KR20060083954A - Light emitting device - Google Patents

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로스 군둘라
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Abstract

본 발명은 발광장치에 관한 것으로, UV 및/또는 블루파장영역의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광소자, 및 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 구비하는 형광물질을 포함한다. 형광물질은 발광소자로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 흡수광과 다른 파장의 광을 방출하며, 알루미네이트계, 실리케이트계, 안티모네이트계, 거머네이트(Germanate) 및/또는 거머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)계, 및 포스페이트계 화합물중 어느 하나 또는 하나 이상의 화합물을 혼합시켜 구성가능하다. 이에 따르면, 2,000K 내지 8,000K 또는 10,000K의 전반적으로 넓은 범위의 색온도를 구현할 수 있는 한편, 연색성도 90 이상으로 높은 파장변환 발광장치가 제공된다. 본 발명에 따른 파장변환 발광장치는, 발광 세기, 색온도 및 컬러재현율이 우수하고 사용자가 요구하는 색좌표값의 발광을 용이하게 구현할 수 있기 때문에, 핸드폰이나 노트북, 그리고, 각종 전자제품의 키패드용이나 백라이트용으로 다양하게 채용할 수 있고, 특히, 자동차 및 실내외의 조명용으로 다양하게 응용할 수 있다. 그리고, 물, 습기, 수증기 또는 극성용매에 매우 안정하다.The present invention relates to a light emitting device, and includes at least one light emitting device for generating light in a UV and / or blue wavelength region, and a fluorescent material including a compound containing lead and / or copper. The fluorescent material absorbs a part of the light emitted from the light emitting device and emits light of a wavelength different from that of the absorbed light, and is composed of aluminate, silicate, antimonate, germanate and / or germanate-silicate. -silicate), and phosphate-based compounds can be configured by mixing any one or more than one compound. Accordingly, a wavelength conversion light emitting device capable of realizing a wide range of color temperatures of 2,000K to 8,000K or 10,000K and having a high color rendering degree of 90 or more is provided. The wavelength conversion light emitting device according to the present invention is excellent in light emission intensity, color temperature and color reproducibility, and can easily implement light emission of color coordinate values required by a user. It can be employed in various ways, and in particular, it can be variously applied for automotive and indoor and outdoor lighting. It is very stable to water, moisture, water vapor or polar solvents.

발광장치, 파장변환, 발광소자, 형광물질, 색온도, 컬러 재현율 Light emitting device, wavelength conversion, light emitting device, fluorescent material, color temperature, color reproduction rate

Description

발광장치{light emitting device}Light emitting device

도 1은 본 발명에 따른 칩형 패키지 발광장치의 개략적 종단면도,1 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a chip type package light emitting device according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 탑형 패키지 발광장치의 개략적 종단면도,2 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a top package light emitting device according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 램프형 패키지 발광장치의 개략적 종단면도,3 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a lamp type package light emitting device according to the present invention;

도 4은 본 발명에 따른 고출력용 패키지 발광장치의 개략적 종단면도,4 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a high power package light emitting device according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 다른 고출력용 패키지 발광장치의 개략적 종단면도,5 is a schematic longitudinal cross-sectional view of another high power package light emitting device according to the present invention;

도 6은 본 발명의 일 실시예의 형광물질을 적용한 발광장치가 나타내는 발광스펙트럼 도면, 및6 is a light emission spectrum diagram of a light emitting device to which a fluorescent material according to an embodiment of the present invention is applied; and

도 7은 본 발명의 다른 실시예의 형광물질을 적용한 발광장치가 나타내는 발광스펙트럼 도면이다. 7 is a light emission spectrum diagram of a light emitting device to which a fluorescent material according to another embodiment of the present invention is applied.

<도면의 주요 참조번호에 대한 설명><Description of Major Reference Numbers in Drawing>

1: 기판 2: 전도성 와이어1: substrate 2: conductive wire

3: 형광물질 5: 전극패턴3: fluorescent substance 5: electrode pattern

6, 7: 발광소자 9: 접착제6, 7: light emitting element 9: adhesive

10: 몰딩부 40, 50, 60, 70: 발광장치10: molding part 40, 50, 60, 70: light emitting device

31: 리플렉터 51, 52: 리드전극31: reflector 51, 52: lead electrode

*61, 62, 71: 힛싱크 * 61, 62, 71: heat sink

본 발명은 발광장치에 관한 것으로, 특히, 적어도 하나의 발광 소자와 납 및/또는 구리를 함유하고 발광소자에서 발생되는 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 구비하는 파장변환 발광장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a wavelength conversion light emitting device containing at least one light emitting element and a lead and / or copper and a fluorescent material for converting the wavelength of light generated by the light emitting element.

전자기기에 주로 사용되던 발광장치(LED, Light Emitting Device)가 최근 자동차 및 조명용 제품에 응용되는 추세이다. LED는 전기적 및 기구적인 특성이 매우 우수하기 때문에, 앞으로 그 수요가 더욱 증가할 것으로 예상된다. 이와 관련하여, 형광등 또는 백열등을 대체할 수 있는 백색 LED에 대한 관심이 집중되고 있다.Light emitting devices (LEDs), which are mainly used in electronic devices, have recently been applied to automobiles and lighting products. Because LEDs have very good electrical and mechanical properties, their demand is expected to increase further in the future. In this regard, attention is focused on white LEDs that can replace fluorescent or incandescent lamps.

LED 기술분야에서 백색구현방식은 다양하게 제안되어 있다. 통상적인 백색 LED 구현기술은 발광소자 주위에 형광물질을 배치시켜, 발광소자의 1차발광의 일부와 형광물질에 의해 파장변환된 2차발광의 혼색으로 백색을 구현하는 방식이다. 예를 들어, WO 98/05078호 및 WO 98/12757호를 참조하면, 450nm 내지 490nm의 블루소자와, 블루소자의 발광을 흡수하고 대부분 황색인 형광광선으로 변환시키는 YAG계 형광물질을 구비하는 백색 LED가 개시되어 있다.Various white implementation methods have been proposed in the LED technology field. Conventional white LED implementation technology is to place a fluorescent material around the light emitting device to implement a white color by mixing a portion of the first light emission of the light emitting device and the second light emission wavelength converted by the fluorescent material. For example, referring to WO 98/05078 and WO 98/12757, a white device having a blue device having a wavelength of 450 nm to 490 nm and a YAG-based fluorescent material that absorbs light emitted from the blue device and converts it into a mostly yellow fluorescent beam LEDs are disclosed.

하지만, 종래의 백색 LED들은, 색온도(Color Temperature)가 6,000 내지 8,000K로 그 범위가 협소하고, 연색성(Color Rendering Index)도 60 내지 75로 낮 아 차가운 블루-백색 광만을 제공한다. 따라서, 원하는 색좌표 또는 색온도를 제공하는 백색 LED를 제안하기 어려운 문제가 있고, 특히, 자연광에 가까운 빛을 구현하는데 한계가 있다.However, conventional white LEDs have a narrow color temperature range of 6,000 to 8,000K and low color rendering index of 60 to 75, thus providing only cool blue-white light. Therefore, there is a problem that it is difficult to propose a white LED that provides a desired color coordinate or color temperature, and in particular, there is a limit in implementing light close to natural light.

그리고, 종래에 습기에 민감한 형광 물질을 사용하는 백색 LED는 물, 수증기 또는 극성용매에 의해 그 발광특성이 불안정하다. 이는 백색 LED의 발광특성을 변화시키는 요인이 되고 있다.In addition, conventional white LEDs using fluorescent materials sensitive to moisture have unstable luminescent properties due to water, steam, or polar solvents. This is a factor that changes the light emission characteristics of the white LED.

본 발명의 목적은, 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 2,000K 내지 8,000K 또는 10,000K 정도로 넓은 범위의 색온도를 제공할 수 있고, 연색성도 90 이상인 파장변환 발광장치를 제공하는 것이다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a wavelength conversion light emitting device having a color temperature in a range of about 2,000K to 8,000K or 10,000K, and having a color rendering degree of 90 or more, which is devised to solve the above-mentioned conventional problems. .

본 발명의 다른 목적은, 원하는 색좌표 또는 색온도를 용이하게 구현할 수 있는 파장변환 발광장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a wavelength conversion light emitting device which can easily implement a desired color coordinate or color temperature.

본 발명의 또 다른 목적은 발광특성을 향상시킬 뿐만 아니라, 물, 습기, 및 극성용매에 강한 내환경성이 우수한 파장변환 발광장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a wavelength conversion light emitting device that not only improves light emission characteristics but also has excellent environmental resistance to water, moisture, and polar solvents.

본 발명의 또 다른 목적은, 가전제품, 오디오, 및 통신제품과 같은 전자 기기 뿐만 아니라 각종 디스플레이, 자동차, 의료용 기기, 측정기기, 조명용 제품 등에 응용할 수 있는 파장변환 발광장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a wavelength conversion light emitting device that can be applied to various displays, automobiles, medical devices, measuring devices, lighting products as well as electronic devices such as home appliances, audio, and communication products.

상기 목적은 본 발명에 따르면, 소정 영역 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광소자; 및 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 포함하고, 상기 발광소자 주위에 배치되어 상기 발광소자로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 흡수광과 다른 파장의 광을 방출하는 형광물질;을 포함하여 구성된 발광장치에 의하여 달성된다.According to the present invention, the object is at least one light emitting device for generating light of a predetermined wavelength; And a compound containing lead and / or copper, the fluorescent material being disposed around the light emitting device to absorb a portion of the light emitted from the light emitting device to emit light having a wavelength different from that of absorbed light. By the device.

여기서, 형광물질은 후술하는 (화학식 1), (화학식 2), 또는 (화학식 3)으로 표현되는 알루미네이트계, (화학식 4)로 표현되는 실리케이트계, (화학식 5)로 표현되는 안티모네이트계, (화학식 6)으로 표현되는 거머네이트(Germanate) 및/또는 거머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)계, 및 (화학식 7)로 표현되는 포스페이트계 중 하나 또는 그 이상의 화합물중 적어도 어느 하나를 포함하여 구성할 수 있다. 각 화학식으로 표현되는 화합물에 대해서는 하기(형광물질)에서 상세히 설명할 것이다.Here, the fluorescent material is an aluminate system represented by (Formula 1), (Formula 2), or (Formula 3) described later, a silicate system represented by (Formula 4), an antimonate system represented by (Formula 5) At least one of one or more compounds of a germanate and / or germanate-silicate system represented by Formula 6, and a phosphate system represented by Formula 7 Can be configured. The compound represented by each formula will be described in detail below (fluorescent material).

(화학식 1)(Formula 1)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dAl 2 O 3 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y )

(화학식 2)(Formula 2)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b-c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) 4-abc (M '''O) 7 (Al 2 O 3 ) d (B 2 O 3 ) E (Ga 2 O 3 ) f (SiO 2 ) g (GeO 2 ) h (M '''' x O y )

(화학식 3)(Formula 3)

a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2)·f(M'''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (Al 2 O 3 ) d (M ''' 2 O 3 ) e (M''''O 2 ) f (M''''' x O y )

(화학식 4)(Formula 4)

a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''oOP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (M '''X) d (M''' 2 O) e (M '''' 2 O 3 ) f (M ''''' o O P ) · g (SiO 2 ) · h (M '''''' x O y )

(화학식 5)(Formula 5)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) d (Sb 2 O 5 ) e (M '''O) f (M'''' x O y )

(화학식 6)(Formula 6)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dGeO 2 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g ( M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y )

(화학식 7)(Formula 7)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''O2)·h(M''''"xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dP 2 O 5 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M '''''O 2 ) · h (M'''''' x O y )

한편, 상기 발광소자는 UV 및/또는 가지광선 파장영역에서 각기 상이한 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광소자를 포함가능하며 바람직하게는 UV 및 /또는 블루자장영역 발광소자를 포함할 수 있다. 그러면, 상기 형광물질은 상기 발광소자로부터의 초기 자외선광 및/또는 초기 블루파장영역광을 연색성이 90 이상인 가시광 스펙트럼영역의 광으로 변환시킨다. 여기서, 상기 형광물질은 각기 상이한 특성을 가지는 단일의 또는 하나 이상의 화합물을 혼합하여 구성가능하다.On the other hand, the light emitting device may include at least one light emitting device for generating light of different wavelengths in the UV and / or branched light wavelength region, and may preferably include a UV and / or blue magnetic field light emitting device. Then, the fluorescent material converts the initial ultraviolet light and / or the initial blue wavelength region light from the light emitting device into the light of the visible spectrum region having the color rendering property of 90 or more. Here, the fluorescent material may be constituted by mixing one or more compounds having different characteristics.

