KR20070033783A - Fastening structure of gas manifold and chamber lid with sealing unit - Google Patents

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Abstract

실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조를 제공한다. 상기 체결 구조는 공정 챔버를 구비한다. 상기 공정 챔버는 챔버 리드를 구비한다. 상기 챔버 리드는 그 상부면에 위치한 가스 배출구들을 구비한다. 상기 챔버 리드 상에 배치되고 그 하부면에 가스 흡입구들을 갖되, 상기 가스 배출구들과 상기 가스 흡입구들이 연통되게 체결되는 가스 매니폴드가 위치한다. 상기 챔버 리드는 실링 유닛을 구비한다. 상기 실링 유닛은 상기 가스 배출구들의 측부들을 에워싸며 상기 챔버 리드의 상부면에 위치하는 삽입홈들을 구비한다. 상기 삽입홈들 내에 삽입되는 실링 부재들을 구비하되, 상기 실링 부재들의 일 단부가 상기 챔버 리드의 상부면의 레벨 보다 실질적으로 높게 배치된다.Provided is a fastening structure of a gas manifold and a chamber lead having a sealing unit. The fastening structure has a process chamber. The process chamber has a chamber lid. The chamber lid has gas outlets located on its top surface. A gas manifold is disposed on the chamber lid and has gas inlets on a bottom surface thereof, the gas manifold to which the gas outlets and the gas inlets communicate. The chamber lid has a sealing unit. The sealing unit has insertion grooves surrounding the sides of the gas outlets and located on an upper surface of the chamber lid. Sealing members are inserted into the insertion grooves, and one end of the sealing members is disposed substantially higher than the level of the upper surface of the chamber lid.

공정 챔버, 챔버 리드, 가스 매니폴드, 가스 배출구, 가스 흡입구, 실링부재 Process chamber, chamber lid, gas manifold, gas outlet, gas inlet, sealing member

Description

실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조{Combination structure of gas manifold and chamber lid having a sealing unit}Combination structure of gas manifold and chamber lid having a sealing unit

도 1은 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드 및 가스 매니폴드의 개략적인 배치도이다.1 is a schematic layout view of a chamber lid and a gas manifold for explaining a fastening structure according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드 및 가스 매니폴드의 평면도이다.2 is a plan view of a chamber lid and a gas manifold for explaining the fastening structure according to the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위하여 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 에 따라 취해진 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2 to describe a fastening structure according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드의 평면도이다.4 is a plan view of a chamber lid for explaining the fastening structure according to the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a fastening structure according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 실링 부재의 사시도이다.6 is a perspective view of a sealing member for explaining a fastening structure according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 실링부재의 사시도이다.7 is a perspective view of a sealing member for explaining a fastening structure according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 실링 유닛(sealing unit)을 갖는 챔버 리드(chamber lid)와 가스 매니폴드(gas manifold)의 체결구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a fastening structure of a chamber lid having a sealing unit and a gas manifold.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여 반도체 웨이퍼 상에 다양한 물질막들을 증착하는 증착공정을 수행하거나 웨이퍼 또는 웨이퍼 상의 물질막들을 식각하는 식각공정 등을 수행한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a deposition process for depositing various material films on a semiconductor wafer or an etching process for etching a wafer or material films on the wafer is performed.

상기 증착공정 또는 식각공정 등을 수행하기 위하여 반응챔버(processing chamber) 내에 웨이퍼가 안착된다. 상기 웨이퍼가 안착된 반응챔버 내로 반응 가스들을 주입한다.In order to perform the deposition process or the etching process, the wafer is placed in a processing chamber. Reaction gases are injected into the reaction chamber in which the wafer is seated.

상기 반응챔버 내로 반응 가스가 주입되기 전에 상기 반응 가스는 가스 매니폴드를 경유한다. 상기 가스 매니폴드를 통해 반응가스들이 냉각 혼합(water-cooled mixed)된다. 이 경우에 냉각수가 이용된다. 상기 가스 매니폴드 내의 반응가스들을 냉각하는 공정은 상기 반응가스들이 소정의 문턱온도(threshold temperature) 이상에서 서로 반응하여 응고되어 가스 매니폴드 내벽 상에 증착될 수 있기 때문에 바람직하다.The reaction gas passes through a gas manifold before the reaction gas is injected into the reaction chamber. Reaction gases are water-cooled mixed through the gas manifold. In this case, coolant is used. The process of cooling the reactant gases in the gas manifold is preferred because the reactant gases can coagulate and deposit on the inner wall of the gas manifold above a predetermined threshold temperature.

