KR20060078319A - Method for fabricating electrophoretic display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마스크 사용 횟수를 줄여 공정을 간소화하기 위한 전기영동 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 적층한 후 상기 게이트 배선에 교차하는 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 상기 드레인 전극과 일체형으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 쉐도우 마스크로 마스킹하여 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 전기영동체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electrophoretic display device for simplifying a process by reducing the number of times of mask use, the method comprising: forming a gate wiring and a gate electrode on a substrate; Forming a pixel electrode integrally connected to the data line, the source / drain electrode, and the drain electrode intersecting the gate line after stacking the metal layer; and forming a passivation layer on the substrate by masking with a shadow mask. And forming an electrophoretic layer on the protective film.

반사형, 전기영동체, 공정간소화Reflective, Electrophoretic, Simplified Process

Description

전기영동 표시장치의 제조방법{Method For Fabricating Electrophoretic Display Device}Manufacturing method of electrophoretic display device {Method For Fabricating Electrophoretic Display Device}

도 1은 종래 기술에 의한 전기영동 표시장치의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of an electrophoretic display device according to the prior art.

도 2는 전압의 온/오프에 따른 구동방법을 나타낸 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing a driving method according to the on / off of the voltage.

도 3은 본 발명에 의한 전기영동 표시장치의 평면도.3 is a plan view of an electrophoretic display device according to the present invention;

도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 단면도.4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 전기영동 표시장치의 공정단면도.5A to 5D are cross-sectional views of the electrophoretic display device according to the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 전기영동 표시장치의 평면도.6 is a plan view of an electrophoretic display according to another exemplary embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

103 : 안료입자 105 : 전기 영동체103: pigment particle 105: electrophoretic body

111 : 기판 112a : 게이트 배선111: substrate 112a: gate wiring

112b : 스토리지 전극 112c : 게이트 패드112b: storage electrode 112c: gate pad

113 : 게이트 절연막 114a : 반도체층113: gate insulating film 114a: semiconductor layer

114b : 오믹콘택층 115a : 소스 전극 114b: ohmic contact layer 115a: source electrode

115b : 드레인 전극 116 : 보호막 115b: drain electrode 116: protective film

117 : 화소전극 120 : 회절마스크117: pixel electrode 120: diffraction mask

150 : 포토레지스트150 photoresist

본 발명은 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: EPD)에 관한 것으로 특히, 최소한의 마스크 사용에 의해 공정 횟수를 감소시키고자 하는 전기영동 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophoretic display device (EPD), and more particularly, to a method of manufacturing an electrophoretic display device for reducing the number of processes by using a minimal mask.

전기영동 표시장치는 전압이 인가되는 한쌍의 전극을 콜로이드 용액에 담그면 콜로이드 입자가 어느 한쪽의 극성으로 이동하는 현상을 이용한 화상표시장치로서, 백라이트를 사용하지 않으며 넓은 시야각, 높은 반사율, 읽기 쉬움 및 저소비전력 등의 특성을 갖는 바, 전기 종이(electric paper)로서 각광 받을 것으로 기대된다. An electrophoretic display is an image display device using a phenomenon in which colloidal particles move to either polarity when a pair of electrodes subjected to voltage is immersed in a colloidal solution. It does not use a backlight and has a wide viewing angle, high reflectance, easy readability, and low consumption. It is expected to be spotlighted as an electric paper because it has characteristics such as electric power.

이와같은 전기영동 표시장치는 2개의 전극 사이에 전기 영동체가 개재된 구조를 가지며, 2개의 전극 중 하나 이상은 투명하여야 이미지를 표시할 수 있다. 이들 전극에 걸쳐 전위를 인가할 경우, 전기 영동체 내의 대전입자가 한 전극 또는 다른 하나의 전극으로 이동하는데, 이것에 의해 뷰잉 시트(viewing sheet) 또는 대향전극을 통하여 이미지를 볼 수 있다. Such an electrophoretic display has a structure in which an electrophoretic body is interposed between two electrodes, and at least one of the two electrodes must be transparent to display an image. When an electric potential is applied across these electrodes, the charged particles in the electrophoretic body move to one electrode or the other, whereby the image can be viewed through a viewing sheet or counter electrode.

이하, 도면을 참고로 하여 전기영동 표시장치를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an electrophoretic display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 의한 전기영동 표시장치의 개략적인 구조를 도시한 단면도이고, 도 2는 전압의 온/오프에 따른 구동방법을 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional electrophoretic display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a driving method according to on / off of a voltage.                         

전기영동 표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 대향전극(11)이 형성된 상부기판(1)과 화소전극(12)이 형성된 하부기판(2)이 대향 배치되고, 상기 두 기판 사이에 전기 영동체(5)가 개재된 구조를 가진다. In the electrophoretic display, as shown in FIG. 1, an upper substrate 1 on which the counter electrode 11 is formed and a lower substrate 2 on which the pixel electrode 12 are formed are disposed to face each other, and the electrophoretic display is disposed between the two substrates. It has a structure in which the moving body 5 is interposed.

이 때, 상기 상,하부 기판(1,2)은 얇고, 플렉서블(flexible)한 필름을 재료로 형성되고, 상기 대향전극(11)은 투명한 도전물질을 재료로 형성되며, 상기 화소전극(12)은 고반사율의 금속 일예로 알루미늄, 구리 등을 재료로 형성된다. In this case, the upper and lower substrates 1 and 2 are formed of a thin, flexible film, and the counter electrode 11 is formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 12 Silver is a metal having high reflectance, for example, aluminum, copper, or the like.

그리고, 상기 전기영동체(5)는 전하를 띤 안료입자(charged pigment particles, 3)들을 포함한 솔벤트(solvent, 4)로 구성되며, 코아서베이션(coacervation) 방법에 의해 마이크로 캡슐로 만드는데, 상기 전기 영동체(5)를 바인더(binder, 6)에 혼합하여 베이스 필름에 코팅(coating) 또는 라미네이팅(laminating)시켜 형성한다.The electrophoretic body 5 is composed of a solvent 4 including charged pigment particles 3 and is made into a microcapsule by a coacervation method. The sieve 5 is mixed with a binder 6 and formed by coating or laminating the base film.

