KR20060125023A - 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법이 제공된다.
본 발명은, 광원으로부터 나온 빛을 측 방향으로 투사시키기 위한 엘이디 패키지에 있어서, 전극이 형성된 기판; 상기 기판상에 전기적으로 연결 배치된 광원; 상기 기판과 광원을 덮어 보호하는 몰딩 부; 및 상기 몰딩 부의 외면을 덮고, 상기 광원의 장착 평면에 대해 일측 방향으로 투광 면을 형성한 반사 층;을 포함하는 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 반사 면을 원하는 모양으로 쉽게 제작가능하고, 엘이디 칩 사이즈의 영향 없이 소형으로 대량 생산이 가능하며, 엘이디 어레이 타입으로도 쉽게 제작이 가능하여 작업 생산성을 크게 향상시키는 효과가 얻어진다.
엘이디 패키지, 엘이디 패키지 제조 방법, 투광 면, 반사 층, 엘이디 칩 사이즈

Description

측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법{Side Emitting LED Package and Method of Manufacturing The Same}
제 1도는 종래의 기술에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지를 도시한 것으로서,
a)도는 사출물을 구비한 구조도, b)도는 PCB와 사출물을 구비한 구성도.
제 2도는 종래의 기술에 따른 또 다른 측면 발광형 엘이디 패키지를 도시한 것으로서,
a)도는 렌즈 부, 반사 판, 유지 구들을 구비한 구조도,
b)도는 오목 반사 면과 반사 층을 구비한 구성도.
제 3도는 본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지를 도시한 사시도.
제 4도는 본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지를 도시한 단면도로서,
a)도는 둥근 곡면의 상부면 반사 층을 갖는 구조,
b)도는 평면과 경사면의 반사 층을 갖는 구조,
c)도는 경사면의 반사 층을 갖는 구조.
제 5도는 본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지를 도시한 측면도로서,
a)도는 하나의 엘이디 칩을 광원으로 구비한 구조,
b)도는 다수의 엘이디 칩을 광원으로 구비한 구조.
제 6도는 본 발명에 따라서 하나의 엘이디 칩을 광원으로 구비한 측면 발광형 엘이 디 패키지의 제조방법을 단계적으로 도시한 설명도로서,
a)도는 공정 순서도,
b)도는 다이싱 라인을 확대도시한 상세도.
제 7도는 본 발명에 따라서 다수 개의 엘이디 칩을 광원으로 구비한 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법을 단계적으로 도시한 설명도로서,
a)도는 공정 순서도,
b)도는 다이싱 라인을 확대도시한 상세도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1.... 본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지
5.... 광원 10.... 몰딩 부
15... 기판 15a... 전극
17... 투광 면 20.... 반사 층
22... 절연 층 100~112,150~162.. 제조 단계
200,230,250,270..... 종래의 측면 발광형 엘이디 패키지
210.... 사출 물 232.... PCB
234.... 엘이디 칩 236.... 사출 물
252.... 광원 254.... 렌즈 부
256.... 유지 구 258.... 반사 면
274.... 몰딩 부 278.... 반사 층
본 발명은 한쪽 면으로 빛을 투광시키도록 된 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 반사 면을 원하는 모양으로 쉽게 제작가능하고, 엘이디 칩 사이즈의 영향 없이 소형으로 대량 생산이 가능하며, 엘이디 어레이 타입으로도 쉽게 제작이 가능하여 작업 생산성을 크게 향상시킨 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 모바일폰이나 PDA 등의 백 라이트(Back-light) 광원으로는 사이드에 투광 면을 갖는 엘이디 패키지(LED PKG)가 사용되고 있다.
이러한 종래의 엘이디 패키지는 모바일폰의 두께가 점차 적으로 슬림(slim)화 됨에 따라 그 두께도 점차 적으로 얇아지고 있는 추세이다.
도 1a)에 도시된 측면 발광형 엘이디 패키지(200)는 내장된 엘이디 칩용 리드 프레임(Lead Frame)에 사출 물(210)을 덮는 구조로 제작되기 때문에, 그 두께를 얇게 제작하는 데 있어서, 대략 0.5T 두께가 한계인 것으로 판단되고 있다. 따라서, 이러한 방식은 두께를 얇게 하는 데에 한계가 있다.
