KR20060058525A - Light emitting diode using nanocrystal - Google Patents

Abstract

나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다.Disclosed are a light emitting diode using a nanocrystal and a method of manufacturing the same.

개시되는 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자; 및 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고, 상기 나노크리스털은 공간적으로 분리된 것을 특징으로 한다.The disclosed light emitting diode includes a primary light source element; And a secondary light emitting part provided on the primary light source element, the secondary light emitting part including a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps, wherein the nanocrystals are spatially separated. .

상기 발광 다이오드의 제조 방법은 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부를 상기 1차 광원 소자 위에 형성하는 단계;를 포함한다.The method of manufacturing the light emitting diode includes the steps of providing a primary light source device; And forming a secondary light emitting part formed of a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps on the primary light source device.

본 발명에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 의하면, 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율이 저하되는 현상을 방지할 수 있고, 나노크리스털들의 도포 용이성이 개선될 수 있으며, 나노크리스털들의 내구성과 발광 효율을 증대할 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting diode using the nanocrystal according to the present invention and a method of manufacturing the same, it is possible to prevent the phenomenon that the luminous efficiency is lowered due to the non-photon emission absorption can be prevented, the ease of coating nanocrystals can be improved, the durability of the nanocrystal And there is an advantage that can increase the luminous efficiency.

Description

나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법{Light emitting diode using nanocrystal}Light emitting diode using nanocrystal and manufacturing method thereof {Light emitting diode using nanocrystal}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting diode using a nanocrystal according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting diode using a nanocrystal according to a second embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting diode using a nanocrystal according to a third embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 사시도.Figure 4 is a perspective view schematically showing a light emitting diode using a nanocrystal according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드에 대한 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 4. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 20, 30, 40 : 발광 다이오드 11, 21, 31, 41 : 1차 광원 소자10, 20, 30, 40: light emitting diodes 11, 21, 31, 41: primary light source element

12, 22, 32, 42 : 레드 나노크리스털12, 22, 32, 42: red nanocrystals

13, 23, 33 : 그린 나노크리스털 14, 24, 34 : 블루 나노크리스털13, 23, 33: green nanocrystals 14, 24, 34: blue nanocrystals

43, 44 : 무기질 형광체 25 : 홈43, 44: inorganic phosphor 25: groove

26 : 격벽26: bulkhead

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세히는, 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode using a nanocrystal and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드(luminescent diode)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 것으로, LED(light emitting diode)라고도 한다.A light emitting diode generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a p-n junction structure of a semiconductor, and emits light by recombination thereof, also called a light emitting diode (LED).

이러한 발광 다이오드는 종래 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열 형광체의 자발 발광을 이용하였으나, 최근 나노크리스털(nanocrystal)을 통한 여기광을 이용하는 발광 다이오드에 대한 연구가 진행되고 있다.Such light emitting diodes use spontaneous light emission of red, green, and blue phosphors, but researches on light emitting diodes using excitation light through nanocrystals have recently been conducted. have.

그러나, 상기와 같은 발광 다이오드는 몇가지 단점을 안고 있다.However, such light emitting diodes have some disadvantages.

첫째, 광자가 다량 비발광 흡수되어 발광 효율이 저하되는 단점이다. 예를 들어,백색 발광 다이오드는 레드, 그린, 블루 계열 형광체를 혼합하여 1차 광원(primary light source) 소자 위에 도포되어 있다. 상기 1차 광원 소자를 발광시켜 상기 형광체들을 여기시킴으로써 백색 발광을 구현할 수 있다. 상기 형광체들 중 레드 계열의 밴드갭(bandgap)이 가장 작고, 블루 계열의 밴드갭이 가장 큰데, 상기 그린, 블루 계열의 형광체에서 나온 높은 에너지의 광자가 상기 레드 계열의 형광체에서 다량 비발광 흡수된다. 따라서, 발광의 효율이 저하된다.First, it is a disadvantage that photon is absorbed in large amounts of non-emission and thus the luminous efficiency is lowered. For example, a white light emitting diode is coated on a primary light source device by mixing red, green, and blue phosphors. By emitting the primary light source element to excite the phosphors, white light emission may be realized. Among the phosphors, the red bandgap is the smallest and the blue band is the largest, and high energy photons emitted from the green and blue phosphors are absorbed by the red phosphor. . Therefore, the efficiency of light emission is lowered.

둘째, 반도체 칩 표면에 도포하는 것이 어려운 단점이다. 나노크리스털을 반 도체 칩 표면에 도포하기 위해 CdSe, ZnS, Epoxy와 혼합하여 몰딩(molding) 공정을 수행한다. 그런데, 상기 몰딩 공정 중, 상기 나노크리스털이 뭉치면서 전체적으로 뿌옇게 될 뿐만 아니라, 상기 나노크리스털이 주형의 바닥에 침전되어, 반도체 칩 표면에 제대로 도포되지 않는다.Second, it is difficult to apply on the surface of the semiconductor chip. The nanocrystal is mixed with CdSe, ZnS, and Epoxy to apply a molding process to the semiconductor chip surface. By the way, during the molding process, not only the nanocrystals are swollen as a whole, but also the nanocrystals are deposited on the bottom of the mold and are not properly applied to the surface of the semiconductor chip.

셋째, 몰딩 재료로 사용되는 유기물(organic) 수지의 낮은 열전전도로 인해 열이 외부로 잘 발산되지 못하여, 발광체의 내구성과 발광 효율이 저하되는 단점이 있다.Third, due to the low thermal conductivity of the organic resin used as the molding material, heat is hardly dissipated to the outside, thereby degrading durability and luminous efficiency of the light emitting body.

본 발명은 나노크리스털을 이용하여 발광 효율을 증대할 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode and a method of manufacturing the same that can increase the light emitting efficiency using nanocrystals.

