KR20060081280A - Display substrate - Google Patents
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Abstract
반사율을 향상시킨 표시 기판이 개시된다. 표시 기판은 기판, 기판 상에 형성되며 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터, 기판 상에 스트라이프 형상으로 형성되며, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 게이트 신호선, 게이트 신호선과 절연된 상태로 교차하고, 박막 트랜지스터의 소오스 전극에 연결되며, 평면상에서 보았을 때 적어도 일부에 제 1 굴곡부가 형성된 스트라이프 형상의 데이터 신호선, 박막 트랜지스터, 게이트 신호선, 데이터 신호선을 덮고, 상면에 엠보싱부가 형성된 유기막 및 유기막 중 게이트 신호선 및 데이터 신호선에 의하여 둘러싸인 영역에 형성되며 드레인 전극에 연결된 투명 전극 및 투명 전극 상에 배치되며, 평면상에서 보았을 때 제 1 굴곡부와 대응하는 제 1 주변부를 갖는 반사 전극을 갖는 화소 전극을 포함한다. 데이터 신호선의 제 1 굴곡부에 대응하는 제 1 주변부를 갖는 반사 전극을 형성함으로써 반사 전극의 반사율을 증가시키고 반사 전극과 데이터 신호선이 중첩되지 않아 기생 커패시턴스 형성을 억제할 수 있다. A display substrate having improved reflectance is disclosed. The display substrate is a substrate, a thin film transistor formed on the substrate and having a drain electrode, formed in a stripe shape on the substrate, and crosses insulated from the gate signal line and the gate signal line electrically connected to the gate electrode of the thin film transistor, A gate signal line of an organic layer and an organic layer which are connected to a source electrode of the organic layer and an organic layer, wherein the organic signal and the organic layer have an embossed portion on the top surface of the stripe-shaped data signal line, the thin film transistor, the gate signal line, and the data signal line, the first curved portion having at least a portion thereof in plan view; And a pixel electrode formed in a region surrounded by the data signal line and disposed on the transparent electrode connected to the drain electrode and the transparent electrode, the pixel electrode having a reflective electrode having a first peripheral portion corresponding to the first curved portion when viewed in plan view. By forming a reflective electrode having a first peripheral portion corresponding to the first bent portion of the data signal line, the reflectance of the reflective electrode can be increased, and the parasitic capacitance formation can be suppressed because the reflective electrode and the data signal line do not overlap.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판을 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a display substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 표시 기판을 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the display substrate illustrated in FIG. 1 taken along the line II ′.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 기판을 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a display substrate according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 표시 기판을 Ⅱ~Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the display substrate illustrated in FIG. 3 taken along the line II to II ′.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 : 표시 기판 110 : 박막 트랜지스터100
120 : 게이트 신호선 130 : 데이터 신호선120: gate signal line 130: data signal line
140 : 유기막 150 : 화소 전극140
151 : 투명 전극 156 : 반사 전극151
본 발명은 표시 기판에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반사율을 향상시켜 영상의 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a display substrate. More specifically, the present invention relates to a display substrate capable of improving the display quality of an image by improving the reflectance.
일반적으로, 액정표시장치는 광의 이용 방법에 따라서 투과형 액정표시장치(transmissive type Liquid Crystal Display device), 반사형 액정표시장치 (reflective type LCD) 및 반사-투과형 액정표시장치(transreflective LCD)로 구분된다.In general, liquid crystal displays are classified into a transmissive type liquid crystal display device, a reflective type LCD, and a reflective-transmissive LCD according to a method of using light.
투과형 액정표시장치는 램프 등에서 발생한 내부광을 액정에 제공하여 영상을 표시하고, 반사형 액정표시장치는 태양, 조명등 등에서 발생한 외부광을 반사시켜 액정에 제공하여 영상을 표시한다. 반사-투과형 액정표시장치는 내부광 또는 외부광을 액정에 제공하여 영상을 표시한다.The transmissive liquid crystal display device displays an image by providing internal light generated from a lamp or the like to the liquid crystal, and the reflective liquid crystal display device displays an image by reflecting external light generated from the sun or a lamp to the liquid crystal. The reflection-transmissive liquid crystal display displays an image by providing internal or external light to the liquid crystal.
