KR20070031480A

KR20070031480A - Plasma display panel comprising electron source

Info

Publication number: KR20070031480A
Application number: KR1020050085589A
Authority: KR
Inventors: 손승현; 김성수
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-09-14
Filing date: 2005-09-14
Publication date: 2007-03-20
Also published as: KR100719561B1

Abstract

본 발명은 롱 갭 방전을 활성화시켜 발광효율을 향상시키고 방전개시전압을 낮추기 위하여, 유지전극상의 바깥쪽 부분에 전자방출수단을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.The present invention provides a plasma display panel including an electron-emitting means on an outer portion of a sustain electrode in order to activate long gap discharge to improve luminous efficiency and to lower discharge start voltage.

Description

전자방출수단을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel comprising electron source}Plasma display panel comprising electron emitting means

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 부분 절개 단면도이다.1 is a partial cutaway sectional view showing a conventional plasma display panel.

도 2는 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 부분 절개 사시도이다.2 is a partially cutaway perspective view showing a plasma display panel according to a first preferred embodiment of the present invention.

도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 라인을 따라 절개한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 1.

도 4는 제 1 실시예의 제 1 변형예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a plasma display panel according to a first modification of the first embodiment.

도 5는 제 1 실시예의 제 2 변형예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a plasma display panel according to a second modification of the first embodiment.

도 6은 제 1 실시예의 제 3 변형예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a plasma display panel according to a third modification of the first embodiment.

도 7은 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a plasma display panel according to a second preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 *Brief description of symbols for the main parts of the drawings

110, 210 : 제1 기판 111, 211 : 어드레스전극110, 210: first substrate 111, 211: address electrode

112, 212 : 제1 유전체층 115, 215 : 발광체층112, 212: first dielectric layer 115, 215: light emitting layer

120, 220 : 제2 기판 121a,122a,221a,222a : 투명전극쌍120, 220: second substrate 121a, 122a, 221a, 222a: transparent electrode pair

121b,122b,221b,222b : 버스전극쌍 123, 223 : 제2 유전체층121b, 122b, 221b, 222b: bus electrode pairs 123, 223: second dielectric layer

124, 224 : 보호막 125a, 225a : 베이스전극124 and 224 protective films 125a and 225a base electrodes

125b, 225b : 전자방출증폭층 127 : 방전억제물질125b, 225b: electron emission amplification layer 127: discharge inhibitor

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더 상세하게는 롱 갭(long gap) 방전을 활성화하기 위하여 유지전극상의 바깥쪽 부분에 전자방출수단을 구비함으로써 고휘도 및 고효율을 구현할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a plasma display panel capable of realizing high brightness and high efficiency by providing electron emitting means on an outer portion of a sustain electrode to activate long gap discharge. will be.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panel; PDP)은 전기적 방전을 이용하여 화상을 형성하는 장치로서, 휘도나 시야각 등의 표시 성능이 우수하여 그 사용이 날로 증대되고 있다. 기존 PDP는 VGA(640Ⅹ480), SVGA(800Ⅹ600)급이 주로 생산되어 왔으나, HDTV용 플라즈마 디스플레이 패널(1920Ⅹ1035)의 개발을 위해서는 고정세화가 필요한 실정이다.Plasma display panel (PDP) is an apparatus for forming an image by using an electrical discharge, and is excellent in display performance such as brightness and viewing angle, and its use is increasing day by day. Conventional PDPs have mainly produced VGA (640 x 480) and SVGA (800 x 600) grades, but high definition is required for the development of HDTV plasma display panels (1920 x 1035).

도 1은 종래의 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 부분 절개 단면도이다. 도면을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 배면 패널을 구비한다. 1 is a partial cutaway cross-sectional view showing a conventional AC plasma display panel. Referring to the drawings, the plasma display panel includes a front panel and a back panel.

배면 패널은 제1 기판(10), 다수의 어드레스 전극(11), 제1 유전체층(12), 격벽(13) 및 발광체층(15)을 구비하고 있다.The back panel includes a first substrate 10, a plurality of address electrodes 11, a first dielectric layer 12, a partition 13, and a light emitting layer 15.

전면 패널은 제2 기판(20), 다수의 투명전극쌍(21a,21b), 투명전극(21a, 21b)들의 라인 저항을 줄이기 위하여 투명전극(21a, 21b)의 하면에 투명전극(21a, 21b)과 나란한 방향으로 형성된 금속재질의 다수의 버스전극쌍(22a, 22b), 제2 유전체층(23), 및 보호막(24)을 구비한다. The front panel has transparent electrodes 21a and 21b on the bottom surface of the transparent electrodes 21a and 21b to reduce the line resistance of the second substrate 20, the plurality of transparent electrode pairs 21a and 21b and the transparent electrodes 21a and 21b. ), A plurality of bus electrode pairs 22a and 22b made of metal material, the second dielectric layer 23, and the passivation layer 24 are formed.

이러한 종래의 플라즈마 디스플레이 패널은 전극들의 구조가 단순하여 패널제작에는 용이하나 방전효율이 낮다. 플라즈마 디스플레이 패널의 방전효율을 개선하기 위한 방법으로 방전 패스를 길게 하여 가스 원자들의 이온화 여기(excitation)등을 활발하게 할 수 있는 확률을 높이는 것이다. 즉, 방전 갭(gap)이 짧은 곳(short gap)에서는 먼저 방전을 시작하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하고, 방전 갭이 긴 곳(long gap)에서는 방전 시 전극 주위에 집중되어 있는 하전입자들과 여기종들의 생성으로 효율을 향상시켜야 한다. The conventional plasma display panel has a simple structure of electrodes, so that the panel is easily manufactured, but the discharge efficiency is low. In order to improve the discharge efficiency of the plasma display panel, the discharge path is extended to increase the probability of actively ionizing excitation of the gas atoms. That is, the discharge gap starts to be discharged first in the short gap and lowers the discharge voltage. In the long gap, the charged particles are concentrated around the electrode during discharge. The generation of excitation species should improve efficiency.

