KR20070043856A - Interconnect assemblies and methods - Google Patents
Interconnect assemblies and methods Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070043856A KR20070043856A KR1020077003992A KR20077003992A KR20070043856A KR 20070043856 A KR20070043856 A KR 20070043856A KR 1020077003992 A KR1020077003992 A KR 1020077003992A KR 20077003992 A KR20077003992 A KR 20077003992A KR 20070043856 A KR20070043856 A KR 20070043856A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact element
- base
- beam portion
- substrate
- elastic contact
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4822—Beam leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
본 발명은 상호 접속 조립체와, 그 조립체를 제작 및 이용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일태양의 전형적인 실시예는 기판에 부착되도록 구성된 기부와, 기부에 접속되어 그로부터 연장하는 비임부를 포함하는 접촉 소자를 포함한다. 비임부는 편향될 때 비임부 간의 응력을 최적화하는 기하학적 형태(예를 들면, 삼각형 형태)를 갖도록 설계되고 프리스탠딩이 되도록 구성된다. 본 발명의 또 다른 태양의 전형적인 실시예는 접촉 소자를 성형하기 위한 방법을 포함한다. 이러한 방법은 전기 조립체의 기판에 부착되는 기부를 성형하는 단계와, 기부에 접속된 비임부를 성형하는 단계를 포함한다. 비임부는 기부로부터 연장하고 편향될 때 비임부 간에 응력을 실제 균일하게 분포시키는 기하학적 형태를 갖도록 설계되고 프리스탠딩이 되도록 구성된다. 본 발명의 어또한 실시예에서, 복수의 접촉 소자가 상호 접속 조립체를 생성하도록 함께 이용됨을 알 수 있다. 본 발명은 탄성 접촉 소자를 구비한 상호 접속 조립체와, 그 조립체를 제작하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 태양에서, 상호 접속 조립체는 기판과, 기판상에 배치된 탄성 접촉 소자를 포함한다. 탄성 접촉 구조물의 제1 부분은 기판상에 배치되고 제2 부분은 기판으로부터 멀리 연장하고 힘이 인가될 때 제1 위치로부터 제2 위치로 이동할 수 있게 된다. 정지 구조물은 기판의 표면과 탄성 접촉 소자의 제1 부분의 표면 상에 배치된다. 본 발명의 또 다른 태양에 따라, 탄성 접촉 구조물의 비임부는 실제 삼각형 형상을 갖는다.The present invention relates to an interconnect assembly and a method of making and using the assembly. An exemplary embodiment of one aspect of the invention includes a contact element comprising a base configured to attach to a substrate and a beam portion connected to and extending from the base. The beam is designed to be freestanding and designed to have a geometric shape (eg triangular shape) that optimizes the stress between the beams when deflected. An exemplary embodiment of another aspect of the present invention includes a method for forming a contact element. The method includes shaping the base attached to the substrate of the electrical assembly and shaping the beam portion connected to the base. The beams are designed to be freestanding and designed to have a geometry that extends from the base and deflects stress evenly between the beams when deflected. In an even further embodiment of the invention, it can be seen that a plurality of contact elements are used together to create the interconnect assembly. The present invention provides an interconnect assembly with an elastic contact element and a method of fabricating the assembly. In one aspect of the invention, the interconnect assembly comprises a substrate and an elastic contact element disposed on the substrate. The first portion of the elastic contact structure is disposed on the substrate and the second portion extends away from the substrate and is able to move from the first position to the second position when a force is applied. The stop structure is disposed on the surface of the substrate and the surface of the first portion of the elastic contact element. According to another aspect of the invention, the beam portion of the elastic contact structure has an actual triangular shape.
탄성 접촉 소자, 비임부, 기판, 상호 접속 조립체, 집적 회로 Elastic Contact Elements, Beams, Boards, Interconnects Assembly, Integrated Circuits
Description
도1a는 그 기판상의 정지 구조물과 함께 기판상에 배치된 복수의 탄성 접촉 소자의 예를 도시한, 그 탄성 접촉 소자와 정지 구조물을 갖춘 기판(102)의 사시도.1A is a perspective view of a
도1b는 정지 구조물과 함께 기판상에 형성된 리소그래피 성형 탄성 접촉 소자의 예를 도시한, 그 탄성 접촉 소자와 정지 구조물의 단면도.1B is a cross-sectional view of the elastic contact element and the stationary structure, showing an example of a lithographic molded elastic contact element formed on a substrate with the stationary structure.
도2a는 본 발명의 일실시예에 따른 탄성 접촉 소자의 단면도.Figure 2a is a cross-sectional view of the elastic contact element according to an embodiment of the present invention.
도2b는 탄성 접촉 소자의 기부 위에 배치된 정지 구조물을 갖춘 본 발명의 탄성 접촉 구조물의 또 다른 실시예의 단면도.2B is a cross-sectional view of another embodiment of the elastic contact structure of the present invention with a stationary structure disposed on the base of the elastic contact element.
도2c는 정지 구조물이 탄성 접촉 소자의 기부 위에 배치된 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자의 일실시예의 또 다른 예의 단면도.2C is a cross-sectional view of another example of one embodiment of an elastic contact element according to the present invention with a stationary structure disposed on the base of the elastic contact element.
도2d는 본 발명의 탄성 접촉 소자의 또 다른 예의 단면도.2D is a cross-sectional view of another example of the elastic contact element of the present invention.
도2e, 도2f, 도2g 및 도2h는 도2e에 도시된 초기 일직선 탄성 접촉 소자의 편향을 도2g에 도시된 초기 만곡된 탄성 접촉 소자의 편향과 비교한 단면도.2E, 2F, 2G and 2H are cross-sectional views comparing the deflection of the initial straight elastic contact element shown in FIG. 2E with the deflection of the initial curved elastic contact element shown in FIG. 2G;
도3a는 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자의 일예의 평면도.3A is a plan view of one example of an elastic contact element according to the present invention;
도3b는 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자의 또 다른 예의 평면도.3B is a plan view of another example of an elastic contact element in accordance with the present invention.
도3c는 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자의 또 다른 예의 평면도.3C is a plan view of another example of an elastic contact element according to the present invention;
도3d는 기판상에 배치된 탄성 접촉 소자의 어레이를 도시한 평면도.3D is a plan view showing an array of elastic contact elements disposed on a substrate.
도4는 접촉 소자의 기부 위에 배치된 정지 구조물을 구비한 탄성 접촉 소자를 포함하는 본 발명의 상호 접속 조립체의 일예를 도시하고, 또한 정지 구조물과 탄성 접촉 소자를 부착한 기판과 접촉하는 또 다른 기판을 도시한 단면도.Figure 4 shows an example of an interconnect assembly of the present invention comprising an elastic contact element having a stop structure disposed on the base of the contact element, and also another substrate in contact with the substrate to which the stop structure and the elastic contact element are attached. Sectional view.
도5는 본 발명의 일실시예에 따른 탄성 접촉 소자 및 정지 구조물을 성형하기 위한 방법의 일예를 도시한 플로우차트.5 is a flowchart illustrating one example of a method for forming an elastic contact element and a stationary structure in accordance with one embodiment of the present invention.
도6a는 본 발명의 하나의 방법에 따른 탄성 접촉 소자의 성형 중에 상호 접속 조립체의 구조물을 도시한 단면도.6A is a cross-sectional view illustrating a structure of an interconnect assembly during molding of an elastic contact element in accordance with one method of the present invention.
도6b는 본 발명의 일실시예에 따른 탄성 접촉 소자를 생성하는 제조 공정에서의 뒤 처리 단계에서의 또 다른 단면도.6B is another cross-sectional view at a post processing step in a manufacturing process for producing an elastic contact element in accordance with an embodiment of the present invention.
도6c는 도6b에 도시된 구조물(608)의 일부를 도시한 평면도.6C is a plan view of a portion of the
도6d는 도5에 도시된 몇몇 처리 단계 후의 결과로서 생기는 구조물의 단면도.FIG. 6D is a cross sectional view of the resulting structure after several processing steps shown in FIG. 5;
도6e는 본 발명의 탄성 접촉 소자가 그 위에 형성될 수 있는 또 다른 기판의 단면도.6E is a cross-sectional view of another substrate on which an elastic contact element of the present invention may be formed.
도6f는 도5의 방법에서의 어떠한 처리 단계 후의 단면도.6F is a cross sectional view after any processing step in the method of FIG.
도6g는 도5의 방법의 또 다른 처리 단계 후의 또 다른 단면도.6G is another cross-sectional view after another processing step of the method of FIG.
도6h는 도6g에 도시된 구조물의 일부의 평면도.6H is a plan view of a portion of the structure shown in FIG. 6G.
도6i는 도5에 도시된 방법에 따라 형성된 구조물의 또 다른 단면도.6I is another cross-sectional view of a structure formed in accordance with the method shown in FIG.
도6j는 도5에 도시된 방법에 따라 형성될 때의 탄성 접촉 소자의 또 다른 단 면도.FIG. 6J illustrates another stage of an elastic contact element as formed in accordance with the method shown in FIG.
도6k는 도5의 방법에 따른 또 다른 처리 단계 후의 또 다른 단면도.6K is another cross-sectional view after another processing step according to the method of FIG.
도6l는 도6k에 도시된 구조물의 일실시예에 따른 평면도.6L is a plan view according to one embodiment of the structure shown in FIG. 6K;
도7a는 다중 탄성 접촉 소자와 그 대응 정지 구조물을 갖춘 일실시예의 단면도.7A is a cross-sectional view of one embodiment with multiple elastic contact elements and their corresponding stop structures.
도7b는 본 발명의 하나의 전형적인 실시예에 따른 접촉 구조물에 의해 성형된 웰(well) 내에 배치된 하나의 탄성 접촉 소자의 사시도.7B is a perspective view of one elastic contact element disposed within a well formed by a contact structure in accordance with one exemplary embodiment of the present invention.
도8a는 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자의 또 다른 실시예의 단면도. 8A is a cross-sectional view of another embodiment of an elastic contact element in accordance with the present invention.
도8b는 소자가 조립된 후의 도8a의 탄성 접촉 소자의 사시도.Fig. 8B is a perspective view of the elastic contact element of Fig. 8A after the element is assembled.