이 때, 안료입자(3)는 서로 다른 색상으로 착색될 수 있는데, B,W(Black, White) 또는 R,G,B(Red, Green, Blue)의 안료를 첨가하여 이미지 색상이 표현되도록 한다. 그리고, 솔벤트(4)와 바인더(6)는 투명한 물질로 형성하여 빛이 통과할 수 있게 한다. At this time, the pigment particles (3) can be colored in different colors, by adding a pigment of B, W (Black, White) or R, G, B (Red, Green, Blue) to express the image color . The solvent 4 and the binder 6 are formed of a transparent material to allow light to pass therethrough.

상기의 전기 영동체(5)는 안료입자(3)들이 캡슐막에 둘러싸여 있기 때문에 인접 픽셀의 필드에 의해 안료입자들이 원하지 않는 방향으로 이동하는 것을 억제할 수 있어 보다 나은 화질을 구현할 수 있다. 이 때, 인접한 픽셀 사이에 격벽을 더 구비하여 기생 필드를 완전 차단할 수 있다. Since the electrophoretic body 5 is surrounded by the capsule film, the pigment particles 3 can suppress the movement of the pigment particles in an undesired direction by a field of adjacent pixels, thereby realizing better image quality. In this case, a partition wall may be further provided between adjacent pixels to completely block the parasitic field.

이러한, 전기영동 표시장치는, 상기 대향전극(11) 및 화소전극(12)에 직류전 압이 인가될 때, 전하를 띤 안료입자(3)들이 그 극성과 반대되는 극성을 띤 전극으로 이동되어, 상기 안료입자(3)들에 의한 빛의 반사에 따라 소정의 화상을 표시하게 된다. 한편, 상기 안료입자(3)들의 극성을 바꾸면 반대 극성을 띠는 전극쪽으로 이동하게 되며, 또다른 화상을 표시하게 된다. In the electrophoretic display, when direct current voltage is applied to the counter electrode 11 and the pixel electrode 12, the charged pigment particles 3 are moved to an electrode having a polarity opposite to the polarity thereof. In addition, a predetermined image is displayed according to the reflection of light by the pigment particles 3. On the other hand, changing the polarity of the pigment particles (3) is moved to the electrode having the opposite polarity, and displays another image.

도 2를 참고로 하여 전압의 온/오프에 따른 전기영동 표시장치의 구동방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. 다만, 흑색의 안료입자는 정(+)으로 대전되고, 백색의 안료입자는 부(-)로 대전된 것으로 한다. 물론, 이와 반대로 부(-)로 대전된 흑색 안료입자와 정(+)으로 대전된 백색 안료입자를 사용하여도 무관하다. Referring to FIG. 2, a method of driving an electrophoretic display device according to on / off of a voltage will be described in detail. However, black pigment particles are positively charged and white pigment particles are negatively charged. Of course, negatively charged black pigment particles and positively charged white pigment particles may also be used.

도 2(a)는 화소전극(12)에 중간치 전압을 인가했을 때의 흑색 안료입자(+)와 백색 안료입자(-)의 분포도를 나타낸 것이고, 도 2(b)는 제 2 대향전극(12)에 정(+) 전압을 인가했을 때의 흑색 안료입자(+)와 백색 안료입자(-)의 분포도를 나타낸 것이며, 도 2(c)는 제 2 대향전극(12)에 부(-) 전압을 인가했을 때의 흑색 안료입자(+)와 백색 안료입자(-)의 분포도를 나타낸 것이다.FIG. 2A illustrates a distribution diagram of black pigment particles (+) and white pigment particles (−) when an intermediate voltage is applied to the pixel electrode 12, and FIG. 2B illustrates a second counter electrode 12. FIG. 2 (c) shows a distribution diagram of black pigment particles (+) and white pigment particles (-) when a positive voltage is applied to (). FIG. 2 (c) shows a negative voltage at the second counter electrode 12. The distribution of black pigment particles (+) and white pigment particles (-) when is applied is shown.

이와같이, 화소전극(12)에 부(-) 전압을 인가하면, 흑색 안료입자(+)들이 하강하고 백색 안료입자(-)들이 상승하여 상부기판(1) 측에 백색(W)이 관찰되고, 화소전극(12)에 정(+) 전압을 인가하면, 백색 안료입자(-)들이 하강하고 흑색 안료입자(+)들이 상승하여 상부기판(1) 측에서 흑색(B)이 관찰된다. 그리고, 화소전극(12)에 소정의 전압을 인가하여 흑,백색 안료입자의 분포를 적정히 조절하면 상부기판(1) 측에서 그레이 색상(G)이 관찰된다. As such, when a negative voltage is applied to the pixel electrode 12, the black pigment particles (+) are lowered and the white pigment particles (-) are raised, so that white (W) is observed on the upper substrate 1 side. When a positive voltage is applied to the pixel electrode 12, the white pigment particles (−) are lowered and the black pigment particles (+) are raised, so that black (B) is observed on the upper substrate 1 side. Then, when a predetermined voltage is applied to the pixel electrode 12 to properly adjust the distribution of the black and white pigment particles, the gray color G is observed on the upper substrate 1 side.

이러한 구동방법을 기본으로, 복수개의 화소 각각에 이미지 데이터에 따라 부(-) 전압 또는 정(+) 전압을 인가한다. 이때, 복수개의 화소 각각에 박막트랜지스터를 구비하여 능동적으로 화소전극(12)에 인가되는 전압치를 조절할 수 있다. 따라서, 인가 전압의 극성을 각 화소마다 제어함으로써, 다양한 화상을 표시할 수 있다. Based on this driving method, a negative voltage or a positive voltage is applied to each of the plurality of pixels according to the image data. In this case, a thin film transistor may be provided in each of the plurality of pixels to actively adjust a voltage value applied to the pixel electrode 12. Therefore, various images can be displayed by controlling the polarity of the applied voltage for each pixel.

