KR20070027083A - 선 격자 편광자 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 선 격자 편광자(wire grid polarizer)의 제조방법에 관한 것으로서, 마이크로 컨택트 리소그래피(Microcontact Lithography)와 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)를 이용하여, 노광 공정과 식각 공정이 필요없이 비교적 단순한 공정으로 대면적 기판에 50nm ~ 500nm의 주기로 금속 격자를 균일하게 증착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자의 제조방법이다.

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Description

선 격자 편광자 제조 방법{Method for Fabricating of wire grid polarizer}

도 1은 일반적인 선 격자 편광자(wire grid polarizer)의 원리에 대한 개략도이다.

도 2는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)에 따른 금속 박막의 증착 원리를 나타내는 개략도이다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 마이크로 컨택트 리소그래피(microcontact lithography) 를 이용한 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프의 제조공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 마이크로 컨택트 리소그래피와 원자층 증착법을 이용한 선 격자 편광자의 제조 방법에 대한 개략도이다.

<도면의 주요부분에 대한 설명>

10. A 소스(source) 20. B 소스(source)

100. 마스터 스탬프(Master Stamp)

110. 격자 패턴

120. 부착 방지층(Anti Sticking Layer)

130. PDMS(polydimethylsiloxane)

200. PDMS 스탬프

210a. 자기조립층(Self Assebly Monolayer,SAM)

210b. SAM 패턴

300. 기판

400. 금속박막

본 발명은 선 격자 편광자 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 마이크로 컨택트 리소그래피(Microcontact Lithography)방식과 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)을 이용하여 대면적 기판상에 금속(Al, Ag, Au, Cr, etc...)박막의 선 패턴(line pattern)을 형성하여 구현할 수 있는 선 격자 편광자의 제조방법에 관한 것이다.

액정 디스플레이(Liquid Crystal Display,LCD)는 현재 휴대전화, 노트북, 모니터 및 TV에 이르기까지 광범위하게 사용되는 평판 디스플레이 가운데 하나이다.

그리고, LCD는 두 개의 편광판 사이에 위치한 액정 패널에서 각 픽셀에 전기 신호를 인가하여 액정의 배열을 변경시킴으로써 빛을 투과시키거나 차단하여 영상을 표시하는 장치이다.

따라서, LCD를 동작시키기 위해서는 광원이 필요하며, 광원의 사용 방식에 따라, 반사형과 투과형으로 구분할 수 있다.

또한, 외부의 광원과 백라이트 광원을 모두 사용하여 볼 수 있는 반투과형(Transreflective) LCD도 있다.

특히, 상기한 LCD 종류 중에 현재 주를 이루고 있는 것은 투과형 LCD인데, 이는 백라이트 유닛(BLU-Back Light Unit)이라는 별도의 광원을 이용하여 다른 종류의 LCD에 비해 휘도가 높기 때문이다.

일반적으로, 상기한 BLU는 형광등, LED등의 광원과 빛을 LCD 패널 전면에 고르게 보내기 위한 도광판, 확산 필름, 프리즘 쉬트등을 포함하며 구성된다.

따라서, 형광등, LED등의 광원으로부터 출발한 빛은 도광판, 확산 필름, 프리즘 쉬트등의 BLU를 거치는 동안 상당한 부분이 손실된다.

또한, LCD 패널 전,후면에 위치한 편광판은 흡수형이므로, 광원에서 패널로 향하는 빛의 50%정도를 흡수한다.

이와 같은 여러 요인들로 인하여, 액정 디스플레이를 통해 외부로 투과하는 빛은 실제 광원으로부터 출발한 빛의 10%이하 정도로 낮다.

다시 말해서, 이는 LCD의 광 이용 효율과 휘도가 낮다는 것을 말해주며, 이는 휴대용 기기의 배터리 사용시간 증가와 대화면 LCD TV의 전력 소모 감소등을 위해서도 광 이용 효율을 향상시키는 기술 개발이 반드시 선행되어야 할 부분이다.

이와 같은 LCD의 빛 이용 효율을 향상시켜 휘도를 증가시킬 수 있는 기술로는 3M사의 DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)가 유일하다.

DBEF는 다층의 고분자 박막 형태의 반사형 편광판으로 투과형 LCD경우에 BLU와 LCD 패널 사이에 위치하여 휘도를 60 %까지 증가시킬 수 있다.

즉, 반사형 편광판에서 반사된 특정 편광은 하부 BLU를 거쳐 다시 반사되는 과정에서 편광이 변화하고, 일부의 편광이 다시 편광판을 투과하여 빛을 재활용한다.

