KR20060087917A - Vapor deposition source - Google Patents
Vapor deposition source Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060087917A KR20060087917A KR1020050008793A KR20050008793A KR20060087917A KR 20060087917 A KR20060087917 A KR 20060087917A KR 1020050008793 A KR1020050008793 A KR 1020050008793A KR 20050008793 A KR20050008793 A KR 20050008793A KR 20060087917 A KR20060087917 A KR 20060087917A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nozzle
- evaporation source
- substrate
- crucible
- injection
- Prior art date
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 74
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 30
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 증발원에 관한 것으로, 증발원은 기판 상으로 증착하고자 하는 증착물질을 구비하여 증발시키는 증발원부와, 이 증발원부와 연결되어 증발원부로부터 증발된 증착물질을 기판 상에 분사하는 노즐부를 포함하며, 노즐부는 노즐몸체와 노즐몸체의 일측에 돌출형성된 다수의 분사노즐을 포함한다. 이때의 분사노즐은 노즐몸체와 일체형으로 형성되거나 스크류 체결되며 이 분사노즐의 직경을 5 ~ 15mm로 하고 기판 1m당 20개 이하로 설치함으로써 기판 상에 증발원부에서 발생된 복사열이 이 노즐부를 통해 전달하는 것을 방지하는 효과가 있다.The present invention relates to an evaporation source, wherein the evaporation source includes an evaporation source portion for evaporating with a deposition material to be deposited on a substrate, and a nozzle portion connected to the evaporation source portion for injecting evaporation material evaporated from the evaporation source portion on a substrate. The nozzle unit includes a nozzle body and a plurality of injection nozzles protruding from one side of the nozzle body. At this time, the injection nozzle is formed integrally with the nozzle body or screw-fastened, and the radiant heat generated from the evaporation source is transferred through this nozzle part by setting the diameter of the injection nozzle to 5 to 15 mm and installing 20 or less per m of substrate. It is effective to prevent it.
Description
도 1은 본 발명에 따른 증착 장치를 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a deposition apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 증발원을 도시한 절개사시도이다.Figure 2 is a cutaway perspective view of the evaporation source according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 노즐부를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view showing a nozzle unit according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 노즐부의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the nozzle unit according to the present invention.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **** Explanation of symbols for main parts of drawings **
300...증발원300 ... Evaporator
310...증발원부310 ... Evaporator
312...도가니312 Crucible
350...노즐부350 nozzle part
352...노즐몸체352 nozzle body
353...분사노즐353 Injection nozzle
본 발명은 증발원에 관한 것으로, 노즐부를 개선하여 증발원에서 발생되는 복사열이 기판 상으로 전달되는 것을 방지하는 증발원에 관한 것이다.The present invention relates to an evaporation source, to an evaporation source for improving the nozzle portion to prevent the transfer of radiant heat generated from the evaporation source onto the substrate.
일반적으로, 증발장치는 각종 전자부품의 박막 증착에 이용되며, 반도체, 엘씨디(LCD), 유기 전계 표시장치 등의 전자장치 및 표시장치의 박막형성에 주로 사용된다.In general, the evaporator is used for thin film deposition of various electronic components, and is mainly used for thin film formation of electronic devices and displays such as semiconductors, LCDs, and organic field displays.
여기서 유기 전계 표시장치의 유기 전계 발광소자는 기판 상에 적층식으로 형성되는 양극, 유기막 및 음극으로 구성된다. 유기막은 유기발광층을 구비하는데, 이 유기발광층에서 정공(hole)과 전자가 재결합하여 여기자를 형성하고 빛이 발생한다.The organic light emitting diode of the organic light emitting display device includes an anode, an organic film, and a cathode that are stacked on a substrate. The organic layer includes an organic light emitting layer, in which holes and electrons recombine to form excitons and light is generated.
발광효율을 보다 높이기 위해서는 전공과 전자를 유기발광층(EML,Emitting Layer)으로 보다 원활하게 수송하여야 하고 이를 위해 음극과 유기발광층 사이에는 전자수송층(ETL,Electron Transfer Layer)이 배치될 수 있고 양극과 유기발광층 사이에는 전공수송층이 배치될 수 있다.In order to improve the luminous efficiency, the electrons and electrons should be transported more smoothly to the organic light emitting layer (EML). For this purpose, an electron transport layer (ETL) can be arranged between the cathode and the organic light emitting layer. The major transport layer may be disposed between the light emitting layers.