도시하지는 않았으나, 상기 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)는, 각 화소를 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 서로 교차하는 지점에 형성되고, 상기 화소전극에 연결되어 해당되는 극성의 전압을 인가한다. Although not shown, the thin film transistor (TFT) is formed at a point where a gate line and a data line defining each pixel cross each other, and are connected to the pixel electrode to apply a voltage having a corresponding polarity.

한편, 상부기판(1)에 형성되는 대향전극(11)은 화소전극(12)에 상응하는 크기로 각 화소에 형성하여 상기 화소전극(12)과 반대되는 극성의 전압을 인가할 수 있고 또는, 각 화소마다 독립된 패턴으로 형성하지 아니하고 일체형으로 형성하여 그라운드 전압과 같은 일정한 값의 전압을 인가할 수도 있다. On the other hand, the counter electrode 11 formed on the upper substrate 1 may be formed in each pixel with a size corresponding to the pixel electrode 12 to apply a voltage having a polarity opposite to the pixel electrode 12, or Instead of forming an independent pattern for each pixel, the pixels may be integrally formed to apply a constant voltage such as ground voltage.

그러나, 종래 기술에 의한 전기영동표시장치는 다음과 같은 문제점이 있다. However, the electrophoretic display device according to the prior art has the following problems.

즉, 각 화소에 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 능동 매트릭스형 전기영동 표시장치를 형성하기 위해서는, 다양한 패턴을 형성하기 위해 많은 포토공정을 수행하여야 하는데, 포토공정의 횟수에 비례하여 공정단가가 상승하고 공정 에러의 우려도 높아지므로 공정을 간소화하는 작업이 요구된다. 특히, 포토식각기술 과정중에서, 노광 공정에 사용되는 노광장비(포토 마스크)의 단가가 높아 노광공정을 줄이는 것이 중요하다. That is, in order to form an active matrix type electrophoretic display device including a thin film transistor as a switching element in each pixel, many photo processes need to be performed to form various patterns, and the process cost increases in proportion to the number of photo processes. In addition, there is a high risk of process error, and therefore, a process for simplifying the process is required. In particular, during the photolithography process, it is important to reduce the exposure process due to the high cost of the exposure equipment (photomask) used in the exposure process.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 포토공정을 수행 하기 위한 마스크 사용 횟수를 줄여 공정을 간소화하고자 하는 전기영동 표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrophoretic display device, which is intended to simplify the process by reducing the number of masks used to perform the photo process.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전기영동 표시장치의 제조방법은 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 적층한 후 상기 게이트 배선에 교차하는 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 상기 드레인 전극과 일체형으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 쉐도우 마스크로 마스킹하여 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 전기영동체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a method of manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention includes forming a gate wiring and a gate electrode on a substrate, and laminating a gate insulating film, a semiconductor layer, and a metal layer on the entire surface including the gate wiring. And forming a pixel electrode integrally connected to the data line, the source / drain electrode, and the drain electrode crossing the gate wiring, forming a protective film by masking a shadow mask on the substrate, and forming a protective film on the protective film. It characterized in that it comprises a step of forming an electrophoretic layer on.

이 때, 회절 마스크를 이용한 포토식각공정으로 반도체층 및 데이터 배선층을 동시에 형성함으로써 포토 마스크 수를 1회 줄이고, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 보호막을 형성함으로써 포토 마스크 수를 1회 더 줄이며, 화소전극을 데이터 배선층과 동시에 형성함으로써 포토 마스크 수를 1회 더 줄이는 것을 특징으로 한다. At this time, the number of photo masks is reduced by one time by simultaneously forming a semiconductor layer and a data wiring layer by a photo-etching process using a diffraction mask, and the number of photo masks is further reduced by forming a protective film by using a shadow mask. The number of photo masks is further reduced by forming the pixel electrode at the same time as the data wiring layer.

즉, 본 발명에 의한 전기영동 표시장치는 게이트 배선층을 형성하는 단계와 반도체층 및 데이터 배선층을 형성하는 단계에서 포토 마스크를 사용하는 것으로, 최소 2번의 포토 마스크(이하, '마스크'라 함)를 사용하여 소자를 완성하는바, 마스크의 사용 횟수를 줄여 제조원가를 절감하고 공정 시간을 대폭 줄일 수 있다. That is, the electrophoretic display device according to the present invention uses a photo mask in forming a gate wiring layer and forming a semiconductor layer and a data wiring layer, and at least two photo masks (hereinafter referred to as 'masks') are used. By using the device to complete the device, the number of masks used can be reduced, thereby reducing the manufacturing cost and significantly reducing the processing time.

한편, 본 발명의 또다른 목적을 달성하기 위한 전기영동 표시장치의 제조방 법은 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막 및 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 금속층을 형성한 후 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 상기 드레인 전극과 일체형으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 쉐도우 마스크로 마스킹하여 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 전기영동체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. Meanwhile, a method of manufacturing an electrophoretic display device for achieving another object of the present invention includes forming a gate wiring and a gate electrode on a substrate, and forming a gate insulating film and a semiconductor layer on the entire surface including the gate wiring. Forming a metal layer on the substrate, and forming a pixel electrode integrally connected to the data line, the source / drain electrode, and the drain electrode, and forming a protective layer on the substrate by masking with a shadow mask. And forming an electrophoretic layer on the protective film.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 전기영동 표시장치의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 전기영동 표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 단면도이며, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 전기영동 표시장치의 공정단면도이다.3 is a plan view of the electrophoretic display device according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3, and FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views of the electrophoretic display device according to the present invention.