상기 반응 챔버는 상기 반응 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드를 구비한다. 상기 챔버 리드 내에 가스 유입로들이 형성되고, 상기 가스 유입로들을 통해 유입된 반응 가스들은 상기 챔버 리드의 상부면에 형성된 가스 배출구를 통해 배출된다.The reaction chamber has a chamber lid covering the top of the reaction chamber. Gas inlets are formed in the chamber lid, and reaction gases introduced through the gas inlets are discharged through a gas outlet formed in the upper surface of the chamber lid.

통상적으로 상기 가스 매니폴드는 상기 챔버 리드 상에 배치된다. 상기 가스 매니폴드 내부로 반응 가스들을 주입하기 위하여 상기 가스 매니폴드의 하부면에 가스 유입구들이 위치한다. 상기 챔버 리드의 가스 배출구들 및 상기 가스 매니폴드의 가스 유입구들이 일치하도록 상기 챔버 리드 상에 상기 가스 매니폴드가 배치된다. 그 결과, 상기 챔버 리드의 가스 배출구들을 통해 배출된 반응 가스들은 상기 가스 매니폴드의 가스 유입구들을 통해 상기 가스 매니폴드 내부로 유입된다.Typically the gas manifold is disposed on the chamber lid. Gas inlets are located on the bottom surface of the gas manifold for injecting reactive gases into the gas manifold. The gas manifold is disposed on the chamber lid such that the gas outlets of the chamber lid and the gas inlets of the gas manifold coincide. As a result, the reactant gases discharged through the gas outlets of the chamber lid are introduced into the gas manifold through the gas inlets of the gas manifold.

이 경우에, 상기 챔버 리드의 상부면과 상기 가스 매니폴드의 하부면 사이에 틈이 발생되고 그 틈을 통해 반응 가스들이 누출된다. 따라서, 상기 챔버 리드의 상부면에 형성된 가스 배출구들 및 상기 가스 매니폴드의 가스 유입구들 사이에 발생되는 틈의 실링이 필요하다.In this case, a gap is generated between the upper surface of the chamber lid and the lower surface of the gas manifold, through which the reaction gases leak. Therefore, there is a need for sealing of gaps generated between the gas outlets formed in the upper surface of the chamber lid and the gas inlets of the gas manifold.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자들의 생산성을 개선하는 데 적합한 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a fastening structure of a gas chamber and a chamber lead having a sealing unit suitable for improving the productivity of semiconductor devices.

상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 소자들의 생산성을 개선하는 데 적합한 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조를 제공한다. 상기 체결 구조는 공정 챔버를 포함한다. 상기 공정 챔버는 챔버 리드를 구비한다. 상기 챔버 리드는 그 상부면에 위치한 가스 배출구들을 구비한다. 상기 챔버 리드 상에 배치되고 그 하부면에 가스 흡입구들을 갖되, 상기 가스 배출구들 과 상기 가스 흡입구들이 연통되게 체결되는 가스 매니폴드가 위치한다. 상기 챔버 리드는 실링 유닛을 구비한다. 상기 실링 유닛은 상기 가스 배출구들의 측부들을 에워싸며 상기 챔버 리드의 상부면에 위치하는 삽입홈들을 포함한다. 상기 삽입홈들 내에 삽입되는 실링 부재들을 구비하되, 상기 실링 부재들의 일 단부가 상기 챔버 리드의 상부면의 레벨 보다 실질적으로 높게 배치된다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a fastening structure of a gas chamber and a chamber lead having a sealing unit suitable for improving the productivity of semiconductor devices. The fastening structure includes a process chamber. The process chamber has a chamber lid. The chamber lid has gas outlets located on its top surface. A gas manifold is disposed on the chamber lid and has gas inlets on a lower surface thereof, and a gas manifold to which the gas outlets and the gas inlets are connected in communication. The chamber lid has a sealing unit. The sealing unit includes insertion grooves surrounding the sides of the gas outlets and located on an upper surface of the chamber lid. Sealing members are inserted into the insertion grooves, and one end of the sealing members is disposed substantially higher than the level of the upper surface of the chamber lid.