또한, 양극과 정공수송층 사이에 정공주입층(HIL,Hole Injection Layer)이 배치될 수 있고, 음극과 전자수송층 사이에 전자주입층(EIL,Electron Injection Layer)이 배치될 수 있다.In addition, a hole injection layer (HIL) may be disposed between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer (EIL) may be disposed between the cathode and the electron transport layer.
기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공증착법(Evaportion)과, 이온 플레이팅법(Ion-plation) 및 스퍼터링법(Sputtering)과 같은 물리증착법(PVD)과 가스반응에 의한 화학기상증착법(CVD) 등이 있다.Typical methods of forming a thin film on a substrate include evaporation, physical vapor deposition (PVD) such as ion-plation and sputtering, chemical vapor deposition (CVD) by gas reaction, and the like. There is this.
이 중에서 유기 전계 발광소자의 금속막 등의 박막형성에는 진공증착법이 주 로 이용된다.Among them, a vacuum deposition method is mainly used for forming a thin film such as a metal film of an organic EL device.
진공증착법에 사용되는 증발원으로는 간접가열방식(또는 유도가열방식)의 증발원이 사용되는데, 이러한 간접가열방식은 증착물질을 소정온도(예를 들면 Al의경우 1200℃정도)로 가열가능한 도가니 형태의 증발원부에 의해 이루어진다. 이때, 증발원부는 증착물질을 가열하도록 히터 등이 구비되어 있고, 그 일측에는 코일히터 등에 의해 증발된 증착물질을 기판 측으로 분사되게 하는 노즐부가 결합된다.As the evaporation source used in the vacuum deposition method, an evaporation source of indirect heating method (or induction heating method) is used. The indirect heating method is a crucible type that can heat the deposition material at a predetermined temperature (for example, 1200 ° C for Al). By evaporation source part. At this time, the evaporation source portion is provided with a heater or the like to heat the deposition material, the one side is coupled to the nozzle portion for injecting the deposition material evaporated by the coil heater or the like to the substrate side.
따라서, 코일히터 등에 의해 증발된 증착물질은 이 노즐부를 통하여 기판 측으로 분사되어 소정 패턴박막을 형성하게 되는 것이다. Therefore, the vapor deposition material evaporated by the coil heater or the like is sprayed to the substrate side through the nozzle portion to form a predetermined pattern thin film.
그러나, 종래에 있어서 노즐부는 그 일측이 개구된 형상으로써, 증발원부에서 고온으로 가열된 증착물질이 노즐부를 통해 토출될 때 복사열이 유출되며 이로 인해 기판의 온도가 승온되는 문제점이 발생된다.However, in the related art, the nozzle part has an open shape at one side thereof, and radiant heat is leaked when the deposition material heated at a high temperature from the evaporation source part is discharged through the nozzle part, thereby causing a problem in that the temperature of the substrate is raised.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로서, 본 발명의 목적은 증발원부에서 생성되는 복사열이 유기물 분자가 증착되는 기판 상으로 유출되지 않도록 기판에 노출되는 노즐부를 개선한 증발원을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an evaporation source in which a nozzle portion exposed to a substrate is improved so that radiant heat generated in the evaporation source portion does not flow out onto a substrate on which organic molecules are deposited.
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명은 기판 상으로 증착하고자 하는 증착물질을 구비하여 증발시키는 증발원부와, 상기 증발원부와 연결되어 상기 증발원부로부터 증발된 상기 증착물질을 상기 기판 상에 분사하는 노즐부를 포함하며,The present invention for realizing the above object is provided with a vapor deposition material to be deposited on a substrate evaporation unit, and a nozzle connected to the evaporation source unit to inject the deposition material evaporated from the evaporation source on the substrate Includes wealth,
상기 노즐부는 상기 증발된 증착물질이 수용되는 노즐몸체와 상기 노즐몸체 의 일측에 돌출형성된 다수의 분사노즐을 포함한다.The nozzle unit includes a nozzle body accommodating the evaporated deposition material and a plurality of injection nozzles protruding from one side of the nozzle body.