이를 위한 방법 중 하나로서, 제2 기판의 유지전극의 구조를 바꾸는 방법이 있지만, 전극구조를 바꾸는 것은 양산 공정상 어렵다는 문제점이 있다.As one method for this purpose, there is a method of changing the structure of the sustain electrode of the second substrate, but there is a problem that it is difficult to change the electrode structure in the mass production process.

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서 유지전극상의 바깥쪽 부분에 전자방출수단을 배치하여 전극의 모서리부를 효율적으로 활용함으로써 롱 갭 방전을 활성화시켜 발광효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, by providing an electron emitting means on the outer portion on the sustain electrode to effectively utilize the edge of the electrode to provide a plasma display panel that can activate the long gap discharge to improve the luminous efficiency Its purpose is to.

위와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 이격되어 마주보도록 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되며, 방전셀들을 구획하는 다수의 격벽; 상기 제2 기판상에 서로 평행하게 형성되어 있는 다수의 투명전극쌍; 상기 투명전극쌍에 형성되는 다수의 버스전극쌍; 상기 제1 기판상에 상기 버스전극쌍이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 배치된 다수의 어드레스전극; 상기 유지전극의 적어도 일부분에 대응하여 형성되며, 상기 방전셀들 내에 전자의 방출을 증폭시키는 전자방출증폭층을 포함하여 이루어지는 전자방출수단; 상기 방전셀들 내에 배치되는 발광체층; 및 상기 방전셀들 내에 있는 방전가스를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In order to achieve the above object and various other objects, the present invention is a first substrate and a second substrate disposed to face each other; A plurality of partition walls disposed between the first substrate and the second substrate and partitioning discharge cells; A plurality of transparent electrode pairs formed parallel to each other on the second substrate; A plurality of bus electrode pairs formed on the transparent electrode pairs; A plurality of address electrodes arranged on the first substrate in a direction crossing the direction in which the bus electrode pairs extend; An electron emission means formed corresponding to at least a portion of the sustain electrode and including an electron emission amplifier layer for amplifying emission of electrons in the discharge cells; A light emitting layer disposed in the discharge cells; And it provides a plasma display panel having a discharge gas in the discharge cells.

여기서, 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 투명전극쌍 및 버스전극쌍을 매립하도록 도포된 유전체층을 더 구비하는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널일 수 있다.The plasma display panel may be an AC plasma display panel further including a dielectric layer coated to fill the transparent electrode pair and the bus electrode pair.

상기 전자방출수단은 상기 버스전극위 또는 버스전극 옆에 형성된 것을 특징으로 한다.The electron-emitting means is formed on the bus electrode or next to the bus electrode.

상기 전자방출수단은, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널일 경우, 상기 유전체층상의 상기 버스전극에 대응하는 위치 또는 상기 투명전극 중 버스전극의 옆 부분에 대응하는 위치에 형성된 것을 특징으로 한다.In the case of the AC plasma display panel, the electron-emitting means is formed at a position corresponding to the bus electrode on the dielectric layer or at a position corresponding to a side portion of the transparent electrode among the transparent electrodes.

상기 전자방출증폭층은 산화된 다공성 실리콘(Oxidized porous silicon)인 것을 특징으로 한다.The electron emission amplifier layer is characterized in that the oxidized porous silicon (Oxidized porous silicon).

상기 전자방출수단은 상기 전자방출증폭층상에 형성된 방출전극을 더 구비할 수 있다.The electron emitting means may further include an emission electrode formed on the electron emission amplifier layer.

상기 발광체층은 퀀텀 도트(Quantum dot : QD)를 포함할 수 있다.The light emitting layer may include a quantum dot (QD).

상기 유지전극상의 안쪽 부분에는 방전억제물질이 형성되어 있을 수 있다.A discharge inhibiting material may be formed on an inner portion of the sustain electrode.

이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 부분 절개 사시도이며, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 라인을 따라 절개한 단면도이며, 도 4는 내지 도 6은 제 1 실시예의 제 1 변형예 내지 제 2 변형예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다.2 is a partial cutaway perspective view illustrating a plasma display panel according to a first exemplary embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 1, and FIGS. 4 to 6 are first views. It is sectional drawing which shows the plasma display panel which concerns on 1st-2nd modified example of an Example.

도면을 참조하면, 제1 기판(110) 및 제2 기판(120); 격벽(113); 유지전극쌍(121,122); 어드레스전극(111); 전자방출수단(125); 발광체층(115); 및 방전가스를 구비한다.Referring to the drawings, the first substrate 110 and the second substrate 120; Partition wall 113; Sustain electrode pairs 121 and 122; The address electrode 111; Electron-emitting means 125; Light emitting layer 115; And a discharge gas.

제1 기판(110)과 제2 기판(120)은 일정 간격 이격되어 평행하게 대향하고 있어서 방전공간을 형성하고, 제2 기판(120)은 가시광이 통과하도록 투명한 유리 재질을 사용하고 있다. The first and second substrates 110 and 120 are spaced apart from each other in parallel to form a discharge space, and the second substrate 120 uses a transparent glass material so that visible light passes therethrough.