그러나, 이 편광판은 광학적으로 이방성인 고분자 막과 등방성인 고분자 막을 교차하여 다층으로 제작되기 때문에, 가격이 고가이고, 제조 공정이 복잡하다.

반면에, 반도체 제조 장비와 노광 기술의 발달로 비교적 간단한 공정과 저렴한 가격으로, 미세 패턴 제작이 가능해짐에 따라 가시광선에서 동작하는 선 격자 편광자의 제작이 가능해지고 있다.

이하, 도 1에 도시된 일반적인 선 격자 편광자(wire grid polarizer)의 원리에 대한 개략도를 참조하여 종래기술에 따른 선 격자 편광자에 대해서 간단히 설명한다.

이때, 선 격자 편광자는 투명 기판 상에 금속 물질을 격자 형태로 형성한 것을 말한다.

일반적으로, 나란하게 배열된 금속 선(Metal Wire)이 전자기파를 편광에 따라 선택적으로 투과시키거나 반사시킨다는 사실은 이미 잘 알려져 왔다.

보다 구체적으로, 도 1과 같이 입사되는 전자기파의 반 파장보다 금속 선 배열의 주기가 짧을 경우, 금속 선과 평행한 편광 성분(s파)은 반사되고, 수직한 편광 성분(p파)은 투과한다.

이와 같은 현상을 이용하면 편광 효율이 우수하고, 투과율이 높으며, 시야각이 넓은 평판 편광자(Planar Polarizer)를 제작할 수 있으며, 이를 이용하여 LCD의 휘도를 향상시킬 수 있다.

이렇게 만들어진 선 격자 편광자의 성능은 편광 소멸비(Polarization Extinction Ratio)와 투과율로써 나타낼 수 있다.

선 격자 편광자가 높은 편광 소멸비를 가지기 위해서는 금속 격자의 주기가 입사광의 파장에 비해 상당히 짧아야 한다는 전제 조건이 있다.

그러나, 이와 같이 주기가 짧은 금속 격자의 미세 패턴을 형성하기 위해서, 종래에는 기본적으로 노광공정과 식각공정이 필요했으며, 마스크 재료의 선택, 대면적화의 어려움, 제작 공정의 복잡성과 생산단가의 증가 등 여러 가지 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 노광 공정과 식각 공정의 복잡한 공정이 필요없이, 마이크로 컨택트 리소그래피(Microcontact Lithography)와 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)를 이용하여, 간단한 증착 공정만으로 편광 소멸비가 높고, 대면적 기판에도 적용가능한 선 격자 편광자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 선 격자 편광자의 제조방법은, 기판상에 금속막 형성을 억제하는 자기 조립층(Self Assembly Monolayer,SAM) 물질로 복수의 패턴을 상호 이격되도록 형성하는 단계;및 상기 상호 이격된 복수의 패턴 사이에 금속 박막을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어진다.

그리고, 상기 복수의 패턴을 상호 이격되도록 형성하는 단계는 마이크로 컨택트 리소그래피(microcontact lithography) 기술을 이용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 금속 박막을 증착하는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)을 이용하는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명의 구성을 설명하기에 앞서, 본 발명에서 이용하는 마이크로 컨택트 리소그래피(microcontact lithography)와 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)의 기술에 대해 간단하게 설명한다.

우선, 마이크로 컨택트 리소그래피란 양각의 스탬프를 기판 표면에 접촉시켜 단층 패턴을 형성하는 공정으로, 미세 패턴과 구조물을 형성하기 위해 자기 조립층(Self Assebly Monolayer,SAM)을 이용한다는 점에서 다른 인쇄기법과 구별된다.

여기서, 자기 조립층이란, 표면에 대해 반응하는 리간드(ligand. Y(CH₂)nX)를 포함하는 용액에 기판을 담그거나 반응 종으로 이루어진 증기에 기판을 노출시킬 때 표면에 생성되는 단층(monolayer)을 말한다.

이러한 자기 조립층(SAM)은 금속 박막 증착시, 박막의 형성을 억제할 수 있는 억제층(inhibition layer)으로 사용된다.

그리고, 본 발명에서 사용된 원자층 증착법(ALD)은 기존의 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition,CVD)과 달리 반응 원료를 각각 분리하여 공급하는 방식으로, 한 싸이클(cycle) 증착 시에 표면 반응에 의해 1ML(monolayer)이하의 박막이 성장하게 된다.

도 2는 원자층 박막의 흡착과 탈착에 따라 나노단위(nanoscale)로 박막을 증착하는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 기구의 원리를 개략적으로 나타내기 위한 도면이다.

