KR20060071670A - Semiconductor device manufacturing apparatus having heating jacket - Google Patents

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KR20060071670A KR1020040110356A KR20040110356A KR20060071670A KR 20060071670 A KR20060071670 A KR 20060071670A KR 1020040110356 A KR1020040110356 A KR 1020040110356A KR 20040110356 A KR20040110356 A KR 20040110356A KR 20060071670 A KR20060071670 A KR 20060071670A
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김정남
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정이 수행되는 퍼니스(furnace)에 연결된 가스 배출 라인(exhaust line)에 설치된 히팅 재킷들을 통합적으로 관리하는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 퍼니스에 연결 설치되는 가스 배출 라인의 가스 배관에 설치되어 가스 배관을 가열하는 복수의 히팅 재킷에 온도 측정 센서가 설치되어 있고 각각의 히팅 재킷들과 전기적으로 연결되어 온도 측정 센서에 의해 측정된 결과 값에 따라 각각의 히팅 재킷들의 온도를 통합 관리하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치에 따르면, 가스 배출 라인의 각 가스 배관에 대응되는 히팅 재킷 각각의 온도 설정이 자유로워 파우더가 발생되는 부분의 가열 온도를 높임으로서 파우더의 발생이 방지된다. 또한 가스 배출 라인의 온도와 전류를 계속 모니터링 할 수 있어 가스 배출 라인의 동작 상황을 한 눈에 알 수 있다. 따라서, 가스 배출 및 공정 처리에 대한 신뢰성이 향상된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus for integrally managing heating jackets installed in a gas exhaust line connected to a furnace in which a semiconductor device manufacturing process is performed. In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, a temperature measuring sensor is installed in a plurality of heating jackets that are installed in a gas pipe of a gas discharge line connected to a furnace and heat the gas pipe, and are electrically connected to respective heating jackets. It characterized in that it comprises a control unit for integrated management of the temperature of each heating jacket according to the result value measured by the temperature measuring sensor. According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention as described above, it is possible to freely set the temperature of each heating jacket corresponding to each gas pipe of the gas discharge line, thereby increasing the heating temperature of the portion where the powder is generated, thereby preventing the generation of powder. In addition, the temperature and current of the gas discharge line can be continuously monitored, providing an overview of the operation of the gas discharge line. Thus, the reliability of gas discharge and process treatment is improved.

반도체 제조 장치, CVD, 파우더, 가스 배출 라인, 센서, 모니터링Semiconductor Manufacturing Equipment, CVD, Powders, Gas Discharge Lines, Sensors, Monitoring

Description

히팅 재킷을 갖는 반도체 소자 제조 장치{Semiconductor Device Manufacturing Apparatus having heating jacket}Semiconductor device manufacturing apparatus having a heating jacket {Semiconductor Device Manufacturing Apparatus having heating jacket}

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 예를 나타낸 개략 구성도이다.1 is a schematic block diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 장치의 히팅 재킷들을 나타낸 개략 구성도이다.2 is a schematic block diagram showing heating jackets of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.3 is a schematic block diagram showing an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 실시예에서 히팅 재킷들의 개략 구성도이다.4 is a schematic structural diagram of heating jackets in an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.

도 5는 도 3의 반도체 소자 제조 장치의 화면 표시부를 나타낸 정면도이다.5 is a front view illustrating a screen display of the semiconductor device manufacturing apparatus of FIG. 3.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100; 반도체 소자 제조 장치 110; 퍼니스100; A semiconductor device manufacturing apparatus 110; Furnace

112; 반응 챔버 114; 배기구112; Reaction chamber 114; Air vent

116; 반응 챔버 히터 120; 히팅 재킷116; Reaction chamber heater 120; Heating jacket

121; 히터 123; 서머 퓨즈121; Heater 123; Thermal fuse

125; 서머 스탯 127; 전원 연결구 125; Thermostat 127; Power connector                 

129; 온도 측정 센서 131; 1차 압력 센서129; Temperature measuring sensor 131; Primary pressure sensor

