KR20070002677A - 액정표시소자 - Google Patents

액정표시소자

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KR20070002677A
KR20070002677A KR1020050058305A KR20050058305A KR20070002677A KR 20070002677 A KR20070002677 A KR 20070002677A KR 1020050058305 A KR1020050058305 A KR 1020050058305A KR 20050058305 A KR20050058305 A KR 20050058305A KR 20070002677 A KR20070002677 A KR 20070002677A
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liquid crystal
electrode
substrate
display device
crystal display
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KR1020050058305A
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천병순
김경진
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 성질을 갖는 고분자 배향막을 사용하여 액정의 응답속도를 빠르게 개선함에 있어 하나의 소자에 세 개의 전극을 구비함으로써 액정분자의 복원력을 개선하여 디스클리네이션을 효과적으로 제거하고자 하는 액정표시소자에 관한 것으로, 제 1 기판 상에서 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 단위 화소내에 형성되는 박막트랜지스터 및 화소전극과, 상기 제 1 기판 상에 형성되어 상기 화소전극과 함께 전계를 형성하는 대향 전극과, 상기 제 1 기판에 대향 합착되고 보조전극이 형성되어 있는 제 2 기판과, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층과, 상기 제 1 ,제 2 기판 외측에 각각 형성된 편광판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
IPS, FFS, 고분자 배향막

Description

액정표시소자{Liquid Crystal Display Device}
도 1은 종래 기술에 의한 IPS 모드 액정표시소자의 평면도.
도 2는 FLCP의 구동특성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 편광판의 배치와 고분자배향막의 초기배향을 나타낸 도면.
도 5a 및 도 5b는 전압 인가 유무에 따른 고분자 배향막의 배향상태를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
111 : TFT 어레이 기판 112 : 컬러필터 어레이 기판
113 : 액정층 117 : 화소전극
124 : 공통전극 125 : 보조전극
130 : 고분자 배향막 150 : 편광판
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 특히, 액정 성질을 갖는 고분자 배향막을 사용하여 액정의 응답속도를 빠르게 개선함에 있어 하나의 소자에 세 개의 전극을 구비함으로써 액정분자의 복원력을 개선하여 디스클리네이션을 효과적으로 제거하고자 하는 액정표시소자에 관한 것이다.
최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathod Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 평판 TV, 휴대용 컴퓨터, 모니터 등에 광범위하게 사용되고 있다.
상기 액티브 매트릭스 액정표시소자 중 트위스티드 네마틱(TN : Twisted Nematic) 방식의 액정표시소자가 주로 사용되고 있는데, 트위스티드 네마틱 방식은 두 기판에 각각 전극을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음, 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 기술이다.
트위스티드 네마틱 모드 액정표시소자(twist nematic liquid crystal display: TN LCD)는 우수한 콘트라스트(contrast)와 색상 재현성을 제공하고 박형으로 제조할 수 있어 휴대가 간편하고 소비 전력이 저감된다는 이유로 각광받고 있다. 그러나, 시야각이 좁고, 인가 전압에 대한 응답 속도가 느려 동영상 이미지를 재생하기에 불편하다는 단점이 있다.
이러한 TN방식의 시야각 문제를 해결하기 위해서, 하나의 기판 상에 두개의 전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)가 도입되었다.
상기 IPS 모드 액정표시소자는, 통상, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층을 구비한 컬러필터 어레이 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판으로 구성되는데, 상기 컬러필터 어레이 기판에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층이 형성되고, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에는 단위픽셀을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 서로 엇갈리게 교차되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성된다. 이때, 상기 두 기판 내측면에 액정층의 초기배향 방향을 결정하기 위한 배향막이 더 구비된다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 공통전극(524) 및 화소전극(517)을 동일한 기판 상에 서로 평행하도록 형성하고, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 걸어 기판에 대해서 수평방향의 횡전계를 발생시킴으로써, 액정 분자를 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 회전시키는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 화소전극(517)에는 데이터 전압이 인가되고 상기 공통전극(524)에 상기 데이터 전압에 대한 기준전압이 될 수 있는 Vcom 전압이 인가된다.
한편, IPS 모드 액정표시소자의 응답속도를 보다 향상시키기 위해 상기 배향막으로 액정성질은 갖는 고분자 배향막을 사용하였는데, 일예로 강유전성 액정(FLC:ferroelectric Liquid Crystal)을 채택하고 있다. 강유전성 액정은 기판에 대하여 평면에서 스위칭하므로 시야각 특성이 크게 개선되고, 자발분극(spontaneous polarization)에 의한 반전 스위칭으로 인해 수십us~수십ms의 매우 빠른 응답속도를 나타낸다.
