KR20060058200A - Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby - Google Patents

Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby Download PDF

Info

Publication number
KR20060058200A
KR20060058200A KR1020040096934A KR20040096934A KR20060058200A KR 20060058200 A KR20060058200 A KR 20060058200A KR 1020040096934 A KR1020040096934 A KR 1020040096934A KR 20040096934 A KR20040096934 A KR 20040096934A KR 20060058200 A KR20060058200 A KR 20060058200A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
wafer
unit
photosensitive film
pattern
Prior art date
Application number
KR1020040096934A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이성원
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040096934A priority Critical patent/KR20060058200A/en
Publication of KR20060058200A publication Critical patent/KR20060058200A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

반도체 소자 제조 장치가 제공된다. 반도체 소자 제조 장치는 웨이퍼 상에 감광막을 형성하는 감광막 형성부, 감광막이 형성된 웨이퍼를 소정의 시간동안 포토 마스크를 이용하여 노광시키는 노광부, 감광막이 소정의 패턴으로 웨이퍼 상에 남아있도록 하는 현상부, 감광막 형성부와 노광부 사이에 위치하고 감광막의 두께 측정 및 불량 유무를 판단하는 감광막 검사 장치, 현상부 다음에 위치하고 현상부에서 현상 공정을 거친 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 정확하게 형성되었는지 여부를 검사하는 감광막 패턴 검사 장치를 포함한다. 또한, 반도체 소자 제조 장치에 사용되는 감광막 패턴 검사 장치 및 이를 이용한 감광막 패턴 검사 방법도 제공된다.A semiconductor device manufacturing apparatus is provided. The semiconductor device manufacturing apparatus includes a photosensitive film forming part for forming a photosensitive film on a wafer, an exposure part for exposing a wafer on which the photosensitive film is formed using a photo mask for a predetermined time, a developing part for allowing the photosensitive film to remain on the wafer in a predetermined pattern; Photosensitive film inspection apparatus positioned between the photosensitive film forming portion and the exposed portion to measure the thickness of the photosensitive film and to determine whether there is a defect, or a photosensitive film for inspecting whether a predetermined pattern is formed correctly on the wafer placed after the developing portion and subjected to the developing process in the developing portion. And a pattern inspection device. Further, a photosensitive film pattern inspection apparatus used in a semiconductor device manufacturing apparatus and a photosensitive film pattern inspection method using the same are also provided.

반도체 소자 제조 장치, 감광막 패턴 검사Semiconductor device manufacturing apparatus, photoresist pattern inspection

Description

반도체 소자 제조 장치, 감광막 패턴 검사 장치 및 이를 이용한 감광막 패턴의 검사 방법{Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby}Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby

도 1a 내지 도 1f는 반도체 제조 공정에 있어서 포토-식각 공정을 이용해 소정의 막 패턴을 형성하는 것을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a process of forming a predetermined film pattern using a photo-etching process in a semiconductor manufacturing process.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치에 사용되는 감광막 패턴 검사 장치를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the photosensitive film pattern inspection apparatus used for the semiconductor element manufacturing apparatus of this invention.

도 4는 본 발명의 다른 기술적 과제를 해결하기 위하여 상기 감광막 패턴 검사 장치를 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막 패턴 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a photoresist pattern inspection method according to an embodiment of the present invention using the photoresist pattern inspection apparatus to solve another technical problem of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

200: 웨이퍼 전처리부 210: 감광막 형성부200: wafer pretreatment unit 210: photosensitive film forming unit

220: 감광막 검사 장치 222: 두께 측정부220: photosensitive film inspection device 222: thickness measuring unit

224: 불량품 수납부 226: 노광 시간 조절부224: defective product storage unit 226: exposure time adjustment unit

230: 노광부 240: 현상부 230: exposure part 240: developing part                 

250: 감광막 패턴 검사 장치 300: 스테이지250: photosensitive film pattern inspection device 300: stage

310: 메모리부 320: 이미지 생성부310: memory unit 320: image generating unit

330: 정렬부 340: 비교부330: alignment unit 340: comparison unit

350: 컨트롤러350: controller

본 발명은 반도체 소자 제조 장치, 감광막 패턴 검사 장치 및 이를 이용한 감광막 패턴의 검사 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 감광막이 양호하게 도포되었는지 여부 및 현상 공정을 거친 후 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 정확하게 형성되었는지 여부를 간단하고 편리하게 검사할 수 있는 검사 장치를 포함하는 반도체 소자 제조 장치, 이에 이용되는 감광막 패턴 검사 장치 및 이를 이용한 감광막 패턴의 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, a photoresist pattern inspection apparatus and a method for inspecting a photoresist pattern using the same, and more particularly, whether or not the photoresist is well coated on the wafer and after the development process, a predetermined pattern on the wafer. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus including an inspection apparatus capable of simply and conveniently inspecting whether it is correctly formed, a photoresist pattern inspection apparatus used therein, and a method for inspecting a photoresist pattern using the same.