그러나 본 발명의 보호범위는 이에 한정되지 않고, 제 1기판(110)이 투명하게 구성될 수도 있고, 제1기판(110) 및 제2기판(120)이 동시에 투명하게 구성될 수도 있다. 또한, 본 발명의 제1기판(110) 및 제2기판(120)은 반투명의 재질로 구성될 수 있으며, 그 표면 또는 내부에 색상 필터를 내장하여 구성될 수도 있다. However, the protection scope of the present invention is not limited thereto, and the first substrate 110 may be configured to be transparent, and the first substrate 110 and the second substrate 120 may be configured to be transparent at the same time. In addition, the first substrate 110 and the second substrate 120 of the present invention may be made of a semi-transparent material, it may be configured by embedding a color filter on the surface or inside.

따라서, 도면에 도시된 바와 같이 여기된 방전가스에서 나온 진공 자외선 (VUV)이 발광체층(115)을 때리면서 발생되는 가시광이 반대쪽으로 반사되어 나가는 반사형 뿐만 아니라 투과형 플라즈마 디스플레이도 본 발명의 보호범위에 속한다고 할 것이다.Therefore, as shown in the drawing, not only the reflective type but also the transmissive plasma display in which the visible light generated when the vacuum ultraviolet ray (VUV) emitted from the discharged gas hitting the light emitting layer 115 is reflected to the opposite side is also within the protection scope of the present invention. Will belong.

격벽(113)은 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이의 공간을 구획하는 방전 셀(114)을 형성하여 화상의 기본 단위가 형성될 수 있도록 하고, 방전 셀(114)간의 크로스 토크(cross talk)를 방지하는 역할을 담당한다. The partition wall 113 forms a discharge cell 114 partitioning a space between the first substrate 110 and the second substrate 120 so that a basic unit of an image can be formed, and a cross between the discharge cells 114 is formed. It is responsible for preventing cross talk.

본 발명의 일 실시예로 사각형 단면을 가지는 격벽(113)이 개시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 육각형 또는 팔각형 등의 다각형 구조나 원형 또는 타원형 모양의 단면을 가지는 격벽도 포함한다.In an embodiment of the present invention, a partition wall 113 having a rectangular cross section is disclosed, but the present invention is not limited thereto, and includes a partition wall having a polygonal structure such as a hexagon or an octagon, or a cross section having a circular or oval shape.

유지전극쌍(121,122)은 제2 기판(110)의 하면에 유지전극쌍(121,122)이 연장되는 방향으로 서로 평행하게 형성되어 있으며, X전극(121)측과 Y전극(122)측 각각 투명전극(121a,122a)과 버스전극(121b,122b)으로 구성되어 있다. The sustain electrode pairs 121 and 122 are formed on the bottom surface of the second substrate 110 in parallel with each other in the direction in which the sustain electrode pairs 121 and 122 extend, and the transparent electrode is disposed on the X electrode 121 side and the Y electrode 122 side, respectively. It consists of 121a and 122a and bus electrodes 121b and 122b.

투명전극(121a,122a)은 가시광이 잘 투과될 수 있도록 주로 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 도전성 재료로 이루어진다. 그러나, ITO는 전기 저항이 커서 전압 강하가 크고 모든 방전 셀에 대하여 일정한 구동 전압을 인가하기 힘들기 때문에 투명 전극의 낮은 전기 전도성을 보완하기 위하여 투명전극(121a,122a)과 전기적으로 접속되며, 투명전극(121a,122a)보다 폭이 좁은 전기 전도성이 높은 버스전극(121b,122b)이 투명전극(121a,122a)상의 바깥쪽에 배치되어 있다. The transparent electrodes 121a and 122a are mainly made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) so that visible light can be easily transmitted. However, the ITO is electrically connected to the transparent electrodes 121a and 122a to compensate for the low electrical conductivity of the transparent electrode because the ITO has a large voltage drop and it is difficult to apply a constant driving voltage to all discharge cells. Bus electrodes 121b and 122b having a narrower electrical conductivity than the electrodes 121a and 122a are disposed outside the transparent electrodes 121a and 122a.

쌍을 이루는 각 투명전극(121a,122a)의 안쪽에는 Al2O3와 같은 방전억제물질(127)이 형성될 수 있다. 방전억제물질(127)은 방전 갭이 짧은 곳(쇼트 갭)(1,2) 에서 전류가 많이 흐르는 것을 방지하고, 방전 갭이 긴 곳(롱 갭)(4,5)에서 전류가 많이 흐르도록 하기 위함이다. 왜냐하면 방전 패스가 긴 곳(4,5)에서 전류가 많이 흐르면 방전이 많이 일어나서 발광 효율이 향상될 수 있기 때문이다.A discharge suppressing material 127 such as Al 2 O 3 may be formed inside the pair of transparent electrodes 121a and 122a. The discharge inhibiting material 127 prevents a large amount of current from flowing in a place where the discharge gap is short (short gap) 1, 2, and allows a large amount of current to flow in a long discharge gap (long gap) 4, 5. To do this. This is because when a large amount of current flows in the long discharge paths 4 and 5, a large amount of discharge may occur to improve luminous efficiency.

