KR20060126541A - 소프트 시작/정지 기능을 갖는 게이트 제어회로 - Google Patents
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Claims (21)
- 스위칭 증폭기로서:각각의 전류 경로들 및 제어 단자들을 구비한 두 개의 출력 트랜지스터들과, 여기서 상기 전류 경로들은 상기 트랜지스터들 사이에 부하를 구동하도록 접속가능한 공통 출력 노드를 구비하여 양 및 음의 전원 단자들 사이에서 직렬로 접속되며;상기 제어 단자들에 대한 구동기 회로와;펄스폭 변조된(PWM) 신호를 제공하는 신호원과, 여기서 상기 펄스폭 변조된 신호의 듀티 사이클은 정보의 신호를 나타내며;상기 출력 트랜지스터들 각각에 대한 제어 단자 구동기 회로와,여기서 상기 제어 단자 구동기 회로들은 상기 PWM 신호에 응답하여, 일 트랜지스터가 턴오프되어 있는 동안 타 트랜지스터가 턴온되도록 상기 출력 트랜지스터들을 완전한 온과 완전한 오프 사이에서 구동하도록 펄스폭 변조된 제어 단자 구동 펄스들을 생성하며, 그리고상기 제어 단자 구동기 회로들은 또한 상기 스위칭 증폭기에 대한 시동 간격을 나타내는 동작 상태 신호에 응답하여, 상기 시동 간격 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 0값과 상기 스위칭 증폭기의 정상 동작에 대한 최댓값 사이에서 변화시키며;상기 출력 노드에서 DC 오프셋에 응답하는 검출기를 포함하는 피드백 회로와; 그리고상기 검출기의 출력에 응답하여, DC 오프셋을 제거하도록 상기 시동 간격의 적어도 일부분 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 상대적인 진폭을 제어하는 에러 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 1항에 있어서, 상기 출력 노드에 접속됨과 아울러 상기 부하에 접속되는 저역 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 2항에 있어서, 상기 검출기는 상기 출력 노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 2항에 있어서, 상기 검출기는 상기 저역 필터의 출력에 접속되는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 1항에 있어서, 상기 부하는 확성기인 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 1항에 있어서, 상기 제어 단자 구동기 회로들은, 상기 동작 상태 신호의 상기 진폭들에 응답하여 상기 각각의 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 변화시키는 각각의 전원 회로들을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 6항에 있어서, 상기 동작 상태 신호는 상기 시동 간격 동안에 상승 램프 의 형태이고, 그리고 셧다운 간격 동안에 하강 램프의 형태이고, 그리고 정상 증폭기 동작 동안에 정상상태 값(steady state value)을 갖는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 7항에 있어서, 상기 전원 회로들은 상기 하강 램프에 응답하여, 상기 셧다운 간격 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 상기 최댓값으로부터 0으로 줄이는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 8항에 있어서, 상기 에러 회로는 또한 상기 검출기의 출력에 응답하여, 상기 DC 오프셋을 제거하도록 상기 셧다운 간격의 적어도 일부분 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 상대적인 진폭을 제어하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 6항에 있어서,상기 에러 회로는 상기 검출기의 출력에 접속된 제 1 입력과 상기 동작 상태 신호에 접속된 제 2 입력을 구비한 에러 증폭기를 포함하고,상기 동작 상태 신호는 상기 출력 트랜지스터들 중 일 출력 트랜지스터를 위해 상기 전원 회로에 직접 접속되며, 그리고상기 에러 증폭기의 출력들은 상기 타 출력 트랜지스터를 위해 상기 전원 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 10항에 있어서, 상기 에러 회로를 상기 전원 회로들 중 하나에 접속시키는 레벨 쉬프터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 1항에 있어서,상기 동작 상태 신호는 상기 증폭기에 대한 셧다운 간격을 나타내는 부분을 포함하며; 그리고상기 구동기 회로들은 상기 셧다운 간격 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 상기 최댓값으로부터 0까지 줄이는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 제 12항에 있어서, 상기 에러 회로는 상기 검출기의 출력에 응답하여, DC 오프셋을 제거하도록 상기 셧다운 간격의 적어도 일부분 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 상대적인 진폭을 제어하는 것을 특징으로 하는 스위칭 증폭기.