133; 2차 압력 센서 134; 압력 조절 밸브133; Secondary pressure sensor 134; Pressure regulating valve

135; 압력 자동 조절 밸브 137; 콜드 트랩135; Pressure automatic control valve 137; Cold trap

141; 진공 펌프 150; 제어부141; Vacuum pump 150; Control

155; 연결 라인 161; 화면표시부155; Connecting line 161; Display part

163; 제 1화면표시부 164; 조작부163; First screen display unit 164; Control panel

165; 제 2화면표시부 W; 웨이퍼165; Second screen display unit W; wafer

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 대한 공정 처리가 이루어지는 퍼니스에 연결된 가스 배출 라인에 히팅 재킷들이 설치된 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus in which heating jackets are installed on a gas discharge line connected to a furnace in which a process for a wafer is processed.

일반적으로 퍼니스(furnace)를 포함하는 반도체 소자 제조 장치는 어닐링(Annealing) 공정, 확산(Diffusion) 공정, 산화(Oxidation) 공정 및 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정과 같은 반도체 소자 제조 공정에 사용된다. 이 반도체 소자 제조 장치는 퍼니스의 형태에 따라 수평형과 수직형으로 구분되는데, 최근에는 수평형에 비하여 파티클(particle)이 적게 발생되는 수직형이 많이 사용되고 있다.In general, a semiconductor device manufacturing apparatus including a furnace is used in semiconductor device manufacturing processes such as annealing process, diffusion process, oxidation process, and chemical vapor deposition (CVD) process. Used. The semiconductor device manufacturing apparatus is classified into a horizontal type and a vertical type according to the shape of the furnace. Recently, a vertical type having less particles is used as compared with the horizontal type.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 예를 나타낸 개략 구 성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 반도체 소자 제조 장치(200)는 외부와 격리되어 웨이퍼에 대한 공정 처리가 이루어지는 반응 챔버(212)가 설치된 수직형 퍼니스(210)를 포함하는 반도체 소자 제조 장치의 전형적인 예로서, 복수의 웨이퍼(W)가 튜브(211) 내에 수직으로 배치된 상태에서 반응 챔버(212)로 이송되고 외부와 격리되어 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 공정 처리가 이루어진다. 반응 조건과 처리 가스의 종류에 따라 반응 가스로서 다양한 가스들이 사용되며, 이들 반응 가스의 화학 반응에 의하여 다양한 부산물이 형성된다. 특히, 650℃ 이상의 고온 및 10-2 토르(torr) 정도의 압력으로 유지되는 반응 챔버(212) 내에서 암모늄(NH3; 이하 "NH3"라 함)과 디클로로실란(SiH2Cl2; DCS)(이하 "DCS"라 함) 가스를 반응시키면 필요한 박막인 실리콘 질화막(Si3N4)이 증착되고 부산물로서 염화암모늄(NH4Cl)(이하 "NH 4Cl"이라 함)이 발생한다.The semiconductor device manufacturing apparatus 200 illustrated in FIG. 1 is a typical example of a semiconductor device manufacturing apparatus including a vertical furnace 210 in which a reaction chamber 212 in which a process is performed on a wafer is isolated from the outside. The wafer W is transferred to the reaction chamber 212 in a state where it is vertically disposed in the tube 211 and is isolated from the outside to form a predetermined thin film on the wafer. Various gases are used as reaction gases depending on reaction conditions and types of processing gases, and various by-products are formed by chemical reactions of these reaction gases. In particular, ammonium (NH 3 ; hereinafter referred to as “NH 3 ”) and dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ; DCS) in the reaction chamber 212 maintained at a high temperature above 650 ° C. and a pressure of about 10 −2 torr. Reaction of the gas (hereinafter referred to as "DCS") causes deposition of a silicon nitride film (Si 3 N 4 ), which is a necessary thin film, and generates ammonium chloride (NH 4 Cl) (hereinafter referred to as "NH 4 Cl") as a by-product.