일반적으로, 강유전성 액정은, 도 2에 도시된 바와 같이, 전압 무인가의 경우 액정층의 법선에 대해 θ방향으로 일정하게 경사배열되어 있다가, 공통전극(524)과 화소전극(517)에 특정 전압을 인가하게 되면, 강유전성 액정 분자(525)의 자발분극(Ps: Spontaneous polarization)의 방향이 전기장의 방향으로 향하게 되는 성질에 의해 스위칭하게 된다.
이 때, 강유전성 액정 분자(525)는 전기장의 크기에 따라서 콘 주위를 돌면서 회전하며 이로써 빛을 연속적으로 스위칭한다. 액정분자가 회전하는 각에 의해 그레이가 조절되는데, 벌어지는 각은 반사전극과 공통전극 사이에 인가되는 전압의 세기로 조절할 수 있다.
이러한 IPS 모드 액정표시소자에 전기장을 인가하지 않았을 때에는, 강유전성 액정분자(525)의 장축이 화소전극(517)에 대해 45도의 각도를 가지도록 초기배향되며, 전기장을 인가할 때에는 인가되는 데이터 전압에 의해 45도 또는 -45도로 회전하며, 고분자 배향막이 인가되는 전압에 의해 일정한 방향으로 재배열되면, 그에 따라서 액정층의 액정분자도 재배열되어 빛의 투과의 정도가 결정된다.
즉, 강유전성 액정분자(525)는 +와 -의 자발분극을 가지므로 인가되는 전압에 따라 풀-화이트(full white) 구동시 ②에서 ③으로 회전되고, 풀-블랙(full black) 구동시 ②에서 ①로 회전된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 액정표시소자는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 일반적인 액정표시소자의 시야각 개선을 위해 IPS 모드를 도입하였으나, 응답속도가 느려 동영상 이미지를 재생하기가 어렵다는 문제점이 있었던바, 응답속도를 개선하기 위해 배향막으로 폴리이미드를 사용하지 않고 액정성질을 갖는 고분자 배향막을 사용하였다.
그러나, 강유전성 배향제를 사용하는 경우, 전압을 인가하여 소자를 구동할 때에는 문제가 없지만, 전압을 오프(off)시킬 때 액정분자의 복원력이 약하여 초기상태로 전환이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 전압이 오프될때 액정분자의 앵커링 에너지(anchoring energy)에 액정분자가 초기 배향상태로 복원되는데, 고분자 배향막의 경우 일반적으로 앵커링 에너지가 약하기 때문이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 하나의 기판 상에 공통전극 및 화소전극을 형성하고 대향하는 기판에 보조전극을 더 구비함으로써 고분자 배향막의 복원력을 개선하여 소자의 디스클리네이션 등의 결함을 방지하고 빠른 응답속도를 구현하고자 하는 액정표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 액정표시소자는 제 1 기판 상에서 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 단위 화소내에 형성되는 박막트랜지스터 및 화소전극과, 상기 제 1 기판 상에 형성되어 상기 화소전극과 함께 전계를 형성하는 대향 전극과, 상기 제 1 기판에 대향 합착되고 보조전극이 형성되어 있는 제 2 기판과, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층과, 상기 제 1 ,제 2 기판 외측에 각각 형성된 편광판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명은 세 개의 전극을 구비하여 액정의 구동을 보다 빠르고 정확하도록 함으로써 디스클리네이션 등의 결함을 방지하고 빠른 응답속도를 구현하고자 하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 하나의 기판 상에 공통전극 및 화소전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)에 대해서 상기 기판에 대향하는 대향기판에 보조전극을 더 구비한다.
또는, 하나의 기판 상에 상대 전극과 화소전극 사이의 간격을 좁게 형성하여 상기 상대 전극과 화소전극 사이에서 형성되는 프린지 필드에 의해 액정분자를 동작시키는 FFS 모드(Fringe Field Switching)에 대해서 상기 기판에 대향하는 대향기판에 보조전극을 더 구비한다.
이 때, 상기 보조전극에는 공통전극과 상대전극에 인가되는 Vcom 전압이 인가될 수도 있고, 화소전극에 인가되는 픽셀 전압이 인가될 수도 있으며, 다른 레밸의 전압이 인가될 수도 있다.