- 각각의 소스투드레인(source to drain) 전류 경로들과 게이트 단자들을 구비한 두 개의 MOSFET 출력 트랜지스터들을 포함하는 스위칭 증폭기에 대한 게이트 제어 회로 - 여기서 상기 전류 경로들은 양 및 음의 전원 단자들에 직렬로 연결되어 상기 트랜지스터들 사이의 공통 출력 노드에 연결된 부하를 구동하며, 상기 게이트 제어 회로는 PWM 신호에 응답하여 상기 MOSFET들 중 일 MOSFET은 교대로 완전한 온 및 완전한 오프 도통 상태들을 갖고 그리고 타 MOSFET은 반대의 도통 상태를 갖도록 상기 스위칭 증폭기를 동작시키며, 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 정보 신호를 나타내며- 로서,상기 PWM 신호에 응답하여 상기 MOSFET들에 대한 펄스폭 변조된 게이트 구동 펄스들을 생성하는 각각의 MOSFET에 대한 게이트 구동기와;상기 게이트 구동기들을 동작시키도록 접속된 램프 제어회로와, 여기서 상기 램프 제어 회로는 상기 스위칭 증폭기에 대한 시동 조건을 나타내는 동작 상태 신호에 응답하여 시동 간격 동안에 상기 PWM 펄스 트레인의 진폭을 0 값과 상기 스위칭 증폭기의 정상 동작에 대한 최댓값 사이에서 변화시키며;상기 공통 출력 노드에서 DC 오프셋을 검출하도록 연결된 DC 오프셋 검출기와; 그리고상기 DC 오프셋 검출기의 출력에 응답하여, DC 오프셋을 제거하도록 상기 시동 간격의 적어도 일부분 동안에 상기 게이트 구동 펄스들의 상대적인 진폭을 제어하는 에러 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 14항에 있어서, 상기 제어 단자 구동기 회로들은, 상기 동작 상태 신호의 진폭에 응답하여 상기 각각의 제어 단자 구동 펄스들의 진폭들을 변화시키는 각각의 전원 회로들을 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 14항에 있어서, 상기 동작 상태 신호는 상기 시동 간격 동안에 상승 램프의 형태이고, 그리고 셧다운 간격 동안에 하강 램프의 형태이며, 그리고 정상 증폭기 동작 동안에 정상상태 값을 갖는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 16항에 있어서, 상기 게이트 구동기 회로들은 상기 하강 램프에 응답하여 상기 셧다운 간격 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 상기 최댓값으로부터 0까지 줄이는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 15항에 있어서,상기 에러 회로는 상기 검출기의 출력에 연결된 제 1 입력과 상기 동작 상태 신호를 수신하는 제 2 입력을 구비하는 에러 증폭기를 포함하며,상기 동작 상태 신호는 상기 MOSFET들 중 일 MOSFET을 위해 상기 구동기에 대한 상기 전원 회로에 직접 접속되며, 그리고상기 에러 증폭기의 출력은 상기 타 MOSFET을 위해 상기 구동기에 대한 상기 전원 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 15항에 있어서, 상기 에러 회로를 상기 전원 회로들 중 하나에 접속시키는 레벨 쉬프터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 14항에 있어서,상기 동작 상태 신호는 상기 스위칭 증폭기에 대한 셧다운 간격을 나타내는 부분을 포함하며; 그리고상기 게이트 구동기 회로들은 상기 셧다운 간격 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 진폭을 상기 최댓값으로부터 0까지 줄이는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
- 제 20항에 있어서, 상기 에러 회로는 또한 상기 검출기의 출력에 응답하여 상기 셧다운 간격의 적어도 일부분 동안에 상기 제어 단자 구동 펄스들의 상대적인 진폭을 제어하는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 회로.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9614512B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-04-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Gate driver and method of driving the same |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6998911B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-02-14 | International Rectifier Corporation | Gate control circuit with soft start/stop function |
US7161428B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-01-09 | Rgb Systems, Inc. | Method and apparatus for extending the bandwidth of a Class D amplifier circuit |
EP1653604B1 (en) * | 2004-10-28 | 2009-07-01 | CAMCO Produktions- und Vertriebs GmbH | Switching power amplifier and method for amplifying a digital input signal |
JP4967257B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | デジタルアンプ方法及びデジタルアンプ回路 |
US7528651B2 (en) * | 2006-05-08 | 2009-05-05 | International Rectifier Corporation | Noise free implementation of PWM modulator combined with gate driver stage in a single die |
KR100808252B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2008-02-29 | 삼성전자주식회사 | 코일 블럭 및 이를 이용한 전자장치 |
KR101317304B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2013-10-14 | 삼성전자주식회사 | 형광 램프의 플리커 방지 장치 |
US7518442B1 (en) * | 2006-10-10 | 2009-04-14 | National Semiconductor Corporation | Circuit and method for suppressing switching and supply-related errors in a PWM power stage by instantaneous per-pulse feedback |
US7872522B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-01-18 | Analog Devices, Inc. | Noise reduction system and method for audio switching amplifier |
JP4408912B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-02-03 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | D級増幅回路 |
US7489190B2 (en) * | 2007-07-11 | 2009-02-10 | Himax Analogic, Inc. | Switching audio power amplifier with de-noise function |
CN101369802B (zh) * | 2007-08-16 | 2012-09-05 | 美国芯源***股份有限公司 | 闭环d类功率放大器及其控制方法 |
US7692488B2 (en) * | 2008-02-28 | 2010-04-06 | Panasonic Corporation | Output DC offset protection for class D amplifiers |
EP2096753B1 (en) * | 2008-02-29 | 2011-11-30 | STMicroelectronics (Grenoble) SAS | Switching amplifier |
US8995691B2 (en) | 2008-07-14 | 2015-03-31 | Audera Acoustics Inc. | Audio amplifier |
US8124468B2 (en) * | 2009-06-30 | 2012-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Process of forming an electronic device including a well region |
US8447046B2 (en) * | 2011-01-13 | 2013-05-21 | Issc Technologies Corp. | Circuit with three-stage of power-on sequence used for suppressing the pop noise in audio system |
US9681207B2 (en) * | 2013-01-24 | 2017-06-13 | Finisar Corporation | Local buffers in a liquid crystal on silicon chip |
US9071245B2 (en) * | 2013-04-24 | 2015-06-30 | Hamilton Sundstrand Corporation | Solid state power controller gate control |
TWI479304B (zh) * | 2013-07-24 | 2015-04-01 | Wistron Corp | 啟動電路及電子裝置 |
CN110235367B (zh) * | 2017-01-30 | 2023-12-29 | 罗姆股份有限公司 | 脉冲控制装置 |
EP3402070B1 (en) * | 2017-05-11 | 2020-02-12 | Infineon Technologies Austria AG | Class d audio amplifier with adjustable gate drive |
TWI703817B (zh) * | 2019-09-02 | 2020-09-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 音訊裝置、具有音訊裝置的電子裝置及其音訊處理方法 |
US11368130B1 (en) | 2021-02-18 | 2022-06-21 | Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. | Direct current offset protection circuit and method |
TWI762239B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-04-21 | 晶豪科技股份有限公司 | 直流偏移保護電路與方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3017414A1 (de) * | 1980-05-07 | 1981-11-12 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Audio-leistungsverstaerker mit d-gegentakt-endstufe |
US6388514B1 (en) * | 1998-12-23 | 2002-05-14 | International Rectifier Corporation | Class D high voltage amplifier system with adaptive power supply |
KR100809242B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-02-29 | 엔엑스피 비 브이 | 푸쉬풀 증폭기 및 불감 개시 회로 |
US6720825B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Method and circuit for reduction of audible turn-on and turn-off transients in switching amplifiers |
US6998911B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-02-14 | International Rectifier Corporation | Gate control circuit with soft start/stop function |
-
2004
- 2004-12-17 US US11/016,632 patent/US6998911B2/en active Active
- 2004-12-20 EP EP04814621A patent/EP1698050A4/en not_active Withdrawn
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- 2004-12-20 JP JP2006545480A patent/JP2007515897A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9614512B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-04-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Gate driver and method of driving the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1698050A4 (en) | 2008-05-14 |
WO2005060672A2 (en) | 2005-07-07 |
WO2005060672A9 (en) | 2005-08-18 |
US6998911B2 (en) | 2006-02-14 |
KR100760024B1 (ko) | 2007-09-20 |
JP2007515897A (ja) | 2007-06-14 |
WO2005060672A3 (en) | 2005-11-24 |
EP1698050A2 (en) | 2006-09-06 |
US20050151585A1 (en) | 2005-07-14 |
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---|---|---|
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US6211728B1 (en) | Modulation scheme for filterless switching amplifiers | |
US6016075A (en) | Class-D amplifier input structure | |
KR101128520B1 (ko) | 디지털 오디오 증폭기 및 이에 적합한 디지털 오디오 신호증폭 방법 | |
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