그리고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 전기영동 표시장치의 평면도이다.6 is a plan view of an electrophoretic display according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 의한 전기영동 표시장치에는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수개의 박막트랜지스터를 능동적으로 구동하기 위한 각종 신호를 전달하는 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)이 형성되는데, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선은 화소를 정의하기 위해 서로 교차 배치된다. 상기 게이트 배선에는 주사신호가 전달되고, 데이터 배선에는 이미지 데이터 신호가 전달된다.In the electrophoretic display device according to the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, a gate line 112 and a data line 115 for transmitting various signals for actively driving a plurality of thin film transistors are formed. The gate lines and the data lines cross each other to define a pixel. The scan signal is transmitted to the gate wiring, and the image data signal is transferred to the data wiring.

상기 두 배선에 의해 정의된 각 화소내에는 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(117)이 구비되며, 각 박막트랜지스터는 두 배선의 교차지점에 구비되어 상기 화소 전극에 인가되는 전압의 극성을 제어한다. A thin film transistor (TFT) and a pixel electrode 117 are provided in each pixel defined by the two wirings, and each thin film transistor is provided at an intersection point of the two wirings to control the polarity of the voltage applied to the pixel electrode. .

상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선(112)에서 분기된 게이트 전극(112a)과, 상기 게이트 전극(112a) 상부에 형성된 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 전극(112a) 상부에 적층된 반도체층(114a) 및 오믹콘택층(114b)과, 상기 데이터 배선(115)에서 분기되어 상기 반도체층(114a) 상부에 형성된 소스/드레인 전극(115a, 115b)으로 구성되는데, 상기 드레인 전극(115b)은 상기 화소전극(117)과 일체형으로 형성된다. The thin film transistor includes a gate electrode 112a branched from the gate line 112, a gate insulating layer 113 formed on the gate electrode 112a, and a semiconductor layer 114a stacked on the gate electrode 112a. ) And an ohmic contact layer 114b and source / drain electrodes 115a and 115b branched from the data line 115 and formed on the semiconductor layer 114a. The drain electrode 115b includes the pixel. It is formed integrally with the electrode 117.

이 때, 상기 반도체층(114a), 오믹콘택층(114b) 및 소스/드레인 전극(115a, 115b)은 회절노광법에 의해 1회의 포토 공정으로 일괄적으로 형성할 수 있으므로 공정횟수가 줄어들고, 상기 데이터 배선, 소스/드레인 전극(115a, 115b) 및 화소전극(117) 하측에는 반도체층(114a) 및 오믹콘택층(114b)이 적층되게 된다. 물론, 반도체층(114a) 및 오믹콘택층(114b) 패터닝 공정과 소스/드레인 전극(115a, 115b) 패터닝 공정을 서로 다른 포토식각공정에 의해 형성할 수도 있을 것이다. In this case, since the semiconductor layer 114a, the ohmic contact layer 114b and the source / drain electrodes 115a and 115b may be collectively formed by one photo process by diffraction exposure method, the number of processes may be reduced. The semiconductor layer 114a and the ohmic contact layer 114b are stacked below the data line, the source / drain electrodes 115a and 115b and the pixel electrode 117. Of course, the patterning process of the semiconductor layer 114a and the ohmic contact layer 114b and the patterning process of the source / drain electrodes 115a and 115b may be formed by different photo etching processes.

상기 화소전극(117) 하부에는 스토리지 전극(112b)을 더 구비하여 스토리지 커패시턴스를 구성하는데, 상기 스토리지 전극(112b)은 상기 게이트 전극(112a)과 동시에 형성한다.A storage electrode 112b is further provided below the pixel electrode 117 to form a storage capacitance. The storage electrode 112b is formed at the same time as the gate electrode 112a.

그리고, 상기 데이터 배선층을 포함한 전면에는 보호막(116)을 형성하는데, 게이트 배선 및 데이터 배선 끝단에 각각 형성되는 게이트 패드(112c) 및 데이터 패드(115c)가 외부로 노출되도록 당해 영역을 쉐도우 마스크로 마스킹한 후 보호막(116)을 형성한다. 따라서, 보호막(116) 형성시 포토 마스크를 사용하지 않아도 된 다. In addition, a passivation layer 116 is formed on the entire surface including the data wiring layer, and the region is masked with a shadow mask so that the gate pad 112c and the data pad 115c respectively formed at the ends of the gate wiring and the data wiring are exposed to the outside. After that, a protective film 116 is formed. Therefore, it is not necessary to use a photo mask when forming the protective film 116.

상기 보호막(116) 상에는 전기 영동체(105)가 형성되는데, 베이스 필름, 전기영동체 및 접착필름으로 구성되는 필름을 보호막(116) 상에 부착하여 형성하거나 또는 전기영동체 및 바인더로 구성되는 물질을 보호막 상에 도포하고 경화하여 형성한다. An electrophoretic body 105 is formed on the passivation layer 116. A film made of a base film, an electrophoretic body, and an adhesive film is attached to the passivation layer 116, or a material made of an electrophoretic body and a binder is formed on the passivation layer. It is apply | coated on top and hardened and formed.

구체적으로, 상기 전기영동체(105)는 직경 약 100μm 이하 정도의 크기를 가지는 마이크로 캡슐로서, 전기 영동체(105) 내부에는 대전된 안료입자 이외에도 용매 역할을 하는 고분자 물질이 더 첨가된다. 상기 전기 영동체(105)의 개수는 단위 픽셀 크기에 따라 달라질 수 있다.Specifically, the electrophoretic body 105 is a microcapsule having a size of about 100 μm or less in diameter, and in addition to the charged pigment particles, the electrophoretic body 105 further includes a polymer material that serves as a solvent. The number of electrophoretic bodies 105 may vary depending on the unit pixel size.

이와같이, 전기 영동체(105)는 흑색 및 백색의 색상을 띄는 이온성 물질의 안료입자를 서로 섞어 캡슐화시켜 형성한 것으로, 정(+)으로 대전된 흑색 안료입자들과 부(-)로 대전된 백색 안료입자들을 반반씩 썩어서 캡슐화하거나 또는 그 반대로 대전시켜 캡슐화한다. 즉, 하나의 전기 영동체(105) 내부에 구비되는 서로 다른 색상의 안료입자는 서로 다른 전극으로 대전된다. As described above, the electrophoretic body 105 is formed by mixing and encapsulating pigment particles of ionic materials having black and white colors, and negatively charged black pigment particles charged with positive (+). The white pigment particles are encapsulated by rotting in half and encapsulated or vice versa. That is, pigment particles of different colors provided in one electrophoretic body 105 are charged with different electrodes.

