KR20060056793A - Display device including sensing element - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감지 소자를 내장한 표시 장치에 관한 것으로, 이 장치는 표시판, 표시판에 형성되어 있는 복수의 화소, 표시판에 형성되어 있는 감지 신호선, 표시판에 형성되어 있고 인접한 두 개의 화소 사이에 형성되어 있으며 외부 광을 받아 광량에 기초한 광감지 신호를 생성하여 감지 신호선으로 내보내는 광감지부를 포함한다. 본 발명에 의하면, 감지부를 화소 사이의 영역에 배치함으로써 투과 영역을 크게 하여 투과율을 높일 수 있다. 또한 직류 전압이 인가되는 입력 전압선을 감지 신호선의 상부에 배치함으로써 공통 전압 및 데이터 전압에 의한 영향을 줄여 감지 신호의 왜곡을 줄일 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device incorporating a sensing element, wherein the device includes a display panel, a plurality of pixels formed on the display panel, a sensing signal line formed on the display panel, and formed between two adjacent pixels. It includes a light sensing unit for receiving the external light to generate a light detection signal based on the amount of light and to send it to the detection signal line. According to the present invention, the transmittance can be increased by increasing the transmissive region by disposing the sensing unit in the region between the pixels. In addition, since the input voltage line to which the DC voltage is applied is disposed on the sensing signal line, the influence of the common voltage and the data voltage may be reduced to reduce distortion of the sensing signal.

표시 장치, 광감지부, 접촉 감지부, 화소, 감지 영역Display device, light sensing unit, touch sensing unit, pixel, sensing area

Description

감지 소자를 내장한 표시 장치 {DISPLAY DEVICE INCLUDING SENSING ELEMENT}Display device with built-in sensing element {DISPLAY DEVICE INCLUDING SENSING ELEMENT}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 광감지부에 대한 등가 회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram of an optical sensing unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 접촉 감지부에 대한 등가 회로도이다.4 is an equivalent circuit diagram of a touch sensing unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도의 한 예이다.5 is an example of layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 5 taken along the line VI-VI '. FIG.

도 7은 도 5의 액정 표시 장치를 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 5 taken along the line VII-VII ′. FIG.

도 8은 도 5의 액정 표시 장치를 VIII-VIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 5 taken along the line VIII-VIII ′. FIG.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 광감지부의 확대 배치도이다.9 is an enlarged layout view of a light detector of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 및 감지부 배 열에 대한 개략도의 한 예이다.FIG. 10 is an example of a schematic diagram of a pixel and a detector array of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 감지 소자를 내장한 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device incorporating a sensing element.

표시 장치 중 대표적인 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 화소 전극 및 공통 전극이 구비된 두 표시판과 그 사이에 들어 있는 유전율 이방성(dielectric anisotropy)을 갖는 액정층을 포함한다. 화소 전극은 행렬의 형태로 배열되어 있고 박막 트랜지스터(TFT) 등 스위칭 소자에 연결되어 한 행씩 차례로 데이터 전압을 인가 받는다. 공통 전극은 표시판의 전면에 걸쳐 형성되어 있으며 공통 전압을 인가 받는다. 화소 전극과 공통 전극 및 그 사이의 액정층은 회로적으로 볼 때 액정 축전기를 이루며, 액정 축전기는 이에 연결된 스위칭 소자와 함께 화소를 이루는 기본 단위가 된다.Typical liquid crystal displays (LCDs) among display devices include two display panels provided with pixel electrodes and a common electrode, and a liquid crystal layer having dielectric anisotropy interposed therebetween. The pixel electrodes are arranged in a matrix and connected to switching elements such as thin film transistors (TFTs) to receive data voltages one by one in sequence. The common electrode is formed over the entire surface of the display panel and receives a common voltage. The pixel electrode, the common electrode, and the liquid crystal layer therebetween form a liquid crystal capacitor, and the liquid crystal capacitor becomes a basic unit that forms a pixel together with a switching element connected thereto.

이러한 액정 표시 장치에서는 두 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고, 이 전계의 세기를 조절하여 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 얻는다. 이때, 액정층에 한 방향의 전계가 오랫동안 인가됨으로써 발생하는 열화 현상을 방지하기 위하여 프레임별로, 행별로, 또는 화소별로 공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성을 반전시킨다.In such a liquid crystal display, a voltage is applied to two electrodes to generate an electric field in the liquid crystal layer, and the intensity of the electric field is adjusted to adjust the transmittance of light passing through the liquid crystal layer to obtain a desired image. In this case, in order to prevent degradation caused by an electric field applied to the liquid crystal layer for a long time, the polarity of the data voltage with respect to the common voltage is inverted frame by frame, row by pixel, or pixel by pixel.

터치 스크린 패널(touch screen panel)은 화면 위에 손가락 또는 펜 등을 접촉해 문자나 그림을 쓰고 그리거나, 아이콘을 실행시켜 컴퓨터 등의 기계에 원하는 명령을 수행시키는 장치를 말한다. 터치 스크린 패널이 부착된 액정 표시 장치는 사용자의 손가락 또는 터치 펜(touch pen) 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있다. 그런데, 이러한 액정 표시 장치는 터치 스크린 패널로 인하여 원가가 상승하고, 터치 스크린 패널을 액정 표시판 위에 접착시키는 공정 추가로 인하여 수율이 감소하며, 액정 표시판의 휘도가 저하되며, 제품 두께가 증가한다.A touch screen panel refers to a device that touches a finger or a pen on the screen to write and draw a character or a picture, or executes an icon to perform a desired command on a machine such as a computer. The liquid crystal display with a touch screen panel may find out whether the user's finger or a touch pen touches the screen and the contact position information. However, such a liquid crystal display device has a higher cost due to a touch screen panel, a lower yield due to a process of adhering the touch screen panel to a liquid crystal display panel, a lower brightness of the liquid crystal panel, and an increase in product thickness.

따라서 터치 스크린 패널 대신에 박막 트랜지스터로 이루어진 감지 소자를 액정 표시 장치에서 영상을 표시하는 화소 내부에 내장하는 기술이 개발되어 왔다. 감지 소자는 사용자의 손가락 등이 화면에 가한 압력 및/또는 빛의 변화를 감지함으로써 액정 표시 장치가 사용자의 손가락 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있게 한다. 그런데 이러한 감지 소자 및 이를 위한 배선이 차지하는 면적으로 인하여 투과 영역을 정의하는 투과창을 크게 할 수 없어서 액정 표시 장치의 투과율이 떨어진다. 또한 이러한 감지 소자의 출력 신호인 감지 신호를 내보내는 배선은 화소 전극 및 공통 전극과 기생 용량을 형성하는데, 데이터 전압 및 공통 전압이 변함에 따라 감지 신호가 영향을 받아 왜곡될 수 있다.Accordingly, a technology for embedding a sensing element made of a thin film transistor instead of a touch screen panel inside a pixel displaying an image in a liquid crystal display device has been developed. The sensing element detects a change in pressure and / or light applied to a screen by a user's finger or the like so that the liquid crystal display may determine whether the user's finger or the like has touched the screen and contact position information. However, due to the area occupied by the sensing element and the wiring therefor, the transmission window defining the transmission area cannot be enlarged, so that the transmittance of the liquid crystal display is lowered. In addition, the wiring for outputting the sensing signal, which is an output signal of the sensing element, forms a parasitic capacitance with the pixel electrode and the common electrode. As the data voltage and the common voltage change, the sensing signal may be affected and distorted.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 투과 영역을 키워 투과율을 높이며, 감지 신호가 데이터 전압 및 공통 전압에 영향을 받지 않는 감지 소자를 내장한 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a display device including a sensing element in which a transmission region is increased to increase a transmittance and a sensing signal is not affected by a data voltage and a common voltage.

이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 표시판, 상기 표시판에 형성되어 있는 복수의 화소, 상기 표시판에 형성되어 있는 감지 신호선, 상기 표시판에 형성되어 있고, 인접한 두 개의 상기 화소 사이에 형성되어 있으며, 외부 광을 받아 광량에 기초한 광감지 신호를 생성하여 상기 감지 신호선으로 내보내는 광감지부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a display device includes a display panel, a plurality of pixels formed on the display panel, a sensing signal line formed on the display panel, and two adjacent adjacent ones. It is formed between the pixels, and receives the external light to generate a light detection signal based on the amount of light and includes a light detection unit for emitting to the detection signal line.

상기 화소는 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함하며, 상기 광감지부는 상기 적색 화소와 상기 녹색 화소 사이, 상기 녹색 화소와 상기 청색 화소 사이, 그리고 상기 청색 화소와 상기 적색 화소 사이 중 어느 하나에 배치될 수 있다.The pixel may include red, green, and blue pixels, and the light sensing unit may be disposed between any one of the red and green pixels, between the green and blue pixels, and between the blue and red pixels. Can be.

상기 감지 신호선은 상기 인접한 두 개의 화소 사이에 형성될 수 있다.The sensing signal line may be formed between the two adjacent pixels.

상기 광감지부는, 상부에 개구부가 형성되어 상기 개구부를 통하여 상기 외부 광을 받으며, 상기 광감지 신호를 생성하는 감지 소자, 그리고 감지 주사 신호에 따라 상기 광감지 신호를 상기 감지 신호선으로 내보내는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.The light sensing unit may include a sensing element having an opening formed at an upper portion thereof to receive the external light through the opening and generating the light sensing signal, and a switching device that emits the light sensing signal to the sensing signal line according to a sensing scan signal. It may include.

상기 감지 소자에 입력 전압을 전달하며, 상기 감지 신호선 상부에 형성되어 상기 감지 신호선을 덮고 있는 입력 전압선을 더 포함할 수 있다.The display device may further include an input voltage line configured to transfer an input voltage to the sensing device and to be formed on the sensing signal line to cover the sensing signal line.

상기 입력 전압선은 상기 인접한 두 개의 화소 사이에 형성될 수 있다.The input voltage line may be formed between the two adjacent pixels.

상기 입력 전압은 직류 전압일 수 있다.The input voltage may be a direct current voltage.

상기 스위칭 소자에 연결되어 있는 감지 주사선을 더 포함하며, 인접한 두 개의 상기 감지 주사선을 연결하여 상기 광감지 신호를 중첩시켜 내보낼 수 있다.The sensing device may further include a sensing scan line connected to the switching element, and the two sensing scan lines may be connected to each other so that the photosensitive signal may be superimposed and exported.

상기 감지 소자 및 스위칭 소자는 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함할 수 있다.The sensing element and the switching element may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon.

