KR20070023418A - 집광 효율을 증가시킨 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이어 수의 증가에 따른 포커싱 문제와 공정 마진 문제를 해결할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판에 제공되 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상에 제공된 제1절연막; 상기 제1절연막 상에 제공된 제1메탈라인; 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 제공된 렌즈; 및 상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제공된 제2절연막을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드가 형성된 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
이미지센서, 포토다이오드, 마이크로렌즈, 렌즈, PMD, IMD, 굴절율.

Description

집광 효율을 증가시킨 이미지센서 및 그 제조 방법{IMAGE SENSOR WITH ENHANCED LIGHT CONCENTRATION CAPABILITY AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF}
도 1은 종래기술에 따른 이미지센서의 단위 화소의 일부를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서의 단위 화소의 일부를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.
도 4는 도 2의 렌즈(ML)를 포함하는 부분을 확대 도시한 도면
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
P++ : 고농도 P형 영역 P-epi :P-에피층
SUB : 기판 FD : 플로팅 확산영역
Tx : 트랜스퍼 트랜지스터 PD : 포토다이오드
PMD : 메탈라인 형성 전 절연막 IMD1, IMD2 : 메탈라인 간 절연막
M1, M2, M3 : 메탈라인 PL : 보호막
OCL1 : 평탄화막 ML : 렌즈
CFA : 칼라필터 어레이 Fox : 필드산화막
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 집광 효율 및 공정 마진을 높일 수 있는 이미지센서의 구조와 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중에서 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
반면, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하며, 화소 수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지센서의 단위 화소의 일부를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(SUB)에 국부적으로 필드산화막(FOX)이 형성되어 있으며, 기판(SUB) 상에는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 등의 게이트전극이 형성되어 있다.
한편, 도면에서는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)만을 도시하고 있으나, 화소 영역에는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 리셋 트랜지스터(Rx) 등이 배치되고, 주변영역에는 N웰 또는 P웰(Well)에 PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터 등이 배치된다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트전극의 일측과 필드 산화막(FOX) 사이에 얼라인된 기판(SUB)에 포토다이오드(PD)가 배치되어 있다. 포토다이오드(PD)는 통상, 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 깊은 N형 영역과 기판(SUB)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역으로 이루어지며, 여기서는 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트전극의 타측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(n+)의 플로팅 확산영역(FD)이 형성되어 있다.
포토다이오드(PD) 및 각종 트랜지스터가 형성된 전면에 메탈라인 형성 전 절연막(이하 PMD라 함)이 형성되어 있으며, PMD 상에 제1메탈라인(이하 M1이라 함)이 형성되어 있다. 제1메탈라인(M1) 상에는 제1메탈라인 간 절연막(이하 IMD1이라 함)이 형성되어 있으며, IMD1 상에는 제2메탈라인(이하 M2라 함)이 형성되어 있다. 제2메탈라인(M2) 상에는 제2메탈라인 간 절연막(이하 IMD2라 함)이 형성되어 있으며, IMD2 상에는 제3메탈라인(이하 M3이라 함)이 형성되어 있다.
제1 ∼ 제3메탈라인(M1 ∼ M3)은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로의 접속시키기 위한 것으로, 포토다이오드(PD) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.
제3메탈라인(M3) 상에는 하부 구조의 보호를 위한 보호막(이하 PL이라 함)이 형성되어 있으며, PL 상에는 칼라필터 형성시 공정 마진 확보를 위한 제1평탄화막(이하 OCL1이라 함)이 형성되어 있다. 여기서, PL은 통상 질화막/산화막의 2중 구조를 갖는다.
OCL1 상에는 칼라필터 어레이(CFA)가 배치되어 있다. 통상의 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, RGB 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다. 칼라필터 어레이(CFA) 상에는 제2평탄화막(이하 OCL2라 함)이 형성되어 있다.
OCL2 상에는 마이크로렌즈가 형성되어 있다. 입사된 빛은 마이크로렌즈(ML)에 의해 포커싱되어 포토다이오드(PD)로 입사한다.
한편, 이미지센서 내의 화소 수의 증가와 함께 화소부에 적층되는 레이어(Layer)의 수도 점차 증가하고 있다. 따라서, 마이크로렌즈를 통과한 빛(L)이 각각의 레이어를 통과하면서 수광 영역인 포토다이오드(PD)에 들어오기 전까지 광 손실이 발생하고, 포커싱에도 문제가 발생하게 된다.