한편, 고분자 배향막 이를테면, 카이랄 스메틱 액정(Chiral Smetic Liquid Crystal Material), FLCP(Ferroelectric Liquid Crystal Polymer) 등의 액정성질을 갖는 고분자 배향막을 구비함으로써 시야각 및 응답속도를 보다 개선하고자 한다. FLCP의 경우, 기판 평면에 대해 스위칭하는 특성을 이용한 것으로, FLCP 배향막 사 이의 액정층이 FLCP막에 의해 기판 평면에 대해 스위칭하도록 함으로써 시야각을 개선하고 또한, 액정층의 응답속도가 1ms급의 고속응답특성을 가지도록 하여 우수한 동화상 품질을 얻고자 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 액정표시소자를 살펴보면 다음과 같다.
제 1 실시예
도 3은 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도이고, 도 4는 본 발명에 의한 편광판의 배치와 고분자배향막의 초기배향을 나타낸 도면이며, 도 5a 및 도 5b는 전압 인가 유무에 따른 고분자 배향막의 배향상태를 나타낸 도면이다.
제 1 실시예는 종래의 IPS 모드에 대해 보조전극을 더 구비한 실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층(113)을 구비한 컬러필터 어레이 기판(112)과 박막트랜지스터 어레이 기판(111)으로 구성되는데, 상기 컬러필터 어레이 기판(112)에는 전면에 보조전극(125)이 구비되어 있고 상기 박막트랜지스터 어레이 기판(111)에는 복수개의 공통전극(124)과, 상기 공통전극(124) 사이에 교번되도록 형성되어 상기 공통전극(124)에 평행하는 화소전극(117)이 구비되어 있다.
이때, 상기 공통전극(124)은 외부 구동회로로부터 Vcom 신호를 전달받고, 화소전극(117)은 상기 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극에 연결되어 픽셀 신호를 전달받는데, 상기 두 전극의 전압차에 의해 횡전계가 발생한다.
상기 보조전극(125)에는 공통전극에 인가되는 Vcom 전압이 인가될 수도 있 고, 화소전극에 인가되는 픽셀 전압이 인가될 수도 있으며, 다른 레밸의 전압이 인가될 수도 있는데, 전압 OFF시 디스클리네이션을 방지한다.
여기서, 상기 화소전극(117) 및 보조전극(125)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 형성하고, 상기 공통전극(124)은 상기 화소전극과 동일층에 투명도전물질으로 형성하거나 또는 화소전극과 다른층에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 불투명한 금속층으로 형성할 수 있다.
이때, 상기 액정층(113)은 네마틱 액정으로 네가티브 타입 또는 포지티브 타입을 사용할 수 있고 상기 횡전계에 의해 구동된다.
참고로, 도시하지는 않았으나, 상기 컬러필터 어레이 기판에는 상기 보조전극 상부에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층이 더 형성되고, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에는 상기 공통전극 및 화소전극 하부에 단위픽셀을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터가 더 형성된다.
상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부에 적층된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부에 아몰퍼스 실리콘(Amorphous Silicon;a-Si:H)을 증착하여 섬(island) 모양으로 형성한 반도체층과, 상기 반도체층과 상부층과의 콘택접촉을 개선하기 위해 아몰퍼스 실리 콘에 불순물이온을 주입한 n+a-Si를 증착하여 형성한 오믹콘택층(Ohmic Contact layer)과, 상기 데이터 배선에서 분기되어 상기 반도체층 상부에 형성된 소스/드레인 전극으로 구성된다.
한편, 컬러필터 어레이 기판(112)과 TFT 어레이 기판(111)의 외측면에는 편광판(150)이 더 구비되고, 상기 두 기판의 내측면에는 고분자 배향막(130)이 더 구비되는데, 상기 편광판(150)의 투과축과, 액정분자의 방향자의 각도를 조절하여 노멀리 블랙 모드(normally black mode)로 제작할 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 화살표 방향으로 고분자 배향막을 초기배향시키고, 상부 편광판(상부 POL) 및 하부 편광판(하부 POL)은 편광축은 전극(117,124)으로부터 45도의 각도를 가지도록 배치한다. 다만, 상기 상부 편광판과 하부편광판의 편광축이 서로 수직을 이루도록 한다. 이후, 초기 배향상태의 상기 고분자 배향막에 대해 일정한 전압을 주어 일정 그레이 레밸(gray level)을 블랙 상태로 고정한다.
이와같은 액정표시소자에 전압을 인가하지 않으면, 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 고분자 배향막의 액정분자(225a)가 하부 편광판(하부 POL)의 편광축과 나란하게 배열되는데 그에 따라 액정층도 하부 편광판의 편광축과 나란하게 배열되어 수직하는 상부 편광판의 편광축을 통해 빛을 투과시키지 못하여 블랙 레밸이 구현된다. 그리고, 전압을 인가하면, 도 5b에 도시된 바와 같이, 배향막의 액정분자(225a)가 횡전계에 의해 전극에 수직하는 방향으로 배열되는데 그에따라 액정층도 전극에 수직하는 방향으로 배열되어 빛을 투과시킴으로써 화이트 레밸이 구현된다.
이후, 횡전계에 의해 전극에 수직하도록 배열된 고분자 배향막을 초기상태로 복원시켜야 하는데, 고분자 배향막의 앵커링 에너지가 약한 것을 보상하기 위해서 보조전극에 임의의 전압을 인가하여 고분자 배향막이 초기상태로 용이하게 복원되도록 한다. 따라서, 고분자 배향막의 복원력이 약하여 초기상태로 배열되지 못하고 임의적으로 배열되어 디스클리네이션을 발생시켰던 문제를 해결할 수 있다.
참고로, 상기 고분자 배향막(130)으로 카이랄 스메틱 액정, FLCP(ferroelectric Liquid Crystal Polymer)를 사용할 수 있는데, 상기 고분자 배향막의 분자움직임에 의해 액정층의 배열방향이 조절된다.
일예로, FLCP은 특정 전압 인가시, 자발분극의 방향이 전기장의 방향으로 향하게 되는 성질에 의해 스위칭하게 되는데, 액정표시소자에 전압을 인가하여 상기 공통전극(124) 및 화소전극(117)에 횡전계를 형성시키면, FLCP막의 분자는 자발분극의 방향이 전기장의 방향으로 향하게 되는 성질에 의해 콘의 외측면을 따라 좌,우 이동하는 것처럼 재배열되고, 상기 FLCP막의 분자 움직임에 의해 FLCP막에 인접한 액정분자의 방향자가 기판 평면에 대해 횡전계 방향으로 평행하게 스위칭하게 되며, 결국, 액정분자 전체가 일괄적으로 스위칭하게 된다.
결국, 액정의 스위칭은 FLCP막과 같은 고분자 배향막(130)이 담당하게 되고, 광학적 이방성 △n과 관계된 편광효율은 네마틱 액정층(113)이 담당하게 된다. 특히, 고분자 배향막으로 FLCP막을 사용하는 경우 자발분극(spontaneous polarization)에 의한 반전 스위칭으로 1ms정도의 매우 빠른 응답속도를 구현하므로 응답속도가 빨라지고 넓은 시야각을 구현할 수 있다.
제 2 실시예
도 6은 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
제 2 실시예는 종래의 FFS 모드에 대해 보조전극을 더 구비한 실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층(213)을 구비한 컬러필터 어레이 기판(212)과 박막트랜지스터 어레이 기판(211)으로 구성되는데, 상기 컬러필터 어레이 기판(212)에는 전면에 보조전극(225)이 구비되어 있고 상기 박막트랜지스터 어레이 기판(211)에는 상기 화소 내부에 통자로 형성된 플레이트형의 상대전극(224)과, 상기 상대전극(224)과 절연되어 복수개의 슬릿(215)을 가지는 화소전극(217)이 형성되어 있다.
이때, 상기 상대전극(224)은 외부 구동회로로부터 Vcom 신호를 전달받고, 화소전극(217)은 상기 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극에 연결되어 픽셀 신호를 전달받는데, 상기 두 전극의 전압차에 의해 슬릿 사이로 프린지 필드가 발생하게 된다.
상기 슬릿(215)의 폭은 대략 2～6㎛ 사이의 값을 가지며, 화소전극(217)과 상대전극(224) 사이에 형성되는 프린지 필드에 의하여 액정이 구동된다. 즉, 전압 무인가시 러빙에 의해 초기 배향되어 있던 액정들이 프린지 필드에 의해 회전하여 빛이 투과하게 된다.
상기 보조전극(225)에는 공통전극에 인가되는 Vcom 전압이 인가될 수도 있고, 화소전극에 인가되는 픽셀 전압이 인가될 수도 있으며, 다른 레밸의 전압이 인가될 수도 있는데, 전압 OFF시 디스클리네이션을 방지한다.
여기서, 상기 화소전극(217), 상대전극(224) 및 보조전극(225)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 형성한다.