도면에서 보는 바와 같이, 기판에 A 라는 소스(source)(10)를 공급하는 동안 챔버 내에는 기상에 과잉의 A 소스가 있으나 기판에 화학흡착(chemisorption)이 일어나는 반응물은 단지 하나의 원자층 뿐이다.

한편, 기상에 존재하거나 물리 흡착이 일어났을 뿐인 과잉의 A 소스(10)들은 B 소스(20) 반응물이 들어오기 전에 불활성 가스 주입과 함께 배출(purging)된다.

그리고, B 소스(20)가 주입되어 화학 흡착되면, A 소스(10)와의 교환반응에 의해 기판 위에는 고체 상태의 분자막이 형성되며, 기상에 부산물은 다음 싸이클(cycle)의 불활성 가스 주입에 의해 배출(purging)된다.

이와 같은 반응 싸이클의 반복을 통해 적층(layer by layer)하여 성장이 가능하며, 박막의 두께를 원자단위로 제어할 수 있다.

또한, 이러한 박막 형성 기구를 셀프 리미팅 메카니즘(self-limiting mechanism)이라 부른다.

한편, 원자층 증착법(ALD)의 경우 대면적 기판에서 화학 기상 증착법(CVD) 보다 박막 두께의 우수한 균일성을 나타내며, 재현성 또한 우수한 특성을 보인다.

그리고, 반응 원료의 열분해 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(CVD)과 달리 원자층 증착법(ALD)는 반응 원료의 화학 흡착(chemisorption)을 이용하기 때문에 화학 기상 증착법(CVD)보다 증착 온도를 낮출 수 있는 장점이 있다.

즉, 기존의 화학 기상 증착법(CVD) 방식에 비해 저온 공정이 가능하여 폴리머(Polymer) 기반의 기판 사용이 가능하다.

또한, 화학 기상 증착법(CVD)은 반응 원료의 유량 및 증착 온도, 시간 등에 매우 민감한 특성을 나타내어 공정 조건을 확립하기가 어려우나, 원자층 증착법(ALD)의 경우 셀프 리미팅 메카니즘을 이용하기 때문에 일정량 이상의 반응 원료가 공급되면, 그 이상의 반응 원료의 양에 민감하지 않으며, 증착 온도에도 크게 영향을 받지 않는 특성을 나타낸다.

참고적으로, 종래에는 원자층 증착법(ALD) 기술이 주로 게이트 유전체막(gate dielectric) 이나 디램 캐패시터(DRAM capacitor)와 같은 매우 얇은 박막 증착에 이용되었는데, 본 발명에서는 선 격자 편광자 제작에 사용하였다.

이하, 상기한 바와 같은 마이크로 컨택트 리소그래피와 원자층 증착법 기술을 이용한 본 발명에 따른 선 격자 편광자의 바람직한 제조방법에 대하여 도면을 참조하며 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 선 격자 편광자의 제조 공정을 개략적 나타내기 위한 순서도이다.

도 3a 내지 도 3e는 마이크로 컨택트 리소그래피를 위해 사용될 PDMS(Poly DiMethyl Siloxane) 스탬프의 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다.

우선 도 3a에 도시된 바와 같이, 복수의 격자 패턴(110)이 상호 이격되어 형성된 물질로 이루어진 마스터 스탬프(master stamp)(100)를 준비한다.

이때, 상기 복수의 격자 패턴(110)이 상호 이격되어 형성된 물질은 석영 (Quartz)나 규소(Silicon)인 것이 바람직하다.

그리고, 상기 복수의 격자 패턴(110)은 레이저 간섭 리소그래피(laser interference lithography)로 형성하는 것이 바람직하다.

도 3b는 마스터 스탬프(100) 표면에 부착 방지층(annti sticking layer)(120)을 형성하여 표면처리시키는 공정을 나타낸 것이다.

일반적으로, 마스터 스탬프와 PDMS(polydimethylsiloxane)간의 접착력으로 인해 완성된 PDMS 스탬프를 마스터 스탬프에서 이형(realising)할 때, PDMS 스탬프에 손상이 생길 때가 많은데, 부착 방지층을 형성시키는 것은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것이다.

보다 구체적으로, 부착 방지층(anti-sticking layer)을 형성시키는 과정은 상기 마스터 스탬프(100)를 초음파 아세톤(ultrasonic acetone) 용액에서 10분 세정한 후에 건조하고, 계속하여 진공 하에서 15분 동안 마스터 스탬프 표면에 부착 방지층을 증착시키고, 100℃ 열판(hot plate)에서 15분 동안 어닐링(annealing) 하고, 마지막으로, 아세톤(acetone)를 사용해 세정 및 표면처리를 하는 것이 바람직하다.