그리고, 상기 형광물질은 상기 발광소자의 측면, 상면, 및 하부면중 적어도 어느 일측에 배치되거나 접착제 또는 몰딩재에 혼합될 수 있다.In addition, the fluorescent material may be disposed on at least one side of the side surface, the upper surface, and the lower surface of the light emitting device, or may be mixed with an adhesive or a molding material.

한편, 상기 발광소자 및 상기 형광물질을 패키지 내에 결합시키는 것이 바람직하며, 이 때, 상기 패키지는 기판위에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되는 구성이거나, 리플렉터가 형성된 기판위에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되는 구성으로 형성할 수 있다. 이 때, 상기 기판상에서 상기 발광소자 및 상기 형광물질을 봉지하는 몰딩부 포함하는 것이 바람직하며, 이러한 몰딩부에 상기 형광물질을 골고루 분포시킬 수 있다.On the other hand, it is preferable to combine the light emitting device and the fluorescent material in a package, wherein the package is a configuration in which the at least one light emitting device is mounted on a substrate and the fluorescent material is disposed around the light emitting device, or a reflector The at least one light emitting device may be mounted on a substrate on which the light emitting device is formed, and the fluorescent material is disposed around the light emitting device. In this case, it is preferable to include a molding part encapsulating the light emitting element and the fluorescent material on the substrate, it is possible to distribute the fluorescent material evenly in such a molding part.

상기 패키지는 또한, 한 쌍의 전극리드중 일측에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되며, 상기 발광소자와 상기 형광물질이 몰딩부에 의해 봉지되는 구성일 수 있다.The package further includes a structure in which the at least one light emitting device is mounted on one side of a pair of electrode leads, the fluorescent material is disposed around the light emitting device, and the light emitting device and the fluorescent material are sealed by a molding part. Can be.

그리고, 상기 적어도 하나의 발광소자에서 발생되는 열을 방출하는 힛싱크를 구비하며, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되어 있는 고출력용 패키지로 구성할 수 있음은 물론이다.In addition, the heat sink may include a heat sink for dissipating heat generated by the at least one light emitting device, and may be configured as a high output package in which the fluorescent material is disposed around the light emitting device.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 파장변환 발광 장치를 구체적으로 설명하며, 설명의 용이함을 위해 발광장치와 형광물질을 구분하여 설명한다.Hereinafter, the wavelength conversion light emitting device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and for convenience of description, the light emitting device and the fluorescent material will be described separately.

(발광장치) (Light emitting device)

도 1은 본 발명의 발광장치의 개략적 종단면도로, 적어도 하나의 발광소자 및 형광물질이 조합된 칩형 패키지가 도시되어 있다. 이 도면을 참조하면, 기판(1)의 양측 단부에 각각 전극패턴(5)이 형성되어 있고, 일측 전극패턴(5)상에 1차 광을 발생시키는 발광소자(6)가 실장되어 있고, 발광소자(6)는 전도성 접착제(9, Paste)를 매개하여 전극패턴(5)에 실장되고, 발광소자(6)의 전극과 타측 전극패턴은 도전성 와이어(2)로 연결되어 있다.FIG. 1 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a light emitting device of the present invention, in which at least one light emitting device and a fluorescent package are combined. Referring to this figure, electrode patterns 5 are formed at both ends of the substrate 1, and light emitting elements 6 for generating primary light are mounted on one electrode pattern 5, and the light is emitted. The element 6 is mounted on the electrode pattern 5 via the conductive adhesive 9 (paste), and the electrode of the light emitting element 6 and the other electrode pattern are connected by the conductive wire 2.

발광소자(6)는, 자외선 광 영역에서부터 가시광 영역의 광을 발생시키는 발광소자중에서 선택가능하다. 여기서, 자외선 발광소자, 및/또는 블루색 발광소자를 채용하는 것이 바람직하다. The light emitting element 6 can be selected from light emitting elements which generate light in the visible light region from the ultraviolet light region. Here, it is preferable to employ an ultraviolet light emitting element and / or a blue light emitting element.

발광소자(6) 상면 및 측면에는 형광물질(3)이 배치되어 있다. 형광물질(3)은 발광소자에서 발생되는 1차광을 가시광선스펙트럼 영역내의 2차광으로 파장변환시킨다. 이러한 형광물질(3)은 경화성 수지 예를 들어, 에폭시수지 또는 실리콘수지에 혼합된 형태로 각 발광소자(6)에 도포가능하다. 형광물질(3)은 또한 전도성 접착제(9)에 혼합된 형태로 각 발광소자(6)의 하부면에도 배치시킬 수 있다. The fluorescent material 3 is disposed on the top and side surfaces of the light emitting element 6. The fluorescent material 3 converts the primary light generated in the light emitting device into secondary light in the visible light spectrum region. The fluorescent substance 3 may be applied to each light emitting element 6 in a form mixed with a curable resin, for example, an epoxy resin or a silicone resin. The phosphor 3 may also be disposed on the bottom surface of each light emitting element 6 in a form mixed with the conductive adhesive 9.

여기서, 발광소자(6)가 실장된 기판(1)의 상부는 경화성 수지로 몰딩되어 있고, 형광물질(3)이 발광소자(6)의 상면 및 측면에 일정한 두께로 도팅되어 있지만, 경화성 몰딩부(10)에 전체적으로 고루게 분포되는 형태로 제작가능함은 물론이다. 이러한 제조방법은 기출원된 US6,482,664호에 개시되어 있다.Here, the upper part of the substrate 1 on which the light emitting element 6 is mounted is molded with a curable resin, and the fluorescent material 3 is coated on the upper and side surfaces of the light emitting element 6 with a predetermined thickness, but the curable molding part Of course, it can be manufactured in a form distributed evenly throughout (10). Such a method of preparation is disclosed in US Pat. No. 6,482,664.

한편, 형광물질(3)은 납 및/또는 구리가 함유된 화합물을 포함하여 구성된다. 화합물 및 이를 포함하여 구성된 형광물질에 대해서는 하기에서 세부적으로 설명한다. 이러한 형광물질은 희토류 성분을 포함하는 것이 바람직하며, 단일의 화합물 또는 복수개의 단일 화합물들이 선택적으로 혼합된 형태로 구성된다. 예를 들면, 그 발광피크가 400nm 내지 500nm, 500nm 내지 590nm, 및 580nm 내지 700nm 중 적어도 어느 하나의 범위를 갖는 화합물을 사용할 수 있고, 상기의 발광피크를 가지는 다수의 화합물들을 혼합하여 구성할 수도 있다.On the other hand, the fluorescent material 3 is composed of a compound containing lead and / or copper. The compound and the fluorescent material including the same will be described in detail below. Such a fluorescent substance preferably comprises a rare earth component, and consists of a single compound or a form in which a plurality of single compounds are selectively mixed. For example, a compound having a light emission peak of at least one of 400 nm to 500 nm, 500 nm to 590 nm, and 580 nm to 700 nm may be used, and a plurality of compounds having the above light emission peak may be mixed. .

상기의 발광장치(40)에서는 발광소자(6)에 전극패턴(5)을 통해 외부 전원이 공급된다. 이로인해 발광소자(6)에서 1차광이 발생되고, 형광물질(3)들은 1차광에 의해 여기되면서, 1차광의 파장을 변환하여 장파장의 2차광을 발생시킨다. 그러면, 발광소자(6)에서 발생되는 1차광들과, 형광물질에 의해 파장변환된 2차광들이 혼색되어, 해당 가시광선스펙트럼 영역의 색이 구현된다. 여기서, 본 발광장치에는 상이한 피크파장을 가지는 2개 이상의 발광소자를 실장시킬 수도 있음은 물론이다. 또한, 형광물질의 배합비율을 적절히 조절하면, 사용자가 원하는 색좌표의 색을 용이하게 구현할 수 있다.In the light emitting device 40, the external power is supplied to the light emitting element 6 through the electrode pattern 5. As a result, primary light is generated in the light emitting element 6, and the fluorescent materials 3 are excited by the primary light, thereby converting the wavelength of the primary light to generate long wavelength secondary light. Then, the primary rays generated in the light emitting element 6 and the secondary rays which are wavelength-converted by the fluorescent material are mixed to realize the color of the visible ray spectrum region. Here, of course, two or more light emitting devices having different peak wavelengths may be mounted in the light emitting device. In addition, by properly adjusting the mixing ratio of the fluorescent material, it is possible to easily implement the color of the color coordinates desired by the user.

이와 같이, 발광소자 및 형광물질을 조성하는 화합물을 적절히 조절하면, 사용자가 원하는 색온도 또는 특정한 색좌표의 광을 구현할 수 있고, 특히, 2,000K 내지 8,000K 또는 10,000K 로 넓은 범위의 색온도 및 90 이상의 연색성을 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 발광장치는, 가전제품, 오디오, 및 통신제품과 같은 전자기기 뿐만아니라 실내외 각종 디스플레이에 용이하게 응용할 수 있으며, 특히, 자연광에 가까운 색온도 및 연색성을 제공 가능하므로, 자동차 및 조명용 제품을 대체할 수 있다. As such, by appropriately adjusting the compounds that make up the light emitting device and the fluorescent material, it is possible to realize the light of a user's desired color temperature or a specific color coordinate, and in particular, a wide range of color temperature and color rendering property of 90 or more to 2,000K to 8,000K or 10,000K. Can be provided. Therefore, the light emitting device according to the present invention can be easily applied not only to electronic devices such as home appliances, audio and communication products, but also to various displays indoors and outdoors, and in particular, it is possible to provide color temperature and color rendering properties close to natural light. Can replace the product.

도 2는 본 발명에 따른 탑형 패키지 발광 장치의 종단면도이다. 이들 도면 에서 볼 수 있는 탑형 패키지 발광장치(50)는, 전술한 칩형 패키지 발광 장치(도 1의 도면부호 40 참조)와 거의 동일 구조를 가지며 기판(1)상에 리플렉터(31, Reflector)를 더 추가한다. 리플렉터(31)는 발광소자(6)에서 발생되는 발광을 원하는 방향으로 반사시키는 역할을 한다. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the top package light emitting device according to the present invention. The top package light emitting device 50 seen in these figures has a structure substantially the same as that of the chip type package light emitting device described above (see reference numeral 40 of FIG. 1) and further reflects 31 on the substrate 1. Add. The reflector 31 reflects light emitted from the light emitting element 6 in a desired direction.

본 실시예에서의 형광물질(3) 또한, 희토류 성분을 포함하며 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 사용가능하다. 형광물질에 대해서는 하기에서 세부적으로 설명한다. In the present embodiment, the fluorescent substance 3 can also be used a compound containing a rare earth component and containing lead and / or copper. The fluorescent substance will be described in detail below.

이러한 탑형 패키지(50)에도, 상이한 피크파장을 가지는 2개 이상의 발광소자를 실장시킬 수 있다. 그리고, 상이한 발광피크를 가지는 복수의 화합물을 선택적으로 혹은 그 배합비율을 달리하여 혼합시킨 형광물질을 제공가능하다. 이러한 형광물질은 리플렉터(31)내에서 발광소자(6)상에 도포되거나 경화성 수지몰딩부(10)에 균일하게 분포된다. In the tower package 50, two or more light emitting devices having different peak wavelengths can be mounted. In addition, it is possible to provide a fluorescent material in which a plurality of compounds having different emission peaks are selectively or mixed in different blending ratios. Such a fluorescent material is applied on the light emitting element 6 in the reflector 31 or uniformly distributed in the curable resin molding 10.

한편, 상기 도 1 및 도 2에 나타낸 발광 장치들은 열전도성이 우수한 금속성 재료의 기판(1)을 사용할 수 있다. 상술한 구조는 발광소자의 작동시 발생되는 열을 용이하게 방출시킬 수 있어서, 고출력 발광장치를 제조할 수 있다. 여기에, 별도의 방열판(도시않음)를 더 부착시키면, 발광소자로부터의 열을 더욱 효과적으로 방출할 수 있다.Meanwhile, the light emitting devices illustrated in FIGS. 1 and 2 may use a substrate 1 made of a metallic material having excellent thermal conductivity. The above-described structure can easily release the heat generated during the operation of the light emitting device, it is possible to manufacture a high output light emitting device. If a separate heat sink (not shown) is further attached thereto, heat from the light emitting element can be more effectively discharged.

