KR20070038361A - Transfer arms having sliding protection means adjacent to location-adjusting lines in semiconductor etching equipment - Google Patents

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KR20070038361A KR1020050093597A KR20050093597A KR20070038361A KR 20070038361 A KR20070038361 A KR 20070038361A KR 1020050093597 A KR1020050093597 A KR 1020050093597A KR 20050093597 A KR20050093597 A KR 20050093597A KR 20070038361 A KR20070038361 A KR 20070038361A
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Abstract

반도체 식각 장비 내 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들(Transfer Arms)을 제공한다. 이 트랜스퍼 아암들은 반도체 식각 공정 동안 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 반도체 기판을 이송시킬 때 미끄러짐 방지 수단을 사용해서 반도체 기판이 위치 조절 라인들에 접하도록 하는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 식각 장비 내 트랜스퍼 아암이 배치된다. 상기 트랜스퍼 아암의 주 표면으로부터 미끄러짐 방지 수단들이 돌출하도록 배치된다. 상기 미끄러짐 방지 수단들 사이에 위치 조절 라인들이 배치된다. 상기 위치 조절 라인들은 트랜스퍼 아암의 주 표면에 위치한다. 상기 미끄러짐 방지 수단들은 반도체 기판의 측부와 마주보도록 배치되어서 그 기판이 위치 조절 라인들에 중첩하도록 해준다. 이를 통해서, 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 기판의 미끄러짐을 방지해서 반도체 식각 공정의 공정 환경을 안정화시켜줄 수 있다.Provide transfer arms with anti-slip means around positioning lines in semiconductor etching equipment. These transfer arms present a way to bring the semiconductor substrate into contact with the positioning lines using slip prevention means when transferring the semiconductor substrate between the process chamber and the load lock chamber during the semiconductor etching process. For this purpose, a transfer arm is placed in the semiconductor etching equipment. Anti-slip means protrude from the main surface of the transfer arm. Positioning lines are arranged between the slip prevention means. The positioning lines are located on the major surface of the transfer arm. The anti-slip means are arranged to face the sides of the semiconductor substrate so that the substrate overlaps the position adjustment lines. Through this, the transfer arm can prevent the semiconductor substrate from slipping and stabilize the process environment of the semiconductor etching process.

반도체 식각 장비, 트랜스퍼 아암, 미끄러짐 방지 수단. Semiconductor etching equipment, transfer arm, anti-slip means.

Description

반도체 식각 장비 내 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들{TRANSFER ARMS HAVING SLIDING PROTECTION MEANS ADJACENT TO LOCATION-ADJUSTING LINES IN SEMICONDUCTOR ETCHING EQUIPMENT}TRANSFER ARMS HAVING SLIDING PROTECTION MEANS ADJACENT TO LOCATION-ADJUSTING LINES IN SEMICONDUCTOR ETCHING EQUIPMENT}

도 1 은 본 발명에 따른 반도체 식각 장비를 보여주는 배치도이다.1 is a layout view showing a semiconductor etching apparatus according to the present invention.

도 2 는 도 1 의 반도체 식각 장비 내 'A' 영역을 확대해서 보여주는 평면도이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of a region 'A' in the semiconductor etching apparatus of FIG. 1.

도 3 및 도 4 는 각각이 도 2 의 트랜스퍼 아암 내 반도체 기판 및 미끄러짐 방지 수단들을 보여주는 평면도들이다.3 and 4 are plan views, respectively, showing the semiconductor substrate and the slip prevention means in the transfer arm of FIG.

도 5 는 도 3 및 도 4 의 미끄러짐 방지 수단들의 측부를 보여주는 단면도이다.FIG. 5 is a sectional view showing a side of the slip prevention means of FIGS. 3 and 4; FIG.

본 발명은 반도체 식각 장비에 관한 것으로써, 상세하게는, 반도체 식각 장비 내 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor etching equipment, and more particularly to transfer arms having slip prevention means around positioning lines in semiconductor etching equipment.