반응 챔버(212) 하부에는 내부의 가스를 배출시키기 위하여 배기구(214)가 형성되어 있고, 그 배기구(214)에는 다수의 가스 배관으로 이루어지는 가스 배출 라인(gas exhaust line; 219)이 결합되어 있으며, 가스 배출 라인(219)은 진공 펌프(241)와 연결되어 있다. 가스 배출 라인(219)에는 1차 압력 센서(231)와 2차 압력 센서(233), 자동 배기 밸브(234) 및 압력 조절 밸브(235) 등이 설치되어 압력의 측정 및 제어에 이용된다. 그리고 가스 배출 라인(219) 상에서 진공 펌프(241)의 전단 부분에는 콜드 트랩(clod trap;237)이 설치되어 파티클(particle)을 걸러 낸 다. 참조부호 216은 반응 챔버(212)의 온도를 증착 공정에 필요한 온도로 가열하기 위한 반응 챔버 히터이다.An exhaust port 214 is formed in the lower portion of the reaction chamber 212 to discharge gas therein, and an exhaust port 214 is coupled to a gas exhaust line 219 including a plurality of gas pipes. The gas discharge line 219 is connected with the vacuum pump 241. In the gas discharge line 219, a primary pressure sensor 231, a secondary pressure sensor 233, an automatic exhaust valve 234, a pressure regulating valve 235, and the like are installed and used to measure and control pressure. In addition, a cold trap 237 is installed at the front end portion of the vacuum pump 241 on the gas discharge line 219 to filter particles. Reference numeral 216 denotes a reaction chamber heater for heating the temperature of the reaction chamber 212 to a temperature required for the deposition process.

가스 배출 라인(219)을 구성하는 각 가스 배관에는 반응 가스의 배출 과정에서 온도가 낮아짐으로 인한 파우더(powder) 발생을 방지하기 위하여 열을 이용하여 가스 배관 외부 표면에 가스 배관 내부를 간접적으로 보온 및 가열하여 가스 배출 라인(219)을 소정 온도로 유지시키는 히팅 재킷(heating jacket; 220a~220d)이 설치되어 있다.Each gas pipe constituting the gas discharge line 219 indirectly insulates the inside of the gas pipe on the outer surface of the gas pipe by using heat to prevent powder generation due to a temperature drop during the reaction gas discharge process. Heating jackets 220a to 220d are installed to maintain the gas discharge line 219 at a predetermined temperature by heating.

예들 들어, 퍼니스(210) 내에 설치된 반응 챔버(212)에서 DCS와 NH3을 사용하여 진행하는 실리콘 질화막 증착 공정에서 발생되는 NH4Cl 가스는 130℃이상의 온도에서는 기체 상태로 유지되었다가 130℃이하로 떨어지면 고체 상태가 되는데, 증착 후에 반응 챔버(212)에서 배출되는 NH4Cl 가스는 가스 배출 라인(219)을 통해 배출되는 과정에서 약 150℃의 온도로 유지되는 히팅 재킷(220a~220d)에 의해 가열되어 온도 하강으로 인한 파우더 발생이 방지된다.For example, the NH 4 Cl gas generated in the silicon nitride film deposition process using DCS and NH 3 in the reaction chamber 212 installed in the furnace 210 was maintained in a gas state at a temperature of 130 ° C. or higher and then 130 ° C. or lower. When it falls into a solid state, NH 4 Cl gas discharged from the reaction chamber 212 after deposition is heated to the heating jacket (220a ~ 220d) is maintained at a temperature of about 150 ℃ in the process of being discharged through the gas discharge line 219 Is heated to prevent powder generation due to temperature drop.