도 3은 본 발명의 램프형 패키지 발광 장치의 종단면도이다. 램프형 패키지발광장치(60)는, 한 쌍의 리드전극(51, 52)을 구비하며, 일측 리드전극(51)의 상단부에 소자홀더(53)가 형성되어 있다. 소자홀더(53)는 컵형상을 가지며, 그 내부에 적어도 하나의 발광소자(6)가 실장될 수 있다. 복수의 발광 소자가 실장되는 경우 각 발광소자는 서로 다른 피크파장을 가질 수 있다. 실장된 발광소자의 전극은 타측 전극리드(52)와 전도성 와이어(2)로 연결될 수 있다.3 is a longitudinal sectional view of the lamp type package light emitting device of the present invention. The lamp package light emitting device 60 includes a pair of lead electrodes 51 and 52, and an element holder 53 is formed at an upper end of one lead electrode 51. The device holder 53 has a cup shape, and at least one light emitting device 6 may be mounted therein. When a plurality of light emitting devices are mounted, each light emitting device may have a different peak wavelength. The electrode of the mounted light emitting device may be connected to the other electrode lead 52 and the conductive wire 2.

컵형상의 소자홀더(53) 내부에는 일정 량의 형광물질(3)이 혼합된 에폭시수지(54)가 도포되어 있다. 형광물질(3)은 희토류 성분을 포함하며 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 사용가능하다. 화합물 및 이를 포함하여 구성된 형광물질(3)에 대해서는 하기에서 세부적으로 설명한다. An epoxy resin 54 in which a predetermined amount of the fluorescent substance 3 is mixed is coated inside the cup-shaped element holder 53. The fluorescent substance 3 may include a compound containing a rare earth component and containing lead and / or copper. Compound and fluorescent material (3) comprising the same will be described in detail below.

그리고, 발광소자(6)와 형광물질(3)이 조합된 소자홀더(53)의 외부는 경화성 수지 예를 들면, 에폭시 또는 실리콘등으로 몰딩되어 있다.The outside of the element holder 53 in which the light emitting element 6 and the fluorescent substance 3 are combined is molded with a curable resin such as epoxy or silicon.

본 램프형 패키지 발광장치(60)에서는 한 쌍의 리드전극을 구비하는 실시예에 대하여 설명하였지만, 한 쌍 이상의 리드전극을 구비할 수도 있음은 물론이다.Although the lamp type package light emitting device 60 has been described with an embodiment including a pair of lead electrodes, it is a matter of course that a pair of lead electrodes may be provided.

한편, 도 4는 본 발명의 고출력용 패키지 발광장치의 개략적 종단면도이다. 본 고출력용 패키지 발광장치(70)는 하우징(73)내에 힛싱크(71)가 수용되어 부분적으로 외부에 노출되고, 한 쌍의 리드프레임(74)이 외부로 돌출되어 있다. 힛싱크(71)의 상면에는 적어도 하나의 발광소자(6)가 실장되고, 발광소자(6)와 리드프레임(74)은 전도성 와이어를 통해 연결된다. 형광물질(3)이 발광소자(6)의 상면 및 측면에 배치되어 있다. 4 is a schematic longitudinal sectional view of the high power package light emitting device of the present invention. In the high power package light emitting device 70, the heat sink 71 is accommodated in the housing 73 and partially exposed to the outside, and the pair of lead frames 74 protrude outward. At least one light emitting element 6 is mounted on the top surface of the heat sink 71, and the light emitting element 6 and the lead frame 74 are connected through a conductive wire. The fluorescent material 3 is disposed on the top and side surfaces of the light emitting element 6.

도 5는 본 발명의 다른 고출력용 패키지 발광장치의 개략적 종단면도이다. 이 도면에서 볼 수 있는 고출력용 패키지(80)는 단일 또는 복수개로 분리된 힛싱크(61, 62 ; Heatsink)에 각각 발광소자(6, 7)들이 실장되어 있고, 발광소자(6, 7) 의 상면 및 측면에 형광물질(3)이 배치된 하우징(63)을 구비한다. 외부전원이 공급되는 복수의 리드프레임(64)이 하우징(63)의 외부로 돌출되어 있다. 5 is a schematic longitudinal cross-sectional view of another high power package light emitting device of the present invention. In the high power package 80 shown in this figure, the light emitting elements 6 and 7 are mounted on heat sinks 61 and 62 separated into single or plural heat sinks, respectively. It is provided with a housing 63 in which the fluorescent material 3 is disposed on the top and side surfaces. A plurality of lead frames 64 to which external power is supplied protrude out of the housing 63.

도 4 및 도 5의 고출력용 패키지 발광장치(70, 80)에서도, 힛싱크(61, 62)와 각 발광소자(6, 7) 사이의 접착부분에 형광물질(3)을 개재시킬 수 있다. 그리고, 하우징(63, 73)의 상부에 렌즈를 설치할 수도 있다. In the high power package light emitting devices 70 and 80 of Figs. 4 and 5, the fluorescent material 3 can be interposed between the heat sinks 61 and 62 and the bonding portions between the light emitting elements 6 and 7. In addition, a lens may be provided above the housings 63 and 73.

이러한 고출력용 패키지 발광장치(70, 80)에서도 단일 또는 복수개의 발광소자(6, 7)를 선택적으로 사용할 수 있고, 발광소자에 맞추어 형광물질을 조절할 수 있다. 한편, 형광물질(3)로 희토류 성분을 포함하며 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다. 형광물질에 대해서는 하기에서 세부적으로 설명한다. In the high power package light emitting devices 70 and 80, a single or a plurality of light emitting devices 6 and 7 may be selectively used, and the fluorescent material may be adjusted according to the light emitting devices. As the fluorescent substance 3, a compound containing a rare earth component and containing lead and / or copper may be used. The fluorescent substance will be described in detail below.

한편, 이러한 구성의 고출력용 패키지발 발광장치(70, 80)에서는, 힛싱크(61 62)와 별도로 혹은 일체로 방열판(도시않음)를 장착하는 것이 바람직하다. 그러면, 높은 입력전원에 의한 각 발광소자(6, 7)의 작동시, 각 발광소자(6, 7)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 방열판은 공기대류 방식 혹은 팬등을 사용한 강제순환방식으로 냉각시킬 수 있음은 물론이다.On the other hand, in the high output package light emitting devices 70 and 80 having such a configuration, it is preferable to mount a heat sink (not shown) separately or integrally with the heat sink 61 62. Then, when the light emitting devices 6 and 7 are operated by the high input power, heat generated in the light emitting devices 6 and 7 can be effectively released. The heat sink can be cooled by forced convection using air convection or a fan.

본 발명의 발광 장치는 상술한 구조에 한정되지 않고, 발광 소자의 특성, 형광물질을 특성, 목표로 하는 광의 파장 및 사용용도에 따라 다양한 형태의 구조로 변경될 수 있고, 새로운 구조물을 더 추가할 수 있다.The light emitting device of the present invention is not limited to the above-described structure, and may be changed into various types of structures according to the characteristics of the light emitting device, the characteristic of the fluorescent material, the wavelength and the use of the target light, and further add a new structure. Can be.

이하에서는, 본 발광장치의 형광물질을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the fluorescent material of the present light emitting device will be described in detail.

(형광물질)(Fluorescent material)

본 발명의 발광장치에 적용되는 형광물질은 납 및/또는 구리를 함유하는 화 합물을 포함한다. 또한, 자외선광 및/또는 가시광중 바람직하게는 블루광에 의해 여기되고, 희토류 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 화합물은 알루미네이트(Aluminate)계, 실리케이트(Silicate)계, 안티모네이트(Antimonate)계, 거머네이트(Germanate)계, 및 포스페이트(Phosphate)계로 구성가능하다. The fluorescent material applied to the light emitting device of the present invention includes a compound containing lead and / or copper. In addition, it is preferable that ultraviolet light and / or visible light are excited by blue light and contain a rare earth component. The compound may be composed of aluminate, silicate, antitimonate, germanate, and phosphate.

알루미네이트계 화합물은 다음의 (화학식 1), (화학식 2), 또는 (화학식 3)으로 표현되는 화합물을 포함한다. The aluminate compound includes a compound represented by the following (Formula 1), (Formula 2), or (Formula 3).

(화학식 1)(Formula 1)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dAl 2 O 3 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''"는 비스무트(Bi), 주 석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0<e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0<h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Where M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), and M' 'is lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) and one or more components selected from the group consisting of, M '' 'beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn), where M '' '' is scandium (Sc), boron (B), gallium (Ga), and indium (In) is composed of one or more components selected from the group, M '' '' 'is silicon (Si), germanium (Ge) Or one selected from the group consisting of titanium (Ti), zirconium (Zr), manganese (Mn), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), tungsten (W), and molybdenum (Mo) Consists of the above components, M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), Mon (Sb), Scandium (Sc), Yttrium (Y), Lanthanum (La), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), One or more selected from the group consisting of gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), and lutetium (Lu) And X is composed of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I), wherein 0 <a≤2 , 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0 <e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0 <h≤2, 1≤o≤2, 1 ≦ p ≦ 5, 1 ≦ x ≦ 2, and 1 ≦ y ≦ 5.

(화학식 2)(Formula 2)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b-c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) 4-abc (M '''O) 7 (Al 2 O 3 ) d (B 2 O 3 ) E (Ga 2 O 3 ) f (SiO 2 ) g (GeO 2 ) h (M '''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 인듐(In), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테 르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0<h≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다. 이때, a+b+c<4인 범위내에서 선택되는 것이 바람직하다.Where M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), and M' 'is lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) and one or more components selected from the group consisting of, M '' 'beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn), where M '' '' is bismuth (Bi), Tin (Sn), Antimony (Sb), Scandium (Sc), Yttrium (Y), Lanthanum (La), Indium (In), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), And one or more components selected from the group comprising lutetium (Lu), wherein X is fluoro (F), One or more components selected from the group consisting of chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I), wherein 0 <a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0 <h≤2, 1≤x≤2, and 1≤y≤5. At this time, it is preferable to select in the range of a + b + c <4.

구리 및 납을 함유하는 발광물질의 제조는 기본적으로, 고체상태에서의 혼합반응을 포함한다. 처음에는 불순물 즉, 철(iron)등이 전혀 없는 순수한 초기물질들을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 열처리 공정을 통해 산화물로 변형될 수 있는 물질들을 처음에 사용하는 것이 바람직한 것이다. 이것은 산소가 우월한 형광체 구조를 제공하기 위한 기본 원칙이다.The manufacture of luminescent materials containing copper and lead basically involves mixing in the solid state. At first, it is desirable to use pure initial materials free of impurities, i.e. iron. That is, it is preferable to use materials that can be transformed into oxides first through a heat treatment process. This is the basic principle for providing phosphor structures with superior oxygen.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,In order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu0 .02Sr3 .98Al14O25 : Eu .98 Cu 0 .02 Sr 3 Al 14 O 25: Eu

초기물질은 CuO, SrCO3, Al(OH)3, 또는 Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, CuO, SrCO 3 , Al (OH) 3 , or Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides), 하이드록사이드(hydroxide), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 H3BO3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 1시간 동안 가열된다. 그런 다음, 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 1450 ℃의 공기가 희박한 상태에서 약 4시간 동안 가열된다. 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 494nm인 발광물질이 제공된다.The initial materials in the form of oxides, hydroxides, and carbonates are mixed with a small amount of flux, for example H 3 BO 3 , in a stoichiometric ratio. The mixed material is heated in a one step process, i.e., an alumina crucible at 1200 ° C for 1 hour. The initially heated material is then heated for about 4 hours in a two-step process, with the air at 1450 ° C. lean. The materials that have undergone the one- and two-step processes are ground, washed, dried, and sieved. This process provides a light emitting material having a maximum emission wavelength of 494 nm.

다음의 표 1은 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.The following Table 1 shows the 400nm where a comparison of the luminescence properties of the activated by Eu 2 + containing copper at a wavelength of aluminate and, contained not activated by Eu 2 + that the copper aluminate table, the light emission intensity and light emission Each wavelength is described.

[표 1] TABLE 1

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu0 .02Sr3 .98Al14O25 : Eu .98 Cu 0 .02 Sr 3 Al 14 O 25: Eu Sr4Al14O25 : EuSr 4 Al 14 O 25 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 103.1103.1 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 494494 493493

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb0 .05 Sr3 .95Al14O25 : Eu .95 Pb 0 .05 Sr 3 Al 14 O 25: Eu

초기물질을 PbO, SrCO3, Al2O3, Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, PbO, SrCO 3 , Al 2 O 3 , Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate), 또는 다른 성분 즉, 옥사이드로 분해될 수 있는 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면, H3BO3와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 1시간 동안 공기가 공급되는 상태에서 가열된다. 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1450℃의 상태에서 약 2시간 동안 가 열한 후, 공기가 희박한 상태에서 약 2시간동안 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 494.5nm인 발광물질이 제공된다.Oxides and carbonates, or other components, i.e., an initial material in the form of decomposition into oxides, are mixed in a stoichiometric proportion with a small amount of flux, for example H 3 BO 3 . The mixed material is heated in a one step process, i.e. with air supplied for 1 hour in an alumina crucible at 1200 ° C. The initially heated material is heated for about 2 hours in a two-step process, 1450 ° C. with sufficient air, and then for about 2 hours with lean air. Subsequently, the materials that have undergone the one- and two-step processes are ground, washed, dried, and sieved. Then, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 494.5 nm is provided.