일반적으로, 반도체 식각 장비는 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에 트랜스퍼 아암을 갖는다. 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 식각 공정을 수행하는 동안 반도체 기판을 이송시키는 역할을 한다. 즉, 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 식각 장비 내 대기압 이하의 분위기에서 구동하기 때문에 기계적인 정밀성을 가지고 반도체 기판을 공정 챔버(또는 로드락 챔버)에 로딩 또는 그 챔버로부터 언 로딩시킨다. 이를 위해서, 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 식각 공정을 수행하는 동안 반도체 기판을 이송시킬 때 그 기판의 안착된 위치를 체크하기 위해서 위치 조절 라인들을 갖는다. 상기 위치 조절 라인들은 반도체 기판과 중첩하도록 트랜스퍼 아암의 주 표면에 배치된다.In general, semiconductor etching equipment has a transfer arm between the process chamber and the load lock chamber. The transfer arm serves to transfer the semiconductor substrate during the semiconductor etching process. That is, since the transfer arm is driven in an atmosphere below atmospheric pressure in the semiconductor etching equipment, the semiconductor substrate is loaded into or unloaded from the process chamber (or load lock chamber) with mechanical precision. To this end, the transfer arm has positioning lines to check the seated position of the substrate when transferring the semiconductor substrate during the semiconductor etching process. The positioning lines are disposed on the major surface of the transfer arm so as to overlap the semiconductor substrate.

그러나, 상기 위치 조절 라인들은 반도체 기판이 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 이송되는 동안 트랜스퍼 아암으로부터 미끄러지는 것을 방지할 수 없다. 왜냐하면, 상기 위치 조절 라인들은 반도체 기판의 미끄러짐을 방지하기 위해서 트랜스퍼 아암으로부터 돌출하도록 형성되지 않기 때문이다. 단지, 상기 위치 조절 라인들은 트랜스퍼 아암 상에서 반도체 기판의 안착된 위치를 체크해주는 기준점일 뿐이다. 따라서, 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 식각 공정을 수행하는 동안 반도체 기판의 미끄러짐을 방지하기 위한 반안이 강구되어져야 한다.However, the positioning lines cannot prevent the semiconductor substrate from slipping from the transfer arm while being transferred between the process chamber and the load lock chamber. This is because the positioning lines are not formed to protrude from the transfer arm in order to prevent slippage of the semiconductor substrate. The position adjustment lines are merely a reference point for checking the seated position of the semiconductor substrate on the transfer arm. Therefore, the transfer arm must be taken in advance to prevent slippage of the semiconductor substrate during the semiconductor etching process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 식각 장비 내 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 반도체 기판을 이송하는 동안 반도체 기판의 미끄러짐을 막기 위해서 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide transfer arms having anti-slip means around positioning lines to prevent slipping of a semiconductor substrate while transferring the semiconductor substrate between a process chamber and a load lock chamber in the semiconductor etching equipment. .

상기 기술적 과제를 구현하기 위해서, 본 발명은 반도체 식각 장비 내 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암을 제공한다.In order to realize the above technical problem, the present invention provides a transfer arm having anti-slip means around positioning lines in semiconductor etching equipment.

이 트랜스퍼 아암은 반도체 식각 장비 내 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 반도체 기판을 용이하게 이송시키기 위해서 미끄러짐 방지 수단들을 포함한다. 상기 미끄러짐 방지 수단들은 트랜스퍼 아암의 주 표면으로부터 돌출한다. 상기 미끄러짐 방지 수단들 사이에 위치하도록 트랜스퍼 아암의 주 표면에 위치 조절 라인들이 배치된다. 상기 위치 조절 라인들은 각각이 서로 다른 직경들을 갖는다. 상기 위치 조절 라인들은 반도체 기판에 적어도 중첩하도록 트랜스퍼 아암의 주 표면에 형성된다. 상기 미끄러짐 방지 수단들은 그들 중 일부가 위치 조절 라인들과 접하고 그리고 반도체 기판의 측부와 마주보도록 배치된다.The transfer arm includes slip prevention means for easily transferring the semiconductor substrate between the process chamber and the load lock chamber in the semiconductor etching equipment. The anti-slip means protrude from the major surface of the transfer arm. Positioning lines are arranged on the major surface of the transfer arm so as to be located between the slip prevention means. The positioning lines each have different diameters. The positioning lines are formed on the major surface of the transfer arm to at least overlap the semiconductor substrate. The anti-slip means are arranged such that some of them contact the positioning lines and face the sides of the semiconductor substrate.

이제, 본 발명의 반도체 식각 장비 내 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들은 첨부된 참조 도면들을 참조해서 보다 상세하게 설명하기로 한다.Now, transfer arms having slip prevention means around positioning lines in the semiconductor etching equipment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying reference drawings.

도 1 은 본 발명에 따른 반도체 식각 장비를 보여주는 배치도이다.1 is a layout view showing a semiconductor etching apparatus according to the present invention.