본 발명에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자; 및 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고, 상기 나노크리스털은 공간적으로 분리된 것을 특징으로 한다.The light emitting diode using the nanocrystal according to the present invention includes a primary light source device; And a secondary light emitting part provided on the primary light source element, the secondary light emitting part including a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps, wherein the nanocrystals are spatially separated. .

상기 1차 광원은 410nm 보다 작은 파장을 가지는 질화물 반도체 물질인 것이 바람직하다.The primary light source is preferably a nitride semiconductor material having a wavelength smaller than 410 nm.

상기 나노크리스털은 3-5족 화합물 반도체 물질 또는 2-6족 화합물 반도체 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. The nanocrystal is preferably made of a group 3-5 compound semiconductor material or a group 2-6 compound semiconductor material.                     

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자; 및 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)이 공간적으로 분리된 2차 발광부;를 구비하고, 상기 나노크리스털이 상기 1차 광원 소자로부터 밴드갭이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 적층된 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode includes a primary light source device; And a secondary light emitting part provided on the primary light source element and having a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps from each other spatially separated from each other, wherein the nanocrystal is the primary light source element. From the smallest band gap to the band gap size is characterized in that the stacking.

상기 나노크리스털은 상기 1차 광원 소자로부터 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열 순서로 적층될 수 있다.The nanocrystals may be stacked in the order of red series, green series, and blue series from the primary light source device.

상기 나노크리스털은 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다.The nanocrystals may be formed by any one of screen printing and spin coating.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부; 및 상기 2차 발광부가 삽입되는 홈이 형성된 1차 광원(primary light source) 소자;를 구비하고, 상기 나노크리스털이 상기 홈의 저면으로부터 밴드갭이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 적층된 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode includes a secondary light emitting part including a plurality of light emitting nanocrystals having different bandgaps; And a primary light source element having a groove into which the secondary light emitting part is inserted, and wherein the nanocrystals are stacked in order from the bottom of the groove to the band gap in the order of the size of the band gap. do.

상기 홈은 복수개인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 홈은 상호간에 소정 간격으로 이격된 것이 바람직하다.Preferably, the groove is plural. The grooves may be spaced apart from each other at predetermined intervals.

상기 나노크리스털은 상기 홈의 저면으로부터 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열 순서로 적층될 수 있다.The nanocrystals may be stacked in the order of red, green, and blue from the bottom of the groove.

상기 나노크리스털은 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 디핑(dipping) 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다. The nanocrystals may be formed by any one of spin coating, screen printing, and dipping.                     

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자; 및 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고, 상기 나노크리스털들이 수평으로 정렬된 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode may include a primary light source device; And a secondary light emitting part provided on the primary light source element and formed of a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps, wherein the nanocrystals are horizontally aligned. .

상기 나노크리스털들은 일정한 순서로 반복 정렬된 것이 바람직하다.The nanocrystals are preferably repeatedly arranged in a certain order.

상기 나노크리스털은 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열이 반복적으로 정렬될 수 있다.The nanocrystals may be repeatedly arranged in a red series, a green series, and a blue series.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자; 상기 1차 광원 소자 위에 마련되는 적어도 한 종류 이상의 무기질 형광체와, 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고, 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체가 수평으로 정렬된 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode may include a primary light source device; At least one inorganic phosphor provided on the primary light source element, and a secondary light emitting unit including a light emitting nanocrystal, and the light emitting nanocrystal and the inorganic phosphor are horizontally aligned. do.

상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체는 반복 정렬된 것이 바람직하다. 상기 발광 나노크리스털의 양측에 정렬된 무기질 형광체는 다른 종류인 것이 바람직하다. 상기 무기질 형광체는 각각 블루(blue) 계열과 그린(green) 계열일 수 있다.Preferably, the light emitting nanocrystals and the inorganic phosphors are repeatedly aligned. It is preferable that the inorganic phosphors arranged on both sides of the light emitting nanocrystals are different kinds. The inorganic phosphor may be a blue series and a green series, respectively.

상기 발광 나노크리스털은 레드(red) 계열일 수 있다.The light emitting nanocrystals may be a red series.

상기 나노크리스털은 가로누운 기둥(column)형으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 나노크리스털은 복수개의 기둥형으로 형성되는 것을 바람직하다.Preferably, the nanocrystals are formed in a column-shaped column. The nanocrystals are preferably formed in a plurality of columnar shapes.

본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법은 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부를 상기 1차 광원 소자 위에 형성하는 단계;를 포함한다.Method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention comprises the steps of providing a primary light source (primary light source) element; And forming a secondary light emitting part formed of a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps on the primary light source device.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및 상기 1차 광원 소자 위에 상기 1차 광원 소자로부터 밴드갭(bandgap)이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 나노크리스털(nanocrystal)들을 적층하는 단계;를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: providing a primary light source device; And laminating nanocrystals on the primary light source element from the primary light source element in the order of the band gap to the size of the band gap.

상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 상기 1차 광원 소자 위에 밴드갭이 작은 제 1 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털 위에 상기 제 1 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 2 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털 위에 상기 제 2 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 3 나노크리스털을 적층하는 단계를 포함할 수 있다. The stacking of the nanocrystals may include stacking a first nanocrystal having a smaller band gap on the primary light source device, and depositing a second nanocrystal having a larger band gap than the first nanocrystal on the first nanocrystal. And laminating a third nanocrystal having a band gap larger than that of the second nanocrystal on the second nanocrystal.

상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열일 수 있다.The first nanocrystals may be red based, the second nanocrystals may be green based, and the third nanocrystals may be blue based.

상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 수행할 수 있다.The stacking of the nanocrystals may be performed by one of screen printing and spin coating.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법은 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 상기 1차 광원 소자에 홈을 형성하는 단계; 및 상기 홈에 상기 홈의 저면으로부터 밴드갭(bandgap)이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 나노크리스털(nanocrystal)들을 적층하는 단계;를 포함한다. Method of manufacturing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention comprises the steps of providing a primary light source (primary light source) element; Forming a groove in the primary light source element; And laminating nanocrystals in the grooves from the bottom of the groove to the band gap in order of size.                     