도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 히팅 재킷(220a~220d)은 열을 발생시키는 히터(221)와 과전압으로 인한 히팅 재킷(220a~220d)의 열화를 방지하는 서머 퓨즈(thermo fuse; 223) 및 온도 조절을 위한 서머 스탯(thermostat)이 직렬 연결된 회로 구조를 가지며, 히팅 재킷(220a~220d)의 동작 오류로 인한 히팅 중단을 방지하기 위하여 복수의 전원 공급이 가능하도록 복수의 전원 연결구(227,228)가 설치된 병렬 구조를 갖는다. 그리고 각각의 히팅 재킷들(220a~220d)은 서로 독립적인 폐회 로로 구성된다.As shown in FIG. 2, each of the heating jackets 220a to 220d includes a thermal fuse 223 which prevents deterioration of the heater 221 that generates heat and the heating jackets 220a to 220d due to overvoltage. And a thermostat for series temperature control, and a plurality of power connectors 227 and 228 to supply a plurality of power supplies to prevent heating interruption due to an operation error of the heating jacket 220a to 220d. It has a parallel structure installed. And each heating jacket (220a ~ 220d) is composed of a closed circuit independent of each other.

그런데 전술한 실시예와 같이 퍼니스를 갖는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 장치는 히팅 재킷이 설치되어 있음에도 불구하고 파우더가 발생된다. 가스 배관 전체에 가열을 한다고 해도 부분적으로 미세한 온도 변화가 발생되며 그에 따라 유동성이 있는 파우더가 생성되어 파티클 및 압력 상승의 원인으로 작용할 수 있다. By the way, in the semiconductor device manufacturing apparatus according to the prior art having the furnace as in the above-described embodiment, the powder is generated even though the heating jacket is installed. Even heating the entire gas pipe generates a partial temperature change, thereby creating a flowable powder, which may act as a cause of particles and pressure increase.

또한 각각의 히팅 재킷이 모두 특정 온도, 예컨대 150℃의 온도로 히팅이 이루어지도록 구성되어 있고, 퍼니스에 인접한 가스 배관 부분에서 반응 후에 남은 가스, 예컨대 NH4Cl 가스에 대한 가열이 시작되는 부분이기 때문에 적절한 온도로 가열이 이루어지지 않은 상태가 된다. 따라서 퍼니스에 인접한 가스 배관에 집중적으로 파우더가 발생된다. 파우더의 누적 두께가 증가될수록 가스 배관의 구멍이 작아지게 되어 반응 챔버 내의 압력 상승이 나타나 형성하고자 하는 막질의 두께가 두꺼워지게 된다. 이를 방지하기 위해서는 일정 주기로 유지 보수(PM; Preventive Maintenance)가 필요하다.In addition, since each heating jacket is configured to be heated to a specific temperature, for example, 150 ° C, and the heating of the gas remaining after the reaction, such as NH 4 Cl gas, is started in the gas piping portion adjacent to the furnace. The heating is not performed at an appropriate temperature. Therefore, powder is concentrated in the gas pipe adjacent to the furnace. As the cumulative thickness of the powder increases, the pores of the gas pipes become smaller, resulting in an increase in pressure in the reaction chamber, resulting in a thicker film to be formed. To prevent this, preventive maintenance (PM) is required at regular intervals.

따라서 본 발명의 목적은 파우더의 발생을 방지할 수 있는 히트 재킷을 포함하는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 데에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus including a heat jacket that can prevent the generation of powder.

본 발명의 다른 목적은 공정 조건의 관리를 통하여 유지 보수가 용이한 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus that is easy to maintain through management of process conditions.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는, 수용되는 웨이퍼를 외부와 격리시켜 소정의 공정 처리가 진행되는 반응 챔버가 설치된 퍼니스와, 그 퍼니스에 연결 설치되는 복수의 가스 배관을 가지며 반응 챔버 내부에서 외부로의 가스 배출의 경로를 제공하는 가스 배출 라인과, 그 가스 배출 라인에 설치되어 진공 흡입력을 인가하는 진공 펌프, 및 가스 배출 라인의 가스 배관에 설치되어 가스 배관을 가열하는 복수의 히팅 재킷을 포함하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서, 각각의 히팅 재킷에는 온도 측정 센서가 설치되어 있고 각각의 히팅 재킷들과 전기적으로 연결되어 온도 측정 센서에 의해 측정된 결과 값에 따라 각각의 히팅 재킷들의 온도를 통합 관리하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises a furnace provided with a reaction chamber in which a predetermined process is carried out by isolating a wafer to be accommodated from the outside, and a plurality of gas pipes connected to the furnace. And a gas discharge line for providing a gas discharge path from the inside of the reaction chamber to the outside, a vacuum pump installed in the gas discharge line to apply a vacuum suction force, and a gas pipe of the gas discharge line to heat the gas pipe. In a semiconductor device manufacturing apparatus including a plurality of heating jackets, each heating jacket is provided with a temperature measuring sensor and electrically connected to each of the heating jackets, each heating according to the result value measured by the temperature measuring sensor It characterized in that it comprises a control unit for integrally managing the temperature of the jacket.