본 발명의 몇몇 실시예들에 있어, 상기 실링 부재들의 일 단부로부터 연장되고, 상기 챔버 리드의 상부면에 접촉되도록 배치되는 연장부들(extension portions)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, it may further include extension portions extending from one end of the sealing members and arranged to contact the upper surface of the chamber lid.

본 발명의 다른 실시예들에 있어, 상기 실링 부재는 플렉시블(flexible)한 재질일 수 있다.In other embodiments of the present invention, the sealing member may be a flexible material.

본 발명의 또 다른 실시예들에 있어, 상기 실링 부재는 오링일 수 있다.In still other embodiments of the present invention, the sealing member may be an O-ring.

본 발명의 또 다른 실시예들에 있어, 상기 실링 부재는 상부 영역의 직경이 하부 영역의 직경 보다 큰 링형(ring-shaped)으로 형성될 수 있다.In still other embodiments of the present invention, the sealing member may be formed in a ring shape in which the diameter of the upper region is larger than the diameter of the lower region.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에서 설명되어지는 실시예들에 한정하지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위해 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience of description. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드 및 가스 매니폴 드의 개략적인 배치도이다. 도 2는 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드 및 가스 매니폴드의 평면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위하여 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 에 따라 취해진 단면도이다. 도 4는 본 발명에 따른 체결구조를 설명하기 위한 챔버 리드의 평면도이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 실링 부재의 사시도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 체결구조를 설명하기 위한 실링부재의 사시도이다.1 is a schematic layout view of a chamber lead and a gas manifold for explaining a fastening structure according to the present invention. 2 is a plan view of a chamber lid and a gas manifold for explaining the fastening structure according to the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2 to describe a fastening structure according to an embodiment of the present invention. 4 is a plan view of a chamber lid for explaining the fastening structure according to the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating a fastening structure according to another embodiment of the present invention. 6 is a perspective view of a sealing member for explaining a fastening structure according to an embodiment of the present invention. 7 is a perspective view of a sealing member for explaining a fastening structure according to another embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 장치에 적용할 수 있다.The fastening structure of the gas manifold and the chamber lid having the sealing unit according to the present invention can be applied to a chemical vapor deposition (CVD) apparatus.

도 1 및 도 2를 참조하면, 공정 챔버(10)가 배치된다. 상기 공정 챔버(10)는 상기 공정 챔버(10)의 상부를 덮는 챔버 리드(12)를 구비한다. 상기 챔버 리드(12) 상에 리드 어셈블리(14)가 배치된다. 상기 리드 어셈블리(14)는 원판 캡(16) 및 상기 원판형 캡(16)의 측면부를 감싸는 환형 캡(18)을 구비한다. 상기 원판형 캡(16)의 하부에 샤워 헤드부(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 샤워 헤드부의 하부에 웨이퍼(미도시)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 공정 챔버(10) 내에 위치하는 웨이퍼 상에 샤워 헤드부가 위치할 수 있다. 상기 샤워 헤드부는 상기 웨이퍼 상에 반응 가스들 또는 소스 가스들을 분사하는 역할을 한다.1 and 2, a process chamber 10 is disposed. The process chamber 10 has a chamber lid 12 covering an upper portion of the process chamber 10. The lid assembly 14 is disposed on the chamber lid 12. The lid assembly 14 has a disc cap 16 and an annular cap 18 enclosing a side portion of the disc cap 16. A shower head (not shown) may be disposed below the disc shaped cap 16. A wafer (not shown) may be disposed under the shower head. That is, the shower head may be located on the wafer positioned in the process chamber 10. The shower head portion injects reactive gases or source gases onto the wafer.