도 1에서 포키싱 문제로 발생한 사광(l)은 인접한 화소에 영향을 미치는 것을 알 수 있으며, 마진이 부족한 인접 화소 간의 변화가 발생하여 이미지의 균일성 측면에서 문제가 발생할 수 있다.
이러한 문제를 보상하기 위해 레이어들 특히, PMD, IMD1, IMD2의 두께를 낮추고 있으나, 이들의 두께 감소는 메탈라인 간의 기생 캐패시턴스의 증가를 초래하므로, 이 또한 한계가 있다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 레이어 수의 증가에 따른 포커싱 문제와 공정 마진 문제를 해결할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 제공되 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상에 제공된 제1절연막; 상기 제1절연막 상에 제공된 제1메탈라인; 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 제공된 렌즈; 및 상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제공된 제2절연막을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드가 형성된 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제2절연막을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 포토다이오드 바로 위에 위치하는 PMD 상에 PMD 및 IMD1을 이루는 산화막보다 굴절율이 큰 질화막을 이용하여 렌즈를 형성한다. 렌즈를 이루는 질화 막은 IMD1보다 굴절율이 크므로 입사된 빛의 각도가 작아져, 결국 포토다이오드로 포키싱이 되도록 한다.
질화막으로 이루어지는 렌즈는 2개의 질화막 패턴으로 이루어지도록 하며, 칼라필터 상부에 위치하던 마이크로렌즈를 생략한다.
따라서, 레이어의 증가와 포커싱 문제로 인한 집광 효율 감소를 개선할 수 있으며, 상부의 마이크로렌즈 공정 생략으로 인한 인접 화소간의 마진 증가와 공정의 복잡성을 줄일 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서의 단위 화소의 일부를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(SUB)에 국부적으로 필드산화막(FOX)이 형성되어 있으며, 기판(SUB) 상에는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 등의 게이트전극이 형성되어 있다.
한편, 도면에서는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)만을 도시하고 있으나, 화소 영역에는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 리셋 트랜지스터(Rx) 등이 배치되고, 주변영역에는 N웰 또는 P웰(Well)에 PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터 등이 배치된다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트전극의 일측과 필드 산화막(FOX) 사이에 얼라인된 기판(SUB)에 포토다이오드(PD)가 배치되어 있다. 포토다이오드(PD)는 통상, 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 깊은 N형 영역과 기판(SUB)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역으로 이루어지며, 여기서는 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트전극의 타측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(n+)의 플로팅 확산영역(FD)이 형성되어 있다.
포토다이오드(PD) 및 각종 트랜지스터가 형성된 전면에 메탈라인 형성 전 절연막(이하 PMD라 함)이 형성되어 있으며, PMD 상에 제1메탈라인(이하 M1이라 함)이 형성되어 있다.
아울러, M1과 이웃하는 PMD 상에 특히, 포토다이오드(PD)와 오버랩되는 위치에 질화막으로 이루어진 렌즈(ML)가 형성되어 있다.
렌즈(ML)는 PMD 및 IMD1을 이루는 산화막보다 굴절율이 큰 질화막을 이용하여 형성된다. 렌즈를 이루는 질화막은 IMD1보다 굴절율이 크므로 입사된 빛의 각도가 작아져, 결국 입사된 빛이 포토다이오드(PD)로 포키싱 되도록 한다.
질화막으로 이루어지는 렌즈는 2개의 질화막 패턴으로 이루어지도록 하며, 칼라필터 상부에 위치하던 마이크로렌즈를 생략할 수 있도록 한다.
따라서, 레이어의 증가와 포키싱 문제로 인한 집광 효율 감소를 개선할 수 있으며, 상부의 마이크로렌즈 공정 생략으로 인한 인접 화소간의 마진 증가와 공정의 복잡성을 줄일 수 있다.
도 4는 도 2의 렌즈(ML)를 포함하는 부분을 확대 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 렌즈(ML)는 사각형 형상의 제1질화막 패턴(Nit1)과 제1질화막 패턴(Nit1)의 프로파일을 따라 둥근 반구 형상을 이루도록 배치된 제2질화막 패턴(Nit2)으로 이루어진다.
질화막으로 이루어진 렌즈(ML)는 IMD1을 이루는 산화막에 비해 굴절율이 크므로, 입사된 광이 포토다이오드(PD)로 입사되도록 하는 역할을 한다.
제1메탈라인(M1) 및 렌즈(ML) 상에는 제1메탈라인 간 절연막(이하 IMD1이라 함)이 형성되어 있으며, IMD1 상에는 제2메탈라인(이하 M2라 함)이 형성되어 있다. 제2메탈라인(M2) 상에는 제2메탈라인 간 절연막(이하 IMD2라 함)이 형성되어 있으며, IMD2 상에는 제3메탈라인(이하 M3이라 함)이 형성되어 있다.
제1 ∼ 제3메탈라인(M1 ∼ M3)은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로의 접속시키기 위한 것으로, 포토다이오드(PD) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.
한편, 질화막은 광흡수율 또한 높기 때문에 렌즈(ML)의 두께를 너무 두껍게 하지 않고, IMD1의 두께보다 작도록 하는 것이 바람직하다.
렌즈(ML)는 그 형상 자체로 빛을 포키싱할 수 있으므로, IMD1이나 PMD와 동일한 산화막을 이용할 수도 있으며, 산화막과 질화막이 적층된 구조를 이용할 수도 있다.
렌즈(ML)는 제조 공정에 따라 상기한 반구형(Hemispherical), 원기둥형(Semicylindrical), 사각 돔(Rectangular dome) 형 등 포토다이오드(PD)로 빛을 모으는 것이 가능한 다양한 형상을 가질 수 있다.
제3메탈라인(M3) 상에는 하부 구조의 보호를 위한 보호막(이하 PL이라 함)이 형성되어 있으며, PL 상에는 칼라필터 형성시 공정 마진 확보를 위한 평탄화막(이하 OCL이라 함)이 형성되어 있다. 여기서, PL은 통상 질화막/산화막의 2중 구조를 갖는다.
OCL 상에는 칼라필터 어레이(CFA)가 배치되어 있다. 통상의 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, RGB 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다.
한편, 종래의 이미지센서는 칼라필터 어레이(CFA) 상에 제2평탄화막(OCL2)과 마이크로렌즈 및 보호막을 포함하였으나, 본 발명에서는 렌즈(ML)를 IMD1 내에 위치하도록 함으로써, 이를 생략하도록 하였다.
이하에서는, 상기한 구조를 이미지센서 제조 공정을 살펴본다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 고농도 P형(P++) 영역과 P형 에피층(P-epi)이 적층된 기판(100)에 국부적으로 필드 산화막(101)을 형성한다.
도면에서는 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 방식의 필드 산화막(101)을 나타내고 있으나, 이외에도 STI(Shallow Trench Isolation) 방식도 가능하다.
이어서, 트랜지스터(도시하지 않음) 및 포토다이오드(102)를 형성하는 바, 자세한 제조 공정은 생략한다.
포토다이오드(102)가 형성된 전면에 산화막으로 이루어진 메탈라인 형성 전 절연막(103)을 형성한 다음, 메탈라인 형성 전 절연막(103) 상에 제1질화막(104a)을 증착한다.
이어서, 제1질화막(104a) 상에 제1질화막(104a)을 패터닝하기 위한 포토레지스트 패턴(105)을 형성한다.
포토레지스트 패턴(105)은 식각될 제1질화막(104a)이 포토다이오드(102)와 오버랩되는 상부에서 포토다이오드(102) 보다 작은 폭을 갖도록 정의하는 것이 바람직하다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(105)을 식각마스크로 제1질화막(104a)을 식각하여 제1질화막 패턴(104b)을 형성한다. 제1질화막 패턴(104b)은 사각형 형태이면서 포토다이오드(102) 보다 작은 폭을 갖는다.
제1질화막 패턴(104b)이 형성된 프로파일을 따라 제2질화막(106a)을 증착한다.
제1질화막(104a)과 제2질화막(104b)은 화학기상증착(CVD) 방식을 이용하여 증착하는 것이 바람직하다.
제1질화막 패턴(104b)이 사각형의 형상이므로, 제1질화막 패턴(104b)이 위치하는 곳에서는 제2질화막(106a)이 반구 형상을 갖도록 증착될 것이다.
제2질화막(106a) 상에 렌즈 형상을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴(107)을 형성한다.
포토레지스트 패턴(107)은 렌즈 전체의 크기를 결정하므로, 하부의 포토다이오드(102)와 오버랩되고, 그 폭이 실질적으로 동일하도록 하는 것이 바람직하다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(107)을 식각마스크로 제2질화막(106a)을 식각하여 반구형의 제2질화막 패턴(106b)을 형성한다.