도 1 을 참조하면, 반도체 식각 장비(5)는 공정 챔버들(20, 40 및 50) 및 로드락 챔버(10)를 포함한다. 상기 로드락 챔버(10)는 반도체 식각 공정을 수행하기 전에 반도체 식각 장비(5)의 외부로부터 반도체 기판(15)이 안착되는 장소이다. 상기 반도체 기판(15)은 카세트(도면에 미 도시) 내 하나 이상 적층되어서 로드락 챔버(10) 내 안착될 수 있다. 이때에, 상기 로드락 챔버(5)는 대기압 분위기를 갖는 다.Referring to FIG. 1, the semiconductor etching equipment 5 includes process chambers 20, 40, and 50 and a load lock chamber 10. The load lock chamber 10 is a place where the semiconductor substrate 15 is seated from the outside of the semiconductor etching equipment 5 before the semiconductor etching process is performed. The semiconductor substrate 15 may be stacked in the load lock chamber 10 by stacking one or more in a cassette (not shown). At this time, the load lock chamber 5 has an atmospheric pressure atmosphere.

한편, 상기 로드락 챔버(10) 내 반도체 기판(15)이 안착된 후, 상기 반도체 식각 장비(5)는 반도체 식각 공정 동안 대기압 이하의 분위기를 갖는다. 즉, 상기 로드락 챔버(10)를 포함해서 로드락 챔버(10) 및 공정 챔버들(20, 40 및 50) 사이의 영역은 대기압 이하의 분위기를 갖는다. 계속해서, 상기 공정 챔버들(20, 40 및 50)도 대기압 이하의 분위기를 갖는다. 이때에, 상기 공정 챔버들(20, 40 및 50)은 로드락 챔버(10)로부터 소정 거리들을 각각 가지고 로드락 챔버(10) 주변에 위치한다. Meanwhile, after the semiconductor substrate 15 in the load lock chamber 10 is seated, the semiconductor etching equipment 5 has an atmosphere below atmospheric pressure during the semiconductor etching process. That is, the region between the load lock chamber 10 and the process chambers 20, 40, and 50 including the load lock chamber 10 has an atmosphere below atmospheric pressure. Subsequently, the process chambers 20, 40 and 50 also have an atmosphere below atmospheric pressure. In this case, the process chambers 20, 40, and 50 are positioned around the load lock chamber 10 with predetermined distances from the load lock chamber 10, respectively.

상기 반도체 식각 장비(5)는 로드락 챔버(10) 및 공정 챔버들(20, 40 및 50) 사이에 트랜스퍼 아암(39)을 더 포함한다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 반도체 식각 공정을 수행하는 동안 트랜스터 축(30)에 지지되어서 아암 보조대(36) 및 아암 지지대(33)를 사용해서 로드락 챔버(10) 및 공정 챔버들(20, 40 및 50) 사이를 이동할 수 있다. 이를 위해서, 상기 아암 지지대(33)는 회전 나사(34)를 사용해서 트랜스퍼 축(30) 주위를 회전 운동한다. 그리고, 상기 아암 보조대(36)는 다른 회전 나사(37)를 사용해서 아암 지지대(33) 주위를 회전 운동한다. 상기 아암 보조대(36)는 트랜스퍼 아암(39)과 접촉해서 그 아암(39)을 지지한다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 반도체 식각 공정을 수행하는 동안 대기압 이하의 분위기에서 반도체 기판(15)을 가지고 로드락 챔버(10) 및 공정 챔버들(20, 40 및 50) 사이를 이동할 수 있다. 이와는 반대로, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 아암 보조대(36) 및 아암 지지대(33)를 사용를 사용하지 않고 다른 방식을 채택해서 트랜스퍼 축(30)에 지지될 수 있다. The semiconductor etching equipment 5 further comprises a transfer arm 39 between the load lock chamber 10 and the process chambers 20, 40 and 50. The transfer arm 39 is supported on the transfer shaft 30 during the semiconductor etching process, so that the load lock chamber 10 and the process chambers 20, using the arm support 36 and the arm support 33, are supported. 40 and 50). To this end, the arm support 33 uses a rotating screw 34 to rotate around the transfer shaft 30. And the arm support 36 rotates around the arm support 33 using the other rotating screw 37. As shown in FIG. The arm support 36 is in contact with and supports the arm 39. The transfer arm 39 may move between the load lock chamber 10 and the process chambers 20, 40, and 50 with the semiconductor substrate 15 in an atmosphere below atmospheric pressure during the semiconductor etching process. On the contrary, the transfer arm 39 may be supported on the transfer shaft 30 by adopting a different method without using the arm support 36 and the arm support 33.

