KR20060047072A - Surface treatment system for substrate using plasma source - Google Patents

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KR20060047072A
KR20060047072A KR1020040092903A KR20040092903A KR20060047072A KR 20060047072 A KR20060047072 A KR 20060047072A KR 1020040092903 A KR1020040092903 A KR 1020040092903A KR 20040092903 A KR20040092903 A KR 20040092903A KR 20060047072 A KR20060047072 A KR 20060047072A
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장성기
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Abstract

본 발명은 하나의 대형 플라즈마 소스를 배치하지 않고도 하나의 대형 플라즈마 소스 사용과 동일한 효과 및 플라즈마의 균일성과 안정성을 가져올 수 있는 표면 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment apparatus capable of bringing the same effect and the uniformity and stability of the plasma as using one large plasma source without having to deploy one large plasma source.

본 발명은, 표면 처리 장치에 있어서, 플라즈마 반응을 이용하여 생성된 산소 라디컬을 상기 기판의 표면에 주사하는 상압 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 기판의 상부에 복수의 상압 플라즈마 소스를 형성한 것을 특징으로 한다.The present invention provides a surface treatment apparatus comprising an atmospheric pressure plasma source for scanning oxygen radicals generated by using a plasma reaction on a surface of the substrate, wherein a plurality of atmospheric pressure plasma sources are formed on the substrate. It is done.

플라즈마, 플라즈마 소스, 플라즈마 세정Plasma, plasma source, plasma cleaning

Description

플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치{surface treatment system for substrate using plasma source} Surface treatment system for substrate using plasma source}

도 1a 및 도 1b는 일반적인 상압 플라즈마 세정 장치의 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views of a general atmospheric plasma cleaning apparatus.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치의 일실시예를 나타낸 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views showing an embodiment of a cleaning apparatus using a plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing another embodiment of a cleaning apparatus using a plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the cleaning apparatus using a plurality of atmospheric pressure plasma source according to the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

100, 200, 300, 400: 세정 장치100, 200, 300, 400: cleaning device

110, 210a, 210b, 210c, 210d: 상압 플라즈마 소스110, 210a, 210b, 210c, and 210d: Atmospheric Pressure Plasma Source

310a, 310b, 310c, 310d, 310e, 310f, 310g, 310h: 상압 플라즈마 소스310a, 310b, 310c, 310d, 310e, 310f, 310g, 310h: atmospheric plasma source

410a, 410b, 410c, 410d: 상압 플라즈마 소스410a, 410b, 410c, 410d: atmospheric plasma source

220, 320, 420: 대기 차단 박스220, 320, 420: Standby Block Box

140, 240, 340, 440: LCD 글래스140, 240, 340, 440: LCD glass

본 발명은 디스플레이 및 반도체 기판 등의 표면 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세정 대상인 기판의 크기에 맞게 하나의 대형 상압 플라즈마 소스를 배치하는 것이 아니라 작은 크기의 복수의 상압 플라즈마 소스를 격자 배치하여, 하나의 대형 플라즈마 소스 사용과 동일한 효과 및 플라즈마의 균일성과 안정성을 가져올 수 있는 표면 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment apparatus such as a display and a semiconductor substrate, and more particularly, a plurality of small atmospheric pressure plasma sources are lattice arranged instead of one large atmospheric pressure plasma source in accordance with the size of a substrate to be cleaned. The present invention relates to a surface treatment apparatus capable of bringing the same effect and the uniformity and stability of plasma as using one large plasma source.

일반적으로, TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등 FPD(Flat Panel Display) 및 반도체 기판 등을 생산하는 과정에서 기판 세정 공정은 필연적으로 거치게 된다.In general, the substrate cleaning process inevitably involves the production of flat panel displays (FPDs) and semiconductor substrates such as TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and OLED (Organic Light Emitting Diode). Going through.

종래의 기판 세정 공정으로는 습식 공정을 사용하였으나 최근에는 건식 청정기술인 플라즈마 기술을 많이 사용하고 있다.In the conventional substrate cleaning process, a wet process was used, but recently, plasma technology, which is a dry clean technology, is frequently used.

이러한 플라즈마 기술의 하나로 저온 저압상태의 플라즈마를 이용하는 방법을 들 수 있다.One such plasma technique is a method of using plasma in a low temperature and low pressure state.

저압 플라즈마를 이용한 기판 세정 방법은 저압의 진공조내에 플라즈마를 발생시켜 만들어진 이온이나 활성화된 가스를 기판 표면과 접촉시켜 기판 표면의 불순물이나 오염물질을 제거하는 것이다.A substrate cleaning method using a low pressure plasma is to remove impurities and contaminants on the surface of the substrate by contacting the surface of the substrate with ions or activated gases generated by generating a plasma in a low pressure vacuum chamber.