이와 같은 구성의 전기영동체(105)에 전계를 인가하면, 색상이 상이한 안료입자가 서로 반대의 방향으로 이동하여 하나의 전기 영동체(105) 내부가 서로 다른 색상의 2영역으로 나뉜다. 즉, 화소전극(117)에 정(+)의 전계를 걸어주면 정(+)의 흑색 안료입자는 상승하고 부(-)의 백색 입자는 하강하여 외부광이 흑색 안료입자에 의해 반사되어 관찰자가 흑색의 이미지를 보게 되고, 화소전극에 부(-)의 전계를 걸어주면 정(+)의 흑색 안료입자는 하강하고 부(-)의 백색 안료입자는 상승하여 외부광이 백색 안료입자에 의해 반사되어 관찰자가 백색의 이미지를 보게 된다. 이 때, 화소전극에 임의의 전계를 걸어주면 그에 따라 흑색 안료입자와 백색 안료입자가 상하로 배치되어 그 분포에 따라 그레이 색상이 관찰된다. When an electric field is applied to the electrophoretic body 105 configured as described above, pigment particles having different colors move in opposite directions, and the inside of the electrophoretic body 105 is divided into two regions having different colors. In other words, when a positive electric field is applied to the pixel electrode 117, positive black pigment particles rise, negative white particles fall, and external light is reflected by the black pigment particles, causing the observer to When you see a black image and apply a negative electric field to the pixel electrode, the positive black pigment particles fall and the negative white pigment particles rise, so that external light is reflected by the white pigment particles. The viewer sees a white image. At this time, when an arbitrary electric field is applied to the pixel electrode, black pigment particles and white pigment particles are arranged up and down, and gray color is observed according to the distribution thereof.

이와같이, 백색 및 흑색으로만 착색된 안료입자를 사용하게 되면 흑백의 이미지만 표현되므로, 컬러이미지를 표현하기 위해 상기 전기영동체층 상부에 R,G,B의 컬러필터층을 더 형성할 수도 있다. As such, when the pigment particles colored only in white and black are used, only black and white images are expressed, and thus, color filter layers of R, G, and B may be further formed on the electrophoretic layer to express color images.

한편, 도시하지는 않았으나, 상기 전기영동체 내부의 안료입자 배치를 보다 명확하게 하기 위하여, 상기 전기영동체 상부에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 재질의 대향전극을 더 형성할 수 있다. Although not shown, in order to clarify the arrangement of pigment particles inside the electrophoretic body, an opposing electrode made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) may be further formed on the electrophoretic body.

상기 대향전극은 상기 화소전극(117)에 상응하는 크기로 형성하여 상기 화소전극(117)과 반대되는 극성의 전압을 인가하거나 또는 일체형으로 형성하여 그라운드 전압과 같은 일정한 값의 전압을 인가할 수도 있다. The counter electrode may be formed to have a size corresponding to that of the pixel electrode 117 to apply a voltage having a polarity opposite to that of the pixel electrode 117 or to be integrally formed to apply a voltage having a constant value such as a ground voltage. .

상기와 같이, 전기영동체(105) 상에 대향전극을 추가로 형성하는 경우에는, 상기 대향전극을 외부와 절연시키기 위해 대향전극 상부에 투명한 절연기판을 더 구비한다. As described above, when the counter electrode is further formed on the electrophoretic body 105, a transparent insulating substrate is further provided on the counter electrode to insulate the counter electrode from the outside.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 전기영동 표시장치에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an electrophoretic display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(111) 상에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 저저항 도전물질을 스퍼터링 방법으로 증착한 후 , 포토식각기술을 이용하여 복수개의 게이트 배선(도시하지 않음), 게이트 전극(112a), 스토리지 전극(112b) 및 게이트 패드(112c)를 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, copper (Cu), aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), tin (Sn), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and titanium (Ti) on the substrate 111. ), And a low resistance conductive material such as tantalum (Ta) and molybdenum-tungsten (MoW) are deposited by a sputtering method, and then a plurality of gate wirings (not shown), gate electrodes 112a, and storage using photolithography techniques. The electrode 112b and the gate pad 112c are formed.

상기 게이트 전극(112a)은 TFT 영역에 형성하고, 스토리지 전극(112b)은 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 영역에 형성하고, 게이트 패드(112c)는 액티브 영역의 외곽부에 구동회로가 연결되는 영역에 형성한다. The gate electrode 112a is formed in the TFT region, the storage electrode 112b is formed in the storage capacitor region, and the gate pad 112c is formed in the region where the driving circuit is connected to the outer portion of the active region. do.

다음, 상기 게이트 전극(112a)을 포함한 전면에 절연 내압 특성이 우수한 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx) 등의 무기절연막을 PECVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(113)을 형성한다. Next, an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) having excellent dielectric breakdown voltage is deposited on the entire surface including the gate electrode 112a by PECVD to form a gate insulating film 113.

계속해서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(113) 상부의 전면에 반도체층(114a) 및 오믹콘택층(114b)을 차례로 증착한다. 상기 반도체층(114a)은 비정질 실리콘(a-Si, amorphous silicon)으로 형성하고, 상기 오믹콘택층(Ohmic Contact Layer, 114b)은 비정질 실리콘에 불순물을 이온 주입한 n+a-Si으로 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 5B, the semiconductor layer 114a and the ohmic contact layer 114b are sequentially deposited on the entire surface of the gate insulating layer 113. The semiconductor layer 114a is formed of amorphous silicon (a-Si), and the ohmic contact layer 114b is formed of n + a-Si in which impurities are implanted into the amorphous silicon.