상기 반도체 식각 공정을 수행하는 동안, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 로드락 챔버(10) 내 반도체 기판(15)을 공정 챔버들(20, 40 및 50)에 이송시킨다. 그리고, 상기 반도체 식각 장비(5)는 공정 소오스 가스들을 공정 챔버들(20, 40 및 50) 내 투입시킨다. 상기 공정 챔버들(20, 40 및 50)은 공정 소오스 가스들을 사용해서 반도체 기판(15)에 반도체 식각 공정을 수행한다. 상기 반도체 식각 공정이 완료된 후, 상기 공정 챔버들(20, 40 및 50)을 포함해서 상기 공정 챔버들(20, 40 및 50) 및 로드락 챔버(10) 사이의 영역은 대기압 분위기를 갖는다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 공정 챔버들(20, 40 및 50) 내 반도체 기판(15)을 로드락 챔버(10)로 이송시킨다. 그리고, 상기 반도체 기판(10)은 반도체 식각 장비(5)로부터 분리될 수 있다.During the semiconductor etching process, the transfer arm 39 transfers the semiconductor substrate 15 in the load lock chamber 10 to the process chambers 20, 40, and 50. The semiconductor etching equipment 5 introduces process source gases into the process chambers 20, 40, and 50. The process chambers 20, 40, and 50 perform a semiconductor etching process on the semiconductor substrate 15 using process source gases. After the semiconductor etching process is completed, the region between the process chambers 20, 40 and 50 and the load lock chamber 10 including the process chambers 20, 40 and 50 has an atmospheric pressure atmosphere. The transfer arm 39 transfers the semiconductor substrate 15 in the process chambers 20, 40, and 50 to the load lock chamber 10. The semiconductor substrate 10 may be separated from the semiconductor etching equipment 5.

도 2 는 도 1 의 반도체 식각 장비 내 'A' 영역을 확대해서 보여주는 평면도이고, 그리고 도 3 및 도 4 는 각각이 도 2 의 트랜스퍼 아암 내 반도체 기판 및 미끄러짐 방지 수단들을 보여주는 평면도들이다. 더불어서, 도 5 는 도 3 및 도 4 의 미끄러짐 방지 수단들의 측부를 보여주는 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of region 'A' in the semiconductor etching apparatus of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are plan views showing the semiconductor substrate and the slip preventing means in the transfer arm of FIG. 2, respectively. In addition, FIG. 5 is a cross-sectional view showing the side of the slip prevention means of FIGS. 3 and 4.

도 1 및 도 2 를 참조하면, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 반도체 식각 장비(5) 내에서 고정 나사(38)들을 사용하여 아암 보조대(36)로 지지된다. 이때에, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 아암 보조대(36)로부터 시작해서 반대편을 향하여 돌출하도록 배치될 수 있다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 아암 보조대(36) 주변에서 사각형의 구조물을 가지고, 그 보조대(36)의 반대편에 'V' 자형의 구조물을 갖는다. 1 and 2, the transfer arm 39 is supported by the arm support 36 using fixing screws 38 in the semiconductor etching equipment 5. At this time, the transfer arm 39 may be arranged to protrude toward the opposite side, starting from the arm support 36. The transfer arm 39 has a rectangular structure around the arm support 36 and has a 'V' shaped structure on the opposite side of the support 36.

한편, 상기 'V' 자형 및 사각형의 구조물들을 지나도록 트랜스퍼 아암(39)의 주 표면에 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)이 배치된다. 상기 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)은 각각이 서로 다른 직경들을 갖도록 형성된다. 이때에, 상기 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)은 트랜스퍼 아암(39)의 주 표면 상에 원호로 나타낼 수 있다. 상기 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)은 트랜스퍼 아암(39)의 주 표면으로부터 아래를 향하여 연장해서 소정 폭의 굴곡 형태로 이루어질 수 있다. 상기 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)은 그 라인들(C1, C2 및 C3)의 직경들의 크기가 커지는 순서로 트랜스퍼 아암(39)의 주 표면으로부터 서로 다른 높이의 측벽들을 갖도록 돌출될 수도 있다. On the other hand, position adjustment lines C1, C2 and C3 are arranged on the main surface of the transfer arm 39 so as to pass through the 'V'-shaped and rectangular structures. The positioning lines C1, C2 and C3 are each formed to have different diameters. At this time, the positioning lines C1, C2 and C3 may be represented by an arc on the main surface of the transfer arm 39. The positioning lines C1, C2 and C3 may extend downward from the main surface of the transfer arm 39 to have a curved shape of a predetermined width. The positioning lines C1, C2 and C3 may protrude to have sidewalls of different heights from the main surface of the transfer arm 39 in the order of increasing size of the diameters of the lines C1, C2 and C3. have.

