KR20070045505A - 수평 전계 인가형 액정표시장치 - Google Patents

수평 전계 인가형 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치에 관한 것이다.
이 수평 전계 인가형 액정표시장치는 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과; 상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고; 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성된다.

Description

수평 전계 인가형 액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OF HORIZONTAL ELECTRONIC FIELD APPLYING TYPE}
도 1a 및 도 1b는 트위스티드 네마틱 모드를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.
도 3은 슈퍼 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.
도 4는 도 3에 도시된 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 슈퍼 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.
도 6은 도 4에 도시된 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임을 나타내는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 하부 편광자 2, 102, 202 : 게이트 라인
3 : 하부 유리기판 4, 104, 204 : 데이터 라인
5 : 액정 6, 106, 206 : 박막 트랜지스터
7 : 상부 유리기판 8, 108, 208 : 게이트 전극
9 : 상부 편광자 10, 110, 210 : 소스 전극
12, 112, 212 : 드레인 전극 13, 113, 213 : 드레인 컨택홀
14, 114, 214 : 화소 전극 16, 116, 216 : 공통 라인
18, 118, 218 : 공통 전극 24, 124, 224 : 게이트 패드
26, 126, 226 : 게이트 패드 하부 전극
27, 127, 227 : 게이트 패드 컨택홀
28, 128, 228 : 게이트 패드 상부 전극 30, 130, 230 : 데이터 패드
32, 132, 232 : 데이터 패드 하부 전극
33, 133, 233 : 데이터 패드 컨택홀
34, 134, 234 : 데이터 패드 상부 전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치에 관한 것이다.
액정표시장치는 액정셀에 인가되는 전계를 제어하여 액정셀에 입사되는 광을 변조함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정표시장치는 액정을 구동시키는 전계의 방향에 따라 수직 전계 인가형과 수평 전계 인가형으로 대별된다.
수직 전계 인가형은 수직으로 대향하는 상부기판과 하부기판에 수직으로 대향하는 화소 전극과 공통 전극을 형성하고 그 전극들에 인가되는 전압으로 액정셀에 수직방향으로 전계를 인가하게 된다. 이 수직 전계방식은 개구율을 비교적 넓게 확보할 수 있지만 시야각이 좁은 단점이 있다. 수직 전계방식의 대표적인 액정 모드는 오늘날 대부분의 액정표시소자에서 이용되는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic, 이하 "TN"이라 함) 모드이다.
TN 모드는 도 1a 및 도 1b와 같이 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 사이에 액정분자들(5)이 위치한다. 상부 유리기판(7)의 광출사면에는 특정방향의 광 투과축을 가지는 상부 편광자(9)가 부착되며, 하부 유리기판(3)의 광입사면 상에는 상부 편광자(9)의 광 투과축과 직교하는 광 투과축을 가지는 하부 편광자(1)가 부착된다. 또한, TN 모드는 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 각각에 투명 전극이 형성되며, 액정(5)의 프리틸트 각을 설정하기 위한 배향막이 형성되어 있다. 노멀리 화이트 모드(Normally white mode)로 가정하여 TN 모드의 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다. 상부 투명전극과 하부 투명전극에 전압이 인가되지 않는 비활성 상태에는 액정분자들의 국소 광축(방향자)은 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 사이에서 연속적으로 90° 비틀려져 있다. 이 비활성 상태에서는 하부 편광자(1)를 통과하여 입사되는 선편광의 편광특성이 바뀌면서 상부 편광자(9)를 통과한다. 반대로, TN 모드에서 상부 투명전극과 하부 투명전극에 전압이 인가되고 그 전압차에 의해 액정(5)에 전기장이 인가되는 활성 상태에서는 액정층의 가운데 부 분의 광축이 전기장에 평행하게 되어 비틀린 구조가 풀리게 된다. 이 활성 상태에서는 하부 편광자(1)를 통과하여 입사되는 선편광은 액정층을 통과하면서 그 편광특성이 그대로 유지되어 상부 편광자(9)를 통과하지 못한다.
그런데 TN 모드는 시야각에 따른 대비비(Contrast ratio)와 휘도의 변화가 심하기 때문에 광시야각의 구현이 어려운 단점이 있다.
수평 전계 인가형은 동일 기판상에 형성되는 전극들 사이에 전기장을 형성하고 그 전기장으로 액정분자들을 구동시키는 인 플레인 스위칭(In plane switching, 이하 "IPS"라 함) 모드가 대표적이다. IPS 모드는 TN 모드에 비하여 시야각 특성이 우수하다.
도 2는 일반적인 IPS 모드의 액정표시장치 중 한 화소 영역을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, IPS 모드의 액정표시장치는 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(2) 및 데이터 라인(4)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(6)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역(P)에 게이트 라인(2)과 나란하게 형성된 공통 라인(16)과, 공통 라인(16)에서 수직으로 분기된 다수의 공통 전극(18)과, 공통 전극(18)과 수평 전계를 형성하도록 배치된 화소 전극(14)을 구비한다.
게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(2)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(4)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(P)을 정의한다.
공통 라인(16)은 공통 전극(18)에 액정 구동을 위한 기준 전압을 공급한다.
박막 트랜지스터(6)는 게이트 라인(2)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라 인(4)의 화소 신호가 화소 전극(14)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(6)는 게이트 라인(2)과 접속된 게이트 전극(8), 데이터 라인(4)과 접속된 소스 전극(10), 화소 전극(14)과 접속된 드레인 전극(12)을 구비한다. 또한, 게이트 전극(8)의 상부에 위치하여 소스 전극(10) 및 드레인 전극(12) 사이에 채널을 형성하는 활성층, 소스 전극(10) 및 드레인 전극(12)과 활성층의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함하는 반도체층을 구비한다.
화소 전극(14)은 박막 트랜지스터(6)의 드레인 전극(12)과 드레인 컨택홀(13)을 통해 접속되고 게이트 라인(2)과 나란하도록 연장된 제1 화소 전극(14a)과, 제1 화소 전극(14a)에서 수직으로 분기된 다수의 제2 화소 전극(14b)들을 포함한다.
공통 전극(18)은 공통 라인(16)과 접속되어 제2 화소 전극(14b)들과 수평 전계를 이루도록 나란하게 슬릿으로 형성된다.
게이트 라인(2)은 게이트 패드(24)를 통해 게이트 드라이버와 접속된다. 게이트 패드(24)는 게이트 라인(2)으로부터 연장된 게이트 패드 하부 전극(26), 게이트 패드 하부 전극(26)과 게이트 패드 컨택홀(27)을 통해 연결된 게이트 패드 상부 전극(28)을 포함한다.
데이터 라인(4)은 데이터 패드(30)를 통해 데이터 드라이버와 접속된다. 데이터 패드(30)는 데이터 라인(4)으로부터 연장된 데이터 패드 하부 전극(32), 데이터 패드 하부 전극(32)과 데이터 패드 컨택홀(33)을 통해 연결된 데이터 패드 상부 전극(34)을 포함한다.
이에 따라, 박막 트랜지스터(6)를 통해 화소 신호가 공급된 제2 화소 전극(14b)과, 공통 라인(16)을 통해 전원이 공급된 공통 전극(18) 사이에는 수평 전계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해 화소 영역(P)에 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다. 하지만, 공통 전극(18)과 제2 화소 전극(14b)이 일직선의 형태를 가지며 서로 평행하게 배열되기 때문에, 그 사이의 전계가 일방향으로만 형성됨으로써, 주 시야각 방향에서는 시야각 특성이 좋지만 그 외의 방향에서는 색변환이 발생하는 등 시야각 특성이 저하된다.
도 3은 도 2와 같은 IPS 모드 액정표시장치의 시야각 특성을 개선한 S-IPS(Super-IPS) 모드 액정표시장치를 나타내는 도면이다.
S-IPS 모드 액정표시장치는 도 2와 비교하여 제2 화소 전극(114b)과 공통 전극(118)이 꺾인 구조를 가짐으로써, 주 시야각 외의 방향에서 발생하는 시야각 저하 현상을 감소시킬 수 있다.
하지만 도 3에 도시된 S-IPS 모드 액정표시장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 한 화소 영역(P)에서 A 영역과 B 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임에 차이가 발생한다. 이것은 공통 전극(118) 및 화소 전극(114)이 꺾이는 B 영역에서의 전계 밀도가 A 영역보다 크기 때문이며, 이로 인해 전계 인가시 한 화소 영역(P) 내에서 불균형적으로 B 영역이 먼저 밝아지고 순차적으로 A 영역이 밝아지게 되어 표시 품질이 저하되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과; 상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고; 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성된다.
상기 공통 전극 및 상기 화소 전극의 연장부는 적어도 하나의 벤딩부를 가진다.
상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 상기 벤딩부 영역과 양단부 영역에서보다 상기 벤딩부 영역과 상기 양단부 영역 사이에서 더 넓게 형성된다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 5 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(202) 및 데이터 라인(204)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(206)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역(P)에 게이트 라인(202)과 나란하게 형성된 공통 라인(216)과, 공통 라인(216)에서 수직으로 분기된 다수의 공통 전극(18)과, 공통 전극(18)과 수평 전계를 형성하도록 배치된 화소 전극(214)을 구비한다.