상기 화소에 연결되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선을 더 포함하며, 상기 광감지부에 인접한 상기 데이터선은 상기 광감지부를 따라 굴절될 수 있다.The display device may further include a data line connected to the pixel to transfer a data voltage, wherein the data line adjacent to the light sensing unit may be refracted along the light sensing unit.

두 화소 행에 배치되어 있는 상기 화소 및 상기 광감지부는 상기 두 화소 행의 경계에 대하여 대칭일 수 있다.The pixel and the light sensing unit disposed in two pixel rows may be symmetrical with respect to a boundary between the two pixel rows.

상기 표시판에 형성되어 있고, 인접한 두 개의 상기 화소 사이에 형성되어 있으며, 사용자의 접촉에 따라 공통 전압이 인가되어 상기 공통 전압에 기초한 접촉 감지 신호를 생성하여 상기 감지 신호선으로 내보내는 접촉 감지부를 더 포함할 수 있다.A touch sensing unit formed on the display panel and formed between two adjacent pixels, and applying a common voltage according to a user's contact to generate a touch sensing signal based on the common voltage, and to send the touch sensing signal to the sensing signal line; Can be.

상기 화소는 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함하며, 상기 접촉 감지부는 상기 적색 화소와 상기 녹색 화소 사이, 상기 녹색 화소와 상기 청색 화소 사이, 그리고 상기 청색 화소와 상기 적색 화소 사이 중 어느 하나에 배치될 수 있다.The pixel may include red, green, and blue pixels, and the touch sensing unit may be disposed between any one of the red and green pixels, between the green and blue pixels, and between the blue and red pixels. Can be.

접촉 감지부는, 상기 접촉에 따라 상기 공통 전압을 인가하는 스위치, 상기 스위치로부터의 상기 공통 전압에 따라 상기 접촉 감지 신호를 생성하는 감지 소자, 그리고 감지 주사 신호에 따라 상기 접촉 감지 신호를 상기 감지 신호선으로 내보내는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.The touch sensing unit may include a switch for applying the common voltage according to the touch, a sensing element for generating the touch sensing signal according to the common voltage from the switch, and the touch sensing signal as the sensing signal line according to a sensing scan signal. It may include a switching element to export.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 영상 주사선, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 상기 영상 주사선과 교차하는 복수의 데이터선, 상기 영상 주사선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 감지 주사선, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 상기 감지 주사선과 교차하는 복수의 감지 신호선, 그리고 상기 감지 주사선 및 상기 감지 신호선에 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 감지 신호선 및 상기 제2 박막 트랜지스터는 인접한 두 개의 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a plurality of image scanning lines formed on the second substrate, and formed on the second substrate. A plurality of data lines crossing the scan line, a plurality of first thin film transistors connected to the image scanning line and the data line, a plurality of pixel electrodes connected to the first thin film transistor, and a plurality of formed on the second substrate A sensing scan line, a plurality of sensing signal lines formed on the second substrate and intersecting the sensing scan lines, and a plurality of second thin film transistors connected to the sensing scan lines and the sensing signal lines, wherein the sensing signal lines and the The second thin film transistor is formed between two adjacent pixel electrodes.

상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 제어 전압선, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 입력 전압선, 상기 제어 전압선 및 상기 입력 전압선에 연결되어 있는 복수의 제3 박막 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 입력 전압선 및 상기 제3 박막 트랜지스터는 인접한 두 개의 상기 화소 전극 사이에 형성될 수 있다.A plurality of control voltage lines formed on the second substrate, a plurality of third thin film transistors formed on the second substrate and connected to the plurality of input voltage lines, the control voltage line, and the input voltage line, The voltage line and the third thin film transistor may be formed between two adjacent pixel electrodes.

상기 입력 전압선은 상기 감지 신호선 상부에 배치되어 상기 감지 신호선을 덮을 수 있다.The input voltage line may be disposed above the sensing signal line to cover the sensing signal line.

상기 입력 전압선은 상기 화소 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The input voltage line may be made of the same material as the pixel electrode.

상기 제2 및 제3 박막 트랜지스터에 인접해 있는 상기 데이터선은 상기 제2 및 제3 박막 트랜지스터 및 상기 감지 신호선을 따라 굴절될 수 있다.The data line adjacent to the second and third thin film transistors may be refracted along the second and third thin film transistors and the sensing signal line.

상기 데이터선은 세로로 인접한 두 개의 상기 화소 전극의 경계에 대하여 대칭일 수 있다.The data line may be symmetrical with respect to a boundary between two vertically adjacent pixel electrodes.

상기 인접한 두 개의 화소 전극의 모양은 서로 다를 수 있다.The shapes of the two adjacent pixel electrodes may be different from each other.

상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터는 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함할 수 있다. The first to third thin film transistors may include amorphous silicon or polycrystalline silicon.                     

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 감지 소자를 내장한 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A display device incorporating a sensing element according to an exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다. 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 광감지부에 대한 등가 회로도이고, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 접촉 감지부에 대한 등가 회로도이이다.1 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is an equivalent circuit diagram of a light sensing unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a touch sensing unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시판 조립체(liquid crystal panel assembly)(300) 및 이에 연결된 영상 주사부(400), 데이터 구동부(500), 감지 주사부(700), 신호 판독부(800), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(550), 그리고 이들을 제어하는 신호 제어부 (600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal panel assembly 300, an image scanning unit 400, a data driver 500, and a sensing scan connected thereto. The unit 700 includes a signal reader 800, a gray voltage generator 550 connected to the data driver 500, and a signal controller 600 for controlling the gray voltage generator 550.

액정 표시판 조립체(300)는 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(G1-Gn, D1-D m, S1-SN, P1-PM, PSG, PSD)과 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel) 및 감지부를 포함한다.The liquid crystal panel assembly 300 is connected to a plurality of signal lines G 1 -G n , D 1 -D m , S 1 -S N , P 1 -P M , P SG , and P SD in an equivalent circuit. It includes a plurality of pixels and the sensing unit arranged in a substantially matrix form.

신호선(G1-Gn, D1-Dm)은 영상 주사 신호를 전달하는 복수의 영상 주사선(G1-Gn)과 영상 데이터 신호를 전달하는 데이터선(D1-Dm)을 포함한다. 영상 주사선(G1-Gn)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(D1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal lines G 1 -G n and D 1 -D m include a plurality of image scanning lines G 1 -G n for transmitting an image scanning signal and data lines D 1 -D m for transmitting an image data signal. do. The image scanning lines G 1 -G n extend substantially in the row direction and are substantially parallel to each other, and the data lines D 1 -D m extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other.

신호선(S1-SN, P1-PM)은 감지 주사 신호를 전달하는 복수의 감지 주사선(S1-SN)과 감지 신호를 전달하는 감지 신호선(P1-PM)을 포함한다. 감지 주사선(S 1-SN)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 감지 신호선(P1-PM)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal lines S 1 -S N and P 1 -P M include a plurality of sensing scan lines S 1 -S N for transmitting a sensing scan signal and sensing signal lines P 1 -P M for transmitting a sensing signal. . The sensing scan lines S 1 -S N extend approximately in the row direction and are substantially parallel to each other, and the sensing signal lines P 1 -P M extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other.

신호선(PSG, PSD)은 제어 전압(VSG)을 전달하는 제어 전압선(PSG )과 입력 전압(VSD)을 전달하는 입력 전압선(PSD)을 포함하며, 행 또는 열 방향으로 뻗어 있다. The signal lines P SG and P SD include a control voltage line P SG for transmitting the control voltage V SG and an input voltage line P SD for transferring the input voltage V SD , and extend in the row or column direction. have.

각 화소는 신호선(G1-Gn, D1-Dm)에 연결된 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(CLC) 및 유지 축전기(storage capacitor)(CST) 를 포함한다. 유지 축전기(CST)는 필요에 따라 생략할 수 있다.Each pixel includes a switching element Q connected to a signal line G 1 -G n , D 1 -D m , a liquid crystal capacitor C LC , and a storage capacitor C ST connected thereto. Include. The holding capacitor C ST can be omitted as necessary.

박막 트랜지스터 등 스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있으며, 삼단자 소자로서 그 제어 단자 및 입력 단자는 각각 영상 주사선(G1-Gn) 및 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(CLC) 및 유지 축전기(C ST)에 연결되어 있다.A switching element Q, such as a thin film transistor, is provided in the lower panel 100. The three-terminal element has a control terminal and an input terminal of the image scanning line G 1 -G n and the data line D 1 -D m, respectively. The output terminal is connected to a liquid crystal capacitor (C LC ) and a holding capacitor (C ST ).

액정 축전기(CLC)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(190)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(190, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 화소 전극(190)은 스위칭 소자(Q)에 연결되며 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가받는다. 도 2에서와는 달리 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 구비되는 경우도 있으며 이때에는 두 전극(190, 270) 중 적어도 하나가 선형 또는 막대형으로 만들어질 수 있다.The liquid crystal capacitor C LC has two terminals, the pixel electrode 190 of the lower panel 100 and the common electrode 270 of the upper panel 200, and the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 190 and 270. It functions as a dielectric. The pixel electrode 190 is connected to the switching element Q, and the common electrode 270 is formed on the front surface of the upper panel 200 and receives a common voltage V com . Unlike in FIG. 2, the common electrode 270 may be provided in the lower panel 100. In this case, at least one of the two electrodes 190 and 270 may be linear or rod-shaped.

액정 축전기(CLC)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(CST)는 하부 표시판(100)에 구비된 별개의 신호선(도시하지 않음)과 화소 전극(190)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 이 별개의 신호선에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(CST)는 화소 전극(190)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 영상 주사선과 중첩되어 이루어질 수 있다.The storage capacitor C ST , which serves as an auxiliary part of the liquid crystal capacitor C LC , is formed by overlapping a separate signal line (not shown) and the pixel electrode 190 provided on the lower panel 100 with an insulator interposed therebetween. A predetermined voltage such as the common voltage V com is applied to this separate signal line. However, the storage capacitor C ST may be formed such that the pixel electrode 190 overlaps the front end image scanning line directly above the insulator.

한편, 색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소가 삼원색 중 하나를 고유하게 표시하거나(공간 분할) 각 화소가 시간에 따라 번갈아 삼원색을 표시하게(시간 분 할) 하여 이들 삼원색의 공간적, 시간적 합으로 원하는 색상이 인식되도록 한다. 도 2는 공간 분할의 한 예로서 각 화소가 화소 전극(190)에 대응하는 영역에 적색, 녹색, 또는 청색의 색필터(230)를 구비함을 보여주고 있다. 도 2와는 달리 색필터(230)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(190) 위 또는 아래에 형성할 수도 있다.On the other hand, in order to implement color display, each pixel uniquely displays one of the three primary colors (spatial division) or each pixel alternately displays the three primary colors according to time (time division) so that the desired color can be spatially and temporally combined with the three primary colors. To be recognized. 2 illustrates that each pixel includes a red, green, or blue color filter 230 in a region corresponding to the pixel electrode 190. Unlike FIG. 2, the color filter 230 may be formed above or below the pixel electrode 190 of the lower panel 100.