도 1, 도 3 및 도 5 를 참조하면, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)과 함께 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4)을 가질 수 있다. 상기 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4)은 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)을 사이에 두고 트랜스퍼 아암(39) 상에 배치될 수 있다. 이때에, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4)은 사각형 및 'V' 자형의 구조물들 상에 2 개씩 배치될 수 있다. 1, 3 and 5, the transfer arm 39 may have slip prevention means P1, P2, P3 and P4 together with the position adjustment lines C1, C2 and C3. The slip preventing means P1, P2, P3 and P4 may be arranged on the transfer arm 39 with the position adjusting lines C1, C2 and C3 interposed therebetween. At this time, according to an embodiment of the present invention, the slip prevention means (P1, P2, P3 and P4) may be disposed on each of the two rectangular and 'V' shaped structures.

한편, 상기 사각형의 구조물 상의 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2)은 최외각의 위치 조절 라인(C3)과 접하도록 형성된다. 그리고, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4)의 측부는 도 5 와 같이 사다리꼴의 평면도형(60)을 갖도록 형성된다. 이를 통해서, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4)은 반도체 기판(15)의 측부와 마주보도록 배치된다. On the other hand, the slip prevention means (P1, P2) on the rectangular structure is formed to contact the outermost position adjusting line (C3). The side portions of the slip preventing means P1, P2, P3 and P4 are formed to have a trapezoidal planar shape 60 as shown in FIG. 5. Through this, the slip preventing means P1, P2, P3 and P4 are arranged to face the side of the semiconductor substrate 15.

상기 반도체 식각 공정을 수행하는 동안, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 도 1 의 공정 챔버들(20, 40 및 50) 및 로드락 챔버(10) 사이에서 반도체 기판(15)을 이송시킨다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 미끄러짐 방지 수단들(P1, P2, P3 및 P4) 사이에 반도체 기판(15)을 갖는다. 이때에, 상기 반도체 기판(15)은 소정 폭(W)의 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)들 사이에 위치해서 그들(C1, C2 및 C3) 중 하나(C2)와 적어도 중첩한다. During the semiconductor etching process, the transfer arm 39 transfers the semiconductor substrate 15 between the process chambers 20, 40, and 50 and the load lock chamber 10 of FIG. 1. The transfer arm 39 has a semiconductor substrate 15 between slip prevention means P1, P2, P3 and P4. At this time, the semiconductor substrate 15 is positioned between the position adjusting lines C1, C2 and C3 of a predetermined width W and at least overlaps one of them C2, C2 and C3.

도 1, 도 4 및 도 5 를 참조하면, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 도 2 의 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)과 함께 도 3 과 다른 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7)을 가질 수 있다. 상기 다른 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7)은 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)을 사이에 두고 트랜스퍼 아암(39) 상에 배치될 수 있다. 이때에, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7) 중 하나(P5)는 사각형의 구조물 상에 배치되고 그리고 그 나머지(P6, P7)는 'V' 자형의 구조물 상에 배치될 수 있다. 1, 4 and 5, the transfer arm 39, together with the position adjusting lines C1, C2 and C3 of FIG. 2, are different from the anti-slip means P5, P6 and P7. Can have The other anti-slip means P5, P6 and P7 may be arranged on the transfer arm 39 with the position adjusting lines C1, C2 and C3 interposed therebetween. At this time, according to another embodiment of the present invention, one of the slip prevention means (P5, P6 and P7) is disposed on the rectangular structure and the remaining (P6, P7) is a 'V' shape It can be placed on the structure of.

한편, 상기 사각형의 구조물 상의 미끄러짐 방지 수단(P5)은 최외각의 위치 조절 라인(C3)과 접하도록 형성된다. 그리고, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7)의 측부는 도 5 와 같이 사다리꼴의 평면도형(60)을 갖도록 형성된다. 이를 통해서, 상기 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7)은 반도체 기판(15)의 측부와 마주보도록 배치된다. On the other hand, the slip prevention means (P5) on the rectangular structure is formed in contact with the outermost position adjusting line (C3). And, the side portions of the slip prevention means (P5, P6 and P7) is formed to have a trapezoidal planar shape 60, as shown in FIG. Through this, the slip preventing means P5, P6, and P7 are disposed to face the side of the semiconductor substrate 15.

상기 반도체 식각 공정을 수행하는 동안, 상기 트랜스퍼 아암(39)은 도 1 의 공정 챔버들(20, 40 및 50) 및 로드락 챔버(10) 사이에서 반도체 기판(15)을 이송 시킨다. 상기 트랜스퍼 아암(39)은 미끄러짐 방지 수단들(P5, P6 및 P7) 사이에 반도체 기판(15)을 갖는다. 이때에, 상기 반도체 기판(15)은 소정 폭(W)의 위치 조절 라인들(C1, C2 및 C3)들 사이에 위치해서 그들(C1, C2 및 C3) 중 하나(C2)와 적어도 중첩한다. During the semiconductor etching process, the transfer arm 39 transfers the semiconductor substrate 15 between the process chambers 20, 40, and 50 and the load lock chamber 10 of FIG. 1. The transfer arm 39 has a semiconductor substrate 15 between the slip prevention means P5, P6 and P7. At this time, the semiconductor substrate 15 is positioned between the position adjusting lines C1, C2 and C3 of a predetermined width W and at least overlaps one of them C2, C2 and C3.

상술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 식각 장비 내 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 반도체 기판을 이송하는 동안 반도체 기판의 미끄러짐을 막기위해서 위치 조절 라인들 주변에 미끄러짐 방지 수단들을 갖는 트랜스퍼 아암들을 제공한다. 이를 통해서, 본 발명은 상기 트랜스퍼 아암은 반도체 기판의 미끄러짐을 방지해서 반도체 식각 공정의 공정 환경을 안정화시켜줄 수 있다.As described above, the present invention provides transfer arms with anti-slip means around the positioning lines to prevent slippage of the semiconductor substrate during transfer of the semiconductor substrate between the process chamber and the load lock chamber in the semiconductor etching equipment. Through this, the present invention can stabilize the process environment of the semiconductor etching process by preventing the transfer arm from slipping the semiconductor substrate.

Claims (5)

반도체 식각 장비 내 공정 챔버 및 로드락 챔버 사이에서 반도체 기판을 이송시키는 트랜스퍼 아암에 있어서,A transfer arm for transferring a semiconductor substrate between a process chamber and a load lock chamber in a semiconductor etching equipment, 상기 트랜스퍼 아암의 주 표면으로부터 돌출된 미끄러짐 방지 수단들;Anti-slip means protruding from a major surface of the transfer arm; 상기 미끄러짐 방지 수단들 사이에 위치하고 그리고 상기 트랜스퍼 아암의 상기 주 표면에 배치되는 위치 조절 라인들을 포함하되,Positioning lines located between the anti-slip means and disposed on the major surface of the transfer arm, 상기 위치 조절 라인들은 서로 다른 직경들을 각각 가지며 그리고 상기 반도체 기판과 적어도 중첩하도록 형성되고, 상기 미끄러짐 방지 수단들은 그들 중 일부가 상기 위치 조절 라인들과 접하고 그리고 상기 반도체 기판의 측부와 마주보도록 배치되는 것이 특징인 트랜스퍼 아암.The positioning lines each have different diameters and are formed to at least overlap the semiconductor substrate, and the slip preventing means are arranged such that some of them are in contact with the positioning lines and face the sides of the semiconductor substrate. Characteristic transfer arm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 위치 조절 라인들은 상기 트랜스퍼 아암 상에 원호로 이루어지는 것이 특징인 트랜스퍼 아암.And wherein said position adjustment lines consist of an arc on said transfer arm. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 위치 조절 라인들은 상기 트랜스퍼 아암의 상기 주 표면으로부터 아래를 향하여 연장해서 소정 폭의 굴곡 형태로 이루어진 것이 특징인 트랜스퍼 아암. And said positioning lines extend downwardly from said major surface of said transfer arm to form a bend of a predetermined width. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 미끄러짐 방지 수단들의 상기 일부는 상기 위치 조절 라인들에 인접하고 그리고 그 나머지는 상기 위치 조절 라인들로부터 소정 거리로 이격되도록 배치되는 것이 특징인 트랜스퍼 아암.And wherein said portion of said slip prevention means is arranged adjacent said positioning lines and the remainder spaced a predetermined distance from said positioning lines. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 미끄러짐 방지 수단들의 측부는 사다리꼴의 평면도형을 갖는 것이 특징인 트랜스퍼 아암.The side of said slip preventing means has a trapezoidal plan view.
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