KR20060125580A - Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and plasma display panel production process - Google Patents

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KR20060125580A KR1020060049316A KR20060049316A KR20060125580A KR 20060125580 A KR20060125580 A KR 20060125580A KR 1020060049316 A KR1020060049316 A KR 1020060049316A KR 20060049316 A KR20060049316 A KR 20060049316A KR 20060125580 A KR20060125580 A KR 20060125580A
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다까노리 야마시따
야스따께 이노우에
데쯔노리 스가와라
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

Provided is an inorganic powder-containing resin composition, which forms a transition film having excellent flexibility, adhesion to a substrate and easy-handling property and useful for the fabrication of a plasma display panel. The inorganic powder-containing resin composition comprises: (A) inorganic powder; (B) a binder resin; and (C) a compound having a melting point of 10-200 deg.C. The compound (C) includes polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 500-10,000 based on the polystyrene standard. The inorganic powder-containing resin composition optionally further comprises a plasticizer, a multi-functional (meth)acrylate or a radiation-sensitive polymerization initiator.

Description

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 {Inorganic Powder-Containing Resin Composition, Transfer Film, and Plasma Display Panel Production Process}Inorganic Powder-Containing Resin Composition, Transfer Film, and Plasma Display Panel Production Process

도 1은 교류형 PDP의 단면 형상을 나타내는 모식도. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC PDP.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

1: 유리 기판 2: 유리 기판1: glass substrate 2: glass substrate

3: 격벽 4: 투명 전극3: partition 4: transparent electrode

5: 버스 전극 6: 어드레스 전극5: bus electrode 6: address electrode

7: 형광 물질 8: 유전체층7: fluorescent material 8: dielectric layer

9: 유전체층 10: 보호층9: dielectric layer 10: protective layer

11: 격벽11: bulkhead

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)9-102273호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-102273

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)11-162339호 공보 [Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-162339

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 (평)11-73875호 공보 [Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-73875

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 (평)11-44949호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-44949

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 패널 부재를 형성하는데 바람직한 무기 분체 함유 수지 조성물, 상기 조성물을 포함하는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 전사 필름, 및 상기 전사 필름을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an inorganic powder-containing resin composition suitable for forming a panel member of a plasma display panel, a transfer film having an inorganic powder-containing resin layer containing the composition, and a method for producing a plasma display panel using the transfer film.

최근, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형의 플라즈마 디스플레이 패널(이하 "PDP"라고 함)의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 상기 도 1에서, (1) 및 (2)는 대향 배치된 유리 기판, (3) 및 (11)은 격벽이며, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2), 배면 격벽 (3) 및 전면 격벽 (11)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극 (4)의 저항을 낮추는 목적으로 상기 투명 전극 (4) 위에 형성한 버스 전극, (6)은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀내에 유지된 형광 물질, (8)은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성한 유전체층, (9)는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면에 형성한 유전체층, (10)은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어지는 보호층이다. 또한, 컬러 PDP에서는 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해, 유리 기판과 유전체층 사이에 컬러 필터(적색ㆍ녹색ㆍ청색) 또는 블랙 매트릭스 등을 설치하는 경우가 있다. In recent years, a plasma display attracts attention as a flat fluorescent display. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP"). In FIG. 1, (1) and (2) are opposed glass substrates, (3) and (11) are partition walls, and the glass substrate (1), glass substrate (2), rear partition walls (3) and front partition walls The cell is partitioned by (11). (4) is a transparent electrode fixed to the glass substrate (1), (5) is a bus electrode formed on the transparent electrode (4) for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode (4), (6) is a glass substrate (2) (7) is a fluorescent substance held in the cell, (8) a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate (1) to cover the transparent electrode (4) and the bus electrode (5), (9) Is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6, and 10 is a protective layer made of, for example, magnesium oxide. In addition, in a color PDP, a color filter (red, green, blue) or a black matrix or the like may be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.

이러한 PDP의 유전체, 격벽, 전극, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 스트라이프( 매트릭스)의 제조 방법으로서는 예를 들면, As a method for producing a dielectric, partition, electrode, phosphor, color filter and black stripe (matrix) of such a PDP, for example,

(1) 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 형성하여, 이것을 소성하는 방법(일본 특허 공개 (평)9-102273호 공보 참조),(1) a method of forming an inorganic powder-containing resin layer on a substrate and firing it (see Japanese Patent Laid-Open No. 9-102273);

(2) 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 형성하며, 해당 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로서 무기 분체 함유 수지층을 에칭하여 패턴을 형성하며, 이것을 소성하는 방법(일본 특허 공개 (평)11-162339호 공보 및 일본 특허 공개 (평)11-73875호 공보 참조), 또는(2) A method of forming an inorganic powder-containing resin layer on a substrate, forming a resist pattern on the resin layer, etching the inorganic powder-containing resin layer as a mask to form a pattern, and firing it (Japanese Patent Laid-Open No. 11-162339 and Japanese Patent Laid-Open (See No. 11-73875), or

(3) 감광성의 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 형성하고, 이 막에 포토 마스크를 개재하여 자외선을 조사한 후 현상함으로써 기판 위에 패턴을 형성하며, 이것을 소성하는 방법(일본 특허 공개 (평)11-44949호 공보 참조) 등이 알려져 있다. (3) A method of forming a pattern on a substrate by forming a photosensitive inorganic powder-containing resin layer on a substrate, developing the film after irradiating ultraviolet rays through a photo mask, and baking the same (Japanese Patent Laid-Open No. 11-13). 44949).

상기한 방법 중에서도 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 형성하는 공정에서, 가요성을 갖는 지지 필름 위에 무기 분체와 결착 수지를 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 형성한 전사 필름을 이용하여, 상기 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 전사하는 방법이 막 두께 균일성 및 표면 균일성이 우수한 패널 부재를 작업 효율적으로 형성할 수 있기 때문에, 바람직하게 이용되고 있다. Among the above-mentioned methods, in the step of forming the inorganic powder-containing resin layer on the substrate, the inorganic powder is contained by using a transfer film in which the inorganic powder-containing resin layer containing the inorganic powder and the binder resin is formed on a flexible supporting film. Since the method of transferring a resin layer onto a board | substrate can form efficiently the panel member excellent in film thickness uniformity and surface uniformity, it is used preferably.

그러나, 종래의 전사 필름에서의 무기 분체 함유 수지층은 가요성 및 기판에 대한 가열 밀착성을 충분히 갖고 있지 않았다. 가요성이 부족하면, 필름을 롤에 권취할 때 금이 가거나, 기판에 전사한 무기 분체 함유 수지층 표면에 균열이 생기는 등의 문제가 발생한다. 또한, 기판에 대한 가열 밀착성이 부족하면, 상기와 같 이 소성 처리할 때, 기판으로부터 무기 분체 함유 수지층이 박리되는 등의 문제가 발생한다. 이들 문제를 해결하기 위해, 즉 가요성 및 가열 밀착성을 향상시키기 위해, 무기 분체 함유 수지층을 구성하는 결착 수지의 유리 전이점을 내리거나 가소제를 다량으로 첨가하면, 얻어지는 전사 필름의 취급성이 떨어지며, 무기 분체 함유 수지층을 높은 위치 정밀도로 효율적으로 전사 형성하는 것이 곤란해진다는 문제점이 있었다. 또한, 무기 분체 함유 수지층이 지나치게 부드러워지면, 전사 필름을 롤에 권취하여 보존할 때 롤 자체의 하중에 의해 상기 무기 분체 함유 수지층이 압력을 받아 균열되어 필름 단부로부터 비어져 나오는, 롤 엣지 퓨전이라 불리는 결점이 발생하는 경우가 있었다. However, the inorganic powder-containing resin layer in the conventional transfer film did not have sufficient flexibility and heat adhesiveness to the substrate. When the flexibility is insufficient, problems such as cracking when the film is wound on a roll or cracking on the surface of the inorganic powder-containing resin layer transferred to the substrate occur. Moreover, when heat adhesiveness with respect to a board | substrate is lacking, the problem of peeling an inorganic powder containing resin layer from a board | substrate arises at the time of baking processing as mentioned above. In order to solve these problems, that is, in order to improve flexibility and heat adhesion, lowering the glass transition point of the binder resin constituting the inorganic powder-containing resin layer or adding a large amount of plasticizer results in poor handleability of the resulting transfer film. And the inorganic powder-containing resin layer have a problem in that it is difficult to efficiently transfer the inorganic powder-containing resin layer with high positional accuracy. In addition, when the inorganic powder-containing resin layer becomes too soft, the roll edge fusion, in which the inorganic powder-containing resin layer is pressed under pressure by the load of the roll itself and cracks out from the film end when the transfer film is wound and stored on the roll, is rolled out. There was a case where a defect called this occurs.

본 발명의 목적은 가요성 및 기판에 대한 가열 밀착성이 우수함과 동시에, 취급성도 우수한 전사 필름을 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide an inorganic powder-containing resin composition which can preferably form a transfer film which is excellent in flexibility and heat adhesiveness to a substrate and also excellent in handleability.

또한, 본 발명의 다른 목적은 가요성 및 기판에 대한 가열 밀착성이 우수함과 동시에, 취급성도 우수한 전사 필름을 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention is to provide a transfer film that is excellent in flexibility and heat adhesion to a substrate and also excellent in handleability.

추가로, 본 발명의 다른 목적은 표면 평활성 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재(유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 등)를 높은 위치 정밀도로 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention is to efficiently form panel members (dielectric layers, electrodes, partitions, phosphors, resistors, color filters, and black matrices, etc.) of PDP having excellent surface smoothness and film thickness uniformity with high positional accuracy. It is to provide a method of manufacturing a PDP.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물(이하, "본 발명의 조성물"이라고 함)은 (A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 10 ℃ 이상 200 ℃ 이하의 융점을 갖는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 한다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention (hereinafter referred to as "composition of the present invention") contains a compound having a melting point of (A) inorganic powder, (B) binder resin and (C) from 10 ° C to 200 ° C. It is characterized by.

본 발명의 조성물은 (D) 가소성 부여 물질을 추가로 함유하는 것일 수도 있다. The composition of the present invention may further contain (D) a plasticity imparting substance.

또한, 본 발명의 조성물은 (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 방사선 중합 개시제를 추가로 함유하는 감방사선성의 무기 분체 함유 수지 조성물(이하, "감광성 조성물"이라고 함)일 수도 있다. Moreover, the composition of this invention may be a radiation sensitive inorganic powder containing resin composition (henceforth "photosensitive composition") which further contains (E1) polyfunctional (meth) acrylate and (E2) radiation polymerization initiator. .

본 발명의 전사 필름은 지지 필름과 (A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 10 ℃ 이상 200 ℃ 이하의 융점을 갖는 화합물을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다. The transfer film of this invention has an inorganic powder containing resin layer containing a support film, (A) inorganic powder, (B) binder resin, and the compound which has melting | fusing point of (C) 10 degreeC or more and 200 degrees C or less.

본 발명의 전사 필름은 지지 필름 위에 레지스트막과 상기 무기 분체 함유 수지층의 적층막을 갖는 전사 필름(이하, "적층형 전사 필름"이라고 함)일 수도 있다. The transfer film of this invention may be a transfer film (henceforth "laminated transfer film") which has a laminated film of a resist film and the said inorganic powder containing resin layer on a support film.

본 발명의 전사 필름은 무기 분체 함유 수지층이 추가로 (D) 가소성 부여 물질을 함유하는 전사 필름일 수도 있다. The transfer film of this invention may be a transfer film in which an inorganic powder containing resin layer contains the (D) plasticity provision substance further.

본 발명의 전사 필름은 무기 분체 함유 수지층이 추가로 (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 방사선 중합 개시제를 함유하는 전사 필름(이하, "감광성 전사 필름"이라고 함)일 수도 있다. The transfer film of the present invention may be a transfer film (hereinafter referred to as "photosensitive transfer film") in which the inorganic powder-containing resin layer further contains (E1) polyfunctional (meth) acrylate and (E2) radiation polymerization initiator. .

본 발명의 제1 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 (I)"이라고 함)은 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정 및 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the 1st PDP of this invention (henceforth "the manufacturing method of PDP (I)") is a process of transferring the inorganic powder containing resin layer of the transfer film of this invention on a board | substrate, and the transferred inorganic powder containing resin layer. It is characterized by forming a panel member by a method including a step of firing.

본 발명의 제2 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 (II)"라고 함)은 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the 2nd PDP of this invention (henceforth "manufacturing method (II) of PDP") transfers the inorganic powder containing resin layer of the transfer film of this invention on a board | substrate, and the inorganic powder containing resin layer which was transferred. A panel member comprising a step of forming a resist pattern thereon, a step of etching the inorganic powder-containing resin layer to form an inorganic powder-containing resin pattern corresponding to the resist pattern, and a step of baking the resin pattern. Characterized in that form.

본 발명의 제3 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 (III)"이라고 함)은 기판 위에 적층형 전사 필름의 적층막을 무기 분체 함유 수지층이 기판에 접촉하도록 전사하는 공정, 전사된 적층막에서의 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화(顯在化)시키는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다. The method for producing a third PDP of the present invention (hereinafter referred to as "manufacturing method (III) of PDP") is a step of transferring a laminated film of a laminated transfer film onto a substrate so that the inorganic powder-containing resin layer contacts the substrate, and the transferred laminate. Exposing the resist film on the film to form a latent image of the resist pattern; developing the resist film to present the resist pattern; etching the inorganic powder-containing resin layer to the resist pattern A panel member is formed by a method including a step of forming a corresponding inorganic powder-containing resin pattern and a step of baking the resin pattern.

본 발명의 제4 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 (IV)"라고 함)은 기판 위에 감광성 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the 4th PDP (henceforth "the manufacturing method (IV) of a PDP") of this invention exposes the inorganic powder containing resin layer and the process of transferring the inorganic powder containing resin layer of the photosensitive transfer film on a board | substrate. A panel member is formed by the process including the process of processing and forming the latent image of a pattern, the process of image-processing the said inorganic powder containing resin layer, and forming a pattern, and the process of baking the said pattern.

본 발명의 제5 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 (V)"라고 함)은 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하여 무기막을 형성하는 공정, 상기 무기막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 상기 무기막을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the 5th PDP of this invention (henceforth "manufacturing method (V) of PDP") transfers the inorganic powder containing resin layer of the transfer film of this invention on a board | substrate, and the inorganic powder containing resin layer which was transferred. Forming a panel member by firing an inorganic film, forming a resist pattern on the inorganic film, and etching the inorganic film to form an inorganic film pattern corresponding to the resist pattern. It is characterized by.

이하, 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

이하, 본 발명에 따른 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 PDP의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the inorganic powder containing resin composition, the transfer film, and the manufacturing method of PDP which concern on this invention are demonstrated in detail.

〔무기 분체 함유 수지 조성물〕[Inorganic powder containing resin composition]

본 발명의 조성물은 (A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 10 ℃ 이상 200 ℃ 이하의 융점을 갖는 화합물(이하 "특정 첨가제"라고 함)을 함유한다. 특정 첨가제 (C)를 함유함으로써, 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층은 실온에서의 취급성(핸들링성)이 양호하고, 또한 이 수지층의 가요성 및 기판에 대한 가열 밀착성이 우수하다. 이것은, 특정 첨가제 (C)가 상온에서 고체이며 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정에서의 가열 압착 처리에서 처음으로 용융되어 액체가 되기 때문이다. 즉, 가열 압착 전 상온에서의 전사 필름은 그의 무기 분체 함유 수지층이 적절한 경도를 갖고 있으므로 취급성이 우수하고, 또한 상온에서도 적절한 가요성을 갖기 때문에 절곡하여도 수지층의 표면에 미세한 균열(금)이 발생하지 않으며, 롤상으로 권취하여 보존하여도 보존 안정성은 양호하다. 또한, 가열 압착시에는 특정 첨가제 (C)의 용융에 의해 무기 분체 함유 수지층에 기판에 대한 밀착성이 부여되기 때문에, 가열 밀착성이 우수하다는 특성을 나타낸다. 또한, 특정 첨가제 (C)는 열에 의해 용이하게 분해 제거되기 때문에, 상기 수지층을 소성하여 얻어지는 유전체층의 광 투과율을 저하시키지 않는다. The composition of this invention contains (A) inorganic powder, (B) binder resin, and (C) the compound which has melting | fusing point of 10 degreeC or more and 200 degrees C or less (henceforth "specific additive"). By containing a specific additive (C), the inorganic powder containing resin layer obtained from the composition of this invention has favorable handleability (handling property) at room temperature, and is excellent in the flexibility of this resin layer and the heat adhesiveness with respect to a board | substrate. . This is because a specific additive (C) is solid at normal temperature, and melt | dissolves for the first time in the heat compression process in the transcription | transfer process of an inorganic powder containing resin layer, and turns into a liquid. In other words, the transfer film at room temperature before heat compression is excellent in handleability because its inorganic powder-containing resin layer has an appropriate hardness, and also has adequate flexibility at room temperature, so that even if bent, fine cracks (gold) on the surface of the resin layer ) Does not occur, and the storage stability is good even if it is wound up and stored in roll shape. Moreover, since adhesiveness with respect to a board | substrate is provided to an inorganic powder containing resin layer by the melting of a specific additive (C) at the time of heat compression, it shows the characteristic that heat adhesiveness is excellent. In addition, since the specific additive (C) is easily decomposed and removed by heat, the light transmittance of the dielectric layer obtained by firing the resin layer is not reduced.