도 1b)에는 이와는 다른 구조의 엘이디 패키지(230)가 도시되어 있다. 이러한 종래 기술은 기판(232) 위에 엘이디 칩(234)을 장착하고, 그것을 덮도록 내부에 공간(cavity)이 형성된 사출 물(236)을 접착시킨 다음, 상기 공간에 형광체와 에폭시를 혼합한 용액을 주입 후 양생시켜 다이싱(dicing)하는 방식이지만, 이와 같은 종래의 공정은 사출 물(236)을 부착하는 데에 작업 공정상 번거로움이 초래되어 작업 생산성 측면에서 매우 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
그리고, 도 2a)에는 종래의 기술에 따른 또 다른 측면 발광형 엘이디 패키지(250)가 도시되어 있다. 이러한 종래의 구조는 일본 특개 1997-83019호에 개시되어 있는 것으로서, 발광 다이오드(LED)를 광원(252)으로 하고, 상기 발광 다이오드로부터의 빛을 한쪽으로 유도하여 외부에 방출하고자 하는 것이다.
상기와 같은 종래 기술은 광원(252)의 외면을 렌즈 부(254)가 감싸고, 상기 렌즈 부(254)를 감싸도록 유지 구(256)가 형성되는 것으로서, 상기 유지 구(256)는 일측 면이 개방되어 투광 면(256a)을 형성하고, 상기 투광 면(256a)의 반대 측에는 상기 유지 구(256)의 내측에 별도의 반사 면(258)이 형성되는 것이다.
이와 같은 구조도 상기 유지 구(256)와 반사 면(258) 등을 별도로 마련하여 렌즈 부(254)에 씌워야 하므로, 그 제작 공정은 복잡하고, 번거로운 것이다.
또한, 도 2b)에 도시된 바와 같은, 또 다른 종래의 엘이디 패키지(270) 기술은 Sommers, Methew L. 에게 부여된 미국 특허 제6674096호에 관한 것으로서, 이는 엘이디 칩(272)을 투명한 몰딩 부(274)가 감싸고, 상기 몰딩 부(274)의 상부 면에는 중앙이 오목한 반사 면(276)이 형성되며, 상기 반사 면(276)에는 반사 층(278)이 형성되어 측면 사방에 걸쳐서 투광 면(280)을 형성하도록 된 것이다. 그렇지만, 이와 같은 종래의 기술은 투광 면(280)을 어느 특정한 한 방향으로 형성시키지 않 는 것이어서 반사 광이 집중되지 못하고 분산되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 그 목적은 별도의 사출 물이 불필요하여 그 두께를 최소화할 수 있는 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
그리고, 본 발명은 반사 면을 원하는 모양으로 쉽게 제작할 수 있고, PCB 타입으로 대량생산이 가능한 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명은 엘이디 칩 사이즈의 영향 없이 대량 생산이 가능하고, 어레이 타입(Array Type)으로 제작이 용이한 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
그리고, 본 발명은 EMC(Epoxy Molding Compound) 트랜스퍼 몰딩법을 채택함으로써 색산포의 최소화가 가능한 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 광원으로부터 나온 빛을 측 방향으로 투사시키기 위한 엘이디 패키지에 있어서,
전극이 형성된 기판;
상기 기판상에 전기적으로 연결 배치된 광원;
상기 기판과 광원을 덮어 보호하는 몰딩 부; 및
상기 몰딩 부의 외면을 덮고, 상기 광원의 장착 평면에 대해 일측 방향으로 투광 면을 형성한 반사 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지를 제공한다.
그리고, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 광원으로부터 나온 빛을 측 방향으로 투사시키기 위한 엘이디 패키지의 제조방법에 있어서,
전극이 형성된 기판을 제공하는 단계 ;
상기 기판상에 광원을 배치하는 단계;
상기 광원과 기판 위에 몰딩 부를 형성하는 단계;
상기 몰딩 부를 1차 다이싱하여 개별적인 패키지 별로 구획하는 단계;
상기 몰딩 부의 외면을 덮는 반사 층을 형성하는 단계; 그리고
상기 몰딩 부와 반사 층의 일면을 2차 다이싱하여 일측에 투광 면을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지(1)는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 광원(5)을 이루는 엘이디 칩으로부터 나온 빛을 몰딩 부(10)의 일측 방향으로 투사시키기 위한 것이다. 광의 투사 방향은 바람직하게는 상기 엘이디 칩이 배치되는 평면에 대해 직각을 이루는 측 방향이다.
본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지(1)는 전극(15a)이 형성된 기판(15)을 갖는다. 상기 기판(15)은 바람직하게는 패턴 전극(미 도시), 또는 비아 홀의 수직전극(15a)이 형성된 PCB 이거나 세라믹 재료로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 기판(15)상에는 전극(15a)에 전기적으로 연결 배치된 엘이디 칩이 광원(5)으로서 실장되며, 상기 엘이디 칩은 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상,하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type) 모두 적용 가능하다.
또한, 이러한 상기 광원(5)과 기판(15)상에는 이들을 덮는 몰딩 부(10)가 형성된다. 상기 몰딩 부(10)는 수지 등을 경화시켜 이루어지는 것으로서, 바람직하게는 색 산포를 최소화하기 위하여 형광체가 혼합된 투명 EMC(Epoxy Molding Compound)를 이용하여 형성된다.
본 발명은 이러한 몰딩 부(10)를 형성하는 과정에서 상기 몰딩 부(10)를 이루는 몰드(미 도시)의 형태를 다양하게 할 수 있다. 예를 들면, 상기 몰딩 부(10) 의 형태가 도 4a)에 도시된 바와 같이, 상부 면이 곡면을 갖는 형태로 하거나, 도 4b)에 도시된 바와 같이 상부면은 수평이고 투광 면(17)의 반대 면이 경사면으로 형성된 구조로 하거나, 또는 도 4c)에 도시된 바와 같이, 상부 면이 한쪽으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 형태로 형성될 수 있으며, 이는 상기 몰딩 부(10)를 형성시키는 몰드(미 도시)의 형태를 이러한 몰딩 부(10) 구조에 맞추어 사전에 가공하여 사용함으로써 원하는 형태의 몰딩 부(10)를 형성할 수 있다.
또한, 상기와 같이 몰딩 부(10)가 형성되면, 상기 몰딩 부(10)를 패키지 별로 원하는 형상에 맞추어 가공하는 작업이 이루어진다.
그리고, 상기와 같이 몰딩 부(10)가 원하는 형태로 갖춰지게 되면, 어느 한 면에 투광 면(17)을 형성한 반사 층(20)을 형성하게 된다.
상기 반사 층(20)은 Al,Au,Ag,Ni,W,Ti,Pt 등의 금속 증착 등을 통하여 형성되거나, 또는 박막 등을 상기 몰딩 부(10)의 외면에 직접 부착시켜서 형성될 수 있으며, 또한, 상기 기판(15) 상에 도금용 전극(미 도시)을 형성한다면 도금 공정 등을 통하여 형성될 수 있고, 상기 반사 층(20)은 몰딩 부(10)를 완전하게 감싸서 광의 누출을 차단하고, 그 일측으로 투광 면(17)을 형성한 구조이다.
따라서, 상기 반사 층(20)은 상부 면이 곡면을 갖는 형태이거나, 상부면은 수평이고 투광 면(17)의 반대 면이 경사면으로 형성된 구조이거나, 또는 상부 면이 한쪽으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 형태로 형성될 수 있다.
상기에서 투광 면(17)은 광원(5)을 이루는 엘이디 칩 또는 상기 엘이디 칩이 장착된 기판(15)의 평면에 대해 직각을 이루는 측 방향으로 바람직하게 형성된다. 또한, 상기 투광 면(17)은 바람직하게는 단일 평면으로 형성되어 상기 엘이디 칩으로부터의 광이 어느 한쪽으로 방향성을 갖고서 투사될 수 있도록 형성된다.
또한, 다르게는 상기 투광 면(17)이 복수의 평면이나 곡률을 가진 곡면으로 이루어질 수 있는 것이다.
그리고, 본 발명의 측면 발광형 엘이디 패키지(1)는 상기 몰딩 부(10) 내에, 도 5a)에 도시된 바와 같이 광원(5)을 이루기 위하여 하나 이상의 엘이디 칩이 배치되어 있다. 즉, 상기 광원(5)은 하나의 엘이디 칩을 구비하거나, 또는 광학 설계적인 요구 조건에 맞추어 도 5b)에 도시된 바와 같이 다수 개의 엘이디 칩을 구비할 수 있다.
만일, 다수개의 엘이디 칩들이 하나의 광원(5)을 형성하게 되면, 이들 각각의 엘이디 칩들 사이에서 절연 층(22)들이 상기 기판(15) 상에 형성되어 반사 층의 형성시 전기적으로 절연시키는 것이다.
이하, 본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법에 관하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법(100)은 도 6에 도시된 바와 같이, 먼저, 전극(15a)이 형성된 기판(15)을 제공하는 단계(102)가 이루어 진다. 그리고, 상기 기판(15) 상에는 이후에 설명되는 엘이디 칩들 사이에 각각 절연 층(Solder Resistor)(22)들이 형성된다.
상기에서 기판(15)은 비아 홀 등의 수직 전극(15a)이 형성된 PCB이거나 패턴 전극(미 도시)이 형성된 세라믹 재료 등으로 이루어질 수 있으며, 광원(5)을 이루는 엘이디 칩들이 실장되는 지점에는 각각 비아 홀(Via Holes) 등의 전극(15a)을 형성하고 있다. 그리고, 필요한 경우에는 도금용 전극(미 도시)을 패턴 층으로 형성할 수도 있다.
그리고, 상기 기판(15)상에 광원(5)을 배치하는 단계(104)가 이루어진다.
이는 하나의 기판(15) 기판(15)상에 광원(5)을 이루기 위하여 엘이디 칩들이 일시에 실장되고, 상기 기판(15)의 전극(15a)에 전기적으로 연결 배선된다.
그 다음으로는 상기와 같은 광원(5)과 기판(15) 위에 몰딩 부(10)를 형성하는 단계(106)가 이루어진다.
이 단계(106)에서 상기 몰딩 부(10)는 경화된 후의 색 산포를 최소화하기 위하여 형광체(Phosphor)가 혼합된 투명 EMC(Epoxy Molding Compound) 트랜스퍼 몰딩법으로서 형성되는 것이다.
또한, 이와 같은 몰딩 부(10)에서 사용되는 몰드는 도 4에 관련하여 설명한 바와 같이, 상부 면의 형태를 곡면으로 하거나, 상부면은 수평이면서 투광 면(17)의 반대 면은 경사면으로 하거나, 또는 상부 면 전체를 경사면으로 형성하는 등 다양하게 구성할 수 있는 것이다.
그리고, 이와 같이 몰딩 부(10)를 형성한 다음에는 상기 몰딩 부(10)를 1차 다이싱하는 단계(108)가 이루어진다.
이 단계(108)에서는 광원(5)을 이루는 각각의 엘이디 칩들에 대해 원하는 형태의 몰딩 부(10)가 형성되도록 몰딩 부(10)만을 다이싱 또는 에칭하여 몰딩 부(10)의 형태를 구성하는 것이다. 이 단계(108)에서 상기 몰딩 부(10)는 그 하단 테두리 부분이 상기 기판(15)상의 절연 층(22) 일부를 덮도록 형성된다.
또한, 다음으로는 상기 몰딩 부(10)의 외면을 덮는 반사 층(20)을 형성하는 단계(110)가 이루어진다. 상기 반사 층(20)은 예를 들면, Al,Au,Ag,Ni,W,Ti,Pt 등의 반사율이 높은 금속을 증착을 통하여 몰딩 부(10) 상에 형성하거나, 또는 반사율이 높은 별도의 박막 등을 상기 몰딩 부(10)에 부착시켜서 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 바람직하게는 상기 반사 층(20)은 몰딩 부(10)의 외면을 완전히 감싸서 광의 외부 누설이 없도록 일체로 형성된다.
그리고, 본 발명은 마지막으로 상기 몰딩 부(10)와 반사 층(20)의 일면을 2차 다이싱하여 일 측에 투광 면(17)을 형성하는 단계(112)를 포함한다.
이와 같은 과정에서, 상기 투광 면(17)을 형성하는 단계(112)는 상기 몰딩 부(10)와 반사 층(20)의 일면을 동시에 다이싱하게 되며, 따라서 투광 면(17)을 제외한 몰딩 부(10)의 외면은 모두 반사 층(20)에 의해서 덮인 상태가 된다.
이와 같은 경우, 상기 반사 층(20)은 그 하단 테두리 부분이 상기 기판(15) 상의 절연 층(22) 일부를 덮도록 형성되어 반사 층(20)이 기판(15)과 전기적인 절연이 확실하게 이루어지도록 하는 것이다.
그리고, 상기 단계(112)는 각각의 엘이디 패키지 별로 기판(15)을 가로 방향및 세로 방향으로 절단 선(30)들을 따라 절단하여 측면 발광형 엘이디 패키지를 제작하는 공정을 포함하는 것이다.
도 7에는 하나의 몰딩 부(10)와 반사 층(20)의 내부에 광원(5)을 이루기 위해 다수 개의 엘이디 칩들이 내장된 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법(150)이 단계적으로 도시되어 있다.
이러한 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법(150)은 도 6에 관련하여 설명한 바와 같이, 먼저 전극(15a)이 형성된 기판(15)을 제공하는 단계가 이루어진다.
그리고, 상기 기판(15)에는 광원(5)을 이루는 엘이디 칩들이 장착되는 지점에, 이 지점을 다른 부분들과 전기적으로 절연시키기 위한 절연 층(Solder Resistor)(22)들과, 전극(15a)을 이루는 복수의 비아 홀(Via Holes)들이 각각 형성된다.
또한, 다음으로는 상기 기판(15)상에 광원(5)을 이루는 엘이디 칩을 배치하고, 상기 기판(15)에 와이어 들을 전기적으로 배선하는 단계(154)가 이루어진다.
그 다음으로는 상기와 같은 광원(5)과 기판(15) 위에 몰딩 부(10)를 형성하는 단계(156)가 이루어지게 되며, 상기 몰딩 부(10)는 투명 EMC(Epoxy Molding Compound) 트랜스퍼 몰딩법으로서 형성되는 것이다.
그리고, 이와 같이 몰딩 부(10)를 형성한 다음에는 상기 몰딩 부(10)를 1차 다이싱하는 단계(158)가 이루어진다.
이 단계(158)에서는 하나의 몰딩 부(10)내에 원하는 수의 엘이디 칩들이 하나의 광원(5)을 이루어 내장되도록 몰딩 부(10)를 다이싱하여 몰딩 부(10)의 형태를 구성하는 것이다. 이 단계에서도 상기 몰딩 부(10)는 그 하단 테두리 부분이 상기 기판(15)상의 절연 층(22) 일부를 덮도록 형성된다.
그리고, 상기 각각의 엘이디 칩들 사이에는 절연 층(22)들이 형성되어 반사 층(20)의 형성시 전기적으로 통전되는 현상을 절연시키고 있다.
또한, 다음으로는 도 6에 관련하여 설명한 바와 같이, 상기 몰딩 부(10)의 외면에, 예를 들면 Al,Au,Ag,Ni,W,Ti,Pt 등의 반사율이 높은 금속을 금속 증착이나 도금 등을 통하여 형성하거나, 또는 반사율이 높은 별도의 박막 등을 상기 몰딩 부(10)에 부착시켜서 형성하는 단계(160)가 이루어진다. 그리고, 마지막으로 상기 몰딩 부(10)와 반사 층(20)의 일면을 2차 다이싱하여 일측에 투광 면(17)을 형성하는 단계(162)가 이루어지는 것이다.
그리고, 상기와 같이 반사 층(20)이 형성되면, 각각의 엘이디 패키지 별로 기판(15)을 가로 및 세로방향으로 절단하여 다수 개의 엘이디 칩들로 이루어진 광원(5)을 내장한 측면 발광형 엘이디 패키지(1)를 제작하는 것이다.
상기와 같이 본 발명에 의하면, 몰딩 부(10) 외에 별도의 사출 물이 불필요하여 엘이디 패키지의 두께를 최소화할 수 있고, 그에 따라서 슬림화가 필요한 각종 전자기기에 쉽게 적용가능하다.
그리고, 본 발명은 몰딩 부(10)를 형성하는 몰드(미 도시)의 형태를 자유롭게 제작하여 몰딩 부(10)의 형태를 다양하게 하고, 그에 따라 몰딩 부(10)에 형성되는 반사 층(20)의 형상을 원하는 모양으로 쉽게 제작할 수 있다.
또한, 본 발명은 몰딩 부 외에 사출 물에 의한 제약을 받지 않으므로 소형화된 박형(Thin) 구조가 가능하고, 투광 면이 광원을 이루는 엘이디 칩의 장착 평면의 측 방향으로 형성되기 때문에 엘이디 칩 사이즈의 영향 없이 얇은 두께로 제작 가능하다.
그리고, 기판을 PCB 등으로 하고, 엘이디 칩의 실장 공정부터 그 이후의 몰딩 및 다이싱 공정까지 PCB 상태로 이루어지므로 대량 생산이 가능하며, 어레이 타입(Array Type)으로 제작이 용이한 것이다.
뿐만 아니라, 본 발명은 형광체와 혼합되는 투명 EMC(Epoxy Molding Compound) 트랜스퍼 몰딩법을 채택함으로써 경화 후의 몰딩 부에서 색 산포의 최소화가 가능하여 광학 품질도 크게 향상되는 효과가 얻어지는 것이다.
상기에서 본 발명은 특정한 실시 예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 이는 단지 예시적으로 본 발명을 설명하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 이와 같은 특정 구조로 제한하려는 것은 아니다. 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것 임을 분명하게 밝혀두고자 한다.

Claims (15)

  1. 광원으로부터 나온 빛을 측 방향으로 투사시키기 위한 엘이디 패키지에 있어서,
    전극이 형성된 기판;
    상기 기판상에 전기적으로 연결 배치된 광원;
    상기 기판과 광원을 덮어 보호하는 몰딩 부; 및
    상기 몰딩 부의 외면을 덮고, 상기 광원의 장착 평면에 대해 일측 방향으로 투광 면을 형성한 반사 층;을 포함하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사 층은 그 상부 면이 곡면을 갖는 형태이거나, 상부면은 수평이고 투광 면의 반대 면이 경사면으로 형성된 구조이거나, 또는 상부 면이 한쪽으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 형태 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사 층은 Al,Au,Ag,Ni,W,Ti,Pt 등의 금속 증착 또는 도금 등을 통하여 형성된 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반사 층은 반사율이 높은 박막을 상기 몰딩 부에 부착시켜서 형성된 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 몰딩 부 내에는 하나 이상의 엘이디 칩이 배치되어 광원을 형성하는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 전극이 형성된 PCB 이거나 세라믹 재료로 이루어지는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 투광 면의 광 투사 방향은 상기 엘이디 칩이 배치되는 평면에 대해 직각을 이루는 측 방향임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지.
  8. 광원으로부터 나온 빛을 측 방향으로 투사시키기 위한 엘이디 패키지의 제조방법에 있어서,
    전극이 형성된 기판을 제공하는 단계 ;
    상기 기판상에 광원을 배치하는 단계;
    상기 광원과 기판 위에 몰딩 부를 형성하는 단계;
    상기 몰딩 부를 1차 다이싱하여 개별적인 패키지 별로 구획하는 단계;
    상기 몰딩 부의 외면을 덮는 반사 층을 형성하는 단계; 그리고
    상기 몰딩 부와 반사 층의 일면을 2차 다이싱 하여 일측에 투광 면을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판을 제공하는 단계는 상기 기판 상에서 엘이디 칩들 사이에 절연 층(Solder Resistor)을 형성하여 반사 층과 절연을 이루는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 몰딩 부를 형성하는 단계는 형광체가 혼합된 투명 EMC(Epoxy Molding Compound) 트랜스퍼 몰딩법을 이용하는 것을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 반사 층을 형성하는 단계는 Al,Au,Ag,Ni,W,Ti,Pt 등의 금속 증착 또는 도금 등을 통하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 반사 층을 형성하는 단계는 반사율이 높은 박막을 상기 몰딩 부에 부착시켜서 형성되는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 몰딩 부를 1차 다이싱하는 단계는 상기 몰딩 부 내에 하나 이상의 엘이디 칩이 배치되어 광원을 형성하도록 몰딩 부를 절단하는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 투광 면을 형성하는 단계는 상기 엘이디 칩이 배치되는 평면에 대해 직각을 이루는 측 방향으로 상기 몰딩 부와 반사 층들을 절단하는 것임을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 투광 면을 형성하는 단계는 각각의 엘이디 패키지 별 로 기판을 절단하여 측면 발광형 엘이디 패키지를 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 발광형 엘이디 패키지의 제조방법.
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US11/444,397 US7338823B2 (en) 2005-06-01 2006-06-01 Side-emitting LED package and manufacturing method of the same
JP2006152957A JP4976748B2 (ja) 2005-06-01 2006-06-01 側面発光型ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037507B1 (ko) * 2010-01-12 2011-05-26 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 이용한 발광다이오드 어레이 및 백라이트 유닛
KR20130111160A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 모듈
KR101936048B1 (ko) * 2017-07-25 2019-04-04 주식회사 에이유이 측면 발광 반사형 led 모듈 및 이를 이용한 반사 발광 방법

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101235460B1 (ko) * 2006-02-14 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
JP4952215B2 (ja) * 2006-08-17 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20090085053A1 (en) * 2007-01-25 2009-04-02 Hsing Chen Light emitting diode package with large viewing angle
US8092042B2 (en) * 2007-05-03 2012-01-10 Ruud Lighting, Inc. Shield member in LED apparatus
CN105546364A (zh) * 2007-05-10 2016-05-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led阵列***
WO2009074919A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
KR100864476B1 (ko) 2008-03-03 2008-10-20 신현종 발광 다이오드 조명 장치
DE102009008738A1 (de) 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
KR101621544B1 (ko) 2009-10-22 2016-05-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
TWI404242B (zh) * 2009-11-26 2013-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
KR101615497B1 (ko) * 2009-11-27 2016-04-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101122432B1 (ko) 2010-04-08 2012-03-09 희성전자 주식회사 사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JP5206729B2 (ja) * 2010-04-28 2013-06-12 日立電線株式会社 発光素子
DE102011075531A1 (de) * 2011-05-09 2012-11-15 Osram Ag Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung
CN102522487B (zh) * 2011-12-05 2014-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其led封装结构
US8814378B2 (en) * 2011-12-05 2014-08-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LCD device and LED package structure thereof
CN102569621A (zh) * 2012-02-17 2012-07-11 江苏索尔光电科技有限公司 一种可实现小型化的led光源
CN103390708B (zh) * 2012-05-10 2016-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102931147B (zh) * 2012-10-08 2015-05-27 日月光半导体制造股份有限公司 光学组件及其制造方法
CN103199177A (zh) * 2013-02-26 2013-07-10 日月光半导体制造股份有限公司 光学组件的制造方法
KR20150001025A (ko) 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 광원 어셈블리, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150064463A (ko) 2013-12-03 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 갖는 표시장치
US20150176800A1 (en) * 2013-12-25 2015-06-25 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Supporting base for semiconductor chip
JP6349904B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6142883B2 (ja) * 2015-02-05 2017-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6444754B2 (ja) 2015-02-05 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019095536A (ja) * 2017-11-21 2019-06-20 日本電気硝子株式会社 プリズム及び発光装置
US10829244B2 (en) 2018-02-08 2020-11-10 Honeywell International Inc. LED lighting devices with high extraction efficiencies
DE102018208781B4 (de) * 2018-06-05 2021-06-17 Robert Bosch Gmbh Mobilgerät mit mindestens einer transparenten Abdeckung
KR102634319B1 (ko) * 2018-11-12 2024-02-08 주식회사 루멘스 측면 발광형 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61148884A (ja) * 1984-12-22 1986-07-07 Toshiba Corp 光半導体装置
JPH0983019A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Yamato Sangyo Kk 面発光体
JP3472417B2 (ja) * 1996-10-22 2003-12-02 シャープ株式会社 サイド発光型チップｌｅｄおよび液晶表示装置
JP3752760B2 (ja) * 1997-01-14 2006-03-08 豊田合成株式会社 発光ダイオード装置
JPH10242532A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ及びそのユニット
JP3163419B2 (ja) * 1997-08-22 2001-05-08 日本レック株式会社 電子部品の製造方法
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
US6674096B2 (en) 2001-06-08 2004-01-06 Gelcore Llc Light-emitting diode (LED) package and packaging method for shaping the external light intensity distribution
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
US6945672B2 (en) * 2002-08-30 2005-09-20 Gelcore Llc LED planar light source and low-profile headlight constructed therewith
JP2004207369A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型白色ｌｅｄ
JP4516320B2 (ja) * 2004-01-08 2010-08-04 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037507B1 (ko) * 2010-01-12 2011-05-26 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 이용한 발광다이오드 어레이 및 백라이트 유닛
KR20130111160A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 모듈
KR101936048B1 (ko) * 2017-07-25 2019-04-04 주식회사 에이유이 측면 발광 반사형 led 모듈 및 이를 이용한 반사 발광 방법

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