반사-투과형 액정표시장치는 외부광을 액정에 제공하기 위해 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함하고, 반사 전극에는 외부광을 산란 및 반사시켜 휘도 균일성을 향상시키기 위한 요철이 형성된다.The reflection-transmissive liquid crystal display device includes a reflection electrode that reflects the external light to provide external light to the liquid crystal, and the reflective electrode is formed with irregularities for improving luminance uniformity by scattering and reflecting the external light.
반사-투과형 액정표시장치는 반사 전극에 형성된 요철의 개수를 증가시키기 위하여 반사 전극의 일부 및 그 하부에 배치되는 신호선가 중첩될 수 있다. 이와 같이, 반사 전극과 신호선의 일부가 중첩될 경우, 반사 전극 및 신호선에 의하여 기생 커패시턴스(parasite capacitance)가 발생되어 영상을 표시하기 위한 구동 신호가 왜곡 또는 변조되는 문제점을 갖는다.In the reflective-transmissive liquid crystal display, a portion of the reflective electrode and a signal line disposed below the reflective electrode may be overlapped to increase the number of irregularities formed in the reflective electrode. As such, when a part of the reflective electrode and the signal line overlap each other, parasitic capacitance is generated by the reflective electrode and the signal line, and thus a driving signal for displaying an image is distorted or modulated.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술에 따른 하나 또는 그 이상의 문제점 및 제한을 실질적으로 제거함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to substantially eliminate one or more problems and limitations of the prior art.
본 발명의 목적은 반사율을 향상시키고 기생 커패시턴스를 감소시켜 영상의 표시 품질을 향상시킨 표시 기판을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display substrate which improves the display quality of an image by improving reflectance and reducing parasitic capacitance.
본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 표시 기판은 기판 상에 형성되며 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터, 상기 기판 상에 스트라이프 형상으로 형성되며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 게이트 신호선, 상기 게이트 신호선과 절연된 상태로 교차하고, 상기 박막 트랜지스터의 소오스 전극에 연결되며, 평면상에서 보았을 때 적어도 일부에 제 1 굴곡부가 형성된 스트라이프 형상의 데이터 신호선, 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 신호선, 상기 데이터 신호선을 덮고, 상면에 엠보싱부가 형성된 유기막 및 상기 유기막 중 상기 게이트 신호선 및 데이터 신호선에 의하여 둘러싸인 영역에 형성되며 상기 드레인 전극에 연결된 투명 전극 및 상기 투명 전극 상에 배치되며, 평면상에서 보았을 때 상기 제 1 굴곡부와 대응하는 제 1 주변부를 갖는 반사 전극을 갖는 화소 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, a display substrate includes a thin film transistor having a drain electrode formed on the substrate and having a stripe shape on the substrate and electrically connected to a gate electrode of the thin film transistor. A stripe-shaped data signal line intersecting the gate signal line in an insulated state, connected to a source electrode of the thin film transistor, and having a first bent portion formed in at least a portion when viewed in plan view, the thin film transistor, the gate signal line, and the data An organic layer covering the signal line and having an embossed portion formed on an upper surface thereof, and formed on a region surrounded by the gate signal line and the data signal line among the organic layers and disposed on the transparent electrode and the transparent electrode connected to the drain electrode, 1st Oyster It includes a pixel electrode having a reflective electrode having a first peripheral portion and the corresponding portion.
이러한 표시 기판에 의하면, 데이터 신호선의 굴곡부에 대응하는 주변부를 갖는 반사 전극을 형성함으로써, 반사 전극의 엠보싱 패턴을 개수를 증가시켜 반사율을 향상시키고, 나아가 데이터 신호선, 반사 전극 및 유기막 사이의 기생 커패시턴스 발생을 억제할 수 있다.
According to such a display substrate, by forming a reflective electrode having a peripheral portion corresponding to the bent portion of the data signal line, the number of embossing patterns of the reflective electrode is increased to improve the reflectance, and further, parasitic capacitance between the data signal line, the reflective electrode and the organic film. It can suppress occurrence.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판을 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 표시 기판을 I~I'선을 따라 절단한 단면도이다. 1 is a plan view illustrating a display substrate according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the display substrate illustrated in FIG. 1 taken along the line II ′.