이 때, 상기 게이트 절연막(113), 반도체층(114a) 및 오믹콘택층(114b)을 연속적으로 증착한다. In this case, the gate insulating layer 113, the semiconductor layer 114a and the ohmic contact layer 114b are continuously deposited.

계속하여, 상기 오믹콘택층(114b) 상에 포토 레지스트(Photo Resist)(150)를 도포하고, 상기 포토 레지스트(150)를 패터닝한 다음, 패터닝된 포토레지스트 사이로 노출된 반도체층 및 오믹콘택층을 식각한다. Subsequently, a photoresist 150 is applied on the ohmic contact layer 114b, the photoresist 150 is patterned, and the semiconductor layer and the ohmic contact layer exposed between the patterned photoresist are removed. Etch it.

이후, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 오믹콘택층(114b) 위에 반사특성이 우수한 저저항 금속층(115)을 증착하고 패터닝한다. 상기 저저항 금속층(115)은 외 부 자연광을 잘 반사시킬 수 있는 고반사율 금속 일예로, 알루미늄, 알루미늄 합금, 티타늄 등에서 선택하여 형성한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 5C, a low resistance metal layer 115 having excellent reflection characteristics is deposited and patterned on the ohmic contact layer 114b. The low resistance metal layer 115 is an example of a high reflectance metal that can reflect external natural light well, and is formed by selecting from aluminum, aluminum alloy, titanium, and the like.

이로써, 상기 게이트 배선과 교차하여 단위 화소영역을 정의하는 데이터 배선(도3의 115)과, 상기 게이트 전극(112a) 상부에 형성되는 반도체층(114a)과, 상기 반도체층(114a) 상에 형성되는 오믹콘택층(114b)과, 상기 오믹콘택층(114b) 상에 형성되는 소스/드레인 전극(115a, 115b)과, 상기 데이터 배선 끝단에 구비되는 데이터 패드(도3의 115c)와, 상기 드레인 전극(115b)에 일체형으로 연결되는 화소전극(117)을 동시에 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(115a, 115b) 형성시, 소스 전극(115a)과 드레인 전극(115b) 사이의 오믹콘택층을 오버식각하여 채널영역을 형성한다. 이 경우 도 5b를 거치지 않고 도 5c에 도시된 바와 같이, 형성되게 된다. As a result, a data line (115 in FIG. 3) defining a unit pixel region intersecting the gate line, a semiconductor layer 114a formed on the gate electrode 112a, and a semiconductor layer 114a are formed. The ohmic contact layer 114b, the source / drain electrodes 115a and 115b formed on the ohmic contact layer 114b, the data pad (115c in FIG. 3) provided at the end of the data line, and the drain. The pixel electrode 117 which is integrally connected to the electrode 115b is formed at the same time. When the source / drain electrodes 115a and 115b are formed, the ohmic contact layer between the source electrode 115a and the drain electrode 115b is overetched to form a channel region. In this case, as shown in FIG. 5C without going through FIG. 5B, it is formed.

참고로, 상기에서는 반도체층 및 오믹콘택층을 패터닝한 후 데이터 배선용 물질을 증착하고 데이터 배선, 소스/드레인 전극 및 화소전극을 패터닝하는 과정에 대해 서술하였으나, 이에 한정하지 않고 게이트 절연막, 반도체층, 오믹콘택층, 저저항 금속층을 연속증착한 이후 회절노광으로 상기 패턴들을 일괄 패터닝할 수도 있을 것이다. For reference, the process of depositing a data wiring material after patterning the semiconductor layer and the ohmic contact layer and patterning the data wiring, the source / drain electrode and the pixel electrode has been described, but is not limited thereto. The pattern may be collectively patterned by diffraction exposure after successively depositing an ohmic contact layer and a low resistance metal layer.

구체적으로, 상기 게이트 전극(112a)을 포함한 전면에 게이트 절연막(113), 반도체층(114a), 오믹콘택층(114b) 및 저저항 금속층을 차례로 증착하고, 그 위에 포토 레지스트(Photo Resist)를 도포한 후, 상기 포토 레지스트 상부에 회절마스크를 씌워 UV 또는 x-선 파장에 노출시켜 노광시킨 뒤, 노광된 포토 레지스트를 현상한다. Specifically, the gate insulating film 113, the semiconductor layer 114a, the ohmic contact layer 114b and the low resistance metal layer are sequentially deposited on the entire surface including the gate electrode 112a, and a photoresist is applied thereon. After that, the photoresist is exposed to UV or x-ray wavelengths by exposing a diffraction mask on the photoresist, and then the exposed photoresist is developed.                     

이 때, 상기 포토 레지스트의 패턴이 이중 단차를 가지도록 하기 위해 회절마스크를 사용하는데, 상기 회절 마스크는 데이터 배선, 소스/드레인 전극 및 화소전극이 형성될 부분에서 빛을 차광하는 차광부와, 박막트랜지스터의 채널영역이 형성될 부분(소스 전극과 드레인 전극 사이)에서 빛을 반만 투과하는 반투과부와, 나머지 부분에서 빛을 투과하는 투과부로 구성된다. In this case, a diffraction mask is used to make the pattern of the photoresist have a double step. The diffraction mask includes a light shielding part that shields light at a portion where data lines, source / drain electrodes, and pixel electrodes are to be formed, and a thin film. It consists of a transflective portion that transmits only half of the light at a portion (between the source electrode and the drain electrode) where the channel region of the transistor is to be formed, and a transmissive portion which transmits light at the remaining portion.

따라서, 상기 회절마스크를 이용하여 노광하고 현상하면, 차광부에 상응하는 포토레지스트는 그대로 남아있고, 투과부에 상응하는 포토레지스트는 전부 제거되며, 반투과부에 상응하는 포토레지스트는 차광부에 형성되는 것보다 더 얇은 두께로 남게 된다. 즉, 채널영역에 상응하는 부분의 포토 레지스트가 보다 낮은 단차를 갖는다. Therefore, when exposed and developed using the diffraction mask, the photoresist corresponding to the light shielding portion remains, the photoresist corresponding to the transmission portion is completely removed, and the photoresist corresponding to the transflective portion is formed on the light shielding portion. Thinner than that. That is, the photoresist in the portion corresponding to the channel region has a lower step.