본 발명의 조성물은 추가로 (D) 가소성 부여 물질을 함유할 수도 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 추가로 (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 방사선 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물일 수도 있다. 이하, 본 발명의 조성물의 각 구성 성분에 대하여 구체적으로 설명한다. The composition of the present invention may further contain (D) plasticity imparting substance. In addition, the composition of the present invention may further be a photosensitive resin composition containing (E1) polyfunctional (meth) acrylate and (E2) radiation polymerization initiator. Hereinafter, each component of the composition of this invention is demonstrated concretely.

<(A) 무기 분체>  <(A) inorganic powder>

본 발명의 조성물에 이용되는 무기 분체 (A)는 형성하는 패널 부재의 종류에 따라 다르다. 이하, 패널 부재의 종류마다 설명한다. The inorganic powder (A) used for the composition of this invention changes with kinds of the panel member to form. Hereinafter, each kind of panel member is demonstrated.

유전체 형성 재료 및 격벽 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면, 유리 분체, 바람직하게는 연화점이 400 내지 600 ℃인 유리 분체를 들 수 있다. As inorganic powder used for a dielectric formation material and a partition formation material, glass powder, glass powder whose softening point is 400-600 degreeC is mentioned, for example.

유리 분체의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 무기 분체 함유 수지층의 소성 공정에서 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 분체가 용융하기 때문에, 형성되는 부재 중에 유기 물질의 일부가 잔류되는 경우가 있으며, 얻어지는 PDP 내에 아웃 가스가 확산되는 결과, 형광체의 수명을 저 하시킬 우려가 있다. 한편, 유리 분체의 연화점이 600 ℃를 초과하는 경우에는, 무기 분체 함유 수지층을 600 ℃보다 고온으로 소성할 필요가 있기 때문에, 이 수지층의 피전사체인 유리 기판에 왜곡 등이 발생하는 경우가 있다. When the softening point of the glass powder is less than 400 ° C, the glass powder melts at a stage in which the organic material such as the binder resin is not completely decomposed and removed in the firing step of the inorganic powder-containing resin layer, so that a part of the organic material is formed in the formed member. It may remain, and as a result, the outgas diffuses in the obtained PDP, which may reduce the lifetime of the phosphor. On the other hand, when the softening point of glass powder exceeds 600 degreeC, since an inorganic powder containing resin layer needs to be baked at higher temperature than 600 degreeC, distortion etc. may arise in the glass substrate which is a to-be-transferred body of this resin layer. have.

상기 유리 분체의 바람직한 구체예로서는 산화납, 산화붕소, 산화규소 및 산화칼슘(PbO-B2O3-SiO2-CaO)계; 산화아연, 산화붕소 및 산화규소(ZnO-B2O2-SiO2)계; 산화납, 산화붕소, 산화규소 및 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3)계; 산화납, 산화아연, 산화붕소 및 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2)계; 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소 및 산화티탄(PbO-ZnO-B2O3-SiO2-TiO2)계; 산화비스무스, 산화붕소 및 산화규소(Bi2O3-B2O3-SiO2)계 등을 들 수 있다. Specific examples of the glass powder include lead oxide, boron oxide, silicon oxide and calcium oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -CaO) -based; Zinc oxide, boron oxide and silicon oxide (ZnO—B 2 O 2 —SiO 2 ) systems; Lead oxide, boron oxide, silicon oxide and aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ) based; Lead oxide, zinc oxide, boron oxide and silicon oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 ); Lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide and titanium oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -TiO 2 ); Bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ), and the like.

상기 유리 분체의 평균 입경은 0.5 내지 2.5 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또한, 상기 유리 분체에는 예를 들면 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화규소, 산화세륨 및 산화코발트 등의 무기 산화물을 혼합하여 사용할 수도 있다. 혼합하는 무기 산화물의 함유량은 바람직하게는 무기 분체 전체량(유리 분체+무기 산화물)의 40 중량％ 이하이다. It is preferable that the average particle diameter of the said glass powder is 0.5-2.5 micrometers. The glass powder may be mixed with an inorganic oxide such as aluminum oxide, chromium oxide, manganese oxide, titanium oxide, zirconium oxide, silicon oxide, cerium oxide, and cobalt oxide, for example. Content of the inorganic oxide to mix becomes like this. Preferably it is 40 weight% or less of the inorganic powder whole quantity (glass powder + inorganic oxide).

전극 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Cr 및 Co 등을 들 수 있다. As inorganic powder used for an electrode formation material, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu, Cr, Co, etc. are mentioned, for example.

저항체 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면 RuO2 등을 들 수 있다. As an inorganic powder used for a resistor formation material, for example, RuO 2 Etc. can be mentioned.

형광체 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면, As the inorganic powder used for the phosphor-forming material, for example,

Y2O3:Eu3 +, Y2SiO5:Eu3 +, Y3Al5O12:Eu3 +, YVO4:Eu3 +, (Y,Gd)BO3:Eu3 + 및 Zn3(PO4)2:Mn 등의 적색용 형광체; Y 2 O 3: Eu 3 + , Y 2 SiO 5: Eu 3 +, Y 3 Al 5 O 12: Eu 3 +, YVO 4: Eu 3 +, (Y, Gd) BO 3: Eu 3 + and Zn 3 Red phosphors such as (PO 4 ) 2 : Mn;

Zn2SiO4:Mn, BaAl12O19:Mn, BaMgAl14O23:Mn, LaPO4:(Ce,Tb) 및 Y3(Al,Ga)5O12:Tb 등의 녹색용 형광체; Green phosphors such as Zn 2 SiO 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO 4 : (Ce, Tb) and Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb;

Y2SiO5:Ce, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl14O23:Eu2 +, (Ca,Sr,Ba)10(PO4)6C12:Eu2 + 및 (Zn,Cd)S:Ag 등의 청색용 형광체 등을 들 수 있다. Y 2 SiO 5: Ce, BaMgAl 10 O 17: Eu 2 +, BaMgAl 14 O 23: Eu 2 +, (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4) 6 C 12: Eu 2 + , and (Zn, Cd) Blue phosphors, such as S: Ag, etc. are mentioned.

컬러 필터 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면, As an inorganic powder used for a color filter formation material, for example,

Fe2O3, Pb3O4, CdS, CdSe, PbCrO4, PbSO4 및 Fe(NO3)3 등의 적색용 안료: Cr2O3, TiO2-CoO-NiO-ZnO, CoO-CrO-TiO2-Al2O3, Co3(PO4)2 및 CoO-ZnO 등의 녹색용 안료; 2(Al2Na2Si3O10)ㆍNa2S4) 및 CoO-Al2O3 등의 청색용 안료, 그밖에 색 보정용 무기 안료로서 PbCrO4-PbSO4, PbCrO4, PbCrO4-PbO, CdS 및 TiO2-NiO-Sb2O3 등의 황색 안료; Pb(Cr-Mo-S)O4 등의 주황색 안료; Co3(PO4)2 등의 보라색 안료를 들 수 있다. Fe 2 O 3 , Pb 3 O 4 , CdS, CdSe, PbCrO 4 , PbSO 4 And red pigments such as Fe (NO 3 ) 3 : Cr 2 O 3 , TiO 2 -CoO-NiO-ZnO, CoO-CrO-TiO 2 -Al 2 O 3 , Co 3 (PO 4 ) 2 and CoO-ZnO Green pigments such as; 2 (Al 2 Na 2 Si 3 O 10 ) · Na 2 S 4 ) and CoO-Al 2 O 3 Blue pigments such as PbCrO 4 -PbSO 4 , PbCrO 4 , PbCrO 4 -PbO, CdS and TiO 2 -NiO-Sb 2 O 3 Yellow pigments such as; Orange pigments such as Pb (Cr-Mo-S) O 4 ; And purple pigments such as Co 3 (PO 4 ) 2 .

블랙 매트릭스 형성 재료에 이용되는 무기 분체로서는 예를 들면, Mn, Fe, Cr, Ni, Co 및 이들의 산화물 및 복합 산화물 등을 들 수 있다. As inorganic powder used for a black matrix forming material, Mn, Fe, Cr, Ni, Co, these oxides, a composite oxide, etc. are mentioned, for example.

또한, 상기 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스의 형성 재료에는 상술한 무기 분체에 추가로, 격벽 형성 재료 및 유전체 형성 재료에 이용하는 유리 분체를 병용할 수도 있다. 이들의 형성 재료에서 병용하는 유리 분체의 함유 비율은 무기 분체 전체량의 30 중량％ 이하인 것이 바람직하며, 20 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. The electrode, resistor, phosphor, color filter and black matrix forming material may be used in combination with the above-described inorganic powder and glass powder used for the barrier rib forming material and the dielectric forming material. It is preferable that it is 30 weight% or less of the inorganic powder whole quantity, and, as for the content rate of the glass powder used together in these formation materials, it is especially preferable that it is 20 weight% or less.

<(B) 결착 수지> <(B) binder resin>

본 발명의 조성물을 구성하는 결착 수지 (B)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 본 발명의 조성물이 결착 수지 (B)로서 아크릴 수지를 함유함으로써, 상기 조성물로부터 형성되는 무기 분체 함유 수지층은 기판에 대한 우수한 (가열)접착성을 발휘한다. 따라서, 본 발명의 조성물을 지지 필름 위에 도포하여 제조한 전사 필름은 무기 분체 함유 수지층의 전사성(기판에 대한 가열 접착성)이 우수해진다. It is preferable that the binder resin (B) which comprises the composition of this invention is an acrylic resin. When the composition of the present invention contains an acrylic resin as the binder resin (B), the inorganic powder-containing resin layer formed from the composition exhibits excellent (heating) adhesion to the substrate. Therefore, the transfer film produced by applying the composition of the present invention on a support film is excellent in the transferability (heat adhesion to the substrate) of the inorganic powder-containing resin layer.

상기 아크릴 수지로서는, 적절한 점착성을 갖기 때문에 무기 분체를 결착시킬 수 있으며 무기 분체 함유 수지층의 소성 처리(400 ℃ 내지 600 ℃)에 의해 완전히 산화 제거되는 (공)중합체인 것이 바람직하다. Since the said acrylic resin has appropriate adhesiveness, it is preferable that it is a (co) polymer which can bind an inorganic powder and is fully oxidized and removed by the baking process (400 degreeC-600 degreeC) of an inorganic powder containing resin layer.

이러한 아크릴 수지로서는 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물을 2종 이상 포함하는 공중합체 및 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다. As such an acrylic resin, the homopolymer of the (meth) acrylate compound represented by following formula (1), the copolymer containing 2 or more types of (meth) acrylate compounds represented by following formula (1), and (meth) represented by following formula (1) Copolymers of acrylate compounds and copolymerizable monomers are included.

Figure 112006038799905-PAT00001
Figure 112006038799905-PAT00001

화학식 1 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타낸다. In formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a monovalent organic group.

상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물로서는 예를 들면 알킬(메트)아크릴레이트, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트, 페녹시알킬(메트)아크릴레이트, 알콕시알킬(메트)아크릴레이트, 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트, 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 및 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 보다 구체적인 예를 이하에 나타낸다. As a (meth) acrylate compound represented by the said Formula (1), for example, alkyl (meth) acrylate, hydroxyalkyl (meth) acrylate, phenoxyalkyl (meth) acrylate, alkoxyalkyl (meth) acrylate, poly Alkylene glycol (meth) acrylate, cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, etc. are mentioned, A more specific example is shown below.

상기 알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 및 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said alkyl (meth) acrylate, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (Meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate , Octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth ) Acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

상기 히드록시알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 및 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said hydroxyalkyl (meth) acrylate, For example, hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

상기 페녹시알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 페녹시에틸(메트)아크 릴레이트 및 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the phenoxyalkyl (meth) acrylates include phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate.

상기 알콕시알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트 및 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said alkoxyalkyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxy, for example Ethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

상기 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 및 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said polyalkylene glycol (meth) acrylate, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, ethoxy diethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethyleneglycol (meth) acrylate, phenoxy polyethyleneglycol (meth), for example ) Acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxypolypropylene glycol (meth) acrylate and nonylphenoxy Polypropylene glycol (meth) acrylate etc. are mentioned.

상기 시클로알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 및 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said cycloalkyl (meth) acrylate, for example, cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate , Dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, and the like.

이 중에서는, 상기 화학식 1 중의 R2로 표시되는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하며, 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트 화합물 로서 부틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. In this, it is preferable that the group represented by R <2> in the said General formula (1) is group containing an alkyl group or an oxyalkylene group, As a especially preferable (meth) acrylate compound, butyl (meth) acrylate and ethylhexyl (meth) acrylate , Lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate.

다른 공중합성 단량체로서는 상기 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산 및 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔 및 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다. There is no restriction | limiting in particular if it is a compound copolymerizable with the said (meth) acrylate compound as another copolymerizable monomer, For example, Unsaturated carboxylic acids, such as (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, and vinylphthalic acid; And vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene.

본 발명의 조성물을 구성하는 아크릴 수지에서의, 상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분은 통상적으로 70 중량％ 이상, 바람직하게는 90 중량％ 이상이다. In the acrylic resin which comprises the composition of this invention, the copolymerization component derived from the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) is 70 weight% or more normally, Preferably it is 90 weight% or more.

바람직한 아크릴 수지의 구체예로서는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트-부틸메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다. Specific examples of preferred acrylic resins include polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, methyl methacrylate-butyl methacrylate copolymer, and the like.

또한, PDP의 제조 방법 (II), (III) 및 (IV) 중, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리할 때 이 수지층이 알칼리 가용성일 필요가 있는 경우에는, 상기 다른 공중합성 단량체(공중합 성분)로서 불포화 카르복실산류를 함유하는 것이 바람직하다. Moreover, in the manufacturing method (II), (III), and (IV) of PDP, when this resin layer needs to be alkali-soluble at the time of etching an inorganic powder containing resin layer, the said other copolymerizable monomer (copolymerization component) It is preferable to contain unsaturated carboxylic acids as).

본 발명의 조성물을 구성하는 결착 수지 (B)의 분자량은, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(이하, 간단히 "중량 평균 분자량" 또는 "Mw"라고 함 )이 4,000 내지 300,000, 바람직하게는 10,000 내지 200,000이다. As for the molecular weight of the binder resin (B) which comprises the composition of this invention, the weight average molecular weight (henceforth simply "weight average molecular weight" or "Mw") of polystyrene conversion by GPC is 4,000-300,000, Preferably 10,000 To 200,000.

또한, 특히 전사 필름에 이용하는 결착 수지 (B)의 유리 전이 온도(Tg)는 취급성과 가열 전사성의 양립의 면에서, 바람직하게는 -30 내지 100 ℃, 특히 바람직하게는 -10 내지 100 ℃이다. Moreover, especially the glass transition temperature (Tg) of the binder resin (B) used for a transfer film is -30-100 degreeC, Especially preferably, it is -10-100 degreeC from a viewpoint of both handleability and heat transfer property.