액정 표시판 조립체(300)의 두 표시판(100, 200) 중 적어도 하나의 바깥 면에는 빛을 편광시키는 편광자(도시하지 않음)가 부착되어 있다.A polarizer (not shown) for polarizing light is attached to an outer surface of at least one of the two display panels 100 and 200 of the liquid crystal panel assembly 300.

감지부는 광감지부 및 접촉 감지부를 포함한다.The sensing unit includes a light sensing unit and a touch sensing unit.

광감지부는 도 3에 도시한 바와 같이 신호선(PSG, PSD)에 연결된 감지 소자(QP), 신호선(S1-SN, P1-PM) 중 일부에 연결된 스위칭 소자(QS1)와 이들에 연결된 감지 신호 축전기(CP)를 포함한다.As illustrated in FIG. 3, the light sensing unit includes a sensing element Q P connected to the signal lines P SG and P SD and a switching element Q S1 connected to a part of the signal lines S 1 -S N and P 1 -P M. ) And sense signal capacitor C P connected thereto.

감지 소자(QP)는 삼단자 소자로서 그 제어 단자 및 입력 단자는 각각 제어 전압선(PSG)과 입력 전압선(PSD)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 감지 신호 축전기(CP) 및 스위칭 소자(QS1)에 연결되어 있다. 감지 소자(QP)의 상부는 개구부가 형성되어 있어서 그 채널부 반도체에 빛이 조사되면 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 채널부 반도체가 광전류를 형성하고, 입력 전압선(PSD)에 인가된 입력 전압(VSD)에 의해 광전류가 감지 신호 축전기(CP) 및 스위칭 소자(QS1) 방향으로 흐른다. The sensing element Q P is a three-terminal element whose control terminal and input terminal are connected to the control voltage line P SG and the input voltage line P SD, respectively, and the output terminal is a sensing signal capacitor C P and a switching element. Is connected to (Q S1 ). An opening is formed in the upper portion of the sensing element Q P , and when light is irradiated to the channel semiconductor, a channel semiconductor made of amorphous silicon or polycrystalline silicon forms a photocurrent, and an input voltage applied to the input voltage line P SD . The photocurrent flows in the direction of the sensing signal capacitor C P and the switching element Q S1 by V SD .

감지 신호 축전기(CP)는 감지 소자(QP)와 제어 전압선(PSG) 사이에 연결되어 있고, 감지 소자(QP)로부터의 광전류에 따른 전하를 축적하여 소정 전압을 유지한다. 감지 신호 축전기(CP)는 필요에 따라 생략할 수 있다.The sensing signal capacitor C P is connected between the sensing element Q P and the control voltage line P SG , and accumulates charges according to the photocurrent from the sensing element Q P to maintain a predetermined voltage. The sensing signal capacitor C P may be omitted as necessary.

스위칭 소자(QS1) 역시 삼단자 소자로서 그 제어 단자, 출력 단자 및 입력 단자는 각각 감지 주사선(S1-SN), 감지 신호선(P1-PM) 중 일부 및 감지 소자(QP)에 연결되어 있다. 스위칭 소자(QS1)는 감지 주사선(S1-SN)에 스위칭 소자(Q S1)를 턴 온시키는 전압이 인가되면 감지 신호 축전기(CP)에 저장되어 있는 전압 또는 감지 소자(QP)로부터의 광전류를 감지 신호(VP1-VPM)로서 해당 감지 신호선(P 1-PM)으로 출력한다.The switching element Q S1 is also a three-terminal element whose control terminals, output terminals and input terminals are part of the sensing scan lines S 1 -S N , the sensing signal lines P 1 -P M and the sensing elements Q P, respectively. Is connected to. The switching element Q S1 is a voltage stored in the sensing signal capacitor C P or the sensing element Q P when a voltage for turning on the switching element Q S1 is applied to the sensing scan lines S 1 -S N. The photocurrent from is output as the detection signals V P1 -V PM to the corresponding detection signal lines P 1 -P M.

접촉 감지부는 도 4에 도시한 바와 같이 공통 전압(Vcom)에 연결되어 있는 스위치(SWT), 스위치(SWT)와 신호선(PSG)에 연결된 감지 소자(QT) 및 신호선(S1 -SN, P1-PM) 중 일부에 연결된 스위칭 소자(QS2)를 포함하며, 신호선(S1-SN , P1-PM)이 교차하는 부분 중 광감지부가 연결되어 있지 않은 부분에 형성되어 있다.As illustrated in FIG. 4, the touch sensing unit includes a switch SWT connected to the common voltage V com , a sensing element Q T connected to the switch SWT, and a signal line P SG , and a signal line S 1 -S. N , P 1 -P M ) includes a switching element (Q S2 ) connected to a part of the signal line (S 1 -S N , P 1 -P M ) in the part where the light sensing unit is not connected Formed.

스위치(SWT)는 사용자의 접촉에 따라 공통 전압(Vcom)을 감지 소자(QT)에 전달한다.The switch SWT transfers the common voltage V com to the sensing element Q T according to the contact of the user.

감지 소자(QT)는 삼단자 소자로서 그 제어 단자 및 입력 단자는 각각 제어 전압선(PSG)과 스위치(SWT)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 스위칭 소자(QS2)에 연결되어 있다. 감지 소자(QT)는 스위치(SWT)로부터 전달된 공통 전압(Vcom)에 따른 감지 전류를 출력한다.The sensing element Q T is a three-terminal element whose control terminal and input terminal are connected to the control voltage line P SG and the switch SWT, respectively, and the output terminal is connected to the switching element Q S2 . The sensing element Q T outputs a sensing current according to the common voltage V com transmitted from the switch SWT.

스위칭 소자(QS2) 역시 삼단자 소자로서 그 제어 단자, 출력 단자 및 입력 단자는 각각 감지 주사선(S1-SN), 감지 신호선(P1-PM) 중 일부 및 감지 소자(QT)에 연결되어 있다. 스위칭 소자(QS2)는 감지 주사선(S1-SN)에 스위칭 소자(Q S2)를 턴 온시키는 전압이 인가되면 감지 소자(QT)로부터의 감지 전류를 접촉 감지 신호(VP1-VPM)로서 해당 감지 신호선(P1-PM)으로 출력한다.The switching element Q S2 is also a three-terminal element, the control terminal, the output terminal and the input terminal of which are part of the sensing scan lines S 1 -S N , the sensing signal lines P 1 -P M and the sensing elements Q T, respectively. Is connected to. A switching element (Q S2) detects the scanning line (S 1 -S N) to the switching elements when a voltage for turning on the (Q S2) applied to the sensing element detects a touch sensing current from the (Q T) signal (V P1 -V PM ) is output to the corresponding sensing signal lines P 1 -P M.

여기서 스위칭 소자(Q, QS1, QS2) 및 감지 소자(QP, QT)는 비정질 규소(amorphous silicon) 또는 다결정 규소(poly crystalline silicon) 박막 트랜지스터로 이루어질 수 있다.The switching elements Q, Q S1 and Q S2 and the sensing elements Q P and Q T may be formed of amorphous silicon or poly crystalline silicon thin film transistors.

감지부는 액정 표시판 조립체(300)에서 하나의 도트 당 하나씩 배치되며, 인접한 두 화소 사이의 영역(이하 감지 영역이라 한다)에 배치된다. 여기서 하나의 도트는 가로로 배열되어 있는 3개의 R, G, B 화소로 이루어지고 하나의 색상(full color)을 표시하는 단위가 되며, 액정 표시 장치의 해상도를 나타내는 기본 단위가 된다.The sensing units are disposed one per dot in the liquid crystal panel assembly 300 and are disposed in an area between two adjacent pixels (hereinafter referred to as a sensing area). Here, one dot is formed of three R, G, and B pixels arranged horizontally, and becomes a unit displaying one color, and becomes a basic unit representing the resolution of the liquid crystal display.

광감지부는 액정 표시 장치의 해상도의 1/4의 해상도를 가진다. 한 예로서 광감지부는 홀수 번째 감지 주사선과 홀수 번째 감지 신호선이 교차하는 영역에 배 치될 수 있다. 그러면 문자 인식과 같이 정밀도가 높은 응용 분야에서도 이러한 광감지부를 내장한 액정 표시 장치를 이용할 수 있다. 물론 광감지부의 해상도는 필요에 따라 더 높거나 낮은 해상도를 가질 수도 있다.The light sensing unit has a resolution of 1/4 of the resolution of the liquid crystal display. As an example, the light detector may be disposed in an area where the odd-numbered sensing scan line and the odd-numbered sensing signal line cross each other. Then, a liquid crystal display device having such an optical sensing unit may be used even in a high precision application field such as character recognition. Of course, the resolution of the light sensing unit may have a higher or lower resolution as necessary.

접촉 감지부는 광감지부의 해상도 이하의 해상도를 가진다. 한 예로서 접촉 감지부는 홀수 번째 감지 주사선과 짝수 번째 감지 신호선이 교차하는 영역에 배치될 수 있다.The touch sensing unit has a resolution less than or equal to the resolution of the light sensing unit. As an example, the touch sensing unit may be disposed in an area where the odd-numbered sensing scan line and the even-numbered sensing signal line cross each other.

세로로 인접한 두 감지 영역에 광감지부를 각각 배치하고 이들 광감지부의 두 감지 주사선을 서로 연결함으로써 이들 광감지부의 감지 신호를 동일한 감지 신호선에 중첩시켜 내보낼 수 있다. 이렇게 중첩되어 더해진 감지 신호에 의하면 각 광감지부의 특성 편차를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 신호 대 잡음비(signal to noise ratio)도 2배가 되어 보다 정확한 감지 신호를 추출할 수 있다. 이때 광감지부가 세로로 2개 배치되어 있더라도 실제로 감지 신호는 하나가 출력되므로 광감지부의 해상도는 감지 신호에 따라 결정된다. 접촉 감지부도 이와 같이 배치할 수 있다.By placing the light sensing units in two vertically adjacent sensing regions, and connecting the two sensing scanning lines to each other, the sensing signals of the light sensing units can be superimposed on the same sensing signal line. The superimposed sensing signals not only reduce the characteristic variation of each optical sensing unit, but also double the signal to noise ratio to extract more accurate sensing signals. In this case, even though two light detectors are arranged vertically, one detection signal is actually output, so the resolution of the light detector is determined according to the detection signal. The contact sensing unit can also be arranged in this way.

한편, 계조 전압 생성부(550)는 화소의 투과율과 관련된 두 벌의 복수 계조 전압을 생성한다. 두 벌 중 한 벌은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지고 다른 한 벌은 음의 값을 가진다.Meanwhile, the gray voltage generator 550 generates two sets of gray voltages related to the transmittance of the pixel. One of the two sets has a positive value for the common voltage (V com ) and the other set has a negative value.

영상 주사부(400)는 액정 표시판 조립체(300)의 영상 주사선(G1-Gn)에 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 영상 주사 신호를 영상 주사선(G1-Gn)에 인가한다.The image scanning unit 400 is connected to the image scanning lines G 1 -G n of the liquid crystal panel assembly 300 to display an image scanning signal formed by a combination of a gate on voltage V on and a gate off voltage V off . It is applied to the scan line G 1 -G n .

데이터 구동부(500)는 액정 표시판 조립체(300)의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 계조 전압 생성부(550)로부터의 계조 전압을 선택하여 데이터 신호로서 화소에 인가한다.The data driver 500 is connected to the data lines D 1 -D m of the liquid crystal panel assembly 300 to select the gray voltage from the gray voltage generator 550 and apply the gray voltage to the pixel as a data signal.

감지 주사부(700)는 액정 표시판 조립체(300)의 감지 주사선(S1-SN)에 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 감지 주사 신호를 감지 주사선(S1-SN)에 인가한다.The sensing scan unit 700 is connected to the sensing scan lines S 1 -S N of the liquid crystal panel assembly 300 to sense a sensing scan signal formed by a combination of a gate on voltage V on and a gate off voltage V off . It is applied to the scanning lines S 1 -S N.

신호 판독부(800)는 액정 표시판 조립체(300)의 감지 신호선(P1-PM)에 연결되어 감지 신호선(P1-PM)을 통하여 출력되는 감지 신호(VP1-VPM)를 입력받아 증폭, 필터링 등의 신호 처리를 행한 후 아날로그-디지털 변환을 하여 디지털 감지 신호(DSN)를 내보낸다.Signal reading unit 800 is input a sense signal (V P1 -V PM) output is connected to the detection signal of the liquid crystal panel assembly (300) (P 1 -P M ) via the detected signal line (P 1 -P M) After receiving the signal processing such as amplification, filtering, etc., analog-to-digital conversion is performed to output a digital sensing signal (DSN).

신호 제어부(600)는 영상 주사부(400), 데이터 구동부(500), 감지 주사부(700), 그리고 신호 판독부(800) 등의 동작을 제어한다.The signal controller 600 controls the operations of the image scanner 400, the data driver 500, the sensing scanner 700, and the signal reader 800.

영상 주사부(400), 데이터 구동부(500), 감지 주사부(700) 또는 신호 판독부(800)는 복수의 구동 집적 회로 칩의 형태로 액정 표시판 조립체(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 액정 표시판 조립체(300)에 부착될 수도 있다. 이와는 달리, 영상 주사부(400), 데이터 구동부(500), 감지 주사 부(700) 또는 신호 판독부(800)가 액정 표시판 조립체(300)에 집적될 수도 있다. 또는 데이터 구동부(500), 신호 판독부(800) 및 신호 제어부(600) 등은 원 칩(one-chip)이라고도 하는 하나의 IC 안에 집적되어 구현될 수도 있다.The image scanning unit 400, the data driving unit 500, the sensing scanning unit 700, or the signal reading unit 800 may be mounted directly on the liquid crystal panel assembly 300 in the form of a plurality of driving integrated circuit chips, or may be flexible printed. The LCD may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) and attached to the liquid crystal panel assembly 300 in the form of a tape carrier package (TCP). Alternatively, the image scanning unit 400, the data driver 500, the sensing scanning unit 700, or the signal reading unit 800 may be integrated in the liquid crystal panel assembly 300. Alternatively, the data driver 500, the signal reader 800, the signal controller 600, and the like may be integrated into one IC, also called a one-chip.

그러면 이러한 액정 표시 장치의 표시 동작 및 감지 동작에 대하여 좀더 상세하게 설명한다.Next, the display operation and the detection operation of the liquid crystal display will be described in more detail.

신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호, 예를 들면 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 제공받는다. 신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 영상 신호(R, G, B)를 액정 표시판 조립체(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 영상 주사 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 영상 주사 제어 신호(CONT1)를 영상 주사부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)는 데이터 구동부(500)로 내보낸다. 또한 신호 제어부(600)는 입력 제어 신호를 기초로 감지 주사 제어 신호(CONT3) 및 판독 제어 신호(CONT4)를 생성한 후, 감지 주사 제어 신호(CONT3)를 감지 주사부(700)에 내보내고 판독 제어 신호(CONT4)를 신호 판독부(800)에 내보낸다.The signal controller 600 may control the input image signals R, G, and B and their display from an external graphic controller (not shown), for example, a vertical sync signal V sync and a horizontal sync signal. (H sync ), a main clock (MCLK), a data enable signal (DE) is provided. The signal controller 600 properly processes the image signals R, G, and B according to operating conditions of the liquid crystal panel assembly 300 based on the input image signals R, G, and B and the input control signal, and controls image scanning. After generating the signal CONT1 and the data control signal CONT2, the image scan control signal CONT1 is sent to the image scanning unit 400, and the data control signal CONT2 and the processed image signal DAT are the data driver. Export to 500. In addition, the signal controller 600 generates the sensing scan control signal CONT3 and the read control signal CONT4 based on the input control signal, and then outputs the sensing scan control signal CONT3 to the sensing scan unit 700 and read control. The signal CONT4 is sent to the signal reading unit 800.

영상 주사 제어 신호(CONT1)는 게이트 온 전압(Von)의 주사 시작을 지시하는 주사 시작 신호(STV)와 게이트 온 전압(Von)의 출력을 제어하는 적어도 하나의 클록 신호 등을 포함한다. Image scan control signal (CONT1) includes at least one clock signal and the like to control the output of the start scan indicating the scanning start of a gate-on voltage (V on) signal (STV) and the gate-on voltage (V on).

데이터 제어 신호(CONT2)는 한 화소행의 데이터 전송을 알리는 수평 동기 시작 신호(STH)와 데이터선(D1-Dm)에 해당 데이터 전압을 인가하라는 로드 신호(LOAD), 공통 전압(Vcom)에 대한 데이터 전압의 극성(이하 "공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성"을 줄여 "데이터 전압의 극성"이라 함)을 반전시키는 반전 신호(RVS) 및 데이터 클록 신호(HCLK) 등을 포함한다.The data control signal CONT2 is a horizontal synchronization start signal STH for transmitting data of one pixel row, a load signal LOAD for applying a corresponding data voltage to the data lines D 1 -D m , and a common voltage V com. ), The inversion signal RVS, the data clock signal HCLK, and the like, which inverts the polarity of the data voltage (hereinafter, referred to as "polarity of the data voltage" by reducing the "polarity of the data voltage" with respect to the common voltage)).

데이터 구동부(500)는 신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라 한 행의 화소에 대한 영상 데이터(DAT)를 입력받고, 계조 전압 생성부(550)로부터의 계조 전압 중 각 영상 데이터(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써, 영상 데이터(DAT)를 해당 데이터 전압으로 변환한 후 이를 해당 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.The data driver 500 receives the image data DAT for one row of pixels according to the data control signal CONT2 from the signal controller 600, and displays each image among the gray voltages from the gray voltage generator 550. By selecting the gray scale voltage corresponding to the data DAT, the image data DAT is converted into the corresponding data voltage and then applied to the data lines D 1 -D m .

영상 주사부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 영상 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 영상 주사선(G1-Gn)에 인가하여 이 영상 주사선(G1-Gn)에 연결된 스위칭 소자(Q)를 턴 온시키며, 이에 따라 데이터선(D1-Dm)에 인가된 데이터 전압이 턴 온된 스위칭 소자(Q)를 통하여 해당 화소에 인가된다.The image scanning unit 400 applies the gate-on voltage V on to the image scanning line G 1 -G n in response to the image scanning control signal CONT1 from the signal controller 600, thereby applying the image scanning line G 1- . The switching element Q connected to G n is turned on, and accordingly, a data voltage applied to the data lines D 1 -D m is applied to the corresponding pixel through the turned on switching element Q.

화소에 인가된 데이터 전압과 공통 전압(Vcom)의 차이는 액정 축전기(CLC)의 충전 전압, 즉 화소 전압으로서 나타난다. 액정 분자들은 화소 전압의 크기에 따라 그 배열을 달리하며, 이에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 변화한다. 이러한 편광의 변화는 표시판(100, 200)에 부착된 편광자(도시하지 않음)에 의하여 빛의 투과율 변화로 나타난다.The difference between the data voltage applied to the pixel and the common voltage V com is shown as the charging voltage of the liquid crystal capacitor C LC , that is, the pixel voltage. The arrangement of the liquid crystal molecules varies according to the magnitude of the pixel voltage, thereby changing the polarization of light passing through the liquid crystal layer 3. The change in polarization is represented by a change in transmittance of light by a polarizer (not shown) attached to the display panels 100 and 200.

1 수평 주기(또는 "1H")[수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE)의 한 주기]가 지나면 데이터 구동부(500)와 영상 주사부(400)는 다음 행의 화소에 대하여 동일한 동작을 반복한다. 이러한 방식으로, 한 프레임(frame) 동안 모든 영상 주사선(G1-Gn)에 대하여 차례로 게이트 온 전압(Von)을 인가하여 모든 화소에 데이터 전압을 인가한다. 한 프레임이 끝나면 다음 프레임이 시작되고 각 화소에 인가되는 데이터 전압의 극성이 이전 프레임에서의 극성과 반대가 되도록 데이터 구동부(500)에 인가되는 반전 신호(RVS)의 상태가 제어된다("프레임 반전"). 이때, 한 프레임 내에서도 반전 신호(RVS)의 특성에 따라 한 데이터선을 통하여 흐르는 데이터 전압의 극성이 바뀌거나(보기: 행반전, 점반전), 한 화소행에 인가되는 데이터 전압의 극성도 서로 다를 수 있다(보기: 열반전, 점반전).After one horizontal period (or "1H") (one period of the horizontal sync signal H sync and the data enable signal DE) has passed, the data driver 500 and the image scanning unit 400 may perform the pixel processing on the next row of pixels. Repeat the same operation. In this manner, the gate-on voltage V on is sequentially applied to all the image scanning lines G 1 -G n during one frame to apply the data voltage to all the pixels. At the end of one frame, the next frame starts and the state of the inversion signal RVS applied to the data driver 500 is controlled so that the polarity of the data voltage applied to each pixel is opposite to that of the previous frame ("frame inversion). "). In this case, the polarities of the data voltages flowing through one data line are changed according to the characteristics of the inversion signal RVS even in one frame (eg, inverted rows and inverted dots) or the polarities of the data voltages applied to one pixel row are also different from each other. (Eg: nirvana, point inversion).

감지 주사부(700)는 신호 제어부(600)로부터의 감지 주사 제어 신호(CONT3)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 감지 주사선(S1-SN)에 인가하여 이 감지 주사선(S1-SN)에 연결된 스위칭 소자(QS1, QS2)를 턴 온시키며, 이에 따라 광감지부 및/또는 접촉 감지부로부터의 감지 신호(VP1-VPM)가 턴 온된 스위칭 소자(QS1, Q S2)를 통하여 해당 감지 신호선(P1-PM)에 인가된다.Detecting the scanning unit 700 is applied to the scanning line is detected (S 1 for detecting a gate-on voltage (V on) the scan lines (S 1 -S N) according to the detected scan control signal (CONT3) from the signal controller 600, - S N) switching elements (Q S1, sensing signals from the turn-on sikimyeo, whereby the light sensor and / or the contact detection unit Q S2) (V P1 -V PM ) that is turned on switching elements (Q S1 connected to, Q S2 ) is applied to the corresponding sensing signal lines P 1 -P M.

신호 판독부(800)는 판독 제어 신호(CONT4)에 따라 감지 신호선(P1-PM)에 인가되어 있는 감지 신호(VP1-VPM)를 읽어 들인다. 신호 판독부(800)는 읽어 들인 감 지 신호(VP1-VPM)를 증폭 및 필터링 등의 신호 처리를 한 후 디지털 신호(DSN)로 변환하여 외부 장치로 내보낸다. 외부 장치는 이 디지털 신호(DSN)에 대하여 적절한 연산 처리를 행하여 접촉 여부 및 접촉 위치를 알아내고 이에 기초한 영상 신호를 액정 표시 장치에 전송한다.The signal reading unit 800 reads the sensing signals V P1 -V PM applied to the sensing signal lines P 1 -P M in accordance with the read control signal CONT4. The signal reader 800 converts the read detection signals V P1 -V PM into signal digital signals, such as amplification and filtering, and then converts them into digital signals DSN and outputs them to an external device. The external device performs appropriate arithmetic processing on the digital signal DSN to find out whether or not it has been touched and the contact position, and transmits an image signal based thereon to the liquid crystal display.

감지 동작은 앞서 설명한 표시 동작과 별도로 수행되며, 서로 영향을 받지 않는다. 한 행에 대한 감지 동작은 광감지부 및 접촉 감지부의 형성 밀도에 따라 1 수평 주기 또는 복수의 수평 주기마다 이루어진다. 또한 한 감지부에 대한 감지 동작은 매 프레임마다 반드시 이루어질 필요는 없으며 필요에 따라 복수의 프레임마다 한번씩 이루어질 수도 있다.The sensing operation is performed separately from the display operation described above, and is not affected by each other. The sensing operation for one row is performed every one horizontal period or a plurality of horizontal periods according to the formation density of the light sensing unit and the contact sensing unit. In addition, a sensing operation of one sensing unit does not necessarily need to be performed every frame, but may be performed once every plurality of frames as necessary.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 도 5 내지 도 8을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, the structure of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 8.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도의 한 예이고, 도 6, 도 7 및 도 8은 각각 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI' 선, VII-VII' 선 및 VIII-VIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 5 is an example of a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 6, 7 and 8 respectively illustrate a line VI-VI ′, a line VII-VII ′, and a liquid crystal display of FIG. 5. It is sectional drawing cut along the line VIII-VIII '.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 공통 전극 표시판(200), 그리고 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 사이에 들어 있는 액정층(3)으로 이루어진다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200. It consists of (3).

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에는, 도 5 내지 도 8에 보이는 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 복수의 영상 주사선(121), 복수의 유지 전극선(131), 복 수의 감지 주사선(127), 그리고 복수의 제어 전압선(129)이 형성되어 있다.First, as illustrated in FIGS. 5 to 8, the thin film transistor array panel 100 includes a plurality of image scanning lines 121, a plurality of sustain electrode lines 131, and a plurality of sensing scan lines 127 on the insulating substrate 110. And a plurality of control voltage lines 129 are formed.

주사선(121, 127) 및 제어 전압선(129)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 서로 분리되어 있으며, 각각 영상 주사 신호, 감지 주사 신호 및 제어 전압(VSG)을 전달하며, 각각 복수의 제어 단자 전극(control electrode)(124, 128, 126)을 포함한다.The scan lines 121 and 127 and the control voltage line 129 mainly extend in the horizontal direction and are separated from each other, and transmit the image scan signal, the sense scan signal, and the control voltage V SG , respectively, and each of the plurality of control terminal electrodes ( control electrodes 124, 128, 126.

유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 유지 전극(133)을 이루는 복수의 돌출부를 포함한다. 유지 전극선(131)에는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)에 인가되는 공통 전압(common voltage) 따위의 미리 정해진 전압이 인가된다.The storage electrode line 131 mainly extends in the horizontal direction and includes a plurality of protrusions constituting the storage electrode 133. A predetermined voltage such as a common voltage applied to the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 is applied to the sustain electrode line 131.

주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)은 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 상부막은 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 등으로 이루어진다. 하부막과 상부막의 조합의 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금을 들 수 있다.The scan lines 121 and 127, the sustain electrode line 131, and the control voltage line 129 are made of aluminum-based metals such as aluminum and aluminum alloys, silver-based metals such as silver and silver alloys, copper-based metals such as copper and copper alloys, and molybdenum And a molybdenum-based metal such as molybdenum alloy, chromium, titanium, and tantalum are preferable. The scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129 may include two layers having different physical properties, that is, a lower layer (not shown) and an upper layer (not shown) thereon. have. The upper layer is made of a low resistivity metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy to reduce signal delay or voltage drop of the scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129. It is made of a series of metals. In contrast, the lower layer is made of a material having excellent contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum (Mo), molybdenum alloy, chromium (Cr), and the like. An example of the combination of the lower layer and the upper layer is chromium / aluminum-neodymium (Nd) alloy.

주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)은 단일막 구조를 가지거나 세 층 이상을 포함할 수 있다.The scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129 may have a single layer structure or may include three or more layers.

또한 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)은 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 그 경사각은 기판(110)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.In addition, the scanning lines 121 and 127, the sustain electrode line 131, and the control voltage line 129 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle thereof is about 30-80 ° with respect to the surface of the substrate 110. .

주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 절연막(insulating layer)(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129.

절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151) 및 복수의 섬형 반도체(156, 158, 159)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(projection)(154)가 제어 단자 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있으며, 이로부터 복수의 확장부(157)가 연장되어 있다. 또한 선형 반도체(151)는 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)과 만나는 지점 부근에서 폭이 커져서 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)의 넓은 면적을 덮고 있다.A plurality of linear semiconductors 151 and a plurality of island-like semiconductors 156, 158, and 159 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the insulating layer 140. have. The linear semiconductor 151 extends mainly in the longitudinal direction, from which a plurality of projections 154 extend toward the control terminal electrode 124, from which the plurality of extensions 157 extend. In addition, the linear semiconductor 151 increases in width near the point where the scan lines 121 and 127, the sustain electrode line 131, and the control voltage line 129 meet, and thus the scan lines 121 and 127, the sustain electrode line 131, and the control voltage line 129. Covers a large area).

반도체(151, 156, 158, 159)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복 수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 162, 164, 165, 166, 168)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다. 또한 섬형 접촉 부재(162, 164) 및 섬형 접촉 부재(166, 168)도 쌍을 이루어 섬형 반도체(156, 158) 위에 각각 위치한다.On top of the semiconductors 151, 156, 158, 159 a plurality of linear and island ohmic contacts made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of silicide or n-type impurities ( 161, 162, 164, 165, 166, and 168 are formed. The linear contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island contact members 165 are paired and positioned on the protrusions 154 of the semiconductor 151. In addition, the island contact members 162 and 164 and the island contact members 166 and 168 are also paired and positioned on the island semiconductors 156 and 158, respectively.

반도체(151, 156, 158, 159)와 저항성 접촉 부재(161, 162, 164, 165, 166, 168)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the semiconductors 151, 156, 158, and 159 and the ohmic contacts 161, 162, 164, 165, 166, and 168 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is 30-80 °.

저항성 접촉 부재(161, 162, 164, 165, 166, 168) 및 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171), 복수의 감지 신호선(179), 복수의 출력 단자 전극(174, 175) 및 복수의 입력 단자 전극(172, 176)이 형성되어 있다.The plurality of data lines 171, the plurality of sensing signal lines 179, the plurality of output terminal electrodes 174, 175, and the plurality of resistive contact members 161, 162, 164, 165, 166, 168, and the insulating layer 140. Input terminal electrodes 172 and 176 are formed.

데이터선(171) 및 감지 신호선(179)은 주로 세로 방향으로 뻗어 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)과 교차하며 각각 데이터 전압(data voltage) 및 감지 신호를 전달한다.The data line 171 and the sensing signal line 179 mainly extend in the vertical direction to intersect the scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129, and transmit data voltage and sensing signals, respectively. do.

각 출력 단자 전극(175)은 하나의 유지 전극(133)과 중첩하는 확장부(177)를 포함한다. 데이터선(171) 각각은 복수의 돌출부를 포함하며, 이 돌출부를 포함하는 세로부가 출력 단자 전극(175)의 한쪽 끝 부분을 일부 둘러싸는 입력 단자 전극(173)을 이룬다. 하나의 제어 단자 전극(124), 하나의 입력 단자 전극(173) 및 하나의 출력 단자 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 입력 단자 전극(173)과 출력 단자 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다. 이 박막 트랜지스터가 스위칭 소자(Q)로서 기능한다.Each output terminal electrode 175 includes an extension 177 overlapping one storage electrode 133. Each of the data lines 171 includes a plurality of protrusions, and a vertical portion including the protrusions forms an input terminal electrode 173 partially surrounding one end of the output terminal electrode 175. One control terminal electrode 124, one input terminal electrode 173, and one output terminal electrode 175, together with the protrusion 154 of the semiconductor 151, form one thin film transistor (TFT). The channel of the thin film transistor is formed in the protrusion 154 between the input terminal electrode 173 and the output terminal electrode 175. This thin film transistor functions as the switching element Q.

한 쌍의 입력 단자 전극(172)과 출력 단자 전극(174)은 서로 분리되어 있으며 제어 단자 전극(126)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 하나의 제어 단자 전극(126), 하나의 입력 단자 전극(172) 및 하나의 출력 단자 전극(174)은 반도체(156)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널은 입력 단자 전극(172)과 출력 단자 전극(174) 사이의 반도체(156)에 형성된다. 이 박막 트랜지스터는 감지 소자(QP)로서 기능한다.The pair of input terminal electrodes 172 and output terminal electrodes 174 are separated from each other and are located opposite to each other with respect to the control terminal electrode 126. One control terminal electrode 126, one input terminal electrode 172, and one output terminal electrode 174 together with the semiconductor 156 constitute one thin film transistor (TFT), and the channel of the thin film transistor is an input terminal. Is formed in the semiconductor 156 between the electrode 172 and the output terminal electrode 174. This thin film transistor functions as a sensing element Q P.

출력 단자 전극(174)과 입력 단자 전극(176)은 서로 연결되어 있다. 각 감지 신호선(179)은 복수의 가로부와 복수의 세로부를 포함하며, 감지 신호선(179)의 세로부 중 일부가 출력 단자 전극(178)을 이룬다. 한 쌍의 입력 단자 전극(176)과 출력 단자 전극(178)은 서로 분리되어 있으며 제어 단자 전극(128)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 하나의 제어 단자 전극(128), 하나의 입력 단자 전극(176) 및 하나의 출력 단자 전극(178)은 반도체(158)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널은 입력 단자 전극(176)과 출력 단자 전극(178) 사이의 반도체(158)에 형성된다. 이 박막 트랜지스터는 스위칭 소자(QS1)로서 기능한다.The output terminal electrode 174 and the input terminal electrode 176 are connected to each other. Each sensing signal line 179 includes a plurality of horizontal portions and a plurality of vertical portions, and some of the vertical portions of the sensing signal lines 179 form an output terminal electrode 178. The pair of input terminal electrodes 176 and output terminal electrodes 178 are separated from each other and are located opposite to each other with respect to the control terminal electrode 128. One control terminal electrode 128, one input terminal electrode 176 and one output terminal electrode 178 together with the semiconductor 158 constitute one thin film transistor (TFT), and the channel of the thin film transistor is an input terminal. Is formed in the semiconductor 158 between the electrode 176 and the output terminal electrode 178. This thin film transistor functions as a switching element Q S1 .

데이터선(171), 감지 신호선(179), 출력 단자 전극(174, 175) 및 입력 단자 전극(172, 176)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 알루미늄 계열 금속인 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.The data line 171, the sensing signal line 179, the output terminal electrodes 174 and 175, and the input terminal electrodes 172 and 176 are preferably made of a refractory metal such as chromium or molybdenum-based metal, tantalum and titanium, and molybdenum (Mo), molybdenum alloy, chromium (Cr), such as a lower layer (not shown) and may be a multilayer film structure consisting of an upper layer (not shown), which is an aluminum-based metal located thereon.

데이터선(171), 감지 신호선(179), 출력 단자 전극(174, 175) 및 입력 단자 전극(172, 176)도 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.The data line 171, the sensing signal line 179, the output terminal electrodes 174 and 175, and the input terminal electrodes 172 and 176 are similar to the scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129. The sides are inclined at an angle of about 30-80 ° respectively.

저항성 접촉 부재(161, 162, 164, 165, 166, 168)는 그 하부의 반도체(151, 156, 158, 159)와 그 상부의 데이터선(171), 감지 신호선(179), 출력 단자 전극(174, 175) 및 입력 단자 전극(172, 176) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형 반도체(151)는 입력 단자 전극(173)과 출력 단자 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 출력 단자 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있으며, 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 폭이 데이터선(171)의 폭보다 작지만 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)과 만나는 부분에서 폭이 커져서 주사선(121, 127), 유지 전극선(131) 및 제어 전압선(129)과 데이터선(171) 사이의 절연을 강화한다.The ohmic contacts 161, 162, 164, 165, 166, and 168 may include semiconductors 151, 156, 158, and 159 at the lower portion thereof, data lines 171, sensing signal lines 179, and output terminal electrodes at upper portions thereof. It exists only between the 174 and 175 and the input terminal electrode (172, 176) serves to lower the contact resistance. The linear semiconductor 151 has an exposed portion between the input terminal electrode 173 and the output terminal electrode 175, and is not covered by the data line 171 and the output terminal electrode 175, and in most places, the linear semiconductor 151 is provided. Although the width of the 151 is smaller than the width of the data line 171, the width becomes larger at the portion where the scan lines 121 and 127, the storage electrode line 131, and the control voltage line 129 meet, so that the scan lines 121 and 127 and the storage electrode line ( 131 and the insulation between the control voltage line 129 and the data line 171 is strengthened.

데이터선(171), 감지 신호선(179), 출력 단자 전극(174, 175) 및 입력 단자 전극(172, 176)과 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 상부에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질로 이루어진 유기 절연막(187)이 형성되어 있다. 이때, 유기 절연막 (187)의 표면은 요철 패턴을 가지고, 유기 절연막(187) 위에 형성되는 반사 전극(194)에 요철 패턴을 유도하여 반사 전극(194)의 반사 효율을 극대화한다.The data line 171, the sensing signal line 179, the output terminal electrodes 174 and 175, and the input terminal electrodes 172 and 176 and the exposed portion of the semiconductor 151 are made of an inorganic material such as silicon nitride or silicon oxide. A passivation layer 180 is formed, and an organic insulating layer 187 formed of an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity is formed on the passivation layer 180. In this case, the surface of the organic insulating layer 187 has a concave-convex pattern, and the concave-convex pattern is induced to the reflective electrode 194 formed on the organic insulating layer 187 to maximize the reflection efficiency of the reflecting electrode 194.

보호막(180) 및 유기 절연막(187)에는 출력 단자 전극(175)의 확장부(177) 및 입력 단자 전극(172)을 각각 드러내는 접촉 구멍(contact hole)(185, 188)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(185, 188)은 다각형 또는 원 모양 등 다양한 모양으로 만들어질 수 있다. 접촉 구멍(185, 188)의 측벽은 30-85°의 각도로 기울어져 있거나 계단형이다.In the passivation layer 180 and the organic insulating layer 187, contact holes 185 and 188 exposing the extension 177 of the output terminal electrode 175 and the input terminal electrode 172 are formed. The contact holes 185 and 188 may be made in various shapes such as polygons or circles. The side walls of the contact holes 185, 188 are inclined or stepped at an angle of 30-85 °.

반도체(156) 상부의 유기 절연막(187)은 제거되어 반도체(156)가 외부 광을 더욱 잘 받아들이도록 한다.The organic insulating layer 187 on the semiconductor 156 is removed to allow the semiconductor 156 to receive external light better.

유기 절연막(187) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 입력 전압선(198)이 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 190 and a plurality of input voltage lines 198 are formed on the organic insulating layer 187.

화소 전극(190)은 투명 전극(192) 및 투명 전극(192) 상부에 형성되어 있는 반사 전극(194)을 포함한다. 투명 전극(192)은 투명한 도전 물질인 ITO 또는 IZO로 이루어져 있으며, 반사 전극(194)은 불투명하며 반사도를 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 은 또는 은 합금 등으로 이루어질 수 있다. 화소 전극(190)은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 크롬, 티타늄 또는 탄탈륨 등으로 이루어진 접촉 보조층(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 접촉 보조층은 투명 전극(192)과 반사 전극(194)의 접촉 특성을 확보하며, 투명 전극(192)이 반사 전극(194)을 산화시키지 못하도록 하는 역할을 한다.The pixel electrode 190 includes a transparent electrode 192 and a reflective electrode 194 formed on the transparent electrode 192. The transparent electrode 192 is made of ITO or IZO, which is a transparent conductive material, and the reflective electrode 194 may be made of aluminum or an aluminum alloy, silver or silver alloy, which are opaque and have reflectivity. The pixel electrode 190 may further include a contact auxiliary layer (not shown) made of molybdenum or molybdenum alloy, chromium, titanium, or tantalum. The contact auxiliary layer secures contact characteristics between the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194 and prevents the transparent electrode 192 from oxidizing the reflective electrode 194.

하나의 화소는 크게 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA)으로 구분되는데, 투과 영역(TA)(195)은 반사 전극(194)이 제거되어 있는 영역이며, 반사 영역(RA)은 반사 전극(194)이 존재하는 영역이다. 투과 영역(TA)(195)에는 유기 절연막(187)이 제거되어 있어서 투과 영역(TA)(195)의 셀 간격(cell gap)과 반사 영역(RA)의 셀 간격은 서로 다르다.One pixel is largely divided into a transmission area TA and a reflection area RA. The transmission area TA 195 is an area where the reflection electrode 194 is removed, and the reflection area RA is a reflection electrode ( 194) exists. The organic insulating layer 187 is removed from the transmission area TA 195 so that a cell gap of the transmission area TA 195 and a cell gap of the reflection area RA are different from each other.

화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 출력 단자 전극(175)의 확장부(177)와 물리적·전기적으로 연결되어 출력 단자 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 둘 사이의 액정층(3)의 액정 분자들을 재배열시킨다.The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the extension 177 of the output terminal electrode 175 through the contact hole 185 to receive a data voltage from the output terminal electrode 175. The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied rearranges the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 between the two by generating an electric field together with the common electrode 270.

또한 앞서 설명한 것처럼, 화소 전극(190)과 공통 전극(270)은 액정 축전기(CLC)를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기(CLC)와 병렬로 연결된 유지 축전기(CST)를 둔다. 유지 축전기(CST)는 출력 단자 전극(175)의 확장부(177)와 유지 전극(133)의 중첩 등으로 만들어진다. 유지 축전기(CST)는 화소 전극(190) 및 이와 이웃하는 영상 주사선(121)의 중첩 등으로 만들어질 수도 있으며, 이때 유지 전극선(131)은 생략할 수 있다.In addition, as described above, the pixel electrode 190 and the common electrode 270 form a liquid crystal capacitor C LC to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off. LC holding capacitor (C ST ) in parallel. The storage capacitor C ST is formed by overlapping the extension 177 of the output terminal electrode 175 and the storage electrode 133. The storage capacitor C ST may be formed by overlapping the pixel electrode 190 and the adjacent image scanning line 121, and the storage electrode line 131 may be omitted.

화소 전극(190)은 주사선(121) 및 이웃하는 데이터선(171)과 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다.The pixel electrode 190 overlaps the scan line 121 and the neighboring data line 171 to increase the aperture ratio, but may not overlap.

화소 전극(190)의 재료로 투명한 도전성 폴리머(polymer) 등을 사용할 수도 있으며, 반사형(reflective) 액정 표시 장치의 경우 불투명한 반사성 금속을 사용 하여도 무방하다.A transparent conductive polymer or the like may be used as the material of the pixel electrode 190. In the case of a reflective liquid crystal display, an opaque reflective metal may be used.

입력 전압선(198)은 투명 전극(192) 및 반사 전극(194)과 각각 동일한 물질로 이루어진 하부막(196) 및 상부막(197)을 포함한다. 입력 전압선(198)은 화소 전극(190)과 마찬가지로 접촉 보조층(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있으며, 단일막으로 이루어질 수도 있다.The input voltage line 198 includes a lower layer 196 and an upper layer 197 made of the same material as the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194, respectively. Like the pixel electrode 190, the input voltage line 198 may further include a contact auxiliary layer (not shown) or may be formed of a single layer.

입력 전압선(198)은 접촉 구멍(188)을 통하여 입력 단자 전극(172)과 물리적·전기적으로 연결되어 입력 단자 전극(172)에 입력 전압(VSD)을 전달한다.The input voltage line 198 is physically and electrically connected to the input terminal electrode 172 through the contact hole 188 to transmit the input voltage V SD to the input terminal electrode 172.

입력 전압선(198)은 복수의 가로부와 세로부를 포함하고, 감지 신호선(179)의 폭보다 넓은 폭을 가지며, 감지 신호선(179) 전체를 상부에서 덮고 있다.The input voltage line 198 includes a plurality of horizontal parts and vertical parts, has a width wider than that of the sensing signal line 179, and covers the entire sensing signal line 179 at an upper portion thereof.

녹색(G) 및 청색(B) 화소 전극(190)은 직사각형으로 형성되나, 적색(R) 화소 전극(190)은 입력 전압선(198)의 가로부 및 짧은 세로부가 차지하는 영역에 따라 한쪽 모퉁이가 잘린 모양으로 형성되어 있다. 그러나 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소의 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)의 크기는 각각 실질적으로 동일하다.The green (G) and blue (B) pixel electrodes 190 are formed in a rectangular shape, but the red (R) pixel electrode 190 is cut off at one corner according to an area occupied by a horizontal portion and a short vertical portion of the input voltage line 198. It is shaped like. However, the sizes of the transmission area TA and the reflection area RA of the red (R), green (G), and blue (B) pixels are substantially the same.

이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따라 감지부를 화소 사이의 영역에 배치함으로써 감지부를 화소 내부에 형성하는 종래의 액정 표시 장치에 비하여 투과 영역을 크게 하여 투과율을 높일 수 있다. 종래의 액정 표시 장치의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소의 총 면적과 본 실시예의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소 및 감지부의 총 면적이 동일한 경우, 본 실시예의 각 화소의 크기는 종래의 그것에 비하여 줄어든다. 그러나 종래의 액정 표시 장치에서 투과 영역을 크게 할 수 없었 던 가장 큰 이유는 감지 신호선과 입력 전압선이 화소 내에서 차지하는 공간이 크다는 것이므로 본 발명의 한 실시예에 따라 이들을 화소 외부에 배치함으로써 오히려 투과 영역은 크게 할 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the transmittance may be increased by increasing the transmissive area as compared with the conventional liquid crystal display in which the detector is formed inside the pixel. The total area of the red (R), green (G), and blue (B) pixels of the conventional liquid crystal display is the same as the total area of the red (R), green (G), and blue (B) pixels of the present embodiment and the sensing unit. In this case, the size of each pixel of this embodiment is reduced as compared with that of the conventional one. However, in the conventional liquid crystal display, the biggest reason for not being able to enlarge the transmission area is that the space occupied by the sensing signal line and the input voltage line in the pixel is large. Can be enlarged.

한편 감지 영역은 청색(B) 화소와 적색(R) 화소 사이에 있는 것으로 도시하였으나 녹색(G) 화소와 청색(B) 화소 사이 또는 적색(R) 화소와 녹색(G) 화소 사이에 배치할 수도 있다.The sensing area is shown as being between the blue (B) pixel and the red (R) pixel, but may be disposed between the green (G) and blue (B) pixels or between the red (R) and green (G) pixels. have.

박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 공통 전극 표시판(200)에는 투명한 유리 등의 절연 물질로 이루어진 기판(210) 위에 블랙 매트릭스라고 하는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(190) 사이의 빛샘을 방지하고 화소 전극(190)과 마주 보는 개구 영역을 정의한다.On the common electrode panel 200 facing the thin film transistor array panel 100, a light blocking member 220 called a black matrix is formed on a substrate 210 made of an insulating material such as transparent glass. The light blocking member 220 prevents light leakage between the pixel electrodes 190 and defines an opening area facing the pixel electrode 190.

한편 반도체(156) 상부에는 차광 부재(220)가 제거되어 반도체(156)를 외부 광에 노출시키는 개구부(225)가 형성되어 있다.Meanwhile, an opening 225 is formed on the semiconductor 156 to expose the light blocking member 220 to expose the semiconductor 156 to external light.

복수의 색필터(230)가 기판(210)과 차광 부재(220) 위에 형성되어 있으며, 차광 부재(220)가 정의하는 개구 영역 내에 거의 들어가도록 배치되어 있다. 이웃하는 두 데이터선(171) 사이에 위치하며 세로 방향으로 배열된 색필터(230)들은 서로 연결되어 하나의 띠를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 등 삼원색 중 하나를 나타낼 수 있다.The plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210 and the light blocking member 220, and are disposed to substantially enter the opening region defined by the light blocking member 220. The color filters 230 disposed between two neighboring data lines 171 and arranged in the vertical direction may be connected to each other to form a band. Each color filter 230 may represent one of three primary colors such as red, green, and blue.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 유기 물질 따위로 이루어진 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 색필터(230)를 보호하고 표면을 평탄하게 한다.An overcoat 250 made of an organic material is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220 to protect the color filter 230 and to flatten the surface.

덮개막(250) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.The common electrode 270 made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the overcoat 250.

액정 표시판 조립체(300)의 두 표시판(100, 200) 중 적어도 하나의 바깥 면에는 빛을 편광시키는 편광자(도시하지 않음)가 부착되어 있다.A polarizer (not shown) for polarizing light is attached to an outer surface of at least one of the two display panels 100 and 200 of the liquid crystal panel assembly 300.

도 7 및 도 8에 보이는 바와 같이 직류 전압인 입력 전압(VSD)이 인가되는 입력 전압선(198)은 감지 신호선(179)의 상부를 덮고 있어서 감지 신호선(179)과 공통 전극(270) 사이의 커플링과 감지 신호선(179)과 화소 전극(190) 사이의 커플링을 거의 0에 가깝게 줄일 수 있다. 따라서 감지 신호선(179)은 공통 전압(Vcom)이 스윙하고 데이터 전압이 변하더라도 이에 의한 영향을 받지 않는다. 결국 감지 신호선(179)에 의하여 전달되는 감지 신호의 왜곡도 현저히 줄어든다. 또한 입력 전압선(198)에는 직류 전압이 인가되어 있으므로 입력 전압선(198)과 감지 신호선(179) 사이에 기생 용량이 존재하더라도 이에 저장되고 방출되는 전하량의 변화는 없다. 따라서 입력 전압선(198)에 의한 감지 신호의 왜곡은 없다.As shown in FIGS. 7 and 8, the input voltage line 198 to which the DC voltage input voltage V SD is applied covers the upper portion of the sensing signal line 179, so that the sensing signal line 179 and the common electrode 270 may be separated from each other. Coupling and coupling between the sensing signal line 179 and the pixel electrode 190 can be reduced to almost zero. Therefore, the sensing signal line 179 is not affected by the swing of the common voltage V com and the change of the data voltage. As a result, the distortion of the sensing signal transmitted by the sensing signal line 179 is also significantly reduced. In addition, since a DC voltage is applied to the input voltage line 198, even if a parasitic capacitance exists between the input voltage line 198 and the sensing signal line 179, there is no change in the amount of charge stored and emitted therefrom. Therefore, there is no distortion of the detection signal by the input voltage line 198.

그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 9 및 도 10을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 본 실시예에서는 앞선 실시예와 동일한 부분에 대하여는 설명을 생략하고 차이가 나는 부분에 대하여만 설명한다.Next, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 9 and 10. In the present embodiment, the same parts as in the previous embodiment will be omitted, and only differences will be described.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 광감지부의 확대 배치도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 및 감지부 배열에 대한 개략도의 한 예이다.FIG. 9 is an enlarged layout view of an optical sensing unit of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment. FIG. 10 is an example of a schematic diagram of an arrangement of pixels and sensing units of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment.

도 9에 도시한 바와 같이 감지부에 인접해 있는 데이터선(171)은 앞선 실시 예에서와 달리 세로 방향으로 곧바로 뻗어 있지 않고 굴절되어 있다. 데이터선(171)은 스위칭 소자(QS1) 및 감지 소자(QP)의 좌측을 지나는 제1 세로부, 이로부터 굴절되어 감지 소자(QP) 아래 부분을 지나는 가로부, 그리고 이로부터 다시 굴절되어 감지 신호선(179)을 따라 나란히 뻗어 있는 제2 세로부를 포함한다. 이와 같이 데이터선(171)을 형성하면 화소의 크기를 좀 더 크게 할 수 있어서 개구율을 더욱 높일 수 있다.As shown in FIG. 9, the data line 171 adjacent to the sensing unit is refracted without extending straight in the vertical direction as in the previous embodiment. The data line 171 has a first vertical portion passing through the left side of the switching element Q S1 and the sensing element Q P , a horizontal portion refracted therefrom and passing below the sensing element Q P , and again refracted therefrom. And a second vertical portion extending side by side along the sensing signal line 179. If the data line 171 is formed in this way, the size of the pixel can be made larger, and the aperture ratio can be further increased.

도 10에 도시한 바와 같이 두 화소 행에 배치되어 있는 화소 및 감지부는 두 화소 행의 경계에 대하여 대칭 구조로 되어 있다. 한 감지 영역(S)은 감지 신호선(179) 및 입력 전압선(198)이 세로로 길게 뻗어 있는 폭이 좁은 부분과 감지 소자와 스위칭 소자가 형성되어 있는 폭이 넓은 부분을 포함한다. 한 감지 영역(S)의 좁은 부분은 인접한 감지 영역(S)의 좁은 부분과 연결되며, 한 감지 영역(S)의 넓은 부분은 인접한 감지 영역(S)의 넓은 부분과 연결되어 있다. 한 화소의 데이터선(171)의 제1 세로부는 위 또는 아래로 인접한 화소의 데이터선(171)의 제1 세로부와 연결되며, 제2 세로부는 위 또는 아래로 인접한 화소의 데이터선(171)의 제2 세로부와 연결되어 있다. 이와 같이 두 화소 행의 경계에 대하여 선대칭 구조를 가지게 되면 데이터선(171)이 굴절되는 수효가 줄어 데이터 전압의 왜곡을 줄일 수 있다.As illustrated in FIG. 10, the pixel and the sensing unit disposed in the two pixel rows have a symmetrical structure with respect to the boundary between the two pixel rows. One sensing area S includes a narrow portion where the sensing signal line 179 and the input voltage line 198 extend vertically and a wide portion where the sensing element and the switching element are formed. The narrow part of one sensing area S is connected to the narrow part of the adjacent sensing area S, and the wide part of one sensing area S is connected to the wide part of the adjacent sensing area S. FIG. The first vertical portion of the data line 171 of one pixel is connected to the first vertical portion of the data line 171 of the pixel adjacent up or down, and the second vertical portion is the data line 171 of the pixel adjacent up or down. It is connected with the 2nd vertical part of. As described above, when the line symmetry is formed on the boundary between the two pixel rows, the number of refractions of the data line 171 may be reduced, thereby reducing the distortion of the data voltage.

한편, 본 발명의 실시예에서는 표시 장치로서 액정 표시 장치가 화소 사이의 영역에 감지부를 내장하고 있는 것에 대하여 설명하였으나 이에 한정되지 않으며, 플라스마 표시 장치(plasma display device), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display) 등과 같은 표시 장치에서도 동일하게 적용할 수 있다.Meanwhile, in the exemplary embodiment of the present invention, the liquid crystal display device has a built-in sensing unit in a region between pixels, but the present invention is not limited thereto, but the plasma display device and the organic light emitting diode display are not limited thereto. The same may be applied to a display device such as an emitting display.

본 발명에 의하면, 감지부를 화소 사이의 영역에 배치함으로써 투과 영역을 크게 하여 투과율을 높일 수 있다.According to the present invention, the transmittance can be increased by increasing the transmissive region by disposing the sensing unit in the region between the pixels.

또한 직류 전압이 인가되는 입력 전압선을 감지 신호선의 상부에 배치함으로써 공통 전압 및 데이터 전압에 의한 영향을 줄여 감지 신호의 왜곡을 줄일 수 있다.In addition, since the input voltage line to which the DC voltage is applied is disposed on the sensing signal line, the influence of the common voltage and the data voltage may be reduced to reduce distortion of the sensing signal.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (22)

표시판,Display, 상기 표시판에 형성되어 있는 복수의 화소,A plurality of pixels formed on the display panel; 상기 표시판에 형성되어 있는 감지 신호선,A sensing signal line formed on the display panel; 상기 표시판에 형성되어 있고, 인접한 두 개의 상기 화소 사이에 형성되어 있으며, 외부 광을 받아 광량에 기초한 광감지 신호를 생성하여 상기 감지 신호선으로 내보내는 광감지부An optical sensing unit formed on the display panel and formed between two adjacent pixels and receiving an external light to generate an optical sensing signal based on the amount of light and to send it to the sensing signal line; 를 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 화소는 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함하며,The pixel includes red, green and blue pixels, 상기 광감지부는 상기 적색 화소와 상기 녹색 화소 사이, 상기 녹색 화소와 상기 청색 화소 사이, 그리고 상기 청색 화소와 상기 적색 화소 사이 중 어느 하나에 배치되는The light sensing unit is disposed between any one of the red and green pixels, between the green and blue pixels, and between the blue and red pixels. 표시 장치.Display device. 제1항에서,In claim 1, 상기 감지 신호선은 상기 인접한 두 개의 화소 사이에 형성되어 있는 표시 장치.And the sensing signal line is formed between the two adjacent pixels. 제3항에서,In claim 3, 상기 광감지부는,The light sensing unit, 상부에 개구부가 형성되어 상기 개구부를 통하여 상기 외부 광을 받으며, 상기 광감지 신호를 생성하는 감지 소자, 그리고A sensing element formed at an upper portion to receive the external light through the opening, and to generate the light sensing signal; and 감지 주사 신호에 따라 상기 광감지 신호를 상기 감지 신호선으로 내보내는 스위칭 소자A switching element for emitting the light sensing signal to the sensing signal line according to a sensing scan signal 를 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제4항에서,In claim 4, 상기 감지 소자에 입력 전압을 전달하며, 상기 감지 신호선 상부에 형성되어 상기 감지 신호선을 덮고 있는 입력 전압선을 더 포함하는 표시 장치.And an input voltage line configured to transfer an input voltage to the sensing element and to be formed on the sensing signal line to cover the sensing signal line. 제5항에서,In claim 5, 상기 입력 전압선은 상기 인접한 두 개의 화소 사이에 형성되어 있는 표시 장치.And the input voltage line is formed between the two adjacent pixels. 제6항에서,In claim 6, 상기 입력 전압은 직류 전압인 표시 장치.The input voltage is a direct current voltage. 제4항에서,In claim 4, 상기 스위칭 소자에 연결되어 있는 감지 주사선을 더 포함하며,Further comprising a sensing scan line connected to the switching element, 인접한 두 개의 상기 감지 주사선을 연결하여 상기 광감지 신호를 중첩시켜 내보내는By connecting two adjacent detection scan line overlapping the optical detection signal 표시 장치.Display device. 제4항에서,In claim 4, 상기 감지 소자 및 스위칭 소자는 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함하는 표시 장치.The sensing device and the switching device include amorphous silicon or polycrystalline silicon. 제1항에서,In claim 1, 상기 화소에 연결되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선을 더 포함하며,A data line connected to the pixel to transfer a data voltage; 상기 광감지부에 인접한 상기 데이터선은 상기 광감지부를 따라 굴절되어 있는The data line adjacent to the light sensing unit is refracted along the light sensing unit. 표시 장치.Display device. 제10항에서,In claim 10, 두 화소 행에 배치되어 있는 상기 화소 및 상기 광감지부는 상기 두 화소 행의 경계에 대하여 대칭인 표시 장치.And the light sensing unit arranged in two pixel rows is symmetrical with respect to a boundary between the two pixel rows. 제1항에서,In claim 1, 상기 표시판에 형성되어 있고, 인접한 두 개의 상기 화소 사이에 형성되어 있으며, 사용자의 접촉에 따라 공통 전압이 인가되어 상기 공통 전압에 기초한 접촉 감지 신호를 생성하여 상기 감지 신호선으로 내보내는 접촉 감지부를 더 포함하는 표시 장치.And a touch sensing unit formed on the display panel and formed between two adjacent pixels, and applying a common voltage according to a user's contact to generate a touch sensing signal based on the common voltage and to emit the touch sensing signal to the sensing signal line. Display device. 제12항에서,In claim 12, 상기 화소는 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함하며,The pixel includes red, green and blue pixels, 상기 접촉 감지부는 상기 적색 화소와 상기 녹색 화소 사이, 상기 녹색 화소와 상기 청색 화소 사이, 그리고 상기 청색 화소와 상기 적색 화소 사이 중 어느 하나에 배치되는The touch sensing unit is disposed between any one of the red and green pixels, between the green and blue pixels, and between the blue and red pixels. 표시 장치.Display device. 제12항에서,In claim 12, 접촉 감지부는,The touch sensing unit, 상기 접촉에 따라 상기 공통 전압을 인가하는 스위치,A switch for applying the common voltage according to the contact; 상기 스위치로부터의 상기 공통 전압에 따라 상기 접촉 감지 신호를 생성하는 감지 소자, 그리고A sensing element for generating the touch sensing signal in accordance with the common voltage from the switch, and 감지 주사 신호에 따라 상기 접촉 감지 신호를 상기 감지 신호선으로 내보내는 스위칭 소자A switching element which sends the touch sensing signal to the sensing signal line according to a sensing scan signal 를 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 영상 주사선,A plurality of image scanning lines formed on the second substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 상기 영상 주사선과 교차하는 복수의 데이터선,A plurality of data lines formed on the second substrate and intersecting the image scanning lines; 상기 영상 주사선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 제1 박막 트랜지스터,A plurality of first thin film transistors connected to the image scanning line and the data line; 상기 제1 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 복수의 화소 전극,A plurality of pixel electrodes connected to the first thin film transistor, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 감지 주사선,A plurality of sensing scan lines formed on the second substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 상기 감지 주사선과 교차하는 복수의 감지 신호선, 그리고A plurality of sensing signal lines formed on the second substrate and intersecting the sensing scan lines; 상기 감지 주사선 및 상기 감지 신호선에 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터A plurality of second thin film transistors connected to the sensing scan line and the sensing signal line 를 포함하며,Including; 상기 감지 신호선 및 상기 제2 박막 트랜지스터는 인접한 두 개의 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있는The sensing signal line and the second thin film transistor are formed between two adjacent pixel electrodes. 표시 장치.Display device. 제15항에서,The method of claim 15, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 제어 전압선,A plurality of control voltage lines formed on the second substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 입력 전압선, 그리고A plurality of input voltage lines formed on the second substrate, and 상기 제어 전압선 및 상기 입력 전압선에 연결되어 있는 복수의 제3 박막 트랜지스터A plurality of third thin film transistors connected to the control voltage line and the input voltage line 를 더 포함하며,More, 상기 입력 전압선 및 상기 제3 박막 트랜지스터는 인접한 두 개의 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있는The input voltage line and the third thin film transistor are formed between two adjacent pixel electrodes. 표시 장치.Display device. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 입력 전압선은 상기 감지 신호선 상부에 배치되어 상기 감지 신호선을 덮고 있는 표시 장치.And the input voltage line is disposed above the sensing signal line and covers the sensing signal line. 제17항에서,The method of claim 17, 상기 입력 전압선은 상기 화소 전극과 동일한 물질로 이루어지는 표시 장치.And the input voltage line is formed of the same material as the pixel electrode. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 제2 및 제3 박막 트랜지스터에 인접해 있는 상기 데이터선은 상기 제2 및 제3 박막 트랜지스터 및 상기 감지 신호선을 따라 굴절되어 있는 표시 장치.And the data lines adjacent to the second and third thin film transistors are refracted along the second and third thin film transistors and the sensing signal line. 제19항에서,The method of claim 19, 상기 데이터선은 세로로 인접한 두 개의 상기 화소 전극의 경계에 대하여 대칭인 표시 장치.And the data line is symmetrical with respect to a boundary between two vertically adjacent pixel electrodes. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 인접한 두 개의 화소 전극의 모양은 서로 다른 표시 장치.A display device having different shapes of two adjacent pixel electrodes. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터는 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함하는 표시 장치.The first to third thin film transistors include amorphous silicon or polycrystalline silicon.
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