본 발명에 따른 체결구조는 상기 환형 캡(18)의 측부에 위치하고 상기 챔버 리드(12) 상에 배치되는 가스 매니폴드(20)를 구비한다. 이 경우에, 서로 이격된 복수개의 상기 가스 매니폴드들이 상기 챔버 리드(12) 상에 배치될 수 있다. 상기 가스 매니폴드(20) 내부로 반응가스들이나 소스 가스들이 유입된다. 유입된 반응 가스들이나 소스 가스들이 상기 가스 매니폴드(20) 내부를 통과하도록 상기 가스 매니폴드(20) 내부에 가스 유통로들(22)이 위치한다. 상기 가스 매니폴드(20)는 그 내부로 유입된 반응가스 등을 혼합 및 냉각시키는 역할을 할 수 있다. 상기 가스 매니폴드(20)의 내부에 위치하는 가스 유통로들(22)은 상기 공정 챔버(10) 내부에 배치되는 샤워 헤드부의 상부와 연통될 수 있다.The fastening structure according to the invention has a gas manifold 20 located on the side of the annular cap 18 and arranged on the chamber lid 12. In this case, a plurality of the gas manifolds spaced apart from each other may be disposed on the chamber lid 12. Reaction gases or source gases are introduced into the gas manifold 20. Gas flow passages 22 are positioned inside the gas manifold 20 to allow the introduced reactant gases or source gases to pass through the gas manifold 20. The gas manifold 20 may serve to mix and cool the reaction gas introduced into the gas manifold 20. Gas flow passages 22 positioned in the gas manifold 20 may communicate with an upper portion of the shower head part disposed in the process chamber 10.

도 3을 참조하면, 상기 가스 매니폴드(20) 내에 위치하는 가스 유통로들(22)의 일 단부들에 가스 흡입구들(24)이 제공된다. 즉, 상기 가스 매니폴드(20)의 하부면에 상기 가스 흡입구들(24)이 위치한다. 그 결과, 상기 가스 흡입구들(24)을 통해 흡입된 반응가스들이나 소스가스들은 상기 가스 유통로들(22)을 통해 유동될 수 있다.Referring to FIG. 3, gas inlets 24 are provided at one ends of the gas flow passages 22 located in the gas manifold 20. That is, the gas inlets 24 are positioned on the lower surface of the gas manifold 20. As a result, reactant gases or source gases sucked through the gas inlets 24 may flow through the gas distribution channels 22.

한편, 상기 가스 매니폴드(20) 하부에 상기 챔버 리드(12)가 위치한다. 상기 챔버 리드(12) 내에 가스 유통로들(26)이 위치한다. 상기 가스 유통로들(26)을 통해 반응 가스들이나 소스 가스들이 유동될 수 있다. 상기 가스 유통로들(26)의 일 단부들에 가스 배출구들(28)이 제공된다. 즉, 상기 챔버 리드(12)의 상부면에 가스 배출구들(28)이 위치한다. 그 결과, 상기 가스 유통로들(26) 내의 반응 가스들이나 소스 가스들이 상기 가스 배출구들(28)을 통해 배출될 수 있다.Meanwhile, the chamber lid 12 is positioned below the gas manifold 20. Gas channels 26 are located in the chamber lid 12. Reaction gases or source gases may flow through the gas distribution paths 26. Gas outlets 28 are provided at one ends of the gas distribution passages 26. That is, gas outlets 28 are positioned on the upper surface of the chamber lid 12. As a result, reactive gases or source gases in the gas distribution passages 26 may be discharged through the gas outlets 28.