이후, 상기와 같은 마스터 스탬프에 PDMS(polydimethylsiloxane)를 붓는 공정을 진행한다.

여기서, 상기 부착 방지층(120)을 이루는 물질은 1H,1H,2H,2H-페르플루오로데실 트리클로로실란(Perfluorodecyl trichlorosilane)인 것이 바람직하다.

참고적으로, 이와 같은 표면처리 전후의 변화는 표면 접촉각을 측정하면 알 수 있고, 처리후의 표면 접촉각이 증가하면 표면이 하이드로포빅 서피스(hydrophobic surface)로 개질 되었음을 확인할 수 있다.

도 3c는 마스터 스탬프(100)에 PDMS(130)를 붓는 공정을 나타낸 것이다.

도 3d는 상기한 표면처리된 마스터 스탬프(100)에 PDMS(130)를 부은 상태로 경화(curing)시킨 후, 형성된 PDMS 스탬프를 마스터 스탬프와 분리하는 공정을 나타낸 것이다.

도 3e는 상기와 같은 분리 공정을 마치고 PDMS 스탬프(200)를 완성한 모습을 나타낸 것이다.

상기와 같이 얻어진 PDMS 스탬프(200)와 후술할 ALD 공정을 통해 선 격자 편광자를 구현할 수 있다.

이하, 도 4a 내지 도 4e를 참조하여 상기와 같이 만들어진 PDMS 스탬프(200)를 통한 마이크로 컨택트 리소그래피와 원자층 증착법을 이용해 선 격자 편광자의 바람직한 제조공정을 설명한다.

도 4a는 PDMS 스탬프(200)를 준비한 모습을 나타낸다.

도 4b는 상기 PDMS 스탬프(200)에 자기 조립층(Self Assembly Monolayer,SAM)(210a) 물질을 코팅한 공정을 나타낸다.

이때, 코팅하는 방법은 자기 조립층(SAM) 용액에 PDMS 스탬프를 담그거나, 진공 상태에서 자기 조립층(SAM) 물질을 코팅하는 방법을 이용할 수 있다.

또한, 상기 자기 조립층(SAM) 물질은 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane)인 것이 바람직하다.

그리고, 도 4c와 같이 자기 조립층(SAM) 물질(210a)이 코팅된 PDMS 스탬프(200)를 기판(300)에 접촉하여 자기 조립층(SAM) 물질을 전사시킨다.

여기서, 상기 기판은 가시광 영역에서 투명한 기판을 사용하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 투명한 기판은 유리, 석영(Quartz), 폴리머(Polymer) 중 어느 하나인 것이 바람직하다.

일정시간이 지난 후, PDMS 스탬프(200)를 기판(300)에서 떼어내면, 도 4d에서 보는 바와 같이 자기 조립층(SAM) 물질로 이루어지며 상호 이격된 복수의 패턴(210b)이 기판상에 형성된다.

마지막으로, 도 4e와 같이 자기 조립층(SAM) 물질 패턴의 기판을 ALD 챔버에 장착하고, 기판에 금속 박막(400)을 증착한다.

이때, 상기 금속 박막(400)은 Al, Ag, Au, Cr 중 어느 하나인 것을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 자기 조립층(SAM) 물질은 금속 박막의 성장을 억제(inhibition)하는 역할을 하기 때문에, 금속 박막은 자기 조립층(SAM) 물질이 코팅되어 있지 않은 상호 이격된 복수의 패턴 사이에만 성장이 이루어지게 된다.

그리고, 상기 기판에 형성된 자기 조립층(SAM) 패턴의 주기(p)는 50nm ~ 500nm 인 것이 바람직하다.

또한, 상기 자기 조립층(SAM) 패턴 사이에 증착되는 상기 금속 박막의 두께(d)는 30nm ~ 200nm 인 것이 바람직하며, 상기 금속 박막의 선 폭(w)은 50nm ~ 250nm 인 것이 바람직하다.

한편, 상기 ALD 공정을 통해 금속 박막을 증착시키는 단계의 온도는 100℃ ~ 200℃ 인 것이 바람직하다.

상기와 같은 공정을 마치면 도 4e와 같이 선 격자 편광자를 최종적으로 얻을 수 있게 된다.

이상 본 발명의 실시예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.

본 발명은 기존의 반도체 공정인 노광 공정이나 식각 공정이 필요없이 마이크로 컨택트 리소그래피 기술을 이용해 기판 상에 자기 조립층 패턴을 형성하고, 자기 조립층 패턴 사이에 금속(Al, Ag, Au, Cr, etc...) 박막을 원자층 증착법(ALD)으로 금속 박막을 증착시키기 때문에, 제조공정이 비교적 간단하며, 단위 공정 비용이 절감되어 제조단가를 낮출 수 있는 효과가 있다.

