KR20070010736A - 질화물 반도체 소자 - Google Patents
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- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 있는 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층;상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층;상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 초격자층을 구성하는 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 초격자층은, 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 높은 제1 질화물 반도체층과 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 낮은 제2 질화물 반도체층이 교대로 1회 이상 반복 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 초격자층은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 낮은 제1 질화물 반도체층과 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 높은 제2 질화물 반도체층이 교대로 1회 이상 반복 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층과 상기 제2 질화물 반도체층 사이에 어느 일방으로 에너지 밴드가 순차적으로 증가하는 1층 이상의 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 p형 클래드층과 상기 p형 전극 사이에 형성되어 있는 투명 도전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
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Family Applications (1)
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KR20160149496A (ko) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비하는 조명시스템 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7193246B1 (en) * | 1998-03-12 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
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2005
- 2005-07-20 KR KR20050065571A patent/KR100716792B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160149496A (ko) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비하는 조명시스템 |
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