다음, 상기 포토 레지스트 사이로 노출된 저저항 금속층, 비정질 실리콘 및 오믹콘택층을 일괄 식각하여 데이터 라인 및 화소전극을 형성한다. 그리고, 상기 반투과부에 상응하는 낮은 단차의 포토레지스트가 제거될 때까지 상기 포토 레지스트를 에싱(ashing)한다. Next, the low resistance metal layer, the amorphous silicon, and the ohmic contact layer exposed between the photoresist are collectively etched to form a data line and a pixel electrode. Then, the photoresist is ashed until the low stepped photoresist corresponding to the transflective portion is removed.

그리고, 에싱된 포토레지스트 사이로 부분노출된 채널영역의 저저항 금속층과 오믹콘택층을 동시에 식각한다. The low resistance metal layer and the ohmic contact layer of the channel region partially exposed between the photoresist are etched simultaneously.

이와 같은 회절노광법에 의해 반도체층, 데이터 배선 및 화소전극을 일괄 패터닝함으로써 마스크 사용횟수를 저감할 수 있다. By using the diffraction exposure method as described above, the number of times of mask use can be reduced by collectively patterning the semiconductor layer, the data wiring and the pixel electrode.

상기에서와 같이 적층된 게이트전극(112a), 게이트 절연막(113), 반도체층(114a), 오믹콘택층(114b) 및 소스/드레인 전극(115a, 115b)은 단위 화소영역에 인 가되는 전압의 온/오프를 제어하는 박막트랜지스터를 이루고, 상기 화소전극(117)은 상기 스토리지 커패시터 전극(112b)에 오버랩되어 스토리지 커패시턴스를 구성하고, 상기 게이트 패드(112c) 및 데이터 패드(도 3의 115c)가 오픈된다.The gate electrode 112a, the gate insulating layer 113, the semiconductor layer 114a, the ohmic contact layer 114b, and the source / drain electrodes 115a and 115b stacked as described above may have a voltage applied to the unit pixel region. The pixel electrode 117 overlaps the storage capacitor electrode 112b to form a storage capacitance. The gate pad 112c and the data pad 115c of FIG. Open.

다음, 기판 상부에 쉐도우 마스크(도시하지 않음)를 배치한 후 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하거나 BCB(Benzocyclobutene), 포토 아크릴 등의 유기 절연막을 소정 두께로 도포하여, 도 5d에 도시된 바와 같이, 보호막(116)을 형성한다. Next, a shadow mask (not shown) is disposed on the substrate, and an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is deposited, or an organic insulating film such as benzocyclobutene (BCB) or photoacrylic is deposited to a predetermined thickness. By applying, a protective film 116 is formed, as shown in Fig. 5D.

상기 보호막(116)을 유기절연물질로 형성한 경우에는 표면이 평탄해지므로 전기영동체층 형성시 공정이 용이해진다. When the passivation layer 116 is formed of an organic insulating material, the surface becomes flat, thereby facilitating the process of forming the electrophoretic layer.

마지막으로, 상기 보호막(116) 상에 전기영동체(105)를 형성한다. 형성하는 방법은, 전술한 바와 같이, 접착이면지가 부착되어 필름 형태로 제작된 것을 보호막 상에 직접 부착하거나 또는 전기영동체와 바인더로 이루어진 물질을 스핀 코팅(spin coating) 방법, 딥핑(dipping) 방법, 디스펜스(dispense) 방법, 프린팅(printing) 방법, 잉크 젯(ink jet) 방법, 스크린 도포법 등으로 도포한 후 경화하여 형성하는 것이 있다. Finally, the electrophoretic body 105 is formed on the protective film 116. As described above, as described above, the adhesive backing paper is attached and directly formed on the protective film, or a spin coating method, a dipping method, or a material composed of an electrophoretic agent and a binder, The coating may be performed by a dispensing method, a printing method, an ink jet method, a screen coating method, or the like, followed by curing.

이로써, 2회의 포토 마스크를 사용하여 전기영동 표시장치를 완성할 수 있다. Thereby, the electrophoretic display device can be completed by using two photo masks.

참고로, 상기 전기 영동체 상에 컬러 이미지를 나타내기 위한 R,G,B의 컬러필터층을 더 형성하거나 또는 전기영동체 내부의 안료입자의 이동을 보다 분명하게 하기 위해 상기 화소전극에 대향하도록 전기영동체 상부에 대향전극을 더 형성할 수 있다. 대향전극을 형성하는 경우, 대향전극 외측면에 투명절연기판을 더 형성하여 대향전극을 외부와 절연시킨다. For reference, an electrophore may be formed on the electrophoretic body so as to further form a color filter layer of R, G, or B for displaying a color image or to face the pixel electrode in order to more clearly move the pigment particles in the electrophoretic body. The counter electrode may be further formed on the upper portion. When the counter electrode is formed, a transparent insulating substrate is further formed on the outer surface of the counter electrode to insulate the counter electrode from the outside.

한편, 상기에서와 같은 패턴대로 형성하지 아니하고, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 화소에 2개의 박막트랜지스터가 구비되도록 형성할 수도 있는데, 전기영동 표시장치로서는 이 경우가 더 일반적인 패턴형태이다.Meanwhile, as shown in FIG. 6, two thin film transistors may be provided in one pixel, as shown in FIG. 6, which is a more general pattern type as an electrophoretic display device.