다음의 표 2에는 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성, 즉, 발광세기 및 발광파장이 각각 비교되어 있다.The following Table 2 shows the 400nm excitation and activated by Eu 2 + containing lead having a wavelength aluminate, a light emitting properties of the aluminate activated by Eu 2 + did not contain lead, that is, light emission intensity and emission wavelength Are compared respectively.

[표 2] TABLE 2

납 함유된 화합물Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물Lead Free Compound Pb0 .05 Sr3 .95Al14O25 : Eu .95 Pb 0 .05 Sr 3 Al 14 O 25: Eu Sr4Al14O25 : EuSr 4 Al 14 O 25 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101.4101.4 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 494.5494.5 493493

본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 알루미네이트를 UV 및/또는 가시광에 적용시켜 얻은 광학적 발광특성 결과는 표 3과 같다.Optical emission characteristics obtained by applying aluminate activated by the rare earth component containing copper and / or lead according to the present embodiment to UV and / or visible light are shown in Table 3.

[표 3] TABLE 3

조성Furtherance 여기범위(nm)Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납을 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds with respect to Compounds without Copper / Lead at Excitation Wavelength 400nm 구리/납을 함유하는 화합물의 피크파장(nm)Peak wavelength (nm) of compounds containing copper / lead 구리/납을 함유하지 않은 화합물의 피크파장(nm)Peak wavelength (nm) of compounds without copper / lead Cu0 .5Sr3 .5Al14O25 : Eu Cu 0 .5 Sr 3 .5 Al 14 O 25: Eu 360-430360-430 101.2101.2 495495 493493 Cu0 .02Sr3 .98Al14O25 : Eu .98 Cu 0 .02 Sr 3 Al 14 O 25: Eu 360-430360-430 103.1103.1 494494 493493 Pb0 .05 Sr3 .95Al14 Pb 0 .05 Sr 3 .95 Al 14 360-430360-430 101.4101.4 494.5494.5 493493 Cu 0.01Sr3 .99Al13 .995 Si 0.005 O25 : EuCu 0.01 Sr 3 .99 Al 13 .995 Si 0.005 O 25 : Eu 360-430360-430 103103 494494 492492 Cu0 .01Sr3 .395Ba0 .595 Al14O25 : Eu. Dy Cu 0 .01 Sr 3 .395 Ba 0 .595 Al 14 O 25: Eu. Dy 360-430360-430 100.8100.8 494494 493493 Pb0 .05Sr3 .95Al13 .95Ga0 .05O25 : Eu Pb 0 .05 Sr 3 .95 Al 13 .95 Ga 0 .05 O 25: Eu 360-430360-430 101.5101.5 494494 494494

(화학식 3)(Formula 3)

a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2)·f(M'''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (Al 2 O 3 ) d (M ''' 2 O 3 ) e (M''''O 2 ) f (M''''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤1, 0≤b≤2, 0<c≤8, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0<f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Here, M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), M' 'is beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium ( Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) consisting of one or more components selected from the group, M '' 'is boron (B), gallium ( Ga), and one or more components selected from the group consisting of indium (In), M '' '' is silicon (Si), germanium (Ge), titanium (Ti), zirconium (Zr), and Consists of one or more components selected from the group containing hafnium (Hf), M '' '' 'is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scandium (Sc), yttrium (Y) Lanthanum (La), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy) , Holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), and lute It consists of one or more components selected from the group containing (Lu), wherein 0 <a ≤ 1, 0 ≤ b ≤ 2, 0 <c ≤ 8, 0 ≤ d ≤ 1, 0 ≤ e ≤ 1, 0 <f ≦ 2, 1 ≦ x ≦ 2, and 1 ≦ y ≦ 5.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,In order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : EuCu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : Eu

초기물질은 CuO, SrCO3, Al2O3, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, CuO, SrCO 3 , Al 2 O 3 , SiO 2 , Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적 인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 AlF3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1250℃의 공기가 희박한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 3시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 521.5nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed with small amounts of flux such as AlF 3 in stoichiometric proportions. The mixed material is heated for 3 hours in an alumina crucible that is lean in air at 1250 ° C. The heated material is then sequentially subjected to grinding, washing, drying, and sieved processes. According to this, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 521.5 nm is provided.

다음의 표 4는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following Table 4 is 400nm as a comparison of the luminescence properties of the aluminate activated by aluminates and, Eu 2 + containing no copper activated by the excited Eu 2 + containing copper at a wavelength, emission intensity and light emission of the Each wavelength is described.

[표 4] TABLE 4

구리함유 화합물Copper containing compound 구리함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : EuCu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : Eu SrAl2O4 : EuSrAl 2 O 4 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 106106 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 521.5521.5 519519

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu 0.12BaMg1 .88Al16 O27 : Eu Cu 0.12 BaMg 1 .88 Al 16 O 27: Eu

초기물질을 CuO, MgO, BaCO3, Al(OH)3, Eu2O3를 사용할 수 있다.CuO, MgO, BaCO 3 , Al (OH) 3 , Eu 2 O 3 may be used as the initial material.

옥사이드(oxides), 히드록사이드(hydroxides), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) AlF3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1420℃의 공기가 희박한 분위기의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 452nm인 발광물질이 제 공된다.Initial materials in the form of oxides, hydroxides, and carbonates are mixed with a small amount of flux AlF 3 in a stoichiometric ratio. The mixed material is heated for 2 hours in an alumina crucible in an atmosphere of lean air at 1420 ° C. The heated material is then sequentially subjected to grinding, washing, drying, and sieved processes. Accordingly, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 452 nm is provided.

다음의 표 5는 400nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following Table 5 400nm as a comparison of the luminescence properties of the aluminate activated by the excited Eu 2 + containing no and activated by Eu 2 + containing copper having a wavelength aluminate, copper, light emitting intensity and of The light emission wavelength is described, respectively.

[표 5] TABLE 5

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu 0.12BaMg1 .88Al16 O27 : Eu Cu 0.12 BaMg 1 .88 Al 16 O 27: Eu BaMg2Al16O27 : EuBaMg 2 Al 16 O 27 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101101 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 452452 450450

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb 0.1Sr 0.9Al2O4 : EuPb 0.1 Sr 0.9 Al 2 O 4 : Eu

초기물질을 PbO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, PbO, SrCO 3 , Al (OH) 3 , Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate), 또는 다른 성분 즉, 옥사이드로 분해될 수 있는 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 H3BO3와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1000℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 공기가 공급되는 상태에서 가열된다. 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1420℃의 상태에서 약 1시간 동안 가열한 후, 공기가 희박한 상태에서 약 2시간동안 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 521nm인 발광물질이 제공된다.Oxides and carbonates, or other components, i.e., an initial material in the form of decomposition into oxides, are mixed in a stoichiometric proportion with a small amount of flux such as H 3 BO 3 . The mixed material is heated in a one step process, i.e., air is supplied for 2 hours in an alumina crucible at 1000 ° C. The initially heated material is heated for about 1 hour in a two step process, 1420 ° C. with sufficient air, and then for about 2 hours with lean air. Subsequently, the materials that have undergone the one- and two-step processes are ground, washed, dried, and sieved. Then, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 521 nm is provided.

다음의 표 6은 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.The following table 6 is 400nm This compares with activated by Eu 2 + containing lead having a wavelength aluminate, a light emitting properties of the aluminate activated by Eu 2 + containing no lead table, the light emission intensity of and The light emission wavelength is described, respectively.

[표 6] TABLE 6

납 함유된 화합물Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물Lead Free Compound Pb 0.1Sr 0.9Al2O4 : EuPb 0.1 Sr 0.9 Al 2 O 4 : Eu SrAl2O4 : EuSrAl 2 O 4 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101101 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 521521 519519

본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 알루미네이트의 광학적 발광특성 결과는 표 7과 같다. The optical emission characteristics of the aluminate activated by the rare earth component containing copper and / or lead according to the present embodiment are shown in Table 7.

[표 7] TABLE 7

조성Furtherance 여기범위(nm)Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds for Copper / Lead-Free Compounds at Excitation Wavelength 400nm 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장(nm)Peak wavelength (nm) of compound containing copper / lead 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장(nm)Peak wavelength (nm) of compounds without copper / lead Cu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : EuCu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : Eu 360-440360-440 106106 521.5521.5 519519 Cu 0.2 Mg 0.7995 Li 0.0005Al 1.9 Ga 0.1O 4 : Eu, DyCu 0.2 Mg 0.7995 Li 0.0005 Al 1.9 Ga 0.1 O 4 : Eu, Dy 360-440360-440 101.2101.2 482482 480480 Pb 0.1Sr 0.9Al2O4 : EuPb 0.1 Sr 0.9 Al 2 O 4 : Eu 360-440360-440 102102 521521 519519 Cu0 .05BaMg 1.95Al 16O27 : Eu, Mn Cu 0 .05 BaMg 1.95 Al 16 O 27: Eu, Mn 360-400360-400 100.5100.5 451,515451,515 450,515450,515 Cu 0.12BaMg1 .88Al16 O27 : Eu Cu 0.12 BaMg 1 .88 Al 16 O 27: Eu 360-400360-400 101101 452452 450450 Cu0 .01BaMg0 .99Al10O17 : Eu Cu 0 .01 BaMg 0 .99 Al 10 O 17: Eu 360-400360-400 102.5102.5 451451 449449 Pb0 .1BaMg0 .9Al9 .5Ga0 .5O17 : Eu, Dy Pb 0 .1 BaMg 0 .9 Al 9 .5 Ga 0 .5 O 17: Eu, Dy 360-400360-400 100.8100.8 448448 450450 Pb0 .08Sr0 .902Al2O4 : Eu, Dy Pb 0 .08 Sr 0 .902 Al 2 O 4: Eu, Dy 360-440360-440 102.4102.4 521521 519519 Pb0 .2Sr0 .8Al2O4 : Mn Pb 0 .2 Sr 0 .8 Al 2 O 4 Mn 360-440360-440 100.8100.8 658658 655655 Cu0 .06Sr0 .94Al2O4 : Eu Cu 0 .06 Sr 0 .94 Al 2 O 4: Eu 360-440360-440 102.3102.3 521521 519519 Cu0 .05Ba0 .94Pb0 .06Mg0 .95Al10O17 : Eu Cu 0 .05 Ba 0 .94 Pb 0 .06 Mg 0 .95 Al 10 O 17 Eu 360-440360-440 100.4100.4 451451 449449 Pb0 .3Ba0 .7Cu0 .1Mg1 .9Al16O27 : Eu Pb 0 .3 Ba 0 .7 Cu 0 .1 Mg 1 .9 Al 16 O 27: Eu 360-400360-400 100.8100.8 452452 450450 Pb0 .3Ba0 .7Cu0 .1Mg1 .9Al16O27 : Eu; Mn Pb 0 .3 Ba 0 .7 Cu 0 .1 Mg 1 .9 Al 16 O 27: Eu; Mn 360-400360-400 100.4100.4 452,515452,515 450,515450,515

실리케이트계 화합물은 다음의 (화학식 4)로 표현되는 화합물을 포함한다The silicate compound includes a compound represented by the following formula (4).

(화학식 4)(Formula 4)

a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''oOP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (M '''X) d (M''' 2 O) e (M '''' 2 O 3 ) f (M ''''' o O P ) · g (SiO 2 ) · h (M '''''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프뮴(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Here, M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), M' 'is beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium ( Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) and one or more components selected from the group consisting of M '' 'is lithium (Li), sodium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag), where M '' '' is aluminum (Al), gallium (Ga), and one or more components selected from the group containing indium (In), M '' '' 'is germanium (Ge), vanadium (V), niobium (Nb) , One or more components selected from the group consisting of tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), zirconium (Zr), and hafnium (Hf), M '' '' '' Is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scan (Sc), Yttrium (Y), Lanthanum (La), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium Consisting of one or more components selected from the group comprising (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), and lutetium (Lu), X Is composed of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I), wherein 0 <a≤2, 0 <b≤8 , 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0 <h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1 ≤ x ≤ 2, and 1 ≤ y ≤ 5.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여, In order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu0 .05Sr1 .7Ca0 .25SiO4 : Eu Cu 0 .05 Sr 1 .7 Ca 0 .25 SiO 4: Eu

초기물질은 CuO, SrCO3, CaCO3, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.The initial material may be CuO, SrCO 3 , CaCO 3 , SiO 2 , Eu 2 O 3 .

매우 순수한 옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 불활성 가스(N2 또는 부식되지 않는 가스)가 공급되는 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 가열후에 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정에서, 공기가 다소 희박한 분위기의 1200℃ 알루미나 도가니에서 약 2시간동안 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 592nm인 발광물질이 제공된다.The initial materials in the form of very pure oxides and carbonates are mixed with small amounts of flux, for example NH 4 Cl, in stoichiometric proportions. The mixed material is heated in a one step process in an alumina crucible at 1200 ° C. fed with an inert gas (N 2 or non-corroded gas) for 2 hours. It is ground after one stage of heating. Then, in a two-stage process, the air is heated for about 2 hours in a 1200 ° C. alumina crucible in a somewhat sparse atmosphere. Thereafter, the grinding, washing, drying, and sieved processes are sequentially performed. Then, a light emitting material having a maximum light emission wavelength of 592 nm is provided.

다음의 표 8은 450nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following Table 8 is 450nm as compared to the emission characteristics of the active silicate by the excited Eu 2 + containing no silicate and copper activated by Eu 2 + containing copper having a wavelength, light emission intensity and emission wavelength Each of these is described.

[표 8] TABLE 8

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu0 .05Sr1 .7Ca0 .25SiO4 : Eu Cu 0 .05 Sr 1 .7 Ca 0 .25 SiO 4: Eu Sr1 .7Ca0 .3SiO4 : EuSr 1 .7 Ca 0 .3 SiO 4 Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 104104 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 592592 588588

그리고, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는, And, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu 0.2Ba 2Zn 0.2Mg 0.6Si 2O7 : Eu Cu 0.2 Ba 2 Zn 0.2 Mg 0.6 Si 2 O 7 : Eu

초기물질을 CuO, BaCO3, ZnO, MgO, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.CuO, BaCO 3 , ZnO, MgO, SiO 2 , Eu 2 O 3 may be used as the initial material.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 공기가 희박한 1100℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 가열후에 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정에서, 공기가 다소 희박한 상태의 1235℃ 알루미나 도가니에서 약 2시간동안 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 467nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed with small amounts of flux, for example NH 4 Cl, in stoichiometric proportions. The mixed material is heated in a one step process in an alumina crucible at 1100 ° C. where the air is lean for 2 hours. It is ground after one stage of heating. Then, in a two-stage process, the air is heated for about 2 hours in a 1235 ° C. alumina crucible with somewhat sparse conditions. Thereafter, the grinding, washing, drying, and sieved processes are sequentially performed. Then, a light emitting material having a maximum light emission wavelength of 467 nm is provided.

다음의 표 9은 400nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following Table 9 is 400nm as compared to the emission characteristics of the active silicate by the excited Eu 2 + containing no silicate and copper activated by Eu 2 + containing copper having a wavelength, light emission intensity and emission wavelength Each of these is described.

[표 9] TABLE 9

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu 0.2Sr 2Zn 0.2Mg 0.6Si 2O7:EuCu 0.2 Sr 2 Zn 0.2 Mg 0.6 Si 2 O 7 : Eu Sr2Zn2Mg0 .6Si2O7:Eu Sr 2 Zn 2 Mg 0 .6 Si 2 O 7: Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101.5101.5 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 467467 465465

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는, On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb 0.1Ba 0.95Sr0 .95Si 0.998Ge 0.002O4 : Eu Pb 0.1 Ba 0.95 Sr 0 .95 Si 0.998 Ge 0.002 O 4: Eu

초기물질을 PbO, SrCO3, BaCO3, SiO2, GeO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, PbO, SrCO 3 , BaCO 3 , SiO 2 , GeO 2 , Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 공기가 충분한 1000℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 공정에서 가열된 물질은 2단계 공정에서, 역시 공기가 충분한 1220℃의 알루미나 도가니에서 약 4시간동안 가열한 후, 연속적으로 공기가 희박한 상태에서 2시간 더 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 527nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed with small amounts of flux, for example NH 4 Cl, in stoichiometric proportions. The mixed material is heated in an alumina crucible at 1000 ° C. with sufficient air for two hours in a one step process. The material heated in the one-step process is heated in a two-step process in an alumina crucible at 1220 ° C., which is also full of air, for about four hours, followed by two additional hours of continuous lean air. Thereafter, the grinding, washing, drying, and sieved processes are sequentially performed. Then, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 527 nm is provided.

다음의 표 10은 450nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following table 10 is 450nm as compared to the emission characteristics of the active silicate by a silicate and, Eu 2 + containing no lead activated by Eu 2 + containing the lead has a excitation wavelength, emission intensity and emission wavelength Each of these is described.

[표 10] TABLE 10

납 함유된 화합물Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물Lead Free Compound Pb 0.1Ba 0.95Sr0 .95Si 0.998Ge 0.002O4 : Eu Pb 0.1 Ba 0.95 Sr 0 .95 Si 0.998 Ge 0.002 O 4: Eu BaSrSiO4 : EuBaSrSiO 4 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101.3101.3 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 527527 525525

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는, On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb0 .25Sr3 .75Si3O8Cl4 : Eu Pb 0 .25 Sr 3 .75 Si 3 O 8 Cl 4: Eu

초기물질을 PbO, SrCO3, SrCl2, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.As the initial material, PbO, SrCO 3 , SrCl 2 , SiO 2 , Eu 2 O 3 may be used.

옥사이드(oxides), 클로라이드(chlorides), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1100℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 2단계 공정에서 역시 공기가 충분한 1220℃에서 4시간동안 가열된 후 연속적으로 공기가 희박한 상태에서 1시간동안 더 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 492nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides, chlorides, and carbonates are mixed with small amounts of flux, for example NH 4 Cl, in stoichiometric proportions. The mixed material is heated for about 2 hours in a one step process, that is, in an alumina crucible with sufficient air at 1100 ° C. The primary heated material is heated for 4 hours at 1220 ° C., which is also air-rich, in a two-stage process and then further heated for an hour with lean air continuously. Thereafter, the grinding, washing, drying, and sieved processes are sequentially performed. According to this, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 492 nm is provided.

다음의 표 11은 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 클로로실리케이트와 납을 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 클로로실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다. The following table 11 is 400nm as compared to the emission characteristics of the active-chloro-silicate by the excited Eu 2 + that does not contain a chloro silicate and lead activated by Eu 2 + containing lead having a wavelength, emission intensity and light emission of the Each wavelength is described.

[표 11] TABLE 11

납 함유된 화합물Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물Lead Free Compound Pb0 .25Sr3 .75Si3O8Cl4 : Eu Pb 0 .25 Sr 3 .75 Si 3 O 8 Cl 4: Eu Sr4Si3O8Cl4 : EuSr 4 Si 3 O 8 Cl 4 : Eu 발광세기(%)Luminous intensity (%) 100.6100.6 100100 파장(nm)Wavelength (nm) 492492 490490

본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 실리케이트의 광학적 발광특성 결과는 표 12와 같다. Table 12 shows the optical emission characteristics of the silicates activated by the rare earth component containing copper and / or lead according to the present embodiment.

[표 12] TABLE 12

조성Furtherance 여기범위 (nm)Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds for Copper / Lead-Free Compounds at Excitation Wavelength 400nm 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compound containing copper / lead (nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compounds without copper / lead (nm) Pb0 .1Ba0 .95Sr0 .95Si0 .998Ge0 .002O4: Eu Pb 0 .1 Ba 0 .95 Sr 0 .95 Si 0 .998 Ge 0 .002 O 4: Eu 360-470360-470 101.3101.3 527527 525525 Cu0 .02(Ba,Sr,Ca,Zn)1.98SiO4 : Eu Cu 0 .02 (Ba, Sr, Ca, Zn) 1.98 SiO 4: Eu 360-500360-500 108.2108.2 565565 560560 Cu0 .05Sr1 .7Ca0 .25SiO4 : Eu Cu 0 .05 Sr 1 .7 Ca 0 .25 SiO 4: Eu 360-470360-470 104104 592592 588588 Cu0 .05Li 0.002Sr 1.5Ba0 .448SiO4: Gd,Eu Cu 0 .05 Li 0.002 Sr 1.5 Ba 0 .448 SiO 4: Gd, Eu 360-470360-470 102.5102.5 557557 555555 Cu0 .2Sr2Zn0 .2Mg0 .6Si2O7: Eu Cu 0 .2 Sr 2 Zn 0 .2 Mg 0 .6 Si 2 O 7: Eu 360-450360-450 101.5101.5 467467 465465 Cu0 .02Ba2 .8Sr0 .2Mg0 .98Si2O8: Eu, Mn .8 Cu 0 .02 Ba 2 Sr 0 .2 Mg 0 .98 Si 2 O 8: Eu, Mn 360-420360-420 100.8100.8 440, 660440, 660 438, 660438, 660 Pb0 .25Sr3 .75Si3O8Cl4 : EuPb 0 .25 Sr 3 .75 Si 3 O 8 Cl 4 Eu 360-470360-470 100.6100.6 492492 490490 Cu0 .2Ba2 .2Sr0 .75Pb0 .05Zn0 .8Si2O8 : Eu, Cu 0 .2 Ba 2 .2 Sr 0 .75 Pb 0 .05 Zn 0 .8 Si 2 O 8: Eu, 360-430360-430 100.8100.8 448448 445445 Cu0 .2Ba3Mg0 .8Si1 .99Ge0 .01O8 : Eu, Cu 0 .2 Ba 3 Mg 0 .8 Si 1 .99 Ge 0 .01 O 8 : Eu, 360-430360-430 101101 444444 440440 Cu0 .5Zn0 .5Ba2Ge0 .2Si1 .8O7 : Eu Cu 0 .5 Zn 0 .5 Ba 2 Ge 0 .2 Si 1 .8 O 7: Eu 360-420360-420 102.5102.5 435435 433433 Cu0 .8Mg0 .2Ba3Si2O8 : Eu, Mn Cu 0 .8 Mg 0 .2 Ba 3 Si 2 O 8: Eu, Mn 360-430360-430 103103 438, 670438, 670 435, 670435, 670 Pb0 .15Ba1 .84Zn0 .01Si0 .99Zr0 .01O4:Eu, 0 .15 Ba .84 1 0 Zn Pb .01 Zr Si 0 .99 0 .01 O 4: Eu, 360-500360-500 101101 512512 510510 Cu0 .2Ba5Ca2 .8Si4O16: Eu Cu 0 .2 Ba 5 Ca 2 .8 Si 4 O 16: Eu 360-470360-470 101.8101.8 495495 491491

안티모네이트계 화합물은 다음의 (화학식 5)로 표현되는 화합물을 포함한다.The antimonate compound includes a compound represented by the following formula (5).

(화학식 5)(Formula 5)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) d (Sb 2 O 5 ) e (M '''O) f (M'''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 프라세오디뮴(Pr), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유 로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 및 가돌리늄(Gd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0<d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Where M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), and M' 'is lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) and one or more components selected from the group consisting of, M '' 'beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn), where M '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), praseodymium (Pr), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), terbium (Tb), Consisting of one or more components selected from the group comprising dysprosium (Dy) and gadolinium (Gd), wherein X comprises fluoro (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I) Consisting of one or more components selected from the group Where 0 <a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0 <d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, and 1≤y ≤5.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,In order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu0 .2Mg1 .7Li0 .2Sb2O7 : Mn Cu 0 .2 Mg 1 .7 Li 0 .2 Sb 2 O 7: Mn

초기물질은 CuO, MgO, Li2O, Sb2O5, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.As the initial material, CuO, MgO, Li 2 O, Sb 2 O 5 , and MnCO 3 may be used.

옥사이드(oxides) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux)와 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 985℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태에서 약 8시간 동안 가열된다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 626nm인 발광물질이 제공된다.The initial materials in the form of oxides are mixed in small amounts of flux with stoichiometric ratios. The mixed material is heated for two hours in a one-step process, that is, in an alumina crucible with sufficient air at 985 ° C. The primary heated material is ground. The initial heated material is then heated for about 8 hours in a two step process, i.e., at 1200 ° C. with sufficient oxygen. Subsequently, the materials that have undergone the one- and two-step processes are ground, washed, dried, and sieved. This process provides a light emitting material having a maximum emission wavelength of 626 nm.