이러한 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 기판 세정 방법은 우수한 세정효과에도 불구하고 널리 이용되지 않고 있는 실정인데, 이는 저압 플라즈마를 발생시키 기 위해서는 진공장치가 필요하게 되고, 따라서 대기압 상태에서 이루어지는 연속공정에는 적용되기 어렵기 때문이다.The substrate cleaning method using the plasma in the low pressure state is not widely used in spite of the excellent cleaning effect, which requires a vacuum device to generate the low pressure plasma, and thus is applied to a continuous process performed at atmospheric pressure. Because it is difficult.

이에 따라 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판 표면 세정에 이용하는 상압 플라즈마 기술이 활발히 연구되고 있는데, 상압 플라즈마 세정 장치는 기존 램프교체 등으로 인해 지속적인 유지비용이 들었던 `UV(UltraViolet) 클리너'와는 달리, 장비 공급 이후에 추가적인 비용이 들지 않아, 향후 UV 클리너를 대체할 수 있는 장비로 각광받고 있다.Accordingly, atmospheric pressure plasma technology is actively researched to generate plasma at atmospheric pressure and clean the surface of the substrate. Unlike the existing UV (UltraViolet) cleaner, which is expensive to maintain due to lamp replacement, the atmospheric pressure plasma cleaning device Since there is no additional cost after the supply, it is in the spotlight as an alternative to UV cleaner in the future.

도 1a 및 도 1b는 일반적인 상압 플라즈마 세정 장치(100)의 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views of a general atmospheric plasma cleaning apparatus 100.

도 1a에 도시된 바와 같이, 상압 플라즈마 세정 장치(100)는, LCD 글래스(140)의 표면에 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬(O radical)을 주사하는 상압 플라즈마 소스(110)와, 상기 상압 플라즈마 소스(110)에 교류 전압을 인가하는 전원 공급 장치(130)와, 상기 상압 플라즈마 소스(110)에 연결된 가스 배관을 통해 질소, 산소, 공기 등의 가스를 공급하는 가스 공급 장치(120)와, 상압 플라즈마 소스(110)가 플라즈마 상압방전을 실시하는 동안 LCD 글래스(140)를 일정한 속도로 일방향으로 이송하는 이송장치(150)로 구성된다.As shown in FIG. 1A, the atmospheric pressure plasma cleaning apparatus 100 includes an atmospheric pressure plasma source 110 that scans oxygen radicals generated in a plasma reaction on the surface of the LCD glass 140, and the atmospheric pressure. A power supply device 130 for applying an alternating voltage to the plasma source 110, a gas supply device 120 for supplying a gas such as nitrogen, oxygen, or air through a gas pipe connected to the atmospheric pressure plasma source 110; In addition, the atmospheric pressure plasma source 110 is composed of a transfer device 150 for transferring the LCD glass 140 in one direction at a constant speed during the plasma atmospheric pressure discharge.

또한, 상압 플라즈마 소스(110)에는, 그 상부에 가스 공급 장치(120)에서 공급된 가스가 플라즈마 소스 내부에 균일하게 분포되도록 가스 분배기(gas distributor)(111)가 배치된다.In addition, a gas distributor 111 is disposed in the atmospheric pressure plasma source 110 so that the gas supplied from the gas supply device 120 is uniformly distributed in the plasma source.

또한, 가스 분배기(111)의 하부에는 플라즈마를 발생시키는 공간으로서 상/하부 유전체(113)(114)가 형성된다. In addition, upper and lower dielectrics 113 and 114 are formed below the gas distributor 111 as a space for generating plasma.                         

또한, 상하부 유전체(113)(114) 상에 교류 전압을 인가하기 위해, 상/하부 유전체 상(113)(114)에 상/하부 금속 전극(115)(116)이 형성된다.In addition, upper and lower metal electrodes 115 and 116 are formed on the upper and lower dielectric layers 113 and 114 to apply an alternating voltage to the upper and lower dielectric layers 113 and 114.

이와 같이, 상기 가스 공급 장치(120)를 통해 제공된 가스가 가스 분배기(111), 상부 유전체(113) 상에 형성된 홀 또는 슬릿 사이를 통과하여 격벽 유전체 공간(112) 상에 유입된다.As such, the gas provided through the gas supply device 120 flows between the gas distributor 111 and the holes or slits formed on the upper dielectric 113 and flows into the partition dielectric space 112.