도9a, 도9b, 도9c 및 도9d는 탄성 접촉 소자를 성형하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 방법 중의 기판의 단면도.9A, 9B, 9C and 9D are cross-sectional views of a substrate in yet another method according to the present invention for forming an elastic contact element.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
120 : 기판120: substrate
127 : 비임부127: pregnant
231 : 상호 접속 조립체231: interconnect assembly
234 : 접촉 소자234: contact element
302 : 기부 302: Donation
642 : 시드층642 seed layer
645 :측벽645 side wall
종래 기술에서 수많은 상호 접속 조립체 및 이들 조립체를 제작 및 이용하는 방법이 존재한다. 반도체 집적 회로로 전기적 상호 접속를 얻기 위한 상호 접속 조립체는 때때로 상호 접속 소자의 피치로서 불리는 상호 접속 소자들 간의 밀접한 간격을 지지해야 한다. 어떠한 상호 접속 조립체는 검사 및 집적 회로의 유효 수명을 통해 그 기능을 수행한다. 종래 기술에서 하나의 형태의 상호 접속 조립체는 반도체 집적 회로 상의 접촉 패드로의 일시적 또는 영구적 접속을 형성하도록 스프링과 같은 탄성 접촉 소자를 이용한다. 그러한 탄성 접촉 소자들의 예는 미국 특허 제5,476,211호와, 1998년 2월 26일에 출원된 발명의 명칭이 "리소그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 공동 계류중인 미국 특허 출원 제09/032,473호 및 1998년 7월 13일에 출원된 발명의 명칭이 "상호 접속 조립체 및 방법"인 공동 계류중인 미국 특허 출원 제09/114,586호에 개시되어 있다. 이들 상호 접속 조립체는 제1 위치로부터 탄성 접촉 소자가 또 다른 접촉 단자에 대해 힘을 인가하는 제2 위치로 탄성적으로 굽어질 수 있는 탄성 접촉 소자를 이용한다. 그 힘은 양호한 전기 접촉을 보장하기 쉽고, 따라서 탄성 접촉 소자는 양호한 전기 접촉을 제공하기 쉽다.There are numerous interconnect assemblies and methods of making and using them in the prior art. Interconnect assemblies for obtaining electrical interconnections with semiconductor integrated circuits must support close spacing between interconnect elements, sometimes referred to as pitch of interconnect elements. Some interconnect assemblies perform their functions through the useful life of the inspection and integrated circuits. One type of interconnect assembly in the prior art utilizes an elastic contact element such as a spring to form a temporary or permanent connection to a contact pad on a semiconductor integrated circuit. Examples of such elastic contact elements are described in US Pat. No. 5,476,211 and in co-pending US patent applications Nos. 09 / 032,473 and 1998, entitled “Lithography Molded Microelectronic Contact Structures”, filed Feb. 26, 1998. The invention filed on July 13 is disclosed in co-pending US patent application Ser. No. 09 / 114,586, entitled " Interconnection Assemblies and Methods. &Quot; These interconnect assemblies utilize an elastic contact element that can be elastically bent from the first position to a second position where the elastic contact element applies a force against another contact terminal. The force is easy to ensure good electrical contact, and thus the elastic contact element is easy to provide good electrical contact.
이들 탄성 접촉 소자는 일실시예에서 미국 특허 제5,476,211호에 개시된 방법에 따라 성형된 대개 긴 금속 구조물이다. 또 다른 실시예에서, 탄성 접촉 소자는 (일예로, 발명의 명칭이 "리소그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 전술된 특허 출원에 개시된 방식으로) 리소그래피 성형된다. 도1a는 미국 특허 제5,476,211호에 개시된 기술을 이용하여 성형된 탄성 접촉 소자의 예를 도시한 것이다. 도1b는 발명의 명칭이 "리소그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 전술된 미국 특허 출원에 개시된 것과 같은 리소그래피 기술을 이용하여 성형된 탄성 접촉 소자의 예를 도시한 것이다. 대개, 탄성 접촉 소자는 반도체 집적 회로, 탐침 카드, 인터포저(interposer) 및 다른 전기 조립체와 같은 임의의 수의 기판상에서 유용하다. 일예로, 탄성 접촉 소자의 기부는 집적 회로 상의 접촉 단자에 장착될 수 있거나 또는 인터포저 기판의 접촉 단자 상에 또는 탐침 카드 기판상에 또는 전기 접촉 단자 또는 패드를 구비한 다른 기판상에 장착될 수 있다. 각각의 탄성 접촉 소자의 자유단은 탄성 접촉 소자를 갖는 하나의 기판이 탄성 접촉 소자의 자유단과 접촉하는 접촉 소자를 갖는 다른 기판을 향해 압박될 때 압력 접속을 통해 전기 접촉을 이루도록 또 다른 기판상의 접촉 패드에 대해 위치될 수 있다.These elastic contact elements are usually elongated metal structures molded in accordance with the method disclosed in US Pat. No. 5,476,211 in one embodiment. In another embodiment, the elastic contact element is lithographically molded (eg, in the manner disclosed in the patent application described above, which is named "lithographically molded microelectronic contact structure"). 1A shows an example of an elastic contact element molded using the technique disclosed in US Pat. No. 5,476,211. FIG. 1B shows an example of an elastic contact element molded using a lithographic technique such as that disclosed in the above-mentioned US patent application, which is named "lithographically molded microelectronic contact structure." In general, elastic contact elements are useful on any number of substrates, such as semiconductor integrated circuits, probe cards, interposers, and other electrical assemblies. In one example, the base of the resilient contact element may be mounted to a contact terminal on an integrated circuit or may be mounted on a contact terminal of an interposer substrate or on a probe card substrate or on another substrate with electrical contact terminals or pads. have. The free end of each elastic contact element is contacted on another substrate such that one substrate having the elastic contact element is in electrical contact via a pressure connection when pressed against another substrate having a contact element in contact with the free end of the elastic contact element. It can be positioned relative to the pad.
몇몇 경우에, 납땜과 같은 조작에 의해 자유단을 대응 접촉 소자에 고정하는 것이 바람직할 수 있음을 알 수 있다. 그러나, 많은 경우에, 탄성 접촉 소자의 접촉 단부가 자유로운 상태에 있도록 2 개의 기판들 간의 압력에 의해 접촉이 이루어지도록 하는 것이 적절하다.In some cases, it may be desirable to secure the free end to the corresponding contact element by an operation such as soldering. In many cases, however, it is appropriate to make contact by the pressure between the two substrates such that the contact end of the elastic contact element is free.
탄성 접촉 소자는 그 탄성이 양호한 전기 접촉을 위한 압력을 유지시키고 그 높이가 약간 달라지더라도 모든 접촉 소자가 접촉을 이룰 수 있도록 수직 또는 Z 방향으로의 공차를 허용하기 때문에 전기 접촉을 하기에 유용하다. 그러나, 이러한 압력은 때때로 수직 방향으로 과도하게 압축될 때 탄성 접촉 소자의 변형 또는 저하를 가져오게 된다. 그러한 탄성 접촉 소자의 변형 또는 저하를 방지하는 하나의 접근법은 2 개의 기판 중 하나의 기판상의 정지 구조물을 이용하는 것이다. 정지 구조물은 2 개의 기판이 서로를 향해 압박됨으로써 각각의 탄성 접촉 소자가 과도굽힘(과도한 변형)되는 것을 방지하도록 탄성 접촉 소자의 최대 변형을 효과적으로 제한한다. 도1a는 각각의 접촉 패드에 대해 그 위에 장착된 탄성 접촉 소자(110)를 구비한 접촉 패드(103)를 갖는 집적 회로의 일예를 도시한다. 복수의 정지 구조물(104, 105)은 집적 회로(102)의 표면 상에 배치된다. 이들 정지 구조물은 과도 변형을 막고 반도체 집적 회로(102)의 표면을 향해 압박되는 또 다른 기판과 결합할 수 있다.Elastic contact elements are useful for electrical contact because their elasticity maintains pressure for good electrical contact and allows tolerance in the vertical or Z direction so that all contact elements can make contact even if their height varies slightly. . However, these pressures sometimes lead to deformation or degradation of the elastic contact element when excessively compressed in the vertical direction. One approach to preventing deformation or degradation of such elastic contact elements is to use a stationary structure on one of the two substrates. The stationary structure effectively limits the maximum deformation of the elastic contact element to prevent the two substrates from being pushed towards each other, thereby preventing each elastic contact element from over-bending (excessive deformation). 1A shows an example of an integrated circuit having
도1b는 반도체 집적 회로(120)와 같은 기판상의 리소그래피 성형 탄성 접촉 소자의 일예를 도시한 것이다. 집적 회로는 그 표면 상에 정지 구조물(150)을 포함한다.FIG. 1B illustrates an example of a lithographic molded elastic contact element on a substrate, such as a semiconductor integrated
도1b의 리소그래피 성형 탄성 접촉 구조물은 집적 회로(120)의 기판의 표면 상의 패시베이션층(121) 내의 개구를 통해 접착 패드(122)와 전기적 상호 접속하는 중간층(123)을 포함한다. 제1 금속층(125)과 제2 금속층(126)은 그후 단차부(128)와 비임부(127)를 구비한 비임을 생성하도록 형성된다. 이러한 예에서, 비임부는 기판(120)의 표면과 실제 평행하다. 요소(181, 182, 183, 184, 185)들을 포함하는 선단 구조물은 그후 탄성 접촉 구조물을 생성하도록 비임(127)의 단부에 장착된다. 그러한 리소그래피 성형 탄성 접촉 구조물을 생성하고 이용하기 위한 방법에 관한 추가 세부 내용은 위에 언급되고 본 명세서에 참고로 기재된 발명의 명칭이 "리소 그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 공동 계류중인 미국 특허 출원에 개시되어 있다. 리소그래피 성형 탄성 접촉 소자는 반도체 산업에서 일반적으로 행해지는 현재의 포토리소그래피 기술을 이용하여 리소그래피 성형될 수 있는 장점을 제공하기는 하지만, 이러한 형태의 탄성 접촉 소자에는 어떠한 단점이 존재하게 된다. 일예로, 도1b에 도시된 힘(F)이 선단(185)에 대해 하향 인가될 때, 토크 작용이 탄성 접촉 소자의 기부에서 발생한다. 이러한 토크 작용은 또 다른 기판상의 접촉 소자가 선단(185)을 향해 압박될 때 생기는 압력 접촉에 기인한다. 기부에서의 이러한 토크는 기부에서 비임부를 따라 압박하는 경향이 있다. 비임부(127)가 직사각형 형태라면, 이는 탄성 접촉 소자의 기부에 가장 가까운 비임의 부분에서 국지화된 응력을 가져오게 된다. 정지 구조물(150)이 어느 수준의 응력을 초과하지 않는 어느 정도의 확실성을 제공하지만, 직사각형 형태의 결과로서 탄성 접촉 소자의 설계시에 고려해야 하는 어떠한 집중 응력 구역이 여전히 존재하게 된다. 대개, 이들 집중 응력 구역을 고려하는 것은 탄성 접촉 소자의 어떤 일정한 지점에서의 재료의 사용량의 증가를 필요로하게 된다. 이는 차례로 탄성 접촉 소자를 더 작게 설계하는 능력을 제한할 수 있다. 이는 반도체 집적 회로 상의 구조물의 크기가 시간이 지남에 따라 줄어들 때 특히 바람직하지 못하다.The lithographic molded elastic contact structure of FIG. 1B includes an
따라서, 향상된 탄성 접촉 소자를 제공하는 것이 바람직하다.Therefore, it is desirable to provide an improved elastic contact element.
본 발명은 상호 접속 조립체와, 그 조립체를 제작 및 이용하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일태양의 전형적인 실시예는 기판에 부착되도록 구성된 기부와, 기부에 접속되어 그로부터 연장하는 비임부를 포함하는 접촉 소자를 포함한다. 비임부는 응력을 최적화하도록 선택된 비임 기하학적 형태를 갖는다. 비임부는 일실시예에서 실제 삼각형 형태이고 프리스탠딩(freestanding)이 되도록 구성된다.The present invention provides an interconnect assembly and a method of making and using the assembly. An exemplary embodiment of one aspect of the invention includes a contact element comprising a base configured to attach to a substrate and a beam portion connected to and extending from the base. The beam has a beam geometry selected to optimize stress. The beam is in one embodiment actually triangular in shape and configured to be freestanding.
본 발명의 또 다른 태양의 전형적인 실시예는 접촉 소자를 성형하기 위한 방법을 포함한다. 이러한 방법은 전기 조립체의 기판에 부착되는 기부를 성형하는 단계와, 기부에 접속된 비임부를 성형하는 단계를 포함한다. 비임부는 응력을 최적화하도록 선택된 비임 기하학적 형태를 갖는다. 비임부는 기부로부터 연장하고 일실시예에서 실제 삼각형 형태이고 프리스탠딩이 되도록 구성된다.An exemplary embodiment of another aspect of the present invention includes a method for forming a contact element. The method includes shaping the base attached to the substrate of the electrical assembly and shaping the beam portion connected to the base. The beam has a beam geometry selected to optimize stress. The non-pregnancy extends from the base and in one embodiment is configured to be actually triangular and freestanding.