이와 더불어, 상기 언급한 투과형 플라즈마 디스플레이 패널의 경우 유지전극쌍(121,122)은 투명전극일 필요가 없으며, 불투명이면서 전기전도성이 좋은 재료인 Cu, Al등을 사용할 수 있는 바, 전극 소재에 있어서도 특별한 제한은 없다.In addition, in the case of the above-mentioned transmissive plasma display panel, the sustain electrode pairs 121 and 122 need not be transparent electrodes, and Cu, Al, and the like, which are opaque and have good electrical conductivity, may be used. There is no.

제1 유전체층(112)은 어드레스 전극(111)을 매립하도록 도포되어 있으며, 어드레스 전극(111)의 절연 피막으로 사용되므로 절연 저항이 높은 재료를 사용한다. 제1 유전체층(112)은 제2 유전체층(123)과 달리 가시 광선의 투과에 관여하지 않기 때문에 광 투과율이 좋은 재료가 요구되지 않는다. The first dielectric layer 112 is coated to fill the address electrode 111, and is used as an insulating film of the address electrode 111, so that a material having high insulation resistance is used. Unlike the second dielectric layer 123, the first dielectric layer 112 does not participate in the transmission of visible light, and thus a material having a good light transmittance is not required.

제2 유전체층(123)은 제 2기판(120) 위에 있는 유지전극쌍(121,122)을 매립하도록 도포되어 절연 피막으로 사용되는 유전체층으로서, 절연 저항이 높고 광 투과율이 좋은 재료를 사용한다. 이 때, 전자방출수단(125)이 직접적으로 버스전극(121b,122b)의 상면이나 측면에 위치하는 경우에는 제2 유전체층(123)은 전자방출수단(125)도 매립한다.The second dielectric layer 123 is a dielectric layer that is applied to fill the sustain electrode pairs 121 and 122 on the second substrate 120 and is used as an insulating coating. The second dielectric layer 123 uses a material having high insulation resistance and good light transmittance. At this time, when the electron emission means 125 is located directly on the top or side surfaces of the bus electrodes 121b and 122b, the second dielectric layer 123 also embeds the electron emission means 125.

보호막(124)은 제 2 유전체층(123)을 보호하도록 도포되어 있으며, 방전시 2차 전자의 방출을 증가시켜 방전을 용이하게 한다. 보호막(124)은 산화 마그네슘(MgO) 등의 재료를 사용하여 형성한다.The passivation layer 124 is applied to protect the second dielectric layer 123 and facilitates discharge by increasing the emission of secondary electrons during discharge. The protective film 124 is formed using a material such as magnesium oxide (MgO).

발광체층(115)은 격벽(113)에 의해 구획된 방전셀(114) 내벽과 제1 유전체층(112)에 도포되며, 발광체층(115)에서는 방전에 의해 발생하는 진공 자외선이 흡수 됨으로써 여기되는 전자가 다시 안정 상태로 될 때 가시광선을 발산하는 빛발광(Photo Luminescence 발광) 메커니즘이 일어나게 된다. 발광체층(115)은 플라즈마 디스플레이 패널이 컬러 화상을 구현할 수 있도록 적색 발광체층, 녹색 발광체층 및 청색 발광체층이 방전 셀(114) 내부에 배치되어 단위 화소를 형성한다. The light emitter layer 115 is applied to the inner wall of the discharge cell 114 partitioned by the partition wall 113 and the first dielectric layer 112, and the electrons excited by the absorption of the vacuum ultraviolet light generated by the discharge in the light emitter layer 115. When the light becomes stable again, a photo luminescence mechanism occurs that emits visible light. In the light emitting layer 115, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are disposed inside the discharge cell 114 to form a unit pixel so that the plasma display panel may implement a color image.

본 발명의 보호범위는 자외선 영역의 에너지를 받아서 들뜬 원자가 안정화 되면서 가시광선을 발생시키도록 하는 빛발광 형광체(Photo luminescence : PL 형광체)층뿐만 아니라, 음극선발광 형광체(Cathodoluminescence : CL 형광체)나 퀀텀 도트(Quantum dot : QD)도 포함될 수 있다. 즉, 본 발명의 발광체층(115)은 음극선발광 형광체 또는 퀀텀 도트를 사용하여 형성할 수도 있으며, 빛발광 형광체, 음극선발광 형광체, 퀀텀 도트를 모두 사용하여 형성하거나, 그 중 둘 이상을 같이 사용하여 형성할 수도 있다. 이 때, 방전셀(114) 중 전자가속수단(125)으로부터 직접적으로 전자 빔(E-beam)을 조사받는 곳은 음극선발광 형광체나 퀀텀 도트를 배치하고, 나머지 부분은 빛발광 형광체를 배치하여 발광체층(115)을 형성하는 것이 바람직하다.The protection scope of the present invention is not only a photoluminescence phosphor (PL phosphor) layer for generating visible light while stabilizing the excited atoms by receiving energy in the ultraviolet region, as well as a cathodoluminescence phosphor (CL phosphor) or a quantum dot ( Quantum dot (QD) may also be included. That is, the light emitting layer 115 of the present invention may be formed using a cathode light emitting phosphor or a quantum dot, and formed using all of a light emitting phosphor, a cathode ray emitting phosphor, and a quantum dot, or by using two or more of them together. It may be formed. At this time, a portion of the discharge cell 114 is irradiated with an electron beam (E-beam) directly from the electron acceleration means 125 to arrange a cathode light emitting phosphor or a quantum dot, the rest of the light emitting phosphor by placing a light emitting phosphor It is desirable to form layer 115.