이때, 상/하부 금속 전극(113)(114)에 교류 전압을 인가하면, 격벽 유전체 공간(112) 상에 유입된 가스가 플라즈마 반응을 일으키고, 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬이 하부 유전체(114)의 하부에 형성된 다수의 홀을 통해 외부로 방전된다.At this time, when an alternating voltage is applied to the upper and lower metal electrodes 113 and 114, the gas introduced on the partition dielectric space 112 causes a plasma reaction, and oxygen radicals generated in the plasma reaction are lower dielectric 114. Is discharged to the outside through a plurality of holes formed in the lower portion.

따라서, 외부로 방전된 산소 라디컬이 LCD 글래스(140)에 주사되어 LCD 글래스(140) 표면의 유기물을 제거함으로써 세정이 이루어진다.Therefore, the oxygen radicals discharged to the outside are scanned by the LCD glass 140 to remove the organic matter on the surface of the LCD glass 140, thereby performing cleaning.

도 1b는 도1a의 상압 플라즈마 소스를 이용하여 5세대 LCD 기판 표면 세정 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 1B schematically illustrates a fifth generation LCD substrate surface cleaning process using the atmospheric pressure plasma source of FIG. 1A.

도 1b에 도시된 바와 같이, 현재 사용되고 있는 5세대 LCD 기판 세정 공정은 대기압에서의 연속공정으로 이루어진다.As shown in Fig. 1B, the fifth generation LCD substrate cleaning process currently in use consists of a continuous process at atmospheric pressure.

즉, LCD 글래스(140)의 하부에 형성된 이송 장치(미도시)에 의해 세정 대상인 LCD 글래스(140)는 일정한 속도로 일방향으로 이송되고, 이때 상부에 형성된 상압 플라즈마 소스(110)가 LCD 글래스(140) 표면을 향해 플라즈마 상압 방전을 실시하여 세정이 이루어진다.That is, the LCD glass 140 to be cleaned is transferred in one direction at a constant speed by a transfer device (not shown) formed at the lower portion of the LCD glass 140, and the atmospheric pressure plasma source 110 formed at the upper portion is the LCD glass 140. Cleaning is performed by performing a plasma atmospheric discharge toward the surface.

이와 같이, 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 상압 플라즈마 세정 방 법은 유기물, 기판 절단시의 수분, 회로 제작시 발생하는 잔류 폴리머 등의 오염물질을 플라즈마 내의 산소 라디컬(radical)을 이용하여 제거함으로써, 환경적으로 안전하고 세정 효율이 높다.As described above, the atmospheric pressure plasma cleaning method that generates the plasma at atmospheric pressure removes contaminants such as organic matter, moisture during substrate cutting, and residual polymer generated during circuit fabrication by using oxygen radicals in the plasma. Environmentally safe and high cleaning efficiency.

한편, 현재 세정 대상인 기판의 사이즈가 1100×1250 mm인 TFT LCD 5세대까지는 한 개의 절연체 격벽 플라즈마 소스를 상압 플라즈마 세정 장치에 탑재하여 세정하는 것이 가능하나, 향후 대면적 LCD 패널인 6, 7 세대 또는 대형 디스플레이용 기판의 세정에는 한계를 가지고 있다.On the other hand, up to 5 generations of TFT LCDs whose substrate size is currently 1100 x 1250 mm can be cleaned by mounting one insulator bulkhead plasma source in an atmospheric pressure plasma cleaning device. There is a limit to cleaning of a large display substrate.

즉, 세정 대상인 LCD 글래스 사이즈가 6세대, 7세대 이상으로 커지게 되면, 이에 따른 상압 플라즈마 소스의 크기도 1200mm 이상으로 커지게 되고, 이럴 경우 상압 플라즈마 소스를 제작하기가 매우 힘들게 된다.That is, when the size of the LCD glass to be cleaned is increased to 6 generations, 7 generations or more, the size of the atmospheric pressure plasma source is also increased to 1200 mm or more, in which case it becomes very difficult to manufacture the atmospheric pressure plasma source.

또한, 제작하더라도 플라즈마 소스가 가지는 물성적인 특성으로 휘어지거나 플라즈마의 균일도 및 안정성을 보장하기 어려운 문제점이 있었다.In addition, even when fabricated, there is a problem that it is difficult to bend the physical properties of the plasma source or to guarantee the uniformity and stability of the plasma.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 세정 대상인 기판의 크기에 맞게 하나의 대형 상압 플라즈마 소스를 배치하는 것이 아니라 작은 크기의 복수의 상압 플라즈마 소스를 배치하여, 하나의 대형 플라즈마 소스 사용과 동일한 효과를 가져오는 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems described above, one large plasma by arranging a plurality of small atmospheric pressure plasma source of a small size, rather than one large atmospheric pressure plasma source to match the size of the substrate to be cleaned. It is an object of the present invention to provide a surface treatment apparatus that produces the same effect as the use of a source.