본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 있어서 히팅 재킷들은 병렬로 제어부에 연결된 것이 바람직하다. 그리고 제어부는 히팅 재킷에 연결 설치되어 그 히팅 재킷에 가해지는 전류와 온도가 허용 범위를 벗어날 경우 인터 록(interlock) 신호를 발생시키도록 구성된 것이 바람직하다.In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, the heating jackets are preferably connected to the control unit in parallel. And the control unit is preferably connected to the heating jacket is configured to generate an interlock signal when the current and temperature applied to the heating jacket is outside the allowable range.

그리고 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 있어서 제어부는 각각의 히팅 재킷의 온도와 전류를 표시하는 제1 화면표시부를 갖는 것이 바람직하며, 실시간 온도 및 전류를 그래프로 보여주는 제2 화면표시부를 갖는 것이 바람직하다.In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, the control unit preferably has a first screen display unit for displaying the temperature and current of each heating jacket, and preferably, the control unit has a second screen display unit for displaying the real-time temperature and current in a graph. Do.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 보다 명확히 하기 위함이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 발명의 일부 구성요소는 다소 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소들의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.Hereinafter, an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the embodiments, descriptions of technical contents which are well known in the technical field to which the present invention belongs and are not directly related to the present invention will be omitted. This is to more clearly without obscure the subject matter of the present invention by omitting unnecessary description. For the same reason, some of the elements of the invention in the accompanying drawings are somewhat exaggerated, omitted, or schematically illustrated, and the size of each component does not fully reflect the actual size.

실시예Example

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 실시예를 나타낸 개략 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 일 실시예에서 히팅 재킷들의 개략 구성도이며, 도 5는 도 3의 반도체 소자 제조 장치의 화면 표시부를 나타낸 정면도이다.FIG. 3 is a schematic block diagram showing an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 4 is a schematic block diagram of heating jackets in an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. It is a front view which shows the screen display part of the semiconductor element manufacturing apparatus of 3.

도 3에 도시된 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치(100)는, 반응 챔버(112)와 그 반응 챔버(212) 내부의 가스를 배출시키기 위한 배기구(114) 및 반응 챔버 히터(116)가 설치된 수직형 퍼니스(110)와, 다수의 가스 배관으로 이루어지는 가스 배출 라인(119)과, 진공 펌프(141), 및 히팅 재킷들(120a~120d)을 포함한다. 그리고 가스 배출 라인(119)에는 1차 압력 센서(131)와 2차 압력 센서(133), 자동 배기 밸브(134), 압력 조절 밸브(135), 및 콜드 트랩(137)이 설치되어 있다.In the semiconductor device manufacturing apparatus 100 according to the present invention illustrated in FIG. 3, an exhaust port 114 and a reaction chamber heater 116 for discharging gas inside the reaction chamber 112 and the reaction chamber 212 are provided. It includes a vertical furnace 110, a gas discharge line 119 consisting of a plurality of gas pipes, a vacuum pump 141, and heating jackets (120a ~ 120d). The gas discharge line 119 is provided with a primary pressure sensor 131, a secondary pressure sensor 133, an automatic exhaust valve 134, a pressure regulating valve 135, and a cold trap 137.