특히, 퀀텀 도트는 원자들간의 간섭이 없기 때문에 외부에서 에너지를 받으면 원자 에너지 레벨에서 들뜬 전자가 안정화 되면서 광을 발광하게 된다. 따라서 낮은 전압으로도 여기가 가능하기 때문에 효율을 향상시킬 수 있으며, 인쇄공정이 가능하여 대형화에도 유리할 수 있다.In particular, since quantum dots do not interfere with atoms, when energy is received from the outside, excited electrons are stabilized at the atomic energy level to emit light. Therefore, the excitation can be performed at a low voltage, so that the efficiency can be improved, and the printing process can be performed, which can be advantageous for large size.

전자방출수단(125)은 전자를 제공하는 역할을 하는 베이스전극(125a); 및 베이스전극(125a)상에 형성되는 전자방출증폭층(125b)을 구비한다. 그리고, 전자방 출증폭층(125b)상에 형성되며, 베이스전극(125a)과의 전압차에 의하여 전자방출증폭층(125b)을 통과하는 전자 빔의 세기를 제어하는 방출전극(미도시)을 더 구비할 수 있다. The electron emitting means 125 includes a base electrode 125a which serves to provide electrons; And an electron emission amplification layer 125b formed on the base electrode 125a. An emission electrode (not shown) is formed on the electron emission amplifier layer 125b and controls the intensity of the electron beam passing through the electron emission amplifier layer 125b by the voltage difference with the base electrode 125a. It may be further provided.

도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 전자방출증폭층(125b)은 버스전극(121b,122b)과 동일한 폭을 가지고 버스전극(121b,122b)상에 형성된다. 즉, 유지전극의 바깥쪽에 형성된다. 여기서는, 버스전극이 베이스전극의 역할을 대신하게 되므로, 베이스전극은 불필요하다. Referring to FIG. 3, the electron emission amplifier layer 125b according to the first embodiment has the same width as the bus electrodes 121b and 122b and is formed on the bus electrodes 121b and 122b. That is, it is formed outside the sustain electrode. In this case, since the bus electrode replaces the role of the base electrode, the base electrode is unnecessary.

그리고, 전자방출수단(125)의 폭은 반드시 버스전극(121b,122b)의 폭과 동일할 필요는 없으나, 버스전극(121b,122b)의 폭 이상으로 크면 발광체층(115)으로부터 나온 가시광을 차단하기 때문에 바람직하지 못하다. 그리고, 버스전극(121b,122b)의 폭보다 작으면 전자방출효과가 줄어들기 때문에, 버스전극의 폭과 동일하게 하는 것이 바람직하다.The width of the electron-emitting means 125 is not necessarily the same as the width of the bus electrodes 121b and 122b. However, if the width of the electron emitting means 125 is larger than the width of the bus electrodes 121b and 122b, the visible light emitted from the light emitting layer 115 is blocked. It is not preferable because it is. If the width of the bus electrodes 121b and 122b is smaller than the width of the bus electrodes 121b and 122b, the electron emission effect is reduced.

도 4를 참조하면, 제1 실시예의 제1 변형예에 따른 전자방출증폭층(125b)은 소정의 폭을 가지고 투명전극(121a,122a)상의 버스전극(121b,122b)측면에 형성된다. 여기서는, 버스전극(121b,122b)과 투명전극(121a,122a)이 베이스전극의 역할을 대신하게 되므로, 베이스전극이 꼭 필요한 것은 아니다.Referring to FIG. 4, the electron emission amplifier layer 125b according to the first modification of the first embodiment has a predetermined width and is formed on the side surfaces of the bus electrodes 121b and 122b on the transparent electrodes 121a and 122a. In this case, since the bus electrodes 121b and 122b and the transparent electrodes 121a and 122a take the role of the base electrode, the base electrode is not necessarily required.

도 5를 참조하면, 제1 실시예의 제2 변형예에 따른 전자방출증폭층(125b)은 제2 유전체층(123)에 형성되며, 버스전극(121b,122b)과 동일한 폭을 가지고 버스전극(121b,122b)에 대응하는 곳에 위치된다. 여기서는, 도면에서는 베이스전극이 전자를 제공하는 수단으로 사용되고 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 아니하 며, 베이스전극(125a)이 없는 경우도 포함한다.Referring to FIG. 5, the electron emission amplifier layer 125b according to the second modification of the first embodiment is formed on the second dielectric layer 123 and has the same width as the bus electrodes 121b and 122b and has the bus electrode 121b. It is located at the position corresponding to (122b). Here, although the base electrode is used as a means for providing electrons in the figure, the present invention is not necessarily limited to this, and also includes a case where the base electrode (125a) does not exist.

왜냐하면, 절연체인 제2 유전체층(123)상에 형성된 전자방출증폭층(125b)과 버스전극(121b)사이에는 쌍을 이루는 버스전극(121b,122b) 사이에 인가되는 교류 전압에 의하여 변위전류가 흐르게 되기 때문이다.This is because a displacement current flows between the electron emission amplifier layer 125b formed on the second dielectric layer 123, which is an insulator, and the bus electrodes 121b by the AC voltage applied between the pair of bus electrodes 121b and 122b. Because it becomes.