상기 가스 매니폴드(20)의 하부 영역으로부터 측부를 향해 연장된 베이스 플레이트(30)가 위치할 수 있다. 상기 베이스 플레이트(30)의 하부면은 상기 챔버 리드(12)의 상부면에 대향되도록 위치할 수 있다. 상기 베이스 플레이트(30)를 관통 하는 관통홀들(32)이 위치할 수 있다. 상기 관통홀들(32)의 내주면부 상에는 나사홈들이 형성될 수 있다. 상기 관통홀들(32)을 통해 볼트들(34) 같은 체결부재들이 삽입될 수 있다. 즉, 상기 볼트들(34)은 상기 관통홀들(32) 내에 삽입되어 상기 베이스 플레이트(30)를 관통할 수 있다.The base plate 30 extending toward the side from the lower region of the gas manifold 20 may be located. The lower surface of the base plate 30 may be positioned to face the upper surface of the chamber lid 12. Through holes 32 penetrating the base plate 30 may be located. Screw grooves may be formed on the inner circumferential surface portion of the through holes 32. Fastening members such as bolts 34 may be inserted through the through holes 32. That is, the bolts 34 may be inserted into the through holes 32 to penetrate the base plate 30.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 가스 배출구들(28) 주위에 삽입홈들(36)이 위치한다. 즉, 상기 가스 배출구들(28)의 측부들을 감싸도록 상기 삽입홈들(36)이 상기 챔버 리드(12)의 상면부에 위치한다. 상기 삽입홈들(36)은 상기 배출구들(28)의 측부들을 감싸는 고리형 홈들일 수 있다. 복수개의 삽입홈들이 상기 배출구들(28) 각각의 측부를 감싸도록 위치할 수 있다. 즉, 복수개의 삽입홈들이 하나의 가스 배출구의 측부를 감싸도록 위치할 수 있다. 상기 복수개의 삽입홈들은 동심원 상으로 배치될 수 있다.3 and 4, insertion grooves 36 are positioned around the gas outlets 28. That is, the insertion grooves 36 are positioned on the upper surface of the chamber lid 12 so as to surround the sides of the gas outlets 28. The insertion grooves 36 may be annular grooves surrounding the sides of the outlets 28. A plurality of insertion grooves may be positioned to surround the sides of each of the outlets 28. That is, the plurality of insertion grooves may be positioned to surround the side of one gas outlet. The plurality of insertion grooves may be arranged concentrically.

상기 삽입홈들(36) 내에 실링부재들(38)이 삽입된다. 이 경우에, 상기 실링부재들(38)은 상기 삽입홈들(36)의 측벽들을 덮는다. 즉, 상기 가스 배출구들(28)의 측부를 감싸는 실링부재들이 위치한다. 이 경우에, 하나의 가스 배출구의 측부를 동심원 상으로 감싸는 복수개의 삽입홈들이 배치될 때에는, 상기 가스 배출구의 측부를 동심원 상으로 감싸는 복수개의 실링부재들이 위치할 수 있다. 상기 실링부재들(38)은 오링일 수 있다(도 6 참조). 상기 실링부재들(38)은 플렉시블한 재질일 수 있다. 상기 실링부재들(38)은 그 일 단부들이 상기 챔버 리드(12) 상으로 노출되도록 배치된다. 즉, 상기 챔버 리드(12) 상으로 노출된 실링부재들의 일 단부들이 상기 챔버 리드(12) 상부면의 레벨 보다 실질적으로 높게 위치하도록 배치된다. 그 결과, 상기 삽입홈들(36) 내에 삽입된 실링부재들의 일 단부들은 상기 챔버 리드(12)의 상부면으로부터 돌출되도록 배치된다.Sealing members 38 are inserted into the insertion grooves 36. In this case, the sealing members 38 cover the sidewalls of the insertion grooves 36. That is, sealing members surrounding the sides of the gas outlets 28 are located. In this case, when a plurality of insertion grooves surrounding the side of one gas outlet in a concentric circle is arranged, a plurality of sealing members may be located surrounding the side of the gas outlet in a concentric circle. The sealing members 38 may be O-rings (see FIG. 6). The sealing members 38 may be made of a flexible material. The sealing members 38 are arranged such that one ends thereof are exposed onto the chamber lid 12. That is, one ends of the sealing members exposed on the chamber lid 12 are disposed to be substantially higher than the level of the upper surface of the chamber lid 12. As a result, one ends of the sealing members inserted into the insertion grooves 36 are arranged to protrude from the upper surface of the chamber lid 12.

이에 더하여, 상기 챔버 리드(12)의 상부면에 체결홈들(40)이 위치할 수 있다. 상기 체결홈들(40)은 상기 가스 매니폴드(20)의 관통홀들(32)에 대응하여 위치할 수 있다. In addition, the fastening grooves 40 may be located on the upper surface of the chamber lid 12. The fastening grooves 40 may be located corresponding to the through holes 32 of the gas manifold 20.