또한, 세정 대상인 기판의 크기에 맞게 복수의 상압 플라즈마 소스를 격자 배치하여, 하나의 대형 상압 플라즈마 소스 사용때 보다 균일하고 안정적인 플라 즈마를 발생시킬 수 있는 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a surface treatment apparatus capable of generating a more uniform and stable plasma when using a large atmospheric pressure plasma source by laminating a plurality of atmospheric pressure plasma sources in accordance with the size of the substrate to be cleaned.

또한, 격자 배치된 복수의 상압 플라즈마 소스를 다중 배치하여 빠른 기판 이송속도에 대해서도 충분한 유기물 제거가 가능하게 하는 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus capable of removing a large amount of organic matter even at a high substrate transfer speed by arranging a plurality of lattice arranged atmospheric pressure plasma sources.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 따르면, 표면 처리 장치에 있어서, 플라즈마 반응을 이용하여 생성된 산소 라디컬을 상기 기판의 표면에 주사하는 상압 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 기판의 상부에 복수의 상압 플라즈마 소스를 형성한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, in the surface treatment apparatus, an atmospheric pressure plasma source for scanning the oxygen radicals generated by using a plasma reaction on the surface of the substrate, the substrate Characterized in that a plurality of atmospheric pressure plasma source formed on the upper portion of.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스의 세로 방향 전체 길이는 상기 기판의 세로 방향 길이 이상인 것을 특징으로 한다.The longitudinal length of the plurality of atmospheric pressure plasma sources may be equal to or greater than the longitudinal length of the substrate.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스는 상기 기판의 세로 방향으로는 상호 병렬적으로 배치되나 글래스의 가로 방향으로는 서로 어긋나게 배치되는 격자 형태로 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of atmospheric pressure plasma sources may be arranged in parallel with each other in the longitudinal direction of the substrate, but arranged in a lattice form that is arranged to be offset from each other in the horizontal direction of the glass.

또한, 상기 격자 형태로 배치되는 복수의 상압 플라즈마 소스가 다중 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, a plurality of atmospheric pressure plasma sources arranged in the lattice form is characterized in that the multiple arrangement.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스가 단면상으로 세로 방향으로 좁히고, 가로 방향으로 넓힌 정사각형태로 구성한 것을 특징으로 한다.The plurality of atmospheric pressure plasma sources may be configured to have a square shape narrowed in a longitudinal direction in a cross section and widened in a horizontal direction.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스의 일측에 히터를 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the heater is characterized in that the heater is formed on one side of the plurality of atmospheric pressure plasma sources.                     

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스를 대기와 차단시키기 위해 상기 복수의 상압 플라즈마 소스 전체를 에워싸는 대기 차단 박스를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, it characterized in that it comprises an air blocking box surrounding the whole of the plurality of atmospheric pressure plasma source to block the plurality of atmospheric pressure plasma source from the atmosphere.

또한, 상기 기판은 LCD, OLED, PDP 중 어느 하나의 디스플레이 패널용 대형 기판인 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate is characterized in that the large substrate for the display panel of any one of LCD, OLED, PDP.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치(200)의 일실시예를 나타낸 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views showing an embodiment of a cleaning apparatus 200 using a plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention.

여기서, 본 발명에 따른 세정 장치(200)는, 상압 플라즈마 소스를 이용하는 세정 장치로서, 상기 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)에 교류 전압을 인가하는 전원 공급 장치(미도시)와, 상기 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)에 연결된 가스 배관을 통해 질소, 산소, 공기 등의 가스를 공급하는 가스 공급 장치(미도시)와, 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)가 플라즈마 상압방전을 실시하는 동안 LCD 글래스(240)를 일정한 속도로 일방향으로 이송하는 이송장치(미도시)가 포함된다.Here, the cleaning device 200 according to the present invention is a cleaning device using an atmospheric pressure plasma source, a power supply (not shown) for applying an alternating voltage to the atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b, and the atmospheric pressure plasma. A gas supply device (not shown) for supplying gases such as nitrogen, oxygen, and air through a gas pipe connected to the sources 210a and 210b, and the atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b while performing plasma atmospheric pressure discharge. A transfer device (not shown) for transferring the LCD glass 240 in one direction at a constant speed is included.

또한, 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)는 상하부 절연체 공간에서 플라즈마를 발생시키는 절연체 격벽 플라즈마 모듈이다.In addition, the atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b are insulator partition plasma modules that generate plasma in the upper and lower insulator spaces.

특히, 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 세정 장치(200)는, LCD 글래스(240)의 표면에 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬(O radical)을 주사하는 상/하부 2개의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)가 배치된다. In particular, as shown in Figure 2a, the cleaning apparatus 200 according to the present invention, the upper and lower two atmospheric pressure to scan the oxygen radicals (O radical) generated in the plasma reaction on the surface of the LCD glass 240 Plasma sources 210a and 210b are disposed.                     