도 6을 참조하면, 제1 실시예의 제3 변형예에 따른 전자방출증폭층(125b)은 제2 유전체층(123)에 형성되며, 버스전극(121b,122b)과 동일한 폭을 가지고 버스전극(121b,122b)의 옆쪽에 대응하는 곳에 위치된다. 여기서, 전자방출증폭층(125b)의 폭은 반드시 버스전극(121b,122b)의 폭과 동일할 필요는 없으며, 가시광선 차단율과 방출되는 롱 갭 방전 패스에서의 빔 전류의 세기를 적절히 고려하여 결정하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 6, the electron emission amplifier layer 125b according to the third modification of the first embodiment is formed on the second dielectric layer 123 and has the same width as the bus electrodes 121b and 122b and has the bus electrode 121b. , 122b). Here, the width of the electron-emitting amplification layer 125b is not necessarily the same as the width of the bus electrodes 121b and 122b, and is determined in consideration of the visible light blocking rate and the intensity of the beam current in the emitted long gap discharge path. It is desirable to.

전자방출증폭층(125b)은 버스전극(121b,122b)에서 나온 전자를 가속 내지 증폭시키는 역할을 한다. 전자방출증폭층(125b)의 바람직한 일 실시예로서, 산화된 다공성 실리콘(Oxidized porous silicon : OPS)층이 사용될 수 있다. 여기서, 산화된 다공성 실리콘으로는 산화된 다공성 폴리 실리콘(Oxidized porous poly silicon : OPPS) 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘(Oxidized porous amorphous silicon : OPAS)층이 될 수 있다. The electron emission amplifier layer 125b accelerates or amplifies electrons from the bus electrodes 121b and 122b. As a preferred embodiment of the electron emission amplifier layer 125b, an oxidized porous silicon (OPS) layer may be used. Here, the oxidized porous silicon may be an oxidized porous poly silicon (OPPS) or an oxidized porous amorphous silicon (OPAS) layer.

이 때, 산화된 다공성 실리콘층을 제조하는 방법을 간단히 설명하면, 실리콘층에 적절한 전류밀도를 인가시키고, 불화수소(HF)와 에탄올을 혼합한 용액을 사용하여 실리콘층을 양극산화(anodization)함으로써, 실리콘층을 다공성으로 변화시킨다. 그리고 나서, 상기 양극산화된 실리콘층을 전기화학적 산화(electrochemical oxidation)법에 의해 산화시켜, 소정의 두께를 가진 산화된 다공성 실리콘층으로 변화시킨다.In this case, the method of manufacturing the oxidized porous silicon layer will be briefly described by applying an appropriate current density to the silicon layer, and anodizing the silicon layer using a solution containing hydrogen fluoride (HF) and ethanol. The silicon layer is changed to porous. The anodized silicon layer is then oxidized by an electrochemical oxidation method to change it into an oxidized porous silicon layer having a predetermined thickness.

전자방출증폭층(125b)의 다른 실시예로서, MIM 구조(Metal-insulator-metal structure)가 사용될 수도 있다. MIM 구조는 얇은 절연층(thin insulator)으로 되어 있다. MIM 구조를 구비한 전자방출수단의 전자방출효율을 높이기 위해서는 절연층의 두께가 중요하다. 절연층은 Al203, Si3N4, SiO2등과 같은 여러 절연층이 가능하며, 두께는 터널링 효과(tunneling effect)가 가능할 정도로 얇아야 하지만, 베이스전극과 방출전극의 양단에 걸리는 전압에 의하여 절연파괴가 발생하지 않을 정도로는 두꺼운 것이 바람직하다.As another embodiment of the electron emission amplifier layer 125b, a metal-insulator-metal structure may be used. The MIM structure is a thin insulator. The thickness of the insulating layer is important to increase the electron emission efficiency of the electron emission means having the MIM structure. The insulating layer may be made of various insulating layers such as Al203, Si3N4, SiO2, etc., and the thickness should be thin enough to enable the tunneling effect, but the breakdown may not occur due to the voltage across the base electrode and the discharge electrode. It is preferable to be thick.

또한 전자방출증폭층(125b)의 다른 실시예로서, 질화붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot : BNBS)가 사용될 수 있다. BNBS는 가시광 영역인 약 380~780nm 정도 파장 영역에서 투명한 성질을 가질 뿐만 아니라, 음(-)의 전자친화도를 갖기 때문에 전자 방출 특성도 매우 우수한 것으로 알려져 있는 물질이다. In addition, as another embodiment of the electron-emitting amplification layer 125b, a boron nitride bamboo shoot (BNBS) may be used. BNBS is not only transparent in the visible wavelength range of about 380 ~ 780nm, but also has a negative (-) electron affinity.

이외에도 전자방출증폭층(125b)의 다른 실시예로서, 카본나노튜브(Carbon nano tube : CNT)가 사용될 수 있다.In addition, as another embodiment of the electron emission amplifier layer 125b, carbon nanotubes (CNTs) may be used.

도 7은 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하는 단면도이다. 본 발명의 바람직한 제2 실시예를 설명함에 있어서도 이에 대한 자세한 사항은 제1 실시예에서 설명한 내용을 참조하면 되고, 이하에서는 제1 실시예와의 차이점을 위주로 설명한다.7 is a cross-sectional view showing a plasma display panel according to a second preferred embodiment of the present invention. In the description of the second preferred embodiment of the present invention, the detailed description thereof may be referred to the contents described in the first embodiment, and the following description focuses on differences from the first embodiment.

도면을 참조하면, 제1 기판(210) 및 제2 기판(220); 격벽(213); 유지전극쌍 (221,222); 어드레스전극(211); 전자방출수단(225a,225b); 발광체층(224); 및 방전가스를 구비한다.Referring to the drawings, the first substrate 210 and the second substrate 220; Barrier rib 213; Sustain electrode pairs 221 and 222; An address electrode 211; Electron-emitting means (225a, 225b); Light emitting layer 224; And a discharge gas.