이어서, 포토레지스트 패턴(107)을 제거한 다음, 세정 공정을 실시함으로써, 제1질화막 패턴(104b)과 제2질화막 패턴(106b)이 적층된 렌즈를 형성하게 된다.
한편, 후속 공정으로는 복수의 메탈라인 간 절연막과 메탈라인 및 칼라필터 어레이 형성 공정이 이어질 것이며, 최상부의 마이크로렌즈 형성 공정을 생략될 것이다.
한편, 포토레지스트 패턴(107)을 사용하지 않고, 제2질화막(106a)에 대한 전면식각을 통해 제2질화막 패턴(106b)을 형성할 수도 있다.
전술한 바와 같이 이루어지는 발명은, 포토다이오드 바로 위에 위치하는 PMD 상에 렌즈를 형성하고, 칼라필터 상부에 위치하던 마이크로렌즈를 생략함으로써, 레이어의 증가와 포커싱 문제로 인한 집광 효율 감소를 개선할 수 있으며, 상부의 마이크로렌즈 공정 생략으로 인한 인접 화소간의 마진 증가와 공정의 복잡성을 줄일 수 있음을 실시 예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상기한 본 발명의 실시 예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 집광 효율과 공정 마진을 높일 수 있어, 이미지센서의 성능 및 수율을 크게 향상시키는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 기판에 제공되 포토다이오드;
    상기 포토다이오드 상에 제공된 제1절연막;
    상기 제1절연막 상에 제공된 제1메탈라인;
    상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 제공된 렌즈; 및
    상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제공된 제2절연막
    을 포함하는 이미지센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2절연막 상에 제공된 복수의 메탈라인 및 복수의 절연막으로 이루어진 레이어 구조와, 상기 레이어 구조 상에 제공된 칼라필터 어레이를 더 포함하며,
    상기 칼라필터 어레이 상부에 제공되는 마이크로렌즈가 생략된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 산화막으로 이루어지며, 상기 렌즈는 산 화막 또는 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 렌즈는 반구형, 원기둥형 또는 사각형 돔형 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드가 형성된 전면에 제1절연막을 형성하는 단계;
    상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드와 오버랩되는 상기 절연막 상에서 상기 제1메탈라인과 이웃하도록 렌즈를 형성하는 단계; 및
    상기 렌즈 및 상기 제1메탈라인 상에 제2절연막을 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2절연막 상에 복수의 메탈라인 및 복수의 절연막으로 이루어진 레이어 구조를 형성하는 단계와, 상기 레이어 구조 상에 칼라필터 어레이를 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 칼라필터 어레이 상부에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 생략하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 산화막으로 이루어지며, 상기 렌즈는 산화막 또는 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 렌즈는 반구형, 원기둥형 또는 사각형 돔형 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 렌즈를 형성하는 단계는,
    상기 제1절연막 상에 렌즈용 제1절연막을 증착하는 단계와,
    상기 렌즈용 제1절연막을 상기 포토다이오드와 오버랩되며 상기 포토다이오드에 비해 폭이 작도록 선택적으로 식각하여 렌즈용 제1절연막 패턴을 형성하는 단 계와,
    상기 제1절연막 패턴이 형성된 프로파일을 따라 렌즈용 제2절연막을 증착하는 단계와,
    상기 렌즈용 제2절연막을 상기 포토다이오드와 오버랩되며 상기 포토다이오드와 실질적으로 폭이 같도록 선택적으로 식각하여 렌즈용 제2절연막 패턴을 형성함으로써, 상기 제1절연막 패턴과 상기 제2절연막 패턴이 적층된 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 렌즈를 형성하는 단계는,
    상기 제1절연막 상에 렌즈용 제1절연막을 증착하는 단계와,
    상기 렌즈용 제1절연막을 상기 포토다이오드와 오버랩되며 상기 포토다이오드에 비해 폭이 작도록 선택적으로 식각하여 렌즈용 제1절연막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 제1절연막 패턴이 형성된 프로파일을 따라 렌즈용 제2절연막을 증착하는 단계와,
    상기 렌즈용 제2절연막을 전면식각하여 렌즈용 제2절연막 패턴을 형성함으로써, 상기 제1절연막 패턴과 상기 제2절연막 패턴이 적층된 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 렌즈용 제1절연막과 상기 렌즈용 제2절연막은 산화막 또는 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
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