그리고, 상기 노즐부에는 누설방지재가 도포되며, 이 노즐부의 재질은 흑연인 것이 바람직하다.In addition, a leakage preventing material is applied to the nozzle portion, and the material of the nozzle portion is preferably graphite.
한편, 상기 분사노즐은 상기 노즐몸체와 일체형으로 형성된다.On the other hand, the injection nozzle is formed integrally with the nozzle body.
이때, 상기 분사노즐은 그 직경의 크기가 5 ~ 15mm이며, 상기 기판의 크기가 m 당 20개 이하인 것이 바람직하다.At this time, the spray nozzles have a diameter of 5 to 15 mm, and the size of the substrate is preferably 20 or less per m.
또한, 상기 분사노즐은 상기 노즐몸체와 스크류 체결될 수도 있다.In addition, the injection nozzle may be screwed with the nozzle body.
이때, 상기 노즐몸체에는 상기 분사노즐이 삽입되기 위한 삽입홈이 형성되며, 상기 삽입홈에는 흑연 또는 세라믹 재질의 기밀부재가 추가적으로 장착되는 것이 바람직하다.At this time, the nozzle body is formed with an insertion groove for inserting the injection nozzle, it is preferable that the insertion groove is additionally equipped with an airtight member made of graphite or ceramic material.
그리고, 상기 분사노즐은 그 직경의 크기가 5 ~ 15mm이며, 상기 기판의 크기가 m 당 20개 이하인 것이 바람직하다.In addition, the injection nozzles have a diameter of 5 to 15 mm, and the size of the substrate is preferably 20 or less per m.
그리고, 상기 분사노즐은 상기 노즐부에서 등간격으로 형성되는 것이 바람직하며, 노즐부의 중앙에서 양측으로 갈수록 간격이 좁아지게 형성될 수도 있다.In addition, the injection nozzles are preferably formed at equal intervals in the nozzle unit, and the interval may be narrowed toward both sides from the center of the nozzle unit.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 증발원에 대해 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an evaporation source according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1을 참조하면, 증발장치(100)는 증발장치(100)의 몸체를 이루는 챔버(200)와, 기판(S) 상으로 증착물질을 분사시키기 위한 적어도 하나의 증발원(300)을 구비한다.Referring to FIG. 1, the
이때, 챔버(200)는 도시되지 않은 진공펌프에 의하여 내부가 진공상태를 유 지하도록 되어 있다. 그리고, 챔버(200) 내부에는 증발원(300)을 이동시킬 수 있는 이송장치(400)가 설치되어 증발원(300)을 증착방향으로 이동시키도록 되어 있다.At this time, the
이송장치(400)는 진공으로 유지되는 챔버(200) 내에서 사용이 적합한 이송장치로서, 공정조건에 따라 증발원(300)의 이동 속도를 조절할 수 있다.The
그리고, 그 구성은 볼스크류(401)와 이 볼스크류(401)를 회전시키는 모터(403)를 구비하고, 증발원(300)의 안내를 위하여 가이드(402)를 구비한다. The configuration includes a
그리고, 기판(S)의 전면 즉, 증발원(300)과 기판(S) 사이에는 증착되는 형상을 결정하는 마스크 패턴(M)이 설치된다. 따라서, 증발원(300)에서 증발된 증착물질은 마스크 패턴(M)을 거치면서 기판(S) 상에 증착되어 소정 형상의 박막이 기판(S) 상에 형성되도록 한다.Then, a mask pattern M that determines a shape to be deposited is provided between the entire surface of the substrate S, that is, the
