to an exemplary embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 : 반도체 제조 설비 110 : 반응 챔버1 semiconductor manufacturing equipment 110 reaction chamber

120 : 서셉터 130 : 정전척120: susceptor 130: electrostatic chuck

140 : 포커스 링 142 : 내측 링140: focus ring 142: inner ring

143 : 내경면 144 : 외측 링143: inner surface 144: outer ring

152 : 열 매체 유로 154 : 가스 유로152: heat medium flow path 154: gas flow path

156 : 급전선 160 : 배기 링156: feed line 160: exhaust ring

170 : 샤워 헤드 180 : 자장 형성 기구170: shower head 180: magnetic field forming mechanism

본 발명은 포커스 링 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 안정성이 향상된 포커스 링 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a focus ring and a semiconductor manufacturing apparatus including the same, and more particularly, to a focus ring having improved process stability and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.

고집적된화된 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하기 위해 건식 식각이 주로 사용된다. 건식 식각 설비는 반응 챔버 내의 정전척 상에 웨이퍼를 고정하고, 정전척의 상하에 설치된 전극 간에 인가된 고주파 전력(RF)에 의해 반응 챔버 내로 유입된 반응 가스를 플라즈마화한다. 이와 같이 형성된 플라즈마의 래디칼(radical)을 웨이퍼의 자기 바이어스 전위(self-biased potential)로 당겨서 웨이퍼를 식각하게 된다.Dry etching is mainly used to form fine patterns of highly integrated semiconductor devices. The dry etching equipment fixes the wafer on the electrostatic chuck in the reaction chamber, and plasmaifies the reaction gas introduced into the reaction chamber by the high frequency power RF applied between the electrodes installed above and below the electrostatic chuck. The radical of the plasma thus formed is pulled to the self-biased potential of the wafer to etch the wafer.

건식 식각 설비에는 웨이퍼에 플라즈마가 집중될 수 있도록 안내하는 포커스 링(focus ring)이 정전척 상에 설치된다. 특히, 포커스 링의 내경면은 플랫존을 구비한 웨이퍼의 외측면을 써라운딩하도록 형성된다.In a dry etching facility, a focus ring is provided on the electrostatic chuck to guide the plasma to the wafer. In particular, the inner diameter surface of the focus ring is formed to surround the outer surface of the wafer with the flat zone.

한편, 건식 식각 설비에는 헬륨(He) 가스와 같은 인서트 가스가 열 전달 매개체로서 사용된다. 여기서, 헬륨 가스는 정전척과 웨이퍼 사이로 공급되어 진공 상태에서 식각이 수행되는 동안 열 전달이 분산되도록 한다.On the other hand, in the dry etching installation, an insert gas such as helium (He) gas is used as a heat transfer medium. Here, helium gas is supplied between the electrostatic chuck and the wafer so that heat transfer is dispersed while etching is performed under vacuum.

그런데, 포커스 링의 내부로 웨이퍼를 안착시킬 때, 에지(edge) 부위에서 헬륨 가스가 누출(leak)되는 고질적인 공정 불량이 반복되고 있다. 즉, 웨이퍼가 정전척에 로딩될 때 웨이퍼가 소정 각도로 비틀어지면 웨이퍼의 에지부 특히 플랫존의 양단부가 포커스 링의 내경면에 걸쳐지게 될 수 있는데, 이와 같은 정전척과 웨 이퍼의 밀착 불량으로 인해 헬륨 가스가 누출될 수 있다. 헬륨 가스의 누출은 생산성을 떨어뜨리고, 제품의 품질을 저하시키게 된다. By the way, when the wafer is seated inside the focus ring, a chronic process defect in which helium gas leaks at an edge portion is repeated. In other words, if the wafer is twisted at a predetermined angle when the wafer is loaded on the electrostatic chuck, the edges of the wafer, in particular, both ends of the flat zone, may span the inner diameter surface of the focus ring. Helium gas may leak. Leakage of helium gas reduces productivity and degrades product quality.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 공정 안정성이 향상된 포커스 링을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a focus ring with improved process stability.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 공정 안정성이 향상된 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor manufacturing equipment having improved process stability.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링은 플랫존을 구비한 웨이퍼의 외측면을 써라운딩하는 내경면을 포함하는 내측 링으로, 플랫존과 대향하는 제1 부분 내경면과 플랫존과의 간격은 플랫존 이외의 영역과 대향하는 제2 부분 내경면과 플랫존 이외의 영역과의 간격보다 더 넓은 내측 링, 및 내측 링의 상측면 및 외측면을 써라운딩하는 외측 링을 포함한다.Focus ring according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem is an inner ring including an inner diameter surface surrounding the outer surface of the wafer having a flat zone, the first partial inner surface facing the flat zone And the distance between the flat zone and the inner ring which is wider than the distance between the second portion inner diameter surface facing the area other than the flat zone and the area other than the flat zone, and the outer ring which surrounds the upper and outer surfaces of the inner ring. It includes.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 설비는 상기 포커스 링을 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention for achieving the another technical problem includes the focus ring.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링을 구비한 반도체 제조 설비를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1에서는 설명의 편의상 반도체 제조 설비로 건식 식각 설비를 예로 든다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a focus ring according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, for convenience of description, a dry etching facility is used as a semiconductor manufacturing facility.