이때, 상기 액정층(213)은 네막틱 액정으로 네가티브 타입 또는 포지티브 타입을 사용할 수 있고 상기 전계에 의해 구동된다.
한편, 컬러필터 어레이 기판(212)과 TFT 어레이 기판(211)의 외측면에는 편광판(250)이 더 구비되고, 상기 두 기판의 내측면에는 고분자 배향막(230)이 더 구비된다. 이 때, 상기 편광판(250)의 투과축과, 액정분자의 방향자의 각도를 조절하여 노멀리 블랙 모드(normally black mode)로 제작할 수 있다.
편광판의 배치와 고분자 배향막의 초기배향은 제 1 실시예에서 설명한 것과 동일, 유사하다. 상부 편광판(상부 POL) 및 하부 편광판(하부 POL)이 편광축이 전극으로부터 45도의 각도를 가지도록 배치하되 서로 수직으로 이루도록 하고, 고분자 배향막은 상부 편광판과 하부편광판의 편광축 사이에서 임의의 각도를 가지도록 하며 일정한 전압을 주어 일정 그레이 레밸(gray level)을 블랙 상태로 고정한다.
이와같은 액정표시소자에 전압을 인가하지 않으면, 고분자 배향막의 액정분자가 하부 편광판(하부 POL)의 편광축과 나란하게 배열되는데 그에 따라 액정층도 하부 편광판의 편광축과 나란하게 배열되어 수직하는 상부 편광판의 편광축을 통해 빛을 투과시키지 못하여 블랙 레밸이 구현된다. 그리고, 전압을 인가하면, 배향막의 액정분자가 횡전계에 의해 전극에 수직하는 방향으로 배열되는데 그에따라 액정층도 전극에 수직하는 방향으로 배열되어 빛을 투과시킴으로써 화이트 레밸이 구현 된다.
이후, 횡전계에 의해 전극에 수직하도록 배열된 고분자 배향막을 초기상태로 복원시켜야 하는데, 고분자 배향막의 앵커링 에너지가 약한 것을 보상하기 위해서 보조전극에 임의의 전압을 인가하여 고분자 배향막이 초기상태로 용이하게 복원되도록 한다. 따라서, 고분자 배향막의 복원력이 약하여 초기상태로 배열되지 못하고 임의적으로 배열되어 디스클리네이션을 발생시켰던 문제를 해결할 수 있다.
상기 고분자 배향막(230)으로 카이랄 스메틱 액정, FLCP(ferroelectric Liquid Crystal Polymer)를 사용할 수 있는데, 상기 고분자 배향막의 분자움직임에 의해 액정층의 배열방향이 조절된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명에 따른 액정표시소자는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 하나의 기판 상에 공통전극 및 화소전극을 형성하고 대향하는 기판에 보조전극을 더 구비하여 고분자 배향막이 초기상태로 용이하게 복원될 수 있도록 함으로써 디스클리네이션 등의 결함을 방지할 수 있다.
즉, 고분자 배향막을 구비한 액정표시소자의 경우, 전기장 인가하지 않았을 경우에 발생하는 디스클리네이션 현상을 제거할 수 있다.
둘째, 기판 내측면에 형성되는 고분자 배향막으로서 FLCP를 사용할 수 있으므로, FLCP막이 기판 평면에 대해 스위칭하는 것에 의해 소자의 시야각을 개선할 수 있고, 소자의 응답속도를 향상시킬 수 있다.
따라서, 액정표시소자의 동화상 품질이 우수해진다.

Claims (9)

  1. 제 1 기판 상에서 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 단위 화소내에 형성되는 박막트랜지스터 및 화소전극과,
    상기 제 1 기판 상에 형성되어 상기 화소전극과 함께 전계를 형성하는 대향 전극과,
    상기 제 1 기판에 대향 합착되고 보조전극이 형성되어 있는 제 2 기판과,
    상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층과,
    상기 제 1 ,제 2 기판 외측에 각각 형성된 편광판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 ,제 2 기판 내측에 액정성질을 갖는 고분자 배향막이 각각 더 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자 배향막은 카이랄 스메틱 액정 또는 FLCP(ferroelectric Liquid Crystal Polymer)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정층은 네마틱 액정인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향전극은 상기 화소전극과 평행하게 형성되어 횡전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향전극은 복수개의 슬릿을 가지고 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 제 2 기판 전면에 플레이트형으로 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극에는 Vcom 전압, 픽셀 전압 또는 다른 레밸의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 투명한 도전층인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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