여기서, 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)는 세정 대상인 LCD 글래스의 크기에 맞게 각각 상부 상압 플라즈마 소스(210a)와 하부 상압 플라즈마 소스(210b)로 구성되는데, 글래스(240)의 세로 방향으로는 상호 병렬적으로 배치되나 글래스의 가로 방향으로는 서로 어긋나게 배치되는 격자 형태로 구성된다.Here, the atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b are composed of an upper atmospheric pressure plasma source 210a and a lower atmospheric pressure plasma source 210b, respectively, in accordance with the size of the LCD glass to be cleaned. It is arranged in parallel but in the horizontal direction of the glass is configured in the form of a grid arranged to be offset from each other.

즉, 세정 대상인 LCD 글래스의 크기가 6세대나 7세대 이상일 경우에 하나의 상압 플라즈마 소스로 세정하고자 하면 그 크기에 제한이 있으므로, 글래스의 세로 방향으로 상호 병렬적으로 2개의 상압 플라즈마 소스를 설치하여, 대형 글래스의 크기에 맞추어 하나의 플라즈마 소스가 세정하는 것과 동일한 효과가 나타나게 한다.That is, when the size of the LCD glass to be cleaned is 6 generations or 7 generations or more, if the cleaning is done with one atmospheric pressure plasma source, the size is limited. Therefore, by installing two atmospheric pressure plasma sources in parallel in the longitudinal direction of the glass, This results in the same effect as one plasma source cleaning to the size of the large glass.

따라서, 세정 대상인 글래스(240)가 이송 장치를 통해 인라인(in-line)으로 이동하면서 연속 세정 공정이 이루어질 때, 글래스(240)의 세로 방향으로 상호 병렬적으로 상/하부의 2개의 소스(210a)(210b)를 설치하여 글래스의 세로 방향 전체에 대한 세정이 이루어지도록 한다.Therefore, when the glass 240 to be cleaned is moved in-line through the transfer device and the continuous cleaning process is performed, the two sources 210a of the upper and lower parts in parallel with each other in the longitudinal direction of the glass 240 are formed. ) 210b is installed to clean the entire longitudinal direction of the glass.

또한, 평면적으로 상/하부 2개의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)를 세로 방향으로 병렬적으로 설치할때, 2개의 직사각형태의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)의 세로 길이 전체가 적어도 세정 대상 글래스(240)의 세로 길이 이상이어야 한다.In addition, when the upper and lower two atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b are installed in parallel in the vertical direction, the entire longitudinal length of the two rectangular atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b is at least to be cleaned. It should be greater than or equal to the longitudinal length of the glass 240.

또한, 상/하부에 설치되는 2개의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)가 글래스(240)의 세로 방향으로는 상호 병렬적으로 배치되고, 가로 방향으로는 서로 어긋나게 격자 형태로 배치한다.In addition, the two atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b provided at the upper and lower parts are arranged in parallel in the longitudinal direction of the glass 240, and are arranged in a lattice form to be shifted from each other in the horizontal direction.

이와 같이, 가로 방향으로 서로 어긋나게 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)를 배치함으로써, 단순히 병렬식의 형태로 나열시 발생할 수 있는 세로 방향의 미세한 틈새 공간의 사각지대도 없앨수 있어 모든 부분에서의 세정이 이루어질 수 있게 한다.As such, by arranging the atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b to be shifted from each other in the horizontal direction, the blind spots of the fine gap space in the vertical direction, which may occur when simply arranged in parallel form, can be eliminated. It can be done.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)를 대기와 차단시키기 위해 상기 복수의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b) 전체를 에워싸는 대기 차단 박스(220)가 배치된다.In addition, in order to block the plurality of atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b from the atmosphere, an atmospheric blocking box 220 surrounding the entirety of the plurality of atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b is disposed.

또한, 글래스(240)에 부착된 유기물의 세정이 보다 용이하도록 세정 대상인 글래스(240)를 가열하는 히터(미도시)가 상기 복수의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)의 일측면에 형성될 수 있다.In addition, a heater (not shown) for heating the glass 240 to be cleaned may be formed on one side surface of the plurality of atmospheric pressure plasma sources 210a and 210b to more easily clean the organic material attached to the glass 240. have.

도 2b는 도 2a에 도시된 상/하부에 설치되는 2개의 상압 플라즈마 소스 구성이 한번 더 반복된 형태이다.FIG. 2B is a configuration in which two atmospheric pressure plasma sources installed in the upper and lower parts shown in FIG. 2A are repeated once more.

즉, 4개의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)(210c)(210d)가 글래스(240)의 세로 방향으로는 상호 병렬적으로 배치되고, 가로 방향으로는 서로 어긋나게 배치되는 격자 구조로 구성되어 있다.That is, the four atmospheric pressure plasma sources 210a, 210b, 210c, and 210d are arranged in parallel with each other in the longitudinal direction of the glass 240, and have a lattice structure arranged to be shifted from each other in the horizontal direction. .

또한, 평면적으로 상/하부 4개의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)(210c)(210d)를 세로 방향으로 병렬적으로 설치할때, 4개의 직사각형태의 상압 플라즈마 소스(210a)(210b)(210c)(210d)의 세로 길이 전체가 적어도 세정 대상 글래스(240)의 세로 길이 이상이어야 한다.In addition, when the upper and lower four atmospheric pressure plasma sources 210a, 210b, 210c, and 210d are installed in parallel in the vertical direction, four rectangular atmospheric pressure plasma sources 210a, 210b and 210c are installed. The entire longitudinal length of 210d must be at least the longitudinal length of the glass 240 to be cleaned.

따라서, 작은 크기의 상압 플라즈마 소스를 다수 구성하여, 세정 대상인 대면적 글래스(240)에 균일한 플라즈마를 발생시켜 유기물 세정의 효과를 높일 수 있 다.Therefore, by constructing a large number of small-sized atmospheric plasma source, by generating a uniform plasma in the large-area glass 240 to be cleaned, it is possible to enhance the effect of the organic material cleaning.

도 3은 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치의 다른 실시예(300)를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view of another embodiment 300 of a cleaning apparatus using a plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention.

도 3을 참조하여, 도 2a 및 도 2b에 도시된 본 발명에 따른 일실시예와의 차이점 위주로 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 3, the following description will focus on differences from one embodiment according to the present invention shown in FIGS. 2A and 2B.

본 발명에 따른 다른 실시예(300)는, 도 2b에 도시된 4개의 상압 플라즈마 소스가 격자 배치된 것을 다중으로 배치한 것으로 상압 플라즈마 소스의 조사면적을 넓히는 구성이다.Another embodiment 300 according to the present invention has a configuration in which the four atmospheric pressure plasma sources shown in FIG. 2B are arranged in multiples in a lattice arrangement to expand the irradiation area of the atmospheric pressure plasma source.

즉, 8개의 상압 플라즈마 소스(310a)(310b)(310c)(310d)(310e)(310f)(310g)(310h)가 글래스(240)의 전체 조사면적에 대해, 서로 어긋나게 상압 플라즈마 소스가 배치되지 않는 공간을 가지는 격자 구조로 구성되어 있다.That is, the eight atmospheric pressure plasma sources 310a, 310b, 310c, 310d, 310e, 310f, 310g and 310h are arranged so that the atmospheric pressure plasma sources are shifted from each other with respect to the entire irradiation area of the glass 240. It is composed of a lattice structure with unoccupied space.

또한, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스(310a)(310b)(310c)(310d)(310e)(310f)(310g)(310h)를 대기와 차단시키기 위해 상기 복수의 상압 플라즈마 소스(310a)(310b)(310c)(310d)(310e)(310f)(310g)(310h) 전체를 에워싸는 대기 차단 박스(320)가 배치된다.In addition, the plurality of atmospheric pressure plasma sources 310a, 310b, 310c, 310d, 310e, 310f, 310g, 310h may be used to block the plurality of atmospheric pressure plasma sources 310a, 310b. Atmospheric cutoff boxes 320 that surround the entirety of 310c, 310d, 310e, 310f, 310g, 310h are disposed.

또한, 보다 작은 크기의 상압 플라즈마 소스를 대면적 글래스에 대응하여 가로방향으로 최소 2개에서 최대 10개 까지 격자 형태로 배치할 수 있다.In addition, at least two atmospheric pressure plasma sources having a smaller size may be arranged in a lattice form in a horizontal direction corresponding to a large area glass.

이와 같이 다수의 상압 플라즈마 소스를 어긋난 격자 구조로 다중 배치하면, 빠른 글래스(340) 이송속도에 대해서도 충분한 유기물 제거가 가능하게 한다. Thus, by arranging a plurality of atmospheric pressure plasma sources in a misaligned lattice structure, sufficient organic matters can be removed even at a high glass 340 transfer speed.                     

또한, 다수의 상압 플라즈마 소스를 배치하므로, 세정 대상인 대면적 글래스(340)에 균일한 플라즈마를 발생시켜 세정 효율을 극대화 시킬 수 있다.In addition, since a plurality of atmospheric pressure plasma sources are disposed, uniform plasma may be generated in the large-area glass 340 to be cleaned, thereby maximizing cleaning efficiency.

도 4는 본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치의 또 다른 실시예(400)를 나타낸 도면이다.4 shows another embodiment 400 of a cleaning apparatus using a plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention.

도 4를 참조하여, 도 2a 및 도 2b에 도시된 본 발명에 따른 일실시예와의 차이점 위주로 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 4, the following description will focus on differences from one embodiment according to the present invention shown in FIGS. 2A and 2B.

본 발명에 따른 또 다른 실시예(400)는, 4개의 상압 플라즈마 소스(410a)(410b)(410c)(410d)가 격자 배치되는 구성은 동일하나, 4개의 상압 플라즈마 소스(410a)(410b)(410c)(410d)의 크기를 가로 방향 대신 세로 방향으로 넓혀, 그 단면이 종전의 직사각형에서 정사각형으로 변환되어 구성된다는 점에 차이가 있다.In another embodiment 400 according to the present invention, four atmospheric pressure plasma sources 410a, 410b, 410c, and 410d have the same configuration, but four atmospheric pressure plasma sources 410a and 410b. There is a difference in that the size of 410c and 410d is widened in the vertical direction instead of the horizontal direction, and the cross section is configured to be converted from a conventional rectangle to a square.

이는 균일하고 안정적인 플라즈마를 발생시킬 뿐만아니라 플라즈마 조사면적도 넓히는 구성의 또 다른 형태이다.This is another form of configuration that not only generates a uniform and stable plasma, but also widens the plasma irradiation area.

이와 같이, 플라즈마 소스의 조사면적은 유기물 제거성능에 큰 영향을 미치므로, 플라즈마 소스의 조사면적을 보다 넓힐 수 있어 세정효과를 극대화 시킬 수 있다.As such, since the irradiation area of the plasma source has a great influence on the organic material removal performance, the irradiation area of the plasma source can be widened to maximize the cleaning effect.

즉, 균일하고 안정적인 플라즈마를 발생할 수 있는 격자 배치와 플라즈마 성능을 향상시키는 다중 배치를 구성할 수 있다.That is, it is possible to configure a lattice arrangement that can generate a uniform and stable plasma and multiple arrangements that improve plasma performance.

본 발명에 따른 복수의 상압 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치는 기판으로는 LCD 글래스만을 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고 OLED, PDP 등의 디스플레이 패널용 대형 기판에 모두 적용 가능할 것이다. The cleaning apparatus using the plurality of atmospheric pressure plasma sources according to the present invention has been exemplified by only LCD glass as a substrate, but the present invention is not limited thereto, and may be applied to a large substrate for a display panel such as an OLED and a PDP.                     

또한, 본 발명은 플라즈마 소스를 이용한 세정 장치에 대해 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 본 발명에 따른 플라즈마 소스를 이용한 플라즈마 식각 및 증착, 금속이나 고분자의 표면 처리, 신물질의 합성 등 다양한 형태의 표면 처리 장치에도 적용될 수 있다.In addition, the present invention has been described with respect to a cleaning apparatus using a plasma source, but is not limited to this, the surface treatment apparatus of various forms such as plasma etching and deposition using the plasma source according to the present invention, surface treatment of metal or polymer, synthesis of new materials Applicable to

따라서, 본 발명은 상기의 실시예에 국한되는 것은 아니며 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 설계 변경이나 회피설계를 한다 하여도 본 발명의 범위 안에 있다 할 것이다.Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and a person having ordinary skill in the art may change the design or avoid the design without departing from the scope of the technical idea of the present invention. Will be in range.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치는, 세정 대상인 기판의 크기에 맞게 하나의 대형 상압 플라즈마 소스를 배치하는 것이 아니라 작은 크기의 복수의 상압 플라즈마 소스를 배치하여, 하나의 대형 플라즈마 소스 제작에 따른 어려움 및 한계를 극복하면서도 하나의 대형 플라즈마 소스 사용과 동일한 효과를 누릴 수 있게 한다.As described above, in the surface treatment apparatus using the plasma source according to the present invention, instead of arranging one large atmospheric pressure plasma source in accordance with the size of the substrate to be cleaned, a plurality of atmospheric pressure plasma sources having a small size are arranged. It overcomes the difficulties and limitations of the large plasma source fabrication, while allowing the same effect as using a large plasma source.

또한, 세정 대상인 기판의 크기에 맞게 복수의 상압 플라즈마 소스를 격자 배치하여, 하나의 대형 상압 플라즈마 소스 사용때 보다 균일하고 안정적인 플라즈마를 발생시킬 수 있게 한다.In addition, by arranging a plurality of atmospheric pressure plasma sources in accordance with the size of the substrate to be cleaned, it is possible to generate a more uniform and stable plasma when using one large atmospheric pressure plasma source.

또한, 격자 배치된 복수의 상압 플라즈마 소스를 다중 배치하여 빠른 기판 이송속도에 대해서도 충분한 유기물 제거가 가능하게 한다.In addition, a plurality of lattice-arranged atmospheric pressure plasma sources are arranged in multiple positions to allow sufficient organic matter removal even at a high substrate transfer speed.

또한, 플라즈마 조사 면적을 넓히기 위해, 상압 플라즈마 소스의 크기를 가 로 방향 대신 세로 방향으로 넓히거나, 크기는 작으나 설치되는 상압 플라즈마 소스를 늘리는 배치 구성을 통해 세정 효율을 극대화 시킬 수 있다.In addition, in order to widen the plasma irradiation area, the cleaning efficiency may be maximized through an arrangement in which the size of the atmospheric pressure plasma source is widened in the vertical direction instead of the horizontal direction, or the size of the atmospheric pressure plasma source which is small but installed is increased.

Claims (8)

표면 처리 장치에 있어서,In the surface treatment apparatus, 상압 플라즈마 반응을 이용하여 생성된 산소 라디컬을 상기 기판의 표면에 주사하는 상압 플라즈마 소스를 포함하고,An atmospheric pressure plasma source for scanning oxygen radicals generated by using an atmospheric pressure plasma reaction on a surface of the substrate, 상기 기판의 상부에 복수의 상압 플라즈마 소스를 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.Surface treatment apparatus using a plasma source, characterized in that a plurality of atmospheric pressure plasma source formed on the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스의 세로 방향 전체 길이는 상기 기판의 세로 방향 길이 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.The longitudinal total length of the plurality of atmospheric pressure plasma sources is greater than or equal to the longitudinal length of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스는 상기 기판의 세로 방향으로는 상호 병렬적으로 배치되나 글래스의 가로 방향으로는 서로 어긋나게 배치되는 격자 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.The plurality of atmospheric pressure plasma sources are arranged in parallel with each other in the longitudinal direction of the substrate, but arranged in a lattice form that are offset from each other in the transverse direction of the glass. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 격자 형태로 배치되는 복수의 상압 플라즈마 소스가 다중 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.Surface treatment apparatus using a plasma source, characterized in that a plurality of atmospheric pressure plasma sources arranged in the lattice form are arranged in multiple. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스가 단면상으로 세로 방향으로 좁히고, 가로 방향으로 넓힌 정사각형태로 구성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치. And said plurality of atmospheric pressure plasma sources are formed in a square shape narrowed longitudinally in a cross section and widened in a horizontal direction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스의 일측에 히터를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.Surface treatment apparatus using a plasma source, characterized in that for forming a heater on one side of the plurality of atmospheric pressure plasma source. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 상압 플라즈마 소스를 대기와 차단시키기 위해 상기 복수의 상압 플라즈마 소스 전체를 에워싸는 대기 차단 박스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.And an atmospheric cut-off box surrounding the whole of the plurality of atmospheric pressure plasma sources to block the plurality of atmospheric pressure plasma sources from the atmosphere. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은 LCD, OLED, PDP 중 어느 하나의 디스플레이 패널용 대형 기판인 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스를 이용한 표면 처리 장치.The substrate is a surface treatment apparatus using a plasma source, characterized in that the large substrate for a display panel of any one of LCD, OLED, PDP.
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KR101291877B1 (en) * 2006-11-24 2013-07-31 엘지디스플레이 주식회사 Surface processing apparatus
KR101293119B1 (en) * 2006-11-28 2013-08-05 엘아이지에이디피 주식회사 Atmospheric pressure Plasma surface treatment apparatus and Atmospheric pressure plasma surface treatment method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102896114A (en) * 2011-07-26 2013-01-30 中国科学院微电子研究所 Novel flat-mouth type equipment for cleaning by atmospheric-pressure double-dielectric barrier active radicals
CN102921675B (en) * 2011-08-10 2017-01-25 中国科学院微电子研究所 Novel atmospheric cleaning spray gun capable of discharging large-area plasma free radicals
CN114501763A (en) * 2020-10-26 2022-05-13 新奥(天津)能源技术有限公司 Cathode head of plasma torch and preparation method thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2471733Y (en) * 2000-11-30 2002-01-16 徐恺 Foodstuff mould-proof represerving device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101291877B1 (en) * 2006-11-24 2013-07-31 엘지디스플레이 주식회사 Surface processing apparatus
KR101293119B1 (en) * 2006-11-28 2013-08-05 엘아이지에이디피 주식회사 Atmospheric pressure Plasma surface treatment apparatus and Atmospheric pressure plasma surface treatment method

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