상기 결착 수지 (B)는 무기 분체 (A) 100 중량부에 대하여, 5 내지 80 중량부, 바람직하게는 10 내지 50 중량부의 범위의 양으로 이용된다. 결착 수지의 양이 지나치게 적은 경우에는, 무기 분체를 확실하게 결착 유지할 수 없는 경우가 있으며, 한편 지나치게 많은 경우에는 소성 공정에 긴 시간을 요하거나, 형성되는 소결체(예를 들면, 유전체층)가 충분한 강도 또는 막 두께를 갖지 않는 경우가 있다. The binder resin (B) is used in an amount in the range of 5 to 80 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder (A). When the amount of the binder resin is too small, the inorganic powder may not be reliably bound and maintained. On the other hand, when the amount of the binder resin is too large, a long time is required for the firing process, or the strength of the formed sintered body (for example, dielectric layer) is sufficient. Or it may not have a film thickness.

<(C) 특정 첨가제> <(C) specific additive>

본 발명의 조성물에서 특정 첨가제 (C)는 10 내지 200 ℃, 바람직하게는 15 내지 150 ℃, 특히 바람직하게는 20 내지 100 ℃의 융점을 갖는 화합물이다. 또한, 특정 첨가제 (C)는 얻어지는 패널 부재 중에 잔존하여 부재의 특성을 손상시키지 않도록, 후술하는 PDP의 제조 방법에서의 소성 처리에 의해 용이하게 분해ㆍ소실될 필요가 있다. Particular additives (C) in the compositions of the present invention are compounds having a melting point of 10 to 200 ° C., preferably 15 to 150 ° C., particularly preferably 20 to 100 ° C. In addition, it is necessary to easily decompose | disassemble and lose | disappear by the baking process in the manufacturing method of PDP mentioned later so that a specific additive (C) may remain in the obtained panel member and not impair the characteristic of a member.

상기 특정 첨가제 (C)의 구체예로서는 As a specific example of the said specific additive (C)

중량 평균 분자량 500 이상의 폴리에틸렌글리콜; Polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 500 or more;

디옥틸아민, 라우릴아민 및 스테아릴아민 등의 장쇄 알킬아민; Long-chain alkylamines such as dioctylamine, laurylamine and stearylamine;

카프릴산(옥탄산), 카프르산(데칸산), 라우르산(도테칸산), 미리스트산(테트라데칸산), 팔미트산(헥사데칸산), 스테아르산(옥타데칸산) 및 아라키드산(에이코 산산) 등의 고급 지방산; Caprylic acid (octanoic acid), capric acid (decanoic acid), lauric acid (dotecanoic acid), myristic acid (tetradecanoic acid), palmitic acid (hexadecanoic acid), stearic acid (octadecanoic acid) and Higher fatty acids such as arachidic acid (Eico acid);

아크릴아미드 및 메타크릴아미드 등의 아미드계 화합물; Amide compounds such as acrylamide and methacrylamide;

n-트리아콘탄, n-옥타코산, n-헵타코산, n-헥사코산, n-테트라코산, n-도코산, n-헤네이코산, n-에이코산, n-노나데칸, n-옥타데칸, n-헥사데칸, n-테트라데칸 및 n-도데칸 등의 파라핀류: n-tricontane, n-octacoic acid, n-heptacoic acid, n-hexacoic acid, n-tetracoic acid, n-docoic acid, n-heneicoic acid, n-eicoic acid, n-nonadecane, n- Paraffins such as octadecane, n-hexadecane, n-tetradecane and n-dodecane:

복합 에스테르계 왁스, 고급 알코올계 왁스, 글리세린 지방산 에스테르계 왁스, 카르나우바 왁스 및 라이스 왁스 등의 왁스류 등을 들 수 있다. And waxes such as complex ester waxes, higher alcohol waxes, glycerin fatty acid ester waxes, carnauba wax, and rice wax.

이들 중에서, 중량 평균 분자량 500 내지 100,000인 폴리에틸렌글리콜(융점: 20 내지 100 ℃), 디옥틸아민(융점: 12 내지 16 ℃), 라우르산(도데칸산)(융점: 43 내지 46 ℃) 및 메타크릴아미드(융점: 109 내지 113 ℃) 등이 바람직하며, 특히 중량 평균 분자량이 500 내지 100,000, 더욱 바람직하게는 500 내지 10,000, 특히 바람직하게는 500 내지 5,000인 폴리에틸렌글리콜이 바람직하게 이용된다. 또한, 폴리에틸렌글리콜의 중량 평균 분자량은 GPC에 의한 폴리스티렌 환산값이다. Among them, polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 500 to 100,000 (melting point: 20 to 100 ° C), dioctylamine (melting point: 12 to 16 ° C), lauric acid (dodecanoic acid) (melting point: 43 to 46 ° C), and meta Krillamide (melting point: 109-113 degreeC) etc. are preferable, In particular, polyethyleneglycol whose weight average molecular weights are 500-100,000, More preferably, 500-10,000, Especially preferably, 500-5,000 is used preferably. In addition, the weight average molecular weight of polyethyleneglycol is polystyrene conversion value by GPC.

특정 첨가제 (C)는 무기 분체 (A) 100 중량부에 대하여, 통상적으로 0.1 내지 50 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부의 양으로 이용된다. 특정 첨가제 (C)의 양이 상기한 범위보다도 적으면, 무기 분체 함유 수지층의 실온에서의 취급성 및 상기 수지층의 전사성(기판에 대한 가열 접착성)이 떨어지는 경우가 있다. 또한, 특정 첨가제 (C)의 양이 상기한 범위보다도 많으면, 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 가열 전사시에서의 필름의 유연성 또는 밀착성 및 전사성이 지나치게 커져, 무기 분체 함유 수지층을 양호한 위치 정밀로 전사하는 것이 곤란해지거나, 가열 전사시의 압력에 의해 목적 위치로부터 무기 분체 함유 수지층이 삼출되거나, 전사 후의 지지 필름의 박리가 곤란해지기도 한다. The specific additive (C) is usually used in an amount of 0.1 to 50 parts by weight, preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the inorganic powder (A). When the quantity of a specific additive (C) is less than the said range, the handleability at room temperature of an inorganic powder containing resin layer and the transfer property (heat adhesiveness to a board | substrate) of the said resin layer may fall. Moreover, when the quantity of a specific additive (C) is more than the said range, the softness | flexibility or adhesiveness of a film at the time of the heat transfer of the inorganic powder containing resin layer formed, and transferability will become large too much, and an inorganic powder containing resin layer will have favorable positional precision. It may become difficult to transfer to the layer, the inorganic powder-containing resin layer may be exuded from the target position by the pressure during heat transfer, or the peeling of the supporting film after the transfer may be difficult.

<(D) 가소성 부여 물질> <(D) Plasticity granting substance>

본 발명의 조성물은 전사 필름에 양호한 유연성을 부여하기 위해, 상기 결착 수지 (B)의 보조제로서 가소성 부여 물질 (D)를 함유할 수도 있다. 가소성 부여 물질 (D)를 함유하는 조성물로 형성되는 무기 분체 함유 수지층은 충분한 유연성을 갖게 된다. The composition of the present invention may contain a plasticity imparting substance (D) as an adjuvant of the binder resin (B) in order to impart good flexibility to the transfer film. The inorganic powder containing resin layer formed from the composition containing a plasticity provision substance (D) will have sufficient flexibility.

상기 가소성 부여 물질 (D)로서는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 군으로부터 선택된 가소제, 폴리프로필렌글리콜, 상술한 (메트)아크릴레이트 화합물 등의 공중합성 단량체 및 후술하는 용제 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 융점이 -10 ℃ 이하이면서 비점이 150 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 이러한 가소성 부여 물질 (D)는 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. Examples of the plasticizing substance (D) include a plasticizer selected from the group comprising a compound represented by the following formula (2) and a compound represented by the following formula (3), a copolymerizable monomer such as polypropylene glycol, and the above-mentioned (meth) acrylate compound, and the like. The solvent etc. to mention are mentioned, It is preferable that boiling point is 150 degreeC or more while melting | fusing point is -10 degreeC or less. These plasticity provision substances (D) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

Figure 112006038799905-PAT00002
Figure 112006038799905-PAT00002

화학식 2 중, R3 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 30인 1가의 쇄식 탄화수소기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 메틸기 또는 탄소수가 2 내지 30인 2가의 쇄식 탄화수소기를 나타낸다. s는 0 내지 5의 정수이고, t는 1 내지 10의 정수이다.In Formula 2, R 3 And R 6 each independently represent a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and R 4 And R 5 each independently represent a methyl group or a divalent chain hydrocarbon group having 2 to 30 carbon atoms. s is an integer of 0-5, t is an integer of 1-10.

Figure 112006038799905-PAT00003
Figure 112006038799905-PAT00003

화학식 3 중, R7은 탄소수가 1 내지 30인 1가의 쇄식 탄화수소기를 나타낸다. In formula (3), R 7 represents a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.

상기 화학식 2에서, R3 또는 R6으로 표시되는 1가의 쇄식 탄화수소기는, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기(포화기) 또는 알케닐기(불포화기)이며, 쇄식 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 30, 바람직하게는 2 내지 20, 보다 바람직하게는 4 내지 10이다. 쇄식 탄화수소기의 탄소수가 상기한 범위를 초과하는 경우에는, 후술하는 용제에 대한 용해성이 낮아지며, 무기 분체 함유 조성물에 양호한 유연성을 부여하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. In Formula 2, R 3 Or the monovalent chain hydrocarbon group represented by R 6 is a linear or branched alkyl group (saturated group) or an alkenyl group (unsaturated group), and the carbon number of the chain hydrocarbon group is 1 to 30, preferably 2 to 20, more Preferably it is 4-10. When the carbon number of the chain hydrocarbon group exceeds the above-mentioned range, the solubility with respect to the solvent mentioned later becomes low, and it may become difficult to provide favorable flexibility to an inorganic powder containing composition.

R4 또는 R5로 표시되는 2가의 쇄식 탄화수소기는 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기(포화기) 또는 알케닐렌기(불포화기)이다. R 4 Or a divalent chain hydrocarbon group represented by R 5 is a linear or branched alkylene group (saturated group) or an alkenylene group (unsaturated group).

상기 화학식 2로 표시되는 화합물로서는 예를 들면, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트 및 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다. As the compound represented by the formula (2), for example, dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate and dibutyl diglycol Adipates, and the like.

상기 화학식 3에서, R7로 표시되는 1가의 쇄식 탄화수소기는 직쇄상 또는 분 지상의 알킬기(포화기) 또는 알케닐기(불포화기)이며, 쇄식 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 30, 바람직하게는 2 내지 20, 보다 바람직하게는 10 내지 18이다. In the above formula (3), the monovalent chain hydrocarbon group represented by R 7 is a linear or branched alkyl group (saturated group) or an alkenyl group (unsaturated group), and the chain hydrocarbon group has 1 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 30 carbon atoms. 20, More preferably, it is 10-18.

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물로서는 예를 들면, 프로필렌글리콜모노라우레이트 및 프로필렌글리콜모노올레이트 등을 들 수 있다. As a compound represented by the said Formula (3), a propylene glycol monolaurate, a propylene glycol monooleate, etc. are mentioned, for example.

또한, 가소성 부여 물질 (D)로서 폴리프로필렌글리콜을 이용하는 경우에, 상기 폴리프로필렌글리콜의 중량 평균 분자량(Mw)은 200 내지 3,000의 범위인 것이 바람직하며, 300 내지 2,000의 범위인 것이 특히 바람직하다. Mw가 200 미만인 경우에는, 막 강도가 큰 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 위에 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있으며, 상기 수지층을 지지 필름으로부터 유리 기판에 전사하는 공정에서, 유리 기판에 가열 접착된 상기 수지층으로부터 지지 필름을 박리할 때, 상기 수지층이 응집 파괴를 일으키는 경우가 있다. 한편, Mw가 3,000을 초과하는 경우에는, 피전사체인 유리 기판과의 가열 접착성이 양호한 무기 분체 함유 수지층이 얻어지지 않는 경우가 있다. In the case of using polypropylene glycol as the plasticizing substance (D), the weight average molecular weight (Mw) of the polypropylene glycol is preferably in the range of 200 to 3,000, and particularly preferably in the range of 300 to 2,000. When Mw is less than 200, it may become difficult to form the inorganic powder containing resin layer with a large film strength on a support film, and it heat-bonded to the glass substrate in the process of transferring the said resin layer from a support film to a glass substrate. When peeling a support film from the said resin layer, the said resin layer may cause cohesive failure. On the other hand, when Mw exceeds 3,000, the inorganic powder containing resin layer with favorable heat adhesiveness with the glass substrate which is a to-be-transferred body may not be obtained.

또한, 본 발명의 조성물을 후술하는 PDP의 제조 방법 (II)에 이용하여, 무기 분체 함유 수지층의 에칭을 샌드 블라스트(sand blast) 처리에 의해 행하는 경우, 가소성 부여 물질 (D)로서는 탄소수 10 또는 12의 장쇄 알킬(메트)아크릴레이트를 이용하는 것이 건식 필름으로서 충분한 유연성을 가짐과 동시에, 후술하는 후 베이킹에 의해 용이하게 분해 또는 휘발되어 샌드 블라스트 처리에 불가결한 취성(脆性)을 발현하는 성질을 갖기 때문에 특히 바람직하다. In addition, when etching the inorganic powder containing resin layer by the sand blast process using the composition of this invention for the manufacturing method (II) of PDP mentioned later, as a plasticity provision substance (D), it is C10 or Using a long chain alkyl (meth) acrylate of 12 has sufficient flexibility as a dry film, and has the property of being easily decomposed or volatilized by post-baking described later to express brittleness indispensable for sand blast treatment. This is especially preferable.

상기 장쇄 알킬(메트)아크릴레이트로서는 예를 들면, 이소데실메타크릴레이 트, 이소데실아크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트 및 라우릴아크릴레이트를 들 수 있으며, 특히 이소데실메타크릴레이트 및 라우릴메타크릴레이트가 바람직하다. Examples of the long chain alkyl (meth) acrylates include isodecyl methacrylate, isodecyl acrylate, lauryl methacrylate and lauryl acrylate, and particularly isodecyl methacrylate and lauryl methacrylate. Acrylate is preferred.

상기 가소성 부여 물질 (D)는 본 발명의 조성물로부터 용제를 제거한 전체 성분의 3 중량％ 이상, 바람직하게는 4 내지 15 중량％가 되는 양으로 이용된다. 가소성 부여 물질 (D)의 함유량이 지나치게 적은 경우에는 형성하는 전사 필름에 양호한 유연성을 부여하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. The said plasticity provision substance (D) is used in the quantity used as 3 weight% or more, Preferably it is 4-15 weight% of the all components from which the solvent was removed from the composition of this invention. When the content of the plasticizing substance (D) is too small, it may be difficult to impart good flexibility to the transfer film to be formed.

<감광성 성분> <Photosensitive component>

본 발명의 조성물은 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1) 및 방사선 중합 개시제 (E2)를 함유하는 감광성 조성물일 수도 있다. 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1)은 노광에 의해 중합되어, 노광 부분을 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성으로 하는 성질을 갖는다. The composition of the present invention may be a photosensitive composition containing a polyfunctional (meth) acrylate (E1) and a radiation polymerization initiator (E2). Polyfunctional (meth) acrylate (E1) superposes | polymerizes by exposure, and has a property which makes an exposed part alkali insoluble or alkali poorly soluble.

<(E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트> <(E1) polyfunctional (meth) acrylate>

상기 다관능성(메트)아크릴레이트 (E1)로서는 예를 들면, 에틸렌글리콜 및 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜 및 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌 및 양쪽 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; 글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨 및 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4- 시클로헥산디올 및 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트 및 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 이들 중에서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트가 특히 바람직하게 이용된다. As said polyfunctional (meth) acrylate (E1), For example, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactones; Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol and dipentaerythritol; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( Meth) acrylates and the like. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Among them, trimethylolpropane triacrylate is particularly preferably used.

상기 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1)의 분자량으로서는 100 내지 2,000인 것이 바람직하다. As a molecular weight of the said polyfunctional (meth) acrylate (E1), it is preferable that it is 100-2,000.

상기 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1)은 무기 분체 (A) 100 중량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 50 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부의 범위의 양으로 이용된다. The polyfunctional (meth) acrylate (E1) is usually used in an amount in the range of 5 to 50 parts by weight, preferably 10 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic powder (A).

<(E2) 방사선 중합 개시제> <(E2) radiation polymerization initiator>

본 발명에서 사용할 수 있는 방사선 중합 개시제 (E2)로서는 예를 들면, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄파퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-〔4'-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로판온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 및 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-아세테이트 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴 및 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 황 화합물, 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드 및 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진 및 2-〔2-(2-푸라닐)에틸레닐〕-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)4,5,4',5'-테트라페닐1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 2량체 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. Examples of the radiation polymerization initiator (E2) that can be used in the present invention include benzyl, benzoin, benzophenone, campaquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1-hydroxy. Cyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2- Dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane Carbonyl compounds such as -1-onoxime-O-acetate; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azidebenzaldehyde; Organic peroxides such as organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide, benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine and 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; And imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ', 5'-tetraphenyl 1,2-biimidazole. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

상기 방사선 중합 개시제 (E2)는 상기 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1) 100 중량부에 대하여, 통상적으로 0.1 내지 50.0 중량부, 바람직하게는 1.0 내지 30.0 중량부의 범위의 양으로 이용된다. The radiation polymerization initiator (E2) is usually used in an amount in the range of 0.1 to 50.0 parts by weight, preferably 1.0 to 30.0 parts by weight, based on 100 parts by weight of the multifunctional (meth) acrylate (E1).

<그 밖의 성분> <Other ingredients>

본 발명의 조성물은 상기 무기 분체 (A), 특히 유리 분체의 분산성의 향상 및 형성되는 전사 필름의 가소화의 향상을 목적으로, 실란 커플링제를 함유할 수도 있다. 이러한 실란 커플링제로서는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물〔포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란〕이 바람직하다. The composition of this invention may contain a silane coupling agent for the purpose of the improvement of the dispersibility of the said inorganic powder (A), especially glass powder, and the plasticization of the transfer film formed. As such a silane coupling agent, the compound [saturated alkyl group containing (alkyl) alkoxysilane] represented by following formula (4) is preferable.

Figure 112006038799905-PAT00004
Figure 112006038799905-PAT00004

화학식 4 중, p는 3 내지 20, 바람직하게는 4 내지 16의 정수, m은 1 내지 3의 정수, n은 1 내지 3의 정수, a는 1 내지 3의 정수이다. In formula (4), p is 3-20, Preferably it is an integer of 4-16, m is an integer of 1-3, n is an integer of 1-3, a is an integer of 1-3.

상기 p의 값이 3 미만인 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란을 함유하여도, 얻어지는 무기 분체 함유 수지층에서 충분한 가요성이 발현되지 않는 경우가 있다. 한편, 상기 p의 값이 20을 초과하는 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란은 분해 온도가 높기 때문에, 무기 분체 함유 수지층의 소성 공정에서 유기 물질(상기 실란 유도체)이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융하여, 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류됨으로써, 유전체층의 광 투과율이 저하되는 경우가 있다. Even if the value of said p contains the saturated alkyl group containing (alkyl) alkoxysilane which is less than 3, sufficient flexibility may not be expressed in the inorganic powder containing resin layer obtained. On the other hand, since the saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane having a p value of more than 20 has a high decomposition temperature, the organic material (the silane derivative) is not completely decomposed and removed in the firing process of the inorganic powder-containing resin layer. The glass frit melts and a part of organic substance remains in the dielectric layer formed, and the light transmittance of a dielectric layer may fall.

상기 화학식 4로 표시되는 실란 커플링제로서 이용되는 실란류의 구체예를 이하에 나타낸다. Specific examples of the silanes used as the silane coupling agent represented by the general formula (4) are shown below.

포화 알킬디메틸메톡시실란류(a=1, m=1, n=1)로서 예를 들면, n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란 및 n-이코산디메틸메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl dimethyl methoxysilanes (a = 1, m = 1, n = 1), for example, n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n -Hexadecyl dimethyl methoxysilane, n-diacid dimethyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸메톡시실란류=(a=1, m=1, n=2)로서 예를 들면, n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란 및 n-이코산디에틸메톡시실란 등을 들 수 있다. Saturated alkyldiethylmethoxysilanes = (a = 1, m = 1, n = 2), for example, n-propyldiethylmethoxysilane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethyl Methoxysilane, n-hexadecyldiethyl methoxysilane, n-diacid diethyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필메톡시실란류(a=1, m=1, n=3)로서 예를 들면, n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란 및 n-이코산디프로필메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 3), for example, n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropyl Methoxysilane, n-icosane dipropyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디메틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=1)로서 예를 들면, n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란 및 n-이코산디메틸에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldimethylethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 1), for example, n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethylethoxysilane, n -Hexadecyl dimethyl ethoxy silane, n-diacid dimethyl ethoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=2)로서 예를 들면, n-프로필디에 틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란 및 n-이코산디에틸에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl diethyl ethoxysilanes (a = 1, m = 2, n = 2), for example, n-propyl diethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethyl Ethoxysilane, n-hexadecyldiethylethoxysilane, n-icosane diethylethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필에톡시실란류(a=1, m=2, n=3)로서 예를 들면, n-부틸디프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란 및 n-이코산디프로필에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropylethoxysilanes (a = 1, m = 2, n = 3), for example, n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n-hexadecyldipropyl Ethoxysilane, n-icosane dipropyl ethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디메틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=1)로서 예를 들면, n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란 및 n-이코산디메틸프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl dimethyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 1), for example, n-propyl dimethyl propoxy silane, n-butyl dimethyl propoxy silane, n-decyl dimethyl propoxy silane, n -Hexadecyl dimethyl propoxysilane, n-diacid dimethyl propoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=2)로서 예를 들면, n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란 및 n-이코산디에틸프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldiethyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 2), for example, n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldiethylprop Foxy silane, n-hexadecyl diethyl propoxy silane, n- icosane diethyl propoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필프로폭시실란류(a=1, m=3, n=3)로서 예를 들면, n-부틸디프로필프로폭시실란, n-데실디프로필프로폭시실란, n-헥사데실디프로필프로폭시실란 및 n-이코산디프로필프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 3), for example, n-butyldipropyl propoxysilane, n-decyldipropyl propoxysilane, n-hexadecyldipropyl Propoxysilane, n-icosane dipropyl propoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디메톡시실란류(a=2, m=1, n=1)로서 예를 들면, n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란 및 n-이코산메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 1), for example, n-propylmethyldimethoxysilane, n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n -Hexadecyl methyldimethoxysilane, n-methyl dimethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디메톡시실란류(a=2, m=1, n=2)로서 예를 들면, n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실란, n-헥사데실에틸디메톡시실란 및 n-이코산에틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 2), for example, n-propylethyldimethoxysilane, n-butylethyldimethoxysilane, n-decylethyldimethoxysilane, n -Hexadecylethyldimethoxysilane, n-diethyl ethyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디메톡시실란류(a=2, m=1, n=3)로서 예를 들면, n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란 및 n-이코산프로필디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylpropyldimethoxysilanes (a = 2, m = 1, n = 3), for example, n-butylpropyldimethoxysilane, n-decylpropyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, and n-icosane propyldimethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=1)로서 예를 들면, n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란 및 n-이코산메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyl diethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 1), for example, n-propylmethyl diethoxysilane, n-butylmethyl diethoxysilane, n-decylmethyl diethoxysilane, n -Hexadecyl methyl diethoxy silane, n-methyl diethoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=2)로서 예를 들면, n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란 및 n-이코산에틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylethyl diethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 2), for example, n-propylethyl diethoxysilane, n-butylethyl diethoxysilane, n-decylethyl diethoxysilane, n -Hexadecyl ethyl diethoxysilane, n-diethyl ethyl diethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디에톡시실란류(a=2, m=2, n=3)로서 예를 들면, n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란 및 n-이코산프로필디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylpropyl diethoxysilanes (a = 2, m = 2, n = 3), for example, n-butylpropyl diethoxysilane, n-decylpropyl diethoxysilane, n-hexadecylpropyl diethoxysilane, and n-isoacid propyl diethoxysilane etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=1)로서 예를 들면, n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란 및 n-이코산메틸디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyl dipropoxysilanes (a = 2, m = 3, n = 1), for example, n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldiprop Foxy silane, n-hexadecyl methyl dipropoxy silane, n-methyl di-propoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=2)로서 예를 들면, n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란 및 n-이코산에틸디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl ethyl dipropoxy silanes (a = 2, m = 3, n = 2), for example, n-propylethyl dipropoxy silane, n-butyl ethyl dipropoxy silane, n-decyl ethyl diprop Foxy silane, n-hexadecyl ethyl dipropoxy silane, n- icosyl ethyl dipropoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=3)로서 예를 들면, n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실 란 및 n-이코산프로필디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl propyl dipropoxy silanes (a = 2, m = 3, n = 3), for example, n-butyl propyl dipropoxy silane, n-decyl propyl dipropoxy silane, n-hexadecyl propyl dip Lopoxysilane, n-icosane propyldipropoxy silane, and the like.

포화 알킬트리메톡시실란류(a=3, m=1)로서 예를 들면, n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란 및 n-이코산트리메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl trimethoxysilane (a = 3, m = 1), for example, n-propyl trimethoxysilane, n-butyl trimethoxysilane, n-decyl trimethoxysilane, n-hexadecyl tree Methoxysilane, n-icosane trimethoxysilane, and the like.

포화 알킬트리에톡시실란류(a=3, m=2)로서 예를 들면, n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란 및 n-이코산트리에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl triethoxysilanes (a = 3, m = 2), for example, n-propyl triethoxysilane, n-butyl triethoxysilane, n-decyl triethoxysilane, n-hexadecyl tree Ethoxysilane, n-icosane triethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬트리프로폭시실란류(a=3, m=3)로서 예를 들면 n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란 및 n-이코산트리프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl tripropoxysilanes (a = 3, m = 3), for example, n-propyl tripropoxy silane, n-butyl tripropoxy silane, n-decyl tripropoxy silane, n-hexadecyl triprop Foxysilane, n-icosane tripropoxysilane, etc. are mentioned.

상기 실란 커플링제는 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 상기 실란류 중에서 n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란 및 n-헥사데실트리프로폭시실란이 특히 바람직하다. The said silane coupling agents may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. N-butyl trimethoxysilane, n-decyl trimethoxysilane, n-hexadecyl trimethoxysilane, n-decyl dimethyl methoxysilane, n-hexadecyl dimethyl methoxysilane, n-butyl tree among the said silanes Ethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyltri Particular preference is given to propoxysilane and n-hexadecyltripropoxysilane.

상기 실란 커플링제는 무기 분체 전체량 100 중량부에 대하여, 통상적으로 10 중량부 이하, 바람직하게는 0.0O1 내지 5 중량부의 양으로 이용된다. 실란 커플링제의 양이 지나치게 많은 경우에는, 무기 분체 함유 수지 조성물을 보존할 때 점도가 시간 경과에 따라 상승하거나, 실란 커플링제끼리 반응이 발생하여, 형성하 는 패널 부재의 소성 후의 광 투과율을 저하시키는 원인이 되기도 하는 경우가 있다. The silane coupling agent is generally used in an amount of 10 parts by weight or less, preferably 0.0O1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the inorganic powder. When the amount of the silane coupling agent is too large, the viscosity increases over time when the inorganic powder-containing resin composition is preserved, or the silane coupling agents react with each other, and the light transmittance after firing of the panel member to be formed is lowered. In some cases, it may be cause.

또한, 본 발명의 조성물은 임의 성분으로서, 상기 실란 커플링제 이외의 분산제, 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제 및 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제를 함유할 수도 있다. In addition, the composition of the present invention is an optional component, such as dispersants, development accelerators, adhesion aids, antihalation agents, leveling agents, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, sensitizers and chain transfer agents other than the silane coupling agent. It may also contain various additives.

<용제> <Solvent>

본 발명의 조성물은 통상적으로 용제를 함유한다. 이러한 용제로서는 무기 분체와의 친화성 및 결착 수지의 용해성이 양호하며, 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조 처리함으로써 용이하게 증발 제거될 수 있는 것이 바람직하다. The composition of the present invention usually contains a solvent. It is preferable that such a solvent has good affinity with inorganic powders and solubility of a binder resin, can provide appropriate viscosity to a composition, and can be easily evaporated away by drying.

또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1 기압에서의 비점)이 60 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 "특정 용제"라고 함)를 들 수 있다. Moreover, as a especially preferable solvent, ketones, alcohols, and esters (hereinafter, these are referred to as "specific solvent") whose standard boiling point (boiling point at 1 atmosphere) are 60-200 degreeC.

상기 특정 용제로서는 예를 들면 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤 및 시클로헥사논 등의 케톤류; As said specific solvent, For example, ketones, such as methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, and cyclohexanone;

n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올 및 디아세톤알코올 등의 알코올류; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol;

에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등 의 에테르계알코올류; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether;

아세트산-n-부틸 및 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate;

락트산에틸 및 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl;

메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 특정 용제는 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. And ether esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate. Among these, methylbutyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxy propionate, and the like are preferable. These specific solvents may be used alone, or may be used in combination of two or more thereof.

또한, 상기 특정 용제 이외의 사용 가능한 용제로서는 예를 들면, 테레빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올 및 벤질 알코올 등을 들 수 있다. Moreover, as a solvent which can be used other than the said specific solvent, terevin oil, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, terpineol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, etc. are mentioned, for example. Can be.

상기 용제는 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지한다는 관점에서, 무기 분체 (A) 100 중량부에 대하여 통상적으로 5 내지 50 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부의 범위로 이용된다. 또한, 전체 용제에 대한 특정 용제의 비율은 통상적으로 50 중량％ 이상, 바람직하게는 70 중량％ 이상이다. The solvent is generally used in the range of 5 to 50 parts by weight, preferably 10 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder (A) from the viewpoint of maintaining the viscosity of the composition in the preferred range. In addition, the ratio of the specific solvent with respect to the total solvent is 50 weight% or more normally, Preferably it is 70 weight% or more.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 상기 무기 분체 (A), 결착 수지 (B), 특정 첨가제 (C), 용제 및 필요에 따라서 이용되는 그 밖의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서 및 샌드밀 등의 혼련ㆍ분산기를 이용하여 혼련함으로써 제조 할 수 있다. 또한, 특정 첨가제 (C)는 미리 용제에 용해 또는 분산한 것을 혼련할 수도 있으며, 분말상인 것을 그대로 혼련할 수도 있다. 미리 용제에 용해하고 나서 혼련한 것은 후술하는 전사 필름의 형성 과정에서 용제가 제거된 후, 통상적으로는 고체로서 무기 분체 함유 수지층 중에 분산되어 있는 상태가 된다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention comprises a roll kneader, a mixer, a homo mixer, and a sand mill in which the inorganic powder (A), the binder resin (B), the specific additive (C), the solvent, and other components used as necessary. It can manufacture by kneading | mixing using kneading | mixing / dispersing machines, such as these. In addition, the specific additive (C) may knead the thing melt | dissolved or disperse | distributed in the solvent previously, and you may knead the powdery thing as it is. What knead | mixed after melt | dissolving in a solvent previously becomes a state currently disperse | distributing in an inorganic powder containing resin layer as a solid, after a solvent is removed in the formation process of the transfer film mentioned later.

본 발명의 조성물의 점도는 0.3 내지 30 Paㆍs인 것이 바람직하다. It is preferable that the viscosity of the composition of this invention is 0.3-30 Pa.s.

〔전사 필름〕[Transfer film]

본 발명의 전사 필름은 지지 필름과 (A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 특정 첨가제를 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 가지며, 필요에 따라 무기 분체 함유 수지층의 표면 위에 커버 필름을 가질 수도 있다. The transfer film of this invention has an inorganic powder containing resin layer containing a support film, (A) inorganic powder, (B) binder resin, and (C) specific additive, If needed, a cover film on the surface of an inorganic powder containing resin layer May have

본 발명의 전사 필름은 지지 필름 위에 레지스트막과 상기 무기 분체 함유 수지층의 적층막을 갖는 것(적층형 전사 필름)일 수도 있다. The transfer film of this invention may be what has a laminated film of a resist film and the said inorganic powder containing resin layer on a support film (laminated transfer film).

본 발명의 전사 필름은 상기 무기 분체 함유 수지층에 (D) 가소성 부여 물질이 함유된 것일 수도 있다. 또한, 본 발명의 전사 필름은 상기 무기 분체 함유 수지층에 (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 방사선 중합 개시제가 함유되어 있는 감광성 전사 필름일 수도 있다. The transfer film of this invention may be a thing in which the (D) plasticity provision substance was contained in the said inorganic powder containing resin layer. Moreover, the transfer film of this invention may be the photosensitive transfer film in which the said inorganic powder containing resin layer contains the (E1) polyfunctional (meth) acrylate and the (E2) radiation polymerization initiator.

이하, 전사 필름의 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, each component of a transfer film is demonstrated concretely.

<지지 필름><Support film>

본 발명의 전사 필름은 무기 분체 함유 조성물을 지지하는 지지 필름을 갖는다. 이 지지 필름은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터 및 블레이드 코터 등에 의해 지지 필름의 표면에 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포할 수 있으며, 얻어지는 전사 필름을 롤상으로 권취한 상태로 보존 또는 공급할 수 있다. The transfer film of this invention has a support film which supports an inorganic powder containing composition. It is preferable that this support film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. When a support film has flexibility, an inorganic powder containing resin composition can be apply | coated to the surface of a support film with a roll coater, a blade coater, etc., and the transfer film obtained can be preserve | saved or supplied in the state wound up in roll shape.

지지 필름을 형성하는 수지로서는 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐 및 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 나일론 및 셀룰로오스 등을 들 수 있다. Examples of the resin for forming the supporting film include fluorine resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride and polyfluoroethylene, nylon and cellulose. Can be mentioned.

지지 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. 또한, 지지 필름의 표면에는 이형 처리되어 있는 것이 바람직하며, 이에 따라, 유리 기판에 대한 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다. The thickness of a support film is 20-100 micrometers, for example. Moreover, it is preferable that the mold release process is carried out on the surface of a support film, and, thereby, the peeling operation of a support film can be performed easily in the transfer process with respect to a glass substrate.

<커버 필름> <Cover film>

본 발명의 전사 필름에서는 무기 분체 함유 수지층의 표면을 보호하기 위해 상기 수지층의 표면 위에 커버 필름을 설치할 수도 있다. 이 커버 필름은 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하며, 이에 따라, 얻어지는 전사 필름을 롤상으로 권취한 상태로 보존 또는 공급할 수 있다. In the transfer film of this invention, in order to protect the surface of an inorganic powder containing resin layer, you may provide a cover film on the surface of the said resin layer. It is preferable that this cover film is a resin film which has flexibility, and it can preserve | save or supply in the state which wound up the transfer film obtained by this in roll shape.

커버 필름을 구성하는 수지로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름 및 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다. As resin which comprises a cover film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned.

커버 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. 또한, 커버 필름의 표면에는 이형 처리될 수도 있으며, 무기 분체 함유 수지층과의 밀착성이 지지 필름보다 작은 것이 바람직하다. The thickness of a cover film is 20-100 micrometers, for example. In addition, the surface of the cover film may be subjected to a release treatment, and it is preferable that the adhesion with the inorganic powder-containing resin layer is smaller than that of the supporting film.

<무기 분체 함유 수지층><Inorganic powder containing resin layer>

무기 분체 함유 수지층은 통상적으로 본 발명의 조성물을 지지 필름 위에 설치하고, 얻어지는 도포막을 건조하여 용제의 전부 또는 일부를 제거함으로써 형성된다. An inorganic powder containing resin layer is normally formed by providing the composition of this invention on a support film, drying the coating film obtained, and removing all or one part of a solvent.

본 발명의 조성물을 지지 필름 위에 도포하는 방법으로서는, 막 두께의 균일성이 높을 뿐만 아니라 막 두께가 큰(예를 들면 10 ㎛ 이상) 도막을 높은 효율로 형성할 수 있는 방법인 것이 바람직하며, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 블레이드 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법 및 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 무기 분체 함유 수지층의 막 두께는 형성하기 위한 패널 부재의 높이에 따라서도 다르지만, 통상적으로 10 내지 300 ㎛이다. As a method of apply | coating the composition of this invention on a support film, it is preferable that it is the method which can form not only high uniformity of a film thickness, but also a large film thickness (for example, 10 micrometers or more) with high efficiency, and is specifically, As a coating method with a roll coater, the coating method with a blade coater, the coating method with a curtain coater, the coating method with a wire coater, etc. are mentioned. Although the film thickness of an inorganic powder containing resin layer changes also with the height of the panel member to form, it is 10-300 micrometers normally.

도막의 건조 조건으로서는 예를 들면, 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30분 정도이며, 건조 후 용제의 잔존 비율(무기 분체 함유 수지층 중의 함유율)은 통상적으로, 2 중량％ 이하이다. As drying conditions of a coating film, it is about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content rate in an inorganic powder containing resin layer) of a solvent after drying is 2 weight% or less normally.

<레지스트막> <Resist Film>

본 발명의 적층형 전사 필름에 이용되는 레지스트막은 통상적으로, 결합제 중합체, 다관능성 단량체 및 방사선 중합 개시제를 함유하는 레지스트 조성물을 지지 필름 위에 도포하여 형성된다. The resist film used for the laminated transfer film of the present invention is usually formed by applying a resist composition containing a binder polymer, a polyfunctional monomer and a radiation polymerization initiator on a support film.

레지스트 조성물에 이용되는 결합제 중합체는, 알칼리 현상형인 경우에는 알칼리 가용성 수지일 필요가 있으며, 분자 중에 적어도 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌 불포화성 카르복실기 함유 단량체와, 이 카르복실기 함유 단량체와 공중합 가능한 공중합성 단량체를 포함하는 단량체 조성물을 중합함으로써 얻어지는 카 르복실기 함유 공중합체인 것이 바람직하다. The binder polymer used for a resist composition needs to be alkali-soluble resin in the case of alkali developing type, and the ethylenically unsaturated carboxyl group-containing monomer which has at least 1 or more carboxyl groups in a molecule | numerator, and the copolymerizable monomer copolymerizable with this carboxyl group-containing monomer are used. It is preferable that it is a carboxyl group-containing copolymer obtained by superposing | polymerizing the monomer composition to contain.

상기 결합제 중합체에서의 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율은 단량체 전체량에 대하여 5 내지 50 중량％, 바람직하게는 10 내지 40 중량％이다. 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율이 상기 범위보다 낮으면, 얻어지는 레지스트 조성물은 알칼리 현상액에 대한 용해성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율이 상기 범위를 초과하면, 현상시에 레지스트 패턴이 무기 분체 페이스트층으로부터 탈락되는 경향이 있다. The copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer in the binder polymer is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight based on the total amount of the monomers. When the copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer is lower than the above range, the resulting resist composition tends to have low solubility in an alkaline developer. On the other hand, when the copolymerization ratio of a carboxyl group-containing monomer exceeds the said range, there exists a tendency for a resist pattern to fall out from an inorganic powder paste layer at the time of image development.

상기 카르복실기 함유 단량체에서 유래된 구성 단위를 갖는 공중합체는 알칼리 용해성을 가지며, 특히 상기 구성 단위를 상기한 범위의 양으로 갖는 공중합체는 알칼리 현상액에 대하여 우수한 용해성을 나타낸다. 그 때문에, 이러한 공중합체를 레지스트 조성물에서의 결합제 중합체로서 이용함으로써, 알칼리 현상액에 대한 미용해물이 본질적으로 줄어들어, 현상 처리에서 기판의 레지스트 패턴 형성부 이외의 부분에서의 바탕 오염 및 막 잔여물 등의 발생을 감소시킬 수 있다. The copolymer which has a structural unit derived from the said carboxyl group-containing monomer has alkali solubility, Especially the copolymer which has the said structural unit in the quantity of the said range shows the outstanding solubility with respect to alkaline developing solution. Therefore, by using such a copolymer as a binder polymer in the resist composition, undissolved matters to the alkaline developer are essentially reduced, resulting in background contamination and film residues in portions other than the resist pattern forming portion of the substrate in the developing treatment. Occurrence can be reduced.

또한, 상기 공중합체를 결합제 중합체로서 포함하는 레지스트 조성물로부터 얻어지는 레지스트 패턴은, 알칼리 현상액에 지나치게 용해되지 않을 뿐만 아니라, 무기 분체 함유 수지층에 대하여 우수한 밀착성을 갖기 때문에, 이 수지층으로부터 탈락되기 어려운 것이다. Moreover, the resist pattern obtained from the resist composition containing the said copolymer as a binder polymer not only dissolves too much in alkaline developing solution but also has the outstanding adhesiveness with respect to an inorganic powder containing resin layer, and is hard to fall out from this resin layer. .

상기 카르복실기 함유 단량체로서는 예를 들면 (i) 아크릴산, 메타크릴산 및 크로톤산 등의 불포화 모노카르복실산, (ii) 이타콘산, 말레산 및 푸마르산 등의 불포화 디카르복실산 및 (iii) 그 밖의 불포화 카르복실산을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. As said carboxyl group-containing monomer, (i) unsaturated monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid, (ii) unsaturated dicarboxylic acids, such as itaconic acid, maleic acid, and fumaric acid, and (iii) other Unsaturated carboxylic acid. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

또한, 상기 공중합성 단량체로서는 예를 들면, As the copolymerizable monomer, for example,

스티렌, α-메틸스티렌 및 비닐톨루엔 등의 방향족 비닐 화합물류; Aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene and vinyltoluene;

메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트 및 시클로헥실메타크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 알킬에스테르류; Methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acryl Unsaturated carboxylic acid alkyl esters such as latex, 2-hydroxypropyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, cyclohexyl acrylate and cyclohexyl methacrylate;

아미노에틸아크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 아미노알킬에스테르류; Unsaturated carboxylic acid aminoalkyl esters such as aminoethyl acrylate;

글리시딜아크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 글리시딜에스테르류; Unsaturated carboxylic acid glycidyl esters such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate;

아세트산비닐 및 프로피온산비닐 등의 카르복실산 비닐에스테르류; Carboxylic acid vinyl esters, such as vinyl acetate and a vinyl propionate;

아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 및 α-클로로아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물류; Vinyl cyanide compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile and α-chloroacrylonitrile;

1,3-부타디엔 및 이소프렌 등의 지방족 공액 디엔류; Aliphatic conjugated dienes such as 1,3-butadiene and isoprene;

말단에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트 및 폴리실리콘 등의 거대단량체류Macromonomers such as polystyrene, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polybutyl acrylate, polybutyl methacrylate and polysilicon having acryloyl or methacryloyl groups at the terminals

등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. Etc. can be mentioned. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 결합제 중합체는 Mw가 통상적으로 3,000 내지 300,000, 바람직하게는 5,000 내지 200,000이다. 이러한 분자량을 갖는 결합제 중합체를 이용함으로써, 현상성이 높은 레지스트 조성물이 얻어지며, 이에 따라 예리한 패턴 엣지를 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있음과 동시에, 균일한 패턴을 갖는 패널 부재를 형성할 수 있다. The binder polymer typically has a Mw of 3,000 to 300,000, preferably 5,000 to 200,000. By using the binder polymer having such a molecular weight, a highly developable resist composition can be obtained, whereby a resist pattern having a sharp pattern edge can be formed and a panel member having a uniform pattern can be formed.

상기 레지스트 조성물에 이용되는 다관능성 단량체로서는 상술한 다관능성 (메트)아크릴레이트 (E1)이 바람직하게 이용된다. 다관능성 단량체는 결합제 중합체 100 중량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 100 중량부, 바람직하게는 10 내지 70 중량부의 범위의 양으로 이용된다. 다관능성 단량체의 양이 상기한 범위보다 낮으면, 레지스트 패턴 강도가 불충분해지기 쉬운 경향이 있으며, 상기한 범위를 초과하면 알칼리 용해성이 저하되거나, 레지스트 패턴 형성부 이외의 바탕 오염 및 막 잔여물 등이 발생하는 경우가 있다. As a polyfunctional monomer used for the said resist composition, the above-mentioned polyfunctional (meth) acrylate (E1) is used preferably. The polyfunctional monomer is usually used in an amount in the range of 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the binder polymer. If the amount of the polyfunctional monomer is lower than the above-mentioned range, the resist pattern strength tends to be insufficient, and if it exceeds the above-mentioned range, alkali solubility may be degraded, or background contamination and film residues other than the resist pattern forming portion, etc. This may occur.

상기 레지스트 조성물에 이용되는 방사선 중합 개시제로서는, 상술한 방사선 중합 개시제 (E2)를 들 수 있다. The radiation polymerization initiator (E2) mentioned above is mentioned as a radiation polymerization initiator used for the said resist composition.

상기 레지스트 조성물에는 적절한 유동성 또는 가소성 및 양호한 막 형성성을 부여하기 위해, 통상적으로 용제가 함유된다. 이러한 용제로서는 특별히 제한되지 않으며, 상술한 특정 용제 등이 바람직하게 이용된다. The resist composition usually contains a solvent in order to impart proper fluidity or plasticity and good film formability. There is no restriction | limiting in particular as such a solvent, The specific solvent mentioned above is used preferably.

또한, 상기 레지스트 조성물에는 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 충전제, 형광체, 안료 및 염료 등의 각종 첨가제가 함유될 수도 있다. In addition, the resist composition may contain various additives such as a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, a phosphor, a pigment, and a dye as an optional component.

상기 적층형 전사 필름은 지지 필름 위에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하며, 상기 레지스트막 위에 본 발명의 조성물을 도포하여 무기 분체 함유 수지층을 형성함으로써 얻어진다. 또한 상기 적층형 전사 필름은 지지 필름 위에 무기 분체 함유 수지층을 형성하며, 이것과는 별도로 커버 필름 위에 레지스트막을 형성하여, 상기 수지층 표면과 레지스트막 표면을 중첩시켜 압착하는 방법에 의해, 바람직하게 형성할 수 있다. The laminated transfer film is obtained by applying a resist composition on a support film to form a resist film, and applying the composition of the present invention onto the resist film to form an inorganic powder-containing resin layer. In addition, the laminated transfer film forms an inorganic powder-containing resin layer on the support film, and a resist film is formed on the cover film separately from this, and is preferably formed by overlapping and compressing the resin layer surface and the resist film surface. can do.

레지스트 조성물을 도포 및 건조하는 방법으로서는, 상술한 무기 분체 함유 수지 조성물의 도포 및 건조 방법을 이용할 수 있다. As a method of apply | coating and drying a resist composition, the application | coating and drying method of the inorganic powder containing resin composition mentioned above can be used.

형성되는 레지스트막의 두께는, 예를 들면 5 내지 15 ㎛가 된다. The thickness of the resist film formed will be 5-15 micrometers, for example.

본 발명의 전사 필름은 통상적으로 롤상으로 권취된 상태로 보관된다. The transfer film of the present invention is usually stored in a rolled state.

〔PDP의 제조 방법〕[Production method of PDP]

본 발명의 PDP의 제조 방법으로서 바람직한 형태는 하기와 같다. As a manufacturing method of the PDP of this invention, a preferable aspect is as follows.

(1) 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정 및 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재인 유전체층을 형성하는 방법(PDP의 제조 방법 (I)). (1) A method of forming a dielectric layer that is a panel member by a method including a step of transferring an inorganic powder-containing resin layer of a transfer film of the present invention onto a substrate and a step of firing the transferred inorganic powder-containing resin layer (production of PDP Method (I)).

(2) 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 로부터 선택되는 1종 이상의 패널 부재를 형성하는 방법(PDP의 제조 방법 (II)). (2) transferring the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film of the present invention onto a substrate; forming a resist pattern on the transferred inorganic powder-containing resin layer; etching the inorganic powder-containing resin layer to correspond to the resist pattern Forming at least one panel member selected from a dielectric layer, an electrode, a partition, a phosphor, a resistor, a color filter, and a black matrix by a method including a step of forming an inorganic powder-containing resin pattern and a step of baking the resin pattern. (How to prepare PDP (II)).

(3) 기판 위에 적층형 전사 필름의 적층막을 무기 분체 함유 수지층이 기판에 접촉하도록 전사하는 공정, 전사된 적층막에서의 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 부재를 형성하는 방법(PDP의 제조 방법 (III)). (3) transferring the laminated film of the laminated transfer film onto the substrate such that the inorganic powder-containing resin layer contacts the substrate; exposing the resist film in the transferred laminated film to form a latent image of the resist pattern; and developing the resist film. Dielectric layer by a process comprising the step of presenting a resist pattern, a step of etching the inorganic powder-containing resin layer to form an inorganic powder-containing resin pattern corresponding to the resist pattern, and a step of baking the resin pattern; A method of forming at least one panel member selected from an electrode, a partition, a phosphor, a resistor, a color filter, and a black matrix (method of manufacturing PDP (III)).

(4) 기판 위에 감광성 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 부재를 형성하는 방법(PDP의 제조 방법 (IV)). (4) transferring the inorganic powder-containing resin layer of the photosensitive transfer film onto the substrate; exposing the transferred inorganic powder-containing resin layer to form a latent image of the pattern; developing the inorganic powder-containing resin layer by developing the pattern. A method of forming at least one panel member selected from a dielectric layer, an electrode, a partition, a phosphor, a resistor, a color filter, and a black matrix by a method including a step of forming and firing the pattern. IV)).

(5) 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하여 무기막을 형성하는 공정, 상기 무기막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 상기 무기막을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 부재를 형성하는 방법(PDP의 제조 방법 (V)). (5) transferring the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film of the present invention onto a substrate, baking the transferred inorganic powder-containing resin layer to form an inorganic film, forming a resist pattern on the inorganic film, and the inorganic A method of forming at least one panel member selected from a dielectric layer, an electrode, a partition, a phosphor, a resistor, a color filter, and a black matrix by a method comprising etching the film to form an inorganic film pattern corresponding to the resist pattern. (Method for producing PDP (V)).

이하, 각 형태에 대하여 설명한다. Hereinafter, each form is demonstrated.

<PDP의 제조 방법 (I)> <Production Method of PDP (I)>

상기 PDP의 제조 방법 (I)에서의 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다. An example of the transfer process in the manufacturing method (I) of the PDP is as follows.

1. 롤상으로 권취된 상태의 전사 필름을 기판의 면적에 상응하는 크기로 재단한다. 1. The transfer film of the state wound up in roll shape is cut out to size corresponding to the area of a board | substrate.

2. 재단한 전사 필름에서의 무기 분체 함유 수지층 표면으로부터 필요에 따라 커버 필름을 박리한 후, 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉하도록 전사 필름을 중첩시킨다. 2. After peeling a cover film from the inorganic powder containing resin layer surface in the cut transfer film as needed, the transfer film is superposed so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface of a board | substrate.

3. 기판에 중첩된 전사 필름 위에 가열 롤러를 이동시켜 열 압착시킨다. 3. Move the heating roller onto the transfer film superimposed on the substrate and thermally compress it.

4. 열 압착에 의해 기판에 고정된 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 4. Peeling removal of a support film from the inorganic powder containing resin layer fixed to the board | substrate by thermocompression bonding.

상기한 바와 같은 조작에 의해, 지지 필름 위의 무기 분체 함유 수지층이 기판 위에 전사된다. 이 때의 전사 조건으로서는 예를 들면, 가열 롤러의 표면 온도가 60 내지 120 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 1 내지 5 ㎏/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.2 내지 10.0 m/분이다. 이러한 조작(전사 공정)은 라미네이터 장치에 의해 행할 수 있다. 또한, 기판은 예열되어 있을 수도 있으며, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다. By the operation as described above, the inorganic powder-containing resin layer on the support film is transferred onto the substrate. As transfer conditions at this time, the surface temperature of a heating roller is 60-120 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller is 0.2-10.0 m / min, for example. Such an operation (transfer step) can be performed by a laminator device. In addition, the board | substrate may be preheated, and a preheating temperature can be 40-100 degreeC, for example.

기판의 표면에 전사ㆍ형성된 무기 분체 함유 수지층은 소성되어 무기 소결체(유전체층)이 된다. 소성 방법으로서는 무기 분체 함유 수지층이 전사ㆍ형성된 기 판을 고온 분위기하에 배치하는 방법을 들 수 있다. 소성 처리에 의해, 무기 분체 함유 수지층에 함유되어 있는 유기 물질이 분해되어 제거되며, 무기 분체가 용융되어 소결된다. 소성 온도는 기판의 용융 온도 및 무기 분체 함유 수지층 중의 구성 물질 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 300 내지 800 ℃, 바람직하게는 400 내지 620 ℃이다. The inorganic powder-containing resin layer transferred and formed on the surface of the substrate is fired to form an inorganic sintered body (dielectric layer). As a baking method, the method of arrange | positioning the board | substrate with which the inorganic powder containing resin layer was transferred and formed in high temperature atmosphere is mentioned. By the baking treatment, the organic substance contained in the inorganic powder-containing resin layer is decomposed and removed, and the inorganic powder is melted and sintered. The firing temperature also varies depending on the melting temperature of the substrate, the constituent material in the inorganic powder-containing resin layer, and the like, but is, for example, 300 to 800 ° C, preferably 400 to 620 ° C.

<PDP의 제조 방법 (II)> <Production Method of PDP (II)>

상기 PDP의 제조 방법 (II)는 기판 위에 본 발명의 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴을 형성하는 공정 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함한다. The manufacturing method (II) of the PDP includes the steps of transferring the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film of the present invention onto a substrate, forming a resist pattern on the transferred inorganic powder-containing resin layer, and etching the inorganic powder-containing resin layer. Thereby forming a pattern corresponding to the resist pattern, and baking the pattern.

이하, PDP의 구성 요소인 "격벽"을 배면 기판 위의 표면에 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법에서는 (1) 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정, (2) 레지스트 패턴의 형성 공정, (3) 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정 및 (4) 무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정에 의해 기판의 표면에 격벽이 형성된다. Hereinafter, a method of forming a "partition wall" which is a component of the PDP on the surface on the back substrate will be described. In this method, the substrate is subjected to (1) a transfer step of the inorganic powder-containing resin layer, (2) a resist pattern forming step, (3) an etching step of the inorganic powder-containing resin layer, and (4) a firing step of the inorganic powder-containing resin pattern. On the surface of the partition wall is formed.

또한, 본 발명에서 "무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 전사하는" 형태로서는, 상기 유리 기판의 표면에 전사하는 것과 같은 형태 이외에, 상기 유전체층의 표면에 전사하는 것과 같은 형태도 포함되게 한다. In addition, in this invention, the form which "transfers an inorganic powder containing resin layer on a board | substrate" includes not only the form which is transferred to the surface of the said glass substrate, but also the form which transfers to the surface of the said dielectric layer.

(1) 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정(1) Transfer process of inorganic powder containing resin layer

무기 분체 함유 수지층의 전사 공정은 상술한 PDP의 제조 방법 (I)에서의 전사 공정과 마찬가지이다. The transfer process of an inorganic powder containing resin layer is the same as that of the transfer process in the manufacturing method (I) of PDP mentioned above.

(2) 레지스트 패턴의 형성 공정(2) Formation process of resist pattern

무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 레지스트막의 형성, 노광 및 현상의 공정을 거쳐 레지스트 패턴이 형성된다. Although it does not specifically limit as a method of forming a resist pattern on an inorganic powder containing resin layer, Preferably, a resist pattern is formed through the process of formation, exposure, and image development of a resist film.

레지스트막의 형성은 상술한 레지스트 조성물을 무기 분체 함유 수지층 위에 도포 및 건조시켜 행할 수도 있으며, 지지 필름 위에 레지스트 조성물을 도포 및 건조시켜 얻어진 전사 필름을 이용하여, 무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트막을 전사하여 형성할 수도 있다. 공정의 간편성을 고려하면, 전사에 의한 형성이 바람직하다. The resist film may be formed by applying and drying the above-described resist composition on the inorganic powder-containing resin layer, and transferring the resist film onto the inorganic powder-containing resin layer by using a transfer film obtained by applying and drying the resist composition on the support film. It may be formed. In consideration of the simplicity of the process, formation by transfer is preferable.

레지스트막의 노광은 형성된 레지스트막의 표면에 노광용 마스크를 개재하고, 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사(노광)하여, 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다. 노광할 때 이용되는 자외선 조사 장치로서는 특별히 한정되지 않으며, 포트리소그래피법에서 일반적으로 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되고 있는 노광 장치 등을 들 수 있다. 또한, 노광용 마스크를 개재하지 않고, 레이저 광 등을 묘화(描畵)함으로써 노광을 행할 수도 있다. 또한, 레지스트막 위에 피복되어 있는 지지 필름은 박리하지 않은 상태로 노광 공정을 행하여, 노광 후에 박리하는 것이 바람직하다. Exposure of the resist film is performed by selectively irradiating (exposure) radiation, such as an ultraviolet-ray, through the exposure mask on the surface of the formed resist film, and forms the latent image of a resist pattern. It does not specifically limit as an ultraviolet irradiation device used at the time of exposure, The exposure apparatus etc. which are used at the time of manufacturing the ultraviolet irradiation device, the semiconductor, and the liquid crystal display device which are generally used by the port lithography method are mentioned. Moreover, exposure can also be performed by drawing a laser beam etc. without interposing an exposure mask. Moreover, it is preferable to perform the exposure process in the state which has not peeled the support film coat | covered on the resist film, and to peel after exposure.

레지스트막의 현상은 노광된 레지스트막에서의 레지스트 패턴(잠상)을 현재화시키는 처리이다. 현상 처리 조건으로서는 레지스트막의 종류 등에 따라, 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면, 침지법, 요 동법, 샤워법, 분무법 및 패들법) 및 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. 이 현상 공정에 의해, 레지스트 잔류부와 레지스트 제거부로 구성되는 레지스트 패턴(노광용 마스크에 대응하는 패턴)이 형성된다. The development of the resist film is a process of presenting a resist pattern (latent image) in the exposed resist film. As the development treatment conditions, depending on the type of resist film, etc., the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the paddle method), and the developing apparatus, etc. You can choose appropriately. By this developing step, a resist pattern (pattern corresponding to the mask for exposure) formed of the resist remaining portion and the resist removing portion is formed.

이 레지스트 패턴은 후속 공정(무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정)에서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이며, 레지스트 잔류부의 구성 재료(광 경화된 레지스트)는 무기 분체 함유 수지층의 구성 재료보다, 후속 공정에서 이용하는 현상액에 대한 용해 속도가 낮을 필요가 있다. This resist pattern acts as an etching mask in a subsequent step (etching step of the inorganic powder-containing resin layer), and the constituent material of the resist residue (photocured resist) is formed in a subsequent step than the constituent material of the inorganic powder-containing resin layer. It is necessary for the dissolution rate to the developing solution to be used to be low.

(3) 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정(3) Etching Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

이 공정에서는 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 격벽 패턴(무기 분체 함유 수지 패턴)층을 형성한다. 즉, 무기 분체 함유 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 선택적으로 제거된다. 그리고, 무기 분체 함유 수지층에서의 소정의 부분이 완전히 제거되어 유전체층이 노출된다. 이에 따라, 수지층 잔류부와 수지층 제거부로 구성되는 무기 분체 함유 수지 패턴이 형성된다. In this step, the inorganic powder-containing resin layer is etched to form a partition pattern (inorganic powder-containing resin pattern) layer corresponding to the resist pattern. That is, the part corresponding to the resist removal part of a resist pattern among an inorganic powder containing resin layer is selectively removed. The predetermined portion of the inorganic powder-containing resin layer is completely removed to expose the dielectric layer. Thereby, the inorganic powder containing resin pattern comprised from a resin layer remainder and a resin layer removal part is formed.

에칭 방법으로서는, 무기 분체 함유 수지층의 종류 등에 따라 적절하게 선택될 수 있지만, 알칼리 현상 처리 또는 샌드 블라스트 처리가 바람직하게 이용된다. As an etching method, although it can select suitably according to the kind etc. of inorganic powder containing resin layer, alkali developing process or sand blast process is used preferably.

알칼리 현상 처리를 행하는 경우에는 상술한 레지스트막의 현상에 이용한 현상액을 이용하여, 동일한 현상 조건으로 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층의 현상을 연속하여 행하는 것이 바람직하다. 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법(예를 들면, 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법 및 패들법) 및 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. 상기 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는 현상 처리할 때 서서히 용해되며, 무기 분체 함유 수지 패턴이 형성된 단계(현상 처리의 종료시)에서 완전히 제거되는 것이 바람직하다. 또한, 에칭(현상) 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있어도, 이 레지스트 잔류부는 다음의 소성 공정에서 제거된다. When performing an alkali development process, it is preferable to continuously develop image of a resist film and an inorganic powder containing resin layer on the same image development conditions using the developing solution used for image development of the resist film mentioned above. The type, composition, and concentration of the developing solution, the treatment time, the treatment temperature, the treatment method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, and the paddle method), and the treatment apparatus can be appropriately selected. It is preferable that the resist residual portion constituting the resist pattern is gradually dissolved when developing, and completely removed at the step (at the end of the developing treatment) in which the inorganic powder-containing resin pattern is formed. In addition, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching (development) process, the resist remaining portion is removed in the following firing step.

샌드 블라스트 처리를 행하는 경우에는 무기 분체 함유 수지층에 가소성 부여 물질 (D), 특히 장쇄 알킬(메트)아크릴레이트를 함유하는 전사 필름을 이용하여 무기 분체 함유 수지층의 전사를 행하며, 전사 후에 후 베이킹 처리를 행하는 것이 바람직하다. 후 베이킹을 행함으로써, 이 수지층 중의 잔류 용매 및 가소성 부여 물질 (D)를 제거하여 수지층에 샌드 블라스트성(취성)을 부여할 수 있다. 여기서, 후 베이킹 처리 조건은 예를 들면 처리 온도가 100 내지 300 ℃, 처리 시간이 15 내지 120 시간이다. 그 후, 해당 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하며, 샌드 블라스트 장치에 의해 주로 후 베이킹 처리 후의 무기 분체 함유 수지층의 노출 부분을 샌드 블라스트 처리하여 제거함으로써, 원하는 형태의 패턴을 형성한다. 또한 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있어도, 이 레지스트 잔류부는 다음의 소성 공정에서 제거된다. In the case of sandblasting, the inorganic powder-containing resin layer is transferred to the inorganic powder-containing resin layer by using a transfer film containing a plasticity-providing substance (D), in particular a long-chain alkyl (meth) acrylate. It is preferable to perform the treatment. By performing post-baking, the residual solvent and the plasticity providing substance (D) in this resin layer can be removed, and sandblasting property (brittleness) can be provided to a resin layer. Here, the post-baking conditions are, for example, a treatment temperature of 100 to 300 ° C and a treatment time of 15 to 120 hours. Then, a resist pattern is formed on the said resin layer, and the sandblasting apparatus removes the exposed part of the inorganic powder containing resin layer mainly after a post-baking process by sandblasting, and forms the pattern of a desired form. Moreover, even if part or all of the resist residual part remains after an etching process, this resist residual part is removed in the next baking process.

(4) 무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정 (4) Firing step of inorganic powder-containing resin pattern

이 공정에서는 무기 분체 함유 수지 패턴을 소성 처리하여 격벽을 형성한다. 이에 따라, 수지층 잔류부 중의 유기 물질이 소실되어 격벽이 형성되며, 유전체층의 표면에 격벽이 형성되어 이루어지는 패널 재료에서, 격벽에 의해 구획되는 공간 (수지층 제거부에서 유래된 공간)은 플라즈마 작용 공간이 된다. In this step, the inorganic powder-containing resin pattern is calcined to form partition walls. Accordingly, in the panel material in which the organic material in the resin layer remaining portion is lost and the partition is formed, and the partition is formed on the surface of the dielectric layer, the space partitioned by the partition (the space derived from the resin layer removal unit) has a plasma action. It becomes a space.

소성 처리 온도로서는 유기 물질이 소실되는 온도인 것이 필요하며, 통상적으로 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상적으로 10 내지 90분간이다. The baking treatment temperature is required to be a temperature at which the organic substance disappears, and is usually 400 to 600 ° C. Moreover, baking time is 10 to 90 minutes normally.

<PDP의 제조 방법 (III)> <Production Method of PDP (III)>

PDP의 제조 방법 (III)은 PDP의 제조 방법 (II)에서의 바람직한 형태, 특히 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층을 알칼리 현상 처리에 의해 에칭하는 경우의 바람직한 형태이다. The manufacturing method (III) of a PDP is a preferable form in the case of etching the preferable aspect in the manufacturing method (II) of PDP, especially an resist film and an inorganic powder containing resin layer by alkali developing process.

PDP의 제조 방법 (III)에서는 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층의 적층막을 기판 위에 전사한다. 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다. In the production method (III) of the PDP, a laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer is transferred onto a substrate. An example of the transfer process is as follows.

전사 필름의 커버 필름을 박리한 후, 유전체층의 표면에 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키며, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한다. 이에 따라, 유전체층의 표면에 무기 분체 함유 수지층과 레지스트막의 적층막이 전사되어 밀착된 상태가 된다. 전사 조건으로서는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤러 압력이 1 내지 5 ㎏/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10.0 m/분이다. 또한, 유리 기판은 예열되어 있을 수도 있으며, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다. After peeling off the cover film of a transfer film, a transfer film is superposed so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface of a dielectric layer, and this transfer film is thermocompression-bonded with a heating roller etc. Thereby, the laminated film of an inorganic powder containing resin layer and a resist film is transcribe | transferred on the surface of a dielectric layer, and will be in the state in which it adhered. As transfer conditions, the surface temperature of a heating roller is 80-140 degreeC, the roller pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller is 0.1-10.0 m / min. In addition, the glass substrate may be preheated, and a preheating temperature can be 40-100 degreeC, for example.

PDP의 제조 방법 (III)에서의 적층막 전사 후의 공정은 PDP의 제조 방법 (II)에서의 (2) 내지 (4)의 공정(특히, 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층을 함께 알칼리 현상하는 경우)에 준한다. The process after lamination film transfer in the production method (III) of PDP is carried out in the steps (2) to (4) in the production method (II) of PDP (in particular, in the case of alkali development of the resist film and the inorganic powder-containing resin layer together). )

<PDP의 제조 방법 (IV)> <Production Method of PDP (IV)>

PDP의 제조 방법 (IV)는 본 발명의 감광성 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 전사하고, 이 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하며, 이 수지층을 현상 처리하여 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함한다. The manufacturing method (IV) of PDP transfers the inorganic powder containing resin layer which comprises the photosensitive transfer film of this invention on a board | substrate, exposes this resin layer, forms a latent image of a pattern, develops this resin layer, and patterns And forming a panel member selected from a dielectric layer, a partition, an electrode, a resistor, a phosphor, a color filter, and a black matrix by baking the pattern.

이 방법에서는 예를 들면 격벽을 형성하는 경우, 상기 PDP의 제조 방법 (II)에서의 "무기 분체 함유 수지층의 전사 공정" 후, "레지스트막의 노광 공정" 및 "레지스트막의 현상 공정"에 준한 방법 및 조건으로 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하며, 그 후 "무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정"에 의해 기판의 표면에 격벽을 형성한다. In this method, for example, in the case of forming the partition wall, the method according to the "exposure process of resist film" and "development process of resist film" after the "transfer process of inorganic powder containing resin layer" in the said PDP manufacturing method (II). And an inorganic powder-containing resin pattern under conditions, and then a barrier rib is formed on the surface of the substrate by the "calcination process of the inorganic powder-containing resin pattern".

<PDP의 제조 방법 (V)> <Production Method of PDP (V)>

상기 PDP의 제조 방법 (V)는 본 발명의 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층을 기판 위에 전사하고, 이 수지층을 소성하여 무기막을 형성하며, 상기 무기막 위에 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 무기막을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기막 패턴을 형성함으로써 격벽 등의 패널 재료를 형성한다. The manufacturing method (V) of the PDP transfers the inorganic powder-containing resin layer constituting the transfer film of the present invention onto a substrate, calcinates the resin layer to form an inorganic film, and forms a resist pattern on the inorganic film. The inorganic film is etched to form an inorganic film pattern corresponding to the resist pattern to form panel materials such as partition walls.

이 방법에서는 예를 들면 격벽을 형성하는 경우, 상기 PDP의 제조 방법 (II)에서의 "무기 분체 함유 수지층의 전사 공정" 후, "무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정"을 먼저 행하여 무기막을 형성하고, 상기 무기막 위에 "레지스트 패턴의 형성 공정"에 준한 조건으로 레지스트 패턴을 형성하며, 그 후 이 레지스트 패턴을 마스크로서 무기막을 에칭 처리함으로써, 기판의 표면에 격벽을 형성한다. 또한, 격벽 표면에 잔류하는 레지스트는 통상적으로 박리액 등을 이용하여 박리한다. In this method, when forming a partition, for example, after the "transfer process of an inorganic powder containing resin layer" in the said PDP manufacturing method (II), a "firing process of an inorganic powder containing resin pattern" is performed first, and an inorganic film is formed. Then, a resist pattern is formed on the inorganic film under the conditions according to the " resist pattern forming step ", and then the barrier film is formed on the surface of the substrate by etching the inorganic film using the resist pattern as a mask. In addition, the resist remaining on the partition wall surface is normally peeled off using a stripping solution or the like.

무기막의 에칭액으로서는 통상적으로 질산, 염산 및 황산 등의 산 용액이 이용되며, 특히 질산이 바람직하게 이용된다. 에칭액의 농도는 통상적으로 0.1 내지 10 중량％, 바람직하게는 0.2 내지 2 중량％이다. 에칭 공정은 바람직하게는 에칭액을 무기막에 분무기 등으로 분사함으로써 행하며, 예를 들면 분무 압력 1 내지 5 MPa, 온도 20 내지 60 ℃, 에칭 시간 5 내지 20분간으로 행한다. As an etching liquid of an inorganic film, acid solutions, such as nitric acid, hydrochloric acid, and a sulfuric acid, are used normally, Especially nitric acid is used preferably. The concentration of the etching solution is usually 0.1 to 10% by weight, preferably 0.2 to 2% by weight. The etching step is preferably performed by spraying the etching liquid onto the inorganic film with a sprayer or the like, for example, at a spray pressure of 1 to 5 MPa, a temperature of 20 to 60 ° C, and an etching time of 5 to 20 minutes.

<실시예><Example>

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 이하에서 "부"는 "중량부"를 나타낸다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In addition, "part" shows a "weight part" below.

<전사 필름의 평가 방법><Evaluation Method of Transfer Film>

(1) 가요성(1) flexibility

전사 필름의 가요성은 (i) 전사 필름을 롤상으로 권취하는 조작의 용이함 및 (ii) 전사 필름을 절곡했을 때, 무기 분체 함유 수지층의 표면에 금(굴곡 균열)이 발생하는지의 여부의 관점으로부터 평가하였다. The flexibility of the transfer film is determined from the viewpoint of (i) ease of operation of winding the transfer film into a roll shape and (ii) gold (bending crack) occurs on the surface of the inorganic powder-containing resin layer when the transfer film is bent. Evaluated.

표 1에서, "○"는 (i) 전사 필름을 롤상으로 권취할 수 있을 뿐만 아니라, (ii) 무기 분체 함유 수지층의 표면에 금(굴곡 균열)이 발생하지 않은 경우를 나타낸다. "×"는 (i) 전사 필름을 롤상으로 권취할 수 없거나, (ii) 무기 분체 함유 수지층의 표면에 금(굴곡 균열)이 발생한 경우를 나타낸다. In Table 1, "(circle)" shows the case where not only (i) the transfer film can be wound up in roll shape but (ii) gold (bending crack) does not generate | occur | produce on the surface of an inorganic powder containing resin layer. "X" shows the case where (i) transfer film cannot be wound in roll shape or (ii) gold (bending crack) generate | occur | produces on the surface of an inorganic powder containing resin layer.

(2) 취급성 (2) handleability

전사 필름의 취급성은 이 전사 필름으로부터 커버 필름을 박리하여, 무기 분 체 함유 수지층의 표면이 유리 기판의 표면에 접촉하도록, 상기 전사 필름을 가압하지 않고 중첩시킨 후, 상기 전사 필름을 유리 기판의 표면으로부터 박리했을 때, (i) 유리 기판에 대한 적절한 점착성 및 (ii) 상기 수지층이 응집 파괴를 일으키지 않고 박리할 수 있는지의 관점으로부터 평가하였다. The handleability of a transfer film peels a cover film from this transfer film, superimposes the said transfer film without pressurizing so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface of a glass substrate, and then transfers said transfer film of a glass substrate When peeling from the surface, it evaluated from the viewpoint of (i) appropriate adhesiveness with respect to a glass substrate, and (ii) whether the said resin layer can peel without causing cohesive failure.

표 1에서, "○"는 (i) 유리 기판에 대하여 적절한 점착성을 나타낼 뿐만 아니라, (ii) 상기 수지층이 응집 파괴를 일으키지 않고 박리할 수 있는 경우를 나타낸다. "×"는 (i) 유리 기판에 대하여 적절한 점착성을 나타내지 않거나, (ii) 상기 수지층이 응집 파괴를 일으키는 경우를 나타낸다. In Table 1, "(circle)" shows not only the moderate adhesiveness with respect to (i) a glass substrate, but (ii) shows the case where the said resin layer can peel, without causing cohesive failure. "X" shows the case where (i) does not show appropriate adhesiveness with respect to a glass substrate, or (ii) the said resin layer raises cohesive failure.

(3) 전사성(3) transferability

전사 필름의 전사성은 후술하는 실시예 1의 (3)의 전사 공정에서, 지지 필름을 박리할 때, 전사된 무기 분체 함유 수지층이 유리 기판의 표면에 대하여 양호한 접착성을 갖고 있는지의 관점으로부터 평가하였다. The transferability of the transfer film is evaluated from the viewpoint of whether the transferred inorganic powder-containing resin layer has good adhesion to the surface of the glass substrate when the supporting film is peeled off in the transfer step of Example 1 (3) described later. It was.

표 1에서, "○"는 양호한 접착성을 갖고 있는 경우를 나타내며, "×"는 양호한 접착성을 갖고 있지 않은 경우를 나타낸다.  In Table 1, "(circle)" shows the case where it has favorable adhesiveness, and "x" shows the case where it does not have favorable adhesiveness.

<실시예 1> <Example 1>

(1) 유리 페이스트 조성물(무기 분체 함유 수지 조성물)의 제조 (1) Preparation of Glass Paste Composition (Inorganic Powder Containing Resin Composition)

유리 분말(무기 분체)로서 산화납 70 중량％, 산화붕소 10 중량％, 산화규소 20 중량％의 조성을 갖는 PbO-B2O3-SiO2계의 혼합물(연화점 500 ℃) 100부, 결착 수지로서 n-부틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레 이트 공중합체(중량비: 30/60/10, Mw: 100,000, Tg: -1.7 ℃) 20부, 가소제로서 비스(2-에틸헥실)아젤레이트 3부, 특정 첨가제로서 폴리에틸렌글리콜(평균 분자량 1,000, 융점 35 ℃)을 1부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 35부를 분산기를 이용하여 혼련함으로써, 점도가 3 Paㆍs인 조성물을 제조하였다. As a glass powder (inorganic powder), 100 parts of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type mixture (softening point 500 degreeC) which has a composition of 70 weight% of lead oxide, 10 weight% of boron oxide, and 20 weight% of silicon oxide, as binder resin 20 parts of n-butyl methacrylate / 2-ethylhexyl methacrylate / hydroxypropyl methacrylate copolymer (weight ratio: 30/60/10, Mw: 100,000, Tg: -1.7 degreeC), bis (as a plasticizer) The viscosity is 3 Pa.s by kneading 3 parts of 2-ethylhexyl) azelates and 1 part of polyethyleneglycol (average molecular weight 1,000, melting | fusing point 35 degreeC) as a specific additive, and 35 parts of propylene glycol monomethyl ethers as a solvent using a dispersing machine. The phosphorus composition was prepared.

(2) 전사 필름의 제조 및 평가(가요성ㆍ취급성 (표 1))(2) Preparation and evaluation of transfer film (flexibility, handleability (Table 1))

상기 (1)에서 제조한 조성물을 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어진 지지 필름(폭 400 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 위에 블레이드 코터를 이용하여 도포하고, 형성된 도막을 100 ℃에서 5분간 건조하여 용제를 제거함으로써, 두께 50 ㎛인 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 위에 형성하였다. 이어서, 상기 무기 분체 함유 수지층 위에 미리 이형 처리한 PET로 이루어진 커버 필름(폭 400 ㎜, 길이 30 m, 두께 25 ㎛)을 접착함으로써, 본 발명의 전사 필름을 제조하였다. The composition prepared in the above (1) was coated on a support film (400 mm wide, 30 m long, 38 μm thick) made of polyethylene terephthalate (PET) pre-release treated using a blade coater, and the formed coating film was 100 ° C. It dried for 5 minutes and removes a solvent, and the inorganic powder containing resin layer of thickness 50micrometer was formed on the support film. Subsequently, the transfer film of this invention was manufactured by adhering the cover film (width 400mm, length 30m, thickness 25micrometer) which consists of PET previously release-processed on the said inorganic powder containing resin layer.

얻어진 전사 필름은 유연성을 갖고 있으며, 롤상으로 권취하는 조작을 용이하게 행할 수 있었다. 또한, 이 전사 필름을 절곡하여도 무기 분체 함유 수지층의 표면에 금(굴곡 균열)이 생기지 않았으며, 이 수지층은 우수한 가요성을 갖는 것이었다. The obtained transfer film had flexibility, and the operation to wind up in roll shape could be performed easily. Moreover, even when this transfer film was bent, gold (bending crack) did not generate | occur | produce on the surface of an inorganic powder containing resin layer, and this resin layer had the outstanding flexibility.

또한, 이 전사 필름으로부터 커버 필름을 박리하고, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 유리 기판의 표면에 접촉되도록 상기 전사 필름을 가압하지 않고 중첩시킨 후, 상기 전사 필름을 유리 기판의 표면으로부터 박리한 바, 이 수지층은 유리 기판에 대하여 적절한 점착성을 나타낼 뿐만 아니라, 응집 파괴를 일으키지 않고 전사 필름을 박리할 수 있었으며, 전사 필름으로서의 취급성이 양호한 것이었다. Moreover, after peeling a cover film from this transfer film and superimposing the said transfer film without pressurizing so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface of a glass substrate, the said transfer film was peeled off from the surface of a glass substrate. This resin layer not only showed appropriate adhesiveness with respect to a glass substrate, but was able to peel a transfer film without causing cohesive failure, and the handleability as a transfer film was favorable.

(3) 무기 분체 함유 수지층의 전사(전사성 평가 (표 1))(3) Transfer of Inorganic Powder-Containing Resin Layer (Evaluation of Transferability (Table 1))

상기 (2)에 의해 얻어진 전사 필름으로부터 커버 필름을 박리한 후, 20인치 패널용 유리 기판의 표면(버스 전극의 고정면)에 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 상기 전사 필름을 중첩시켜, 이 전사 필름을 가열 롤에 의해 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤의 표면 온도를 110 ℃, 롤압을 3 ㎏/㎠, 가열 롤러의 이동 속도를 1 m/분으로 하였다. After peeling a cover film from the transfer film obtained by said (2), the said transfer film is superposed so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface (fixed surface of a bus electrode) of the glass substrate for 20-inch panels, This transfer film was thermally crimped with a heating roll. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roll was 110 degreeC, the roll pressure was 3 kg / cm <2>, and the moving speed of the heating roller was 1 m / min.

열 압착 처리 종료 후, 유리 기판의 표면에 고정(가열 접착)된 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거하여, 이 수지층의 전사를 완료하였다. After completion | finish of a thermocompression bonding, the support film was peeled off from the inorganic powder containing resin layer fixed to the surface of the glass substrate (heat-adhesion), and the transfer of this resin layer was completed.

이 전사 공정에서 지지 필름을 박리할 때, 무기 분체 함유 수지층이 응집 파괴를 일으키지 않았으며, 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층이 전사되었다. 또한, 전사된 무기 분체 함유 수지층은 유리 기판의 표면에 대하여 양호한 접착성을 갖는 것이었다. When the support film was peeled off in this transfer step, the inorganic powder-containing resin layer did not cause cohesive failure, and the inorganic powder-containing resin layer excellent in uniformity was transferred. In addition, the transferred inorganic powder-containing resin layer had good adhesion to the surface of the glass substrate.

(4) 무기 분체 함유 수지층의 소성(유전체층의 형성)(4) Firing of Inorganic Powder-Containing Resin Layer (Formation of Dielectric Layer)

상기 (3)에서, 무기 분체 함유 수지층을 전사 형성한 유리 기판을 소성로(燒成爐) 내에 배치하며, 소성로 내의 온도를 상온으로부터 10 ℃/분의 승온 속도로 590 ℃까지 승온시키고, 590 ℃의 온도 분위기하에서 30분간에 걸쳐 소성 처리를 실시하여, 유리 기판의 표면에 유리 소결체를 포함하는 투명한 유전체층을 형성하였다. In the above (3), the glass substrate on which the inorganic powder-containing resin layer is transferred is disposed in a firing furnace, and the temperature in the firing furnace is raised to 590 ° C at a heating rate of 10 ° C / min from normal temperature, and then to 590 ° C. The baking process was performed over 30 minutes in the temperature atmosphere of, and the transparent dielectric layer containing a glass sintered compact was formed on the surface of a glass substrate.

이 유전체층의 막 두께(평균 막 두께 및 오차)는 25 ㎛±0.4 ㎛이었으며, 막 두께는 균일성이 우수하였다. 또한, 기판으로부터의 박리 등은 관찰되지 않았으며, 기판 밀착성이 우수한 것이었다. The film thickness (average film thickness and error) of this dielectric layer was 25 µm ± 0.4 µm, and the film thickness was excellent in uniformity. Moreover, peeling from the board | substrate etc. were not observed, and was excellent in board | substrate adhesiveness.

이하의 결과를 표 1에 나타낸다. The following results are shown in Table 1.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에서, 결착 수지로서 폴리n-부틸메타크릴레이트(Mw: 100,000) 30부를 이용한 것 이외에는 실시예 1의 (1)과 동일하게 하여, 점도가 3 Paㆍs인 유리 페이스트 조성물을 제조하였다. In Example 1, except having used 30 parts of polyn-butylmethacrylates (Mw: 100,000) as a binder resin, it carried out similarly to Example 1 (1), and manufactured the glass paste composition which has a viscosity of 3 Pa.s. .

얻어진 조성물을 이용하여 실시예 1과 동일하게 하여 전사 필름을 제조하고, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. Using the obtained composition, the transfer film was produced like Example 1, and various evaluation was performed. The results are shown in Table 1.

<비교예 1 내지 5><Comparative Examples 1 to 5>

실시예 1의 (1)에서, 표 1에 나타내는 조성을 이용한 것 이외에는 실시예 1의 (1)과 동일하게 하여 유리 페이스트 조성물을 제조하고, 얻어진 조성물을 이용하여 실시예 1과 동일하게 하여 전사 필름을 제조하고 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. In Example 1 (1), except having used the composition shown in Table 1, the glass paste composition was manufactured like Example 1 (1), and it carried out similarly to Example 1 using the obtained composition, and obtained the transfer film It manufactured and performed various evaluation. The results are shown in Table 1.

Figure 112006038799905-PAT00005
Figure 112006038799905-PAT00005

결착 수지: Binder Resin:

(1): n-부틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레이트 공중합체(중량비: 30/60/10, Mw: 100,000, Tg: -1.7 ℃)(1): n-butyl methacrylate / 2-ethylhexyl methacrylate / hydroxypropyl methacrylate copolymer (weight ratio: 30/60/10, Mw: 100,000, Tg: -1.7 degreeC)

(2): 폴리n-부틸메타크릴레이트(Mw: 100,000, Tg: 20 ℃)(2): polyn-butyl methacrylate (Mw: 100,000, Tg: 20 ° C)

(3): 폴리2-에틸헥실메타크릴레이트(Mw: 100,000, Tg: -10 ℃)(3): poly 2-ethylhexyl methacrylate (Mw: 100,000, Tg: -10 deg. C)

<실시예 3><Example 3>

(1) 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조:(1) Preparation of Inorganic Powder-Containing Resin Composition:

도전성 분체로서, 비표면적 1.8 ㎡/g의 Ag 분체 100부, 유리 플릿으로서 평균 입경 3 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 플릿(부정형, 연화점 520 ℃) 10부, 결착 수지로서 메타크릴산2-에틸헥실/메타크릴산3-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸)=60/20/20/20(질량％) 공중합체(Mw=50,000) 20부, 분산제로서 올레산 1부, 가소제로서 디-2-에틸헥실아젤레이트 10부, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 100부 및 특정 첨가제로서 폴리에틸렌글리콜(평균 분자량 1,000, 융점 35 ℃) 1부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(400 메쉬, 38 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 도전성 페이스트 조성물을 제조하였다. 100 parts of Ag powder having a specific surface area of 1.8 m 2 / g as a conductive powder, 10 parts of Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -based glass flits having an average particle diameter of 3 μm as a glass fleet (negative, softening point of 520 ° C.), and binding 2-ethylhexyl methacrylic acid / 3-hydroxypropyl methacrylic acid / methacrylic acid / mono (2-methacryloyl oxyethyl) = 60/20/20/20 (mass%) copolymer as resin Mw = 50,000) 20 parts, 1 part of oleic acid as a dispersant, 10 parts of di-2-ethylhexyl azelate as a plasticizer, 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent and polyethylene glycol as a specific additive (average molecular weight 1,000, melting point 35 DEG C) After kneading with one part with a bead mill, a conductive paste composition was prepared by filtering with a stainless mesh (400 mesh, 38 μm diameter).

(2) 레지스트 조성물의 제조:(2) Preparation of Resist Composition:

결합제 중합체로서 메타크릴산벤질/메타크릴산=75/25(중량％) 공중합체 (Mw=30,000) 60부, 다관능성 단량체로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 40부, 광중합 개시제로서 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온 20부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100부를 혼련한 후, 카트리지 필터(2 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, "레지스트 조성물"이라고 함)을 제조하였다. Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (wt%) copolymer (Mw = 30,000) as a binder polymer, 60 parts of tripropylene glycol diacrylates as a polyfunctional monomer, 2- (4- as a photoinitiator After kneading methylbenzyl) -2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, a cartridge filter (2 탆 diameter) was kneaded. By filtering with an alkali developing radiation-sensitive resist composition (hereinafter referred to as "resist composition") was prepared.

(3) 전사 필름의 제조:(3) Preparation of the transfer film:

하기 (a) 내지 (c)의 조작에 의해, 지지 필름 위에 레지스트막 및 무기 분체 함유 수지층을 하기의 순서대로 적층하여 이루어지는 적층막이 형성된 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 제조하였다. By the operation of following (a)-(c), the transfer film for electrode formation of this invention in which the laminated film formed by laminating | stacking a resist film and an inorganic powder containing resin layer on the support film in the following order was manufactured.

(a) (2)에서 제조한 레지스트 조성물을 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 이루어진 지지 필름 (I) 위에 블레이드 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 3분간 건조시켜 용제를 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 위에 형성하였다. (a) The resist composition prepared in (2) was applied on a support film (I) made of a PET film having a film thickness of 38 μm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 3 minutes to remove the solvent, thereby providing a thickness. An 8 탆 resist film was formed on the support film.

(b) (1)에서 제조한 무기 분체 함유 수지 조성물을 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 이루어진 지지 필름 (II) 위에 블레이드 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5분간 건조시켜 용제를 제거하여, 두께 30 ㎛의 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 위에 형성하였다. (b) The inorganic powder-containing resin composition prepared in (1) was applied on a support film (II) made of a PET film having a film thickness of 38 μm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to remove the solvent. And the inorganic powder containing resin layer of thickness 30micrometer was formed on the support film.

(c) (a) 및 (b)에서 제조한 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시켜, 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 90 ℃, 롤 압력을 2.5 ㎏/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 레지스트막 및 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층막이 지지 필름 사이에 형성되어 이루어지는 전사 필름을 제조하였다. (c) The transfer film was overlaid so that the resist film manufactured by (a) and (b) and the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact, and it thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 degreeC, the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. This produced the transfer film in which the laminated | multilayer film which has a resist film and an inorganic powder containing resin layer is formed between support films.

(4) 적층막의 전사 공정: (4) Transfer process of the laminated film:

유리 기판의 표면에 (3)에서 제조한 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 90 ℃, 롤 압력을 2.5 ㎏/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 유리 기판의 표면에 전사 필름이 전사되어 밀착된 상태가 되었다. The transfer film was superposed so that the surface of the inorganic powder containing resin layer of the transfer film manufactured by (3) could contact the surface of a glass substrate, and this transfer film was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 degreeC, the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the transfer film was transferred and adhered to the surface of the glass substrate.

(5) 레지스트막의 노광 공정ㆍ현상 공정:(5) Exposure process and development process of resist film:

상기 (4)에서 유리 기판 위에 형성된 적층막 중의 레지스트막에 대하여, 지지 필름 위로부터 노광용 마스크(100 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴 및 5 cm 정사각형 패턴)를 개재하고, 초고압 수은등에 의해 g선(436 ㎚), h선(405 ㎚), i선(365 ㎚)의 혼합광을 조사하였다. 이때의 노광량은 365 ㎚의 센서로 측정한 조도 환산으로 400 mJ/㎠로 하였다. 조사 후, 레지스트막 위의 지지 필름을 박리하고, 이어서 노광 처리된 레지스트막에 대하여 0.3 질량％의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의해 레지스트막의 현상 처리를 90초간 행하였다. The resist film in the laminated film formed on the glass substrate in the above (4) was interposed with an exposure mask (a 100 m wide stripe pattern and a 5 cm square pattern) from the support film, and g-line (436 nm) by an ultra-high pressure mercury lamp. , and mixed light of h line (405 nm) and i line (365 nm) was irradiated. The exposure amount at this time was 400 mJ / cm <2> in the illuminance conversion measured with the 365 nm sensor. After the irradiation, the supporting film on the resist film was peeled off, and then, the resist film was subjected to the development process of the resist film for 90 seconds by a shower method in which 0.3 mass% of sodium carbonate aqueous solution (30 ° C) was used as a developer for the exposed resist film.

이에 따라, 자외선이 조사되어 있지 않은 미경화된 레지스트를 제거하여, 레지스트 패턴을 형성하였다. 레지스트 패턴은 패턴 형상이 균일하며, 패턴 엣지의 직선성이 우수하고 형상이 양호한 것이었다. Thereby, the uncured resist not irradiated with ultraviolet light was removed to form a resist pattern. The resist pattern had a uniform pattern shape, was excellent in linearity of the pattern edge, and had a good shape.

(6) 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정:(6) Etching Process of Inorganic Powder-Containing Resin Layer:

상기한 공정에 연속하여, 0.3 질량％의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의해 무기 분체 함유 수지층의 에칭 처리를 60초간 행하였다. Subsequently to the above process, the etching process of the inorganic powder containing resin layer was performed for 60 second by the shower method which makes 0.3 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) an etching liquid.

이어서, 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하였다. 이에 따라, 무기 분체 함유 수지층 패턴을 형성하였다. Subsequently, washing with water and drying treatment with ultrapure water were performed. Thereby, the inorganic powder containing resin layer pattern was formed.

(7) 패턴의 소성 공정:(7) firing process of the pattern:

무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내의 대기 분위기하, 580 ℃에서 30분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 유리 기판의 표면에 막 두께 8 ㎛의 전극 패턴이 형성되었다. 얻어진 전극 패턴은 균열 또는 결함이 없으며, 형상이 우수한 것이었다. The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer was formed was baked at 580 degreeC for 30 minutes in the atmospheric atmosphere in a kiln. Thereby, the electrode pattern with a film thickness of 8 micrometers was formed on the surface of a glass substrate. The obtained electrode pattern was free of cracks or defects and was excellent in shape.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 이용하여 무기 분체 함유 수지층을 형성한 본 발명의 전사 필름은 가요성 및 기판에 대한 가열 밀착성이 우수함과 동시에, 취급성에도 우수한 효과를 갖는다. 따라서, 본 발명의 전사 필름을 이용함으로써, 표면 평활성 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재(유전체층, 전극, 격벽, 형광체, 저항체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 등)를 높은 위치 정밀도로 효율적으로 형성할 수 있다. The transfer film of the present invention, in which the inorganic powder-containing resin layer is formed using the inorganic powder-containing resin composition of the present invention, is excellent in flexibility and heat adhesiveness to a substrate, and also has excellent effects in handling. Therefore, by using the transfer film of the present invention, PDP panel members (dielectric layers, electrodes, partitions, phosphors, resistors, color filters, and black matrices, etc.) excellent in surface smoothness and film thickness uniformity can be efficiently formed with high positional accuracy. can do.

Claims (14)

(A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 10 ℃ 이상 200 ℃ 이하의 융점을 갖는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무기 분체 함유 수지 조성물. (A) Inorganic powder, (B) binder resin, and (C) Inorganic powder containing resin composition characterized by containing the compound which has melting | fusing point of 10 degreeC or more and 200 degrees C or less. 제1항에 있어서, (C) 화합물이 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 500 내지 10,000의 폴리에틸렌글리콜인 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder-containing resin composition according to claim 1, wherein the compound (C) is polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 500 to 10,000 in terms of polystyrene. 제1항에 있어서, (D) 가소성 부여 물질을 추가로 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder-containing resin composition according to claim 1, further comprising (D) a plasticity imparting substance. 제1항에 있어서, (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 감방사선성 중합 개시제를 추가로 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder containing resin composition of Claim 1 which further contains (E1) polyfunctional (meth) acrylate and (E2) radiation sensitive polymerization initiator. 지지 필름과, (A) 무기 분체, (B) 결착 수지 및 (C) 10 ℃ 이상 200 ℃ 이하의 융점을 갖는 화합물을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름. It has a support film and the inorganic powder containing resin layer containing (A) inorganic powder, (B) binder resin, and the compound which has melting | fusing point of (C) 10 degreeC or more and 200 degrees C or less, The transfer film characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서, 지지 필름 위에 레지스트막과 상기 무기 분체 함유 수지층의 적층막을 갖는 전사 필름. The transfer film of Claim 5 which has a laminated film of a resist film and the said inorganic powder containing resin layer on a support film. 제5항에 있어서, (C) 화합물이 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 500 내지 10,000의 폴리에틸렌글리콜인 전사 필름. The transfer film according to claim 5, wherein the compound (C) is polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 500 to 10,000 in terms of polystyrene. 제5항에 있어서, 무기 분체 함유 수지층이 추가로 (D) 가소성 부여 물질을 함유하는 전사 필름. The transfer film according to claim 5, wherein the inorganic powder-containing resin layer further contains (D) a plasticity imparting substance. 제5항에 있어서, 무기 분체 함유 수지층이 추가로 (E1) 다관능성 (메트)아크릴레이트 및 (E2) 감방사선성 중합 개시제를 함유하는 전사 필름. The transfer film according to claim 5, wherein the inorganic powder-containing resin layer further contains (E1) polyfunctional (meth) acrylate and (E2) radiation-sensitive polymerization initiator. 기판 위에 제5항에 기재된 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 가열 전사하는 공정, 및 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. A panel display is formed by a method including a step of heating and transferring an inorganic powder-containing resin layer of the transfer film according to claim 5 and a step of baking the transferred inorganic powder-containing resin layer on a substrate. Method of manufacturing the panel. 기판 위에 제5항에 기재된 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 가열 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플 레이 패널의 제조 방법. Heating and transferring the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film according to claim 5 on a substrate; forming a resist pattern on the transferred inorganic powder-containing resin layer; etching the inorganic powder-containing resin layer to the resist pattern. A panel member is formed by a method including a step of forming a corresponding inorganic powder-containing resin pattern, and a step of baking the resin pattern. 기판 위에 제6항에 기재된 전사 필름의 적층막을 무기 분체 함유 수지층이 기판에 접촉하도록 가열 전사하는 공정, 전사된 적층막에서의 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 수지 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. Heat-transferring the laminated film of the transfer film of Claim 6 so that an inorganic powder containing resin layer may contact a board | substrate on a board | substrate, exposing the resist film in a transferred laminated film, and forming the latent image of a resist pattern, The said resist film is made. Developing and presenting a resist pattern; etching the inorganic powder-containing resin layer to form an inorganic powder-containing resin pattern corresponding to the resist pattern; and firing the resin pattern. A panel member is formed by forming a plasma display panel. 기판 위에 제9항에 기재된 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 가열 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The process of heat-transferring the inorganic powder containing resin layer of the transfer film of Claim 9 on a board | substrate, the process of exposing the transferred inorganic powder containing resin layer to form a latent image of a pattern, and developing the said inorganic powder containing resin layer A panel member is formed by a method comprising a step of forming a pattern and a step of baking the pattern. 기판 위에 제5항에 기재된 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층을 가열 전사하는 공정, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성하여 무기막을 형성하는 공정, 상기 무기막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 무기막을 에칭 처리하여 상기 레지스트 패턴에 대응하는 무기막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. Heating and transferring the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film according to claim 5 onto a substrate, baking the transferred inorganic powder-containing resin layer to form an inorganic film, forming a resist pattern on the inorganic film, and the A method of manufacturing a plasma display panel comprising forming a panel member by a method comprising etching the inorganic film to form an inorganic film pattern corresponding to the resist pattern.
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