유지전극쌍은 공통전극(221a,222a)과 주사전극(221b,222b)으로 이루어지며, 격벽내에 서로 평행하게 위치되어 방전 셀을 둘러싸고 있다. 어드레스전극(211)은 유지전극쌍(221a,221b,222a,222b)이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 제2 기판(220)상에 배치되어 있다.The sustain electrode pair includes the common electrodes 221a and 222a and the scan electrodes 221b and 222b and is disposed in parallel with each other in the partition wall to surround the discharge cells. The address electrode 211 is disposed on the second substrate 220 in a direction crossing the direction in which the sustain electrode pairs 221a, 221b, 222a and 222b extend.

전자방출수단(225)은 전자를 제공하는 역할을 하는 베이스전극(225a); 및 베이스전극(225a)상에 형성되는 전자방출증폭층(225b)을 구비한다. 그리고, 전자방출증폭층(225b)상에 형성되며, 베이스전극(225a)과의 전압차에 의하여 전자방출증폭층(225b)을 통과하는 전자 빔의 세기를 제어하는 방출전극(미도시)을 더 구비할 수 있다. The electron emitting means 225 includes a base electrode 225a which serves to provide electrons; And an electron emission amplifier layer 225b formed on the base electrode 225a. Further, an emission electrode (not shown) formed on the electron emission amplifier layer 225b and controlling the intensity of the electron beam passing through the electron emission amplifier layer 225b by the voltage difference with the base electrode 225a is further included. It can be provided.

여기서는, 도면에서는 베이스전극(225a)이 전자를 제공하는 수단으로 사용되고 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 아니하며, 베이스전극이 없는 경우도 포함한다. 왜냐하면, 절연체인 격벽상에 형성된 전자방출증폭층(225b)과 투명전극(221)사이에는 쌍을 이루는 투명전극(221,222) 사이에 인가되는 교류 전압에 의하여 변위전류가 흐르게 되기 때문이다.Here, although the base electrode 225a is used as a means for providing electrons in the drawing, the present invention is not necessarily limited thereto, and also includes a case where there is no base electrode. This is because the displacement current flows between the electron emission amplification layer 225b formed on the partition wall that is an insulator and the transparent electrode 221 by an alternating voltage applied between the pair of transparent electrodes 221 and 222.

전자방출수단(225a,225b)은 격벽상에 배치되며, 유지전극쌍(221,222)의 바깥쪽 부분에 소정의 폭을 가지고 위치한다. 여기서 전자방출수단(225a,225b)의 위치와 폭은 방전이 개시된 이후에 방전 영역이 확장되어 롱 갭 방전이 일어나야 하는 위치와 방출되는 전자 빔 전류의 세기를 고려하여 결정하여야 한다.The electron-emitting means 225a and 225b are disposed on the partition wall and are positioned on the outer portion of the sustain electrode pairs 221 and 222 with a predetermined width. Here, the positions and widths of the electron emitting means 225a and 225b should be determined in consideration of the position where the long discharge region is to be extended after the discharge is started and the intensity of the emitted electron beam current.

도면에는 도시되지 않았으나, 제1 실시예와 마찬가지로 숏 갭 방전을 일으키는 유지전극 부분상에는 방전억제물질이 더 형성될 수 있어서 숏 갭 방전에서 많은 전류가 흐르지 않게 하고, 롱 갭 방전에서 전류가 많이 흐르게 하여 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다.Although not shown in the drawing, as in the first embodiment, a discharge inhibiting material may be further formed on the sustain electrode portion which causes the short gap discharge so that a large amount of current does not flow in the short gap discharge and a large amount of current flows in the long gap discharge. It can serve to improve the luminous efficiency.

이하에서는 위와 같은 구성에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 기능 및 작용을 설명한다.Hereinafter, the function and operation of the plasma display panel according to the above configuration will be described.

각 방전 셀에서 초기 리셋 방전과 어드레싱 방전이 일어난 후, 유지방전이 개시되면 방전 갭이 짧은 곳(short gap)(1,2)에서 먼저 방전이 시작된다. 이러한 쇼트 갭 방전은 방전 개시 전압을 낮추는 역할을 하고, 점차 방전 갭이 긴 곳(long gap)(4,5)으로 방전이 확대된다. After the initial reset discharge and the addressing discharge occur in each discharge cell, when the sustain discharge is started, the discharge is first started in the short gap 1, 2. This short gap discharge serves to lower the discharge start voltage, and gradually the discharge is extended to the long gaps 4 and 5.

이 때, 유지전극(121,122,221,222)의 바깥쪽에 형성된 전자방출수단(125,225)에서 방출된 전자 빔에 의하여 롱 갭 방전 경로(4,5)에서 전류가 많이 흐르게 되고, 롱 갭 방전(4,5)에서는 방전 패스가 길기 때문에 방전이 많이 일어나서 발광 효율이 향상되게 된다. At this time, a large amount of current flows in the long gap discharge paths 4 and 5 by the electron beams emitted from the electron emitting means 125 and 225 formed outside the sustain electrodes 121, 122, 221 and 222, and in the long gap discharges 4 and 5. Since the discharge path is long, a lot of discharge occurs and the luminous efficiency is improved.