다음의 표 13은 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 안티모네이트의 발광 특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.The following table 13 is 400nm here a cost and an aluminate activated by Eu 2 + containing copper at a wavelength, containing no non-activated by Eu 2 + copper anti comparing the light emission properties of the parent carbonate table, the light emission intensity and The light emission wavelength is described, respectively.

[표 13] TABLE 13

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu0 .2Mg1 .7Li0 .2Sb2O7 : Mn Cu 0 .2 Mg 1 .7 Li 0 .2 Sb 2 O 7: Mn Mg2Li0 .2Sb2O7 : Mn Mg 2 Li 0 .2 Sb 2 O 7: Mn 발광세기(%)Luminous intensity (%) 101.8101.8 100100 파장 (nm)Wavelength (nm) 652652 650650

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb0 .006Ca0 .6Sr0 .394Sb2O6 Pb 0 .006 Ca 0 .6 Sr 0 .394 Sb 2 O 6

초기물질을 PbO, CaCO3, SrCO3, Sb2O5를 사용할 수 있다.PbO, CaCO 3 , SrCO 3 , Sb 2 O 5 may be used as the initial material.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량의 융제(Flux)와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 975℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 초기 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1175℃ 상태에서 알루미나 도가니에서 약 4시간 동안 가열한 후, 연속적으로 산소를 공급하면서 4시간 동안 더 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 637nm인 발광물질이 제공된다.The initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed with a small amount of flux in stoichiometric proportions. The mixed material is heated in a one step process, ie, in an alumina crucible with sufficient air at 975 ° C. for about 2 hours. The initial heated material is ground. Then, a two-step process, that is, heated for about 4 hours in an alumina crucible at 1175 ° C. with sufficient air, is further heated for 4 hours while continuously supplying oxygen. Subsequently, the materials that have undergone the one- and two-step processes are ground, washed, dried, and sieved. Then, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 637 nm is provided.

다음의 표 14에는 400nm 여기파장에서 납을 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 안티모네이트와 납를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성, 즉, 발광세기 및 발광파장이 각각 비교되어 있다.The following Table 14 400nm excited light-emitting characteristics of the activated by Eu 2 + containing lead at a wavelength antimonate the carbonate and activated by Eu 2 + containing no napreul aluminate, that is, each of the light emission intensity and emission wavelength Compared.

[표 14] TABLE 14

납 함유된 화합물 Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물 Lead Free Compound Pb0 .006Ca0 .6Sr0 .394Sb2O6 Pb 0 .006 Ca 0 .6 Sr 0 .394 Sb 2 O 6 Ca0 .6Sr0 .4Sb2O6 Ca 0 .6 Sr 0 .4 Sb 2 O 6 발광세기 (%)Luminous intensity (%) 102102 100100 파장 (nm)Wavelength (nm) 637637 638638

본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 안티모네이트의 발광특성 결과는 표 15와 같다.The luminescence properties of the antimonate activated by the rare earth component containing copper and / or lead according to the present embodiment are shown in Table 15.

[표 15] TABLE 15

조성 Furtherance 여기범위 (nm)Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds for Copper / Lead-Free Compounds at Excitation Wavelength 400nm 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compound containing copper / lead (nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compounds without copper / lead (nm) Pb0 .2Mg0 .002Ca1 .798Sb2O6F2: Mn Pb 0 .2 Mg 0 .002 Ca 1 .798 Sb 2 O 6 F 2: Mn 360-400360-400 102102 645645 649649 Cu0 .15Ca1 .845Sr0 .005Sb1 .998Si0 .002O7:Mn Cu 0 .15 Ca 1 .845 Sr 0 .005 Sb 1 .998 Si 0 .002 O 7: Mn 360-400360-400 101.5101.5 660660 658658 Cu0 .2Mg1 .7Li0 .2Sb2O7 : Mn Cu 0 .2 Mg 1 .7 Li 0 .2 Sb 2 O 7: Mn 360-400360-400 101.8101.8 652652 650650 Cu0 .2Pb0 .01Ca0 .79Sb1 .98Nb0 .02O6: Mn Cu 0 .2 Pb 0 .01 Ca 0 .79 Sb 1 .98 Nb 0 .02 O 6: Mn 360-400360-400 98.598.5 658658 658658 Cu0 .01Ca1 .99Sb1 .9995V0 .0005O7: Mn Cu 0 .01 Ca 1 .99 Sb 1 .9995 V 0 .0005 O 7: Mn 360-400360-400 100.5100.5 660660 657657 Pb0 .006Ca0 .6Sr0 .394Sb2O6 Pb 0 .006 Ca 0 .6 Sr 0 .394 Sb 2 O 6 360-400360-400 102102 641641 640640 Cu0 .02Ca0 .9Sr0 .5Ba0 .4Mg0 .18Sb2O7 Cu 0 .02 Ca 0 .9 Sr 0 .5 Ba 0 .4 Mg 0 .18 Sb 2 O 7 360-400360-400 102.5102.5 649649 645645 Pb0 .198Mg0 .004Ca1 .798Sb2O6F2 Pb 0 .198 Mg 0 .004 Ca 1 .798 Sb 2 O 6 F 2 360-400360-400 101.8101.8 628628 630630

거머네이트(Germanate) 및/또는 거머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)계 화합물은 다음의 (화학식 6)로 표현되는 화합물을 포함한다.The germanate and / or germanate-silicate compounds include compounds represented by the following formula (6).

(화학식 6)(Formula 6)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dGeO 2 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g ( M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 이트륨(Y), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 및 란탄(La)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 및 디스프로슘(Dy)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤10, 0<d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Where M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), and M' 'is lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), Au (gold), and Ag (silver) consisting of one or more components selected from the group, M '' 'beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), and cadmium (Cd), where M '' '' is scandium (Sc), boron Consisting of one or more components selected from the group consisting of (B), yttrium (Y), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and lanthanum (La), M '' '' ' Is a group containing silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), manganese (Mn), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), tungsten (W), and molybdenum (Mo) Consisting of one or more components selected from M '' '' '' is bismuth (Bi), Consists of one or more components selected from the group consisting of stone (Sn), praseodymium (Pr), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), and dysprosium (Dy), where X is fluorine ( F), chlorine (Cl), bromine (Br), and one or more components selected from the group comprising iodine (I), wherein 0 <a≤2, 0≤b≤2, 0≤c ≤10, 0 <d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2 And 1 ≦ y ≦ 5.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,In order to manufacture a light emitting material having the formula

Pb0 .004Ca1 .99Zn0 .006Ge0 .8Si0 .2O4 : Mn 0 .004 1 .99 Ca Zn Pb Ge 0 .006 0 .8 .2 0 Si O 4 Mn

초기물질은 PbO, CaCO3, ZnO, GeO2, SiO2, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.As the initial material, PbO, CaCO 3 , ZnO, GeO 2 , SiO 2 , and MnCO 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux) 예를 들면, NH4Cl과 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태에서 다시 약 2시간 동안 더 가열된다. 이 후, 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved) 된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 655nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed in a stoichiometric ratio with a small amount of flux, for example NH 4 Cl. The mixed material is heated for two hours in a one-step process, that is, in an alumina crucible with sufficient oxygen at 1200 ° C. The primary heated material is ground. It is then heated further for about 2 hours in a two step process, i.e., at 1200 ° C. with sufficient oxygen. Subsequently, the material that has undergone a two-step process is crushed, washed, dried, and sieved. This process provides a light emitting material having a maximum emission wavelength of 655 nm.

다음의 표 16에는 400nm 여기파장에서 납을 함유하는 Mn에 의해 활성화된 저머네이트와, 납을 함유하지 않은 Mn에 의해 활성화된 저머네이트의 발광특성이 비교되어 있다. Table 16 below compares the luminescence properties of the germanium activated by Mn containing lead and the germanium activated by Mn containing no lead at 400 nm excitation wavelength.

[표 16] TABLE 16

납 함유된 화합물Lead-containing compounds 납 함유하지 않는 화합물Lead Free Compound Pb0 .004Ca1 .99Zn0 .006Ge0 .8Si0 .2O4 : Mn 0 .004 1 .99 Ca Zn Pb Ge 0 .006 0 .8 .2 0 Si O 4 Mn Ca1 .99Zn0 .01Ge0 .8Si0 .2O4 : Mn 1 .99 0 .01 Ge 0 Zn Ca .8 .2 0 Si O 4: Mn 발광세기/%Luminous intensity /% 101.5101.5 100100 파장/nmWavelength / nm 655655 657657

한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는, On the other hand, in order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu0 .46Sr0 .54Ge0 .6Si0 .4O3 : Mn Cu 0 .46 Sr 0 .54 Ge 0 .6 Si 0 .4 O 3: Mn

초기물질을 CuO, SrCO3, GeO2, SiO2, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.As the initial material, CuO, SrCO 3 , GeO 2 , SiO 2 , and MnCO 3 may be used.

옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량의 융제(Flux) 예를 들면, NH4Cl 과 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1100℃의 산소가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 초기 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 이 후, 2단계 공정 즉, 산소가 충분한 1180℃ 상태의 알루미나 도가 니에서 약 4시간 동안 가열한다. 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 658nm인 발광물질이 제공된다.Initial materials in the form of oxides and carbonates are mixed in a stoichiometric ratio with a small amount of flux, for example NH 4 Cl. The mixed material is heated for about 2 hours in a one step process, that is, in an alumina crucible with sufficient oxygen at 1100 ° C. The initial heated material is ground. The first heated material is then ground. Thereafter, heating is performed for about 4 hours in a two-step process, that is, in an alumina crucible at 1180 ° C. with sufficient oxygen. The material which has undergone the two step process is ground, washed, dried and sieved. Then, a light emitting material having a maximum emission wavelength of 658 nm is provided.

다음의 표 17에는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Mn에 의해 활성화된 저머네이트-실리케이트와 구리를 함유하지 않은 Mn에 의해 활성화된 저머네이트-실리케이트의 발광특성이 비교되어 있다.Table 17 below compares the luminescence properties of the germanate-silicate activated by Mn containing copper and the germanate-silicate activated by Mn containing no copper at 400 nm excitation wavelength.

[표 17] TABLE 17

구리 함유된 화합물Copper containing compound 구리 함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu0 .46Sr0 .54Ge0 .6Si0 .4O3 : Mn Cu 0 .46 Sr 0 .54 Ge 0 .6 Si 0 .4 O 3: Mn SrGe0 .6Si0 .4O3 : Mn SrGe 0 .6 Si 0 .4 O 3 : Mn 발광세기 (%)Luminous intensity (%) 103103 100100 파장 (nm0Wavelength (nm0 658658 655655

본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 저머네이트 또는 저머네이트-실리케이트와 관련하여 얻은 결과가 표 18에 나타내져 있다. The results obtained with respect to germanium or germanate-silicates containing copper and / or lead according to this example are shown in Table 18.

[표 18] TABLE 18

조성Furtherance 여기범위 (nm)Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds for Copper / Lead-Free Compounds at Excitation Wavelength 400nm 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compound containing copper / lead (nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compounds without copper / lead (nm) Pb0 .004Ca1 .99Zn0 .006Ge0 .8Si0 .2O4:Mn 0 .004 1 .99 Ca 0 Zn Pb Ge .006 0 .8 .2 0 Si O 4: Mn 360-400360-400 101.5101.5 655655 657657 Pb0 .002Sr0 .954Ca1 .044Ge0 .93Si0 .07O4: Mn Pb 0 .002 Sr 0 .954 Ca 1 .044 Ge 0 .93 Si 0 .07 O 4: Mn 360-400360-400 101.5101.5 660660 661661 Cu0 .46Sr0 .54Ge0 .6Si0 .4O3: Mn Cu 0 .46 Sr 0 .54 Ge 0 .6 Si 0 .4 O 3: Mn 360-400360-400 103103 658658 655655 Cu0 .002Sr0 .998Ba0 .99Ca0 .01Si0 .98Ge0 .02O4:Eu Cu 0 .002 Sr 0 .998 Ba 0 .99 Ca 0 .01 Si 0 .98 Ge 0 .02 O 4: Eu 360-470360-470 102102 538538 533533 Cu1 .45Mg26 .55Ge9 .4Si0 .6O48 : Mn .55 Ge 9 Cu 1 .45 Mg 26 .4 Si 0 .6 O 48: Mn 360-400360-400 102102 660660 657657 Cu1 .2Mg26 .8Ge8 .9Si1 .1O48 : Mn Cu 1 .2 Mg 26 .8 Ge 8 .9 Si 1 .1 O 48: Mn 360-400360-400 103.8103.8 670670 656656 Cu4Mg20Zn4Ge5Si2 .5O38F10 : Mn Cu 4 Mg 20 Zn 4 Ge 5 Si 2 .5 O 38 F 10: Mn 360-400360-400 101.5101.5 658658 655655 Pb0 .001Ba0 .849Zn0 .05Sr1 .1Ge0 .04Si0 .96O4 :Eu Pb 0 .001 Ba 0 .849 Zn 0 .05 Sr 1 .1 Ge 0 .04 Si 0 .96 O 4: Eu 360-470360-470 101.8101.8 550550 545545 Cu0 .05Mg4 .95GeO6F2 : Mn Cu 0 .05 Mg 4 .95 GeO 6 F 2: Mn 360-400360-400 100.5100.5 655655 653653 Cu0 .05Mg3 .95GeO5 .5F : Mn Cu 0 .05 Mg 3 .95 GeO 5 .5 F: Mn 360-400360-400 100.8100.8 657657 653653

포스페이트(Phosphate)계 화합물은 다음의 (화학식 7)로 표현되는 화합물을 포함한다. Phosphate-based compounds include compounds represented by the following formula (7).

(화학식 7)(Formula 7)

a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''O2)·h(M''''"xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dP 2 O 5 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M '''''O 2 ) · h (M'''''' x O y )

여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 붕소(B), 알루미늄(Al), 란탄(La), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy), 세륨(Ce), 및 테르븀(Tb)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며, 이때, 0<a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0<d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0<h≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.Where M 'is composed of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu), and M' 'is lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) and one or more components selected from the group consisting of, M '' 'beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium ( Consists of one or more components selected from the group consisting of Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn), where M '' '' is scandium Consisting of one or more components selected from the group consisting of (Sc), yttrium (Y), boron (B), aluminum (Al), lanthanum (La), gallium (Ga), and indium (In), M '' '' 'Means silicon (Si), germanium (Ge), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), tungsten (W) And one or more components selected from the group comprising molybdenum (Mo), M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), praseodymium (Pr), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), cerium (Ce), and terbium ( One or more components selected from the group comprising Tb), and X is one or more selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I) Component, wherein 0 <a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0 <d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0 <h≤2, 1≤x≤2, and 1≤y≤5.

제조의 실시예Example of manufacture

하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,In order to manufacture a light emitting material having the formula

Cu0 .02Ca4 .98(PO4)3Cl : Eu Cu 0 .02 Ca 4 .98 (PO 4) 3 Cl: Eu

초기물질은 CuO, CaCO3, Ca3(PO4)2, CaCl2, 또는 Eu2O3를 사용할 수 있다.The initial material may be CuO, CaCO 3 , Ca 3 (PO 4 ) 2 , CaCl 2 , or Eu 2 O 3 .

옥사이드(oxides), 포스페이트(Phosphates), 설파이트(sulfates) 뿐만아니라 카보네이트(carbonate) 및 클로라이드(chlorides) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux)와 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1240℃의 공기가 희박한 상태의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved) 된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 450nm인 발광물질이 제공된다.Oxides, phosphates and sulfates, as well as carbonates and chlorides, are mixed in small amounts with flux and stoichiometric proportions. The mixed material is heated for about 2 hours in an alumina crucible in a lean state of air at 1240 ° C. The heated material is ground, washed, dried, and sieved. This process provides a light emitting material having a maximum emission wavelength of 450 nm.

다음의 표 19에는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2 +에 의해 활성화된 클로로포스페이트(chlorophosphate)와, 구리를 함유하지 않은 Eu2 +에 의해 활성화된 클로로포스페이트의 발광특성이 비교되어 있다. This table 19 has been compared to the 400nm light emitting properties of the phosphate-chloro (chlorophosphate) and a-chloro-phosphate activated by Eu 2 + containing no copper activated by the excited Eu 2 + containing copper at a wavelength.

[표 19] TABLE 19

구리함유된 화합물Copper-containing compounds 구리함유하지 않는 화합물Copper free compound Cu0 .02Ca4 .98(PO4)3Cl : Eu Cu 0 .02 Ca 4 .98 (PO 4) 3 Cl: Eu Ca5(PO4)3Cl : EuCa 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 발광세기/%Luminous intensity /% 101.5101.5 100100 파장/nmWavelength / nm 450450 447447

한편, 본 실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 발광물질의 특성결과는 표 20에서 확인가능하다. On the other hand, the characteristic results of the light emitting material activated by the rare earth component containing copper and / or lead according to this embodiment can be seen in Table 20.

[표 20]TABLE 20

조성Furtherance 여기범위 (nm) Excitation range (nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%)Luminescence Intensity (%) of Copper / Lead-Containing Compounds for Copper / Lead-Free Compounds at Excitation Wavelength 400nm 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compound containing copper / lead (nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)Peak wavelength of compounds without copper / lead (nm) Cu0 .02Sr4 .98(PO4)3Cl : Eu Cu 0 .02 Sr 4 .98 (PO 4) 3 Cl: Eu 360-410360-410 101.5101.5 450 450 447447 Cu0 .2Mg0 .8BaP2O7 : Eu, Mn Cu 0 .2 Mg 0 .8 BaP 2 O 7: Eu, Mn 360-400360-400 102102 638638 635635 Pb0 .5Sr1 .5P1 .84B0.16O6 .84 : Eu Pb 0 .5 Sr 1 .5 P 1 .84 B 0.16 O 6 .84: Eu 360-400360-400 102102 425425 420420 Cu0 .5Mg0 .5Ba2(P,Si)2O8 : Eu Cu 0 .5 Mg 0 .5 Ba 2 (P, Si) 2 O 8: Eu 360-400360-400 101101 573573 570570 Cu0 .5Sr9 .5(P,B)6O24Cl2 : Eu Cu 0 .5 Sr 9 .5 (P , B) 6 O 24 Cl 2: Eu 360-410360-410 102102 460460 456456 Cu0 .5Ba3Sr6 .5P6O24(F,Cl)2 : Eu Cu 0 .5 Ba 3 Sr 6 .5 P 6 O 24 (F, Cl) 2: Eu 360-410360-410 102102 443443 442442 Cu0 .05(Ca,Sr,Ba)4.95P3O12Cl : Eu, Mn Cu 0 .05 (Ca, Sr, Ba) 4.95 P 3 O 12 Cl: Eu, Mn 360-410360-410 101.5101.5 438, 641438, 641 435, 640435, 640 Pb0 .1Ba2 .9P2O8 : Eu Pb 0 .1 Ba 2 .9 P 2 O 8: Eu 360-400360-400 103103 421421 419419

한편, 본 발명에 따른 발광장치의 형광물질은 이들 알루미네이트(Aluminate)계, 실리케이트(Silicate)계, 안티모네이트(Antimonate)계, 거머네이트(Germanate)계, 및 포스페이트(Phosphate)계 화합물로 구성할 수 있지만, 이들 화합물들을 선택적으로 혼합한 구성을 가질 수 있다. On the other hand, the fluorescent material of the light emitting device according to the present invention is composed of these aluminate (silicate), silicate (Silicate), antimonate (Antimonate), Germanate (Germanate), and phosphate (Phosphate) compound Although it can do it, it can have a structure which mixed these compounds selectively.

도 6은 본 발명의 일실시예의 형광물질을 적용한 발광장치가 나타내는 발광스펙트럼 도면이다. 본 제 1실시예는, 405nm 영역 파장의 발광소자와 상기 언급된 화합물들중에서 선택한 복수개의 화합물들을 적정한 비율로 혼합한 형광물질을 구비한다. 즉, 형광물질은 피크 파장이 대략 451nm인 Cu0 .05BaMg1 .95Al16O27:Eu, 피크파장이 대략 658nm인 Cu0 .03Sr1 .5Ca0 .47SiO4:Eu, 피크파장이 대략 641nm인 Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6:Mn4+, 피크파장이 대략 512nm인 Pb0 .15Ba1 .84Zn0 .01Si0 .99Zr0 .01O4:Eu, 및 피크파장이 대략 494nm인 Cu0 .2Sr3 .8Al14O25:Eu를 혼합하여 구성된다.6 is a light emission spectrum diagram of a light emitting device to which a fluorescent material according to an embodiment of the present invention is applied. The first embodiment includes a fluorescent material in which a light emitting element having a wavelength of 405 nm and a plurality of compounds selected from the above-mentioned compounds are mixed at an appropriate ratio. That is, the fluorescent material is a peak wavelength in the Cu 0 .05 BaMg 1 .95 Al 16 O 27 approximately 451nm: Eu, the Cu 0 .03 Sr 1 .5 peak wavelength is about 658nm Ca 0 .47 SiO 4: Eu , peak wavelength in the Pb 0.006 Ca approximately 641nm 0.6 Sr 0.394 Sb 2 O 6 : Mn 4+, peak wavelength of approximately 512nm of Pb 0 .15 Ba 1 .84 Zn 0 .01 Si 0 .99 Zr 0 .01 O 4: Eu , and the peak wave length of about 494nm Cu 0 .2 Sr 3 .8 Al 14 O 25: consists of a mixture of Eu.

이러한 제 1실시예에서는, 발광소자에서 발생되는 405nm 파장의 초기 발광중 일부가 형광물질에 의해 장파장인 2차광으로 변환되고, 1차광과 2차광의 혼색으로 원하는 방출광이 구현된다. 본 발광장치는 도 6에서 보여주듯이 파장 405nm의 1차 자외선광을 변환시켜 넓은 파장 영역의 가시광(visible light) 즉, 백색광이 구현되며, 이 때의 색온도는 3000K이고, 연색성은 약 90 내지 95이다.In this first embodiment, a part of the initial emission of the 405nm wavelength generated in the light emitting device is converted into secondary light having a long wavelength by the fluorescent material, and the desired emission light is realized by mixing the primary light and the secondary light. The light emitting device converts primary ultraviolet light having a wavelength of 405 nm to realize visible light, that is, white light, in a wide wavelength region, as shown in FIG. 6. At this time, the color temperature is 3000K and the color rendering is about 90 to 95. .

한편, 도 7은 본 발명의 다른 실시예의 형광물질을 적용한 발광장치가 나타내는 발광스펙트럼 도면이다. 본 제 2실시예에서는 455nm 파장의 발광소자와 상기 언급된 화합물들중에서 선택한 복수개의 화합물들을 적정한 비율로 혼합한 형광물질을 구비한다. 즉, 형광물질은, 피크파장이 대략 592nm인 Cu0 .05Sr1 .7Ca0 .25SiO4:Eu, 피크파장이 대략 527nm인 Pb0 .1Ba0 .95Sr0 .95Si0 .998Ge0 .002O4:Eu, 및 피크 파장이 대략 557nm인 Cu0 .05Li0 .002Sr1 .5Ba0 .448SiO4:Gd, Eu를 혼합하여 구성된다. 7 is a light emission spectrum diagram of a light emitting device to which a fluorescent material according to another embodiment of the present invention is applied. The second embodiment includes a fluorescent material in which a light emitting device having a wavelength of 455 nm and a plurality of compounds selected from the above-mentioned compounds are mixed at an appropriate ratio. That is, the fluorescent substance, Cu 0 .05 Sr 1 .7, the peak wavelength is about 592nm Ca 0 .25 SiO 4: Eu , the peak wavelength is about 527nm Pb 0 .1 Ba 0 .95 Sr 0 .95 Si 0. 998 Ge 0 .002 O 4: it is Gd, formed by mixing Eu: Eu, and a peak wavelength of approximately 557nm of Cu 0 .05 Li 0 .002 Sr 1 .5 Ba 0 .448 SiO 4.

이러한 제 2실시예에서는, 형광물질이 발광소자에서 발생되는 455nm 파장의 초기 발광중 일부를 장파장인 2차광으로 변환시키고, 이에 의해, 1차광과 2차광의 혼색으로 특정한 색이 구현된다. 즉, 본 발광장치는 도 7에서 보여주듯이, 455nm의 1차 블루광을 파장 변환 시켜 넓은 파장 영역의 가시광(백색광)이 구현되며, 이 때의 색온도는 4000K 내지 6500K이고, 연색성은 약 86 내지 93이다.In this second embodiment, the fluorescent material converts a part of the initial light emission of the 455 nm wavelength generated in the light emitting device into secondary light having a long wavelength, thereby realizing a specific color by mixing primary light and secondary light. That is, as shown in FIG. 7, the light emitting device converts 455 nm primary blue light into wavelengths to implement visible light (white light) in a wide wavelength range. In this case, color temperature is 4000K to 6500K, and color rendering is about 86 to 93. to be.