퍼니스(110)에 연결된 가스 배출 라인(119)을 구성하는 각각의 가스 배관에 대응되어 설치된 히팅 재킷들(120a~120d)이 연결 라인(155)에 의해 제어부(150)에 연결되어 있다. 제어부(150)는 히팅 재킷들(120a~120d)의 온도와 전류 상태가 표시되는 화면표시부(153)를 포함한다. Heating jackets 120a to 120d installed corresponding to the gas pipes constituting the gas discharge line 119 connected to the furnace 110 are connected to the controller 150 by the connection line 155. The controller 150 includes a screen display unit 153 that displays the temperature and current state of the heating jackets 120a to 120d.                     

각각의 히팅 재킷(120a~120d)은 도 4에서와 같이 히터(121)와 서머 퓨즈(123) 및 서머 스탯(125), 및 히터(121)와 서머 퓨즈(123) 사이에 설치된 온도 측정 센서(129)를 포함한다. 이 온도 측정 센서(129)는 각각 제어부(150)에 전기적으로 연결되어 측정된 온도값이 제어부(150)로 전달되도록 구성된다.Each of the heating jackets 120a to 120d includes a temperature measuring sensor installed between the heater 121, the thermal fuse 123, and the thermostat 125, and the heater 121 and the thermal fuse 123 as shown in FIG. 4. 129). Each of the temperature measuring sensors 129 is electrically connected to the controller 150 and configured to transmit the measured temperature value to the controller 150.

히팅 재킷들(110a~110d)에서 온도 측정 센서(129)의 설치 위치는 필요에 따라 변할 수 있는 데 히터(121)에 인접하여 설치되도록 하는 것이 히팅 재킷(110a~110d)의 온도 변화를 신속하게 측정할 수 있어 바람직하다. 여기서, 온도 측정 센서(129)로서는 열전대(thermocouple)가 사용될 수 있다.The installation position of the temperature measuring sensor 129 in the heating jackets 110a to 110d may be changed as necessary, so that it is installed adjacent to the heater 121 to quickly change the temperature change of the heating jackets 110a to 110d. It can measure and is preferable. Here, a thermocouple may be used as the temperature measuring sensor 129.

제어부(150)는 각각의 히팅 재킷(120a~120d)의 온도값과 전류값을 설정하고 화면표시부(161)에 그 설정값과 더불어 측정값이 표시되도록 구성되어 히팅 재킷들(120a~120d)을 통합 관리할 수 있도록 구성된다. 각 히팅 재킷(120a~120d)별 요구되는 온도를 다르게 줄 수 있어 종래의 일률적인 온도를 주던 방식에서 사용자가 부위별 온도를 설정할 수 있다.The control unit 150 is configured to set the temperature value and the current value of each heating jacket (120a ~ 120d) and to display the measured value along with the setting value on the screen display unit 161 to display the heating jacket (120a ~ 120d) It is configured for integrated management. Since the required temperature for each heating jacket (120a ~ 120d) can be given differently, the user can set the temperature for each part in the manner that gave a conventional uniform temperature.

그리고 제어부(150)는 전원 연결구(127)에서 히터(121)의 사이에 연결되어 히팅 재킷(120a~120d)의 전원 쪽에서 들어가는 전류를 제어부(150)의 화면표시부(161)에 항상 표시될 수 있도록 하고, 설정값을 입력하여 히팅 재킷(120a~120d) 오류가 발생될 때 전류 하락에 따른 인터록 신호를 발생하도록 구성된다. 예를 들어 150℃일 경우 7A정도의 전류값이라고 했을 때 전류 허용범위(SPEC)를 7±2A로 정해 놓으면 이 이상 벗어날 경우 설비 동작에 대한 인터록이 이루어져 작업 관리자가 쉽게 알 수 있게 된다. And the controller 150 is connected between the heater 121 in the power connector 127 so that the current entering from the power side of the heating jacket (120a ~ 120d) can always be displayed on the screen display unit 161 of the controller 150 And, by inputting the set value is configured to generate an interlock signal according to the current drop when the heating jacket (120a ~ 120d) error occurs. For example, if the current value is about 7A at 150 ℃, the current allowable range (SPEC) is set to 7 ± 2A.                     