상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 상기 홈의 저면에 밴드갭이 작은 제 1 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털 위에 상기 제 1 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 2 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털 위에 상기 제 2 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 3 나노크리스털을 적층하는 단계를 포함할 수 있다. Laminating the nanocrystals may include laminating a first nanocrystal having a small bandgap on the bottom of the groove, and laminating a second nanocrystal having a larger bandgap than the first nanocrystal on the first nanocrystal. And stacking a third nanocrystal having a larger band gap than the second nanocrystal on the second nanocrystal.

상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열일 수 있다.The first nanocrystals may be red based, the second nanocrystals may be green based, and the third nanocrystals may be blue based.

상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 수행할 수 있다.The stacking of the nanocrystals may be performed by one of screen printing and spin coating.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법은 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및 상기 1차 광원 소자 위에 상호간에 밴드갭(bandgap)이 다른 나노크리스털(nanocrystal)들을 수평으로 정렬하는 단계;를 포함한다.Method of manufacturing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention comprises the steps of providing a primary light source (primary light source) element; And horizontally aligning nanocrystals having different bandgaps on the primary light source element.

상기 나노크리스털들을 정렬하는 단계는 상기 1차 광원 소자 위에 제 1 나노크리스털을 정렬하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털의 측면에 제 2 나노크리스털을 정렬하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털의 측면에 제 3 나노크리스털을 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. Aligning the nanocrystals may include arranging a first nanocrystal on the primary light source device, arranging a second nanocrystal on a side of the first nanocrystal, and on a side of the second nanocrystal. Aligning the third nanocrystals.

상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열일 수 있다.The first nanocrystals may be red based, the second nanocrystals may be green based, and the third nanocrystals may be blue based.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법은 1차 광원 (primary light source) 소자를 마련하는 단계; 상기 1차 광원 소자 위에 적어도 한 종류 이상의 무기질 형광체를 배치하는 단계; 및 상기 무기질 형광체와 수평으로 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)을 정렬하는 단계;를 포함한다.Method of manufacturing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention comprises the steps of providing a primary light source (primary light source) element; Disposing at least one inorganic phosphor on the primary light source element; And aligning the photoluminescent nanocrystals horizontally with the inorganic phosphor.

상기 발광 나노크리스털을 정렬하는 단계는 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체를 반복 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체를 반복 정렬하는 단계는 상기 발광 나노크리스털의 양측에 다른 종류의 무기질 형광체를 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 무기질 형광체는 각각 블루(blue) 계열과 그린(green) 계열일 수 있다.Aligning the light emitting nanocrystals may include repeating alignment of the light emitting nanocrystals with the inorganic phosphor. Repeatingly aligning the luminescent nanocrystals with the inorganic phosphor may include aligning different kinds of inorganic phosphors on both sides of the luminescent nanocrystals. The inorganic phosphor may be a blue series and a green series, respectively.

상기 발광 나노크리스털은 레드(red) 계열일 수 있다.The light emitting nanocrystals may be a red series.

상기 발광 나노크리스털을 정렬하는 단계는 상기 나노크리스털을 복수개의 기둥형으로 형성하는 단계와, 상기 기둥형 나노크리스털을 가로누운 형태로 배열하는 단계를 포함할 수 있다.Arranging the light emitting nanocrystals may include forming the nanocrystals in a plurality of columnar shapes, and arranging the columnar nanocrystals in a horizontally laid shape.

본 발명에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 의하면, 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율이 저하되는 현상을 방지할 수 있고, 나노크리스털들의 도포 용이성이 개선될 수 있으며, 나노크리스털들의 내구성과 발광 효율을 증대할 수 있다.According to the light emitting diode using the nanocrystal according to the present invention and a method of manufacturing the same, it is possible to prevent the phenomenon that the luminous efficiency is lowered due to the non-photon emission absorption can be prevented, the ease of coating nanocrystals can be improved, the durability of the nanocrystal And luminous efficiency can be increased.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다. Hereinafter, a light emitting diode using a nanocrystal and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the following drawings indicate like elements.                     

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting diode using a nanocrystal according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드(10)는 1차 광원(primary light source) 소자(11)와, 그 위에 순서대로 적층된 레드 나노크리스털(red nanocrystal)(12), 그린 나노크리스털(green nanocrystal)(13), 블루 나노크리스털(blue nanocrystal)(14)을 구비한다. 상기 나노크리스털(12, 13, 14)은 2차 발광부를 이룬다.Referring to FIG. 1, the light emitting diode 10 according to the present exemplary embodiment includes a primary light source element 11, a red nanocrystal 12, and green nano layers stacked in this order. A green nanocrystal 13 and a blue nanocrystal 14 are provided. The nanocrystals 12, 13, and 14 form secondary light emitting units.

상기 1차 광원 소자(11)는 전원이 인가되면 발광하여 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)을 여기시킨다. 상기 1차 광원 소자(11)는 410nm 보다 작은 파장을 가지는 질화물 반도체 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.The primary light source element 11 emits light when power is applied to excite the nanocrystals 12, 13, and 14. The primary light source element 11 is preferably made of a nitride semiconductor material having a wavelength smaller than 410nm.

상기 나노크리스털들(12, 13, 14)은 3-5족 화합물 반도체 물질 또는 2-6족 화합물 반도체 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, GaN, GaAs, ZnS, ZnSe, MgZnS, MgZnSe 등의 물질이 해당된다.The nanocrystals 12, 13, and 14 are preferably made of a group 3-5 compound semiconductor material or a group 2-6 compound semiconductor material. For example, materials, such as GaN, GaAs, ZnS, ZnSe, MgZnS, MgZnSe, correspond.

본 실시예에 따르면, 상호간에 밴드갭(bandgap)이 다른 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)은 공간적으로 분리되어 적층된다. 즉, 상기 1차 광원 소자(11)를 기점으로 밴드갭이 작은 상기 레드 나노크리스털(12), 상기 그린 나노크리스털(13), 상기 블루 나노크리스털(14) 순서로 상기 1차 광원 소자(11) 위에 적층된다.According to the present exemplary embodiment, the nanocrystals 12, 13, and 14 having different bandgaps from each other are spatially separated and stacked. That is, the primary light source element 11 in order of the red nanocrystal 12, the green nanocrystal 13, and the blue nanocrystal 14 having a small band gap starting from the primary light source element 11. Stacked on top.

상기와 같이, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)이 혼합되지 아니하고 공간적으로 분리되면, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)을 적절히 배치할 경우, 밴드갭이 상대적으로 큰 나노크리스털에서 나온 높은 에너지의 광자가 밴드갭이 상대적으로 작은 나노크리스털에 비발광 흡수되지 않는다. 예를 들어, 밴드갭이 상기 레드 나노크리스털(12)에 비해 상대적으로 큰 그린, 블루 나노크리스털들(13, 14)에서 나온 광자가 밴드갭이 상대적으로 작은 레드 나노크리스털(12)에 비발광 흡수되지 않을 수 있다. 따라서, 종래 각 형광체를 혼합 사용할 때 발생하던 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율의 저하 문제를 개선할 수 있다. As described above, when the nanocrystals 12, 13, and 14 are not mixed but spatially separated, when the nanocrystals 12, 13, and 14 are properly disposed, the nanocrystals having a relatively large band gap may be formed. The resulting high energy photons are not luminescently absorbed by the nanocrystals with relatively small bandgap. For example, photons from green and blue nanocrystals 13 and 14 having a larger bandgap than that of the red nanocrystals 12 are absorbed by the non-luminescent red nanocrystals 12 having a smaller bandgap. It may not be. Therefore, it is possible to improve the problem of deterioration in luminous efficiency due to photon non-emission absorption, which occurs when conventionally mixing respective phosphors.

상호간에 밴드갭이 다른 나노크리스털들을 공간적으로 분리하여 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율의 저하 문제를 개선하는 상기 특징은 이하에서 설명되는 본 발명의 다른 실시예에도 동일하게 적용된다.The above-mentioned feature of spatially separating nanocrystals having different bandgaps from each other to improve the problem of lowering the luminous efficiency by photon non-emitting absorption is equally applicable to other embodiments of the present invention described below.

상기와 같은 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율의 저하 문제를 개선할 수 있는 본 발명의 효과를 더욱 증대하기 위하여, 본 실시예에서는 상기 1차 광원 소자(11) 위에 상기 레드 나노크리스털(12), 상기 그린 나노크리스털(13), 상기 블루 나노크리스털(14)이 순서대로 적층되어 있다. 상기 적층 순서는 상기 1차 광원 소자(11)를 기점으로 밴드갭이 작은 것부터 큰 순서이다. In order to further increase the effect of the present invention which can improve the problem of lowering the luminous efficiency by photon non-emission absorption as described above, in the present embodiment, the red nanocrystal 12, on the primary light source element 11, The green nanocrystals 13 and the blue nanocrystals 14 are stacked in this order. The stacking order is the order starting from the smallest band gap starting from the primary light source element 11.

상기와 같은 상태에서, 상기 1차 광원 소자(11)에 전원이 인가되어 발광하면, 상기 1차 광원 소자(11)에서 나온 에너지가 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)에 전달되어 각 나노크리스털들(12, 13, 14)을 발광시킨다. 이 때, 상기 레드 나노크리스털(12)에서 나온 광자는 상기 그린, 블루 나노크리스털(13, 14)에 흡수되지 아니하고 외부로 전달되고, 상기 그린 나노크리스털(13)에서 나온 광자는 상기 블루 나노크리스털(14)에 흡수되지 아니하고 외부로 전달된다. 그리고, 상기 블루 나노크리스털(14)은 최상층이므로, 상기 블루 나노크리스털(14)에서 나온 광자는 그 대로 외부로 전달된다. 따라서, 본 실시예에 따른 발광 다이오드(10)는 광자 비발광 흡수에 의해 발광 효율이 저하되는 문제가 더욱 효과적으로 개선된다. In the above state, when power is applied to the primary light source element 11 to emit light, energy from the primary light source element 11 is transferred to the nanocrystals 12, 13, and 14 to each nanoparticle. The crystals 12, 13, and 14 are emitted. At this time, photons emitted from the red nanocrystals 12 are not absorbed by the green and blue nanocrystals 13 and 14 and are transmitted to the outside. Photons emitted from the green nanocrystals 13 are transferred to the blue nanocrystals ( 14) it is not absorbed and transmitted to the outside. And, since the blue nanocrystal 14 is the top layer, photons from the blue nanocrystal 14 are transmitted to the outside as it is. Therefore, the light emitting diode 10 according to the present embodiment is more effectively improved the problem that the luminous efficiency is lowered by the photon non-emitting absorption.

그리고, 상기와 같이, 상기 레드, 그린, 블루 나노크리스털들(12, 13, 14)에서 나온 광자가 모두 외부로 전달되어, 레드, 그린, 블루 세 가지 빛이 외부에서 인지될 수 있다. 따라서, 상기 레드, 그린, 블루 나노크리스털들(12, 13, 14)의 비율을 조절하여 상기 레드, 그린, 블루 세 가지 빛의 비율을 조절할 수 있으므로, 요구되는 색을 자유로이 실현할 수 있다.As described above, photons from the red, green, and blue nanocrystals 12, 13, and 14 are all transferred to the outside, and three lights of red, green, and blue may be recognized from the outside. Accordingly, since the ratio of the three colors of red, green, and blue can be adjusted by adjusting the ratio of the red, green, and blue nanocrystals 12, 13, and 14, the desired color can be freely realized.

또한, 본 실시예에서는, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)을 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 순차적으로 적층함으로써, 상기 발광 다이오드(10)를 형성할 수 있다. 상기와 같이 적층하면, 각 나노크리스털들(12, 13, 14)이 뭉치지 않고, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)이 침전되지 않는다. 따라서, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)의 도포 용이성이 개선된다.In the present embodiment, the nanocrystals 12, 13, and 14 are sequentially stacked by one of screen printing and spin coating, thereby forming the light emitting diode 10. can do. When stacked as described above, each of the nanocrystals 12, 13, and 14 do not aggregate, and the nanocrystals 12, 13, and 14 do not precipitate. Thus, the ease of application of the nanocrystals 12, 13, 14 is improved.

또한, 본 실시예에서는, 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)이 다른 물질, 예를 들어 유기(organic) 계열의 수지와 혼합되지 않는다. 따라서, 열전전도가 좋아 상기 나노크리스털들(12, 13, 14)의 내구성과 발광 효율을 증대할 수 있다. 이러한 본 실시예의 특징은 이하에서 설명되는 본 발명의 다른 실시예에도 동일하게 적용된다.In addition, in the present embodiment, the nanocrystals 12, 13 and 14 are not mixed with another material, for example, an organic resin. Therefore, the thermal conductivity is good, it is possible to increase the durability and luminous efficiency of the nanocrystals (12, 13, 14). This feature of the present embodiment is equally applicable to other embodiments of the present invention described below.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting diode using nanocrystal according to a second embodiment of the present invention.                     

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드(20)는 소정의 홈(25)이 형성된 1차 광원 소자(21)와, 상기 홈(25) 내부에 적층된 레드 나노크리스털(22), 그린 나노크리스털(23), 블루 나노크리스털(24)을 구비한다. 여기서, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)은 상기 홈(25)의 저면을 기점으로 레드 나노크리스털(22), 그린 나노크리스털(23), 블루 나노크리스털(24) 순서로 적층된다. 상기 적층 순서는 상기 홈(25)의 저면을 기점으로 밴드갭이 작은 것부터 밴드갭이 큰 순서이다. Referring to FIG. 2, the light emitting diode 20 according to the present embodiment includes a primary light source element 21 having a predetermined groove 25, a red nanocrystal 22 stacked inside the groove 25, The green nanocrystal 23 and the blue nanocrystal 24 are provided. The nanocrystals 22, 23, and 24 may be stacked in the order of the red nanocrystals 22, the green nanocrystals 23, and the blue nanocrystals 24 starting from the bottom surface of the groove 25. The stacking order is from the smallest band gap to the largest band gap starting from the bottom of the groove 25.

본 실시예에서는, 상기 1차 광원 소자(21)에 상기 홈(25)이 형성되어, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)이 적층됨으로써, 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율의 저하 문제를 개선하고, 상기 레드, 그린, 블루 세 가지 빛의 비율을 조절하여 요구되는 색을 자유로이 실현할 수 있다. 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)의 적층에 따른 상기 효과는 제 1 실시예에서 설명한 바와 같다.In the present exemplary embodiment, the groove 25 is formed in the primary light source element 21, and the nanocrystals 22, 23, and 24 are stacked, thereby reducing the emission efficiency due to non-photon emission. It is possible to freely realize the required color by improving and adjusting the ratio of the three colors of red, green and blue. The effects of stacking the nanocrystals 22, 23, and 24 are as described in the first embodiment.

본 실시예에서, 상기 홈(25)은 요구되는 개수만큼 다수개 형성될 수 있다. 그리고, 상기 다수개의 홈(25)은 상호간에 소정 간격으로 이격되는 것이 바람직하다. 상기와 같이, 상기 홈(25) 사이가 이격되면, 상기 홈(25) 사이에 격벽(26)이 형성된다. 상기 발광 다이오드(20)가 작동할 때, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)에서 발산된 광자는 상기 홈(25)의 개구면을 통해 외부로 전달된다. 이 때, 상기 광자 중의 일부는 상기와 같은 경로가 아닌, 상기 격벽(26) 내로 입사한다. 상기 격벽(26) 내로 입사한 상기 광자는 상기 격벽(26) 내벽에서 반사되어, 상기 격벽(26)의 상단면을 통해 외부로 전달된다. 따라서, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)에서 발산된 광자의 손실을 감소시킬 수 있어, 상기 발광 다이오드(20)의 발광 효 율을 증대시킬 수 있다.In the present embodiment, a plurality of grooves 25 may be formed as required. In addition, the plurality of grooves 25 may be spaced apart from each other at predetermined intervals. As described above, when the grooves 25 are spaced apart from each other, the partition wall 26 is formed between the grooves 25. When the light emitting diode 20 is in operation, photons emitted from the nanocrystals 22, 23, and 24 are transmitted to the outside through the opening surface of the groove 25. At this time, some of the photons enter the partition wall 26 rather than the path as described above. The photons incident into the partition 26 are reflected by the inner wall of the partition 26 and transmitted to the outside through the top surface of the partition 26. Therefore, the loss of photons emitted from the nanocrystals 22, 23, and 24 may be reduced, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode 20.

상기 나노크리스털들(22, 23, 24)을 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating), 디핑(dipping) 중 어느 하나에 의하여 상기 홈(25)에 순차적으로 적층함으로써, 상기 발광 다이오드(20)를 형성할 수 있다. 상기와 같이 적층하면, 각 나노크리스털들(22, 23, 24)이 뭉치지 않고, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)이 침전되지 않는다. 따라서, 상기 나노크리스털들(22, 23, 24)의 도포 용이성이 개선된다.The nanocrystals 22, 23, and 24 are sequentially stacked on the grooves 25 by any one of screen printing, spin coating, and dipping, thereby forming the light emitting diode ( 20) can be formed. When stacked as described above, each of the nanocrystals 22, 23, and 24 do not aggregate, and the nanocrystals 22, 23, and 24 do not precipitate. Thus, the ease of application of the nanocrystals 22, 23, 24 is improved.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting diode using nanocrystal according to a third embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드(30)는 1차 광원 소자(31)와, 상기 1차 광원 소자(31) 위에 수평으로 정렬된 레드 나노크리스털(32), 그린 나노크리스털(33), 블루 나노크리스털(34)을 구비한다.Referring to FIG. 3, the light emitting diode 30 according to the present embodiment includes a primary light source element 31, red nanocrystals 32 and green nanocrystals horizontally aligned on the primary light source element 31. 33), blue nanocrystal 34 is provided.

본 실시예에서, 상기 나노크리스털들(32, 33, 34)은 일정한 순서로 반복 정렬될 수 있다. 예를 들어, 밴드갭이 크기 순서대로 상기 레드 나노크리스털(32), 상기 그린 나노크리스털(33), 상기 블루 나노크리스털(34) 순으로 정렬될 수 있다. In this embodiment, the nanocrystals 32, 33, 34 may be repeatedly arranged in a certain order. For example, the band gaps may be arranged in order of the red nanocrystals 32, the green nanocrystals 33, and the blue nanocrystals 34 in order of size.

상기와 같이, 상기 나노크리스털들(32, 33, 34)이 상기 1차 광원 소자(31) 위에 반복적으로 수평 정렬되면, 각 나노크리스털들(32, 33, 34)의 비율을 조절함으로써 다양한 색을 구현할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드(30)는 디스플레이(display)로 이용될 수 있다.As described above, when the nanocrystals 32, 33, 34 are repeatedly horizontally aligned on the primary light source element 31, various colors may be adjusted by adjusting the ratio of the respective nanocrystals 32, 33, 34. Can be implemented. Therefore, the light emitting diode 30 may be used as a display.

상기 나노크리스털들(32, 33, 34)이 각각 공간적으로 분리되어 일정한 순서 로 반복 정렬되므로, 상기 나노크리스털들(32, 33, 34)이 뭉치거나 침전되지 않는다. 따라서, 상기 나노크리스털들(32, 33, 34)의 도포 용이성이 개선된다.Since the nanocrystals 32, 33, and 34 are spatially separated from each other and repeatedly arranged in a predetermined order, the nanocrystals 32, 33, and 34 do not aggregate or precipitate. Thus, the ease of application of the nanocrystals 32, 33, 34 is improved.

도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드에 대한 단면도이다.4 is a perspective view schematically illustrating a light emitting diode using nanocrystals according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드(40)는 1차 광원 소자(41)와, 상기 1차 광원 소자(41) 위에 마련된 나노 크리스털(42) 및 무기질 형광체(43, 44)를 구비한다.4 and 5, the light emitting diode 40 according to the present exemplary embodiment includes a primary light source element 41, a nano crystal 42 and an inorganic phosphor 43 formed on the primary light source element 41. 44).

상기 나노크리스털(42) 및 상기 무기질 형광체(43, 44)는 반복 정렬된다. 일반적으로 무기질 형광체는 레드 계열의 발광 성능이 그린, 블루 계열의 발광 성능에 비해 떨어진다. 본 실시예에서는, 그린 계열 및 블루 계열은 무기질 형광체(43, 44)을 이용하고, 레드 계열은 나노크리스털(42)을 이용한다. 상기와 같이 구성됨으로써, 상기 발광 다이오드(40)의 발광 효율을 증대시킬 수 있다.The nanocrystals 42 and the inorganic phosphors 43 and 44 are repeatedly aligned. In general, the inorganic phosphor has a lower luminous performance of the red series compared to that of the green and blue series. In the present embodiment, the green series and the blue series use the inorganic phosphors 43 and 44, and the red series use the nanocrystals 42. By the above configuration, the light emitting efficiency of the light emitting diode 40 can be increased.

또한, 상기 나노크리스털(42) 및 상기 무기질 형광체(43, 44)는 상기 1차 광원 소자(41) 위에 수평으로 정렬된다. 상기한 바와 같이, 레드 계열의 상기 나노크리스털(42)과, 그린, 블루 계열의 상기 무기질 형광체(43, 44)가 사용되고, 상기 나노크리스털(42) 및 상기 무기질 형광체(43, 44)가 수평으로 정렬되면, 상기 발광 다이오드(40)는 다양한 색을 구현할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드(40)는 디스플레이로 이용될 수 있다.In addition, the nanocrystals 42 and the inorganic phosphors 43 and 44 are horizontally aligned on the primary light source element 41. As described above, the red-based nanocrystals 42 and the green and blue-based inorganic phosphors 43 and 44 are used, and the nanocrystals 42 and the inorganic phosphors 43 and 44 are horizontally disposed. When aligned, the light emitting diode 40 can implement various colors. Therefore, the light emitting diode 40 can be used as a display.

상기 나노크리스털(42)은 가로누운 기둥(column)형을 이루는 것이 바람직하 다. 상기 기둥형 나노크리스털(42)은 복수개가 마련되어, 레드 계열의 발광을 하는 나노크리스털부를 구성한다. 상기 나노크리스털(42)이 기둥형으로 형성된 다음, 상기 무기질 형광체(43, 44) 사이에 가로누운 형태로 마련될 수 있으므로, 상기 나노크리스털(42)의 도포 용이성이 개선된다.The nanocrystals 42 preferably form a horizontal columnar (column) type. The columnar nanocrystals 42 are provided in plural, and constitute a nanocrystal part that emits red light. Since the nanocrystals 42 are formed in a columnar shape, the nanocrystals 42 may be provided in a horizontally laid form between the inorganic phosphors 43 and 44, thereby improving the ease of coating the nanocrystals 42.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 나노크리스털을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 의하면, 상호간에 밴드갭이 다른 나노크리스털들이 공간적으로 분리되어 마련됨으로써, 밴드갭이 큰 나노크리스털에서 나온 높은 에너지의 광자가 밴드갭이 작은 나노크리스털에 비발광 흡수되지 않는다. 따라서, 광자 비발광 흡수에 의한 발광 효율이 저하되는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the light emitting diode using the nanocrystal according to the present invention configured as described above and a method of manufacturing the same, nanocrystals having different band gaps are provided spatially separated from each other, thereby providing high energy photons from the nanocrystals having a large band gap. There is no luminescence absorption in nanocrystals with a small band gap. Therefore, there is an effect that can prevent the phenomenon that the luminous efficiency by the photon non-luminescence absorption is lowered.

또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 의하면, 나노크리스털들이 1차 광원 소자 위에 적층되거나 수평적으로 정렬되므로, 나노크리스털들이 몰딩 중에 뭉치거나 침전되는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 나노크리스털들의 도포 용이성이 개선될 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the light emitting diode and the method of manufacturing the same according to the present invention, since the nanocrystals are stacked or aligned horizontally on the primary light source device, it is possible to prevent the nanocrystals from being agglomerated or precipitated during molding. Therefore, there is an effect that the ease of application of nanocrystals can be improved.

또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 의하면, 나노크리스털들이 다른 물질, 예를 들어 유기물(organic) 수지와 혼합되지 않으므로, 형광체를 유기 계열의 수지와 혼합하여 낮은 열전전도로 인해 열이 외부로 잘 발산되지 못하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 나노크리스털들의 내구성과 발광 효율을 증대할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the light emitting diode and the method of manufacturing the same according to the present invention, since the nanocrystals are not mixed with other materials, for example, organic resins, the phosphors are mixed with the organic-based resins and thus heat is reduced due to low thermal conductivity. It can prevent the phenomenon that it does not diverge well to the outside. Therefore, there is an effect that can increase the durability and luminous efficiency of the nanocrystals.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것 에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.

Claims (39)

1차 광원(primary light source) 소자; 및Primary light source device; And 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고,And a secondary light emitting part provided on the primary light source element, the secondary light emitting part including a plurality of light emitting nanocrystals having different bandgaps. 상기 나노크리스털은 공간적으로 분리된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is characterized in that the light emitting diode spatially separated. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 광원은 410nm 보다 작은 파장을 가지는 질화물 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The primary light source is a light emitting diode, characterized in that the nitride semiconductor material having a wavelength less than 410nm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 나노크리스털은 3-5족 화합물 반도체 물질 또는 2-6족 화합물 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode comprising a group 3-5 compound semiconductor material or a group 2-6 compound semiconductor material. 1차 광원(primary light source) 소자; 및Primary light source device; And 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)이 공간적으로 분리된 2차 발광부;를 구비하고,And a secondary light emitting part provided on the primary light source element and having a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps from each other. 상기 나노크리스털이 상기 1차 광원 소자로부터 밴드갭이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 적층된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that stacked in the order of the band gap from the small band gap from the primary light source element. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 나노크리스털은 상기 1차 광원 소자로부터 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열 순서로 적층된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that stacked in the order of the red (red), green (green), blue series from the primary light source element. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 나노크리스털은 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that formed by any one of screen printing (spinning), spin coating (spin coating). 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부; 및A secondary light emitting unit including a plurality of light emitting nanocrystals having different bandgaps; And 상기 2차 발광부가 삽입되는 홈이 형성된 1차 광원(primary light source) 소자;를 구비하고,And a primary light source device having a groove into which the secondary light emitting part is inserted. 상기 나노크리스털이 상기 홈의 저면으로부터 밴드갭이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 적층된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystals are light emitting diodes, characterized in that stacked in the order of the band gap from the smallest band gap from the bottom of the groove. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 홈은 복수개인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The groove is characterized in that the light emitting diode. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 홈은 상호간에 소정 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The grooves are light emitting diodes, characterized in that spaced apart from each other at a predetermined interval. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 나노크리스털은 상기 홈의 저면으로부터 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열 순서로 적층된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that stacked in the order of red (red), green (green), blue (blue) series from the bottom of the groove. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 나노크리스털은 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 디핑(dipping) 중 어느 하나에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that formed by any one of spin coating, screen printing, dipping (dipping). 1차 광원(primary light source) 소자; 및Primary light source device; And 상기 1차 광원 소자 위에 마련되고, 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고,And a secondary light emitting part provided on the primary light source element, the secondary light emitting part including a plurality of light emitting nanocrystals having different bandgaps. 상기 나노크리스털들이 수평으로 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystals are characterized in that the horizontal alignment. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 나노크리스털들은 일정한 순서로 반복 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystals are light-emitting diodes, characterized in that arranged repeatedly in a certain order. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 나노크리스털은 레드(red) 계열, 그린(green) 계열, 블루(blue) 계열이 반복적으로 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that the red (red), green (green), blue (blue) series is repeatedly arranged. 1차 광원(primary light source) 소자;Primary light source device; 상기 1차 광원 소자 위에 마련되는 적어도 한 종류 이상의 무기질 형광체와, 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부;를 구비하고,And a secondary light emitting unit including at least one inorganic phosphor provided on the primary light source element, and a light emitting nanocrystal. 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체가 수평으로 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diodes of claim 1, wherein the light emitting nanocrystals and the inorganic phosphor are horizontally aligned. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체는 반복 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diodes of claim 1, wherein the light emitting nanocrystals and the inorganic phosphors are repeatedly aligned. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 발광 나노크리스털의 양측에 정렬된 무기질 형광체는 다른 종류인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Inorganic phosphors arranged on both sides of the light-emitting nanocrystals are light emitting diodes, characterized in that a different kind. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 무기질 형광체는 각각 블루(blue) 계열과 그린(green) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The inorganic phosphor is a blue light emitting diode, characterized in that the blue (green) and green (green) series. 제 15 항에 있어서, The method of claim 15, 상기 발광 나노크리스털은 레드(red) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diode is characterized in that the light emitting nanocrystals (red) series. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 나노크리스털은 가로누운 기둥(column)형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that formed in a horizontal column (column) type. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 나노크리스털은 복수개의 기둥형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The nanocrystal is a light emitting diode, characterized in that formed in a plurality of columnar. 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및Providing a primary light source device; And 밴드갭(bandgap)이 서로 다른 복수개의 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)로 이루어지는 2차 발광부를 상기 1차 광원 소자 위에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.And forming a secondary light emitting part formed of a plurality of photoluminescent nanocrystals having different bandgaps on the primary light source device. 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및Providing a primary light source device; And 상기 1차 광원 소자 위에 상기 1차 광원 소자로부터 밴드갭(bandgap)이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 나노크리스털(nanocrystal)들을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Stacking nanocrystals on the primary light source element from the primary light source element in the order of the bandgap to the band gap size; and manufacturing nanocrystals. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, 상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 상기 1차 광원 소자 위에 밴드갭이 작은 제 1 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털 위에 상기 제 1 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 2 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털 위에 상기 제 2 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 3 나노크리스털을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The stacking of the nanocrystals may include stacking a first nanocrystal having a smaller band gap on the primary light source device, and depositing a second nanocrystal having a larger band gap than the first nanocrystal on the first nanocrystal. Stacking and stacking a third nanocrystal having a larger band gap than the second nanocrystal on the second nanocrystal. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The first nanocrystal is a red series, the second nanocrystal is a green series, and the third nanocrystal is a blue based manufacturing method of a light emitting diode. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, 상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The stacking of the nanocrystals is carried out by any one of screen printing (spinning), spin coating (spin coating). 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계;Providing a primary light source device; 상기 1차 광원 소자에 홈을 형성하는 단계; 및Forming a groove in the primary light source element; And 상기 홈에 상기 홈의 저면으로부터 밴드갭(bandgap)이 작은 것부터 밴드갭의 크기 순서로 나노크리스털(nanocrystal)들을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Stacking nanocrystals in the groove from the bottom of the groove to the band gap in order from the bottom of the groove to the size of the band gap. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 상기 홈의 저면에 밴드갭이 작은 제 1 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털 위에 상기 제 1 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 2 나노크리스털을 적층하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털 위에 상기 제 2 나노크리스털보다 밴드갭이 더 큰 제 3 나노크리스털을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Laminating the nanocrystals may include laminating a first nanocrystal having a small bandgap on the bottom of the groove, and laminating a second nanocrystal having a larger bandgap than the first nanocrystal on the first nanocrystal. And laminating a third nanocrystal having a larger band gap than the second nanocrystal on the second nanocrystal. 제 28 항에 있어서,The method of claim 28, 상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The first nanocrystal is a red series, the second nanocrystal is a green series, and the third nanocrystal is a blue based manufacturing method of a light emitting diode. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 나노크리스털들을 적층하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing), 스핀 코팅(spin coating) 중 어느 하나에 의하여 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The stacking of the nanocrystals is carried out by any one of screen printing (spinning), spin coating (spin coating). 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계; 및Providing a primary light source device; And 상기 1차 광원 소자 위에 상호간에 밴드갭(bandgap)이 다른 나노크리스털(nanocrystal)들을 수평으로 정렬하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.And aligning horizontally nanocrystals having different bandgaps on the primary light source element. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 나노크리스털들을 정렬하는 단계는 상기 1차 광원 소자 위에 제 1 나노크리스털을 정렬하는 단계와, 상기 제 1 나노크리스털의 측면에 제 2 나노크리스털 을 정렬하는 단계와, 상기 제 2 나노크리스털의 측면에 제 3 나노크리스털을 정렬하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Aligning the nanocrystals may include arranging a first nanocrystal on the primary light source device, arranging a second nanocrystal on a side of the first nanocrystal, and on a side of the second nanocrystal. The method of manufacturing a light emitting diode comprising the step of aligning the third nanocrystal. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 제 1 나노크리스털은 레드(red) 계열이고, 상기 제 2 나노크리스털은 그린(green) 계열이며, 상기 제 3 나노크리스털은 블루(blue) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The first nanocrystal is a red series, the second nanocrystal is a green series, and the third nanocrystal is a blue based manufacturing method of a light emitting diode. 1차 광원(primary light source) 소자를 마련하는 단계;Providing a primary light source device; 상기 1차 광원 소자 위에 적어도 한 종류 이상의 무기질 형광체를 배치하는 단계; 및Disposing at least one inorganic phosphor on the primary light source element; And 상기 무기질 형광체와 수평으로 발광 나노크리스털(photoluminescent nanocrystal)을 정렬하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.And arranging photoluminescent nanocrystals horizontally with the inorganic phosphor. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 발광 나노크리스털을 정렬하는 단계는 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체를 반복 정렬하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Arranging the light emitting nanocrystals comprises the step of repeating the alignment of the light emitting nanocrystals and the inorganic phosphor. 제 35 항에 있어서,36. The method of claim 35 wherein 상기 발광 나노크리스털과 상기 무기질 형광체를 반복 정렬하는 단계는 상기 발광 나노크리스털의 양측에 다른 종류의 무기질 형광체를 정렬하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.Repeatingly aligning the light emitting nanocrystals and the inorganic phosphors comprises the step of aligning different kinds of inorganic phosphors on both sides of the light emitting nanocrystals. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 무기질 형광체는 각각 블루(blue) 계열과 그린(green) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The inorganic phosphor is a blue (blue) series and a green (green) series manufacturing method of the light emitting diode, characterized in that. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 발광 나노크리스털은 레드(red) 계열인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The light emitting nanocrystal is a method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that the red (red) series. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 발광 나노크리스털을 정렬하는 단계는 상기 나노크리스털을 복수개의 기둥형으로 형성하는 단계와, 상기 기둥형 나노크리스털을 가로누운 형태로 배열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The arranging the light emitting nanocrystals includes forming the nanocrystals in a plurality of columnar shapes, and arranging the columnar nanocrystals in a horizontally laid out shape.

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