한편, 증발원(300)은 챔버(200) 내부의 기판(S) 상에 증착하고자 하는 증착물질을 수용하고, 수용된 증착물질을 가열하여 증발시킨 후 이를 기판(S) 상으로 분사하여 박막이 형성되도록 하는 기능을 한다.Meanwhile, the
도 2는 본 발명에 따른 증발원의 절개사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 노즐부의 노즐몸체와 분사노즐을 도시한 사시도이다.2 is a perspective view of the evaporation source according to the present invention, Figure 3 is a perspective view showing a nozzle body and a spray nozzle of the nozzle unit according to the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 증발원부(310)는 증착물질이 저장되는 도가니(312), 도가니(312)의 외부에 마련된 반응조(311), 도가니(312)와 반응조(311)의 사이에 개재된 고주파 유도가열코일(316), 고주파 유도가열코일(316)과 도가니(312)의 사이에 개재된 절연체(315) 및, 도가니(312)와 절연체(315)의 사이에 개재된 제1단열재(314)를 포함한다. 2 and 3, the
구체적으로, 도가니(312)의 상부는 개구되며, 그 내부에는 소정크기의 증착물질 저장공간(326)이 마련된다. 따라서, 기판(S)에 증착될 증착물질은 이 증착물질 저장공간(326)에 저장된다. 이때, 증착물질로는 무기물이나 금속 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들면, 증착물질은 알루미늄(Al)일 수 있다. In detail, an upper portion of the
한편, 도가니(312)는 열전도도가 우수한 그라파이트(Graphite) 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 고주파 유도가열코일(316)을 이용하여 도가니(312)를 가열하면, 도가니(312)는 매우 빠르게 가열되는 것이다. On the other hand, the
그리고, 개구된 도가니(312)의 상부에는 도가니(312)를 밀폐하는 도가니 커버(321)가 결합되고, 도가니 커버(321)의 상부에는 노즐부(350)에 직접 결합되는 넥(Neck,313)이 결합된다. 이때, 도가니(312)와 도가니 커버(321) 그리고, 도가니 커버(321)와 넥(313)은 각각 나사결합될 수 있다. 도가니 커버(321)에는 도가니(312) 내부의 증착물질이 증발되어 외부(노즐부)로 유출되도록 증착물질 증발구(324)가 마련되고, 넥(313)에는 도가니 커버(321)의 증착물질 증발구(324)와 연결되는 증착물질 이동통로(325)가 마련된다. 따라서, 도가니(312)에서 증발된 증착물질은 도가니(312) 상부의 증착물질 증발구(324)와 증착물질 이동통로(325)를 통해 노즐부(350)를 이동되는 것이다. 여기서, 도가니 커버(321)와 넥(Neck,313)은 각각 리지드 그라파이트 펠트(Rigid graphite felt) 재질로 형성될 수 있다. The
한편, 도가니(312)의 하부에는 도가니(312)를 지지하는 도가니 지지대(323)가 마련된다. 도가니 지지대(323)는 단열효과가 뛰어난 뮬라이트(Mullite) 재질로 형성되며, 반응조(311)의 내부에 위치한다. Meanwhile, a
반응조(311)는 도가니(312)의 외부에 배치되며, 도가니(312)와 고주파 유도가열코일(316)과 절연체(315) 및 제1단열재(314) 등을 보호하는 역할 곧, 케이스(Case) 역할을 한다. The reactor 311 is disposed outside the
고주파 유도가열코일(316)은 고주파 유도 전류가 흐르게 되면, 도가니(312)와 도가니(312) 내부에 저장된 증착물질을 고주파 유도가열방식으로 가열하는 역할을 한다. 따라서, 도가니(312) 내부에 저장된 증착물질은 이러한 고주파 유도가열코일(316)의 가열에 의하여 도가니(312)에서 증발하여 노즐부(350)로 이동하는 것이다. 이때, 고주파 유도가열코일(316)은 도가니(312)의 외부에서 도가니(312)를 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다. 이 경우, 도가니(312)는 전체면이 균일하게 가열되므로, 증착물질의 증발온도에까지 빠르게 도달되는 것이다. The high frequency