도 1 및 도 2들을 참조하면, 표시 기판(100)은 박막 트랜지스터(110), 게이트 신호선(120), 데이터 신호선(130), 유기막(140) 및 화소 전극(150)을 포함한다.1 and 2, the
박막 트랜지스터(110)는 기판(105) 상에 배치되어, 지정된 타이밍에 지정된 구동 신호를 출력한다. 박막 트랜지스터(110)는 게이트 전극(112), 제 1 절연막(125), 채널층(127), 소오스 전극(113) 및 드레인 전극(115)을 포함한다.The
게이트 전극(112)은 기판(105) 상에 형성된다. 게이트 전극으로는 게이트 구동 신호가 인가되고, 게이트 구동 신호는 게이트 신호선(120)을 통하여 인가된다.The
제 1 절연막(125)은 게이트 전극(112)을 덮고, 기판(105)의 전면적에 걸쳐 형성된다. 제 1 절연막(125)을 이루는 물질의 예로는 광이 투과되는 실리콘 질화물(SiNx) 및 광이 투과되는 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 절연물 등을 들 수 있다.The first
채널층(127)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 채널층(127)은 게이트 전극(112)에 대응하여 형성된다. 채널층(127)은 아몰퍼스 실리콘 박막(amorphous silicon film) 등을 포함하는 제 1 반도체층을 포함할 수 있다. 이와 다르게, 채널층(127)은 제 1 반도체층 및 제 1 반도체층 상에 배치되는 제 2 반도체층을 포함할 수 있다. 제 1 반도체층은, 예를 들면, 아몰퍼스 실리콘 박막(amorphous silicon film)이고, 제 2 반도체층은 도전성 불순물을 포함하는 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막을 포함할 수 있다. 제 1 반도체층 상에 배치된 제 2 반도체층은 한 쌍이 상호 이격된다.The channel layer 127 is disposed on the first
소오스 전극(113)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 소오스 전극(113)의 일부는 채널층(127) 상에 전기적으로 연결된다.
The
드레인 전극(115)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 드레인 전극(115)의 일부는 채널층(127) 상에 전기적으로 연결된다. 드레인 전극(115) 및 소오스 전극(113)은 상호 소정 간격 이격된다. 소오스 전극(113) 및 드레인 전극(115)을 이루는 물질의 예로는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu),몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 이들의 합금과 같은 도전성 금속 등을 들 수 있다.The
게이트 신호선(120)은 기판(105) 상에 배치된다. 게이트 신호선(120)은 게이트 전극(112)에 전기적으로 연결되고, 게이트 전극(112)에 게이트 구동 신호를 제공한다.The
본 실시예에서, 게이트 전극(112)에 전기적으로 연결된 게이트 신호선(120)은 게이트 전극(112)과 동일한 평면상에 배치되고, 스트라이프 형상을 갖는다. 이하, 게이트 신호선(120)이 연장된 방향은 제 1 방향으로 정의된다. 게이트 신호선(120)은, 평면상에서 보았을 때, 적어도 일부에 굴곡부(129)가 형성된다. 이때, 게이트 신호선(120) 중 굴곡부(129) 부분의 평면적 및 굴곡부(129)가 형성되지 않은 게이트 신호선(120)부분의 평면적은 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.In the present embodiment, the
스트라이프 형상을 갖는 데이터 신호선(130)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 데이터 신호선(130)은 제 1 절연막(125)의 하부에 배치된 게이트 신호선(120)과 교차한다.The
본 실시예에서는, 데이터 신호선(130)은 제 1 방향과 실질적으로 직교하는 제 2 방향으로 연장된다. 데이터 신호선(130)에는, 평면상에서 보았을 때, 적어도 일부에 굴곡부(137)가 형성된다.