본 발명의 발광장치에서 형광물질은, 도 6 및 도 7과 관련하여 설명한 실시예외에도, 단일의 화합물 또는 복수개의 단일 화합물을 혼합시켜 적용시킬 수 있음 은 물론이다. In the light emitting device of the present invention, the fluorescent material may be applied by mixing a single compound or a plurality of single compounds, in addition to the embodiments described with reference to FIGS. 6 and 7.

이상에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따르면, 희토류 성분을 포함하며 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 형광물질로 이용하기 때문에, 2,000K 내지 8,000K 또는 10,000K의 전반적으로 넓은 범위의 색온도를 구현할 수 있는 한편, 연색성도 90 이상으로 높은 파장변환 발광장치가 제공된다.As can be seen from above, according to the present invention, since a compound containing a rare earth component and containing lead and / or copper is used as a fluorescent material, a color temperature of a wide range of 2,000K to 8,000K or 10,000K is generally wide. On the other hand, a high wavelength conversion light emitting device having a color rendering degree of 90 or more is provided.

이와 같은 본 발명의 파장변환 발광장치는, 발광 세기, 색온도 및 컬러재현율이 우수하고 사용자가 요구하는 색좌표값의 발광을 용이하게 구현할 수 있기 때문에, 핸드폰이나 노트북, 그리고, 각종 전자제품, 오디오, 및 통신제품과 같은 전저기기 뿐만 아니라 각종 디스플레이의 키패드용이나 백라이트용으로 다양하게 채용할 수 있고, 자동차, 의료용 기기, 측정기기 및 조명용 등으로도 응용할 수 있다.The wavelength conversion light emitting device of the present invention is excellent in light emission intensity, color temperature and color reproducibility, and can easily emit light of color coordinate values required by a user. Thus, a mobile phone, a notebook computer, various electronic products, audio, and It can be used in various fields such as keypads or backlights of various displays as well as electric devices such as communication products, and can be applied to automobiles, medical devices, measuring devices, and lightings.

또한 본 발명에 의하면 물, 습기, 수증기 또는 극성용매에 매우 안정한 파장변환 발광장치를 제공할 수 있다. In addition, the present invention can provide a wavelength conversion light emitting device that is very stable to water, moisture, water vapor, or polar solvents.

Claims (18)

소정 영역 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광소자; 및At least one light emitting device for generating light having a predetermined wavelength; And 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 포함하고, 상기 발광소자 주위에 배치되어 상기 발광소자로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 흡수광과 다른 파장의 광을 방출하는 형광물질;을 포함하여 구성된 발광장치.A light emitting device comprising a compound containing lead and / or copper and disposed around the light emitting device to absorb a portion of the light emitted from the light emitting device to emit light having a wavelength different from that of the absorbed light; . 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 화합물은 다음의 (화학식 1)로 표현되는 알루미네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.The compound is a light emitting device, characterized in that it comprises an aluminate represented by the following formula (1). (화학식 1)(Formula 1) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dAl 2 O 3 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is one or more components selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) Consisting of; M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상 의 성분으로 구성되고;M '' 'is in the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) One or more components selected; M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' consists of one or more components selected from the group consisting of scandium (Sc), boron (B), gallium (Ga), and indium (In); M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is silicon (Si), germanium (Ge), titanium (Ti), zirconium (Zr), manganese (Mn), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), tungsten (W) ) And one or more components selected from the group comprising molybdenum (Mo); M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd ), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm), Ytterbium (Yb) ), And one or more components selected from the group comprising lutetium (Lu); X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0<e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0<h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0 <e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0 <h≤2, 1≤ o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, and 1≤y≤5. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물이 다음의 (화학식 2)로 표현되는 알루미네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the compound comprises an aluminate represented by the following formula (2). (화학식 2)(Formula 2) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b-c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h (M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) 4-abc (M '''O) 7 (Al 2 O 3 ) d (B 2 O 3 ) E (Ga 2 O 3 ) f (SiO 2 ) g (GeO 2 ) h (M '''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is one or more components selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) Consisting of; M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'is in the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) One or more components selected; M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 인듐(In), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), indium (In), cerium (Ce), praseodymium (Pr) , Neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm) One or more components selected from the group consisting of ytterbium (Yb) and lutetium (Lu); X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0<h≤0.5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0 <h≤0.5, 1≤ x≤2, and 1≤y≤5. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물이 다음의 (화학식 3)으로 표현되는 알루미네이트을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the compound comprises an aluminate represented by the following formula (3). (화학식 3)(Formula 3) a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2)·f (M'''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (Al 2 O 3 ) d (M ''' 2 O 3 ) e (M''''O 2 ) f (M''''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is selected from the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) Consists of one or more components; M'''는 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'consists of one or more components selected from the group consisting of boron (B), gallium (Ga), and indium (In); M''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' consists of one or more components selected from the group consisting of silicon (Si), germanium (Ge), titanium (Ti), zirconium (Zr), and hafnium (Hf); M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium ( Nd, Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm), Ytterbium ( Yb), and one or more components selected from the group comprising lutetium (Lu); 0<a≤1, 0≤b≤2, 0<c≤8, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0<f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 2, 0 <c ≦ 8, 0 ≦ d ≦ 1, 0 ≦ e ≦ 1, 0 <f ≦ 2, 1 ≦ x ≦ 2, and 1 ≦ y ≦ 5. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물이 다음의 (화학식 4)로 표현되는 실리케이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the compound comprises a silicate represented by the following formula (4). (화학식 4)(Formula 4) a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''oOP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)a (M'O) b (M''O) c (M '''X) d (M''' 2 O) e (M '''' 2 O 3 ) f (M ''''' o O P ) · g (SiO 2 ) · h (M '''''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is selected from the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) Consists of one or more components; M'''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'is one or more selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) Consisting of components; M''''는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고,;M '' '' is composed of one or more components selected from the group consisting of aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In); M'''''는 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰 리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프뮴(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' 'is germanium (Ge), vanadium (V), neodymium (Nd), tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), zirconium (Zr), and One or more components selected from the group containing hafnium (Hf); M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), antimony (Sb), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium ( Nd, Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm), Ytterbium ( Yb), and one or more components selected from the group comprising lutetium (Lu); X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤2, 0 <b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0 <h≤5, 1≤ o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, and 1≤y≤5. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물이 다음의 (화학식 5)로 표현되는 안티모네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the compound comprises an antimonate represented by the following formula (5). (화학식 5)(Formula 5) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''xOy)a (M'O) b (M '' 2 O) c (M''X) d (Sb 2 O 5 ) e (M '''O) f (M'''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is one or more components selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) Consisting of; M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'is in the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) One or more components selected; M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 프라세오디뮴(Pr), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 및 가돌리늄(Gd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), scandium (Sc), yttrium (Y), lanthanum (La), praseodymium (Pr), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu) And one or more components selected from the group consisting of terbium (Tb), dysprosium (Dy), and gadolinium (Gd); X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0<d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0 <d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, and 1≤y≤5. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물이 다음의 (화학식 6)로 표현되는 거머네이트(Germanate) 및/또는 거머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the compound comprises a germanate and / or germanate-silicate represented by the following formula (6). (화학식 6)(Formula 6) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dGeO 2 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g ( M ''''' o O p ) · h (M'''''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is one or more components selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), Au (gold), and Ag (silver) Consisting of; M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'is one or more selected from the group consisting of beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), and cadmium (Cd) Consisting of components; M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 이트륨(Y), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 및 란탄(La)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' is one selected from the group consisting of scandium (Sc), boron (B), yttrium (Y), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and lanthanum (La) It consists of the above components; M'''''는 규소(Si), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), manganese (Mn), vanadium (V), neodymium (Nd), tantalum (Ta), tungsten (W), and molybdenum ( One or more components selected from the group comprising Mo); M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 및 디스프로슘(Dy)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is one selected from the group consisting of bismuth (Bi), tin (Sn), praseodymium (Pr), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), and dysprosium (Dy) Or more components; X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤10, 0<d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤10, 0 <d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤ o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, and 1≤y≤5. 제1항에 있어서, 상기 화합물이 다음의 (화학식 7)로 표현되는 포스페이트(Phosphate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device of claim 1, wherein the compound comprises phosphate represented by the following Chemical Formula 7. (화학식 7)(Formula 7) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''O2)·h(M''''"xOy)a (M'O) · b (M '' 2 O) · c (M''X) · dP 2 O 5 · e (M '''O) · f (M''''2 O 3) · g (M '''''O 2 ) · h (M'''''' x O y ) 여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;Wherein M 'consists of one or more components selected from the group consisting of lead (Pb) and copper (Cu); M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' is one or more components selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), gold (Au), and silver (Ag) Consisting of; M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' 'is in the group containing beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), zinc (Zn), cadmium (Cd), and manganese (Mn) One or more components selected; M''''는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 붕소(B), 알루미늄(Al), 란탄(La), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' is one selected from the group consisting of scandium (Sc), yttrium (Y), boron (B), aluminum (Al), lanthanum (La), gallium (Ga), and indium (In) It consists of the above components; M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' 'is silicon (Si), germanium (Ge), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), neodymium (Nd), tantalum (Ta), tungsten (W ) And one or more components selected from the group comprising molybdenum (Mo); M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy), 세륨(Ce), 및 테르븀(Tb)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;M '' '' '' is bismuth (Bi), tin (Sn), praseodymium (Pr), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), cerium (Ce), and terbium ( One or more components selected from the group comprising Tb); X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;X consists of one or more components selected from the group comprising fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); 0<a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0<d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0<h≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.0 <a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0 <d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0 <h≤2, 1≤ x≤2, and 1≤y≤5. 제 1항 내지 제 8항중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 형광물질은 상기 단일 화합물로 구성되거나, 상기 복수개의 단일 화합물을 선택적으로 혼합시킨 것을 특징으로 하는 발광장치.Wherein the fluorescent material is composed of the single compound or selectively mixed the plurality of single compounds. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 형광물질은, 상기 발광소자의 측면, 상면, 및 하부면중 적어도 어느 일측에 배치되거나 접착제 또는 몰딩재에 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.The fluorescent material is light emitting device, characterized in that disposed on at least one side of the side, the upper surface, and the lower surface of the light emitting element or mixed in the adhesive or molding material. 제 1항 또는 제 10항에 있어서,The method according to claim 1 or 10, 상기 발광소자는 UV 및/또는 블루파장영역에서 각기 상이한 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.The light emitting device includes at least one light emitting device for generating light having different wavelengths in the UV and / or blue wavelength region. 제 1항 내지 제 8항 중 한 항에 있어서,The method of claim 1, wherein 상기 발광소자 및 상기 형광물질이 패키지 내에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.And the light emitting element and the fluorescent material are combined in a package. 제 12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 패키지는 기판상부에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.The package is a light emitting device, characterized in that the at least one light emitting device is mounted on the substrate, the fluorescent material is disposed around the light emitting device. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지는 리플렉터가 형성된 기판상부에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.The package is a light emitting device, characterized in that the at least one light emitting device is mounted on a substrate on which a reflector is formed, and the fluorescent material is disposed around the light emitting device. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 기판상에서 상기 발광소자 및 상기 형광물질을 봉지하는 몰딩부 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.And a molding part encapsulating the light emitting element and the fluorescent material on the substrate. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 몰딩부에 상기 형광물질이 골고루 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device, characterized in that the fluorescent material is evenly distributed in the molding. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지는 한 쌍의 전극리드중 일측에 상기 적어도 하나의 발광소자가 실장되고, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되며, 상기 발광소자와 상기 형광물질이 몰딩부에 의해 봉지되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.The package has at least one light emitting device mounted on one side of a pair of electrode leads, the fluorescent material is disposed around the light emitting device, and the light emitting device and the fluorescent material are encapsulated by a molding part. Light emitting device. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지는 상기 적어도 하나의 발광소자에서 발생되는 열을 방출하는 힛싱크를 구비하며, 상기 발광소자 주위에 상기 형광물질이 배치되어 있는 고출력용인 것을 특징으로 하는 발광장치.The package includes a heat sink for dissipating heat generated by the at least one light emitting device, the light emitting device is characterized in that the high power for the fluorescent material is disposed around the light emitting device.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144634B1 (en) * 2007-01-25 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Phosphor light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101258227B1 (en) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 Light emitting device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100263303B1 (en) 1993-02-05 2000-08-01 김순택 Blue-color phosphorescence composition
JP4396016B2 (en) * 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 Aluminate phosphor, phosphor paste composition, and vacuum ultraviolet light-excited light emitting device
JP4032682B2 (en) * 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 Phosphor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101258227B1 (en) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 Light emitting device
KR101144634B1 (en) * 2007-01-25 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Phosphor light emitting diode and method for manufacturing the same

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