그리고, 전자방출수단(125,225)에서 나온 전자 빔이 방전 가스를 여기시킨 후 자외선을 추가로 발생시키기 때문에 방전 개시 전압을 낮추는 효과가 있다.In addition, since the electron beams emitted from the electron-emitting means 125 and 225 generate ultraviolet rays after exciting the discharge gas, there is an effect of lowering the discharge start voltage.

또한, 유지전극(121,122,221,222)상의 안쪽에 형성된 방전억제물질(127)에 의하여 유지방전 초기의 쇼트 갭 방전 경로(1,2)에서는 전류가 많이 흐르지 않고, 전자방출수단(125,225)에서 일어나는 롱 갭 방전 경로(4,5)에서 전류가 많이 흐르기 때문에, 발광 효율이 향상될 수 있다.In addition, due to the discharge suppressing material 127 formed on the sustain electrodes 121, 122, 221, and 222, a long gap discharge occurs in the short gap discharge paths 1 and 2 at the initial stage of sustain discharge, and the current does not flow much, but occurs in the electron emission means 125 and 225. Since a large amount of current flows in the paths 4 and 5, the luminous efficiency can be improved.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 롱 갭 방전을 활성화시키기 위하여 유지전극상의 바깥쪽 부분에 전자방출수단을 구비하고 있다.According to the plasma display panel according to the present invention, the electron emitting means is provided on the outer portion of the sustain electrode in order to activate the long gap discharge.

따라서, 첫째, 방전 패스가 긴 롱 갭 방전시 전류가 많이 흐름으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, first, a large amount of current flows during long gap discharge with a long discharge path, thereby improving luminous efficiency.

둘째, 전자방출수단에서 방출된 전자 빔이 추가적으로 방전 가스를 여기시켜 자외선을 발생시키고, 이로 인해 가시광선이 발생됨으로써 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.Second, the electron beam emitted from the electron-emitting means additionally excites the discharge gas to generate ultraviolet rays, thereby generating visible light, thereby lowering the discharge start voltage.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims

서로 이격되어 마주보도록 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate spaced apart from each other to face each other;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되며, 방전셀들을 구획하는 다수의 격벽;A plurality of partition walls disposed between the first substrate and the second substrate and partitioning discharge cells;

상기 제2 기판상에 서로 평행하게 형성되어 있는 다수의 투명전극쌍;A plurality of transparent electrode pairs formed parallel to each other on the second substrate;

상기 투명전극쌍에 형성되는 다수의 버스전극쌍;A plurality of bus electrode pairs formed on the transparent electrode pairs;

상기 제1 기판상에 상기 버스전극쌍이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 배치된 다수의 어드레스전극;A plurality of address electrodes arranged on the first substrate in a direction crossing the direction in which the bus electrode pairs extend;

상기 유지전극의 적어도 일부분에 대응하여 형성되며, 상기 방전셀들 내에 전자의 방출을 증폭시키는 전자방출증폭층을 포함하여 이루어지는 전자방출수단;An electron emission means formed corresponding to at least a portion of the sustain electrode and including an electron emission amplifier layer for amplifying emission of electrons in the discharge cells;

상기 방전셀들 내에 배치되는 발광체층; 및A light emitting layer disposed in the discharge cells; And

상기 방전셀들 내에 있는 방전가스를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a discharge gas in the discharge cells.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 투명전극쌍 및 버스전극쌍을 매립하도록 도포된 유전체층을 더 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a dielectric layer coated to fill the transparent electrode pair and the bus electrode pair.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 전자방출수단은 상기 버스전극상에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈 마 디스플레이 패널.And said electron-emitting means is formed on said bus electrode.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 전자방출수단은 상기 투명전극상의 상기 버스전극옆에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And said electron-emitting means is formed next to said bus electrode on said transparent electrode.

제 2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 전자방출수단은, 상기 유전체층상의 상기 버스전극에 대응하는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And the electron-emitting means is formed at a position corresponding to the bus electrode on the dielectric layer.

제 2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 전자방출수단은, 상기 유전체층상의 상기 투명전극 중 버스전극의 옆 부분에 대응하는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And the electron-emitting means is formed at a position corresponding to a side portion of a bus electrode of the transparent electrode on the dielectric layer.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 전자방출증폭층은 산화된 다공성 실리콘(Oxidized porous silicon)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And the electron emission amplifier layer is oxidized porous silicon.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 전자방출수단은 상기 전자방출증폭층상에 형성된 방출전극을 더 구비하 는 플라즈마 디스플레이 패널.And said electron emitting means further comprises an emission electrode formed on said electron emission amplification layer.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 발광체층은 퀀텀 도트(Quantum dot : QD)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The light emitting layer includes a quantum dot (QD).

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 유지전극상에는 방전억제물질이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a discharge inhibiting material formed on the sustain electrode.

상기 격벽내에 평행하게 배치되는 다수의 유지전극쌍;A plurality of sustain electrode pairs disposed in parallel in the partition wall;

상기 제1 기판상에 상기 유지전극쌍이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 배치된 다수의 어드레스전극;A plurality of address electrodes arranged on the first substrate in a direction crossing the direction in which the sustain electrode pair extends;

상기 유지전극의 외곽부분상에 대응하여 형성되며, 상기 방전셀들 내에 전자의 방출을 증폭시키는 산화된 다공성 실리콘(OPS)층을 포함하여 이루어지는 전자방출수단;An electron emission means formed on an outer portion of the sustain electrode and including an oxidized porous silicon (OPS) layer to amplify the emission of electrons in the discharge cells;

제 11항에 있어서,The method of claim 11,