본 발명의 또 다른 예에서, 탄성 전기 접촉 소자는 기판에 부착되는 기부와, 기부에 접속되어 그로부터 연장하는 비임부를 포함한다. 비임부는 프리스탠딩이 되도록 구성되고 비임부의 소정 크기의 압박이 주어진 실제 최적화된 응력 인자와 탄성 접촉 소자의 소정의 스프링 상수(즉, 스프링율)을 생성하도록 선택된 비임 기하학적 형태를 갖는다. 이러한 예의 일실시예에서, 기하학적 형태는 실제 일정한 단면적을 갖는 외팔보 비임 위로의 탄성 접촉 소자의 성능을 향상시키도록 선택된다. 그 성능은 일예로 편향될 때 비임 전체에 걸쳐 응력을 실제 균일하게 분포시킴으로써향상될 수 있다.In another example of the invention, an elastic electrical contact element includes a base attached to a substrate and a beam portion connected to and extending from the base. The beam is configured to be freestanding and has a beam geometry selected to produce a given spring constant (i.e., spring rate) of the elastic contact element with an actual optimized stress factor given a predetermined magnitude of pressure on the beam. In one example of this example, the geometry is selected to enhance the performance of the elastic contact element over the cantilever beam with a substantially constant cross-sectional area. The performance can be improved, for example, by actually uniformly distributing the stress throughout the beam when deflected.
본 발명의 어느 다른 실시예에서, 복수의 접촉 소자가 상호 접속 조립체를 생성하도록 함께 이용됨을 알 수 있다.In any other embodiment of the invention, it can be seen that a plurality of contact elements are used together to create the interconnect assembly.
다양한 다른 조립체 및 방법이 다음의 도면과 관련하여 아래에 또한 기재되어 있다.Various other assemblies and methods are also described below in connection with the following figures.
본 발명은 상호 접속 조립체와, 그 조립체를 제작 및 이용하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일예에서, 상호 접속 조립체는 기판과, 기판상에 배치된 접촉 소자를 포함한다. 접촉 소자의 제1 부분은 프리스탠딩이 되도록 구성되고 힘이 접촉 소자의 제1 부분에 인가될 때 제1 위치로부터 제2 위치로 이동할 수 있도록 된다. 상호 접속 조립체는 접촉 소자의 제2 부분 상에 배치된 정지 구조물을 더 포함한다. 정지 구조물은 접촉 소자의 제2 위치를 부분적으로 한정한다. 본 발명의 하나의 전형적인 특정 실시예에서, 기판은 반도체 집적 회로를 포함한다. 또 다른 접촉 소자가 접촉 소자와 기계적 및 전기적 접촉할 때 힘이 인가된다. 정지 구조물은 접촉 소자의 최대 굴곡을 형성하는 제2 위치를 한정한다.The present invention provides an interconnect assembly and a method of making and using the assembly. In one embodiment of the invention, the interconnect assembly includes a substrate and a contact element disposed on the substrate. The first portion of the contact element is configured to be freestanding and is able to move from the first position to the second position when a force is applied to the first portion of the contact element. The interconnect assembly further includes a stop structure disposed on the second portion of the contact element. The stationary structure partially defines the second position of the contact element. In one exemplary specific embodiment of the invention, the substrate comprises a semiconductor integrated circuit. Force is applied when another contact element is in mechanical and electrical contact with the contact element. The stationary structure defines a second position that forms the maximum curvature of the contact element.
본 발명의 또 다른 예에 따라, 상호 접속 조립체는 접촉 소자를 기판상에 배치하는 방법에 의해 성형되고, 접촉 소자의 제1 부분은 프리스탠딩이 되도록 구성되고 힘이 접촉 소자의 제1 부분에 인가될 때 제1 위치로부터 제2 위치로 이동할 수 있게 된다. 그 방법은 또한 정지 구조물을 접촉 소자의 제2 부분 상에 배치하는 단계를 포함하고, 그 정지 구조물은 제2 위치를 한정한다.According to another example of the invention, the interconnect assembly is shaped by a method of placing a contact element on a substrate, the first portion of the contact element being configured to be freestanding and a force applied to the first portion of the contact element. When it is possible to move from the first position to the second position. The method also includes placing the stop structure on the second portion of the contact element, the stop structure defining the second position.
본 발명의 복수의 접촉 소자가 상호 접속 조립체를 생성하도록 이용될 수 있음을 알 수 있다.It will be appreciated that a plurality of contact elements of the present invention can be used to create an interconnect assembly.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 방법의 예는 주형을 이용한 프리스탠딩이 되도록 구성된 긴 탄성 접촉 소자의 성형을 포함한다. 이러한 방법에서, 주형은 변형 가능한 재료로 내리눌려지고, 주형은 프리스탠딩이 되도록 구성된 긴 탄성 접촉 소자의 적어도 일부의 형상을 결정한다. 이러한 프리스탠딩이 되도록 구성된 긴 탄성 접촉 소자의 부분은 그후 변형 가능한 재료 상에서 성형된다.An example of a method according to another aspect of the present invention includes the molding of an elongate elastic contact element configured to be freestanding with a mold. In this way, the mold is pressed down into the deformable material and the mold determines the shape of at least a portion of the elongate elastic contact element configured to be freestanding. The portion of the elongate elastic contact element configured to be such a freestanding is then molded on the deformable material.
다양한 다른 조립체 및 방법이 다음의 도면과 관련하여 아래에 기재되어 있다.Various other assemblies and methods are described below in connection with the following figures.
본 발명은 유사한 요소들에 유사한 도면 부호가 부기된 첨부 도면을 예로 들어 설명되어 있고 그 도면들에 한정되지 않는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention has been described by way of example with reference to the accompanying drawings, in which like elements are provided with like reference numerals and are not limited thereto.
본 발명은 상호 접속 조립체 및 방법에 관한 것이고 더 구체적으로는 상호 접속 조립체와, 집적 회로 상의 접촉 소자에 기계적 및 전기적 접속되는 방법에 관한 것이다. 다음의 설명 및 도면은 본 발명을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 완전한 이해를 제공하도록 수많은 구체적인 세부 내용이 설명되어 있다. 그러나, 다른 경우에, 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하지 않도록 잘 알려지거나 통상적인 세부 내용은 설명하지 않기로 한다.The present invention relates to interconnect assemblies and methods and more particularly to methods of mechanically and electrically connecting interconnect assemblies and contact elements on integrated circuits. The following description and drawings are intended to illustrate the invention and should not be construed as limiting the invention. Numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. In other instances, however, well known or conventional details will not be described so as not to unnecessarily obscure the present invention.
도2a는 본 발명의 실시예의 일예인 탄성 접촉 소자의 단면도이다. 도2a의 탄성 접촉 소자(201)는 기판(202)의 표면에 대해 경사각을 갖도록 형성된 제1 금속층(209)과 제2 금속층(210)을 포함한다. 제1 금속층(209)은 탄성 접촉 소자에 탄성을 제공하도록 그 탄성 특성을 위해 선택될 수 있고 제2 금속층(210)은 탄성 접촉 소자에 양호한 전기 전도성을 제공하도록 그 전기 전도성 특성을 위해 선택될 수 있다. 기판(202)은 대개 그 중 하나가 도2a의 접촉 패드(207)로서 도시된 다양한 단자를 포함하는 집적 회로를 포함하는 반도체 기판이다. 대표적 단자들은 입 력/출력 신호, 동력 또는 접지를 전하게 된다. 이러한 접촉 패드(207)는 배선층(206)을 통해 집적 회로 내의 내부 회로에 결합된다. 배선층(206)은 절연층(204) 내에 배치되고, 층(206, 204)은 기판(202)의 상부면 상의 패시베이션층(205)에 의해 덮여질 수 있다. 층(203)은 집적 회로에서 공지되어 있고 이용되는 절연층, 폴리실리콘층 또는 다른 층일 수 있다. 접촉 패드(207)는 접촉 패드(207) 위에 배치된 쇼팅(shorting)층(208)에 전기적 및 기계적 결합된다. 금속층(209, 210)은 각각의 금속층(209, 210)의 기부가 위에 형성되어 있고 접촉 패드(207)에 전기 접속되는 쇼팅층(208) 위에 형성된다. 접촉 패드(207) 간의 전기 전도성은 쇼팅층(208)과 금속층(209)을 거쳐 최종적으로는 금속층(210)으로 발생하게 된다. 도2a의 탄성 접촉 소자(201)는 또한 탄성 접촉 소자가 기판(202) 내의 도체로부터 탄성 접촉 소자(201)의 프리스탠딩이 되도록 구성된 선단으로 전기 전도성을 제공할 수 있는 탐침 카드 조립체 또는 인터포저나 다른 접속 시스템과 같은 다른 형태의 상호 접속 조립체에 이용될 수 있음을 알 수 있다. 도2a로부터 알 수 있는 바와 같이, 이러한 탄성 접촉 소자는 프리스탠딩이 되도록 구성되고 긴 형상을 갖는다. 또한, 도2a에 도시된 실시예에서, 탄성 접촉 소자는 기판(202)의 표면에 대해 경사져 있다. 바람직한 실시예에서, 이러한 경사는 대개 기판(202)의 표면에 대해 경사각을 형성한다.2A is a cross-sectional view of an elastic contact element as an example of an embodiment of the invention. The