즉, 스토리지 커패시턴스를 더욱 확보하기 위해 데이터 배선용 물질을 화소 전영역에 형성하여 커패시터 상부전극으로 사용할 수 있는데, 이경우, 게이트 배선(512)과 동시에 형성된 커패시터 하부전극(512b)과, 데이터 배선(515)과 동시에 형성된 커패시터 상부전극(515b)과, 그 사이에 형성된 게이트 절연막이 스토리지 커패시턴스를 이룬다. 상기 커패시터 상부전극(515b)은 바로 아래에 적층된 반도체층(514)에 의해 전압을 인가받는데, 상기 반도체층(514)은 콘택홀(518)을 통해 화소전극(517)에 연결되어 전압을 인가받는다. That is, in order to further secure storage capacitance, a data wiring material may be formed in the entire pixel area to be used as the capacitor upper electrode. In this case, the capacitor lower electrode 512b and the data wiring 515 formed simultaneously with the gate wiring 512 may be used. And the capacitor upper electrode 515b formed at the same time, and the gate insulating film formed therebetween form a storage capacitance. The capacitor upper electrode 515b is applied with a voltage by a semiconductor layer 514 stacked directly below, and the semiconductor layer 514 is connected to the pixel electrode 517 through a contact hole 518 to apply a voltage. Receive.

이 때, 박막트랜지스터는 게이트 배선(512)에서 분기되어 서로 인접하는 2개의 게이트 전극(512a)과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에서 3개의 독립된 섬 모양으로 패턴되어 2개의 게이트 전극의 모서리에 연속적으로 오버랩되는 반도체층(514)과, 상기 데이터 배선(515)에서 분기되어 게이트 전극(512a)을 포함한 박막트랜지스터 영역에 형성되는 소스전극(515a)으로 구성된다. 여기서, 상기 3개의 반도체층 중 하나는, 드레인 전극의 역할을 대신 수행하며, 콘택홀(518)을 통해 화소전극(517)에 접속하며, 화소의 전영역으로 연장 형성된다. In this case, the thin film transistors are patterned in two independent island shapes on the gate insulating film, the two gate electrodes 512a adjacent to each other, the gate insulating film formed on the front surface including the gate electrode, and the gate insulating film. The semiconductor layer 514 continuously overlaps the edges of the two gate electrodes, and the source electrode 515a branched from the data line 515 and formed in the thin film transistor region including the gate electrode 512a. Here, one of the three semiconductor layers may serve as a drain electrode, connect to the pixel electrode 517 through the contact hole 518, and extend to the entire region of the pixel.                     

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

상기와 같은 본 발명에 따른 전기영동 표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The manufacturing method of the electrophoretic display device according to the present invention as described above has the following effects.

본 발명에 의한 전기영동 표시장치는 회절마스크 및 쉐도우 마스크를 사용한 패터닝 공정에 의해 최소 2번의 포토 마스크를 사용하여 완성함으로써 마스크의 사용 횟수가 크게 줄어든다. The electrophoretic display according to the present invention is completed by using at least two photo masks by a patterning process using a diffraction mask and a shadow mask, thereby greatly reducing the number of times the mask is used.

이로써, 공정원가가 절감되고 공정 시간이 대폭 줄어들며 공정 에러의 우려도 낮아져 생산성을 향상시킬 수 있다. As a result, the process cost is reduced, the process time is greatly reduced, and the fear of process error is reduced, thereby improving productivity.

Claims (11)

기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate wiring and a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 적층한 후 상기 게이트 배선에 교차하는 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 상기 드레인 전극과 일체형으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;Stacking a gate insulating film, a semiconductor layer, and a metal layer on the entire surface including the gate wiring, and then forming a pixel electrode integrally connected to the data wiring, the source / drain electrode, and the drain electrode crossing the gate wiring; 상기 기판 상에 쉐도우 마스크로 마스킹하여 보호막을 형성하는 단계;Masking a shadow mask on the substrate to form a protective film; 상기 보호막 상에 전기영동체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.Forming an electrophoretic layer on the passivation layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반도체층, 소스/드레인 전극 및 화소전극을 형성하는 단계는, Forming the semiconductor layer, the source / drain electrodes and the pixel electrode, 회절노광법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.A method of manufacturing an electrophoretic display device, which is formed by diffraction exposure method. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호막은 무기절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.And the protective film is formed of an inorganic insulating material. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호막은 유기절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.The protective film is formed of an organic insulating material, characterized in that the electrophoretic display device. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전기영동체층은, 서로 다른 색상의 염료가 착색되고 서로 다른 전극으로 대전된 안료입자를 캡슐화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.The electrophoretic layer is a method of manufacturing an electrophoretic display, characterized in that the dye is formed by encapsulating pigment particles of different colors and charged with different electrodes. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 안료입자는 흑색 또는 백색으로 착색된 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.The pigment particle is a manufacturing method of an electrophoretic display device characterized in that the color is colored black or white. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전기영동체층 상부에 R,G,B의 컬러필터층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.And a color filter layer of R, G, and B on top of the electrophoretic layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판과 대향하는 다른 기판 상에 대향전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.And forming an opposing electrode on another substrate facing the substrate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 데이터 배선, 소스/드레인 전극 및 화소전극은 반사 특성을 가지는 금속을 사용하여 일괄적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.And the data line, the source / drain electrode and the pixel electrode are collectively formed using a metal having reflective characteristics. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 게이트 배선을 형성하는 단계에서, In the step of forming the gate wiring, 상기 화소전극 하부에 스토리지 커패시터 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.A method of manufacturing an electrophoretic display device, further comprising forming a storage capacitor electrode under the pixel electrode. 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate wiring and a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막 및 반도체층을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film and a semiconductor layer on the entire surface including the gate wiring; 상기 기판 상에 금속층을 형성한 후 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 상기 드레인 전극과 일체형으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;Forming a metal layer on the substrate, and then forming a pixel electrode integrally connected to a data line, a source / drain electrode, and the drain electrode; 상기 기판 상에 쉐도우 마스크로 마스킹하여 보호막을 형성하는 단계;Masking a shadow mask on the substrate to form a protective film; 상기 보호막 상에 전기영동체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시장치의 제조방법.Forming an electrophoretic layer on the passivation layer.
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