반도체 소자(semiconductor device)는 크게 DRAM으로 대표되는 메모리 분야와 LSI로 대표되는 비메모리 분야로 나뉘어진다.Semiconductor devices are largely divided into the memory sector represented by DRAM and the non-memory sector represented by LSI.

이와 같은 반도체 소자들은 모두 반도체 제조 공정(semiconductor fabrication process)에 의해 제조되는데, 이러한 반도체 제조 공정은 확산(diffusion), 박막 형성(thin film), 포토(photo) 및 식각(etching) 공정을 수차례 반복함으로써 전기적으로 완전하게 작동되는 반제품 상태의 웨이퍼를 제조하는 공정이다. All of these semiconductor devices are manufactured by a semiconductor fabrication process, which repeats the diffusion, thin film, photo and etching processes several times. This is a process of manufacturing a wafer in a semi-finished state that is electrically operated completely.                         

도 1a 내지 도 1f는 반도체 제조 공정에 있어서 포토-식각 공정을 이용해 소정의 막 패턴을 형성하는 것을 설명하기 위한 공정 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a process of forming a predetermined film pattern using a photo-etching process in a semiconductor manufacturing process.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(100) 상에 소정의 막(110)을 증착한다.First, as shown in FIG. 1A, a predetermined film 110 is deposited on the wafer 100.

다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이 소정의 막(110) 상에 감광막(photoresist; 120)을 도포한다.Next, as shown in FIG. 1B, a photoresist 120 is coated on the predetermined film 110.

다음으로, 도 1c에 도시된 바와 같이 감광막(120)은 포토 마스크(미도시)를 통해 자외선과 같은 광원에 노출시켜 자외선에 노출된 영역(125)의 감광막(120) 조직을 변형시킨다.Next, as illustrated in FIG. 1C, the photoresist layer 120 is exposed to a light source such as ultraviolet rays through a photo mask (not shown) to deform the photoresist layer 120 structure of the region 125 exposed to the ultraviolet rays.

다음으로, 도 1d에 도시된 바와 같이 현상액을 감광막(120)에 뿌려 자외선에 노출된 영역(125)을 제거하여 감광막 패턴(120')을 형성한다(이러한 감광막을 포지티브 감광막이라고 함).Next, as illustrated in FIG. 1D, a developer is sprayed onto the photoresist 120 to remove the region 125 exposed to ultraviolet rays to form a photoresist pattern 120 ′ (such a photoresist is called a positive photoresist film).

다음으로, 도 1e에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(120')을 마스크로 하여 감광막 패턴(120')이 형성되지 아니한 영역에 드러난 소정의 막(110)을 식각한다.Next, as shown in FIG. 1E, the predetermined film 110 exposed in the region where the photoresist pattern 120 'is not formed is etched using the photoresist pattern 120' as a mask.

마지막으로, 도 1f에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(120')을 제거하면 소정의 막 패턴(110')이 형성된다.Finally, as shown in FIG. 1F, when the photoresist pattern 120 ′ is removed, a predetermined film pattern 110 ′ is formed.

이와 같이 포토공정은 결국 식각 공정에 있어서 마스크로 사용될 감광막 패턴(120')을 제조하기 위한 공정이며, 감광막 패턴(120')이 얼마나 정확하고 정교하게 형성되었는지는 형성을 원하는 소정의 막 패턴(110')의 정확성과 정교함을 좌우하게 된다. As described above, the photo process is a process for manufacturing the photoresist pattern 120 'to be used as a mask in the etching process, and how accurately and precisely the photoresist pattern 120' is formed is a predetermined film pattern 110 to be formed. The accuracy and sophistication of ').                         

따라서, 일반적으로 포토 공정이 완료된 후 반도체 제조 공정에서는 감광막 패턴(120')이 제대로 형성되었는지를 확인하는 검사 장치를 두게 된다.Therefore, in general, in the semiconductor manufacturing process after the photo process is completed, an inspection apparatus for checking whether the photoresist pattern 120 'is properly formed is provided.

이러한 검사 장치를 KLA 장비라고 하는데, KLA 장비는 감광막 패턴(120')의 두께 및 불량 여부, 포토 마스크에 대응하여 정확한 감광막 패턴(120')이 형성되었는지 여부 등과 같이 감광막 패턴(120')에 대하여 다양한 검사를 수행한다.Such an inspection apparatus is referred to as a KLA device, and the KLA device includes a photoresist pattern 120 'such as a thickness and a defect of the photoresist pattern 120' and whether an accurate photoresist pattern 120 'is formed in response to a photo mask. Perform various tests.

그런데, KLA 장비에 의한 감광막 패턴(120')의 검사 결과 초기 포토 공정에서의 공정 에러로 인해 감광막 패턴(120')에 불량이 발생한 경우, 가령 감광막 패턴(120')의 두께가 얇거나 두껍다던지 또는 감광막 패턴(120')의 두께의 균일성이 떨어지는 경우에는 그 후의 노광 및 현상 공정은 불필요하였음에도 수행된 결과가 된다.However, as a result of the inspection of the photoresist pattern 120 'by the KLA device, when a defect occurs in the photoresist pattern 120' due to a process error in the initial photo process, for example, the thickness of the photoresist pattern 120 'is thin or thick. Alternatively, when the uniformity of the thickness of the photosensitive film pattern 120 'is inferior, subsequent exposure and development processes are performed even though they are unnecessary.

따라서, 감광막 도포 공정 후 감광막의 두께 및 불량 유무를 확인할 수 있는 검사 장치를 별도로 둘 필요가 있다.Therefore, after the photoresist coating step, it is necessary to separately install an inspection apparatus capable of confirming the thickness and the presence or absence of the photoresist film.

또한, 감광막 패턴(120') 검사를 보다 간단하고 편리하게 수행할 수 있는 간단하고 편리한 검사 장치의 개발이 필요하다.In addition, it is necessary to develop a simple and convenient inspection apparatus capable of performing the photoresist pattern 120 'inspection more simply and conveniently.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 감광막 도포 공정 후 감광막의 불량여부를 확인할 수 있는 검사 장치를 둠으로서 도포된 감광막이 불량일 경우 웨이퍼가 불필요한 다음 공정으로 진행되는 것을 방지하여 공정 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 보다 간단하고 편리하게 감광막 패턴을 검사할 수 있는 감광막 패턴 검사 장치를 포함하는 반도체 소자 제조 장치를 제공함에 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an inspection apparatus that can check whether the photoresist film is defective after the photoresist coating process, and if the coated photoresist film is defective, it is possible to prevent the wafer from proceeding to the next unnecessary process to increase process efficiency. Rather, it is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus including a photoresist pattern inspection device that can inspect the photoresist pattern more simply and conveniently.                         

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 반도체 소자 제조 장치에 사용되는 감광막 패턴 검사 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a photosensitive film pattern inspection apparatus used in such a semiconductor device manufacturing apparatus.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기의 감광막 패턴 검사 장치를 이용한 감광막 패턴 검사 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a photoresist pattern inspection method using the photoresist pattern inspection apparatus.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 웨이퍼 상에 감광막을 형성하는 감광막 형성부, 감광막이 형성된 웨이퍼를 소정의 시간동안 포토 마스크를 이용하여 노광시키는 노광부, 감광막이 소정의 패턴으로 웨이퍼 상에 남아있도록 하는 현상부, 감광막 형성부와 노광부 사이에 위치하고 감광막의 두께 측정 및 불량 유무를 판단하는 감광막 검사 장치, 현상부 다음에 위치하고 현상부에서 현상 공정을 거친 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 정확하게 형성되었는지 여부를 검사하는 감광막 패턴 검사 장치를 포함한다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problem is a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film on the wafer, an exposure unit for exposing the wafer on which the photosensitive film is formed using a photo mask for a predetermined time And a photosensitive film inspection apparatus positioned between the photosensitive film forming portion and the exposed portion to determine the photoresist film remaining on the wafer in a predetermined pattern, and measuring the thickness of the photosensitive film and determining whether there is a defect. And a photosensitive film pattern inspection apparatus for inspecting whether or not a predetermined pattern is accurately formed on the rough wafer.

상기의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막 패턴 검사 장치는 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 소정의 제1 패턴 이미지가 기억되는 메모리부, 스테이지에 놓인 웨이퍼의 상의 감광막 패턴을 이미지화 하여 제2 패턴 이미지를 생성하는 이미지 생성부, 스테이지를 구동시켜 웨이퍼를 이미지 생성부에 정렬시키는 정렬부, 메모리부에 기억된 제1 패턴 이미지와 이미지 생성부에 서 생성된 제2 패턴 이미지를 비교하여 비교 결과를 전기적 신호로 출력하는 비교부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for inspecting a photoresist pattern, which includes imaging a stage on which a wafer is seated, a memory unit for storing a predetermined first pattern image, and a photoresist pattern on a wafer placed on the stage. An image generator for generating a second pattern image, an alignment unit for driving a stage to align the wafer to the image generator, and a first pattern image stored in the memory unit and a second pattern image generated in the image generator And a comparison unit outputting the comparison result as an electrical signal.

상기의 또 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막 패턴의 검사 방법은 메모리부에 소정의 이미지를 기억하는 단계, 현상 공정을 거친 웨이퍼를 스테이지에 안착시키는 단계, 스테이지를 구동시켜 웨이퍼를 이미지 생성부에 정렬시키는 단계, 이미지 생성부를 이용하여 상기 웨이퍼 상의 감광막 패턴의 이미지를 생성하는 단계, 이미지 생성부에 의해 생성된 이미지와 메모리부에 기억된 이미지를 비교하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of inspecting a photoresist pattern, storing a predetermined image in a memory unit, mounting a wafer, which has been developed, on a stage, and driving a stage. Aligning the wafer to the image generating unit, generating an image of the photoresist pattern on the wafer using the image generating unit, and comparing the image generated by the image generating unit with the image stored in the memory unit. .

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장 치는 웨이퍼 전처리부(200), 감광막 형성부(210), 노광부(230), 현상부(240), 감광막 검사 장치(220) 및 감광막 패턴 검사 장치(250)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the device for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present inventive concept may include a wafer pretreatment unit 200, a photoresist forming unit 210, an exposure unit 230, a developing unit 240, and a photoresist inspection device ( 220 and a photoresist pattern inspection device 250.

웨이퍼 전처리부(200)는 웨이퍼를 세척 및 건조하는 곳으로, 세척은 화학 용액으로 행해지는 습식세척 및 불활성 가스에 의한 건식 세척을 실시하고 건조는 약 150~200℃의 오븐에서 행하여 진다.The wafer pretreatment unit 200 is a place where the wafer is washed and dried. The washing is performed by a wet washing performed by a chemical solution and a dry washing by an inert gas, and the drying is performed in an oven at about 150 to 200 ° C.

감광막 형성부(210)는 산화막이나 질화막과 같이 반도체 제조 공정 중에 소정의 패턴을 필요로 하는 막(film) 상에 액체의 감광액(photoresist)을 얇은 막 형태로 도포하여 주는 것으로, 일반적으로 일정한 속도(rpm)로 회전하는 트레이에 웨이퍼를 올려놓고 감광액을 뿌려주는 방식, 즉 스핀 코팅(spin coating) 방법에 의해 감광막을 형성한다.The photoresist forming unit 210 is a thin film applied to a liquid photoresist on a film that requires a predetermined pattern during a semiconductor manufacturing process, such as an oxide film or a nitride film. The photosensitive film is formed by placing a wafer on a tray rotating at rpm) and spraying the photosensitive liquid, that is, by spin coating.

감광막 검사 장치(220)는 감광막 형성부(210)에서 형성된 감광막의 두께를 측정하고 감광막의 불량 여부를 검사하여 양품일 경우 노광부(230)에 노광 시간을 설정하여 주는 장치이다.The photosensitive film inspecting apparatus 220 is a device that measures the thickness of the photosensitive film formed by the photosensitive film forming unit 210 and inspects whether the photosensitive film is defective and sets an exposure time to the exposure unit 230 in the case of a good product.

감광막 검사 장치(220)는 두께 측정부(222), 불량품 수납부(224) 및 노광 시간 조절부(226)를 포함한다.The photosensitive film inspection apparatus 220 may include a thickness measuring unit 222, a defective product accommodating unit 224, and an exposure time adjusting unit 226.

두께 측정부(222)는 감광막의 두께를 측정하고 두께에 따른 불량 유무를 판단하는 기능을 갖는다.The thickness measuring unit 222 has a function of measuring the thickness of the photosensitive film and determining the presence or absence of defects according to the thickness.

두께 측정부(222)는 감광막에 레이저(laser)를 입사하여 레이저가 반사될 때 형성되는 반사각을 이용하여 감광막의 두께를 측정하는 나노 스펙(nano spec) 장치와 같은 두께 측정 장치가 사용될 수 있다. The thickness measuring unit 222 may use a thickness measuring device such as a nano spec device that measures a thickness of the photosensitive film by using a reflection angle formed when a laser is incident on the photosensitive film to reflect the laser.                     

불량품 수납부(224)는 두께 측정부(222)에 의해 측정된 두께가 소정의 두께 이상 되지 아니하거나, 웨이퍼 전체에 걸쳐 감광막의 두께가 일정하지 않은 즉, 감광막 불량(fail)의 경우 감광막이 형성된 웨이퍼를 수납하는 기능을 갖는다.The defective part accommodating part 224 may have a thickness in which the thickness measured by the thickness measuring part 222 does not exceed a predetermined thickness, or the thickness of the photoresist film is not constant over the entire wafer, that is, in the case of a photoresist film failure. It has a function of storing a wafer.

노광 시간 조절부(226)는 두께 측정부(222)의 두께 측정결과 양품(good)으로 판정된 감광막의 두께에 적합한 노광 시간(exposure time)을 설정한 후, 이를 전기적 신호(En1)의 형태로 노광부(230)에 출력하는 기능을 한다.The exposure time adjusting unit 226 sets an exposure time suitable for the thickness of the photoresist film that is determined to be good as a result of the thickness measurement of the thickness measuring unit 222, and then, in the form of an electrical signal En1. It outputs to the exposure unit 230.

노광부(230)는 노광 시간 조절부(226)로부터 노광 시간에 대한 전기적 신호(En1)를 전달 받아, 그에 따른 소정의 시간동안 포토 마스크(photo mask)를 이용하여 광원(light source)에 감광막이 도포된 웨이퍼를 노출시키는 부분이다.The exposure unit 230 receives the electrical signal En1 of the exposure time from the exposure time adjusting unit 226, and the photoresist is applied to the light source using a photo mask for a predetermined time. It is a part exposing the coated wafer.

노광 결과, 감광막 중에서 광원으로부터 빛을 조사받은 부분의 감광막 조직은 변하게 된다.As a result of the exposure, the photosensitive film structure of the portion of the photosensitive film irradiated with light from the light source is changed.

현상부(240)는 노광 공정을 거친 웨이퍼에 현상액을 살포하여 빛을 받아 변화된 감광막 부분을 제거(이를 포지티브 방식이라고함)하는 부분이다.The developing part 240 is a part which removes (referred to as a positive method) a portion of the photosensitive film which is changed by receiving light by spreading a developer on an exposed wafer.

이와 같이 감광막이 도포된 웨이퍼가 노광부(230) 및 현상부(240)를 거치게 되면 노광 공정에서 빛을 받은 감광막은 부분은 제거되고 빛을 받지 않은 감광막 부분은 제거되지 않은 구조, 즉 감광막 패턴이 형성된다.When the photosensitive film-coated wafer passes through the exposure unit 230 and the developing unit 240, a portion of the photosensitive film that receives light in the exposure process is removed and a portion of the photosensitive film that is not light is removed, that is, the photoresist pattern Is formed.

감광막 패턴 검사 장치(250)는 웨이퍼 상에 감광막 패턴이 제대로 형성되었는지 여부를 검사하는 장치이다.The photoresist pattern inspecting apparatus 250 is an apparatus for inspecting whether or not the photoresist pattern is properly formed on a wafer.

이하 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막 패턴 검사 장치(250)를 설명하기로 한다. Hereinafter, the photoresist pattern inspection apparatus 250 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.                     

도 3은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치에 사용되는 감광막 패턴 검사 장치를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the photosensitive film pattern inspection apparatus used for the semiconductor element manufacturing apparatus of this invention.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 감광막 패턴 검사 장치(250)는 스테이지(300), 메모리부(310), 이미지 생성부(320), 정렬부(330), 비교부(340) 및 컨트롤러(350)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the photoresist pattern inspection apparatus 250 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a stage 300, a memory 310, an image generator 320, an alignment unit 330, and a comparison unit ( 340 and controller 350.

스테이지(300)는 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼(30)가 안착(loading)되는 곳이다.The stage 300 is where the wafer 30 on which the photoresist pattern is formed is loaded.

메모리부(310)는 웨이퍼(30)를 검사하기 전에 웨이퍼(30)에 형성되어야 할 소정의 감광막 패턴을 이미지화 하여(이를 제1 패턴 이미지라 함) 저장한 후, 비교부(340)의 명령에 따라 그 이미지를 비교부(340)에 제공하는 장치로서, 비교부(340)에 부속되어 연결되어 있다.Before inspecting the wafer 30, the memory unit 310 images and stores a predetermined photoresist pattern to be formed on the wafer 30 (this is called a first pattern image), and then stores the image in a command of the comparator 340. Therefore, as an apparatus for providing the image to the comparator 340, it is attached to the comparator 340 and connected.

메모리부(310)에 저장된 제1 패턴 이미지는 웨이퍼의 국소면(local area)에 대한 이미지와 전체면(full area) 이미지를 모두 포함할 수 있다.The first pattern image stored in the memory 310 may include both an image of a local area and a full area of the wafer.

이미지 생성부(320)는 이미지 센서를 통해 웨이퍼(30) 상에 형성된 감광막 패턴에 대한 이미지를 생성(이를 제2 패턴 이미지라 한다)하는 장치로서 웨이퍼(30)와 소정의 거리를 두고 설치되어 있다.The image generator 320 is an apparatus for generating an image of a photoresist pattern formed on the wafer 30 through an image sensor (this is called a second pattern image) and is provided at a predetermined distance from the wafer 30. .

이미지 생성부(320)는 스테이지(300)에 안착된 웨이퍼(30)의 국소면에 대한 이미지를 생성할 수도 있고, 웨이퍼(30)의 전면에 대한 이미지도 생성할 수 있다.The image generator 320 may generate an image of a local surface of the wafer 30 seated on the stage 300, and may also generate an image of the entire surface of the wafer 30.

이미지 생성부(320)에서 생성된 이미지는 전기적 신호(In1)의 형태로 비교부(340)에 전달된다. The image generated by the image generator 320 is transmitted to the comparator 340 in the form of an electrical signal In1.                     

정렬부(330)는 스테이지(300) 상에 안착된 웨이퍼(30)가 이미지 생성부(320)에 정렬되도록 x-y-z축 방향으로 스테이지(300)를 이동시키는 장치이다.The alignment unit 330 is a device for moving the stage 300 in the x-y-z axis direction so that the wafer 30 seated on the stage 300 is aligned with the image generator 320.

예컨대, 국소면의 이미지를 생성하기 위해선 z축 상으로 스테이지(300)를 이동시켜 이미지 생성부(320)에 가깝게 해주고, x-y 축으로 스테이지(300)를 이동시켜 이미지 생성을 원하는 국소면에 웨이퍼(30)를 정렬시켜 준다.For example, in order to generate an image of a local plane, the stage 300 is moved on the z-axis so as to be close to the image generator 320, and the stage 300 is moved on the xy axis to move the stage 300 to the wafer. Align 30).

비교부(340)는 이미지 생성부(320)에서 생성된 제2 패턴 이미지에 관한 전기적 신호(In1)를 받아, 비교부(340)에 부속되어 있는 메모리부(310)에 저장된 제1 패턴 이미지와 그 이동(異同)을 비교하는 장치로서, 컴퓨터 및 이미지 비교 기능을 제공하는 소프트 웨어를 포함한다.The comparator 340 receives the electrical signal In1 related to the second pattern image generated by the image generator 320, and compares the first pattern image stored in the memory unit 310 attached to the comparator 340. An apparatus for comparing the movement includes software for providing a computer and an image comparison function.

또한, 비교부(340)는 비교 결과 이미지 생성부(320)에서 생성된 제1 패턴 이미지와 메모리부(310)에 저장된 제2 패턴 이미지가 동일하거나 허용오차 범위 내인 경우엔 정상 동작 신호(Sn1)를, 제1 패턴 이미지와 제2 패턴 이미지가 허용오차 범위를 초과하는 경우에는 이상 동작 신호(Sn2)을 컨트롤러(350)에 전달한다.In addition, the comparison unit 340 is a normal operation signal Sn1 when the first pattern image generated by the comparison image generating unit 320 and the second pattern image stored in the memory unit 310 are the same or within a tolerance range. When the first pattern image and the second pattern image exceed the tolerance range, the abnormal operation signal Sn2 is transmitted to the controller 350.

컨트롤러(350)는 비교부(340)로부터 동작신호(Sn1, Sn2)를 전달받아 그에 따라 전체 시스템의 진행 여부를 결정하는 장치이다.The controller 350 receives the operation signals Sn1 and Sn2 from the comparator 340 and determines the progress of the entire system accordingly.

도 4는 본 발명의 다른 기술적 과제를 해결하기 위하여 상기 감광막 패턴 검사 장치를 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막 패턴 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a photoresist pattern inspection method according to an embodiment of the present invention using the photoresist pattern inspection apparatus to solve another technical problem of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광막의 검사 방법은 다음과 같다. 3 and 4, the inspection method of the photosensitive film according to an embodiment of the present invention is as follows.                     

먼저, 메모리부(310)에 소정의 이미지를 기억시킨다(S400).First, a predetermined image is stored in the memory 310 (S400).

각 공정 단계별로 미리 설계된 감광막 패턴에 대한 이미지를 설정하여 이를 메모리부(310)에 기억시켜두는 단계로 기억되는 이미지는 감광막 패턴의 국소적인 이미지들뿐만 아니라 감광막 패턴 전체에 대한 이미지도 기억된다.The image stored in the step of setting an image of the photoresist pattern previously designed for each process step and storing it in the memory unit 310 stores not only local images of the photoresist pattern, but also an image of the entire photoresist pattern.

다음으로, 현상 공정을 거친 웨이퍼(30)를 스테이지(300)에 안착시킨다(S405).Next, the wafer 30 subjected to the developing process is seated on the stage 300 (S405).

다음으로, 정렬부(330)를 통해 스테이지(300)를 구동시켜 웨이퍼(30)를 이미지 생성부(320)에 정렬한다(S410).Next, the stage 30 is driven through the alignment unit 330 to align the wafer 30 to the image generator 320 (S410).

스테이지(300)의 구동 방향은 웨이퍼(30)의 국소면에 대한 이미지를 생성할 경우엔 스테이지(300)를 이미지 생성부(320)에 근접하도록 하고, 웨이퍼(30) 전면에 대한 이미지를 생성할 경우엔 스테이지(300)를 이미지 생성부(320)로부터 멀어지도록 구동한다.When the driving direction of the stage 300 generates an image of the local surface of the wafer 30, the stage 300 is brought close to the image generator 320, and an image of the entire surface of the wafer 30 is generated. In this case, the stage 300 is driven away from the image generator 320.

다음으로, 이미지 생성부(320)를 이용하여 웨이퍼(30) 상에 형성된 감광막 패턴에 대한 이미지를 생성하고 그 데이터를 전송한다(S420).Next, the image generator 320 generates an image of the photoresist pattern formed on the wafer 30 and transmits the data (S420).

이미지 생성부(320)는 이미지 센서를 이용하여 웨이퍼(30) 상에 형성된 감광막 패턴에 대한 이미지를 생성하며, 생성된 이미지를 데이터 파일로 전환 후 전기적 신호(In1)로 변환하여 비교부(340)에 전송한다.The image generator 320 generates an image of the photoresist pattern formed on the wafer 30 by using an image sensor. The image generator 320 converts the generated image into a data file and then converts the generated image into an electrical signal In1. To transmit.

다음으로, 비교부(340)에서 이미지 생성부(320)에 의해 생성된 이미지와 메모리부(310)에 기억된 이미지를 비교한다(S430).Next, the comparator 340 compares the image generated by the image generator 320 with the image stored in the memory 310 (S430).

비교부(340)에서 비교함에 있어서 각 이미지간에 완전히 동일한 것은 없으므 로 일정한 허용오차를 설정하고, 이미지간의 차이가 허용오차 범위 내인지를 비교한다.In the comparison unit 340, since there is nothing completely identical between the images, a certain tolerance is set, and a comparison between the images is within the tolerance range.

다음으로, 비교부(340)에서 각 이미지간에 이동(異同) 여부에 따라 컨트롤러에 전기적 신호(Sn1, Sn2)를 전송한다.Next, the comparison unit 340 transmits the electrical signals Sn1 and Sn2 to the controller depending on whether the images move between the images.

비교부(340)에서 비교 결과 각 이미지가 허용오차 범위 내인 경우엔 정상 동작 신호(Sn1)를 컨트롤러(350)에 전송하고, 허용오차 범위 밖의 경우엔 이상 동작 신호(Sn2)를 컨트롤러(350)에 전송한다.As a result of the comparison in the comparison unit 340, the normal operation signal Sn1 is transmitted to the controller 350 when each image is within the tolerance range, and when the image is outside the tolerance range, the abnormal operation signal Sn2 is transmitted to the controller 350. send.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments and can be manufactured in various forms, and a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. It will be appreciated that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자 제조 장치 및 감광막 패턴 검사 방법에 의하면 다음의 효과가 하나 또는 그 이상 있다.As described above, the semiconductor device manufacturing apparatus and the photosensitive film pattern inspection method of the present invention have one or more of the following effects.

첫째, 도포된 감광막이 불량인 경우 웨이퍼가 불필요한 다음 공정으로 진행되는 것을 방지하여 전체 공정 효율을 높일 수 있다.First, when the coated photoresist film is defective, the overall process efficiency can be improved by preventing the wafer from proceeding to an unnecessary next process.

둘째, 감광막 패턴의 불량 여부에 대한 보다 간단하고 편리한 검사가 가능해진다. Second, a simpler and more convenient inspection of whether the photoresist pattern is defective can be performed.

Claims (4)

웨이퍼 상에 감광막을 형성하는 감광막 형성부;A photosensitive film forming unit forming a photosensitive film on the wafer; 상기 감광막이 형성된 상기 웨이퍼를 소정의 시간동안 포토 마스크를 이용하여 노광시키는 노광부;An exposure unit for exposing the wafer on which the photosensitive film is formed using a photo mask for a predetermined time; 상기 감광막이 소정의 패턴으로 상기 웨이퍼 상에 남아있도록 하는 현상부;A developing portion for allowing the photosensitive film to remain on the wafer in a predetermined pattern; 상기 감광막 형성부와 상기 노광부 사이에 위치하고 상기 감광막의 두께 측정 및 불량 유무를 판단하는 감광막 검사 장치;A photoresist inspection device positioned between the photoresist formation unit and the exposure unit and determining a thickness measurement and a defect of the photoresist; 상기 현상부 다음에 위치하고 상기 현상부에서 현상 공정을 거친 상기 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 정확하게 형성되었는지 여부를 검사하는 감광막 패턴 검사 장치를 포함하는 반도체 소자 제조 장치.And a photosensitive film pattern inspecting apparatus positioned next to the developing portion and inspecting whether or not a predetermined pattern is accurately formed on the wafer subjected to the developing process in the developing portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 검사 장치는 두께 측정부, 불량품 수납부 및 노광 시간 조절부를 포함하는 반도체 소자 제조 장치.The first inspection apparatus includes a thickness measuring unit, a defective part accommodating unit and an exposure time adjusting unit. 웨이퍼가 안착되는 스테이지;A stage on which the wafer is seated; 소정의 제1 패턴 이미지가 기억되는 메모리부;A memory unit for storing a predetermined first pattern image; 상기 스테이지에 놓인 상기 웨이퍼의 상의 감광막 패턴을 이미지화 하여 제2 패턴 이미지를 생성하는 이미지 생성부;An image generator configured to image a photoresist pattern on the wafer placed on the stage to generate a second pattern image; 상기 스테이지를 구동시켜 상기 웨이퍼를 상기 이미지 생성부에 정렬시키는 정렬부;An alignment unit driving the stage to align the wafer to the image generation unit; 상기 메모리부에 기억된 상기 제1 패턴 이미지와 상기 이미지 생성부에서 생성된 상기 제2 패턴 이미지를 비교하여 비교 결과를 전기적 신호로 출력하는 비교부를 포함하는 감광막 패턴 검사 장치.And a comparison unit comparing the first pattern image stored in the memory unit with the second pattern image generated in the image generation unit and outputting a comparison result as an electrical signal. 메모리부에 소정의 이미지를 기억하는 단계;Storing a predetermined image in a memory unit; 현상 공정을 거친 웨이퍼를 스테이지에 안착시키는 단계;Mounting the wafer subjected to the developing process on a stage; 상기 스테이지를 구동시켜 웨이퍼를 이미지 생성부에 정렬시키는 단계;Driving the stage to align the wafer to an image generator; 상기 이미지 생성부를 이용하여 상기 웨이퍼 상의 감광막 패턴의 이미지를 생성하는 단계;Generating an image of a photoresist pattern on the wafer using the image generator; 상기 이미지 생성부에 의해 생성된 이미지와 메모리부에 기억된 이미지를 비교하는 단계를 포함하는 감광막 패턴의 검사 방법.And comparing the image generated by the image generating unit with the image stored in the memory unit.
KR1020040096934A 2004-11-24 2004-11-24 Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby KR20060058200A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040096934A KR20060058200A (en) 2004-11-24 2004-11-24 Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040096934A KR20060058200A (en) 2004-11-24 2004-11-24 Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060058200A true KR20060058200A (en) 2006-05-30

Family

ID=37153300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040096934A KR20060058200A (en) 2004-11-24 2004-11-24 Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060058200A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6594012B2 (en) Exposure apparatus
JP5056582B2 (en) Coating, developing device, coating, developing method and storage medium
US9099353B2 (en) Method and system for determining overlap process windows in semiconductors by inspection techniques
KR20080087734A (en) Method of forming a substrate for use in calibrating a metrology tool, calibration substrate and metrology tool calibration method
US9653367B2 (en) Methods including a processing of wafers and spin coating tool
JP2013500597A (en) Inspection method for lithography
JP4503924B2 (en) Lithographic method and apparatus for forming semiconductor devices on a wafer
KR100597641B1 (en) Baking apparatus having unit for detecting wafer loading failure
KR20060058200A (en) Apparatus for fabricating semiconductor device, apparatus for inspecting photo resist pattern method for thereby
TW202125110A (en) Determining lithographic matching performance
JP2007110055A (en) Method of monitoring optical integrator of photo-lithography system
US11886125B2 (en) Method for inferring a local uniformity metric
US7573568B2 (en) Method and apparatus for detecting a photolithography processing error, and method and apparatus for monitoring a photolithography process
CN113504711B (en) Method for detecting photoetching development
TWI810749B (en) A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
TWI820885B (en) Computer program comprising processor readable instructions
EP3879342A1 (en) Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
US20240111221A1 (en) A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
EP4191337A1 (en) A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4030236A1 (en) A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
KR20040026861A (en) Wafer pattern defect detection method and apparatus therefor
KR20070109447A (en) Wafer transfer apparatus for aligning and method for wafer align
KR20020096276A (en) Photo apparatus for semiconductor manufacturing
NL2025112A (en) Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
KR20050102764A (en) Photo spinner

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination