KR20060058187A - 반도체 소자의 열저항 측정장치 - Google Patents

반도체 소자의 열저항 측정장치 Download PDF

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KR20060058187A
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Abstract

반도체 소자의 열저항 측정장치가 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치는, DUT에 열저항을 측정하기 위한 반도체 소자를 장착하고, 스위치에 의해 정격전류 및 바이어스 전류, 또는 바이어스 전류를 선택적으로 공급한다. 또한, 온도 측정부는 DUT에 장착된 반도체 소자의 핀 및 앰비언트의 온도를 측정한다. 온도 측정부에 의해 측정된 핀과 앰비언트 사이의 온도차, 및 DUT에 공급되는 전류에 의한 전압의 추이에 기초하여 반도체 소자의 열저항이 정확하게 측정된다.
열저항, 반도체, DUT, DVM, 정격전류, 바이어스 전류

Description

반도체 소자의 열저항 측정장치{Thermal resistance mesuring system for semiconductor}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치를 개략적으로 도시한 블록도,
도 2는 도 1의 함수 발생기에 의해 발생된 펄스 및 DUT에 인가되는 전류의 예를 나타낸 도면,
도 3은 도 1의 온도 측정부 및 DVM에 의해 측정된 핀 및 앰비언트의 온도 및 전압의 예를 나타낸 도면,
도 4는 도 1에 적용된 열적 평형상태를 판단하기 위한 조건을 설명하기 위해 도시된 도면,
도 5는 열저항 측정의 원리를 설명하기 위해 도시된 도면,
도 6은 열적 평형상태에 도달한 경우의 LED를 나타낸 도면, 그리고
도 7은 도 6의 정크션의 온도를 측정하기 위하여 전류조건 1mA에 대한 전압의 추이를 측정한 결과를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : DUT 20 : 제1 전류원
30 : 제2 전류원 35 : 함수 발생기
40 : 스위치 50 : 온도 측정부
60 : DVM 70 : 전압원
본 발명은 반도체 소자의 열저항 측정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, LED(Light Emitting Diode : 발광 다이오드)와 같은 반도체 소자의 정확한 열저항 특성을 측정할 수 있는 반도체 소자의 열저항 측정장치에 관한 것이다.
발광다이오드(LED)는 말 그대로 ‘빛을 내는 반도체 소자’이다. LED는 반도체의 빠른 처리속도와 낮은 전력소모 등의 장점을 가지고 있고 환경친화적이면서도 에너지 절약효과가 높아서 차세대 국가 전략제품으로 꼽히고 있다.
90년대 중반 이후 갈륨나이트라이드(GaN) 청색 LED가 개발되면서 LED를 이용한 총천연색 디스플레이가 가능하게 됐으며, LED는 우리 생활 곳곳에 자리잡기 시작했다. 가장 대표적인 예로, 휴대폰의 액정표시장치(LCD)(Liquid Crystal Display)와 키패드용 백라이트를 들 수 있으며, 이밖에도 LED를 이용한 디스플레이는 옥외용 총천연색 대형 전광판, 교통신호등, 자동차 계기판, 가전제품, 네온 대체 간판, 의료 및 수술장비, 항만, 공항, 고층 빌딩의 경고등 및 유도등과 같은 다양한 곳에서 사용되고 있다.
LED는 P형과 N형의 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭(bandgap)에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다.
최근 질화물 반도체 계열의 청색 및 녹색 LED와 InGaAlP를 이용한 적색 및 호박색 LED의 발광 효율이 급속히 증가되면서 기존 디스플레이 위주의 사용범위를 뛰어넘어 조명으로 사용하고자 하는 노력이 전세계적으로 급속히 확산되는 추세이다.
이는 조명용 LED가 기존의 형광등 및 백열등으로 대표되는 조명기구에 비해 약 10∼15% 정도의 낮은 전력소모, 10만시간 이상의 반영구적인 수명, 환경친화적 특성 등을 통해 에너지 소비효율을 획기적으로 개선할 수 있기 때문이다. 이를 통해 일반 조명기구를 대체할 차세대 기술로 주목받고 있다.
일반 조명으로의 응용을 위해서, 우선 LED를 이용한 백색광을 얻어야 한다. 백색 LED를 구현하는 방법은 크게 3가지로 나뉜다.
첫째, 빛의 삼원색인 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다. 이 방법은 하나의 백색광원을 만드는 데 3개의 LED가 사용될 뿐만 아니라 각각의 LED를 제어해야 하는 어려움이 따른다.
둘째는 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법을 들 수 있는데, 이 방법은 발광효율이 우수한 반면 컬러렌더링인덱스(CRI)가 낮으며 전류밀도에 따라 CRI가 변하는 특징으로 인해 태양광에 가까운 백색광을 얻기가 어렵다는 단점이 있다.
마지막으로는 자외선 발광 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 만드는 방법이 있다. 이는 고전류하에서의 사용이 가능하며 색감이 우수 해 가장 활발하게 연구가 진행중이다.
백색 LED가 조명으로 사용되기 위해서는 이러한 백색광의 질적 향상 뿐만 아니라 수천루멘 이상의 광출력이 필요하다. 여기서, 1㏐(lumen)은 1칸델라의 광원에서 단위입체각당 방출하는 광속을 말한다. 이러한 고출력 발광소자를 얻기 위해서는 발광효율을 높이고, 소자 크기를 증대시키며, 열저항을 낮게 하는 등의 변수를 고려하여 소자를 제작해야 한다. 위의 조건을 충족시키기 위해 현재 널리 사용되는 것이 플립칩(flip-chip) 방식이다.
고출력의 발광소자를 얻으며 생산 공정상의 불량률을 감소시키기 위해서는 LED의 정확한 열저항 특성을 측정할 필요가 있다. 특히, 고출력 LED의 경우 주입전류가 커질 때 많은 열이 발생하므로, 고출력의 발광소자를 얻기 위해서는 LED의 정확한 열저항 특성에 따라 주입된 전류를 효율적으로 방열시켜야 할 필요가 있다.
본 발명은 상기와 같은 시대적 요구에 부응하기 위하여 창안된 것으로서, LED와 같은 반도체 소자의 정확한 열저항 특성을 측정하며, 결과적으로 고출력의 발광소자를 얻을 수 있도록 하고, 생산 공정상의 불량률을 감소시키도록 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치는, 열저항을 측정하기 위한 반도체 소자를 장착하는 DUT(Device Under Test); 상기 DUT에 정격전류를 공급하기 위한 제1전류원; 상기 DUT에 바이어스전류를 공급 하기 위한 제2전류원; 상기 DUT에 상기 바이어스전류, 또는 상기 정격전류 및 상기 바이어스 전류를 소정 주기의 펄스에 따라 선택적으로 공급하는 스위치; 및 상기 DUT에 장착된 상기 반도체 소자의 핀(pin) 및 앰비언트(ambient)의 온도를 측정하는 온도 측정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 온도 측정부에 의해 측정된 상기 핀과 상기 앰비언트 사이의 온도차, 및 상기 DUT에 공급되는 전류에 의한 전압의 추이에 기초하여 상기 반도체 소자의 열저항을 측정한다.
바람직하게는, 상기 반도체 소자의 열저항 측정장치는, 상기 펄스의 상기 바이어스전류를 선택하는 신호에 따라 트리거되어 상기 DUT에 인가되는 전압을 측정하는 DVM(Digital Voltage Meter)을 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 반도체 소자는 LED로 구현된다.
바람직하게는, 상기 핀 및 상기 앰비언트가 열적 평형에 도달한 상태에서의 상기 반도체 소자의 정크션과 상기 핀 사이의 열저항 RθJ-P는 다음과 같은 식에 의해 측정된다.
Figure 112004055050812-PAT00001
여기서, TJ는 상기 반도체 소자의 정크션의 온도, TP는 상기 반도체 소자의 핀의 온도, 상기 QJ-P는 상기 반도체 소자의 정크션과 핀 사이의 열전달량, 그리고 QE = QP-A이며, QP-A는 상기 반도체 소자의 핀과 앰비언트 사이의 열전달량이다.
이때, 상기 QE = IF × VF 이며, 상기 IF는 상기 DUT에 공급되는 전류, 그리고 상기 DVM에 의해 측정된 전압인 것이 바람직하다.
또한, 상기 TJ는 상기 전압의 추이에 기초하여 산출되는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 전압의 추이는 다음과 같은 식으로 표현된다.
VF_Bias = VF_Ice + VF_Sensitivity×TJ
여기서, 상기 VF_Bias는 상기 바이어스전류만이 공급된 경우의 상기 DVM에 의해 측정된 전압, 상기 VF_Ice 는 상기 DUT에 일정한 전류(전류조건)가 공급된 경우의 0℃에서 상기 DVM에 의해 측정된 오프셋전압, 그리고 상기 VF_Sensitivity는 선형적으로 변화하는 상기 전압추이의 기울기이며, 전류조건이 1mA인 경우에 -2mV/℃정도이다.
이로써, 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치는, LED와 같은 반도체 소자의 정확한 열저항 특성을 측정할 수 있게 되며, 결과적으로 고출력의 발광소자를 얻을 수 있고, 생산 공정상의 불량률을 감소시킬 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치를 개략적으로 도시한 블록도이다. 도면을 참조하면, 반도체 소자의 열저항 측정장치는 DUT(Device Under Test)(10), 제1 전류원(20), 제2 전류원(30), 함수 발생기(Function Generator)(35), 스위치(40), 온도 측정부(50), DVM(Digital Voltage Meter)(60), 및 전압원(70)을 구비한다.
DUT(10)는 피측정되는 반도체 소자를 장착하여 다른 장비와의 인터페이스 및 연동시험, 기능시험, 및 성능시험 등을 수행하는 장치로서, 여기서는 주로 LED를 장착하여 열저항 특성을 측정하는데 이용된다.
제1 전류원(20)은 DUT(10)에 정격전류를 공급하기 위한 장치이다. 또한, 제2 전류원(30)은 DUT(10)에 바이어스(bias)전류를 공급하기 위한 장치이다. 이때, DUT(10)에 정격전류 및 바이어스전류를 함께 공급하거나, 바이어스전류만을 선택적으로 공급하기 위하여, 함수 발생기(35)는 도 2에 도시된 바와 같이, 정격전류가 흐르는 도중에 아주 짧은 시간 예를 들면, 약 500μsec 시간동안 트리거되는 펄스신호를 발생하며, 스위치(40)는 함수 발생기(35)에 의해 발생된 펄스신호에 따라 DUT(10)에 정격전류 및 바이어스전류, 또는 바이어스전류만을 선택적으로 공급한다. 이때, 스위치(40)는 게이트와 소스 사이의 전압에 의해 발생하는 정전계로 소스와 드레인 사이의 전류를 제어하는 소자인 FET(Field Effect Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다.
온도 측정부(50)는 DUT(10)에 장착된 반도체 소자의 열전쌍을 접합하여 온도를 측정하는 장치로서, 여기서는 LED의 핀(pin) 및 앰비언트(ambient)의 열전쌍을 접합하고, 핀 및 앰비언트 각각의 온도를 측정한다.
이때, 반도체 소자의 열저항 측정장치는 온도 측정부(50)에 의해 측정된 핀과 앰비언트 사이의 온도차, 및 DUT(10)에 공급되는 정격전류 및 바이어스전류, 또는 바이어스전류에 의한 전압의 추이에 기초하여 반도체 소자의 열저항을 측정한 다.
DVM(60)은 함수 발생기(35)에 의해 발생된 펄스신호에 따라 트리거되어 DUT(10)에 인가되는 전압을 측정한다. 이때, 함수 발생기(35)가 도 2에 도시된 바와 같이, 50msec 동안에 500μsec의 펄스를 주기적으로 발생시킨다고 가정할 경우, DVM(60)은 펄스신호가 발생된 후 약 300μsec의 시간이 지연된 후 DUT(10)에 인가되는 전압을 측정한다. 또한, DVM(60)은 각각의 펄스 트레인(pulse train) 마다 DUT(10)에 인가되는 전압을 측정하며, 측정된 20개의 값에 대해 평균을 구하여 하나의 데이터로 취한다. 따라서, 각각의 데이터 샘플링 타임은 1초가 된다(20×50msec = 1sec). DVM(60)에 의해 하나의 데이터가 얻어질 때마다 온도 측정부(50)는 반도체 소자의 핀 및 앰비언트의 온도를 측정하며, 측정된 결과를 그래프로 나타내면 도 3에 도시한 바와 같다.
초기에 DUT(10)에 장착된 LED를 상온에서 유지시킨 상태에서 실험을 시작하면 핀의 온도 TP 및 앰비언트 온도 TA는 상온에서부터 온도가 상승하여 열적 평형에 도달하면 일정한 온도가 유지되고, 바이어스 전압 VF_Bias는 온도가 상승함에 따라 점점 낮아지다가 열적 평형에 도달하면 일정한 값으로 유지된다.
이때, 반도체 소자의 열저항 측정장치는, 열적 평형상태에 도달하였는지의 여부를 판단하기 위하여 도 4에 도시한 바와 같은 조건을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 가장 최초의 tcrit 시간동안의 온도 측정값의 최대값과 최소값의 차이가 이전온도 ΔTcrit보다 작으면 평형에 도달한 것으로 판단하고, 이어서 평형상태에 서의 온도값으로는 가장 최초의 tcalc 시간동안의 측정값을 평균하여 구한다.
열적 평형에 도달한 경우, 인가되는 전력을 계산하기 위하여 온도 측정부(50)에 의한 온도측정이 끝난 직후, DVM(60)은 DUT(10)에 일정전류(이펙트(effect) 전류)를 인가한 상태에서의 전압 VF을 측정한다. 이때, 이펙트 전류 IFeff는, 다음과 같은 식에 의해 산출된다.
IFeff = 0.99 × IHEAT + IBias
여기서, IHEAT는 DUT(10)에 인가되는 정격전류이며, IBias는 DUT(10)에 인가되는 바이어스전류이다. IHEAT는 1% 듀티(duty) 구간에서 단락되므로 상기의 식을 사용할 수 있으며, 만일 이펙트 전류를 IFeff = IHEAT + IBias로 하는 경우 전력값은 약 1%정도 증가하므로 열저항 측정값은 1% 감소하게 된다.
이하, 열저항의 측정원리를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 열저항 측정장치를 상세하게 설명한다.
도 5는 열저항의 측정원리를 설명하기 위해 도시된 도면이다. 도면을 참조하면, 어떤 소자가 열적 평형에 도달한 상태에서, 두 개의 등온면 A1 및 A2 사이에 발생하는 열전달량 q는 다음의 식과 같이 표현된다.
Figure 112004055050812-PAT00002
여기서, T1은 등온면 A1의 온도, T2는 등온면 A2의 온도이며, Rθ는 열저항이고, 열전달량 q는 A1에서 A2로 흐르는 단위 시간당 열량(에너지)을 의미한다. 이때, 각각의 단위는 다음과 같다.
기 호 단위
q [W]
T1 및 T2 [℃]
Rθ [℃/W]
상기의 열저항 측정원리를 LED와 같은 반도체 소자에 적용하면, LED에 인가된 전기 에너지는 LED의 정크션(junction)에서 발생하는 열 에너지로 변환된다.
따라서, 정크션에서 발생되는 시간당 열에너지 QE는 시간당 인가되는 전기 에너지(전력)와 같다고 가정할 수 있다. 즉,
QE = P = IF × VF [W]
여기서, P는 인가되는 전기 에너지이며, IF는 인가되는 전류, 및 VF는 인가되는 전압이다.
정크션에서 발생되는 열에너지는 대부분 캐서드(cathod)측 리드 프레임(lead frame)으로 전도에 의해 외부로 전달된다. 여기서, 리드 프레임은 다이본딩(die-bonding)된 프레임이다.
도 6은 열적 평형에 도달된 경우의 LED를 나타낸 도면이다. 여기서, A1은 정크션을 감싸고 있는 가상의 등온면이고, A2는 모델 바로 아래쪽의 캐서드 리드 프레임을 포함하는 등온면이며, A3는 전체 LED를 감싸고 있는 등온면이다. 이때, 각각의 등온면의 온도를 TJ, TP, TA라 하고, 각 등온면 사이의 열저항을 Rθ J-P, RθP-A라 하면, 열적 평형상태에서 다음과 같은 식이 성립한다.
Figure 112004055050812-PAT00003
Figure 112004055050812-PAT00004
Figure 112004055050812-PAT00005
여기서, QJ-P는 정크션과 핀 사이의 온도차에 의해 생기는 열 전달량이며, QP-A는 핀과 앰비언트 사이의 온도차에 의해 생기는 열 전달량이다.
즉, 정크션에서 전기에너지 소모에 의해 발생한 시간당 열에너지는 정크션과 핀 사이에 발생하는 온도차에 의해 생기는 열 전달량과 같고, 또한 핀과 앰비언트 사이의 온도차에 의해 발생하는 열 전달량과 같게 된다.
LED에서의 열 전달은 주로 캐서드 측 리드프레임을 통한 열전도이므로, LED의 열저항은 RθJ-P로 기술할 수 있으며, 전도에 의한 열전달은 평형상태에서 온도차이에 비례하므로(즉, 선형이므로) 다음과 같은 식에 의해 구할 수 있다.
Figure 112004055050812-PAT00006
여기서, QE는 QE = IF × VF 이므로, 열적 평형상태에서 I F 및 VF를 측정하면 QE를 산출할 수 있고, TP는 온도 측정부(50)에 의해 측정할 수 있다. 그러나, TJ 는 열전쌍에 의해 측정하기는 어려우므로 다른 방법을 사용하여야만 한다.
LED의 온도에 민감한 파라미터(Temperature Sensitive Parameter : TSP)로서 주로 사용되는 것은 특정 전류를 인가했을 때의 VF가 있다. 즉, DUT(10)에 전류조건으로서 1mA를 인가하며, 인가된 전류에 대하여 전압의 추이를 측정하면 도 7과 같은 결과가 나타난다. 즉, 전류조건 1mA에 대한 전압의 추이는 정크션의 온도에 따라 선형적으로 변하며 기울기는 대략 -2mV/℃ 정도이다.
이때, 전류조건 1mA에 대한 전압의 추이는 다음과 같은 식으로 표현될 수 있다.
VF_Bias = VF_Ice + VF_Sensitivity×TJ
여기서, 상기 VF_Bias는 상기 바이어스전류만이 공급된 경우의 상기 DVM에 의해 측정된 전압이며, 상기 VF_Ice 는 상기 DUT에 일정한 전류(전류조건)가 공급된 경우의 0℃에서 상기 DVM에 의해 측정된 오프셋전압, 그리고 상기 VF_Sensitivity는 선형적으로 변화하는 상기 전압추이의 기울기이며, 상기 전류조건이 1mA인 경우에 -2mV/℃정도이다.
수학식 6을 이용하여 특정전류 즉, 전류조건 1mA가 공급된 경우의 전압 VF를 측정하면, 정크션 온도 TJ를 구할 수 있으므로, 열저항 RθJ-P를 산출할 수 있다. 즉, 수학식 5에 나타낸 바와 같이 열저항 RθJ-P는,
Figure 112004055050812-PAT00007
이다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
본 발명에 따르면, LED와 같은 반도체 소자의 열저항 특성을 정확하게 측정 하는 것이 가능하며, 측정된 결과를 이용하여 고출력의 발광소자를 얻을 수 있게 되고, 생산 공정상의 불량률을 감소시킬 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 열저항을 측정하기 위한 반도체 소자를 장착하는 DUT(Device Under Test);
    상기 DUT에 정격전류를 공급하기 위한 제1전류원;
    상기 DUT에 바이어스전류를 공급하기 위한 제2전류원;
    상기 DUT에 상기 바이어스전류, 또는 상기 정격전류 및 상기 바이어스 전류를 소정 주기의 펄스에 따라 선택적으로 공급하는 스위치; 및
    상기 DUT에 장착된 상기 반도체 소자의 핀(pin) 및 앰비언트(ambient)의 온도를 측정하는 온도 측정부를 포함하며,
    상기 온도 측정부에 의해 측정된 상기 핀과 상기 앰비언트 사이의 온도차, 및 상기 DUT에 공급되는 전류에 의한 전압의 추이에 기초하여 상기 반도체 소자의 열저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 펄스의 상기 바이어스전류를 선택하는 신호에 따라 트리거되어 상기 DUT에 인가되는 전압을 측정하는 DVM(Digital Voltage Meter)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 LED인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장 치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 핀 및 상기 앰비언트가 열적 평형에 도달한 상태에서의 상기 반도체 소자의 정크션과 상기 핀 사이의 열저항 RθJ-P는 다음과 같은 식에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치:
    Figure 112004055050812-PAT00008
    여기서, TJ는 상기 반도체 소자의 정크션의 온도, TP는 상기 반도체 소자의 핀의 온도, 상기 QJ-P는 상기 반도체 소자의 정크션과 핀 사이의 열전달량, 그리고 QE = QP-A이며, QP-A는 상기 반도체 소자의 핀과 앰비언트 사이의 열전달량이다.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 QE = IF × VF 이며, 상기 IF는 상기 DUT에 공급되는 전류, 그리고 상기 DVM에 의해 측정된 전압인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 TJ는 상기 전압의 추이에 기초하여 산출되는 것을 특징으로 하는 반도 체 소자의 열저항 측정장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 전압의 추이는 다음과 같은 식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 열저항 측정장치:
    VF_Bias = VF_Ice + VF_Sensitivity×TJ
    여기서, 상기 VF_Bias는 상기 바이어스전류만이 공급된 경우의 상기 DVM에 의해 측정된 전압, 상기 VF_Ice 는 상기 DUT에 일정한 전류(전류조건)가 공급된 경우의 0℃에서 상기 DVM에 의해 측정된 오프셋전압, 그리고 상기 VF_Sensitivity는 선형적으로 변화하는 상기 전압추이의 기울기이며, 상기 전류조건이 1mA인 경우에 -2mV/℃정도이다.
KR1020040096917A 2004-11-24 2004-11-24 반도체 소자의 열저항 측정장치 KR20060058187A (ko)

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KR101431708B1 (ko) * 2007-06-22 2014-08-20 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드 반도체 제조에 있어서의 비아 모니터링 장치 및 방법
CN117434415A (zh) * 2023-12-20 2024-01-23 富芯微电子有限公司 一种半导体器件热阻测量设备

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