도 5를 참조하면, 상기 실링부재들(38)은 그 일단부들로부터 연장되도록 배치되는 연장부들(42)을 구비할 수도 있다. 상기 연장부들(42)은 상기 챔버 리드(12)의 상부면에 접촉되도록 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5, the sealing members 38 may include extensions 42 arranged to extend from one ends thereof. The extensions 42 may be disposed to contact the upper surface of the chamber lid 12.

도 7을 참조하면, 상기 실링부재들(38)은 하부 영역의 직경(R1)이 상부 영역의 직경(R2) 보다 작도록 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 7, the sealing members 38 may be formed such that the diameter R1 of the lower region is smaller than the diameter R2 of the upper region.

상기와 같이 구성되는 챔버 리드 상에 가스 매니폴드가 안착된다. 즉, 상기 챔버 리드(12)의 상부면과 상기 가스 매니폴드(20)의 하부면이 서로 접촉한다. 이 경우에, 상기 가스 매니폴드(20)는 상기 챔버 리드(12)의 가스 배출구들(28)과 상기 가스 매니폴드(20)의 가스 흡입구들(24)이 일치하도록 배치된다.The gas manifold is seated on the chamber lid configured as described above. That is, the upper surface of the chamber lid 12 and the lower surface of the gas manifold 20 contact each other. In this case, the gas manifold 20 is arranged such that the gas outlets 28 of the chamber lid 12 coincide with the gas inlets 24 of the gas manifold 20.

이에 더하여, 상기 가스 매니폴드(20)의 베이스 플레이트(30) 내에 위치하는 관통홀들(32)을 통해 볼트들(34)이 삽입된다. 상기 관통홀들(32)에 삽입된 볼트들(34)은 상기 베이스 플레이트(30)를 관통하여 그 단부들이 상기 챔버 리드(12)의 체결홈들(40)을 통해 삽입된다. 그 결과, 상기 챔버 리드(12) 상에 안착되어 있는 가스 매니폴드는 상기 챔버 리드(12)에 체결된다. 이 경우에, 상기 가스 매니폴드(20)의 하중에 의해 상기 챔버 리드(12)의 상부면에 위치한 실링부재들(38)의 일 단부들이 압착된다. 그 결과, 상기 가스 배출구들(28)과 상기 가스 흡입구들(24) 사이에 발생하는 틈들이 상기 압착된 실링부재들의 일 단부들에 의해 밀봉된다. 이 때, 상기 챔버 리드(12)의 고리형 삽입홈들(36) 내에 고리형 실링부재들이 삽입되는 경우에, 상기 고리 삽입홈들(36)의 직경 보다 고리형 실링부재들의 직경이 더 클 수 있다.In addition, the bolts 34 are inserted through the through holes 32 located in the base plate 30 of the gas manifold 20. Bolts 34 inserted into the through holes 32 penetrate the base plate 30 and end portions thereof are inserted through the coupling grooves 40 of the chamber lid 12. As a result, the gas manifold seated on the chamber lid 12 is fastened to the chamber lid 12. In this case, one end of the sealing members 38 located on the upper surface of the chamber lid 12 is compressed by the load of the gas manifold 20. As a result, the gaps between the gas outlets 28 and the gas intakes 24 are sealed by one ends of the compressed sealing members. At this time, when the annular sealing members are inserted into the annular insertion grooves 36 of the chamber lid 12, the diameter of the annular sealing members may be larger than the diameter of the annular insertion grooves 36. have.

한편, 상기 실링부재들의 일 단부들에 상기 연장부들(42)이 위치하는 경우에, 상기 챔버 리드(12) 상에 안착되는 가스 매니폴드는 상기 연장부들(42)을 압착할 수 있다. 즉, 상기 연장부들(42)은 상기 챔버 리드(12)와 상기 챔버 리드(12) 상에 안착되는 가스 매니폴드 사이에 개재될 수 있다. 그 결과, 상기 가스 배출구들(28)과 상기 가스 흡입구들(24) 사이에 발생하는 틈들이 상기 연장부들(42)에 의해 밀봉된다.Meanwhile, when the extension parts 42 are positioned at one ends of the sealing members, the gas manifold seated on the chamber lid 12 may compress the extension parts 42. That is, the extensions 42 may be interposed between the chamber lid 12 and the gas manifold seated on the chamber lid 12. As a result, the gaps occurring between the gas outlets 28 and the gas intakes 24 are sealed by the extensions 42.

다른 한편, 하나의 가스 배출구 주위에 복수개의 실링부재들이 동심원 상으로 배치된 경우에는 상기 밀봉이 보다 더 강화될 수 있다.On the other hand, the sealing can be further strengthened when a plurality of sealing members are arranged concentrically around one gas outlet.

상술한 바와 같이 구성되는 본 발명은, 공정 챔버의 챔버 리드 상에 안착되는 가스 매니폴드와 상기 챔버 리드 사이에 실링부재들을 개재하고, 상기 실링부재들을 상기 가스 매니폴드가 압착되게 함으로써 상기 챔버 리드의 가스 배출구들과 상기 가스 매니폴드의 가스 흡입구들 사이에 발생되는 틈을 밀봉시킬 수 있다. 따라서, 상기 챔버 리드의 가스 배출구들과 상기 가스 매니폴드의 가스 흡입구들 사이에 발생되는 틈을 통해 가스들이 누출되는 것을 억제할 수 있다.According to the present invention configured as described above, a sealing member is interposed between a gas manifold seated on a chamber lid of a process chamber and the chamber lid, and the sealing member is pressed by the gas manifold. A gap generated between the gas outlets and the gas inlets of the gas manifold may be sealed. Therefore, it is possible to suppress the leakage of the gas through the gap generated between the gas outlets of the chamber lid and the gas inlets of the gas manifold.

Claims (5)

공정 챔버, 상기 공정 챔버의 상부를 덮고 가스 배출구들을 갖는 챔버 리드, 상기 챔버 리드 상에 안착되어 상기 챔버 리드에 체결되고 상기 가스 배출구들에 대응하는 가스 흡입구들을 갖는 가스 매니폴드, 및 상기 가스 배출구들과 상기 가스 흡입구들 사이의 틈을 실링하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조에 있어서, 상기 실링 유닛은A process chamber, a chamber lid covering the top of the process chamber and having gas outlets, a gas manifold having gas inlets seated on the chamber lid and fastened to the chamber lead and corresponding to the gas outlets, and the gas outlets In the fastening structure of the gas manifold and the chamber lead having a sealing unit for sealing a gap between the gas inlets, the sealing unit is 상기 가스 배출구들의 측부들을 에워싸며 상기 챔버 리드의 상부면에 위치하는 삽입홈들;Insertion grooves surrounding sides of the gas outlets and positioned on an upper surface of the chamber lid; 상기 삽입홈들 내에 삽입되는 실링 부재들을 구비하되, 상기 실링 부재들의 일 단부가 상기 챔버 리드의 상부면의 레벨 보다 실질적으로 높게 배치되는 것을 포함하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조.A sealing structure having a sealing member inserted into the insertion grooves, wherein one end of the sealing members is disposed substantially higher than a level of an upper surface of the chamber lid. . 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실링 부재들의 일 단부로부터 연장되고, 상기 챔버 리드의 상부면에 접촉되도록 배치되는 연장부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조.And extending portions extending from one end of the sealing members and arranged to contact the upper surface of the chamber lid. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실링 부재는 플렉시블한 재질인 것을 특징으로 하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조. The sealing member is a fastening structure of the chamber lead and the gas manifold having a sealing unit, characterized in that the flexible material. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실링 부재는 오링인 것을 특징으로 하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조. And the sealing member is an O-ring. The fastening structure of the chamber lid having the sealing unit and the gas manifold. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실링 부재는 상부 영역의 직경이 하부 영역의 직경 보다 큰 링 형인 것을 특징으로 하는 실링 유닛을 갖는 챔버 리드와 가스 매니폴드의 체결구조.And the sealing member has a ring shape in which the diameter of the upper region is larger than the diameter of the lower region.
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