본 발명의 하나의 특정 실시예에서, 탄성 접촉 소자(201)는 기부로부터 연장하는 비임부가 실제 삼각형 형상을 갖도록 성형될 수 있다. 이는 도3a에 도시된 탄성 접촉 구조물(301)의 평면도에 도시되어 있다. 즉, 탄성 접촉 소자(201)의 비 임부(215)는 도3a에 도시된 탄성 접촉 소자(301)의 비임부(303)와 같은 실제 삼각형 형상을 갖도록 성형될 수 있다. 탄성 접촉 소자(301)는 비임부에 부착되는 기부(302)와, 또 다른 상호 접속 단자/패드와 전기 접촉하는 선단(304)을 포함한다. 도3b는 실제 삼각형 형상을 갖는 비임부(303A)를 구비한 탄성 접촉 소자(301A)의 또 다른 예의 평면도이다. 비임부(303A)는 기부(302A)에 부착되고 선단(304A)을 포함한다.In one particular embodiment of the invention, the
도2b는 정지 구조물(211)이 기판(202)의 상부면 상에 배치되고 또한 탄성 접촉 소자(212)의 기부(214)의 일부의 상부 상에 배치된 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것이다. 도2b에 도시된 이러한 실시예에서, 기판(202)은 도2a에 도시된 상호 접속 조립체의 경우와 유사한 요소(203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210)들을 포함한다. 탄성 접촉 소자(212)는 양 금속층의 기부(214)가 쇼팅층(208)의 상부면 상에 놓여있는 한편 비임부(215)가 기판(202)의 표면에 대해 사각으로 기부(214)의 일단부로부터 연장하도록 성형되는 2 개의 금속층(209, 210)을 포함한다. 탄성 접촉 소자(212)의 비임부는 삼각형 형상 또는 탄성 접촉 소자에 이용되는 것으로 알려져 있는 직사각형 형상 또는 다른 형상과 같은 다른 형상을 갖게 될 수 있다. 그러나, 일실시예에서, 비임(215)은 도3a의 비임(303) 또는 도3b의 비임(303A)과 같은 삼각형 형상을 갖는 것이 바람직하다. 정지 구조물(211)은 탄성 접촉 소자(212)의 기부(214) 위에 형성된다. 정지 구조물(211)은 힘(F)에 의해 기판(202)의 표면을 향해 압박될 때 탄성 접촉 소자(212)의 최대 편향량을 결정함으로써 탄성 접촉 소자의 과도굴곡(즉, 과도 편향)을 방지하는 작용을 한다. 또 다 른 기판상의 접촉 패드와 같은 또 다른 접촉 소자가 탄성 접촉 소자(212)의 선단(216)을 향해 압박될 때, 정지 구조물(211)의 상부면은 기판이 기판(202)의 표면을 향해 추가 압박되는 것을 방지하도록 다른 기판의 대응면과 결합하게 된다. 즉, 두 개의 기판 간의 이동은 정지 구조물(211)이 기판들 간의 최소 거리를 한정하거나 결정하여 탄성 접촉 소자(212)의 최대 굴곡을 한정하거나 결정하도록 정지 구조물(211)에 의해 한정된다. 정지 구조물의 장점 및 이용과 관련된 또 다른 세부 내용은 본 명세서에 참고로 기재되어 있고 1998년 7월 13일에 출원된 발명의 명칭이 "상호 접속 조립체 및 방법"인 공동 계류중인 미국 특허 출원 제09/032,473호에 개시되어 있다. FIG. 2B illustrates another embodiment of the present invention in which a
도2c는 본 발명의 하나의 전형적인 실시예에 따른 정지 구조물을 갖춘 탄성 접촉 구조물의 간단한 예를 도시한 것이다. 상호 접속 조립체(231)는 배선층(237)이 내부에 매설된 기판(232)을 포함한다. 배선층(237)은 탄성 접촉 소자(234)의 기부(235)에 전기적으로 결합된다. 기부(235)는 비임부(236)에 결합된다. 대개 아래에 기재된 대로, 비임부(236)와 기부(235)는 하나의 조작으로 일체로 성형된다. 기부(235)와 비임부(236) 모두는 도2a 및 도2b에 도시된 것과 같은 층(208, 209, 210)과 같은 다중 전도성층들을 포함할 수 있다. 도2a 및 도2b에 도시된 실시예의 경우와 같이, 탄성 접촉 소자(234)의 비임부(236)는 기판(232)의 표면에 대해 경사각을 가지고 기부(235)의 일단부로부터 연장한다. 정지 구조물(233)은 기판(232)의 표면 위에 배치되어 그 표면에 부착되고 또한 기부(235)의 상부면 위에 배치되어 그 상부면에 부착된다. 도2c에 도시된 대로, 배선층(237)의 단부는 기 부(235)에 기계적으로 부착되어 그 기부에 전기적으로 결합된다. 정지 구조물(233)이 기판(232)의 상부면과 기부(235)의 상부면에 기계적으로 부착되기 때문에, (예를 들면, 접촉 패드(411)와 같은 접촉 패드가 기판(232)의 표면을 향해 압박될 때 비임부(236)의 선단에 대해 가해진 힘의 결과로서의) 기부(235)에 생성된 임의의 토크는 단지 기부(235)와 비임부(236) 보다는 정지 구조물(233)을 포함하는 전체 구조물의 다양한 부품을 통해 균형이 이루어질 수 있다. 또 다른 실시예에서 정지 구조물은 기판(232)이 아닌 단지 기부(235) 상에 배치될 수 있고 이러한 정지 구조물은 기부에 생성된 임의의 토크의 균형을 맞추는 경향이 있다.2C shows a simple example of an elastic contact structure with a stop structure in accordance with one exemplary embodiment of the present invention. The
몇몇 치수들이 본 발명의 예들을 제공하기 위해 도2c 및 도3a에 명시되어 있다. 다음의 예들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 것이고 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니며 본 발명의 범주 내에 있는 가능한 구조물에 대한 철저한 예들을 제공하기 위한 것이 아님을 알 수 있다. 거리 c는 (예를 들면, 도4에 도시된) 하나의 예에서 탄성 접촉 소자의 최대 변위 또는 편향을 나타낸다. 하나의 예에서, 이는 약 75마이크로미터(약 3mil)이다. 이러한 거리 c는 탄성 접촉 소자의 "고장" 이전에 이용 가능한 편향 또는 굴곡의 총량인 소자의 컴플라이언스 보다 대개 더 작다. (예를 들면, 도4에 도시된) 하나의 예에서의 거리는 선단에 대해 압박되는 힘이 존재하지 않는 지점으로부터 선단이 정지 구조물(233)의 상부면과 동일 높이로 압박되는 지점 까지의 선단의 이동을 나타낸다. 이들 두 개의 상태의 예들은 힘이 선단에 인가되지 않는 도2c와, 하나의 기판(410)이 정지 구조물(406, 407)의 상부면과 실제 접촉하는 표면을 갖도록 힘이 선단에 인가되지 않는 도4에 도시되어 있다.Some dimensions are specified in FIGS. 2C and 3A to provide examples of the present invention. It is to be understood that the following examples are merely intended to illustrate the invention and are not intended to limit the invention and to provide exhaustive examples of possible structures that are within the scope of the invention. The distance c represents the maximum displacement or deflection of the elastic contact element in one example (eg, shown in FIG. 4). In one example, this is about 75 micrometers (about 3 mils). This distance c is usually smaller than the compliance of the device, which is the total amount of deflection or curvature available prior to the "failure" of the elastic contact element. The distance in one example (eg, shown in FIG. 4) is the distance of the tip from the point where no force is pressed against the tip to the point where the tip is pressed flush with the top surface of the
두께 t는 도2c에 도시된 대로 탄성 접촉 소자의 수직 단면에서의 탄성 접촉 소자의 총 두께를 나타낸다. 대개, 이러한 두께는 다른 실시예에서 어떠한 단면에서 상이할 수 있지만 임의의 특정 단면에 걸쳐 거의 동일하다. 또한 도2c는 탄성 접촉 소자(234)의 간단한 예를 나타내고 기부와 비임부는 하나 이상의 전도성층으로부터 제조될 수 있음을 알 수 있다. 전형적인 실시예에서, 두께는 약 25마이크로미터이고 탄성 접촉 소자(234)의 총 높이 h는 약 150마이크로미터(약 6mil)이다.The thickness t represents the total thickness of the elastic contact element in the vertical section of the elastic contact element as shown in Fig. 2C. Usually, these thicknesses may be different in any cross section in other embodiments but are nearly the same across any particular cross section. 2C also shows a simple example of an
어떠한 실시예에 대해, 탄성 접촉 소자의 스프링율은 약 1 내지 2 g/mil일 수 있고, 여기에서 스프링율 "k"는 스프링의 변위에 의해 나누어진 스프링력(k=F/x)를 나타낸다. 특정 탄성 접촉 소자에 대해 기하학적 형태 및 재료가 선택되게 되면, 스프링의 두께는 대개 스프링율을 결정하게 됨을 알 수 있다. 두께는 최대 편향에서의 응력 결정의 주요 인자이고, 그 인자는 또한 탄성 접촉 소자의 재료에 좌우된다. 어떠한 설계 포인트 또는 목적은 탄성 접촉 소자의 가능한 최대 응력이 소정량 보다 작도록 탄성 접촉 소자에 대해 수립됨을 알 수 있다. 정지 구조물(233)의 이용함으로써 최대 응력양을 조절하기 쉽고 또한 탄성 접촉 소자의 기부에서의 토크를 방해함으로써 최대 편향에서의 응력을 경감하기 쉽다. 이는 도4로부터 알 수 있으며 아래에 또한 기재되어 있다.For some embodiments, the spring rate of the elastic contact element can be about 1 to 2 g / mil, where spring rate "k" represents the spring force (k = F / x) divided by the displacement of the spring. . It can be seen that when geometry and material are selected for a particular elastic contact element, the thickness of the spring will largely determine the spring rate. Thickness is a major factor of stress determination at maximum deflection, which factor also depends on the material of the elastic contact element. It can be seen that any design point or purpose is established for the elastic contact element such that the maximum possible stress of the elastic contact element is less than the predetermined amount. By using the
탄성 접촉 소자는 도2d, 도2e, 도2f, 도2g 및 도2h와 관련하여 본 명세서에 기재되어 있는 어떠한 장점을 제공하는 곡선 형태를 갖게 될 수 있다. 도2d는 기부(235A), 선단(239A) 및 만곡 비임부(236A)를 포함하는 만곡 탄성 접촉 소 자(234A)의 단면도이다. 기부(235A)는 배선층(237)에 전기적으로 결합된다. 비임부의 곡률은 탄성 접촉 소자의 편향 중에 비임부의 절곡을 보정하는 데 이용될 수 있다. 이러한 보정은 도2e, 도2f, 도2g 및 도2h에 비교 도시되어 있다.The elastic contact element can have a curved shape that provides any of the advantages described herein with respect to FIGS. 2D, 2E, 2F, 2G, and 2H. FIG. 2D is a cross-sectional view of curved
정지 구조물(233)은 기부(235A) 상에 그리고 기판(232) 상에 (선택적으로) 배치된다.The
도2e 및 도2f는 탄성 접촉 소자의 편향 전후에 초기 일직선 탄성 접촉 소자를 각각 도시한 것이다. 힘(F)이 비임부(236)의 선단에 인가될 때, 비임부는 도2f에 도시된 대로 만곡되고 이로 인해 선단은 다른 기판상의 접촉점의 표면으로부터 멀리 경사지게 되고 접촉점의 표면을 나타내는 라인과 비임부의 단부를 통한 라인 사이에서 얕은각(θ1)이 형성되게 된다. 이들 라인들은 각(θ)와 함께 도2f에 도시되어 있다. 이러한 각이 얕음으로써 양호한 전기 접속을 위해 바람직하지 못한 경향이 있다.2E and 2F show the initial straight elastic contact elements before and after deflection of the elastic contact elements, respectively. When a force F is applied to the tip of the
도2g 및 도2h는 탄성 접촉 소자의 편향 전후에 초기 만곡된 탄성 접촉 소자를 각각 도시한 것이다. 힘(F)이 비임부(236A)의 선단에 인가될 때, 이러한 비임부는 도2h에 도시된 대로 일직선으로 되기 쉽다. 이러한 일직선의 결과로, (접촉점의 표면을 나타내는 라인과 비임부의 단부를 통한 라인 사이의 각) 각(θ2)는 각(θ1) 만큼 얕지 않아 더 양호한 전기 접촉이 만곡된 탄성 접촉 소자를 이용하여 달성될 수 있다. 2G and 2H respectively show the initial curved elastic contact elements before and after deflection of the elastic contact elements. When the force F is applied to the tip of the
도3a 및 도3b는 탄성 접촉 소자의 비임부가 실제 삼각형 형상을 갖는 본 발 명의 또 다른 태양을 도시한 것이다. 탄성 접촉 소자(301)는 도2c에서의 기부(235)에 대응하는 기부(302)를 포함한다. 도3a의 평면도에 도시된 비임부(303)는 도2c의 비임부(236)에 대응한다. 비임부(303)는 도2c의 탄성 접촉 소자(234)의 선단(239)에 대응하는 선단(304)을 포함한다. 비임부(303)의 삼각형 형상은 선단(304)이 기부(302)기 그 위에 얹혀 있는 표면을 향해 압박될 때 생성되는 응력을 (예를 들면, 선단에서 기부 까지의) 전체 비임에 걸쳐 더 균일하게 분포하기 쉽다. 이는 비임부(303)에서의 더 적은 재료의 사용을 가능하게 하는 한편 탄성 접촉 소자의 유효 수명에 걸쳐 지속된 응력을 견디는 능력과 같은 탄성 접촉 소자의 양호한 성능을 계속해서 얻게 된다. 도3b는 또 다른 삼각형 형상의 탄성 접촉 소자를 도시한 것이다.3A and 3B show another aspect of the present invention in which the beam portion of the elastic contact element has an actual triangular shape. The
도3c는 실제 삼각형 형상을 갖는 탄성 접촉 소자의 또 다른 예를 도시한 평면도이다. 탄성 접촉 소자(310)의 비임부는 대개 프리스탠딩이 되도록 구성되고 내리눌려질 때 편향될 수 있고 삼각형부(314)와 직사각형부(312)를 포함한다. 삼각형부는 기부(316)에 부착된다. 비임부는 경사각을 가지고 기부(316)에 부착될 수 있고 기부(316)와 함께 리소그래피 성형될 수 있다. 상이한 단면(318, 320)에서 취한 단면적은 상이하고, 이는 또한 정확한 위치에 있는 탄성 접촉 소자(301, 301A)임을 알 수 있다.3C is a plan view showing another example of an elastic contact element having an actual triangular shape. The beam portion of the
이러한 실제 삼각형 형상의 탄성 접촉 소자의 비임부의 기하학적 형상은 실제 일정한 단면적을 갖는 외팔보 비임 스프링에 걸쳐 향상된 성능을 제공한다. 다른 형상들이 또한 실제 일정한 단면적을 갖는 외팔보 비임 스프링에 대해 향상된 성능을 제공하도록 선택될 수 있다. 실제 삼각형 형상은 응력 하에서 더 양호한 스프링 행위를 제공하고 스프링의 더 조밀한 패킹(작은 피치)를 가능하게 한다. 도3d는 (집적 회로와의 영구 접촉을 검사하거나 그 영구 접촉에 이용될 수 있는 집적 회로 또는 전기 접속 기판일 수 있는) 기판(322) 상의 도3c에 도시된 형태의 조밀 패킹된(예를 들면, 10마이크로미터 피치의) 탄성 접촉 소자(310A, 310B, 310C, 310D)의 어레이를 도시한 것이다. 비임부의 기하학적 형태는 주어진 크기 상태(예를 들면, 접촉 소자의 패킹에 의해 결정된 크기)와 주어진 스프링율 및 접촉 소자의 컴플라이언스의 주어진/소정 량에 대한 최적의 응력 행위를 제공하도록 선택된다. 주어진 스프링율 및 주어진 컴플라이언스에 대해 크기 제약에 의해 결정된 더 작은 크기는 일정한 단면적을 갖는 외팔보 비임의 어떠한 지점에 더 큰 응력을 놓이게 하는 경향이 있다. 한편, 실제 삼각형 형상의 탄성 접촉 소자는 (도3d에 도시된) 더 조밀한 패킹 및 더 작은 크기를 가능하게 하는 한편, 동일한 스프링율과 주어진 컴플라이언스에 대해 응력 하에서 더 양호한 행위를 가능하게 한다.The geometry of the beam portion of this actual triangular shaped elastic contact element provides improved performance over a cantilever beam spring having a substantially constant cross-sectional area. Other shapes may also be chosen to provide improved performance for cantilever beam springs having a substantially constant cross sectional area. The actual triangular shape provides better spring behavior under stress and allows for tighter packing (small pitch) of the spring. Figure 3d is a densely packed (e. G., Of the type shown in Figure 3c on a substrate 322 (which may be an integrated circuit or an electrical connection substrate that may be used for inspection or for permanent contact with an integrated circuit). And an array of
전형적인 실시예에서, 치수 l1과 l2는 약 9mil인데 반해 치수 l3는 약 27mil이다. 이들 탄성 접촉 소자의 어레이는 그러한 탄성 접촉 소자의 조밀 패킹된 어레이를 생성하도록 집적 회로 또는 집적 회로에 접촉하는 접촉기와 같은 기판상에 형성될 수 있다. 도8b는 기판(803) 상의 어레이의 레이아웃(layout)의 일예를 도시한 것이다. 일실시예에서, 이들 탄성 접촉 소자는 너무 조밀하게 패킹될 수 있어 인접한 접촉 소자 상의 대응 지점(일예로, 기부) 간의 거리는 30mil 보다 작고 0.1mil(약 2.5마이크로미터) 만큼 더욱 작아지게 된다. 도3d는 조밀 패킹된(조밀 피치의) 탄성 접촉 소자의 어레이의 또 다른 예를 도시한 것이다.In a typical embodiment, dimensions l 1 and l 2 are about 9 mils whereas dimension l 3 is about 27 mils. The array of these elastic contact elements can be formed on a substrate, such as an integrated circuit or a contactor in contact with the integrated circuit, to produce a densely packed array of such elastic contact elements. 8B shows an example of the layout of an array on the
이제 본 발명의 일실시예에 따른 상호 접속 조립체의 실제 사용에 대해 도4를 참고로 하여 설명하기로 한다. 기판(402)은 비임부(405)와 기부(404)를 구비한 탄성 접촉 소자(403)를 포함한다. 이러한 특정 실시예에서, 비임부(405)는 삼각형 형상을 갖거나 또는 직사각형 형상과 같은 또 다른 형상을 갖게될 수 있다. 2 개의 정지 구조물(406, 407)은 기판(402)의 상부면에 부착되고 정지 구조물(406)은 또한 기부(404)의 상부에 부착된다. 기부(404)는 기판(402) 내의 배선층(415)과 기계적 및 전기적 접촉한다. 기판(402)은 반도체 집적 회로이거나 탐침 카드 또는 인터포저 구조물과 같은 패시브(passive) 배선층일 수 있음을 알 수 있다. 접촉 패드(411)를 갖는 또 다른 상호 접속 조립체(410)는 도4에 도시된 대로 비임부(405)의 선단과 기계적 및 전기적 접촉하게 된다. 기판(410, 402)을 포함하는 전체 조립체(401)는 비임부(405)의 선단과 접촉 패드(411)의 표면 간의 양호한 압력 접속을 보증하도록 서로 압박된다. 접촉 패드(411)는 기판(410)의 배선층(412)을 통해 다른 요소들과 전기적 접촉한다. 기판(410)이 기판(402)을 향해 압박될 때, 비임부(405)의 선단은 도4에 도시된 화살표 방향(413)을 따라 측방향으로 발생하는 와이핑(wiping) 작용을 일으키게 된다. 이는 비임부(405)와 패드(411) 간의 전기적 접촉을 향상시켜, 배선층(415, 412)들 간의 전기적 접촉을 향상시킨다. 도4는 기판(410)이 기판(402)에 대해 완전히 압박되어 추가 "이동"이 가능하지 않는(그 기판들이 더 근접할 수 없는) 상황을 도시한 것임을 알 수 있다. 이는 탄성 접촉 소자(403)의 최대 편향을 나타낸다. 그러나, 조립체(401)의 사용에 있어서, 두 개의 기판은 탄성 접촉 소자(403)가 최대 편향 보다 작게 편향되는 한편 비임(405)과 패드(411) 간의 수용 가능한 전기 전도성을 얻도록 맞닿게 되지 않을 수 있다. 기판(402, 410)의 최종 조립체는 기계적 힘(예를 들면, 도4에 도시된 Fm) 및/또는 (도시되지 않은) 기판(402, 410)의 표면 사이에 도포된 접착제에 의한 것을 포함하는 다양한 기술에 의해(탄성 접촉 소자의 최대 편향 또는 최대 편향 이하의 편향으로) 적소에 유지될 수 있다.The actual use of the interconnect assembly according to one embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG. The
이제 상호 접속 조립체의 제조 방법에 대해 설명하기로 하며, 이러한 방법은 본 발명의 하나의 특정 예를 나타내며 다양한 다른 방법이 다른 기술 및 처리를 이용하여 채용될 수 있음을 알 수 있다. 도5에 도시된 방법(500)은 작업 502에서 시작한다. 이러한 특정 방법은 어떠한 배치 및 기하학적 형상을 갖는 접촉 패드를 상이한 배치 및 기하학적 형상을 갖는 또 다른 세트의 접촉 패드에 재분배하기 위해 재분배층이 도포되는 것으로 생각한다. 다른 상황에서 재분배층은 필요하지 않을 수 있으며 본 발명의 접촉 소자는 도6e에 도시된 대로 재분배층 없이도 기판의 배선층 상에 직접 접속될 수 있음을 알 수 있다. 작업 502에 있어서, 폴리아미드층과 같은 패시베이션층은 상부면 상에 배치된 접촉 패드를 구비한 기판의 상부면에 도포된다. 일실시예에서, 폴리아미드층은 표면을 균일하게 덮도록 상부면 상으로 스핀될 수 있다. 그후 패시베이션층은 기판의 표면에서의 접촉 패드 위로 패시베이션층 내에 개구를 형성하도록 종래의 포토리소그래피를 이용하여 패터닝된다. 이들 접촉 패드는 반도체 집적 회로에서의 입력/출력 상호 접속부일 수 있거나 또는 탐침 카드나 인터포저 또는 다른 상호 접속 조립체와 같은 패시브 또는 액티브 기판상의 접촉 단자일 수 있다.A method of making an interconnect assembly will now be described, and it will be appreciated that this method represents one particular example of the present invention and that various other methods may be employed using other techniques and processes. The
도6a는 기판(602)의 상부면에서 접촉(604)을 갖는 상호 접속 조립체(601)의 예를 도시한 것이다. 배선층(603)은 기판(602) 내의 회로 또는 기판(602) 상의 또 다른 위치에서의 접촉 단자와 같은 또 다른 요소와 패드(604) 간의 전기 전도성을 제공하기 위해 기판(602) 내에 배치된다. 대개 배선층(603)은 기판(602) 내의 절연층 내에 배치됨을 알 수 있다. 도6a에 도시된 부분은 기판(602)의 상부이고 다른 배선층 및/또는 회로는 도6a에 도시된 이러한 부분 아래에 배치됨을 또한 알 수 있다. 작업 402에서 도포된 패시베이션층은 도6a에서 패시베이션층(605)으로서 도시되어 있다. 이러한 패시베이션층은 접촉 패드(604) 위에 개구(606)를 형성하도록 패터닝된다.6A shows an example of an
도5의 작업 504에서, 쇼팅층은 패시베이션층(605)의 표면과 접촉 패드(604)의 표면 위로 도포된다. 그후, 종래의 포토레지스트는 쇼팅층의 전체면 위로 도포되고 이러한 포토레지스트는 쇼팅층 위에 개구를 형성하도록 종래의 포토리소그래피를 이용하여 패터닝된다. 쇼팅층은 동, 티타늄, 또는 티타늄/텅스텐 또는 다른 적절한 금속으로부터 성형될 수 있고 층(605)의 표면 상에 스퍼터링될 수 있다. 작업 504 후의 상호 접속 조립체의 예가 도6b에 도시되어 있다. 도6b의 상호 접속 조립체(608)는 패시베이션층(605)과 접촉 패드(604) 위에 배치된 쇼팅층(609)을 포함한다. 접촉 패드와 쇼팅층(609)은 전기 전도성을 갖는다. 패터닝된 포토레지스 트층(610)은 일부의 쇼팅층 위에 개구(611)를 포함한다. 이러한 개구는 접촉 패드(604)의 레이아웃이 또 다른 위치에 재분배되는 재분배층을 생성하는 데 이용된다. 이는 탄성 접촉 소자가 기판(602) 상에 성형될 때 공정의 마지막에서 얻게 되는 상호 접속 피치를 완화하도록 행해질 수 있다. 도6c는 재분배 배선층의 평면도이다. 특히, 도6c는 패터닝된 포토레지스트(610) 내에 구멍을 형성하는 포토레지스트층(610) 내의 패턴을 도시한 것이다. 이러한 구멍은 도6c에 도시된 대로 쇼팅층(609)의 일부를 노출시킨다.In
도5의 작업 506에서, 재분배층은 쇼팅층 위로 도포된다. 이러한 재분배층은 금속층(예를 들면, 동 또는 금)의 전해도금에 의해 쇼팅층이 전해도금 작업에서 음극으로서 이용되는 쇼팅층의 노출부 상에 도포될 수 있다. 일반적인 기판상에서 패터닝된 포토레지스트(610) 내의 각각의 패터닝된 개구 내에서 기판의 표면 상에 형성된 그러한 많은 재분배 트레이스(trace)가 존재함을 알 수 있다. In
재분배층이 도포된 후에, 패터닝된 포토레지스트층(610)은 제거되고 패터닝된 포토레지스트층의 제거 후에 노출된 쇼팅층이 또한 제거된다. 재분배층은 쇼팅층을 제거하도록 마스크로서 이용될 수 있다. 따라서, 이러한 경우에, 대개 하나의 금속(예를 들면, Ti/W)은 쇼팅층을 형성하는 데 이용되고 또 다른 금속(예를 들면, Cu)은 재분배층이 손상되지 않는 한편 쇼팅층이 재분배층 금속에 의해 영향을 받지 않는 용제 또는 에칭 작용제의 작용 하에서 에칭되거나 제거되도록 재분배층을 형성하는 데 이용된다. 작업 506의 결과는 도6d에 도시되어 있다. 패터닝된 포토레지스트층(610)은 제거되고 쇼팅층(609)의 비보호부는 또한 제거되어 도6d에 도시된 상호 접속 조립체(614)의 구조물이 남게됨을 알 수 있다. (예를 들면, 층(642)이 층 내의 개구로 인해 구역과 전기적으로 절연되기 때문에) 쇼팅층(609)이 이후의 전해도금에 필요한 또 다른 실시예에서, 쇼팅층(609)은 그후 작업 506에서 제거되지 않고 작업 514에서 제거된다.After the redistribution layer is applied, the patterned
작업 502, 504 및 506은 기판(602)의 표면 상의 재분배층과 같은 복수의 재분배 트레이스를 형성하는 데 이용됨을 알 수 있다. 이는 접촉 패드가 탄성 접촉 소자 이외의 상호 접속 기구에 접속되도록 설계되거나 또는 다른 이유들로 인해 바람직할 수 있는 몇몇 경우에 필요할 수 있다. 몇몇 경우에 그러한 재분배층은 필요없게 되어 탄성 접촉 소자가 기판의 표면 상의 비아(via) 또는 다른 접촉 소자 상에 제조될 수 있음을 또한 알 수 있다. 비아의 예는 전도성 재료의 포스트(623)가 기판(621)의 상부면(622)에 노출된 도6e에 도시되어 있다. 이러한 전도성 포스트(623)는 또한 기판(621) 내에 있는 배선층(623)에 전기적 결합된다. 대개, 배선층(624)과 포스트(623)를 둘러싸는 재료는 절연층이다. 인쇄 회로 기판, 인터포저등과 같은 다른 상호 접속 조립체가 또한 이용될 수 있지만 기판(621)은 대개 반도체 집적 회로의 일부가 된다. 도6e에 도시된 구조물(620)로부터의 처리는 도5의 단계 508로부터 516을 거쳐 도6d에 도시된 구조물(614)의 처리와 유사하다. 즉, 구조물(620)이 작업 502, 504 및 506에서 처리될 필요는 없지만, 도6d에 도시된 구조물(614)과 같이 작업 508, 510, 512, 514 및 516으로 처리될 수 있다.It can be seen that
방법 500에서의 다음의 작업은 포토레지스트가 도포되고 포토레지스트 상에 사면을 갖는 개구를 포함하도록 패터닝되는 작업 508이다. 그에 기인한 상호 접속 조립체의 구조물은 도6f에서의 구조물(631)로서 도시되어 있다. 포토레지스트(633)는 개구의 일부 상에 사면(634)을 갖는 개구(632)를 형성하도록 도포 및 패터닝된다. 개구는 일부의 전도성층(615) 위에 적어도 부분적으로 배치된다. 대개 이러한 개구의 편평부는 탄성 접촉 소자의 기부를 제작하는 데 이용되는 한편 경사부(634)는 탄성 접촉 소자의 비임부를 제작하는 데 이용됨을 알 수 있다.The next operation in
포토레지스트 상에 사면을 포함하는 포토레지스트 내에 개구를 형성하기 위한 그 기술 분야에서 알려진 수많은 기술이 존재한다. 일예로, 투명한 것으로부터 검정 까지의 불투명도의 비교적 연속적인 변화를 갖는 그레이-스케일(gray-scale) 마스크가 포토레지스트 상에 사면을 형성하는 데 이용될 수 있다. 다른 방법이 테이퍼형 측벽을 제공하는 데 이용될 수 있고, 그 방법은 개구의 측면을 테이퍼 가공하도록 마스킹 재료를 완만하게 재유동시키는 단계와, 마스킹 재료에 광 노출 강도 또는 시간을 조절하는 단계와, 노출 중에 마스킹층으로부터의 마스크의 거리를 가변시키는 단계와, 더 큰 투명 구역을 갖는 마스크와는 별개로 작은 투명 구역을 갖는 마스크를 통해 또는 이들 방법의 조합을 통해 마스킹을 두 번 이상 노출시키는 단계를 포함한다. 테이퍼형 측벽을 갖는 개구를 성형하기 위한 방법은 위에 언급되고 본 명세서에 참고로 기재된 발명의 명칭이 "리소그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 공동 계류중인 미국 특허 출원에 또한 개시되어 있다. 그후 탄성 접촉 소자를 성형하는 데 이용되는 변형 가능한 재료로 주형이 사면을 스탬핑하는 데 이용되는 방법이 또한 아래에 기재되어 있다.There are a number of techniques known in the art for forming openings in photoresists including slopes on the photoresist. In one example, a gray-scale mask with a relatively continuous change in opacity from transparent to black can be used to form a slope on the photoresist. Other methods can be used to provide tapered sidewalls, the method comprising gently reflowing the masking material to taper the sides of the opening, adjusting the light exposure intensity or time to the masking material, Varying the distance of the mask from the masking layer during exposure, and exposing the masking more than once through a mask having a small transparent zone separate from the mask having a larger transparent zone or through a combination of these methods. Include. A method for forming openings with tapered sidewalls is also disclosed in a co-pending US patent application entitled "Lithographically Formed Microelectronic Contact Structures" mentioned above and described herein by reference. Also described below is a method in which the mold is used to stamp the slope with the deformable material used to form the elastic contact element.
작업 508 후에, 작업 510은 시드층을 도포하는 단계와 그후 탄성 접촉 소자 의 (하나의 전형적인 실시예에서) 삼각형 개구를 형성하도록 포토레지스트층을 도포 및 패터닝하는 단계를 포함한다. 도6g에 도시된 시드층(642)은 적절한 금속층(예를 들면, Cu 또는 Ti 또는 Ti/W)을 포토레지스트(633)의 표면 상으로 통상적으로 스퍼터링함으로써 도포될 수 있다. 쇼팅층(609)이 작업 506에서 제거되게 되면, 그후 시드층(642)은 측벽(645)을 제외하고는 연속적인 전도성 표면을 제공해야 하나, 쇼팅층(609)이 작업 506에서 유지되게 되면, 그후 시드층(642)은 그 전체 표면에 걸쳐 전기적으로 불연속적일 수 있다.After
하나의 바람직한 실행에 있어서, 포토레지스트(633) 내의 개구가 시드 재료의 연속층을 수용하지 않도록 스퍼터링된 재료가 수직 측벽(645) 상에 잔류하는 것을 피하거나 방지하도록 스퍼터링 작업에서 주의가 요구된다. 또 다른 실행에 있어서, 스퍼터링은 수직 측벽(645)의 일부 또는 전부를 덮게 된다. 이러한 실행에 있어서, 그 후의 마스킹 및 패터닝 단계가 수직 측벽 상에 추가의 전도성 재료의 그 후의 적층을 최소화하거나 방지하도록 스퍼터링된 측벽의 일부 또는 전부를 덮는 것이 대개 바람직하다.In one preferred implementation, care is required in the sputtering operation to avoid or prevent the sputtered material from remaining on the
시드층(642)이 도포된 후에, 포토레지스트층은 도6g에 도시된 대로 시드층(642)의 표면 위에 도포된다. 이러한 포토레지스트층은 그후 도6g에 도시된 대로 패터닝된 포토레지스트층(646) 내에 개구(643)를 형성하도록 패터닝된다. 이러한 개구는 금속층과 같은 적어도 하나의 전도성층을 시드층(642)의 노출부의 상부 상에 적층하는 데 이용된다. 이는 시드층(642)의 노출부의 경사부(644) 상에 탄성 소자의 비임부의 적층을 포함하게 된다. 이후의 도금 또는 다른 적층 작업이 최종 형상의 외형을 정상적인 방식으로 메우는 것이 대개 바람직하다. 하나의 바람직한 실시예에서, 시드층은 특히 포토레지스트가 작업 510의 마스킹 및 패터닝 단계로부터의 장소에서 우선 포토레지스트 내의 개구의 기부에 있도록 적층된다.After
도6g는 작업 510의 완료 후의 구조물(641)의 예를 도시한 것이다. 도6h는 구조물(641)의 일부의 평면도이다. 특히, 개구(643) 위의 구조물(641)의 일부는 도6h의 평면도에 도시되어 있다. 패터닝된 포토레지스트층(646)은 시드층(642)의 단지 일부를 노출시킴을 알 수 있다. 도6h에 도시된 특정 예에서, 탄성 접촉 소자의 기부는 노출된 시드층(642)의 직사각형부에 형성되고 탄성 접촉 소자의 비임부는 노출된 시드층(642)의 삼각형부에 형성된다. 이로 인해 도3a에 도시된 탄성 접촉 구조물과 같은 실제 삼각형 형상인 비임부를 갖는 탄성 접촉 구조물을 가져오게 된다. 다른 실시예에서 직사각형 형상과 같은 다른 형상들이 비임부에 이용될 수 있어 그러한 구조물의 평면도는 도6h과는 다르게 보임을 알 수 있다.6G shows an example of
작업 510의 완료에 의해 구조물(641)이 생성된 후에, 도6i에 도시된 구조물(651)을 얻기 위해 작업 512이 구조물(641) 상에서 수행된다. 작업 512는 대개 하나의 전형적인 실시예에서 제1 금속층과 제2 금속층의 삼각형 개구 내로의 전해도금하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 개구는 상이한 형상(예를 들면, 직사각형 비임부를 생성하는 직사각형 형상)일 수 있고 또 다른 방법이 개구 내로 하나 이상의 전도성층을 적층하도록 채용될 수 있다. 시드층(642)(또는 시드층(642)이 그 표면에 걸쳐 전기적으로 불연속적이라면 하방에 놓인 유지 쇼팅층)은 도6i에 도시된 대로 금속층(652, 653)을 개구(643) 내의 쇼팅층의 노출부 상에 도 금하도록 전해도금 작업에서의 음극으로서 이용된다. 일실시예에서, 제1 금속층(652)은 최종 탄성 접촉 소자가 그 의도된 작업을 위해 충분한 탄성을 갖도록 하는 충분한 기계적 탄성을 제공하도록 선택된다. 하나의 특정 실시예에서, 니켈 코발트 합금이 이용될 수 있다. 이러한 합금은 70% 니켈 및 30% 코발트일 수 있다. 이러한 합금은 1997년 9월 17일에 출원된 공동 계류중인 출원 제08/931,923호에 개시된 대로 열처리될 수 있다. 제2 금속층(653)은 양호한 전기 전도성을 제공하도록 대개 선택되고, 일예로 금이나 로듐 또는 팔라듐 코발트 합금이 이용될 수 있다. 다양한 다른 층들 및 재료의 구성에 대해 또한 아래에 기재하기로 한다. 또한 수많은 다른 형태의 재료들이 이들 금속층에 대해 선택될 수 있음을 알 수 있고, 이들 재료들은 미국 특허 제5,476,211호에 개시되어 있다.After
하나 이상의 전도성층들이 개구(643) 내로 적층되고 구조물(651)이 완성된 후에, 그후 도6j에 도시된 구조물(661)을 얻기 위해 포토레지스트층과 스퍼터링된 쇼팅층을 제거하도록 작업 514가 수행된다. 포토레지스트층을 제거하기 위한 통상적인 용제 또는 드라이 에칭 방법이 이용되고 시드층(642)과 같은 스퍼터링된 시드층을 선택적으로 제거하는 용제 또는 에천트(etchant)가 쇼팅층을 제거하는 데 이용된다. 따라서, 패터닝된 포토레지스트층(646)과 패터닝된 포토레지스트층(636)이 제거된다. 또한, 거의 모든 시드층(642)이 도6j에 도시된 탄성 접촉 소자(662)의 기부 아래의 층 부분을 제외하고 제거된다. 이로 인해 (이동 정지 구조물 없이도) 그후 상호 접속 조립체로서 이용될 수 있거나 또는 그러한 구조물이 작업 516에서 생성된 후에 이동 정지 구조물과 함께 이용될 수 있는 도6j에 도시된 구조물 을 가져오게 된다.After one or more conductive layers are stacked into the
상호 접속 조립체용 정지 구조물을 형성하는 것이 바람직하다면, 그후 단계(516)가 구조물(661) 상에서 수행된다. 이러한 작업은 구조물(661)의 전체 표면에 걸쳐 상업적으로 이용 가능한 SU8과 같은 네가티브 포토레지스트와 같은 광-화상 형성 가능한 재료(PIM)의 도포를 포함하게 된다. 이러한 PIM이 균일한 두께로 비교적 편평하게 바람직하게는 가능한 편평하게 도포되는 것이 바람직하다. 따라서, 포토레지스트와 같은 PIM을 구조물(661)의 표면 상으로 스핀(spin)하는 것이 바람직하다. 스펀 온(spun-on)후에 탄성 접촉 소자(662)의 기부를 덮도록 충분한 포토레지스트 재료를 도포하는 데 주의를 기울여야 한다. 즉, 이러한 스펀-온 포토레지스트에 의해 생성된 최종 구조물의 높이는 탄성 접촉 소자의 기부의 높이(h) 이상이어야 한다. 대개, 최종 구조물의 높이는 또한 탄성 접촉 소자의 프리스탠딩이 되도록 구성된 접촉의 높이 이하이어야 한다. 대개, 프리스탠딩이 되도록 구성된 접촉과 이러한 포토레지스트에 의해 생성된 최종 정지 구조물의 높이 간의 차이는 전술된 최대 편향량(c)으로 되도록 제작되어야 한다.If it is desired to form a stop structure for the interconnect assembly, then step 516 is performed on the
적절한 양의 포토레지스트가 탄성 접촉 소자(소자들)의 기부의 높이(h)에 대해 포토레지스트의 소정 높이를 얻도록 도포된 후에, 포토레지스트층은 노출되어 발달된다. 포토레지스트층은 탄성 접촉 소자의 비임부 근방 및 아래의 구역이 노출되지 않은 상태로 있는 한편 인접 구역들이 노출되도록 마스크(690)를 통해 노출된다. 일실시예에서의 PIM이 네가티브 포토레지스트이기 때문에, 이는 마스크(690)로 인해 노출되지 않는 구역이 포토레지스트를 제거하도록 발전되고(포토레 지스트의 노출부는 그대로 있으며) 도6k에 도시된 대로 개구(674)를 형성하는 것을 의미한다. 일실시예에서, 이러한 마스크(690)는 비임부가 개구(674) 내에서 상방 및 하방으로 이동하기에 충분한 간극을 제공하는 직사각형 마스크로 될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 마스크(690)는 탄성 접촉 소자가 삼각형 비임 형상을 갖게 될 때 탄성 접촉 소자의 비임부의 삼각형 형상 주위로 끼워맞춰지도록 설계되는 삼각형 마스크로 될 수 있다. 따라서, 도6k에 도시된 구조물(671)은 작업 516으로부터 생기게 되고 패시베이션층(605)과 전도성층(615) 및 탄성 접촉 구조물의 기부(652A, 653A)에 부착되는 정지 구조물(672)을 생성한다. 정지 구조물(672)의 일부(673)는 기부(652A, 653A) 위에서 기부에 부착된다.After an appropriate amount of photoresist is applied to obtain a predetermined height of the photoresist relative to the height h of the base of the elastic contact element (element), the photoresist layer is exposed and developed. The photoresist layer is exposed through the
도6l은 도6k에 도시된 구조물의 평면도이다. 도6l에서 마스크(690)는 직사각형 형상 이외에 삼각형 형상을 갖는 것으로 생각한다. 따라서, 정지 구조물을 성형하는 패터닝된 포토레지스트(672)에서의 개구는 삼각형 비임부의 형상과 조화되는 한편 비임부가 개구(674) 내에서 상방 및 하방으로 이동하기에 충분한 간극을 제공하는 삼각형 개구이다. 기부(653a)는 도6l에서 이동 정지 구조물(672)의 하방에 놓여 있는 것으로 도시되어 있다. 또 다른 실시예에서, 직사각형 마스크(690a)는 도7b에 도시된 직사각형 개구(674a)를 형성하도록 노출 작업 516에서 비임부 위에 이용될 수 있다. 정지 구조물(672) 내의 이러한 직사각형 개구는 도7b에 도시된 삼각형 비임부에 이용되거나 직사각형인 비임부에 이용될 수 있다. 어느것의 마스크 기하학적 형상이 선택되든지 간에 비임부가 정지 구조물(672) 내의 개구 내에서 상방 및 하방으로 이동하기에 충분한 간극을 제공해야 함을 알 수 있다.6L is a top view of the structure shown in FIG. 6K. In FIG. 6L, the
도7a는 주위의 정지 구조물을 포함하고 탄성 접촉 소자의 기부 상에 배치된 복수의 탄성 접촉 소자의 단면도를 도시한 것이다.FIG. 7A illustrates a cross-sectional view of a plurality of elastic contact elements including a peripheral stationary structure and disposed on the base of the elastic contact element. FIG.
도8a는 3 개의 부분, 즉 기부와 비임부 및 접촉부를 포함하는 탄성 접촉 소자를 생성하기 위한 또 다른 실시예를 도시한 것이다. 접촉부는 위에 상세히 기재된 제2 전자 소자와의 접촉에 유용하다. 또한, 접촉부는 선단 구조물을 비임의 단부 상에 부착하는 데 이용될 수 있다. 다양한 선단 구조물의 예와 선단 구조물의 장착 방법은 발명의 명칭이 "리소그래피 성형 마이크로일렉트로닉 접촉 구조물"인 공동 계류중인 미국 특허 출원 및 또한 1997년 3월 17일에 출원된 공동 계류중인 미국 특허 출원 제08/819,464호에 개시되어 있다. 특히, 도8a는 (이러한 조립체가 재분배층을 이용하지 않기 때문에 작업 502, 504 및 506이 없이) 작업 512 후의 상호 접속 조립체의 제조 공정에서의 단계 후의 구조물을 도시한 것이다. 도8a의 구조물은 기판(602a)의 절연층 내에 배치된 전도성 포스트(604a)를 포함한다. 전도성 포스트는 도6i의 시드층(642)에 대응하는 시드층(642a)에 전기적 결합된다. 시드층(642a)은 경사진 측벽을 구비한 개구를 포함하는 패터닝된 포토레지스트층(633a) 위로 스퍼터링된다. 스퍼터링된 시드층(642a)은 도8a에 도시된 구조물을 생성하도록 두 개의 금속층을 전해도금하는 데 이용된다. 전해도금 작업은 도6i의 패터닝된 마스크(646)에 대응하는 패터닝된 포토레지스트 마스크(646a)를 통해 일어난다. 도금 작업이 발생한 후에, 각각의 금속층은 기부(653a)와 같은 기부와 비임부(653b)와 같은 비임부와 접촉부(653c)와 같은 접촉부를 포함한다. 전해도금 작업이 완료된 후에, 포토레지스트층(646a, 633a)을 제거하도록 작업 514가 수행될 수 있고 스퍼터링된 시드층(642a)은 기부(653a) 아래의 부분을 제외하고는 제거될 수 있다. 그로 인해 구조물은 정지 구조물 없이도 상호 접속 조립체 내의 탄성 접촉 소자로서 이용될 수 있고 또는 정지 구조물은 전술된 대로 작업 516을 수행함으로써 성형될 수 있다.Figure 8a illustrates another embodiment for creating an elastic contact element comprising three portions, a base and a beam and a contact. The contact is useful for contact with the second electronic element described above in detail. The contact can also be used to attach the tip structure on the end of the beam. Examples of various tip structures and methods of mounting the tip structures include co-pending U.S. patent applications entitled "lithography molded microelectronic contact structures" and also co-pending U.S. patent applications filed on March 17, 1997. / 819,464. In particular, FIG. 8A shows the structure after a step in the fabrication process of the interconnect assembly after operation 512 (without
도8b는 기판(803)의 표면 상의 두 개의 탄성 접촉 소자(801, 802)의 어레이(800)를 도시한 것이다. 도8b는 사시도이고 대개 많은 수의 탄성 접촉 소자가 반도체 집적 회로 또는 다른 상호 접속 조립체와 같은 기판의 표면 상에 배치될 수 있음을 알 수 있다. 도8b에 도시된 탄성 접촉 소자는 비임 구조물의 단부에 접촉부를 포함한다는 점에서 도8a에 도시된 형태와 유사하다. 비임부(653B)와 같은 비임 구조물은 기부(653A)에 부착된 실제 삼각형 형상일 수 있다. 접촉부(653C)는 그 자체로 또 다른 접촉 단자(예를 들면, 도4에 도시된 접촉 단자(411))와 접촉하는 접촉 선단으로서 제공될 수 있거나 또는 전술된 선단 구조물은 선단 구조물을 제공하도록 기부(653C) 상에 장착될 수 있다. 이러한 구조물은 또한 (예를 들면, 납땜 또는 전도성 에폭시를 이용하여) 접촉 패드에 영구 접속될 수 있다.8B shows an
도9a, 도9b, 도9c 및 도9d는 본 발명에 따른 탄성 접촉 소자를 성형하기 위한 또 다른 방법을 도시한 것이다. 포토리소그래피 성형될 수 있는 주형(901)은 탄성 접촉 소자의 적어도 일부의 "네가티브" 화상을 포함한다. 주형(901)은 변형 가능한 재료(903) 상에 사용되기에 앞서 도9a에 도시된 상태로 있고 배선층(906)을 포함하는 기판(905) 상에 배치된 변형 가능한 재료(903) 위에 배치된다. 기판(905)과 배선층(906)은 도6e에 도시된 구조물과 유사하다. 변형 가능한 재 료(903)는 주형으로 압박되거나 스탬프 가공될 때 변형 가능하고 탄성 접촉 소자를 성형하도록 스프링 금속의 데포지션(deposition)을 수용하는 데 이용될 수 있고 이후에 제거될 수 있는 PMMA(폴리 메틸 메사크릴레이트)와 같은 임의의 많은 재료로 될 수 있다. 주형(901)은 도9a에 도시된 실시예에서 기부(901B)와 경사부(901A)를 포함한다. 회전된 "L"자 형태(예를 들면, ￢) 또는 도2d의 만곡 비임부를 발생시키는 형태를 포함한 다른 기하학적 형태가 이용될 수 있음을 알 수 있다.9A, 9B, 9C and 9D illustrate another method for forming the elastic contact element according to the present invention. The
주형(901)은 도9b에 도시된 변형 가능한 재료로 압박된다. 몇파운드의 압력이 소정의 형태를 얻도록 변형 가능한 재료를 변형시키기 위해 (변형 가능한 재료의 형태에 따라) 필요할 수 있다. 하나의 전형적인 실시예에서 이는 기부(901B)를 기판(905)의 표면에 근접 접촉시켜, 변형 가능한 재료의 얇은 구역을 남기고 이러한 표면을 기부(901B)로부터 분리시킨다. 주형(901)은 도9b에 도시된 대로 그 네가티브 형상의 포지티브(positive)를 취하도록 변형 가능한 재료를 압박한다. 주형(901)은 그후 기판(905) 및 변형 가능한 재료(903)로부터 분리되어, 도9c에 도시된 구조물을 남기게 된다. 이러한 구조물은 그후 기부(901B) 아래에 놓인 변형 가능한 재료의 얇은 구역(903A)을 제거하도록 "청결"해진다. 그 구조물은 모든 노출된 변형 가능한 재료를 제거하나 기판(905)에 영향을 주지 않는 등방향성(isotopic) 에칭으로 세정될 수 있다. 이러한 에칭은 모든 얇은 구역(903A)을 제거하도록 충분한 기간 동안 수행되는 한편 경사부(903B)를 포함하는 변형 가능한 재료(903)의 대부분의 나머지 부분을 남기게 된다. 그 구조물은 플라즈마 에칭이나 반응 이온 에칭 또는 레이저 제거 에칭으로 얇은 구역(903A)을 제거하도록 세정 될 수 있다. 얇은 구역(903A)의 제거 후에, 구조물은 도9d에 도시된 상태로 되고, 성형된 변형 가능한 재료를 이용하여 탄성 접촉 소자를 생성하도록 또 다른 처리(예를 들면, 도5의 작업 510, 512, 514 및 516)를 위한 준비를 하게 된다.The
주형을 생성하는 수많은 방법이 존재한다. 주형은 웨이퍼 표면의 레이저 에칭에 의해 실리콘 웨이퍼로부터 성형될 수 있다. (경화될 수 있는) 광-화상 형성 가능한 재료로 된 글라스 보강 기판이 주형을 포토리소그래피 성형하도록 마스크와 함께 이용될 수 있다. 실리콘 카바이드 웨이퍼는 실리콘 카바이드 웨이퍼 상에 전기-방전 기계 가공 기술을 이용함으로써 주형을 형성하도록 기계 가공될 수 있다. 주형의 네가티브는 왁스(예를 들면, 파라핀) 내에 형성될 수 있고, 그후 네가티브의 표면 상에 쇼팅층을 스퍼터링하며, 그후에 주형은 왁스 상의 쇼팅층 상에 금속을 전해도금함으로써 형성된다.There are numerous ways to create a template. The mold may be molded from the silicon wafer by laser etching of the wafer surface. Glass reinforced substrates of photo-imageable materials (which may be cured) may be used with the mask to photolithographically mold the mold. Silicon carbide wafers can be machined to form molds using electro-discharge machining techniques on silicon carbide wafers. The negative of the mold can be formed in a wax (eg paraffin), then sputtering a shorting layer on the surface of the negative, and then the mold is formed by electroplating a metal on the shorting layer on the wax.
선행 논의는 재료 및 공정 단계들에 대한 어떠한 세부 내용을 설명한 것이다. 본 발명은 다른 형태의 재료 및 변형 공정으로 실행될 수 있음을 알 수 있다. 일예로, 많은 바람직한 실행 중 단지 몇몇에 있어서, 스퍼터링된 쇼팅층은 금, 알루미늄, 티타늄, 티타늄/텅스텐 또는 다른 적절한 금속을 이용할 수 있다. 또한, 재분배 트레이스(615)는 트레이스의 형성시에 동 또는 금 재료를 이용할 수 있다. 그 기술 분야에 숙련된 자라면 알 수 있는 바와 같이 유사한 결과를 얻기 위해 다른 재료들이 채용될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 다양한 층들을 성형하기 위한 다른 방법들이 채용될 수 있음을 알 수 있다. 일예로, 전해도금 이외에 일렉트로리스(electroless) 도금을 기초로 한 공정, 화학 증착(CVD), 또는 상 증착(PVD)이 이용될 수 있다. The preceding discussion describes some details of the material and process steps. It will be appreciated that the present invention may be practiced with other types of materials and deformation processes. As an example, in only some of the many preferred implementations, the sputtered shorting layer may utilize gold, aluminum, titanium, titanium / tungsten or other suitable metals. In addition,
선행 명세서에서, 본 발명은 그 전형적인 특정 실시예를 참고로 하여 설명되어 있다. 그러나, 첨부된 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 넓은 범주 및 정신으로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 알 수 있다.In the preceding specification, the invention has been described with reference to specific exemplary embodiments thereof. However, it will be appreciated that various modifications and changes may be made without departing from the broad scope and spirit of the invention as set forth in the appended claims.
본 발명에 따르면, 접촉 소자의 비임부가 기부로부터 연장하고 편향될 때 비임부 간에 응력을 실제 균일하게 분포시키는 기하학적 형태를 갖는 프리스탠딩이 되도록 구성된 상호 접속 조립체가 제공된다.According to the present invention, there is provided an interconnect assembly configured to be a freestanding having a geometry in which the beams of the contact elements extend from the base and are deflected, with a substantially even distribution of stress between the beams.
Claims (58)
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36485599A | 1999-07-30 | 1999-07-30 | |
| US09/364,788 US7435108B1 (en) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | Variable width resilient conductive contact structures |
| US09/364,788 | 1999-07-30 | ||
| US09/364,855 | 1999-07-30 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020027001207A Division KR100733525B1 (en) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | Interconnect assemblies and methods |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070043856A true KR20070043856A (en) | 2007-04-25 |
| KR100807426B1 KR100807426B1 (en) | 2008-02-25 |
Family
ID=27002648
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077003992A KR100807426B1 (en) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | Interconnect assemblies and methods |
| KR1020027001207A KR100733525B1 (en) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | Interconnect assemblies and methods |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020027001207A KR100733525B1 (en) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | Interconnect assemblies and methods |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1208595A2 (en) |
| JP (1) | JP2003506873A (en) |
| KR (2) | KR100807426B1 (en) |
| AU (1) | AU6385600A (en) |
| TW (1) | TW518916B (en) |
| WO (1) | WO2001009952A2 (en) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126220B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-10-24 | Nanonexus, Inc. | Miniaturized contact spring |
| US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
| US6888362B2 (en) | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
| US6939474B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
| US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
| US6627980B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-09-30 | Formfactor, Inc. | Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts |
| DE10143790B4 (en) * | 2001-09-06 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with at least one semiconductor chip |
| US7010854B2 (en) | 2002-04-10 | 2006-03-14 | Formfactor, Inc. | Re-assembly process for MEMS structures |
| DE102008001038B4 (en) * | 2008-04-08 | 2016-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component with a slanted structure and corresponding manufacturing method |
| US10281648B2 (en) * | 2013-07-30 | 2019-05-07 | President And Fellows Of Harvard College | Device support structures from bulk substrates |
| KR102655504B1 (en) | 2022-06-10 | 2024-04-11 | 영진전자산업 주식회사 | The pcb chamfering device with spindle fine adjustment device |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4423401A (en) * | 1982-07-21 | 1983-12-27 | Tektronix, Inc. | Thin-film electrothermal device |
| US5152695A (en) | 1991-10-10 | 1992-10-06 | Amp Incorporated | Surface mount electrical connector |
| JPH05259584A (en) * | 1992-01-14 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Integrated light defector and manufacture therefor |
| JPH06213929A (en) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Sharp Corp | Manufacture of probe head of inspecting apparatus and the probe head |
| JPH06260383A (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-16 | Nikon Corp | Exposure method |
| US5915170A (en) * | 1994-09-20 | 1999-06-22 | Tessera, Inc. | Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor |
| JPH08306708A (en) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and its fabrication |
| KR100252457B1 (en) * | 1995-05-26 | 2000-04-15 | 이고르 와이. 칸드로스 | Cantilever beams and manufacturing method of interconnects factor using sacrificial substrates |
| US5613861A (en) * | 1995-06-07 | 1997-03-25 | Xerox Corporation | Photolithographically patterned spring contact |
| JP3611637B2 (en) * | 1995-07-07 | 2005-01-19 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | Electrical connection structure of circuit members |
| JP3294084B2 (en) * | 1995-10-31 | 2002-06-17 | 沖電気工業株式会社 | Device mounting structure and mounting method |
| JP3022312B2 (en) * | 1996-04-15 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | Method of manufacturing probe card |
| EP2058667A2 (en) * | 1996-05-17 | 2009-05-13 | FormFactor, Inc. | Microelectronic spring contact element |
| JPH10303345A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Packaging structure to substrate of semiconductor chip |
| KR100577131B1 (en) * | 1997-05-15 | 2006-05-10 | 폼팩터, 인크. | Microelectronic contact structure and the production and use method thereof |
| US5944537A (en) * | 1997-12-15 | 1999-08-31 | Xerox Corporation | Photolithographically patterned spring contact and apparatus and methods for electrically contacting devices |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2001514483A patent/JP2003506873A/en active Pending
- 2000-07-28 KR KR1020077003992A patent/KR100807426B1/en not_active IP Right Cessation
- 2000-07-28 WO PCT/US2000/020530 patent/WO2001009952A2/en active Application Filing
- 2000-07-28 EP EP00950811A patent/EP1208595A2/en not_active Withdrawn
- 2000-07-28 KR KR1020027001207A patent/KR100733525B1/en not_active IP Right Cessation
- 2000-07-28 AU AU63856/00A patent/AU6385600A/en not_active Abandoned
- 2000-08-18 TW TW089115236A patent/TW518916B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003506873A (en) | 2003-02-18 |
| WO2001009952A2 (en) | 2001-02-08 |
| KR100807426B1 (en) | 2008-02-25 |
| KR100733525B1 (en) | 2007-06-28 |
| EP1208595A2 (en) | 2002-05-29 |
| TW518916B (en) | 2003-01-21 |
| WO2001009952A3 (en) | 2001-11-15 |
| KR20020022139A (en) | 2002-03-25 |
| AU6385600A (en) | 2001-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6713374B2 (en) | Interconnect assemblies and methods | |
| US20090035959A1 (en) | Interconnect assemblies and methods | |
| US7524194B2 (en) | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours | |
| KR101005246B1 (en) | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate | |
| JP3386077B2 (en) | Probe card assemblies and kits and methods of using them | |
| US6777319B2 (en) | Microelectronic spring contact repair | |
| US7245137B2 (en) | Test head assembly having paired contact structures | |
| US6528350B2 (en) | Method for fabricating a metal plated spring structure | |
| EP1277696B1 (en) | Spring with conductive coating | |
| US6297164B1 (en) | Method for producing contact structures | |
| US7642793B2 (en) | Ultra-fine pitch probe card structure | |
| US20070054515A1 (en) | Method for fabricating a contact grid array | |
| WO2001048870A2 (en) | Interconnect for microelectronic structures with enhanced spring characteristics | |
| KR20060021420A (en) | Probe and manufacturing method thereof | |
| KR100807426B1 (en) | Interconnect assemblies and methods | |
| US20050255633A1 (en) | Methods for producing an electronic device having microscopically small contact areas | |
| US6221749B1 (en) | Semiconductor device and production thereof | |
| WO2002063682A2 (en) | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours | |
| US6667627B2 (en) | Probe for inspecting semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR100325925B1 (en) | Method for making a structured metalization for a semiconductor wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120208 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |