KR20060101811A - Negative type liquid photoresist composition for display electrode - Google Patents

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KR20060101811A
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김상태
성시진
문성배
전우철
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 구체적으로 바인더 수지 분자 구조 내에 변성 에폭시 아크릴레이트 수지를 함유하고 그 이외에 모노머, 광증감제, 광증감 보조제, 첨가제 등을 첨가하여 보존 안정성이 우수하고, 건조, 노광, 현상, 에칭, 박리 등의 각 공정에서도 패턴이 손상되지 않고 에칭 후에도 충분한 내에칭성을 나타내어 패턴의 정밀도가 우수한 조성물에 대한 것이다.The present invention relates to a liquid negative photoresist composition for forming a display electrode, and specifically, contains a modified epoxy acrylate resin in a binder resin molecular structure, and in addition, a monomer, a photosensitizer, a photosensitization aid, and an additive are added to the storage stability. It is excellent in this, and it is about the composition which was excellent in the precision of a pattern by showing sufficient etching resistance even after etching, without damaging a pattern also in each process, such as drying, exposure, image development, etching, and peeling.

또한, 본 발명은 상기 조성물을 이용한 플라즈마 표시 패널(PDP)의 전면 및 후면 기판의 전극 패턴을 형성하는 방법에 대한 것이다.In addition, the present invention relates to a method of forming electrode patterns on the front and rear substrates of a plasma display panel (PDP) using the composition.

디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물 Liquid Negative Photoresist Composition for Display Electrode Formation

Description

디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물{NEGATIVE TYPE LIQUID PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISPLAY ELECTRODE}Liquid negative photoresist composition for forming display electrodes {NEGATIVE TYPE LIQUID PHOTORESIST COMPOSITION FOR DISPLAY ELECTRODE}

도 1은 기존의 면방전 방식의 AC형 플라즈마 표시 패널의 개략적 구조를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional surface discharge type AC plasma display panel.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1. 글래스 기판1. Glass Substrate

2. 투명 전극2. Transparent electrode

3. 버스 전극3. bus electrode

4. 유전체층4. Dielectric layer

5. 보호막(MgO)5. MgO

6. 형광체6. Phosphor

7. 격벽7. Bulkhead

8. 어드레스 전극8. Address electrode

도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 전면 기판 구조체 제작 공정 중 투명 전극 패턴의 제작 공정을 단계별로 보여주는 단면도들이다.2A through 2F are cross-sectional views illustrating a step of manufacturing a transparent electrode pattern during a front substrate structure manufacturing process according to the present invention.

본 발명은 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 구체적으로 바인더 수지 분자 구조 내에 변성 에폭시아크릴레이트 수지를 함유하고 그 이외에 모노머, 광증감제, 광증감 보조제, 첨가제 등을 첨가하여 보존 안정성이 우수하고, 건조, 노광, 현상, 에칭, 박리 등의 각 공정에서도 패턴이 손상되지 않고 에칭 후에도 충분한 내에칭성을 나타내어 패턴의 정밀도가 우수한 조성물에 대한 것이다.The present invention relates to a liquid negative photoresist composition for forming a display electrode, and specifically, contains a modified epoxy acrylate resin in a binder resin molecular structure and, in addition, a monomer, a photosensitizer, a photosensitizer, an additive, and the like to preserve storage stability. It is excellent in this, and it is about the composition which was excellent in the precision of a pattern by showing sufficient etching resistance even after etching, without damaging a pattern also in each process, such as drying, exposure, image development, etching, and peeling.

또한, 본 발명은 상기 조성물을 이용한 플라즈마 표시 패널(이하, PDP라고 약칭함)의 기판에 전극 패턴을 형성하는 방법에 대한 것이다.In addition, the present invention relates to a method of forming an electrode pattern on a substrate of a plasma display panel (hereinafter, abbreviated as PDP) using the composition.

일반적으로, PDP 전극회로의 막 패턴의 형성함에 있어서, 종래에는 DFR(Dry Film Resist)을 이용하였다. DFR의 바인더 수지로서는 메틸메타크리에이트와 스티렌의 공중합체를 주쇄로 하는 바인더 중합체의 광경화성 조성물을 이용하였는데, 이는 PDP 양산 시 대화면 장치상의 문제(노광기, Laminator)가 야기될 수 있고, 4면취 이상의 다면취 공법으로 인한 공정상의 문제 및 DFR의 상.하층 막에 의한 광의 산란 현상에 의하여 해상도에 한계가 있다.In general, in forming a film pattern of a PDP electrode circuit, conventionally, a dry film resist (DFR) is used. As the binder resin of the DFR, a photocurable composition of a binder polymer having a copolymer of methyl methacrylate and styrene as a main chain was used, which may cause problems on a large screen device (exposure, laminator) in the production of PDP, The resolution is limited due to process problems due to the process and scattering of light due to the upper and lower layers of the DFR.

본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로써, 본 발명의 목적은 DFR을 대체하여 페이스트화 하지 않고 액상의 포토레지스트를 사용하여 바인더 수지 분자 구조 내에 변성 에폭시아크릴레이트 수지를 함유하고 그 이외에 모노머, 광증감제, 광증감 보조제, 첨가제 등을 첨가하여 보존 안정성이 우수하 고, 건조, 노광, 현상, 에칭, 박리 등의 각 공정에서도 패턴이 손상되지 않고 에칭 후에도 충분한 내 에칭성을 나타내어 패턴의 정밀도가 우수한 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.The present invention has been proposed to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to use a liquid photoresist instead of paste to replace DFR and to contain a modified epoxy acrylate resin in a binder resin molecular structure. In addition, monomers, photosensitizers, photosensitization aids, and additives are added to provide excellent storage stability, and the patterns are not damaged even during drying, exposure, development, etching, and peeling, and exhibit sufficient etching resistance even after etching. It is to provide a liquid negative photoresist composition for forming a display electrode having excellent precision.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트를 이용하여 향상된 PDP 전극 형성 프로파일을 갖게 하는 전극 기판의 전극 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a method of forming an electrode pattern of an electrode substrate having an improved PDP electrode formation profile using the liquid negative photoresist for forming the display electrode.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기의 성분 (A)~(E)를 포함하는 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물을 제공한다:In order to achieve the above object, the present invention provides a liquid negative photoresist composition for forming a display electrode comprising the following components (A) to (E):

(A) 하기의 단계를 포함하는 제조방법에 의해 수득되는 변성 에폭시 아크릴레이트 수지 30 내지 60 중량%;(A) 30 to 60% by weight of the modified epoxy acrylate resin obtained by the production method comprising the following steps;

(a) 반응촉매로서, 트리페닐포스핀, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 메틸트리에틸암모늄 클로라이드, 크롬 옥타노에이트 및 지르코늄 옥타노에이트로 이루어진 군에서 선택된 1종을 반응혼합물 총 중량에 대해 0.1 내지 1중량% 사용하고, 유기 용매중에서 90 내지 110℃ 의 온도에서, 하기 화학식(Ⅰ)의 에폭시 화합물과 하기 화학식(Ⅱ)의 아크릴산을, 에폭시기 1당량에 대해 아크릴산 0.8 내지 1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 하기 화학식(Ⅲ)의 에폭시 아크릴레이트를 얻는 단계; 및(a) As the reaction catalyst, one selected from the group consisting of triphenylphosphine, triethylamine, benzyldimethylamine, methyltriethylammonium chloride, chromium octanoate and zirconium octanoate is 0.1 to the total weight of the reaction mixture. To 1% by weight, in an organic solvent at a temperature of 90 to 110 ° C, the epoxy compound of formula (I) and acrylic acid of formula (II) are 0.8 to 1.2 moles of acrylic acid, preferably 1 equivalent of epoxy group. Reacting at a reaction ratio of 1 mol to obtain an epoxy acrylate of the following general formula (III); And

Figure 112005014809281-PAT00001
(I)
Figure 112005014809281-PAT00001
(I)

(식 중, R1은 H 또는 1CH3이고, n은 1 내지 7의 정수이다)(Wherein R 1 is H or 1CH 3 , n is an integer from 1 to 7)

Figure 112005014809281-PAT00002
(II)
Figure 112005014809281-PAT00002
(II)

Figure 112005014809281-PAT00003
(III)
Figure 112005014809281-PAT00003
(III)

(식 중, R1은 화학식(Ⅰ)에서 정의한 바와 같다)(Wherein R 1 is as defined in formula (I))

(b) 70 내지 90℃의 온도에서, (a)단계 반응생성물과 하기 화학식(Ⅳ)의 테트라히드로프탈산 무수물을, 화학식(Ⅲ)의 히드록시기 1당량에 대해 프탈산 무수물 0.8 내지 1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 프탈산 잔기가 말단 또는 측쇄에 도입된 하기 화학식(Ⅴ)의 화합물을 얻는 단계.(b) 0.8 to 1.2 moles of phthalic anhydride, preferably 1% of the reaction product of step (a) and tetrahydrophthalic anhydride of formula (IV) to one equivalent of hydroxy group of formula (III) at a temperature of 70 to 90 ° C. Reacting at a reaction ratio of 1 mole to obtain a compound of formula (V) having a phthalic acid residue introduced at the terminal or side chain thereof.

Figure 112005014809281-PAT00004
(IV)
Figure 112005014809281-PAT00004
(IV)

Figure 112005014809281-PAT00005
(V)
Figure 112005014809281-PAT00005
(V)

(B) 1종 이상의 광증감제 및 광증감 보조제를 포함하는 라디칼 광중합 개시제 1 내지 20 중량%;(B) 1 to 20% by weight radical photopolymerization initiator comprising at least one photosensitizer and photosensitization aid;

(C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 모노머 2 내지 30 중량%;(C) 2 to 30% by weight of a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule;

(D) 소포제 0.1 내지 2 중량%; 및(D) 0.1 to 2 weight percent antifoam; And

(E) 레벨링제 0.1 내지 2 중량%.(E) 0.1 to 2% by weight leveling agent.

(상기에 유기용매를 가하여 총 100중량%가 되게 하며, 유기용매는 (A)성분 총 중량에 대해 1 내지 50 중량%의 양으로 사용한다)(Adding an organic solvent to the total 100% by weight, the organic solvent is used in an amount of 1 to 50% by weight relative to the total weight of the component (A))

이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

상기한 (a)단계에서 사용되는 에폭시 화합물은, 에폭시 페놀 노보락 수지( 식 중에서 R1이 H인 경우) 또는 에폭시 크레졸 노보락 수지(식 중에서 R1이 -CH3인 경우)로서, 에폭시 당량이 200 내지 230이고 연화점이 75 내지 85℃인 것을 사용한다. 예를 들면, YDCN-500-90P(국도 화학 에폭시), N-680(LG화학 제조), EOCN-103S(NIPPON KAYAKU 제조) 또는 ECN-1280(시바 가이기 제조)을 사용할 수 있다.The epoxy compound used in the above step (a) is an epoxy phenol novolak resin (when R 1 is H) or an epoxy cresol novolak resin (when R 1 is -CH 3 in formula), and an epoxy equivalent weight 200-230 and a softening point of 75-85 degreeC are used. For example, YDCN-500-90P (National Chemical Epoxy), N-680 (manufactured by LG Chemical), EOCN-103S (manufactured by NIPPON KAYAKU), or ECN-1280 (manufactured by Shiva-Geigi) can be used.

반응 용매로는, 부틸카비톨 아세테이트(Butyl carbitol acetate), 메틸에틸케톤, 시클로헥사논(Cyclohexanone), 톨루엔, 디프로필렌클리콜 디메틸에테르, 에틸아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 석유에테르 등을 사용할 수 있으며, (A)성분 총 중량에 대해 1 내지 50 중량%의 양으로 사용된다.As the reaction solvent, butyl carbitol acetate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, toluene, dipropylene glycol dimethyl ether, ethyl acetate, butyl cellosolve acetate, petroleum ether, etc. can be used. It is used in the amount of 1-50 weight% with respect to the total weight of (A) component.

중합 금지제는, 열 및 빛에 의한 중합을 지연, 또는 방지하기 위한 목적으로 사용하는 것으로 구체적인 예로서는 메틸에틸 히드로퀴논, 히드로퀴논, 메틸히드로퀴논, 카테콜(Catechol), 피로갈롤(Pyrogallol)등을 사용할 수 있으며, (A)성분 총 중량에 대해 100~400ppm, 바람직하게는 200ppm의 양으로 사용된다. 중합 금지제를 100 ppm 미만으로 사용할 시에는 부가 반응에 의한 겔화가 급속하게 진행되어질 수가 있으며, 400ppm 을 초과하여 사용할 시에는 포토레지스트 평가시 감도 불량을 야기할 수 있다. The polymerization inhibitor is used for the purpose of delaying or preventing polymerization by heat and light, and specific examples thereof include methylethyl hydroquinone, hydroquinone, methylhydroquinone, catechol, pyrogallol, and the like. , Based on the total weight of component (A), in an amount of 100 to 400 ppm, preferably 200 ppm. When the polymerization inhibitor is used at less than 100 ppm, gelation by the addition reaction may proceed rapidly, and when it is used in excess of 400 ppm, it may cause a poor sensitivity in the evaluation of the photoresist.

광증감제는 자외선이나 가시광선과 같은 활성 광선에 노출되었을 때 라디칼을 생성하는 화합물로서, 구체적인 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인벤조프로필에테르, a-아크릴벤조인 등의 벤조인계 증감제; 벤조페논, p-메틸벤조페논, p-클로로벤조페논, 테트라클로로벤조페논, 아세톤벤조 등의 아릴케톤계 증감 제; 4,4`-비스디에틸아미노벤조페논, p-디메틸아미노아세톤페논 등의 디알킬아미노아릴 케톤계 증감제; 티오크산톤, 크산톤 및 2-클로로티오크산톤 등의 할로겐치환체 등의 다가카보닐계 증감제; IRGACURE 907등을 사용할 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다. 이러한 광증감제의 배합 비율은 100중량부당 8 내지 40중량부가 적당하고, 바람직하게는 4 내지 25 중량부이다.The photosensitizer is a compound that generates radicals when exposed to active light such as ultraviolet rays or visible light, and specific examples include benzoin-based sensitization such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin benzopropyl ether and a-acrylbenzoin. My; Aryl ketone sensitizers such as benzophenone, p-methylbenzophenone, p-chlorobenzophenone, tetrachlorobenzophenone and acetone benzo; Dialkylaminoaryl ketone sensitizers such as 4,4′-bisdiethylaminobenzophenone and p-dimethylaminoacetonephenone; Polyvalent carbonyl sensitizers such as halogen substituents such as thioxanthone, xanthone and 2-chlorothioxanthone; IRGACURE 907 etc. can be used and can be used individually or in combination of 2 or more types. The blending ratio of such a photosensitizer is suitable 8 to 40 parts by weight, preferably 4 to 25 parts by weight per 100 parts by weight.

광증감 보조제는 광증감제의 활성을 높이고자 사용하는 것으로 벤조 페논계, 벤조인 메틸 에테르계 또는 테트라 에틸 티우란 디설파이드계 등이 있으며 배합 비율은 100중량부당 4 내지 20중량부가 적당하고, 바람직하게는 2내지 10중량부가 적당하다.The photosensitizer may be used to increase the activity of the photosensitizer. Examples of the photosensitizer include a benzophenone series, a benzoin methyl ether series, or a tetraethyl thiuran disulfide series, with a blending ratio of 4 to 20 parts by weight per 100 parts by weight, preferably. Is 2 to 10 parts by weight.

분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 모노머는, 경화된 레지스트 막에 내에칭성 및 내용매성을 부여하기 위한 것으로 본 발명의 광경화성 조성물에 있어서 광중합성는 조성물의 광경화성의 촉진 및 현상성을 향상시키기 위해서 사용한다. 이 광중합성 모노머로서는 예를 들면, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글라이콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌 옥시드 변성트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류 ; 프탈산, 아디프산, 말렌산, 이타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리 에스테르 등을 들 수 있지만, 특정한 것에 한정되는 것이 아니고 또한 이들을 단독으로 또는 2종 이상으로 조합하여 사용할 수 있다. 이러한 광중합성 모노머 중에서도 1분자 중에 2개 이상의 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 다관능 모노머 가 바람직하다. 이러한 광중합성 모노머 의 배합량은 상기 유기결합체 100중량부당 2 내지 30 중량부가 적합하다. 광중합성 모노머 의 배합량이 상기 범위보다 적은 경우, 조성물이 충분한 광경화성을 얻기 어렵게 되는 한편, 상기 범위를 초과하여 다량이 되면 피막의 심부에 비하여 표면부의 광경화가 빨라지기 때문에 경화 얼룩이 생기기 쉽다.The monomer having a radically polymerizable double bond in the molecule is for imparting etch resistance and solvent resistance to the cured resist film, and in the photocurable composition of the present invention, photopolymerization is used to improve the photocurability of the composition and improve developability. Used for As this photopolymerizable monomer, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate and each meta corresponding to the acrylate Acrylates; Mono-, di-, tri- or more polyesters of polybasic acids such as phthalic acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, succinic acid, trimellitic acid and terephthalic acid with hydroxyalkyl (meth) acrylates. However, it is not limited to a specific thing and can also use these individually or in combination of 2 or more types. Among these photopolymerizable monomers, polyfunctional monomers having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups in one molecule are preferable. The amount of such photopolymerizable monomer is 2 to 30 parts by weight per 100 parts by weight of the organic binder. When the amount of the photopolymerizable monomer is less than the above range, the composition hardly obtains sufficient photocurability, while when the amount exceeds the above range, hardening stains tend to occur because the photocuring of the surface portion is faster than the deep portion of the coating.

소포제는, 감광성 수지 조성물의 제조시 혼화성을 용이하게 하고, 후막을 제조하는 공정에서 핀홀 발생과 막의 불균일성에 의해 발생하는 불량을 줄이기 위해 첨가한다. 그 구체적인 예로는 음이온계의 공중합체, 알랄킬 변성 포리메틸아킬실록산계, 폴리에스테로 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 혼합물, 변성우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리시록산, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체 등이 있다. 상기 소포제의 함량은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 7 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 중량%인 것이 좋다. 상기 소포제의 함량이 7 중량%을 초과하면 현상 공정시 잔막이 남는 경우가 발생하기 쉽고, 0.1 중량% 미만이면 특성을 기대하기 어렵다.The antifoaming agent is added in order to facilitate miscibility in the preparation of the photosensitive resin composition and to reduce defects caused by pinhole generation and film nonuniformity in the process of producing a thick film. Specific examples thereof include anionic copolymers, allylalkyl-modified polymethylalkylsiloxanes, polyester-modified polymethylalkylsiloxanes, polysiloxane-based, non-silicone-based polymer mixtures, modified urea solutions, polyester-modified dimethylpolysiloxanes, polyesters And modified dimethylpolysiloxane copolymers. The amount of the antifoaming agent is preferably 0.1 to 7% by weight, more preferably 1 to 5% by weight based on the total weight of the composition. When the content of the antifoaming agent exceeds 7% by weight, it is easy to cause the residual film to remain during the developing process, and when the content is less than 0.1% by weight, it is difficult to expect the property.

레벨링제는 레지스트의 도포시 평탄성과 얼룩을 개선하기 위한 것으로써 구체적인 예로서는 실리콘 타입이나 불소계 타입의 것을 사용하며 함량은 조성물 총 중량에 대하여 1내지 2중량%를 사용하는 것이 좋다.Leveling agent is to improve the flatness and unevenness when applying the resist as a specific example of the silicone type or fluorine-based type, the content is preferably used 1 to 2% by weight based on the total weight of the composition.

본 발명의 알칼리 가용성 노볼락 수지, 가교제 등을 용해시키는 용제로서는 에틸렌글리콜모노메일에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프롤필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 락트산메틸, 악트산에틸 등의 락트산 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류; N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용한다.As a solvent which melt | dissolves the alkali-soluble novolak resin, crosslinking agent, etc. of this invention, Ethylene glycol monoalkyl ethers, such as ethylene glycol monomail ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monoethyl ether acetate; Lactic acid esters such as methyl lactate and ethyl actate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; Amides such as N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; Lactones, such as (gamma) -butyrolactone, etc. are mentioned. These solvents are used individually or in mixture of 2 or more.

이하, 본 발명을 하기 실시예를 참조로 설명하나 본 발명이 이에 제한되지는 않는다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.

<실시예 1 ~ 6><Examples 1 to 6>

변성 에폭시 아크릴레이트 수지의 제조(DWEA)Preparation of Modified Epoxy Acrylate Resin (DWEA)

질소를 주입하면서 YDCN-500-90P(에폭시 크레졸 노보락 수지, 국도 에폭시 제조)210 g, 부틸카비톨 아세테이트 200 g 및 히드로퀴논 1g을 반응 용기에 넣고 1시간동안 80 ℃로 가열, 교반하여 내용물을 균일하게 혼합하였다. 여기에 트리에틸아민 1g을 첨가하고 90 ℃로 유지하면서 아크릴산 72 g을 넣고 2 ~ 4시간 동안 반응 시킨다.While injecting nitrogen, 210 g of YDCN-500-90P (epoxy cresol novolak resin, manufactured by Kukdo Epoxy), 200 g of butylcarbitol acetate, and 1 g of hydroquinone were placed in a reaction vessel, heated and stirred at 80 ° C. for 1 hour to uniform contents. Mixed well. 1 g of triethylamine was added thereto, and 72 g of acrylic acid was added thereto while maintaining at 90 ° C. for 2 to 4 hours.

아크릴산을 넣으면 에폭시 링이 열리면서 심각한 발열이 시작되고, 이때 급 작스럽게 발열이 일어나면 급냉으로 식힌다.When acrylic acid is added, the epoxy ring opens and a serious exotherm starts. When a sudden exotherm occurs, it is cooled by quenching.

반응이 종결되면 반응물의 온도를 상온으로 냉각시킨 후, 테트라히드로 프탈산 무수물 152 g과 부틸카비톨 아세테이트 100 g을 넣고 반응 온도를 100 ~ 110℃로 유지하면서 1시간 동안 반응시킨 후 1780.1850cm-1 에 무수물 작용기의 흡수피크가 존재하지 않음을 확인한 후 반응물의 온도를 상온으로 급냉시켜 변성 에폭시아크릴레이트 수지(DWEA)를 수득한다.After the reaction was completed, the reaction product was cooled to room temperature, and then, 152 g of tetrahydrophthalic anhydride and 100 g of butylcarbitol acetate were added thereto, followed by reaction for 1 hour while maintaining the reaction temperature at 100 to 110 ° C., at 1780.1850 cm −1 . After confirming that there is no absorption peak of the anhydride functional group, the temperature of the reactant is quenched to room temperature to obtain a modified epoxy acrylate resin (DWEA).

본 발명의 조성물 제조Preparation of the composition of the present invention

상기 제조한 수지에, 하기 표 1과 같이 하기의 성분들을 혼합한 조성물을 제조하여 본 발명의 조성물에 대한 유용성을 하기와 같이 감도, 밀착성, 내화학성에 대해 시험하였다.To the resin prepared above, a composition was prepared in which the following components were mixed as shown in Table 1 below, and the usefulness of the composition of the present invention was tested for sensitivity, adhesion, and chemical resistance as follows.

실시예Example DWEA / TMPTA / I-907 / DETX / EA/ 실리콘 (중량%)DWEA / TMPTA / I-907 / DETX / EA / Silicone (% by weight) 감도 (msec)Sensitivity (msec) 밀착성Adhesion 내화학성Chemical resistance 1One 50 / 26 / 6 / 2 / 14 / 250/26/6/2/14/2 130130 ＯO ＯO 22 50 / 22 / 9 / 3 / 14 / 250/22/9/3/14/2 120120 ＯO ＯO 33 50 / 18 / 12 / 4 / 14 / 250/18/12/4/14/2 120120 ＯO ＯO 44 45 / 19 / 15 / 5 / 14 / 245/19/15/5/14/2 9595 ＯO ＯO 55 41 / 19 / 18 / 6 / 14 / 241/19/18/6/14/2 8080 △△ ＯO 66 37 / 19 / 21 / 7 / 14 / 237/19/21/7/14/2 7070 △△ ＯO

* 첨가제: 소포제, 레벨링제.* Additives: antifoaming agent, leveling agent.

* DWEA : 동우 에폭시 아크릴레이트 수지* DWEA: Dongwoo epoxy acrylate resin

* TMPTA :트리메틸 프로판 트리아크릴레이트* TMPTA: trimethyl propane triacrylate

* DETX : 2,4-디에틸 티옥산톤* DETX: 2,4-diethyl thioxanthone

* EA : 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트* EA: Ethylene Glycol Monomethyl Ether Acetate

* 밀착성 및 내화학성 결과 표시방법은 Ｏ: 좋음, △ : 보통, X : 나쁨 으로 나타냄.* Adhesion and chemical resistance results are represented by O: good, △: normal, X: bad.

<감도 측정><Sensitivity measurement>

음각 포토레지스트를 실리콘 웨이퍼에 도포 후 g-line stepper를 이용하여 노광 후 마스크 패턴의 폭과 실제 경화된 포토레지스트의 패턴의 폭이 동일할 때의 노광량을 측정하였다.After the negative photoresist was applied to the silicon wafer, a g-line stepper was used to measure the exposure amount when the width of the post-exposure mask pattern and the width of the pattern of the actually cured photoresist were the same.

<밀착성 측정><Measurement of adhesion>

JIS D 0202에 의거하여 글라스 기판이나 ITO가 증착된 글라스 위에 포토레지스트를 도포 후 적정 노광량으로 전면 노광을 실시한 후 100개의 격자를 형성 후 3M사의 스카치 테이프를 압착하여 탈착하였을 때 남아있는 격자의 수를 측정하여 100/100 일때를 "Ｏ", 80/100~99/100 일때는 "△", 80/100 미만 일때는 "X"로 판단하였다.According to JIS D 0202, the photoresist is applied on a glass substrate or glass on which ITO is deposited, then the entire exposure is performed at an appropriate exposure amount. After forming 100 gratings, the number of gratings remaining when 3M Scotch tape is pressed and detached is determined. The measurement was made at "100" when "100", "△" when 80/100 to 99/100, and "X" when less than 80/100.

<내화학성 측정><Measurement of chemical resistance>

40℃의 온도에서 N-메틸피롤리돈(NMP)에 40분 침적 후 테이프 테스트를 실시 하였다.Tape test was performed after 40 minutes of immersion in N-methylpyrrolidone (NMP) at a temperature of 40 ℃.

상기 표 1 에서의 실험 결과에서 보여진 바와 같이, 본 발명에 의해 제조되는 조성물은 우수한 감도, 밀착성, 내화학성을 보여 전극 형성시 패턴의 정밀도 및 감도가 우수함을 알 수 있다.As shown in the experimental results in Table 1, the composition prepared by the present invention shows excellent sensitivity, adhesion, chemical resistance, it can be seen that the precision and sensitivity of the pattern when forming the electrode.

본 발명은 또한 상기 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물을 이용하여 향상된 PDP 전극 형성 프로파일을 갖게 하는 전극 기판의 투명전극 패턴 형성 방법을 제공한다.The present invention also provides a method for forming a transparent electrode pattern of an electrode substrate having an improved PDP electrode formation profile using the liquid negative photoresist composition for forming the display electrode.

본 발명에 따른 전극 기판의 투명전극 패턴을 형성하는 방법은,Method for forming a transparent electrode pattern of the electrode substrate according to the present invention,

(1) 전면 및 후면 기판 상에 투명전극 재료를 증착시키고, 위에 포토레지스트를 도포하는 단계;(1) depositing a transparent electrode material on the front and back substrates and applying a photoresist thereon;

(2) 광경화성 조성물을 적층하고, 이를 건조시켜 무점성의 막을 제조하는 단계;(2) laminating the photocurable composition and drying it to prepare a viscous-free film;

(3) 포토레지스트를 노광시키고 이를 프리베이킹하는 단계; (3) exposing the photoresist and prebaking it;

(4) 알칼리 현상액으로 포토레지스트를 현상하여 마스크 패턴을 형성하고 이를 포스트베이킹하는 단계; 및(4) developing the photoresist with an alkaline developer to form a mask pattern and postbaking it; And

(5) 상기 마스크 패턴을 이용한 선택적 에칭을 통해 전극 패턴을 완성하는 단계로 이루어진다.(5) Comprising a step of completing the electrode pattern through the selective etching using the mask pattern.

상기 방법을 도면을 통해서 상세히 설명한다.The method will be described in detail with reference to the drawings.

먼저, 도 2a 내지 도 2f 에 도시된 바와 같이, 전면 기판(100)상에 투명전극 재료를 전면적으로 도포하고 이를 패터닝하여 스트라이프 상의 투명 전극 패턴을 형성한다. 이때, 투명전극 패턴은 ITO막 혹은 SnO막으로 형성한다.First, as shown in FIGS. 2A to 2F, a transparent electrode material is applied to the entire surface of the front substrate 100 and patterned to form a transparent electrode pattern on a stripe. At this time, the transparent electrode pattern is formed of an ITO film or a SnO film.

그 구체적인 형성 방법은 먼저, 도 2a 에 도시된 바와 같이, 전면기판(100) 상에 ITO막(110)을 전면적으로 증착한 다음, 도 2b 에 도시된 바와 같이, ITO막(110)위에 포토레지스트(120)를 도포한다.A specific method of forming the film is first depositing the ITO film 110 on the front substrate 100 as shown in FIG. 2A and then photoresist on the ITO film 110 as shown in FIG. 2B. Apply 120.

본 발명의 광경화성 조성물은 미리 필름형으로 막이 제조되어 있는 경우에는 기판에 적층할 수 있지만, 페이스트형 조성물이나 액상의 경우에는 스크린 인쇄법, 바코터, 블레이트코터, 스핀코터 등의 적절한 방법으로 도포하고, 계속해서 지촉 건조성(指觸乾燥性)을 얻기 위하여 열풍순환식 건조로, 원적외선 건조로 등에서 예를 들면 약 60 내지 120℃로 5 내지 30분 정도 건조시켜 유기 용제를 증발시켜 무점성(tacky free)의 도막을 얻는다. The photocurable composition of the present invention may be laminated on a substrate when the film is prepared in a film form in advance, but in the case of a paste composition or a liquid, it may be applied by a suitable method such as a screen printing method, a bar coater, a bleed coater, or a spin coater. In order to obtain the touch drying property, the film is dried for 5 to 30 minutes at, for example, about 60 to 120 ° C. in a hot air circulation drying furnace, a far-infrared drying furnace, or the like to evaporate an organic solvent. Get a (tacky free) coating.

다음에, 도2c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(120)에 노광을 실시한다.Next, as shown in Fig. 2C, the photoresist 120 is exposed.

노광 공정으로는 소정의 노광 패턴을 갖는 네가티브 마스크를 이용한 접촉 노광 및 비접촉 노광이 가능하다. 노광 광원으로는 할로겐램프, 고압수은등, 레이저광, 메탈할로겐 램프, 블랙램프, 무전극램프 등이 사용된다. 노광량으로는 50 내지 1000 mJ/cm2 정도가 바람직하다.As an exposure process, contact exposure and non-contact exposure using the negative mask which has a predetermined exposure pattern are possible. As the exposure light source, halogen lamps, high pressure mercury lamps, laser lights, metal halogen lamps, black lamps, electrodeless lamps and the like are used. As an exposure amount, about 50-1000 mJ / cm <2> is preferable.

그 후, 90℃ 정도 전후의 온도로 프리베이킹(pre-baking)을 실시한다. 다음에, 도 2d에 도시된 바와 같이, 알칼리 현상액으로 포토레지스트(120)를 현상하여 마스크패턴(130)을 형성한다.Thereafter, prebaking is performed at a temperature of about 90 ° C. Next, as shown in FIG. 2D, the photoresist 120 is developed with an alkaline developer to form a mask pattern 130.

현상 공정으로는 스프레이법, 침지법 등이 사용된다. 현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 등의 금속 알칼리 수용액이나, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민 수용액, 특히 약 1.5 질량% 이하의 농도의 묽은 알칼리 수용액이 적합하게 사용되지만, 조성물 중의 카르복실기 함유 수지의 카르복실기가 비누화되어 미경화부(미노광부)가 제거될 수 있고, 상기한 바와 같은 현상액에 한정되는 것이 아니다. 또한, 현상 후에 불필요한 현상액 제거를 위해 수세나 산중화를 행하는 것이 바람직하다. As the developing step, a spray method, an immersion method, or the like is used. As a developing solution, aqueous metal alkali solutions, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, and sodium silicate, and aqueous amine solutions, such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, especially the dilute alkali aqueous solution of the density | concentration of about 1.5 mass% or less Although this is suitably used, the carboxyl group of the carboxyl group-containing resin in the composition may be saponified to remove the uncured portion (the unexposed portion), and is not limited to the developer as described above. In addition, it is preferable to wash with water or acid neutralize to remove unnecessary developer after development.

다음에, 120℃ 전후의 온도로 포스트 베이킹(post-baking)을 실시한다. 다음에, 2e에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(130)을 이용하여 ITO막(110; 도 2a 참조)을 선택적으로 에칭하여 전극 패턴(140)을 형성한 다음, 도2f에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(130)을 제거하여 ITO 전극 패턴(140)을 완성한다.Next, post-baking is performed at a temperature of about 120 ° C. Next, as shown in FIG. 2E, the ITO film 110 (see FIG. 2A) is selectively etched using the mask pattern 130 to form the electrode pattern 140, and as shown in FIG. 2F, The ITO electrode pattern 140 is completed by removing the mask pattern 130.

또한 상기한 방법을 이용하면, 후막(200 ㎛)이 도포된 포토레지스트의 경우도 하부까지 1회의 노광으로 가능하며, 30 ~ 100 ㎛ 범위의 우수한 선폭을 가질 수 있다.In addition, using the above-described method, a photoresist coated with a thick film (200 μm) may be exposed to a lower portion by one exposure, and may have an excellent line width in the range of 30 to 100 μm.

또한, 본 발명의 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물은 스페이서(Spacer)등의 LCD 패널의 구조 재료나 유기 EL디스플레이 등의 전극, BM 및 격벽 재료에 적절하게 사용할 수도 있다. 종래부터 스페이서로서는 실리카나 플라스틱의 입자가 사용되고 있으나, 도트(dot)속에 스페이서가 들어가는 것은 화질의 저하 등의 점에 서 바람직하지 않으며, 입자를 흩어 뿌리는 것이 아닌 패널내의 도트가 없는 부분에 기둥을 세우도록 스페이서를 만드는 방법(포스트 스페이서)도 있으며, 이러한 포스트 스페어서로서 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 유기 EL디스플레이에서는 3색 독립 발광방식의 RGB 유기 EL 매체의 도포 구분이나 전극 형성이 실시되지만, 이때의 음극 격벽 재료로서 내열성을 갖는 본 발명의 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물을 효과적으로 사용할 수 있다.In addition, the liquid negative photoresist composition for forming a display electrode of the present invention can be suitably used for structural materials of LCD panels such as spacers, electrodes such as organic EL displays, BM and partition materials. Conventionally, particles of silica or plastic have been used as spacers, but it is not desirable to have a spacer in a dot in view of deterioration of image quality, and a pillar should be placed in a part without dots in a panel instead of scattering particles. There is also a method of making a spacer so as to stand (post spacer), and as such a post spacer, the negative photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used. In the organic EL display, application of the three-color independent emission type RGB organic EL media and electrode formation are performed, but the liquid negative photoresist composition for forming the display electrode of the present invention having heat resistance can be effectively used as the cathode partition material. Can be.

이상에서 본 바와 같이, 플라즈마 표시 패널의 전면기판 구조체의 그 제작을 위한 전공정을 DFR이 아닌, 본 발명에 따른 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물인 액상의 네가티브 타입의 포토레지스트로 진행함으로써, 대화면 구현시 야기되는 문제인 라미네이트 공정을 대치할 수 있게 되었으며 대량 생산시 전력 및 설치면적 등의 문제가 되고 있는 라미네이터를 이용하지 않고 형성할 수 있다. 또한 포토 리소그래픽 공정을 이용함으로써 고감도, 고해상성으로서 양호한 패턴을 형성할 수 있으며, 치수 정밀도의 공정 의존성이 작은 네가티브형 조성물을 얻을 수 있고 특히, 플라즈마 표시 패널의 제작시 요구되는 에칭 내식막이 뛰어나서 PDP 투명전극 재료 및 격벽재료에 적절하게 사용할 수 있다.As described above, by proceeding the pre-process for fabricating the front substrate structure of the plasma display panel with a liquid negative type photoresist, which is a liquid negative photoresist composition for forming a display electrode according to the present invention, instead of DFR, The lamination process, which is a problem caused by large screen implementation, can be replaced, and it can be formed without using a laminator, which becomes a problem such as power and installation area in mass production. In addition, by using the photolithographic process, a good pattern with high sensitivity and high resolution can be formed, and a negative composition having a small process dependence of dimensional accuracy can be obtained, and in particular, PDP is excellent because of excellent etching resist required for fabrication of a plasma display panel. It can use suitably for a transparent electrode material and a partition material.

Claims (7)

하기를 포함하는 디스플레이 전극 형성용 액상 음각 포토레지스트 조성물:Liquid negative photoresist composition for forming a display electrode comprising: (A) 변성 에폭시 아크릴레이트 수지 30 내지 60 중량%;(A) 30 to 60% by weight of modified epoxy acrylate resin; (B) 1종 이상의 광증감제 및 광증감 보조제를 포함하는 라디칼 광중합 개시제 1 내지 20 중량%;(B) 1 to 20% by weight radical photopolymerization initiator comprising at least one photosensitizer and photosensitization aid; (C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 모노머 2 내지 30 중량%;(C) 2 to 30% by weight of a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule; (D) 소포제 0.1 내지 2 중량%; 및(D) 0.1 to 2 weight percent antifoam; And (E) 레벨링제 0.1 내지 2 중량%.(E) 0.1 to 2% by weight leveling agent. (상기에 유기용매를 가하여 총 100중량%가 되게 하며, 유기용매는 (A)성분 총 중량에 대해 1 내지 50 중량%의 양으로 사용한다).(Adding an organic solvent to 100% by weight, the organic solvent is used in an amount of 1 to 50% by weight relative to the total weight of component (A)). 제 1 항에 있어서, 상기 변성 에폭시 아크릴레이트 수지는 하기의 단계를 포함하는 제조방법에 의해 수득되는 것을 특징으로 하는 조성물:The composition of claim 1, wherein the modified epoxy acrylate resin is obtained by a manufacturing method comprising the following steps: (a) 반응촉매로서, 트리페닐포스핀, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 메틸트리에틸암모늄 클로라이드, 크롬 옥타노에이트 및 지르코늄 옥타노에이트로 이루어진 군에서 선택된 1종을 반응혼합물 총 중량에 대해 (a) As the reaction catalyst, one selected from the group consisting of triphenylphosphine, triethylamine, benzyldimethylamine, methyltriethylammonium chloride, chromium octanoate and zirconium octanoate is added to the total weight of the reaction mixture. 0.1 내지 1중량% 사용하고, 유기 용매중에서 90 내지 110℃ 의 온도에서, 하기 화학식(Ⅰ)의 에폭시 화합물과 하기 화학식(Ⅱ)의 아크릴산을, 에폭시기 1당량에 대해 아크릴산 0.8 내지 1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 하기 화학식(Ⅲ)의 에폭시 아크릴레이트를 얻는 단계; 및0.1 to 1% by weight of the epoxy compound of formula (I) and acrylic acid of formula (II) are 0.8 to 1.2 moles of acrylic acid, preferably 1 equivalent of epoxy group, at a temperature of 90 to 110 캜 in an organic solvent. Reacting at a reaction ratio of 1 mol to obtain an epoxy acrylate of the following general formula (III); And [화학식 1][Formula 1]
Figure 112005014809281-PAT00006
(I)
Figure 112005014809281-PAT00006
(I) (식 중, R1은 H 또는 1CH3이고, n은 1 내지 7의 정수이다)(Wherein R 1 is H or 1CH 3 , n is an integer from 1 to 7) [화학식 2][Formula 2]
Figure 112005014809281-PAT00007
(II)
Figure 112005014809281-PAT00007
(II) [화학식 3][Formula 3]
Figure 112005014809281-PAT00008
(III)
Figure 112005014809281-PAT00008
(III) (식 중, R1은 화학식(Ⅰ)에서 정의한 바와 같다)(Wherein R 1 is as defined in formula (I)) (b) 70 내지 90℃의 온도에서, (a)단계 반응생성물과 하기 화학식(Ⅳ)의 테트라히드로프탈산 무수물을, 화학식(Ⅲ)의 히드록시기 1당량에 대해 프탈산 무수물 0.8 내지 1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 프탈산 잔기가 말단 또는 측쇄에 도입된 하기 화학식(Ⅴ)의 화합물을 얻는 단계.(b) 0.8 to 1.2 moles of phthalic anhydride, preferably 1% of the reaction product of step (a) and tetrahydrophthalic anhydride of formula (IV) to one equivalent of hydroxy group of formula (III) at a temperature of 70 to 90 ° C. Reacting at a reaction ratio of 1 mole to obtain a compound of formula (V) having a phthalic acid residue introduced at the terminal or side chain thereof. [화학식 4][Formula 4]
Figure 112005014809281-PAT00009
(IV)
Figure 112005014809281-PAT00009
(IV) [화학식 5][Formula 5]
Figure 112005014809281-PAT00010
(V)
Figure 112005014809281-PAT00010
(V) 하기의 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 조성물을 이용하여 전극 기판의 전극 패턴을 형성하는 방법;A method of forming an electrode pattern of an electrode substrate using the composition according to claim 1, comprising the following steps; (1) 전면 및 후면 기판 상에 전극 재료를 증착시키고, 위에 포토레지스트를 도포하는 단계;(1) depositing electrode material on front and back substrates and applying photoresist thereon; (2) 광경화성 조성물을 적층하고, 이를 건조시켜 무점성의 막을 제조하는 단계;(2) laminating the photocurable composition and drying it to prepare a viscous-free film; (3) 포토레지스트를 노광시키고 이를 프리베이킹하는 단계; (3) exposing the photoresist and prebaking it; (4) 알칼리 현상액으로 포토레지스트를 현상하여 마스크 패턴을 형성하고 이를 포스트베이킹하는 단계; 및(4) developing the photoresist with an alkaline developer to form a mask pattern and postbaking it; And (5) 상기 마스크 패턴을 이용한 선택적 에칭을 통해 전극 패턴을 완성하는 단계.(5) completing the electrode pattern by selective etching using the mask pattern. 제 3 항에 있어서, (2)단계에서 스크린, 바코터, 블레이트 코터 인쇄법을 이용하여 광경화성 조성물을 적층하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 3, wherein in step (2), the photocurable composition is laminated using a screen, a bar coater, or a bleed coater printing method. 제 3 항에 있어서, 후막(200 ㎛)이 도포된 포토레지스트의 경우도 하부까지 1회의 노광으로 가능하며, 선폭이 30 ~ 100 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.4. The method of forming a photoresist pattern according to claim 3, wherein the photoresist coated with a thick film (200 mu m) is also capable of one exposure to the bottom, and has a line width in the range of 30 to 100 mu m. 제 1 항에 있어서, PDP용 전극 및 격벽 재료용 감광성 재료인 것을 특징으로 하는 조성물.The composition according to claim 1, which is a photosensitive material for an electrode for PDP and a partition material. 제 3 항에 있어서, PDP의 전극 형성용인 것을 특징으로 하는 투명전극 패턴 형성방법.The method for forming a transparent electrode pattern according to claim 3, wherein the PDP is for forming an electrode.
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