도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(1)는 반응 챔버(110), 서셉터(120), 정전척(130), 포커스 링(140), 열 매체 유로(152), 가스 유로(154), 급전선(156), 배기 링(160), 샤워 헤드(170), 자장 형성 기구(180)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing facility 1 includes a reaction chamber 110, a susceptor 120, an electrostatic chuck 130, a focus ring 140, a thermal medium flow path 152, a gas flow path 154, The feed line 156, the exhaust ring 160, the shower head 170, and the magnetic field forming mechanism 180 are included.

반응 챔버(110)는 건식 식각 공정이 진행되는 공간으로, 원통 형상일 수 있다. 또한, 반응 챔버(110)는 표면이 양극 산화막(알루마이트)이 형성된 알루미늄으로 이루어질 수 있고, 내부는 기밀하게 폐색(閉塞) 가능하게 구성되어 있다. The reaction chamber 110 is a space where a dry etching process is performed, and may have a cylindrical shape. In addition, the reaction chamber 110 may be made of aluminum, the surface of which is formed with an anodized film (alumite), and the inside thereof is configured to be airtightly closed.

또한, 반응 챔버(110)는 접지 전위에 접속되어 있고, 반응 챔버(110)의 내부에는 하부 전극을 겸한 서셉터(120)가 마련되어 있다. 서셉터(120)는 예를 들어 양극 산화막(알루마이트)이 형성된 알루미늄일 수 있다.In addition, the reaction chamber 110 is connected to a ground potential, and a susceptor 120 serving as a lower electrode is provided inside the reaction chamber 110. The susceptor 120 may be, for example, aluminum in which an anodized film (alumite) is formed.

서셉터(120)의 웨이퍼(W) 탑재면에는 정전척(ESC; ElectroStatic Chuck)(130)이 사용되나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 정전척은 주로 세라 믹(ceramic)을 주재료로 이용될 수 있고, 정전측(130)의 정전척용 전극에는 직류 전원(132)이 접속되어 있다.Electrostatic chuck (ESC) 130 is used for the wafer W mounting surface of the susceptor 120, but is not limited thereto. The electrostatic chuck can mainly use ceramic as a main material, and a DC power supply 132 is connected to the electrode for the electrostatic chuck on the electrostatic side 130.

또한, 서셉터(120) 및/또는 정전척(130) 상에는 웨이퍼(W)를 써라운딩하도록 환 형상으로 형성된 포커스 링(140)이 구비된다. 포커스 링(140)은 웨이퍼(W)에 플라즈마가 집중될 수 있도록 안내하는 역할을 한다. 이러한 포커스 링(140)이 부착됨으로써 건식 식각 공정이 보다 효과적으로 이루어질 수 있다.In addition, on the susceptor 120 and / or the electrostatic chuck 130, a focus ring 140 formed in an annular shape to surround the wafer W is provided. The focus ring 140 guides the plasma to be concentrated on the wafer W. By attaching the focus ring 140, the dry etching process may be more effectively performed.

본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링(140)은 플랫존을 구비한 웨이퍼(W)의 외측면을 써라운딩하는 내경면을 포함하는 내측 링과, 내측 링의 상측면과 외측면을 써라운딩하는 외측 링을 포함한다. 포커스 링(140)에 대한 자세한 설명은 도 2 내지 도 3b를 참조하여 설명하도록 한다.The focus ring 140 according to an embodiment of the present invention includes an inner ring including an inner diameter surface that surrounds an outer surface of the wafer W having a flat zone, and an upper surface and an outer surface of the inner ring. And an outer ring. Detailed description of the focus ring 140 will be described with reference to FIGS. 2 to 3B.

또한, 서셉터(120)의 내부에는 온도 제어를 위해 절연성 유체를 순환시키기 위한 열 매체 유로(152)가 설치된다. 열 매체 유로(152) 내에 소정 온도로 제어된 절연성 유체를 순환시키는 것에 의해서, 서셉터(120)가 소정 온도로 제어된다.In addition, a thermal medium flow path 152 for circulating the insulating fluid for temperature control is installed inside the susceptor 120. The susceptor 120 is controlled to a predetermined temperature by circulating the insulating fluid controlled to a predetermined temperature in the thermal medium flow path 152.

헬륨 가스 등의 온도 제어용의 가스를 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공급하기 위한 가스 유로(154)가 마련되어 있다. 구체적으로, 서셉터(120)와 웨이퍼(W)의 이면 사이로 온도 제어용의 가스를 공급해서 이들 사이의 열교환을 촉진시킨다. 따라서, 웨이퍼(W)에 제조되는 반도체 소자의 정밀도를 좋게 하고, 효율적으로 소정 온도로 제어할 수 있게 되어 있다.A gas flow path 154 for supplying a gas for temperature control such as helium gas to the back surface of the semiconductor wafer W is provided. Specifically, the gas for temperature control is supplied between the susceptor 120 and the back surface of the wafer W to promote heat exchange therebetween. Therefore, the precision of the semiconductor element manufactured by the wafer W can be made high, and it can control to predetermined temperature efficiently.

또한, 서셉터(120)의 거의 중앙에는 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(給電線)(156)이 접속되어 있다. 이 급전선(156)에는 정합기(158)를 거쳐서 고주파 전 원(RF 전원)(159)이 접속되어 있다. 고주파 전원(159)으로부터는 소정의 주파수의 고주파 전력이 공급되도록 되어 있다.In addition, a feed line 156 for supplying high frequency power is connected to the center of the susceptor 120. The power supply line 156 is connected to a high frequency power source (RF power supply) 159 via a matching unit 158. The high frequency power supply 159 is supplied with a high frequency power of a predetermined frequency.

또한, 서셉터(120)의 외측에는 환 형상으로 구성되고, 다수의 배기공이 형성된 배기 링(160)이 마련되어 있다. 배기 링(160)을 거쳐서 배기 포트(162)에 접속된 배기계(164)의 진공 펌프 등에 의해, 반응 챔버(110)내의 처리 공간의 진공 배기가 실행되도록 구성되어 있다.In addition, an exhaust ring 160 formed in an annular shape and having a plurality of exhaust holes is provided outside the susceptor 120. A vacuum pump of the exhaust system 164 connected to the exhaust port 162 via the exhaust ring 160 is configured to perform vacuum exhaust of the processing space in the reaction chamber 110.

한편, 서셉터(120)의 상부의 반응 챔버(110)의 천정벽 부분에는 샤워 헤드(170)가 서셉터(120)와 평행하게 대향하도록 마련되어 있다. 특히, 샤워 헤드(170)는 접지되어 있어, 서셉터(120) 및 샤워 헤드(170)는 한쌍의 전극(상부 전극과 하부 전극)으로서 기능하도록 되어 있다.On the other hand, the shower head 170 is provided in the ceiling wall portion of the reaction chamber 110 above the susceptor 120 to face the susceptor 120 in parallel. In particular, the shower head 170 is grounded so that the susceptor 120 and the shower head 170 function as a pair of electrodes (upper electrode and lower electrode).

샤워 헤드(170)는 하면에 다수의 가스 토출공(171)이 마련되어 있고, 또한 상부에는 가스 도입부(172)를 갖고 있으며, 내부에는 가스 확산용 공극(174)이 형성되어 있다. 가스 도입부(172)에는 가스 공급 배관(175)이 접속되어 있고, 가스 공급 배관(175)의 타단에는 가스 공급계(176)가 접속되어 있다. 가스 공급계(176)는 가스 유량을 제어하기 위한 MFC(Mass Flow Controller)(177)와, 예를 들면 반응 가스 등을 공급하기 위한 반응 가스 공급원(178) 등으로 구성되어 있다.The shower head 170 is provided with a plurality of gas discharge holes 171 at the lower surface thereof, has a gas introduction portion 172 at an upper portion thereof, and a gas diffusion cavity 174 therein. A gas supply pipe 175 is connected to the gas inlet 172, and a gas supply system 176 is connected to the other end of the gas supply pipe 175. The gas supply system 176 is composed of a Mass Flow Controller (MFC) 177 for controlling a gas flow rate, and a reactive gas supply source 178 for supplying a reactive gas, for example.

한편, 반응 챔버(110)의 외측 주위에는 환 형상의 자장 형성 기구(링 자석)(180)가 배치되어 있어, 서셉터(120)와 샤워 헤드(170) 사이의 처리 공간에 자장을 형성하도록 되어 있다. 이 자장 형성 기구(180)는 회전 기구(182)에 의해서 그 전체가 반응 챔버(110)의 주위를 소정의 회전 속도로 회전가능하게 되어 있다.On the other hand, an annular magnetic field forming mechanism (ring magnet) 180 is disposed around the outer side of the reaction chamber 110 to form a magnetic field in the processing space between the susceptor 120 and the shower head 170. have. The magnetic field forming mechanism 180 is rotatable in its entirety by the rotation mechanism 182 at a predetermined rotational speed around the reaction chamber 110.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링을 설명하기 위한 사시도이다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링의 내측 링을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a perspective view illustrating a focus ring according to an exemplary embodiment of the present invention. 3A and 3B are plan views illustrating inner rings of a focus ring according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링(140)은 내측 링(142)과 외측 링(144)을 포함한다.2 and 3, the focus ring 140 according to an embodiment of the present invention includes an inner ring 142 and an outer ring 144.

내측 링(142)은 플랫존을 구비한 웨이퍼(W)의 외측면을 써라운딩하는 내경면(143)을 포함하여, 웨이퍼(W)를 일정하게 고정하는 역할을 한다. 또한, 외측 링(144)은 내측 링(142)의 상측면과 외측면을 써라운딩하고, 소정 높이의 턱을 갖고 있어서 플라즈마가 웨이퍼(W)에 집중하게 하는 역할을 한다. The inner ring 142 includes an inner diameter surface 143 that surrounds the outer surface of the wafer W having the flat zone, and serves to fix the wafer W constantly. In addition, the outer ring 144 surrounds the upper and outer surfaces of the inner ring 142 and has a jaw of a predetermined height to serve to concentrate the plasma on the wafer (W).

포커스 링(140)은 통상 플라즈마에 강한 다양한 재질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 내측 링(142)은 베스펠(VESPEL)을 사용할 수 있고, 외측 링(144)은 석영을 사용할 수 있다. 특히, 베스펠은 듀퐁(DUPONT)상에서 개발한 방향족 폴리이미드 수지로, 고기능성 수지 중에서 우수한 내열성, 내마모성, 내크립성, 전기절연성, 플라즈마 및 방사선내력, 내약품성을 가지고 있다.The focus ring 140 may be made of various materials that are generally resistant to plasma. For example, the inner ring 142 may use VESPEL, and the outer ring 144 may use quartz. In particular, Vespel is an aromatic polyimide resin developed on DUPONT, and has excellent heat resistance, abrasion resistance, creep resistance, electrical insulation, plasma and radiation resistance, and chemical resistance among high functional resins.

특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 내측 링(142)의 내경면(143)은 플랫존과 대향하는 제1 부분 내경면(143a)과 플랫존 이외의 영역과 대향하는 제2 부분 내경면(143b)을 포함하고, 제1 부분 내경면(143a)과 플랫존의 간격(L1)은 제2 부분 내경면(143b)과 플랫존 이외의 영역의 간격(L2)보다 더 넓다. 제1 부분 내경면(143a)과 플랫존 사이의 간격(L1)은 웨이퍼가 정전척(도 1의 130)에 로딩될 때 웨이퍼가 비틀릴 수 있는 최대 길이만큼을 떨어뜨릴 수 있다. 즉, 내측 링(142)의 내경면 (143)이 웨이퍼 로딩시의 웨이퍼의 비틀어질 수 있는 각도 및 공간만큼의 여유를 확보하게 한다. 이와 같이 함으로써, 웨이퍼(W)가 로딩될 때 웨이퍼(W)가 소정 각도로 비틀어져 들어오더라도, 플랫존이 안착되는 제1 부분 내경면(143a)과 플랫존의 간격(L1)을 넓게 하면 도 4b에서와 같이 웨이퍼(W)의 플랫존이 수월하게 제1 내경면(143)에 안착할 수 있다. In particular, the inner diameter surface 143 of the inner ring 142 according to an embodiment of the present invention is the first partial inner diameter surface 143a facing the flat zone and the second partial inner diameter surface facing the region other than the flat zone ( 143b, and the spacing L1 of the first partial inner diameter surface 143a and the flat zone is wider than the spacing L2 of the region other than the second partial inner diameter surface 143b and the flat zone. The spacing L1 between the first partial inner diameter surface 143a and the flat zone may drop the maximum length that the wafer can twist when the wafer is loaded into the electrostatic chuck (130 in FIG. 1). That is, the inner diameter surface 143 of the inner ring 142 ensures a margin by the twist angle and space of the wafer during wafer loading. In this way, even when the wafer W is twisted at a predetermined angle when the wafer W is loaded, the distance L1 between the first partial inner diameter surface 143a and the flat zone on which the flat zone is seated is widened. As in 4b, the flat zone of the wafer W may be easily seated on the first inner diameter surface 143.

또한, 내측 링(142)의 내경면(143)은 소정의 각도로 경사져 있어 웨이퍼(W)가 수월하게 경사를 따라 안착될 수 있다.In addition, the inner diameter surface 143 of the inner ring 142 is inclined at a predetermined angle so that the wafer (W) can be easily seated along the inclination.

본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링(140)은 정전척(130)과 웨이퍼(W)의 밀착 불량을 줄일 수 있고, 밀착 불량에 따른 헬륨 가스 누출을 방지할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 생산성을 향상시킬 수 있고, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.Focus ring 140 according to an embodiment of the present invention can reduce the adhesion failure between the electrostatic chuck 130 and the wafer (W), it is possible to prevent helium gas leakage due to the adhesion failure. Thereby, the productivity of a semiconductor element can be improved and the quality of a product can be improved.

한편, 웨이퍼(W)의 비틀어짐이 심한 경우에는, 이미 그 이전의 진행 공정에서 공정 오류로서 판정되게 되므로 헬륨 가스 누출은 발생되지 않는다.On the other hand, in the case where the warp of the wafer W is severe, helium gas leakage does not occur since it is already determined as a process error in the preceding process.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 포커스 링 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.According to the focus ring as described above and the semiconductor manufacturing equipment including the same, there are one or more of the following effects.

구체적으로, 포커스 링의 내측 링과 웨이퍼의 플랫존 사이의 간격을 넓힘으로써, 웨이퍼가 안정적으로 정전척 상에 안착될 수 있다. 이와 같이 웨이퍼가 정전척 상에 밀착됨으로써, 웨이퍼와 정전척 사이로 제공되는 헬륨 가스가 누출되지 않는다. 따라서, 공정 안정성이 향상되고 반도체 소자의 생산성이 향상되며, 제품의 품질이 향상된다.Specifically, by widening the gap between the inner ring of the focus ring and the flat zone of the wafer, the wafer can be stably seated on the electrostatic chuck. As the wafer is in close contact with the electrostatic chuck in this manner, the helium gas provided between the wafer and the electrostatic chuck does not leak. Therefore, process stability is improved, the productivity of a semiconductor device is improved, and the quality of a product is improved.

Claims (4)

플랫존을 구비한 웨이퍼의 외측면을 써라운딩하는 내경면을 포함하는 내측 링으로, 상기 플랫존과 대향하는 제1 부분 내경면과 상기 플랫존과의 간격은 상기 플랫존 이외의 영역과 대향하는 제2 부분 내경면과 상기 플랫존 이외의 영역과의 간격보다 더 넓은 내측 링; 및An inner ring including an inner diameter surface that surrounds an outer surface of a wafer having a flat zone, wherein a distance between the first partial inner diameter surface facing the flat zone and the flat zone faces an area other than the flat zone. An inner ring wider than a distance between a second partial inner diameter surface and a region other than the flat zone; And 상기 내측 링의 상측면 및 외측면을 써라운딩하는 외측 링을 포함하는 포커스 링.And an outer ring surrounding the upper and outer surfaces of the inner ring. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플랫존과 대향하는 제1 부분 내경면과 상기 플랫존과의 간격은 상기 웨이퍼 로딩시 상기 웨이퍼가 비틀릴 수 있는 최대 길이만큼 떨어진 포커스 링.And a distance between the first partial inner diameter surface facing the flat zone and the flat zone is spaced apart by the maximum length the wafer can be twisted upon loading the wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내측 링의 내경면은 소정의 각도로 경사진 형상인 포커스 링.An inner diameter surface of the inner ring is a focus ring inclined at a predetermined angle. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항의 포커스 링을 포함하는 반도체 제조 설비.A semiconductor manufacturing facility comprising the focus ring of claim 1.
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