게다가, 본 발명에서 이용하는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)은 기존의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition,CVD)보다 대면적 기판에서도 박막의 두께 균일성이 우수하기 때문에, 편광 재현성이 높은 것을 특징으로 한다.

그리고, 반응 원료의 열분해 반응을 이용하는 CVD와 달리 본 발명에서 이용하는 ALD는 반응원료의 화학흡착(Chemisorption)을 이용하므로, CVD 보다 낮은 온 도에서도 증착이 가능하다는 장점이 있고, 그렇기 때문에 폴리머 기반의 기판을 사용하는 것도 가능하다.

또한, CVD는 반응원료의 유량 및 증착 온도, 시간 등에 매우 민감한 특성을 나타내어 공정 조건을 확립하기가 어려우나, ALD의 경우 셀프 리미팅 메카니즘(self-limiting mechanism)을 이용하기 때문에, 일정량 이상의 반응 원료가 공급되면 그 이상의 반응 원료의 양에 민감하지 않으며, 증착 온도에도 크게 영향을 받지 않는 특성이 있어서, 금속 격자를 용이하게 증착시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (16)

1. 기판상에 금속막 형성을 억제하는 자기 조립층(Self Assembly Monolayer,SAM) 물질로 복수의 패턴을 상호 이격되도록 형성하는 단계;및

   상기 상호 이격된 복수의 패턴 사이에 금속 박막을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어지는 선 격자 편광자 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 복수의 패턴을 상호 이격되도록 형성하는 단계는,

   마이크로 컨택트 리소그래피(microcontact lithography) 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 금속 박막을 증착하는 단계는,

   원자층 증착법(Atomic Layer Deposition,ALD)을 이용하는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 복수의 패턴을 상호 이격되도록 형성하는 단계는,

   복수의 격자 패턴이 상호 이격되어 형성된 마스터 스탬프(master stamp) 표 면에 부착 방지층(anti-sticking layer)을 형성하는 단계;

   상기 마스터 스탬프에 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane,PDMS)을 붓고, 경화(curing)시켜 PDMS 스탬프를 형성하는 단계;

   상기 마스터 스탬프와 PDMS 스탬프를 분리하는 단계;

   상기 PDMS 스탬프에 자기 조립층(Self Assembly Monolayer,SAM) 물질을 코팅하는 단계;및

   상기 PDMS 스탬프에 코팅된 자기 조립층(SAM) 물질을 기판에 전사시켜 상호 이격된 복수의 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 부착 방지층(anti-sticking layer)을 형성하는 단계는,

   상기 마스터 스탬프를 초음파 아세톤(ultrasonic acetone) 용액에서 세정한 후 건조시키는 단계;

   상기 마스터 스탬프 표면에 부착 방지층을 증착하는 단계;

   상기 마스터 스탬프를 열판(hot plate)에서 어닐링(annealing)하는 단계;및

   상기 마스터 스탬프의 표면을 아세톤을 사용해 세정 및 표면 처리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
6. 제 4항에 있어서,

   상기 마스터 스탬프는,

   석영(quartz) 또는 규소(silicon)인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
7. 제 4항에 있어서,

   상기 마스터 스탬프의 격자 패턴은,

   레이저 간섭 리소그래피(laser interference lithography) 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
8. 제 4항에 있어서,

   상기 부착 방지층을 이루는 물질은,

   1H,1H,2H,2H- 페르플루오로데실 트리클로로실란(Perfluorodecyl trichlorosilane) 인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
9. 제 4항에 있어서,

   상기 자기 조립층 물질은,

   옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane)인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
10. 제 4항에 있어서,

    상기 기판은,

    가시광 영역에서 투명한 기판인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
11. 제 10항에 있어서,

    상기 투명한 기판은,

    유리, 석영(Quartz), 폴리머(Polymer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
12. 제 4항에 있어서,

    상기 금속 박막은,

    Al, Ag, Au, Cr 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
13. 제 4항에 있어서,

    상기 자기 조립층 패턴의 주기는,

    50nm ~ 500nm 인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
14. 제 4항에 있어서,

    상기 금속 박막의 두께는,

    30nm ~ 200nm 인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
15. 제 4항에 있어서,

    상기 금속 박막의 선 폭은,

    50nm ~ 250nm 인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.
16. 제 4항에 있어서,

    상기 금속 박막을 증착시키는 단계의 온도는,

    100℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 선 격자 편광자 제조방법.

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