게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(202)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(204)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(P)을 정의한다.
공통 라인(216)은 공통 전극(18)에 액정 구동을 위한 기준 전압을 공급한다.
박막 트랜지스터(206)는 게이트 라인(202)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(204)의 화소 신호가 화소 전극(214)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(206)는 게이트 라인(202)과 접속된 게이트 전극(208), 데이터 라인(204)과 접속된 소스 전극(210), 화소 전극(214a 내지 214c)과 접속된 드레인 전극(212)을 구비한다. 또한, 게이트 전극(208)의 상부에 위치하여 소스 전극 (210) 및 드레인 전극(212) 사이에 채널을 형성하는 활성층, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(212)과 활성층의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함하는 반도체층을 구비한다.
화소 전극(214)은 박막 트랜지스터(206)의 드레인 전극(212)과 드레인 컨택홀(213)을 통해 접속되고 게이트 라인(202)과 나란하도록 연장된 제1 화소 전극(214a)과, 제1 화소 전극(214a)에서 분기되어 꺾인 구조를 가지는 다수의 제2 화소 전극(214b)들을 포함한다. 제2 화소 전극(214b)들은 B 영역보다 A 영역에서 더 넓은 폭을 가진다.
공통 전극(218)은 공통 라인(216)과 접속되어 제2 화소 전극(214b)들과 수평 전계를 이루도록 꺾인 구조의 슬릿으로 나란하게 형성된다.
게이트 라인(202)은 게이트 패드(224)를 통해 게이트 드라이버와 접속된다. 게이트 패드(224)는 게이트 라인(202)으로부터 연장된 게이트 패드 하부 전극(226), 게이트 패드 하부 전극(226)과 게이트 패드 컨택홀(227)을 통해 연결된 게이트 패드 상부 전극(228)을 포함한다.
데이터 라인(204)은 데이터 패드(230)를 통해 데이터 드라이버와 접속된다. 데이터 패드(230)는 데이터 라인(204)으로부터 연장된 데이터 패드 하부 전극(232), 데이터 패드 하부 전극(232)과 데이터 패드 컨택홀(233)을 통해 연결된 데이터 패드 상부 전극(234)을 포함한다.
이에 따라, 박막 트랜지스터(206)를 통해 화소 신호가 공급된 제2 화소 전극(214b)과, 공통 라인(216)을 통해 전원이 공급된 공통 전극(218) 사이에는 수평 전 계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해 화소 영역(P)에 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다. 이때, 제2 화소 전극(214b)들과 공통 전극(218)들이 B 영역보다 A 영역에서 더 넓은 폭을 가짐으로써 제2 화소 전극(214b)과 공통 전극(218) 사이의 거리가 가까워져 전기장이 커지게 된다. 이로 인해, 개구율에는 큰 영향을 미치지 않으면서, 도 6에 도시된 바와 같이 B 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임을 A 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임과 동일하게 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 교번 배열된 화소 전극과 공통 전극의 폭을 조절함으로써 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (3)

  1. 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와;
    상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과;
    상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과;
    상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고;
    상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 공통 전극 및 상기 화소 전극의 연장부는 적어도 하나의 벤딩부를 가지는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 상기 벤딩부 영역과 양단부 영역에서보다 상기 벤딩부 영역과 상기 양단부 영역 사이에서 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102854675A (zh) * 2012-01-10 2013-01-02 友达光电股份有限公司 液晶显示装置
WO2013104194A1 (zh) * 2012-01-10 2013-07-18 友达光电股份有限公司 液晶显示装置的像素结构
CN102854675B (zh) * 2012-01-10 2015-06-10 友达光电股份有限公司 液晶显示装置

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