한편, 고주파 유도가열코일(316)의 내부에는 냉각수가 흐르도록 냉각수 통로(322)가 마련된다. 따라서, 고주파 유도가열코일(316)에 고주파 유도전류가 인가될 시, 고주파 유도가열코일(316)의 내부에는 냉각수가 흐르기 때문에 고주파 유도가열코일(316)은 매우 높은 파워(Power)를 발생시키면서도 녹지 않는 것이다. 그리고, 고주파 유도가열코일(316)은 도가니(312)의 외부에 배치되기 때문에 고주파 유도가열코일(316)의 내부에 흐르는 냉각수는 도가니(312) 내부의 열원이 외부로 유출되는 것을 방지하는 역할도 하게 된다. On the other hand, the cooling
또한, 고주파 유도가열코일(316)의 하부에는 고주파 유도가열코일(316)을 하부에서 지지하는 코일 지지대(320)가 마련될 수 있다. 따라서, 도가니(312)의 외부에서 도가니(312)를 둘러싸는 형태로 배치되는 고주파 유도가열코일(316)은 이 코 일 지지대(320)로 인하여 그 하부로 처지지 않게 되는 것이다. In addition, a
절연체(315)는 고주파 유도가열코일(316)과 도가니(312)의 사이에 개재되는 바, 고주파 유도가열코일(316)과 도가니(312)를 상호간 분리하는 역할을 한다. 따라서, 도가니(312)에서 증발된 후 누설된 금속 증기로 인하여 발생되는 고주파 유도가열코일(316)의 절연파괴 현상은 최소화되는 것이다. 이때, 절연체(315)는 알루미나((Al2O3) 재질로 형성될 수 있다. The
제1단열재(314)는 고주파 유도가열코일(316)에 의하여 가열된 도가니(312)의 열을 단열하는 역할을 한다. 따라서, 제1단열재(314)는 단열성이 뛰어난 여러가지 재질로 형성될 수 있다. 일예로, 제1단열재(314)는 소프트 그라파이트 펠트(Soft graphite felt)로 형성될 수 있다. 한편, 소프트 그라파이트 펠트 재질은 유도가열이 거의 안될 뿐만 아니라 단열효과가 매우 뛰어난 재질이다. 따라서, 도가니(312)는 외부로부터 단열되면서도 이 소프트 그라파이트 펠트 재질의 제1단열재(314)로 인하여 매우 빠르게 유도가열되는 것이다. The
한편, 증발원부(310)에는 반응조(311)와 고주파 유도가열코일(316)의 사이에 개재되어 고주파 유도가열코일(316)과 도가니(312)의 열 등을 외부로부터 단열하는 제2단열재(317)가 더 포함될 수 있다. 이 경우, 고주파 유도가열코일(316)과 도가니(312)의 열 등의 외부 유출은 최소화된다. 이때, 제2단열재(317)는 단열효과가 뛰어난 뮬라이트(Mullite) 재질로 형성될 수 있다. On the other hand, the second
또한, 증발원부(310)에는 반응조(311)의 외부에 배치되어 반응조(311) 내부 의 열을 냉각시켜주는 냉각커버(318)가 더 포함될 수 있다. 이때, 냉각커버(318)에는 냉각효율의 증대를 위해 냉각수가 흐르도록 냉각수관(319)이 마련될 수 있다. 따라서, 증착물질을 증발시키기 위해 가열된 증발원부(310) 내부의 열은 이 냉각커버(318)에 의해 상당부분 냉각된다. 이에, 증발원부(310)로부터 외부로 유출되는 열은 최소화된다. 그러므로, 외부로 유출되는 열로 인하여 기판(S)에 마련되는 유기 발광 표시 장치의 불량이나 수명단축 등의 문제는 미연에 방지되는 것이다. 여기서, 냉각커버(318)는 열전도율이 높은 재질, 예를 들면, 구리(Cu)재질로 형성될 수 있다. In addition, the
한편, 노즐부(350)는 증발원부(310)에서 증발된 증착물질이 수용되는 노즐몸체(352), 노즐몸체(352)에 연결되며 노즐몸체(352) 내부의 증발된 증착물질을 기판(S) 상으로 분사하는 분사노즐(353), 노즐몸체(352)를 가열하는 히터(354), 노즐몸체(352)의 외부에 마련된 하우징(351) 및, 하우징(351)과 히터(354)의 사이에 개재된 제3단열재(355)를 포함한다. On the other hand, the
보다 구체적으로 설명하면, 노즐몸체(352)는 전술한 넥(313)에 결합되며, 그 내부에는 소정크기의 증착물질 수용공간(358)이 마련된다. 따라서, 증발원부(310)의 도가니(312)에서 증발된 증착물질은 증발원부(310)의 넥(313)을 통해 노즐몸체(352)의 내부로 이동되어 노즐몸체(352)의 내부에 마련된 증착물질 수용공간(358)에 수용된다. 이때, 노즐몸체(352)는 그라파이트 재질로 형성될 수 있고, 노즐몸체(352)와 넥(313)은 나사결합 등의 방법으로 결합될 수 있다. In more detail, the
분사노즐(353)은 증발원부(310)에서 증발되어 노즐몸체(352)의 내부에 수용 된 증착물질을 기판(S) 상으로 분사하는 역할을 한다. 따라서, 분사노즐(353)은 증착물질 수용공간(358)과 연통되도록 노즐몸체(352)에 연결되되, 기판(S)에 대향되는 측면의 노즐몸체(352)에 연결된다. 이에, 증발원부(310)에서 증발된 후 노즐몸체(352) 내부에 수용된 증기 상태의 증착물질은 노즐몸체(352)와 연결된 분사노즐(353)을 통하여 기판(S) 측으로 분사되는 것이다. 여기서, 분사노즐(353)은 노즐몸체(352)와 일체로 형성될 수 있으며, 노즐몸체(352)와 같은 재질인 그라파이트 재질로 형성될 수 있다. The
한편, 노즐부(350)의 분사노즐(353)을 통해 증발원부(310)로터 고온으로 가열된 복사열이 유출되어 기판(S)의 온도가 승온된다. 이를 방지하기 위해 분사노즐(353)의 면적을 최소화하는 것은 중요하다.On the other hand, the radiant heat heated to the high temperature from the
이때의 분사노즐(353)의 직경은 5 ~ 15mm가 가장 이상적이며, 이는 분사노즐(353)의 크기가 5mm 보다 작으면 기판(S) 상으로 분사되는 증착물질이 충분히 전달되지 않아 균일도 있게 증착되지 못하게 된다. 그리고, 분사노즐(353)의 직경의 크기가 15mm 이상이 되면 분사노즐(353)을 통해 소정 이상의 복사열이 나오게 되며 이로 인해 기판(S)의 온도가 상승된다.At this time, the diameter of the
또한, 노즐몸체(352)에 형성된 분사노즐(353)의 개수는 기판의 1m당 20개 이하인것이 바람직하다. 이는 증발원부(310)에서 가열되어 증발된 증착물질을 분사노즐(353)을 통해 충분히 기판 상에 전달하면서 이 분사노즐(353)로부터 최소한의 복사열을 전달하기 위함이다. 이때의 분사노즐(353)은 노즐부(350)에서 등간격으로 형성되어 있다.In addition, the number of
그리고, 분사노즐(353)은 노즐부(350)의 중앙에서 양측으로 갈수록 그 숫자가 조밀하게 형성될 수도 있다.In addition, the number of
이는 이러한 분사노즐(353)로 인하여 균일한 밀도의 증착물질의 분사가 이루어지게 되는 것이다.This is because of the
한편, 본 발명에 따른 노즐부의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 도 4를 통해 살펴보면 다음과 같다.Meanwhile, referring to FIG. 4, which schematically illustrates a second embodiment of the nozzle unit according to the present invention, is as follows.
본 발명에 따른 노즐부(450)는 노즐몸체(452)의 일측에 다수의 분사노즐(453)이 스크류 체결될 수도 있다.In the
노즐몸체(452)에는 분사노즐(453)과 스크류체결 되도록 스크류 체결홈(415)이 형성되며, 이 스크류 체결홈(415)에는 증착물질이 누설되는 것을 방지하기 위한 흑연 또는 세라믹 재질 등의 기밀부재(417)가 장착되는 것이 바람직하다. The
이때의 분사노즐(453)의 직경은 일실시예와 마찬가지로 5 ~ 15mm가 가장 이상적이며, 이는 분사노즐(453)의 크기가 5mm 보다 작으면 기판 상으로 분사되는 증착물질이 충분히 전달되지 않아 균일도 있게 증착되지 못하게 된다. 그리고, 분사노즐(453)의 직경의 크기가 15mm 이상이 되면 분사노즐(453)을 통해 소정 이상의 복사열이 나오게 되며 이로 인해 기판의 온도가 상승된다.At this time, the diameter of the
그리고, 분사노즐(453)은 노즐몸체(452)에 착탈가능함으로써, 다양한 직경의 분사노즐(453)을 변경하여 노즐몸체(452)에 장착할 수도 있다.In addition, the
또한, 이때의 분사노즐(453)은 노즐부(450)에서 등간격으로 형성되어 있으며, 분사노즐(453)은 노즐부(450)의 중앙에서 양측으로 갈수록 그 숫자가 조밀하게 형성될 수도 있다.In this case, the
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 증발원은 증발원부에서 가열되어 증발되는 증착물질을 기판 상으로 분사하는 분사노즐의 직경과 개수를 한정함으로써, 기판 상으로 증발원부에서 발생된 복사열이 전달되는 것을 차단하고 증착물질이 균일도 있게 증착되는 효과가 있다.As described above, the evaporation source according to the present invention is to limit the diameter and the number of injection nozzles for injecting the vaporized deposition material heated on the evaporation source onto the substrate, the radiation heat generated in the evaporation source portion is transferred to the substrate It has the effect of blocking and depositing the deposited material uniformly.
이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As mentioned above, although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is only an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.
Claims (15)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050008793A KR100666574B1 (en) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Vapor deposition source |
JP2005190562A JP4440837B2 (en) | 2005-01-31 | 2005-06-29 | Evaporation source and vapor deposition apparatus employing the same |
CNB2005100923737A CN100567556C (en) | 2005-01-31 | 2005-08-29 | The evaporation coating device of evaporation source and this evaporation source of employing |
US11/342,681 US7914621B2 (en) | 2005-01-31 | 2006-01-31 | Vapor deposition source and vapor deposition apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050008793A KR100666574B1 (en) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Vapor deposition source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060087917A true KR20060087917A (en) | 2006-08-03 |
KR100666574B1 KR100666574B1 (en) | 2007-01-09 |
Family
ID=36907208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050008793A KR100666574B1 (en) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Vapor deposition source |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100666574B1 (en) |
CN (1) | CN100567556C (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748452B1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-08-10 | 에이엔 에스 주식회사 | Injection head and menufacturing method thereof |
KR100795905B1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-01-21 | 세메스 주식회사 | Apparatus for depositing organic film on substrate |
EP2199426A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | Applied Materials, Inc. | Evaporation source with exchangeable nozzles |
KR20110062604A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Source for vacuum thermal evaporation of organic thin film |
KR101341427B1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-12-13 | 주식회사 에스에프에이 | One body type evaporation source and thin layers deposition apparatus for flat panel display having the same |
KR20150034455A (en) * | 2013-09-26 | 2015-04-03 | 주식회사 선익시스템 | A Linear Type Evaporator for Large Area Substrates |
CN114381714A (en) * | 2021-12-30 | 2022-04-22 | 复旦大学 | Miniature in-situ temperature measurement high-temperature atomic molecule evaporation and emission device |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4768584B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-09-07 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | Evaporation source and vacuum deposition apparatus using the same |
JP2008204835A (en) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pre-processing method and manufacturing method of electrochemical element and its electrode, as well as pre-treatment equipment |
US20100159132A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Veeco Instruments, Inc. | Linear Deposition Source |
TWI472639B (en) | 2009-05-22 | 2015-02-11 | Samsung Display Co Ltd | Thin film deposition apparatus |
TWI475124B (en) | 2009-05-22 | 2015-03-01 | Samsung Display Co Ltd | Thin film deposition apparatus |
KR20110014442A (en) | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
JP5328726B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | Thin film deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same |
JP5677785B2 (en) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | Thin film deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same |
US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
KR101084184B1 (en) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for thin layer deposition |
KR101174875B1 (en) | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
KR101193186B1 (en) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
CN102168250A (en) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | 绿阳光电股份有限公司 | Evaporation source device |
CN102168249A (en) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | 绿阳光电股份有限公司 | Evaporation source device |
CN102168251A (en) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | 绿阳光电股份有限公司 | Evaporation source apparatus |
KR101156441B1 (en) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for thin layer deposition |
KR101202348B1 (en) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (en) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
KR101723506B1 (en) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
KR101738531B1 (en) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method for manufacturing of organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
KR20120045865A (en) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for organic layer deposition |
KR20120065789A (en) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for organic layer deposition |
KR101760897B1 (en) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same |
KR101840654B1 (en) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
KR101852517B1 (en) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for organic layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
KR101857249B1 (en) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Patterning slit sheet assembly, apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus |
KR20130004830A (en) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
KR101826068B1 (en) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition |
KR102015872B1 (en) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
CN102994958B (en) * | 2012-12-14 | 2014-12-24 | 深圳先进技术研究院 | Heat evaporation source of heat evaporation coating equipment |
KR102081284B1 (en) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Deposition apparatus, method for manufacturing organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the same |
US9290843B2 (en) * | 2014-02-11 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Ball screw showerhead module adjuster assembly for showerhead module of semiconductor substrate processing apparatus |
KR102080764B1 (en) * | 2014-07-11 | 2020-02-24 | 주식회사 원익아이피에스 | Linear source, and substrate processing apparatus |
CN104178734B (en) * | 2014-07-21 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Evaporation coating device |
CN104294219A (en) * | 2014-08-14 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Vapor plating wire source |
KR102386658B1 (en) * | 2015-08-03 | 2022-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Deposition sorce |
CN107299321B (en) * | 2017-07-28 | 2019-07-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Evaporation source and evaporator |
CN107267922B (en) * | 2017-07-31 | 2019-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of plane formula evaporation source and evaporation coating device |
CN111748773A (en) * | 2020-06-29 | 2020-10-09 | 合肥维信诺科技有限公司 | Evaporation source and evaporation device |
CN116005114A (en) * | 2023-01-04 | 2023-04-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Vapor deposition source and vapor deposition device |
-
2005
- 2005-01-31 KR KR1020050008793A patent/KR100666574B1/en active IP Right Grant
- 2005-08-29 CN CNB2005100923737A patent/CN100567556C/en active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748452B1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-08-10 | 에이엔 에스 주식회사 | Injection head and menufacturing method thereof |
KR100795905B1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-01-21 | 세메스 주식회사 | Apparatus for depositing organic film on substrate |
EP2199426A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | Applied Materials, Inc. | Evaporation source with exchangeable nozzles |
KR20110062604A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Source for vacuum thermal evaporation of organic thin film |
KR101341427B1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-12-13 | 주식회사 에스에프에이 | One body type evaporation source and thin layers deposition apparatus for flat panel display having the same |
KR20150034455A (en) * | 2013-09-26 | 2015-04-03 | 주식회사 선익시스템 | A Linear Type Evaporator for Large Area Substrates |
CN114381714A (en) * | 2021-12-30 | 2022-04-22 | 复旦大学 | Miniature in-situ temperature measurement high-temperature atomic molecule evaporation and emission device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100666574B1 (en) | 2007-01-09 |
CN1814854A (en) | 2006-08-09 |
CN100567556C (en) | 2009-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100666574B1 (en) | Vapor deposition source | |
JP4440837B2 (en) | Evaporation source and vapor deposition apparatus employing the same | |
KR100703427B1 (en) | Vapor deposition source and Vapor deposition apparatus having thereof | |
KR100823508B1 (en) | Evaporation source and organic matter sputtering apparatus with the same | |
US8574367B2 (en) | Evaporation source | |
KR101983213B1 (en) | Evaporation source for organic material | |
TWI415191B (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100666575B1 (en) | Deposition source and deposition apparatus using the same | |
KR20070056190A (en) | In-line equipment using metal-plate belt source for oled manufacturing | |
KR20160135355A (en) | Evaporation source for organic material | |
KR20070025163A (en) | Source for inorganic layer and the method for controlling heating source thereof | |
KR100761079B1 (en) | Deposition source having a cooling means and deposition apparatus using the same | |
US20110107970A1 (en) | Heating unit and substrate processing apparatus having the same | |
KR100666573B1 (en) | Deposition source and deposition apparatus using the same | |
KR20120035788A (en) | Apparatus for supplying organic matter and apparatus for depositing organic matter using the same | |
KR20130035863A (en) | Evaporation source and film forming apparatus | |
KR101983009B1 (en) | Evaporating source and vacuum depositing equipment including the evaporating source | |
KR100830302B1 (en) | Evaporation source | |
KR100962967B1 (en) | Depositing source | |
KR100762698B1 (en) | Apparatus of thin film evaporation | |
KR101629463B1 (en) | Linear type evaporator and thin film deposition apparatus having the same | |
KR100685808B1 (en) | Vapor deposition apparatus for organic material | |
KR102098619B1 (en) | Cubicle apparatus and deposition apparatus with the same | |
KR100804700B1 (en) | Evaporating apparatus | |
KR20220124149A (en) | Assemblies for material evaporation, vacuum deposition apparatus, and method for material evaporation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191223 Year of fee payment: 14 |