In the present embodiment, the
이하, 상호 인접하는 한 쌍의 데이터 신호선(130)들 및 상호 인접하는 한 쌍의 게이트 신호선(120)들에 의하여 둘러싸인 영역을 화소 영역이라 정의하기로 한다.Hereinafter, an area surrounded by a pair of adjacent
유기막(140)은, 제 1 절연막(125) 상에 배치되어, 박막 트랜지스터(110), 게이트 신호선(120)및 데이터 신호선(130)을 덮는다. 유기막(140)의 상면에는 오목부(141) 및 볼록부(143)를 갖는 엠보싱부가 형성되고, 유기막(140)에는 드레인 전극(115)을 노출시키는 제 1 개구(145)가 형성된다. The
유기막(143)에는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene ; BCB), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 또는 감광성 아크릴계 수지(photo acrylic resin)와 같이 낮은 유전율을 갖는 유기물을 사용하는 것이 바람직하다.For the
화소 전극(150)은 유기막(140) 상에 배치되며, 화소 전극(150)은 정의된 각화소 영역 내에 배치된다. 화소 전극(150)은 투명 전극(151) 및 투명 전극(151) 상에 배치되는 반사 전극(156)을 포함한다.The
투명 전극(151)은 제 1 개구(145)에 의하여 노출된 드레인 전극(115)에 전기적으로 연결된다. 드레인 전극(115)에 전기적으로 연결된 투명 전극(151)에는 데이터 신호선(130)을 통하여 데이터 신호가 인가된다. 투명 전극(151)을 이루는 물질의 예로는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO), 산화 아연(Zinc Oxide, ZO)과 같은 투명성 도전 물질 등을 들 수 있다.The
반사 전극(156)은, 예를 들어, 투명 전극 상에 소정 영역에 배치된다. 이와 다르게, 반사 전극(156)은 투명 전극(151) 및 유기막(140)의 사이에 개재될 수 있다. 반사 전극은 화소 영역의 일부에 형성되고, 이하, 화소 영역 중 반사 전극(156)이 형성된 영역을 반사 영역이라 정의하기로 한다. 또한, 반사 영역을 제외한 나머지 영역은 투과 영역으로 정의하기로 한다.The
반사 전극(156)을 이루는 물질의 예로서 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 은(Ag) 및 은 합금(Ag alloy)과 같은 금속 등을 들 수 있다. Examples of the material forming the
반사 전극(156)은 유기막(140)의 상부에 형성된 엠보싱부의 요철 형상에 대응하는 요철을 갖는다. 요철을 갖는 반사 전극(156)은 외부로부터 입사되는 입사광을 산란 또는 확산시켜 반사 전극(156)으로부터 반사되는 광의 휘도 균일성을 보다 향상시킨다. 또한, 에에 대한 향상된 반사율을 갖는다. 또한, 엠보싱부와 실질적으로 동일한 형상을 갖는 반사 전극에서의 광 반사율은 엠보싱부와 동일하지 않은 형상을 갖는 반사 전극의 광 반사율보다 높다. 따라서, 반사 전극(156)의 형상은 엠보싱부와 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하다. 평면상에서 보았을 때 반사 전극의 주변부의 형상이 엠보싱부와 동일하도록 할 경우, 반사 전극(157)의 주변부는 요철 형상을 갖는다.The
반사 전극(156)의 주변부(157)가 데이터 신호선(130)과 중첩될 경우, 반사 전극 및 데이터 신호선(130) 사이에 기생 커패시턴스가 발생될 수 있음으로 데이터 신호선(130)의 굴곡부(137)의 형상 및 반사 전극의 요철의 형상은 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다. 주변부(157)와 굴곡부(137)를 상호 중첩되지 않도록 형성함으로써, 데이터 신호선(130), 반사 전극(156) 및 유기막(140) 사이에 기생 커패시 턴스(parasite capacitance)의 발생을 크게 감소시킬 수 있다.When the peripheral portion 157 of the
또한, 반사 전극(156)은 게이트 신호선(120)의 굴곡부(129)에 대응하는 주변부(159)를 갖는다. 반사 전극(156)의 주변부(159)와 데이터 신호선(130)의 굴곡부(129)를 상호 중첩되지 않도록 형성함으로써, 게이트 신호선(120), 반사 전극(156) 및 유기막(140) 사이에 기생 커패시턴스(parasite capacitance)의 발생을 크게 감소시킬 수 있다. In addition, the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 기판을 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시한 표시 기판을 Ⅱ~Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다. 본 실시예에 따른 표시 기판 중 도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호 및 명칭을 부여하기로 한다.3 is a plan view illustrating a display substrate according to another exemplary embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view of the display substrate illustrated in FIG. 3 taken along the line II to II ′. The same reference numerals and names will be given to the same components as the display substrates shown in FIGS. 1 and 2 among the display substrates according to the present exemplary embodiment.