도 5에 도시된 바와 같이 화면표시부(161)는 총 4개의 채널(1채널당 1히팅 재킷)의 온도와 전류에 대한 설정값과 실제값 및 인터록 설정 온도값과 인터록 설정 전류값이 한 화면에 표시되는 제1 화면표시부(163)와 실시간 온도 및 전류를 그래프화하여 보여주는 제2 화면표시부(165)를 포함한다. 특히 화면표시부(161)는 제1 화면표시부(163)에 각 설정값에 대한 조작이 가능하도록 조작 스위치(164)를 포함하도록 한다. 여기서, 화면표시부(161)는 제1 화면표시부(163)와 제2 화면표시부가 각각 서로 다른 모니터 형태로 제공되거나 하나의 모니터 형태로 제공될 수 있다. 바람직하게는 통합된 조작 스위치(164)를 포함하는 제1 화면 표시부(163)로서는 터치 스크린 방식의 모니터(monitor)가 적용될 수 있다.As shown in FIG. 5, the screen display unit 161 displays the set value and actual value for the temperature and current of four channels (one heating jacket per channel) and the interlock set temperature value and the interlock set current value on one screen. The first screen display unit 163 and a second screen display unit 165 for displaying a real-time temperature and current graph. In particular, the screen display unit 161 includes an operation switch 164 on the first screen display unit 163 to enable manipulation of each set value. Here, the screen display unit 161 may be provided in the form of a monitor different from each other or the first screen display unit 163 and the second screen display unit. Preferably, a touch screen monitor may be used as the first screen display unit 163 including the integrated operation switch 164.

이에 따라 각각의 히팅 재킷(120a~120d)에 대한 온도 및 전류의 설정값과 실제값을 쉽게 확인할 수 있으며, 인터록 값의 설정에 따라 히팅 재킷(120a~120d)의 동작 오류가 발생될 때 알람을 발생시키도록 구성함으로써 작업 관리자가 쉽게 확인할 수 있게 된다. 또한 제2 화면표시부(165)에 의해 헌팅(hunting) 여부 및 히트 재킷(120a~120d)의 이상 시점을 감지할 수 있게 된다.Accordingly, the set value and actual value of the temperature and current for each of the heating jackets 120a to 120d can be easily checked, and an alarm is generated when an operation error of the heating jackets 120a to 120d occurs according to the setting of the interlock value. By configuring it to occur, the task manager can easily check it. In addition, the second screen display unit 165 can detect whether the hunting (hunting) and the abnormal time of the heat jacket (120a ~ 120d).

본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 앞에서 소개한 바와 같은 실시예에서 알 수 있듯이, 각각의 히팅 재킷 별로 온도가 개별적으로 관리될 수 있으며 통합적인 모니터링이 가능하게 된다. 이에 따라 측정된 온도값 또는 전류값을 토대로 하여 특정 히팅 재킷의 온도가 적정수준으로 조절될 수 있다. 예를 들어, 파우더의 집중적인 발생 부분인 퍼니스에 인접한 가스 배출 라인 부분의 히팅 재킷이 다른 히팅 재킷에 비하여 높은 온도를 가하도록 함으로써 파우더의 발생을 방지할 수 있 다. 또한 허용 오차 범위를 벗어나는 경우 설비 동작을 정지시킴으로써 공정 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, as can be seen in the above-described embodiment, the temperature can be individually managed for each heating jacket and integrated monitoring becomes possible. Accordingly, the temperature of the specific heating jacket may be adjusted to an appropriate level based on the measured temperature value or current value. For example, it is possible to prevent the generation of powder by allowing the heating jacket of the portion of the gas discharge line adjacent to the furnace, which is the concentrated generation of powder, to be subjected to a higher temperature than other heating jackets. In addition, it is possible to prevent the occurrence of process failure by stopping the operation of the equipment when it is outside the tolerance range.

한편 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.Meanwhile, in the specification and the drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms are used, these are merely used in a general sense to easily explain the technical contents of the present invention and to help understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope of. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

이상과 같은 본 발명에 의한 반도체 소자 제조 장치에 따르면, 가스 배출 라인의 각 가스 배관에 대응되는 히팅 재킷 각각의 온도 설정이 자유로워 파우더가 발생되는 부분의 가열 온도를 높임으로서 파우더의 발생이 방지된다. 또한 가스 배출 라인의 온도와 전류를 계속 모니터링 할 수 있어 가스 배출 라인의 동작 상황을 한 눈에 알 수 있다. 따라서, 가스 배출 및 공정 처리에 대한 신뢰성이 향상된다.According to the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention as described above, the temperature setting of each heating jacket corresponding to each gas pipe of the gas discharge line is free, thereby increasing the heating temperature of the portion where the powder is generated to prevent the generation of powder. . In addition, the temperature and current of the gas discharge line can be continuously monitored, providing an overview of the operation of the gas discharge line. Thus, the reliability of gas discharge and process treatment is improved.

Claims (5)

수용되는 웨이퍼를 외부와 격리시켜 소정의 공정 처리가 진행되는 반응 챔버가 설치된 퍼니스와, 상기 퍼니스에 연결 설치되는 복수의 가스 배관을 가지며 상기 반응 챔버 내부에서 외부로의 가스 배출의 경로를 제공하는 가스 배출 라인과, 상기 가스 배출 라인에 설치되어 진공 흡입력을 인가하는 진공 펌프, 및 상기 가스 배출 라인의 상기 가스 배관에 설치되어 상기 가스 배관을 가열하는 복수의 히팅 재킷을 포함하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서,Gas which provides a path of gas discharge from the inside of the reaction chamber to the outside having a furnace equipped with a reaction chamber in which a predetermined process is performed by isolating the received wafer from the outside, and a plurality of gas pipes connected to the furnace. In a semiconductor device manufacturing apparatus comprising a discharge line, a vacuum pump installed in the gas discharge line to apply a vacuum suction force, and a plurality of heating jackets provided in the gas pipe of the gas discharge line for heating the gas pipe. , 각각의 상기 히팅 재킷에는 온도 측정 센서가 설치되어 있고 각각의 상기 히팅 재킷들과 전기적으로 연결되어 상기 온도 측정 센서에 의해 측정된 결과값에 따라 각각의 상기 히팅 재킷들의 온도를 통합 관리하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 히팅 재킷을 갖는 반도체 제조 장치.Each heating jacket is provided with a temperature measuring sensor and is electrically connected to each of the heating jackets and includes a control unit for integrated management of the temperature of each of the heating jackets according to the result measured by the temperature measuring sensor. A semiconductor manufacturing apparatus having a heating jacket. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 히팅 재킷들은 병렬로 제어부에 연결된 것을 특징으로 하는 히팅 재킷을 갖는 반도체 제조 장치.The heating jacket is a semiconductor manufacturing apparatus having a heating jacket, characterized in that connected to the control unit in parallel. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제어부는 상기 히팅 재킷에 연결 설치되어 상기 히팅 재킷에 가해지는 전류와 온도가 허용 범위를 벗어날 경우 상기 인터 록(interlock) 신호를 발생시키 는 것을 특징으로 하는 히팅 재킷을 갖는 반도체 제조 장치.And the control unit is connected to the heating jacket to generate the interlock signal when the current and temperature applied to the heating jacket are out of an allowable range. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제어부에 연결 설치되어 각각의 히팅 재킷의 온도와 전류를 표시하는 제1 화면표시부를 포함하는 것을 특징으로 하는 히팅 재킷을 갖는 반도체 제조 장치.And a first screen display unit connected to the control unit and displaying a temperature and a current of each heating jacket. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 화면표시장치는 실시간 온도 및 전류를 그래프로 보여주는 제2 화면표시부를 포함하는 것을 특징으로 하는 히팅 재킷을 갖는 반도체 제조 장치.The screen display device has a semiconductor manufacturing apparatus having a heating jacket, characterized in that it comprises a second screen display for displaying a real-time temperature and current graph.
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