도 3 및 도 4들을 참조하면, 표시 기판(100)은 박막 트랜지스터(110), 게이트 신호선(120), 데이터 신호선(130), 유기막(140) 및 화소 전극(150)을 포함한다.3 and 4, the
박막 트랜지스터(110)는 기판(105) 상에 배치된다. 박막 트랜지스터(110)는 지정된 타이밍에 구동 신호를 출력한다. 박막 트랜지스터(110)는 게이트 전극(112), 제 1 절연막(125), 채널층(127), 소오스 전극(113) 및 드레인 전극(115)을 포함한다.The
게이트 전극(112)은 기판(105) 상에 형성된다. 게이트 전극(112)으로는 게이트 구동신호가 인가되고, 게이트 구동신호는 게이트 신호선(120)을 통하여 인가된다.The
제 1 절연막(125)은 게이트 전극(112)을 덮고, 기판(105)의 전면적에 걸쳐 형성된다. 제 1 절연막(125)을 이루는 물질의 예로는 광을 투과시킬 수 있는 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 절연물 등을 들 수 있다.The first insulating
채널층(127)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 채널층(127)은 게이트 전극(112)에 대응하여 형성된다. 채널층(127)은 제 1 반도체층을 포함한다. 제 1 반도체층은, 예를 들면, 아몰퍼스 실리콘 박막(amorphous silicon film)이다. 이와 다르게, 채널층(127)은 제 1 반도체층 및 제 1 반도체층 상에 배치되는 제 2 반도체층을 포함할 수 있다. 제 1 반도체층은, 예를 들면, 아몰퍼스 실리콘 박막(amorphous silicon film)이다. 제 2 반도체층을 이루는 물질은 아몰퍼스 실리콘 및 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 제 2 반도체층은 한 쌍이 상호 이격된다.The channel layer 127 is disposed on the first insulating
소오스 전극(113)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 소오스 전극(113)의 일부는 채널층(127) 상에 전기적으로 연결된다. The
드레인 전극(115)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 드레인 전극(115)의 일부는 채널층(127)에 전기적으로 연결된다. 드레인 전극(115) 및 소오스 전극(113)은 상호 일정 간격 이격된다. 소오스 전극(113) 및 드레인 전극(115)을 이루는 물질의 예로는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu),몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 이들의 합금과 같은 도전성 금속 등을 들 수 있다.The
게이트 신호선(120)은 기판(105) 상에 배치된다. 게이트 신호선(120)은 게이트 전극(112)에 전기적으로 연결되고, 게이트 신호를 게이트 전극(112)에 인가한다. The
본 실시예에서는, 게이트 전극(112)에 전기적으로 연결된 게이트 신호선 (120)은 게이트 전극(112)과 동일한 평면상에 배치되고, 스트라이프 형상을 갖는다. 스트라이프 형상을 갖는 게이트 전극은 제 1 방향으로 연장된다. 게이트 신호선(120)에는, 평면상에서 보았을 때, 적어도 일부에 굴곡부(129)가 형성된다.In this embodiment, the
스트라이프 형상을 갖는 데이터 신호선(130)은 제 1 절연막(125) 상에 배치된다. 데이터 신호선(130)은 제 1 절연막의 하부에 배치된 게이트 신호선(120)과 교차한다.The data signal
본 실시예에서는, 데이터 신호선(130)은 제 2 방향으로 연장된다. 데이터 신호선(130)의 전체에는, 평면상에서 보았을 때, 굴곡부(139)가 형성된다.In the present embodiment, the data signal
유기막(140)은, 제 1 절연막(125) 상에 배치되어 박막 트랜지스터(110), 게이트 신호선(120)및 데이터 신호선(130)을 덮는다. 유기막(140)의 상면에는 오목부(141)와 볼록부(143)를 갖는 엠보싱부가 형성되고, 유기막(140)에는 드레인 전극(115)을 노출시키는 제 1 개구(145)가 형성된다. The
유기막(143)에는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene ; BCB), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 또는 감광성 아크릴계 수지(photo acrylic resin)와 같이 낮은 유전율을 갖는 유기물 등을 사용하는 것이 바람직하다.For the
화소 전극(150)은 유기막 상에 배치되며, 화소 전극(150)은 정의된 각 화소 영역 내에 배치된다. 화소 전극(150)은 투명 전극(151) 및 투명 전극(151) 상에 배치되는 반사 전극(156)을 포함한다.The
투명 전극(151)은 제 1 개구(145)에 의하여 노출된 드레인 전극(115)에 전기 적으로 연결된다. 드레인 전극(115)에 전기적으로 연결된 투명 전극(151)에는 데이터 신호선(130)을 통하여 데이터 신호가 인가된다. 투명 전극(151)은 유기막(143)의 엠보싱 패턴에 대응하여 볼록부와 오목부를 갖는 엠보싱 패턴으로 형성된다. The
투명 전극(151)을 이루는 물질의 예로는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO), 산화 아연(Zinc Oxide, ZO)과 같은 투명성 도전 물질 등을 들 수 있다.Examples of the material forming the
반사 전극은 투명 전극(151) 상에 배치된다. 이와 다르게, 반사 전극(156)은 투명 전극(151) 및 유기막(140)의 사이에 개재될 수 있다. 반사 전극은 메쉬 형상을 갖는다. 반사 전극을 이루는 물질의 예로서 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 은(Ag) 및 은 합금(Ag alloy)과 같은 금속 등을 들 수 있다. The reflective electrode is disposed on the
본 실시예에서, 반사 전극(156)은 투명 전극의 오목부에 형성된다. 따라서, 투명 전극(151)의 오목부에 형성된 반사 전극(156)은 외부로부터 입사되어 외부광을 반사시키고, 투명 전극(151)의 볼록부는 기판(105)의 배면에서 입사되는 내부광을 투과시킨다.In this embodiment, the
이와 다르게, 반사 전극(156)은 투명 전극(151)의 볼록부에 형성될 수 있다. 따라서, 투명 전극(151)의 볼록부에 형성된 반사 전극(156)은 외부로부터 입사되는 외부광을 반사시키고, 투명 전극(151)의 오목부는 표시 기판(100)의 배면에서 입사되는 내부광을 투과시킨다Alternatively, the
폐쇄된 메쉬 형상의 반사 전극의 반사율은 개방된 메쉬 형상의 반사 전극의 반사율보다 높다. 따라서, 화소 영역의 주변부에 폐쇄된 메쉬 형상를 구비한 반사 전극(156)을 형성하기 위하여, 반사 전극(156)은 평면상에 보았을 때 불균일한 주변부(157)를 갖는다.The reflectance of the closed mesh shaped reflective electrode is higher than that of the open mesh shaped reflective electrode. Thus, in order to form the
반사 전극(156)의 주변부(157)가 데이터 신호선(130)과 중첩될 경우, 반사 전극(156) 및 데이터 신호선(130) 사이에 기생 커패시턴스가 발생될 수 있음으로 데이터 신호선(130)의 굴곡부(137의 형상 및 반사 전극의 형상을 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다. 주변부(157)와 굴곡부(137)를 상호 중첩되지 않도록 형성함으로써, 데이터 신호선(130), 반사 전극(156) 및 유기막(140) 사이에 기생 커패시턴스(parasite capacitance)의 발생이 억제된다.When the peripheral portion 157 of the
또한, 반사 전극(156)은 게이트 신호선(120)의 굴곡부(129)에 대응하는 주변부(159)를 갖는다. 주변부(129)와 굴곡부(159)를 상호 중첩되지 않도록 형성함으로써, 게이트 신호선(120), 반사 전극(156) 및 유기막(140) 사이에 기생 커패시턴스(parasite capacitance)의 발생이 억제된다. In addition, the
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 완전한 형태를 갖는 반사 전극 및 반사 전극의 주변부에 대응하는 굴곡부를 갖는 데이터 신호선을 형성함으로써, 외부로부터 입사되는 입사광에 대한 반사율을 향상시키고, 나아가 반사 전극 및 데이터 신호선 간의 기생 커패시턴스 발생을 억제하여 영상의 표시 품질이 향상된다.As described in detail above, according to the present invention, by forming a data signal line having a reflective electrode having a perfect shape and a bent portion corresponding to the periphery of the reflective electrode, the reflectance of incident light incident from the outside is improved, and the reflective electrode is further improved. And parasitic capacitance between the data signal lines is suppressed to improve display quality of the image.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described below. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
Claims (6)
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2005
- 2005-01-08 KR KR1020050001923A patent/KR20060081280A/en not_active Application Discontinuation
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CN113467144B (en) * | 2021-06-29 | 2024-03-26 | 福州京东方光电科技有限公司 | Display substrate, display panel and display device |
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |